自制晶体管耐压测试仪
自制晶体管耐压测试仪
自制晶体管耐压测试仪本测试仪，可用于测试晶体二极管、三极管、可控硅等元件的反向耐压值或稳压管的稳压值等。
一、工作原理：电路原理如图所示。
时基电路NE555、R1、R2和C2等组成了振荡频率约16MHZ的自激振荡器，其输出信号通过三极管Q1放大后驱动升压变压器T，在T的次级感应输出脉动电压。
此电压经D1整流、C5滤波，在a点取得1.8KV左右的测试用只留高压电源。
Q2、R7（或R8）、R3和R4等组成测试保护电路，当被测试管反向击穿电流大于一定值（大功率管0.7mA，小功率管70uA）时，三极管Q2饱和导通，NE555因④脚为低电位而停振，a点电压降低，被测管的反向击穿电流下降，然后NE555再次起振，a点电压上升，这种负反馈的作用结果使XA、XB两点间的电压稳定在被测管的稳压值上。
测试时，将被测管按极性接于XA、XB之间，测小功率管时，转换开关S在“1”端，测大功率管时，S在“2”端，按动按键SB，由外接的电压表PV直接读出被测管的耐压值。
二极管D2用于抵消Q2基极电位，使电压表读数更接近于被测管的耐压值。
二、元件选择：升压变压器T用35cm（14英寸）黑白电视级分体式输出变压器改制。
将其低压绕组全部拆除，再用线径为0.46mm的漆包线在原骨架上绕30匝作为初级绕组L1，次级绕组L2和整流管D1用高压包及硅柱代替。
三极管Q1选β＞50Icm＞2A的中大功率管（如3DD15，DD03等）。
电阻除R4、R5、R6选1W电阻外，其他均选1/8W的碳膜电阻。
C5应选耐压在2KV以上的0.01uF的瓷介电容。
为降低成本，电压表PV可用内阻大于2KΩ/V。
直流电压档最大量程大于2KV的万用表代替。
其他元件如图1所示。
三、调试及注意事项：电路装好后，先不加装C5，接上电源，然后用万用表检测a点电压，按动SB按钮使电路加电工作。
在正常情况下，在a点可监测到1.2KV左右的直流电压。
若无高压输出，可检查振荡电路及其相关器件；若电压略低或略高，可以更换不同阻值的R4，使输出电压为1.2KV左右，若电压偏离1.2KV太多，可通过换用不同β值得Q1来解决。
自制M8晶体管测试仪器创意DIY
自制M8晶体管测试仪器创意DIY话说前几天整理电脑内文件发现图纸库里存着这么一套图纸就是前几年很多电子论坛上炒得非常火的M8晶体管测试仪顾名思义，就是以ATMEL出品的AtMega8为核心的一个自制的电子元件测试装置可以测量诸如电阻、电容、二极管、三极管这些常用元件的简单参数应该说，是一个非常简洁的自制小工具，好像现在作者又对它进行了升级改造，功能更多正好最近工作不忙，于是决定尝试一下这个小东西全套资料齐备，不知道什么时候收藏的测试仪的电路图，非常简单，不得不说MCU功能的强大这要是用分立元件做，那工作可海了去了主核心是ATmega8 MCU和6只精密电阻构成的测试网络使用LCD1602作为显示，左侧两只晶体管组成了自动关机电路考虑到测量电路的核心有6只电阻构成了一个测量网络因此仪器的性能和这6只电阻肯定有很大关系，因此决定这六只电阻采用精密电阻原来想用0.5%的精密电阻，可惜这个精度级的电阻不零卖，最少500只于是只好采用可零售的0.1%精度的精密电阻，718厂的RJ-24A，以前用过很多虽然比较贵，但是质量可靠，性能出色这个电路很简单，在原作者基础上稍加修改单面板即可了，采用SpringLayout画板热转印制版话说这个国产XX硒鼓真是不行，断线很多，转印效果很差和HP原装硒鼓真是没法比，不过打印纸的话效果还可以断线的地方，用记号笔描吧腐蚀，完后打孔涂一层松香酒精溶液，一是为了助焊，二是为了保护铜箔不易氧化线路板做好了，剩下的事情就简单了，按部就班焊接元件即可，都是直插件，焊接简单，要不了一个小时就搞定了先焊跳线焊接好的PCB，4根铜柱用来固定液晶屏1620液晶，使用非常广泛，这里使用单排插针/座进行电气连接方便拆卸这是最重要的核心元件，MCU，型号是ATmega8后续的升级版测试仪可以用ATmega168或328俗话说，硬件是躯体，软件是灵魂，没有软件的支持，再强大的MCU也是垃圾一块，向MCU内写入程序，注入灵魂由于采用片内RC振荡器，因此，烧录程序时，MCU并没有接时钟电路用面包板做的简易烧录器将烧好程序的MCU装好，插上LCD液晶屏，拧紧螺丝，焊上两根电源线M8晶体管测试仪就组装好啦通电测试，一次成功，按下启动按钮，LCD自动点亮测试仪进入测试状态，9V供电下工作电路约87mA应该主要都是LCD背光的耗电，没有接测试元件，因此显示“Test Failed”既然组装好了，那就看看这个小测试仪如何工作吧先抓了一个三极管进行测试能显示一些基本参数这是2N29072N22222SC2060找了一个JFET,对于结型场效应管只能显示管脚HEXFET，这个能被正常识别2N7225，一样可以测试1N54082AP9双二极管半桥也可以被识别，没有被识别成三极管下面测试测试电阻，这个对于这种测试仪来说应该是比较考验精50R，0.01%精密电阻，显示49R，鉴于M8的内置ADC，可以接受500R，显示499R，可以13.5K，这个显示的相当准确啊120K电阻，显示119.2K，也不错了，误差在1%之内再测测电容WIMA 0.22uF西门子0.47uF飞利浦0.01uF MKT国产0.022uF CBB总之，拿这些三极管二极管测试一圈，这个小东西用来玩玩还是辨别元件好坏还是能有很大帮助的，尤其是一些三极管或者MOS 辨别管脚顺序很方便有空再把它升级一下看看效果如何。
基于NE555晶体管快速测试器的设计与制作
基于NE555晶体管快速测试器的设计与制作一、工作原理此电路可以检测出PN结型(PNP、NPN)，用以判断出管子是否良好，检测方便，简单实用。
555集成电路和R1、R2、C1等组成一个无稳态多谐振荡器，其振荡频率为f=1.44／(R1+2R2)C1将待测的晶体三极管的相应极插入管座相对应的e、b、c极孔中(若为二极管，则插入e、c两孔中)。
如果被测管是PNP型，且为良好，它只能在555输出振荡方波低电平时，为PNP管提供导通通路，即在方波低电平时导通，与之串接的LED2发光管得电发光；而在振荡方波为高电平时，PNP管截止，LED1、LED2均不会发光。
如果被测晶体管是NPN型，其管子工作及导通情况，正好与上述的PNP管相反，若为好管，LED1点亮发光，LED2不亮。
因此，由LED1或LED2的发光情况，可判断出是NPN，还是PNP以及其好坏。
对于被损坏断路的三极管，LED1、LED2均不会发光；而对于被击穿c、e极的三极管，则在振荡方波的高、低电平会轮流点亮，只是由于人眼视觉的滞留作用，看起来二者都亮。
因此，在检测三极管时，LED1、LED2二者都亮或都不亮，说明三极管已损坏。
对于二极管，包括硅管或锗管，其好坏的判别方法同三极管，但在插管脚时，只插e孔和c孔即可。
二、实验器材5毫米（红、绿LED各一个）、电阻（100K、200、20K、涤纶223、2K、47K2个）、锁存按键、PCB板、三芯接插座、电烙铁、焊锡丝等三、实物效果四、实验中遇到的问题及解决方法在实验过程中，我们也遇到了不少的问题,比如:焊接实物的问题，我刚开始以为不过是一个NE555和几个电容，电阻应该很简单，但其实是很复杂的，首先对焊板上的元件进行布置，然后进行焊接电路元件，之后要连线。
在此期间，除了对元件较好的焊接外，还要考虑电路元件间的影响（即元件之间信号的干扰等问题），还要考虑元件连线的不相交以及焊板面积的大小、元件摆放和连线的美观性等，所以想要焊出一块实用又美观的板子，还要经过一番考虑和布置。
晶体管在线测试仪课设
目录一、实验验目的 (3)二、实验设计 (3)2.1.1、方案一 (3)2.1.2、实验原理 (3)2.1.3、实验电路 (4)2.1.4、器件选择 (5)2.1.5、测试电路图 (6)2.1.6、模拟电路图 (7)2.1.7、实物图 (8)2.2.1、方案二 (10)三、LNE555简介 (11)四、注意事项 (14)五、心得体会 (15)晶体管在线测试仪一、实验目的运用555和运放电路，制作一个简单测试仪，要求能判断晶体管的类型以及其好坏二、实验设计方案一1、实验原理晶体管在线测试仪电路如图所示，测试仪主要由对称方波发生器、反向器、测试电路等部分组成。
对称方波发生器由555 时基电路A2 和阻容元件R3、构成，第三脚输C1 A2 出的方波频率f=0.722/R3*C1≈4.6Hz。
反向器由555 时基电路A1 构成，它接成施密特触发器，A1 的2、6 两脚输入电平直接取自A2 的第3 脚，当输入低电平时，A1 置位，第3 脚输出高电平；当输入高电平时，A1 复位，第3 脚输出低电平，所以A1 输出与A2 输出始终保持反向。
A1 与A2 共同为仪器的测试部分提供极性定时改变的交变电源。
测试电路由三极管VT1、VT2、电位器RP1、RP2 等组成的双向辅助电源与LED1、LED2 极性相反的并联发光二极管构成的显示电路两部分构成。
合上电源开关S，仪器工作指示灯LED3 长亮。
若用鳄鱼夹将一只完好的NPN 三极管按电路所示连接相应c、b、e 插孔，由于被测管集电极 c 和发射极 e 之间存在饱和压降，负半周时，LED1、LED2 均不发光，正半周时，通过R1 提供基极偏流使被测管导通，LED2 被旁路不发光而LED1 发光；当待测的是PNP 三极管时，情况正好相反，LED1 被旁路不发光而LED2 发光，从而可判断晶体管是PNP 型还是NPN 型。
如果被测管是坏管则有3 种情况：①集电极与发射极间短路：此时c-e 间无压降，发光管LED1、LED2 被旁路，且是双向旁路均不发光；②集电极与发射极间开路：这时相当于电路未接入待测管，LED1、LED2 都发光；③基极与集电极（或基极与发射极）存在短路或开路：它们都会使LED1、LED2、发光。
晶体管PC参数测量仪DIY详解
晶体管PC参数测量仪DIY详解
趁长假期间，用洞洞板作了一个PC 机晶体管图示参数测试仪。
用了一天半的时间，搭测试电路和PC 机联调程序测试DAC 和ADC 元件，确定了方案后，再用了1 天时间设计好电路、焊好洞洞板，接下来都是写程序。
电路元件很少。
核心是一块串行多通道DAC（邮购拆机的M62359）和一块串行多通道ADC（美信样品MAX188）。
ADC 基准电压就用拆机KA431，还
有两个78L05 和78L12 对上述ADC DAC 供电，电源用+20V 3A 笔记本电源，M62359 输出驱动1 只大功率管做跟随器扩展电流，总共7 只有源元件和20 只电阻、电容。
整块板面积手掌大小，临时装在一个硬盘的铸铝外壳上，功率管就装在上面，顺便还可以散热。
PC 机通过打印口，用8 芯网线电缆（只用6 芯）连接电路板。
邮购到
M62359（8 通道DAC，可以输出0-12V 电压，电流2.5mA），这样接一只跟随器作电流扩展，远远比加运放进行电压放大简单得多。
并且，输出电压有
12V，扣除功率管压降，估计至少有10V 可以控制，一般测量都可以满足了。
电路使用DAC 两个通道，一个通道控制Vbe 电压（这个通道用不用扩流，
小电流就可以了），一个控制Vce 电压（这个通道要加跟随器扩流）。
ADC 手头有2 块美信样品的MAX188 和一些拆机LTC1090，都是8 通道串行控制的ADC，MAX188 精度更高，所以选用了它。
电路使用4 个ADC 通道，分别测量串在基极回路上采样电阻两端电压，和测量串在集电极回路上采样电阻电压，通过这4 个电压可以换算出Ib、Vbe、Ic、Vce 这4 个参数。
自制晶体管耐压测试仪
自制晶体管耐压测试仪 Prepared on 22 November 2020自制晶体管耐压测试仪本测试仪，可用于测试晶体二极管、三极管、可控硅等元件的反向耐压值或稳压管的稳压值等。
一、工作原理：电路原理如图所示。
时基电路NE555、R1、R2和C2等组成了振荡频率约16MHZ的自激振荡器，其输出信号通过三极管Q1放大后驱动升压变压器T，在T的次级感应输出脉动电压。
此电压经D1整流、C5滤波，在a点取得左右的测试用只留高压电源。
Q2、R7（或R8）、R3和R4等组成测试保护电路，当被测试管反向击穿电流大于一定值（大功率管，小功率管70uA）时，三极管Q2饱和导通，NE555因④脚为低电位而停振，a点电压降低，被测管的反向击穿电流下降，然后NE555再次起振，a点电压上升，这种负反馈的作用结果使XA、XB两点间的电压稳定在被测管的稳压值上。
测试时，将被测管按极性接于XA、XB之间，测小功率管时，转换开关S在“1”端，测大功率管时，S在“2”端，按动按键SB，由外接的电压表PV直接读出被测管的耐压值。
二极管D2用于抵消Q2基极电位，使电压表读数更接近于被测管的耐压值。
二、元件选择：升压变压器T用35cm（14英寸）黑白电视级分体式输出变压器改制。
将其低压绕组全部拆除，再用线径为的漆包线在原骨架上绕30匝作为初级绕组L1，次级绕组L2和整流管D1用高压包及硅柱代替。
三极管Q1选β＞50Icm＞2A的中大功率管（如3DD15，DD03等）。
电阻除R4、R5、R6选1W电阻外，其他均选1/8W的碳膜电阻。
C5应选耐压在2KV以上的的瓷介电容。
为降低成本，电压表PV可用内阻大于2KΩ/V。
直流电压档最大量程大于2KV的万用表代替。
其他元件如图1所示。
三、调试及注意事项：电路装好后，先不加装C5，接上电源，然后用万用表检测a点电压，按动SB 按钮使电路加电工作。
在正常情况下，在a点可监测到左右的直流电压。
若无高压输出，可检查振荡电路及其相关器件；若电压略低或略高，可以更换不同阻值的R4，使输出电压为左右，若电压偏离太多，可通过换用不同β值得Q1来解决。
晶体管耐压测量仪电路a
晶体管耐压测量仪电路a为了保证晶体管能够在电路中正常工作，常常要测量晶体管反向击穿电压。
特别是对要求反向击穿电压比较高的管子，比如OCL功率放大器中差动放大器的管子，反向击穿电压要求大于几十伏．可用晶体管耐压测试电路测试。
电视机视放输出和行输出的管子，要求大于一百几十伏，就更需要测量了。
图5-23a 是一个简易晶体管耐压测试电路，它能够测量晶体二极管、晶体管的厦向击穿电压，还能够测试晶体稳压管的稳压特性。
电路说孵：二极管加上反向电压，反向电流是很小的。
但反向电压加大到某一数值的时候，反向电流急剧增大，管子进入反向击穿状态，如图5-23b所示。
管予进入击穿状态后，通过管子的电流，主要取决于外电路，如果外电路泼有限制电流的措施，电流就会很大，管子就有烧坏的危险。
晶体管反向击穿电压就是反映击穿特性的。
它是指反向电流达到某一个规定值时的反向电压。
这个反向电流的规定值可以从晶体管特性表测试条件中查出。
在图5-23的电路中，变压器把220V的交流电压变成250V的交流电压，经过二极管整流和电容滤波，获取300V的直流高压。
有负载的时候电压要低一些。
电压表用来测量二极管或者晶体管的反向击穿电压，电流表用来监视二极管或者晶俸管反向电流。
(1)测量大功率管子的BVceo当单刀双掷开关S拨到“大功率”处，可以测量大功率二极管或者晶体管的反佝击穿电压。
比如测量3AD30的集电极发射极反向击穿电压BVceo，电流表进用50mA档，电路如图5-22c所示。
R1和RP1组成限流电阻。
从晶体管特性表中可以查到‘．3AD30的BVceo测试条件是反向电流20mA．调节RP1，使电流表指针落在20mA处。
这时候，电压表的读数就是这个管子的集电极发射极反向击穿电压。
如果测量反向击穿电压BVceo．基极发射极之间接一个规定的电阻。
比如测3AD30的BVceo，要接20fz左右的电阻。
(2)测量小功率管子的BVceo当单刀双掷开关S拨到“小功率”处，可以测量小功率二极管或晶体管的反向击穿电压。
小功率三极管测试仪的设计制作
摘要在电子类产品中，晶体三极管是电路中最重要的组成部分之一。
其能够放大信号，并且具有良好的功率控制、工作速度快、持久力强等特点，故常被用来构成放大电路，开关电路，并广泛的应用于电子、机械等领域。
面对种类繁多，功能各异的晶体三极管，电路设计人员需要用专用仪器检测其特性参数，并根据检测结果筛选使用合适的三极管。
本课题提出了一款小功率三极管测试仪的设计制作，其实现了晶体三极管引脚的自动识别与直流放大倍数的测试，漏电流的测试。
该测试系统以AT89S52 单片机作为控制的核心，由DA转换器TLC5615作为压控恒流源，能给基极提供稳定的电压；由三个多路开关CD4051组成的自动切换电路，能实现三极管NPN型测量电路及PNP型测量电路的自动切换；再取一个模拟开关CD4051与AD转换器TLC1549共同组成采样电路，以实现引脚电压的自动切换采样。
最后利用单片机对采集所得的数据进行处理，并通过Nokia5110 显示三极管的引脚与管型及直流放大倍数的值和漏电流的值。
本课题的研究内容主要有以下几个方面：⑴介绍了三极管测试技术的现状及未来发展趋势，学习现有技术的优点；⑵详细阐述了系统的测试原理，对主要电路的硬件设计进行了概述和分析；⑶介绍了系统软件设计思路并给出了测量参数的主流程图及各模块流程图；⑷完成了晶体三极管引脚的自动识别及管型的判别，进行放大倍数的测量及漏电流的测量，对测量参数进行必要的误差补偿以提高测量精度。
测试结果表明，所研制的小功率三极管测试仪达到了设计要求，其测试精度高，使用简单，方便，该仪器具有良好的稳定性及较高的性价比。
关键词：AT89S52；模拟开关CD4051；三极管引脚自动识别；三极管放大倍数AbstractIn electronic products, the crystal transistor is the most important integral part of the circuit, which can amplify the signal, and has good power control, work fast, durable and strong features. It is often used to form amplifier circuit, switching circuit, and widely used in electronics, machinery and other fields. Faced with a wide range of different functions of the crystal transistor, circuit designers need to detect the characteristic parameters with special instruments, and screened using a suitable crystal transistor according to test results.This paper presents the design and fabrication of a low power crystal transistor tester, which achieves the automatic identification of the transistor pin and the test of the DC amplification factor, the test of the leakage current. The test system with AT89S52 microcontroller as the core of the control, by the DA converter TLC5615 as a voltage-controlled current source, to give the base to provide a stable voltage; the automatic switching circuit is composed of three multiplexer CD4051, which can automatically switch the measuring circuit of the NPN type to the measuring circuit of the PNP type; Then take a CD4051 analog switch and the AD converter TL1549 together constitute the sampling circuit, in order to achieve automatic switching pin voltage sampling; Finally, the data are analyzed and processed by the MCU, and through the Nokia5110 display the pin and tube type of the crystal transistor, and the value of the DC amplification factor and the value of the leakage current. Contents of this paper are mainly the following aspects:⑴Describes the status of the transistor testing technology and future trends, learn the advantages of the prior art;⑵The testing principle of the system is described in detail, and the hardware design of the main circuit is summarized and analyzed;⑶The design idea of the system software is introduced and the main flow chart of the measurement parameters and the flow chart of each module are given;⑷The automatic identification of the pin of the crystal transistor and the determination of the tube type, the measurement of the amplification factor and the measurement of the leakage current are completed, and the necessary error compensation is made to improve the measurement accuracy.Key words: AT89S52; analog switches CD4051; the crystal transistor pin automatic recognition; triode amplification目录摘要 (I)ABSTRACT (II)1 绪论 (1)1.1课题背景 (1)1.2小功率三极管测试仪的现状 (2)1.3三极管测试技术的发展方向 (2)1.4本章小结 (3)2 小功率三极管测试仪的总体设计 (4)2.1系统实现功能 (4)2.2系统各模块方案的选择 (4)2.2.1恒流源的方案 (4)2.2.2自动切换电路方案 (5)2.2.3最小系统方案 (5)2.2.4采样电路方案 (6)2.2.5显示模块方案 (6)2.2.6供电电源方案 (7)2.3三极管参数的理论分析 (7)2.3.1三极管引脚及管型 (7)2.3.2三极管放大倍数 (8)2.3.3三极管漏电流 (8)2.4本章小结 (8)3 系统硬件电路的设计 (9)3.1系统硬件电路总体设计图 (9)3.1.1单片机最小系统电路 (9)3.1.2D/A转换电路 (11)3.1.3测量电路 (12)3.1.4自动切换电路 (13)3.1.5 A/D转换电路 (14)3.2本章小结 (14)4 系统软件设计 (15)4.1测量模块的编写 (15)4.2液晶模块编写 (16)4.3D/A转换模块编写 (18)4.4A/D转换模块编写 (20)4.5本章小结 (20)5 系统调试 (21)5.1单片机的调试 (21)5.2D/A芯片调试 (21)5.3自动切换电路调试 (21)5.4A/D芯片调试 (21)5.5显示调试 (22)5.6系统整体调试 (22)5.7系统软件调试及误差补偿 (22)6 数据测量与结果分析 (24)6.1管脚的自动识别和管型判别 (24)6.2放大倍数的测量结果 (24)6.3漏电流的测量结果 (24)7 结论 (25)谢辞 (26)参考文献 (27)附录一基于AT89S52单片机小功率三极管测试仪原理图 (28)附录二基于AT89S52单片机小功率三极管测试仪PCB图 (29)附录三基于AT89S52单片机小功率三极管测试仪原程序 (30)1 绪论1.1 课题背景早在1904年弗莱明等人发明出了真空二极管，之后在1906年时德福雷斯特等人又研究出真空三极管，新兴起的电子学以其独特的学科力量迅速壮大起来。
自制晶体管测试仪
自制晶体管测试仪
功能
*自动检测NPN和PNP晶体管，N沟道和P沟道MOSFET，二极管（包括双二极管），晶闸管，
三极管，电阻器和电容器。
*自动检测和测试元件的引脚报告
*检测及晶体管和MOSFET保护二极管显示器
*的放大系数和基数的确定发射极晶体管的正向电压
*测量栅极阈值电压和栅电容的MOSFET
*显示值在文本液晶（2 * 16个字符）液晶型号是CD1602
*有效期组件测试：在2秒（除在较大的电容器）
*一键操作，自动切断
*功率消耗关闭模式：小于20 nA的
对于电阻测量范围约2欧姆为20M欧姆，覆盖了电阻值最大。
其精确度不高。
电容器可以衡量的约0.2 nF至7000μF好。
上面的准确性4000μF日益恶化。
在原则上，大电容的测量还需要较长时间，测量的时间为1分钟是正常的。
注:该测试仪并非本人原创,是一位德国人所作,我只是跟着DIY了一把.
原网站：/articles/AVR-Transistortester
自制晶体管测试仪.rar (548.78 KB)
原理图和代码
以下是制作的图片，使用洞洞板
正面图
反面图
加装电池（9V 6F22），插上液晶
测试小晶体管
外接的测试线
测试线效果
制作要点。
输出的2种电阻值680欧姆和470K尽量精确。
自制GM328晶体管测试仪用户手册
自制GM328晶体管测试仪用户手册电源：晶体管测试仪可由6.8V –12V 直流供电。
这可以通过一个9V 的层叠电池来实现。
两个3.7V 锂离子电池串联。
或AC 适配器。
通电时，直流9V 电流约为30mA 。
控制：晶体管测试仪由“带开关的旋转脉冲编码器”控制，或由“RPEWS”短接，该元件有四种工作方式，短时间按下旋钮，按住，左右旋转旋钮。
当晶体管测试仪通电时。
短时间按下RPEWS 将打开晶体管测试仪，并开始测试。
晶体管测试仪将在测试结束时等待用户输入。
在测试结束时，在自动关闭之前。
长时间按下RPEWS 或左右旋转，将进入功能菜单。
在“功能”菜单中，左栏中的“>”用于索引所选菜单项。
要进入特定功能，只需单击RPEWS 。
在特定功能内，按住旋钮将退出并返回功能菜单。
测试：晶体管测试仪有三个测试点（TP1、TP2、TP3），在测试插座内，三个测试点的配置如下。
在测试插座的右侧是SMT 测试板，也有编号来识别每个脚位。
当测试两个引线组件（电阻、电容、电感）时，两个引线可以选择任意两个测试点。
如果选择了TP1和TP3，测试完成后，测试将进入“系列测试模式”。
否则，通过短时间按下RPEWS 重新开始测试。
注意：在将电容器连接到测试仪之前，在打开之前，务必对电容器放电！否则，检测仪可能损坏。
在MCU 的端口上只有一点保护。
如果您尝试测试安装在电路中的组件，则需要格外小心。
无论哪种情况，设备都应断开电源，您应该确定，设备中没有剩余电压。
自检和校准：通过将三个测试点连接在一起并推动RPEWS，可以准备自检，测试仪LCD的颜色将变为白色字体和黑色背景。
提示字符串“Selftest mode….”“，要开始自检，必须在2秒内再次按下RPEWS，否则测试仪将继续进行正常测量。
现在开始自检，检测仪将提示您下一步。
等待一段时间，直到提示字符串“isolate Probes（隔离探针）！“此时拆下三个测试点的连接。
检测仪将等待，直到测试到断开。
晶体三极管好坏检测仪的设计与制作(发表版)
晶体三极管好坏检测仪的设计与制作摘要：利用晶体三极管的开关特性，引导学生设计了能同时检测三极管好坏和类型的电路，并通过Multisim软件仿真，确定电路器件合适的参数。
将待测三极管插入接线孔中，若只有红灯闪烁，说明此三极管是好的且为NPN型；若只有绿灯闪烁，说明此三极管是好的且为PNP型；若两灯都不亮或是交替发光，则此三极管是坏的（内部断路或是击穿）。
最后通过面包板搭建实际电路，制作检测仪原型。
关键词：晶体三极管检测Multisim仿真1 活动背景晶体三极管是电子电路中常用到的元器件，使用前一般用多用电表分别检测三极管两个PN结正向和反向的电阻，由此推断出三极管的好坏（CE间断开或击穿）。
或者需要判断三极管类型时也要用到类似的方法。
部分学生感觉这样操作比较繁琐，于是萌生出一个想法：能不能设计一个能同时检测晶体三极管好坏及其类型的仪器呢？2 活动目标综合实践活动具有综合性、实践性、差异性和生成性等特点，注重学生在实践中发现并提升自身的潜能，使综合能力得到提升。
本次活动属于科技制作类型，因此确定了如下目标：（1）学会如何查找和筛选信息，培养简单的调查研究能力；（2）从合理人机关系出发，初步学会如何确定产品的功能；（3）在电路安装与调试过程中，锻炼学生的动手能力和问题解决的能力。
3 活动过程3.1 检测仪功能要求根据前期资料收集和分析，引导学生确立三极管检测仪以下功能：（1）只要将待测三极管三个引脚接入电路，就能判断出其好坏及类型；（2）操作方便、快捷、判断结果清楚直接。
3.2电路设计3.2.1操作面板设计根据功能需求，学生在电路中留出3个接线孔作为待检测三极管的接入口；用2个发光二极管的状态说明待测三极管的好坏及类型。
操作面板设计如图1所示。
3.2.2电路设计过程教师引导学生从系统设计的整体性原则出发，根据电子控图1 检测仪面板制系统的基本组成设计了以下三个组成部分。
【输入部分】由于检测结果是用灯光闪烁表现，则输入信号应该是有高低电平交替变化的。
我的DIYM8晶体管测试仪的经验（amoBBS阿莫电子论坛）
我的DIYM8晶体管测试仪的经验（amoBBS阿莫电子论坛）最近好几个网站都在DIY晶体管测试仪。
我前不久也用洞洞板做了一个，精度还可以10K AE金属箔电阻10K AE金属箔电阻(原文件名:nEO_IMG_100_6739.jpg)误差0.01%5K AE金属箔电阻5K AE金属箔电阻测试(原文件名:100_6743.JPG)误差0.24%2.5KAE金属箔电阻2.5K AE金属箔电阻测试(原文件名:nEO_IMG_100_6741.jpg)误差1.4%250RAE金属箔电阻250R AE金属箔电阻(原文件名:nEO_IMG_100_6740.jpg)误差0.4%除了电容，其它类型元件的测试和电阻一样，但是我没有精度可靠的元件，加上晚上拍效果不好就不拍了。
另外安装的时候因为螺丝滑丝了，直接用万能胶粘上了就不放裸照了这个晶体管测试仪也是根据一个德国人的开源项目做的，原始资料地址是 /articles/AVR-Transistortester这个网页有原理说明，原理图和源代码。
下面是我的其他元件的测试结果红色发光LED： Diode: A=2;K=1Uf=1967mV绿色发光LED： Diode: A=2;K=1Uf=2926mV整流桥1-交流；2-交流；3-负电压端：Double Diode CAA=3;K1=2;K2=1SR360:Diode: A=2;K=1Uf=209mV8050: NPN 1=E;2=B;3=ChFE=22 Uf=754mVTIP35C: NPN 1=B;2=C;3=EhFE=46 Uf=603mVBC557: PNP 1=C;2=B;3=EhFE=43 Uf=793mV2N7000： N-E-MOS C=0.12nGDS=231 Vt=1550m(V超出显示不出来了)电容没有电容表，所以无法确定测量精度，不过经过多个测试，感觉还可以104CBB： 100.23nF105CBB： 1.00uF104绿色WIMA：101.45nF0.47uF红色WIMA：507.15nF1uF红色WIMA：1.08uF225CBB：2.20uF47uF无极性电解电容：48.87uF22uF电解：21.53uF1000uF电解：1263.67uF （测试时间需10秒左右）6800uF电解：7099.87uF （测试时间需30秒左右）10000uF电解：9225.12uF （测试时间更长，其中几次还误报为小电阻，呵呵充电电流太小了）下面说说我的制作过程中的几个小经验原电路图：电路图(原文件名:Schaltplan_transistortester.png)其原来的设计是使用9V电池，但是我不用考虑外出携带，不在乎功耗，所以那几个3级管构成的开机电路我就取消了，直接使用内置小变压器供电。
自制大功率三极管测试仪
自制大功率三极管测试仪电路原理如下图所示，变压器B输出=组电源。
第一组经D1一D4（桥堆）整流输出测量电压。
第二组经二极管D5一D8整流输出极性转换控制电压。
因为测量NPN与PNP型管时的电流方向不同。
因此用开关K2和继电器J，分别控制电源电压的极性和基极电流与集电极电流的方向。
开关K2为NPN与PNP型极性转换开关。
发光二极管D10、D11为NPN与PNP型指示灯。
K2所在位置为NPN型测量电路。
即电压上正下负。
其发光管D10正压亮指示NPN型测量。
Dll反压灭。
三极管V因反向偏置而截止。
继电器J不吸合。
J常闭触点J1—1、J1一2、J1一3.J1-4闭合。
J的动触点接通图中的左端。
当K2扳到PNP型测量位置时，发光管D11点亮。
指示PNP型测量。
D10反压灭，二极管D12正向导通。
使三极管v转为正向偏置而导通，继电器J吸合。
常开触点点J1—1、J1一2、J1一3、J1-4闭合。
从而改变基极和集电极的电流方向。
调电位器w即可测量大电流下的Hfe。
制作时。
D1一1）4选用≥15A的桥堆。
K1、K2分别用KNX—1和2刀2位的KN3—3型钮子开关，J选用JlRXB—1型的且有4组常开、常闭触点的继电器。
基极电流表和集电极电流表分别选用满度为100mA和内附分流器满度为10A.型号为85C0一1的直流电流表。
变压器的功率应≥120W。
测试仪的外壳可用厚5mm的层压板制作，并用广告用的黑色即时贴粘在外壳上；面板用白色的即时贴粘上。
这样。
一个外壳漂亮的仪器箱呈现在眼前，见右图。
整个电路可用搭接的方式安装。
散热片采用厚1.2mm的铝板弯成形状。
装在面板的右边上。
并用丝攻攻一M3的孔用于紧固被测管。
散热片直接与电路中的c极连接，b、e极分别接在面板的香蕉插座上。
把被测管装在散热片上用M3×1Omm的螺钉紧固。
用焊有香蕉插头与鱼夹的连线插在b、e插座上。
鱼夹分别夹在被测管的b、e脚上。
根据被测管的极性扳动K2的位置。
高电压击穿测试仪（晶体管耐压测试仪）
高电压击穿测试仪（晶体管耐压测试仪）高电压击穿测试仪（晶体管耐压测试仪）下面的电路是用来确定电子元件的击穿电压，而不会造成永久性的损坏。
该电路从零电压迅速爬升高电压，直到漏电电流达到预先设定的100微安时停止。
通电时两个晶体管构成振荡器产生3或4 kHz （由0.02 uF的电容设定）的方波脉冲驱动对称输出级。
输出级被连接到一个音频变压器或电源变压器。
许多音频或电源变压器可以在这里工作，但较低的频率使用电源变压器更好。
变压器输出的高电压经过二极管和电容组成的电压倍增器进一步升高。
两个电阻器和一个0.1 uF电容对高电压进行滤波和电流限制。
此滤波后的电压被连接到正极测试端子。
负极测试端接收流经被测试设备的电流，并在10kΩ电阻上产生电压，100微安电流时电阻两端有1伏电压。
此电压被施加到运算放大器来设置阈值电流，当电流超过设定电流时2N4401导通拉低0.02 uF电容上的电压，限制振荡器输出电压。
齐纳二极管用于保护运算放大器。
电压表（未示出）连接正端子和电路地读取之间电压（注意：不要将仪表连接到负极测试端子）。
一个40兆欧电阻（4个10兆串联）串联一个50微安电流计应该可以当作2000伏的电压表。
在图片中显示的原型是一个200伏的电压表，它串联了一个4兆欧姆的电阻。
组装时高电压部分必须和其他电路绝缘良好。
电压倍增器部分可以采用“空中布线”的悬空焊接，确保没有其他电线在高压部分附近。
测试仪组装完成后就可以连接设备进行调试，检测电压是否达标，最大电流是否合适。
注意远离测试端否则你会被电击！仪器正常后就可以进行击穿测试，击穿电压确定后，关闭电源，取出被测元器件，然后将电容器放电。
自制晶体管配对仪电路
自制晶体管配对仪电路两款晶体管配对电路对于使用互补双极晶体管的电路设计，有时需要筛选出与直流增益（p）相匹配的NPN和PNP晶体管。
这种要求匹配的电路例子是放大器的输出级。
下图的电路可以方便地测试和匹配两只互补双极管的电流增益，晶体管匹配时，电压表读数为0。
在图中，晶体管Q1和Q2是待测器件，在测试设备上，Q1和Q2共用一个基极电流（IB）。
由于电流没有流出路径，因此不需要做额外补偿。
但要注意，β应足够高，电阻R，和R2应相等。
为了给晶体管一些余量，在晶体管基极连接间引入一个额外的D1（LED）压降。
D1是一只蓝色LED。
这只二极管帮助将Q1的基极电压（VB1）设定在大约电源电压（VS）的一半。
用LED替代D，要好于使用齐纳二极管，因为它在小电流下有更锐利的拐点。
此外，很多蓝色LFD在不到10μA的电流下就能发光，可以用于指示基极电流的存在，从而表示电路工作正常、式（1）决定了所需要的电源：一只典型蓝光LED的正向压降大约为3.5V：假设VBE1=VBE2=0.7V，则可以得到VS值约为9.8V。
电阻R1设定Q1的发射极电流，用式（2）计算：发射极电流的选择应适合于未来晶体管的应用，因为beta值会随发射极与集电极电流而变化。
当测试设备连接了匹配晶体管时（B1=B2），R1和R2上的压降相等，电压表显示读数为0。
下图中的电路有相同的功能，但采用了一种更简单的方法来表示电流的平衡，反向并联的红色LED代替了电压表。
当增益匹配时，两只红色LED（D2和D3）均不发光。
结型场效应晶体管配对测试电路图a：测配N沟道结型场效应晶体管对管。
图b：测配P沟道结型场效应晶体管对管图c：配沟N，P道结型场效应晶体管对管.自制晶体管配对仪电路相信所有DIY爱好者都会遇到晶体管配对的问题。
这种事情单靠一只万用表是解决不了问题的。
即便是带HFE测量的万用表，往往由于基极电流的限制，小功率管还可以测，中功率管和大功率管就无法准确测试了。
简易耐压测试器
简易耐压测试器
电子爱好者在实验制作中，经常需要测试二极管、三极管等元件的耐压。
本文介绍一款简单易制的耐压测试器，它只需要两节1．5V电池供电，即可输出200V1300V的测试电压，可基本满足常用二极管、三极管耐压测试的需要．电路见附图。
本电路是一个常见的单管脉冲振荡器。
V是NPN型功率管，它的功率不需很大．3W-5W即可，但β值宜大些。
由于不是连续工作，可不加散热器。
电位器Rp和R1串联用以调节输出电压，可调范围为200V1300V，相应的电源电流为70mA450mA。
当按下开关K后，电路起振，V的c极反峰电压约十几伏，经变压器升至1000V 以上。
三只FR107快恢复管串联起来，反压可达3000V，用以对1000V高压整流，两只0．11uF／630V的滤波电容也是串联的，以获得1300V以上的耐压。
输出电压经R2限流后，加在与电压表并联的待测元件上，待测元件处于反向击穿状态，即可直接读出反向耐压。
电压表可用数字表1000V挡，或用10kΩ/V以上的指针表。
由于本电源内阻很大，即使没有R2限流，电流也仅为1mA-- 2mA，因而不用担心对器件的损坏。
每次测量前，最好将电压调到最低，接上待测元件后再慢慢升高，当。
时隔30年再作晶体管耐压测试仪
时隔30年再作晶体管耐压测试仪
我读初中时就迷上了无线电技术，上高中时就订阅了《无线电》杂志。
30年前，高中刚毕业，按照1984年第8期的《晶体管直流参数测试仪》，但那个时候材料匮乏，作出来的成品也很粗糙，用一个大盒子装着，很笨重，不适合携带。
现在翻看杂志，看到这片文章，萌生出再作一个的想法，说干就干，从网上淘来一个外壳，按照面板的大小设计一个贴纸；
原理图，是1984年第8期的《晶体管直流参数测试仪》
按照面板的大小设计一个贴
把贴纸贴到面壳上；
按照开关位置开孔；
装上开关；
用洞洞板焊的升压部分；
升压部分装到底壳上
焊接连线；
大功告成；
测试13003的Vcbo耐压值
测试13003的Vceo耐压值
大眼晶发表于 2014-9-30 20:30
变压器如何制作。
变压器室使用PQ2016的磁芯和骨架，按原理图的数据绕的，磁
芯不用磨气隙三极管用SS8050代替，输出二极管用的是SF18，D1要
2个串联使用。
变压器绕制方法：
雪茄烟发表于 2014-10-4 13:53
原图的波段开关你给简化了不知道效果如何。
写个改造说明多好。
由于只要了VCEO和VCBO的测试功能，可同时测试稳压管耐压值，所以电路简化了很多，见原理图：。
晶体管测试仪仿制二
晶体管测试仪仿制二前文大体的说了下仿制测试仪的过程和硬件设计,下面主要说说软件相关的东东I.首先说说比较正规资料来源个人觉得下面这个站的东东是比较权威的,应是原作者.当然按他本人的说明,他也是参考改进了别人的东东./articles/AVR_Transistortester就是这个站(本文后面称为主页),看他的名字,应是俄国人或是乌克兰这类的,还好他的资料都是英文的(虽然本人英文烂到渣--从初二就没及格过)本来能找到网址,就没什么要说了,可这个站一定要说下子,不然根本下载不了任何东东.顺便说下,网上有人发过下面这个联接:/svnbrowser/transistortester/显示的样子非常像是网页版的FTP,各级目录点进去能看到很多的文件,但是点文件后只是跳到某面页,右点后另存为也只是一个网页文件.这其实只能用来浏览目录结构,真正要下载的话,需要在电脑上安装一个svn软件(svn是什么自行百度),主页上也有说明,点主页中的”下载”,你会看到如下的说明:我安装了比较常用免费的TortoiseSVN(百度找下,我是直接在360的软件管家中下的),下载时其实不用像网上那个,先建个目录,再同步什么的,直接用下图T ortoiseSVN中的这个(也就是主页中说的SVN浏览器)软件打开时会让你输入svn网址,输入主页上写的svn:///transistortester稍等会,等联上服务器,就可像文件管理器那样操作了----另开一个资源管理器,直接把想下载的东东拖进去就下载了.比较重要的文件其实就两个:/Doku/tags/english目录下的是说明---这是个非常详细的资料,包括电路,调试等各方面的/Software/tags目录下是代码(含源文件)的压缩文件,有多个版本,一般下最新的吧;我在仿这个测试仪时,还是111K版,刚刚看到有新版出来了-112K,不知有多大区别,等有空再研究了.II.固件烧写就一般AVR编程器就行了,界面都大同小异的吧两点要注意的1.熔丝位,其实真正要改的就一条,ATMegax8系列的默认熔丝时钟是8分频的,需要把这个选项去掉(如果你用MEGA8---不是MEGA88哦,没这个项,就无所谓了),其它直接默认值就能工作.2.需要调入两个文件烧入,解压前面下载的代码文件,进trunk子目录,你会看到里面有一堆的目录,这个是对应编好的固件,比如: mega328 这是使用单片机M328用1602显示mega328_st7565 M328单片机用12864显示每个目录中至少有三个文件(其它文件没什么用,可删除):TransistorTester.hexTransistorTester.eepMakefile烧录时”调入Flash”选第一个hex文件,”调入Eeprom”选第二个eep文件,这两个都要选上,然后点自动烧录即可.至于最后一个文件,后面编译固件会再说.III 再谈硬件这个测试仪可以在官方手册说明的范围内小改--主要改变是关于显示屏的,简单说下,以官方111K版手册为例,在第9页有一个基本的电路(就是前一文中的基本电路,也是在国内网站能找到的最多的一个图),这图下面配套有一个表格,这个表很重要,很重要!这就是想要改变显示器时必需要做的改变,表中第一行是所选的显示器,LCD是指1602/2004这类字符型显示屏,ST7665是12864的串行点阵屏,SSD1306是OLD显示屏,最后一列是指扩展功能;表第一列是指单片机的引脚,表中间部分是各种屏的引脚,行与列的对应即为接线,第一行中有些标有”STRIP GRID”--这个要说明下,字面上看是”软带封装”,其实可以这样理解:这是为业余条件下DIY设计的一个东东,主要使用的直插件,你用一片DIP的M8/M328和一个1602摆放下,就可看出其实带与不带STRIP GRID,就是单片机和屏是不是装在PCB的同一面,选对应的接线方式可减小线之间的交叉---比如用直插M238,并和显示屏在同一面,就可按表格第二列接线,这是得到的其实就是第9页的那个电路.最后一列也要说明下,这是使用扩展功能时的接线,这主要有两个功能:rotary encoder1/2是指旋转编码器引脚(菜单选择用);frequency counter是测量频率的输入脚(只能同面的12864点阵屏或OLED可用) 表格中间的pushbutton是指接按键的脚:正常接在PD7,带”STRIP GRID”则接PD0;其实像我这样改用贴片M328,其实就无所谓在哪页了,走线都有点交叉.IV.软件的编译找不到需的固件时(特别是如果改动过硬件时),这时可能需要自己编译固件.首先说下,这个软件的代码组织得还是非常不错的,用的类似linux 下的方法，玩的人不用会编程，只要改动它的配置文件(一个文本文件,多数情况下只是加减个#号的事)后,重新编译即可.很多玩Linux的朋友并不会编程,但系统中还安装有C/C++或更多的编译软件,主要是因为用它们可以重新编译某些软件自己的定制版本(甚至是重编Linux内核)这里类似,我们需要安装一个AVR C 编译器软件---WINAVR,直接网上DOWN一个,或百度”WINAVR官网”后下载,这个软件最新版也只是2010年的,但一样好用.不自己写程序的话,安装完这个就可以编译本测试仪的固件了.如果有写程序的玩家,一般还要装一个界面软件,一般是AVR studio,在这个里面编写代码什么的,在其中点编译----它其实是调用WINAVR进行编译的.这也是为什么玩AVR的一般要装这两个软件,当然现在也可选择使用ATMEL官方的软件:界面--Atmel studio;编译器--XC. 我是在Atmel studio中挂了WINAVR,这样可保持对以前代码的兼容性.上面这段其实与我们的编译测试仪固件无关,我们回来继续.WINAVR装好了,点”开始”打开如下的软件:点”file”->”open”打开第二步中解开的文件夹中任意一个中的Makefile文件(注意备份原始文件),然后点”Tools”->”[WinAVR] Make Clean”,等完成后,再点”[WinAVR] Make All”,这时你打开Makefile的那个目录中的HEX和EEP文件就变成了最新的了,可进行烧写了.V.Makefile简单说明配置文件Makefile是纯文本文件(也可用记事本之类打开),文件内容如下这样在WINAVR这个应用中打开,看看比较清楚,每行以#打头的话,会变成绿色,说明本行是个注解(--给人看的,编译时不起作用),去掉#号变成黑色,在编译中有效.对测试仪进行修改多数都只是加减#号.文件头部不用管它,从PARTNO开始,可以修改,每个选项前都有一段算是比较详细的说明,手册中有更详细的说明(都是英文的,可贴到翻译软件上看看--本人就这样蒙出来的.)这挑几个重要的简单的说明下:PARTNO = m328p 是指使用的单片机型号,前面有说明,可改为m8,m168等等需要全功能的话要M328以上单片机CFLAGS += -DWITH_MENU 使用菜单(扩展功能),这项打开,代码会大很多哦,但要使用频率什么的必需打开CFLAGS += -DSTRIP_GRID_BOARD 接线布局,就是前面III部分说的接线WITH_LCD_ST7565 = 1 使用ST7565的12864点阵屏CFLAGS += -DWITH_ROTARY_SWITCH=2 使用旋转编码开关详细的使用,自己慢慢猜,慢慢试吧.最后说一下,很多人关心想加入中文,这有两个问题:一是原作者代码中没有支持,要加中文就真正要去读并改源代码了,太费时费力,且这个测试仪也就用了那么几个英文单词,死记都记住了,没什么必要.二是使用点阵屏且用全功能,编译后的代码远超32K了,没法烧进M328(我将部分表格移到EEPROM,都33K了,最后没办法把字体缩小了才放下----这些选项都可配置的),也就是说单片机中已没有空间--换M1280/M2560也许可以,但这片子与Mx8系列引脚完全不兼容了.。
晶体管反向击穿电压测试器的原理及制作
晶体管反向击穿电压测试器的原理及制作
这里介绍一种利用普通万用电表就能测出晶体管反向击穿电压的小仪器，其测量范围为0～1000V，可满足一般测量要求。
1.电路原理
晶体管反向击穿电压测试器的电路如下图所示。
电路可看作一个高压恒流源向待测管馈电，用万用表就可直接读出管子的反向击穿电压。
电路实质上是一个反馈式直流变换器，它将3V直流电压转
换为1200V左右的主高压直流电。
电路通通电后，由于变压器T的绕组N1
与N2之间的耦合反馈作用，使电路形成强烈振荡，振荡电压经绕组N3升压，由VD2整流后向电容c2充电，使C2两端可获得约1200v直流高压。
此高压经高值电阻器R2限流施加到待测管，使管子击穿，并接在待测管两端的万
用表就能直接读出管子的反向击穿电压。
由于R2电阻值很大，起到一个恒
流源作用，且于击穿时电流很小，不会使待测管损坏。
2.元器件选择与制作。
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自制晶体管耐压测试仪
本测试仪，可用于测试晶体二极管、三极管、可控硅等元件的反向耐压值或稳压管的稳压值等。
一、工作原理：电路原理如图所示。
时基电路NE555、R1、R2和C2等组成了振荡频率约16MHZ的自激振荡器，其输出信号通过三极管Q1放大后驱动升压变压器T，在T的次级感应输出脉动电压。
此电压经D1整流、C5滤波，在a点取得左右的测试用只留高压电源。
Q2、R7（或R8）、R3和R4等组成测试保护电路，当被测试管反向击穿电流大于一定值（大功率管，小功率管70uA）时，三极管Q2饱和导通，NE555因④脚为低电位而停振，a点电压降低，被测管的反向击穿电流下降，然后NE555再次起振，a点电压上升，这种负反馈的作用结果使XA、XB两点间的电压稳定在被测管的稳压值上。
测试时，将被测管按极性接于XA、XB之间，测小功率管时，转换开关S在“1”端，测大功率管时，S 在“2”端，按动按键SB，由外接的电压表PV直接读出被测管的耐压值。
二极管D2用于抵消Q2基极电位，使电压表读数更接近于被测管的耐压值。
二、元件选择：升压变压器T用35cm（14英寸）黑白电视级分体式输出变压器改制。
将其低压绕组全部拆除，再用线径为的漆包线在原骨架上绕30匝作为初级绕组L1，次级绕组L2和整流管D1用高压包及硅柱代替。
三极管Q1选β＞50Icm＞2A的中大功率管（如3DD15，DD03等）。
电阻除R4、R5、R6选1W电阻外，其他均选1/8W的碳膜电阻。
C5应选耐压在2KV以上的的瓷介电容。
为降低成本，电压表PV可用内阻大于2KΩ/V。
直流电压档最大量程大于2KV的万用表代替。
其他元件如图1所示。
三、调试及注意事项：电路装好后，先不加装C5，接上电源，然后用万用表检测a点电压，按动SB按钮使电路加电工作。
在正常情况下，在a点可监测到左右的直流电压。
若无高压输出，可检查振荡电路及其相关器件；若电压略低或略高，可以更换不同阻值的R4，使输出电压为左右，若电压偏离太多，可通过换用不同β值得Q1来解决。
由实验可知，Q1的β值越大，则输出电压越高，反之则越低。
当电压基本正常后，加装C5，再测a点电压约为即为正常，然后将万用表串入XA、XB之间，直接测量通过R6的电流。
当S拨在1端时约为70uA,S拨在2端时，约为为正常。
否则，可通过改变R7或R8的阻值来解决。
到此调试工作即告结束，本仪器即可投入使用。
四、注意事项：1.由于本测试仪线路中存在高压，因此在线路布局上要防止高压打火，在使用中要防遭电击；2.测试前把万用表量程拨到大于被测元件耐压值档，若被测元件耐压值不楚时，需先用较大量程档测量；3.由于电路工作时电流较大（200～500mA），故电源GB最好选用镍镉电池或5号干电池。