电子技术题库(1)教材
电子技术基础练习题库及答案
电子技术基础练习题库及答案一、单选题(共70题,每题1分,共70分)1、本征半导体温度升高后,两种载流子浓度仍然相等。
A、✔B、×正确答案:A2、单相半波整流电路,负载电阻RL=750W,变压器次级电压有效值,U2=20V,则输出电压平均值U0为。
A、18VB、20VC、9V正确答案:C3、PN结两端加正向电压时,那么参加导电的是()A、少数载流子。
B、既有多数载流子又有少数载流子。
C、多数载流子。
正确答案:C4、符号IB表示三极管基极电流的()A、直流分量。
B、交流分量。
C、直流分量和交流分量之和。
正确答案:A5、在晶体三极管放大电路中,当输入电流一定时,若静态工作点设置太低,将产生()A、截止失真。
B、放大失真。
C、饱和失真。
正确答案:A6、三端集成稳压器cw7812的输出电压是()A、5VB、9VC、12V正确答案:C7、测得在放大状态的三极管的三个管角电位分别是15.5v,6v,6.7v,则该三极管类型是()A、npn型硅管。
B、npn型锗管C、PnP型锗管正确答案:A8、稳压管的稳压区是指其工作在()的区域。
A、正向导通。
B、反向击穿。
C、反向截止。
正确答案:B9、在由运放组成的电路中运放工作在非线性状态的电路是。
()A、差值放大器。
B、反相放大器。
C、电压比较器。
正确答案:C10、组合逻辑电路的输出与电路的原状态()A、无关B、有关C、不一定正确答案:B11、组合电路的特点是任意时刻的输出与电路的原状态有关。
A、×B、✔正确答案:A12、下列三种电路中,输入电阻最大的电路是()A、共集放大电路。
B、共射放大电路。
C、共基放大电路。
正确答案:A13、最常用的显示器件是()数码显示器。
A、七段B、五段C、九段正确答案:A14、逻辑代数运算于普通代数运算结果()A、相同B、不想同C、有的相同,有的不相同。
正确答案:C15、非门的逻辑功能是()A、有0出0。
全1出1。
B、有1出1。
电子技术基础试题(一)
电子技术基础试题(一)一、选择题:(每小题3分,共30分)1、D 触发器在D=1时,输入一个CP 脉冲,其逻辑功能是( )。
A .置1 B .清0 C .保持 D .翻转2、如图电路中,设二极管为硅管,正向压降为 0.7V ,则Y= ( )。
A .0.7V B .3.7V C .10VD .1.5V3、以下表述正确的是( )。
A .组合逻辑电路和时序逻辑电路都具有记忆能力。
B .组合逻辑电路和时序逻辑电路都没有记忆能力。
C .组合逻辑电路有记忆能力,而时序逻辑电路没有记忆能力。
D .组合逻辑电路没有记忆能力,而时序逻辑电路有记忆能力。
4、逻辑函数式Y=A+A ,化简后的结果是( )。
A .2AB .AC . 1D .A 25、逻辑函数式Y=EF+E +F 的逻辑值为( )。
A .EFB .EF C . 0 D . 16、基本 RS 触发器电路中,触发脉冲消失后,其输出状态( )。
A .恢复原状态 B .保持现状态 C .出现新状态 D.都有可能7、用万用表欧姆档测小功率晶体三极管好坏时,应选择的档位( )。
A . Rx100或Rx1K B. Rx10K C. Rx1 D.都可以8、当晶体三极管发射结反偏,集电极反偏时,晶体三极管的工作状态是( )。
A . 放大状态 B. 饱和状态 C. 截止状态 D.无法判定 9、三极管的基极电流I B 、集电极电流I C 和射极电流I E 的关系是A . I E = IB + IC B. I E = I B – I C C. I E = I C – I B D.I C = I B + I E 10、基本放大器的电压放大倍数Av=ViV O ,当输入电压为10mV 时,测得输出电压为500mV ,则电压放大倍数是( )。
A . 10 B. 50 C. 500 D.100 二.填空题:(每题3分,共30分)1.半导体二极管的最主要特性是__________________________ 。
电子技术基础题库(I_II类题)[1]
第一章 半导体二极管I 类题一、简答题1. 杂质半导体有哪些?与本征半导体相比导电性有什么不同?答杂质半导体有P 型半导体和N 半导体两种,比本征半导体导电性能增强很多。
2.什么是PN 结?PN 结最基本的特性是什么? 答;P 型半导体和N 型半导体采用特殊的加工工艺制作在一起,在其交界处产生的特殊薄层称为PN 结。
PN 结最基本的特性是单向导电性。
3. 什么是半导体?半导体有哪些特性?答:导电能力介于导体和绝缘体之间的物质称为半导体。
具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。
二、计算题1. 在下图所示电路中,哪一个灯泡不亮?答:b 不亮2.如图所示的电路中,试求下列两种情况下输出端Y 的电位U Y 及各元件(R ,VD A ,VD B )中通过的电流;(1)U A =U B =0V ;(2)U A =+3V ,U B =0V ;答:(1)V Y =0VmA 33.9K Ω12V ≈=R I mA5.1232R DB DA ≈===I I I (2)D B 导通,D A 截止 V Y =0VmA39.312≈=R I V 0DA =I mA 3DB =I 3. 在下图所示电路中,设二极管是理想二极管,判断各二极管是导通还是截止?并求U AO =?答:a)图中,二极管导通,U AO=-6V;b)图,二极管截止,U AO=-12V;c)图V1导通,V2截止,U AO=0V。
II类题一、简答题1.从晶体二极管的伏安特性曲线看,硅管和锗管有什么区别?答:硅管死区电压为0.5V左右而锗管为0.2V左右;硅管的正向管压降为0.7V左右而锗管为0.3V左右;硅管的反向饱和电流较小而锗管较大。
2.光电二极管和发光二极管有什么区别?答:发光二极管将电信号转化成光信号,工作时加正向电压;光电二极管将光信号转化成电信号,工作时加反向电压。
3.为什么用万用表的不同电阻档测量同一二极管的正偏内阻数值上差别很大?答:因二极管的非线性。
电子技术基础试题库(1~6章)
电子技术基础第一学期试题库(1~6章)一、填空题:(每空1分)1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为,和三类。
答:导体、半导体、绝缘体。
2、半导体具有特性,特性和特性。
答:热敏、光敏、掺杂。
3、PN结具有特性,即加正向电压时,加反向电压时。
答:单向导电、导通、截止。
4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。
答:0.7V、0.3V。
(中)5、使用二极管时,应考虑的主要参数是和。
答:最大整流电流、最高反向工作电压。
5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性。
答:小于、较好。
6、发光二极管将信号转换成信号;光电二极管将信号转换成信号。
答:电、光、光、电。
7、三极管有三个电极,即极、极和极。
答:集电极、基极、发射极。
8、半导体三极管有型和型。
答:NPN、PNP。
(中)9、三极管基极电流I B的微小变化,将会引起集电极电流I C的较大变化,这说明三极管具有作用。
答:电流放大。
10、硅三极管发射结的死区电压约v,锗三极管的死区电压约v。
晶体三极管处在正常放大状态时,硅管的导通电压约为v,锗管约为v。
答:0 .5、0.2、0.7、0.3。
11、三极管工作在放大状态时,其集电极电流与基极电流的关系是。
答:I C=βI B。
(中)25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,硅三极管的穿透电流比锗三极管的。
答:增加、小。
12、三极管的极限参数分别是,,和。
答:集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。
(中)13、工作在放大状态的三极管可作为器件;工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
答:放大、开关。
14、放大电路按三极管连接方式可分为,和。
答:共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。
15、放大电路设置静态工作点的目的是。
答:使放大器能不失真地放大交流信号。
16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指,和。
数字电子技术试题(1-5章)
第1章 数制和码制一、填空题1.数制转换:(011010)2 =( )10 =( )8 =( )16。
2.数制转换:(35)10 =( )2 =( )8 =( )16。
3.数制转换:(251)8 =( )2 =( )16 =( )10。
4.数制转换:(4B )16 =( )2 =( )8 =( )10。
5.数制转换:(69)10 =( )2 =( )16 =( )8。
6.将二进制数转换为等值的八进制和十六进制数(10011011001)2 =( )8 =( )16。
7.将二进制数转换为等值的八进制和十六进制数(1001010.011001)2 =( )8 =( )16。
一、填空题答案:1.26、32、1A ;2.100011、43、 23;3.10101001、A9、169;4.1001011、113、75;5.1000101、45、105;6.2331、4D9;7.112.31、4A.64。
第2章 逻辑代数基础一、填空题1.逻辑函数Y AB A B ''=+,将其变换为与非-与非形式为 。
2.逻辑函数Y A B AB C ''=+,将其变换为与非-与非形式为 。
3. 将逻辑函数AC BC AB Y ++=化为与非-与非的形式,为 。
4.逻辑函数Y A A BC '''=+,化简后的最简表达式为 。
5.逻辑函数Y A B A B ''=++,化简后的最简表达式为 。
6.逻辑函数()()Y A BC AB ''''=+,化简后的最简表达式为 。
7. 逻辑函数Y AB AB A B ''=++,化简后的最简表达式为 。
一、填空题答案1.()()()Y AB A B '''''= ; 2.()()()Y A B AB C '''''=;3. ()()()()Y AB BC AC ''''=; 4. Y A '=;5.1Y =; 6.1Y =; 7.Y A B =+。
数字电子技术题库
(一).数字逻辑基础(1).进制与进制之间的转换(2).与逻辑和与门电路(3).或逻辑和或门电路(4).非逻辑和非门电路(5).与非门电路(6).集成门电路(7).逻辑代数定律与逻辑函数化简(二).组合逻辑电路(8).组合逻辑电路的分析与设计(9).编码器(10).译码器(11).加法器(12).数值比较器(13).数据选择器(三).时序逻辑电路(14).RS触发器(15).D触发器与数据寄存器(16).移位寄存器(17).JK触发器与计数器(四).555时基电路与石英晶体多谐振荡器(18).定时器(19).施密特触发器(20).多谐振荡器(五).数模与模数转换(21).数模转换电路DAC(22).模数转换电路ADC(六).半导体存储器(23).只读存储器ROM(24).随机存储器RAM(一).数字逻辑基础(1).进制与进制之间的转换1.在数字电路中,通常用数字来表示高电平,用数字来表示低电平。
2.某二进制数由4位数字组成,其最低位的权是,最高位的权是。
3.完成下列进制的转换:(00011111)2=()10 ;(10)10=()2 ;(1111)2=()8 ;(10)8=()2 ;(011111)2=()16 ;(2A)16=()2 。
(01010101)8421=()10 ;(32)10=()8421 ;4.二进制数只有()数码。
A.0 B.1C.0、1 D.0、1、25.十六进制数只有()数码。
A.0~F B.1~FC.0~16 D.1~166.一位十六进制数可以用()位二进制数来表示。
A.1 B.2C.4 D.16(2).与逻辑和与门电路7.“Y等于A与B”的逻辑函数式为。
8.与门电路是当全部输入为时,输出才为“1”。
9.开关串联的电路可以用“与”逻辑表示。
()10.门电路可以有多个输出端。
()11.门电路可以有多个输入端。
()(3).或逻辑和或门电路12.“Y等于A或B”的逻辑函数式为。
数字电子技术基础题库及答案
试题库及答案试卷一一.基本概念题(一)填空题(共19分,每空1分)1.按逻辑功能的不同特点,数字电路可分为和两大类。
2.在逻辑电路中,三极管通常工作在和状态。
3.(406)10=()8421BCD4.一位数值比较器的逻辑功能是对输入的数据进行比较,它有、、三个输出端。
5.TTL集成JK触发器正常工作时,其d R和d S端应接电平。
6.单稳态触发器有两个工作状态和,其中是暂时的。
7.一般ADC的转换过程由、、和4个步骤来完成。
8.存储器的存储容量是指。
某一存储器的地址线为A14~A0,数据线为D3~D0,其存储容量是。
(二)判断题(共16分,每题2分)1.TTL或非门多余输入端可以接高电平。
()2.寄存器属于组合逻辑电路。
()3.555定时器可以构成多谐振荡器、单稳态触发器、施密特触发器。
()4.石英晶体振荡器的振荡频率取决于石英晶体的固有频率。
( )5.PLA 的与阵列和或阵列均可编程。
( )6.八路数据分配器的地址输入(选择控制)端有8个。
( )7.关门电平U OFF 是允许的最大输入高电平。
( )8.最常见的单片集成DAC 属于倒T 型电阻网络DAC 。
( )(三) 选择题(共16分,每题2分)1.离散的,不连续的信号,称为( )。
A .模拟信号 B.数字信号2.组合逻辑电路通常由( )组合而成。
A .门电路 B.触发器 C.计数器3.8线—3线优先编码器的输入为I 0—I 7 ,当优先级别最高的I 7有效时,其输出012Y Y Y ••的值是( )。
A .111 B.010 C.000 D.1014.十六路数据选择器的地址输入(选择控制)端有( )个。
A .16 B.2 C.4 D.85.一位8421BCD 码译码器的数据输入线与译码输出线的组合是( )。
A .4:6 B.1:10 C.4:10 D.2:46.常用的数字万用表中的A/D 转换器是( )。
A .逐次逼近型ADC B.双积分ADC C.并联比较型ADC7.ROM 属于( )。
《电子技术基础(一)》期终考试试题 (A卷)及答案
《电子技术基础(一)》期终考试试题 (A 卷)适用专业:题号 一 二 三 四 五 六 总分 积分人 分数一、名词解释:(每小题2分,共10分)1、半导体三极管2、射极输出器3、电压传输特性4、整流电路5、稳压管二、填空题(每空档0.5分,共20分)1、二极管的类型按材料分有 和 两类。
2、2CW 是 材料的 二极管。
3、三极管有 、 和放大三种工作状态。
4、半导体是一种导电能力介于 与 之间的物质。
5、在放大电路中,静态工作点过高易出现 ,静态工作点过低易出现 。
6、三极管实现电流放大的外部条件是: , 。
7、对于一个放大电路来说,一般希望其输入电阻要 些,以减轻信号 源的负担,输出电阻要 些,以提高带负载的能力。
8、功放电路中,为了不失真地输出最大功率,功放管常采用 放大,功放电路是 电路。
9、放大电路级与级之间的连接方式有: 、 和直接耦合。
10、电压负反馈是稳定,反馈信号与成正比。
11、解决零点漂移最有效的办法是采用。
12、非线性比较器有和两种。
13、减法运算电路利用可以进行减法运算。
14、和运放工作在电压传输特性的非线性区,即。
15、差分放大电路中的差模输入信号表示加在两个输入端的信号电压、。
16、OTL电路中的输出电容代替OCL电路中的。
17、深度电压负反馈运放工作在电压传输特性的。
18、单相桥式整流电路中,若变压器二次侧电压U2=100V,则负载两端电压为V;若接入滤波电容,则负载两端电压为V。
19、常用的滤波电路有、和π形滤波。
20、桥式整流二极管中,若某个二极管虚焊,则输出只有。
21、常用的小功率直流稳压电源由电源变压器、、和稳压电路四部分组成。
22、W78M05输出电压为,输出电流为。
三、判断题(正确的打“√”,错误的打“×”)(每题1分,共12分)1、三极管的发射结正偏时,它必处于放大状态。
()2、如果输入信号本身已是一个失真的正弦波,引入负反馈后不能改善失真波形。
电子技术试题及答案
电子技术试题及答案一、选择题(每题2分,共20分)1. 在数字电路中,以下哪个符号表示逻辑与门?A. ∨B. ∧C. ⊕D. ⊃答案:B2. 以下哪个选项是二进制数1011对应的十进制数?A. 10B. 11C. 12D. 13答案:B3. 在模拟电路中,晶体管通常用于实现以下哪种功能?A. 放大B. 计算C. 存储D. 显示答案:A4. 以下哪个选项是电子电路中常用的电源电压?A. 3.3VB. 5VC. 12VD. 所有选项答案:D5. 以下哪个元件是数字电路中常用的存储元件?A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 触发器答案:D6. 在电子电路中,以下哪个符号表示地线?A. VccB. VddC. GndD. Vss答案:C7. 以下哪个选项是电子电路中常用的逻辑门?A. 与门B. 或门C. 非门D. 所有选项答案:D8. 在数字电路中,以下哪个符号表示逻辑非门?A. ∨B. ∧C. ⊕D. ¬答案:D9. 以下哪个元件是模拟电路中常用的放大元件?A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 二极管答案:C10. 以下哪个选项是电子电路中常用的信号频率?A. 1MHzB. 100MHzC. 1GHzD. 所有选项答案:D二、填空题(每题2分,共20分)1. 在数字电路中,一个逻辑高电平通常表示为______。
答案:12. 在模拟电路中,一个信号的频率为1MHz,其周期为______秒。
答案:1×10^-63. 一个完整的数字电路通常由______、______和输出三部分组成。
答案:输入,处理4. 在电子电路中,一个5V的电源电压可以提供______毫安的电流给一个10欧姆的电阻。
答案:5005. 一个二进制数10110转换为十进制数是______。
答案:226. 在电子电路中,一个电容的容值为0.1F,其存储的电荷量为100C,则其电压为______伏特。
答案:17. 一个晶体管的放大倍数为100,当基极电流为1mA时,集电极电流为______安培。
数字电子技术试题库及答案(学霸专用,用了都说好)资料
数字电子技术期末试题库一、选择题:A组:1.如果采用偶校验方式,下列接收端收到的校验码中,( A )是不正确的A、00100B、10100C、11011D、111102、某一逻辑函数真值表确定后,下面描述该函数功能的方法中,具有唯一性的是(B)A、逻辑函数的最简与或式B、逻辑函数的最小项之和C、逻辑函数的最简或与式D、逻辑函数的最大项之和3、在下列逻辑电路中,不是组合逻辑电路的是(D)A、译码器B、编码器C、全加器D、寄存器4、下列触发器中没有约束条件的是(D)A、基本RS触发器B、主从RS触发器C、同步RS触发器D、边沿D触发器5、555定时器不可以组成D。
A.多谐振荡器B.单稳态触发器C.施密特触发器D.J K触发器6、编码器(A)优先编码功能,因而(C)多个输入端同时为1。
A、有B、无C、允许D、不允许7、(D)触发器可以构成移位寄存器。
A、基本RS触发器B、主从RS触发器C、同步RS触发器D、边沿D触发器8、速度最快的A/D转换器是(A)电路A、并行比较型B、串行比较型C、并-串行比较型D、逐次比较型9、某触发器的状态转换图如图所示,该触发器应是( C )A. J-K触发器B. R-S触发器C. D触发器D. T触发器10.(电子专业作)对于VHDL以下几种说法错误的是(A )A VHDL程序中是区分大小写的。
B 一个完整的VHDL程序总是由库说明部分、实体和结构体等三部分构成C VHDL程序中的实体部分是对元件和外部电路之间的接口进行的描述,可以看成是定义元件的引脚D 结构体是描述元件内部的结构和逻辑功能B组:1、微型计算机和数字电子设备中最常采用的数制是--------------------------------( A )A.二进制B.八进制C. 十进制D.十六进制2、十进制数6在8421BCD码中表示为-------------------------------------------------( B )A.0101B.0110C. 0111D. 10003、在图1所示电路中,使__AY 的电路是---------------------------------------------( A )A. ○1B. ○2C. ○3D. ○44、接通电源电压就能输出矩形脉冲的电路是------------------------------------------( D )A. 单稳态触发器B. 施密特触发器C. D触发器D. 多谐振荡器5、多谐振荡器有-------------------------------------------------------------------------------( C )A. 两个稳态B. 一个稳态C. 没有稳态D. 不能确定6、已知输入A、B和输出Y的波形如下图所示,则对应的逻辑门电路是-------( D )A. 与门B. 与非门C. 或非门D. 异或门7、下列电路中属于时序逻辑电路的是------------------------------------------------------( B )A. 编码器B. 计数器C. 译码器D. 数据选择器8、在某些情况下,使组合逻辑电路产生了竞争与冒险,这是由于信号的---------( A )A. 延迟B. 超前C. 突变D. 放大9、下列哪种触发器可以方便地将所加数据存入触发器,适用于数据存储类型的时序电路--------------------------------------------------------------------------------( C )A. RS触发器B. JK触发器C. D触发器D. T触发器10、电路和波形如下图,正确输出的波形是-----------------------------------------------( A )A. ○1B. ○2C. ○3D. ○4C组:1.十进制数25用8421BCD码表示为 A 。
电子技能与实训题库(一)
第一章:电子产品设计与制造第一节:电子产品设计一、填空题1、产品设计包括产品功能、内部结构、面板结构、使用安全性和_____________等方面。
2、电原理图又称__________或电子线路图。
3、品试制通常又分为_____________、产品定型试制和小批量试制三个阶段。
4、EDA是____________________的英文缩写。
二、判断题1、EDA是电子设计自动化的英文缩写。
()2、电原理图又称为电路图。
()3、整机质量检验是产品出厂前的最后一次检验,所以应该每台必检。
() 4、产品设计包括产品功能、内部结构、面板结构、使用安全性和可靠性设计等方面。
()5、技术文件包括设计文件、实验文件、工艺文件等。
()6、原理图包括方框图、电原理图、电气原理图、逻辑图、流程图、材料明细表和技术说明书等。
()7、工艺图包括印制电路板装配图、元器件分布图、实物安装图、布线图、接线表、机壳底板图、机械加工图和面板图等。
()8、印制电路板又称印制板。
()9、产品试制通常又分为样机试制、产品定型试制和小批量试制等三个阶段。
()第二节:印制电路板的设计与制作一、填空题1、选择敷铜板时,首先应满足产品____________、机械性能的要求,同时考虑价格因素。
2、印制电路板的形状由____________、内部空间和安装形式决定。
3、印制电路板的导线连接常用的方法有_______________穿孔焊接法和焊片连接法。
4、印制电路板的手工制作一般有___________和描图蚀刻法两种。
二、判断题1、单板面积较小,印制导线较宽,焊盘间距较大,使用环境好,整机售价低的,一般采用敷铜酚醛纸质层压板。
()2、导线的连接常采用的方法有直接搭接法、穿孔焊接法、焊片连接法等。
() 3、设计和制作印制电路板时,主要考虑敷铜板种类、形状、尺寸、厚度和对外连接方式等。
() 4、选择敷铜板时首先应满足产品电气性能、机械性能的要求,同时考虑价格因素。
电子技术基础试题库(1-6章)
电子技术基础第一学期试题库(1~6章)一、填空题:(每空1分)1、根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为,和三类。
答:导体、半导体、绝缘体。
2、半导体具有特性,特性和特性。
答:热敏、光敏、掺杂。
3、PN结具有特性,即加正向电压时,加反向电压时。
答:单向导电、导通、截止。
4、硅二极管导通时的正向管压降约v,锗二极管导通时的管压降约v。
答:0.7V、0.3V。
(中)5、使用二极管时,应考虑的主要参数是和。
答:最大整流电流、最高反向工作电压。
5、在相同的反向电压作用下,硅二极管的反向饱和电流常锗二极管的反向饱和电流,所以硅二极管的热稳定性。
答:小于、较好。
6、发光二极管将信号转换成信号;光电二极管将信号转换成信号。
答:电、光、光、电。
7、三极管有三个电极,即极、极和极。
答:集电极、基极、发射极。
8、半导体三极管有型和型。
答:NPN、PNP。
(中)9、三极管基极电流I B的微小变化,将会引起集电极电流I C的较大变化,这说明三极管具有作用。
答:电流放大。
10、硅三极管发射结的死区电压约v,锗三极管的死区电压约v。
晶体三极管处在正常放大状态时,硅管的导通电压约为v,锗管约为v。
答:0 .5、0.2、0.7、0.3。
11、三极管工作在放大状态时,其集电极电流与基极电流的关系是。
答:I C=βI B。
(中)25、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而,硅三极管的穿透电流比锗三极管的。
答:增加、小。
12、三极管的极限参数分别是,,和。
答:集电极最大允许电流、集-射间的反向击穿电压、集电极最大允许耗散功率。
(中)13、工作在放大状态的三极管可作为器件;工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
答:放大、开关。
14、放大电路按三极管连接方式可分为,和。
答:共基极放大器、共集电极放大器、共射极放大器。
15、放大电路设置静态工作点的目的是。
答:使放大器能不失真地放大交流信号。
16、放大器中晶体三极管的静态工作点是指,和。
电力电子技术试题及答案-(1)
电力电子技术试题及答案-(1)1、请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管_GTR __________ ;可关断晶闸管_GTO _________ ;功率场效应晶体管_MOSFET ____________ ;绝缘栅双极型晶体管IGBT ____________ ; IGBT是MOSFET ________________ 和GTR ―的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高___________________ 和触发脉冲要与品闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相弁联时必须考虑—均流的问题,解决的方法是一串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中,输出电压波形为正弦波波,输出电流波形为方波波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向品闸管品闸管、它的额定电压为_800V 伏、额定有效电流为100A 安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行;而1200导电型三相桥式逆变电路,晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时,晶闸管的触发电流会—增加、 ________ 、正反向漏电流会 _下降、________ ;当温度升高时,晶闸管的触发电流会—下降、、正反向漏电流会—增加。
8、在有环流逆变系统中,环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用控制角5B的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有—快速熔断器、—串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
(写出四种即可)10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分,可分为_电压型一型逆变器和—电流型型逆变器,电压型逆变器直流侧是电压源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用—电容器进行滤波,电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是—1800度;而电流型逆变器直流侧是电流源,通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感—滤波,电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流,每只晶闸管导电的角度是_1200_______ 度。
《电子技术》复习题 (1)
《电子技术》复习题-—项目11。
图1所示电路中的二极管VD处于()状态.A. 反向击穿B. 导通 C。
截止 D. 放大2。
图2所示电路中的二极管VD处于( )状态。
A. 反向击穿 B。
导通 C. 截止 D. 放大3。
二极管的正极电位是—10V,负极电位是—9.3V,则该二极管处于( )状态。
A。
正偏 B。
反偏 C. 零偏 D。
无法确定4.发光二极管的图形符号是( ).A。
B. C. D.5.稳压二极管工作于( )时具有稳压功能.A。
死区 B. 正向导通区 C。
反向截止区 D。
反向击穿区6。
二极管具有单向导电性。
当外加正向电压时,有较大的正向电流通过,此时二极管处于_______状态;当外加反向电压时,反向电流很小,此时二极管处于_________状态。
7.当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时,反向电流会突然增大,此现象称为。
8.在判别二极管的材料时,当测出正向压降约为0.7V时,此二极管为二极管;当测出正向压降约为0。
3V时,此二极管为二极管。
9。
整流就是将_________电转换为_________电的过程。
10.用来制作半导体器件的是本征半导体,它的导电能力比杂质半导体强得多。
( )11。
稳压二极管只要外加反向电压就具有稳压功能. ()12.单相桥式整流电路的输出电压平均值是单相半波整流电路的两倍。
()13.单相桥式整流电容滤波电路的输出电压平均值是单相半波整流电容滤波电路的两倍. ()。
(二极管的正14.分析图(a)、(b)所示电路中各二极管是导通还是截止?并求出1、2两端的电压U12向压降和反向电流忽略不计)15. 在下图所示的桥式整流电容滤波电路中,已知变压器次边电压有效值U2=15V,试求:(1)负载上输出电压的平均值U O=?(2)R L开路时U O=?(3)C开路时U O=?(4)若整流电桥中有1只二极管开路,此时U O=?《电子技术》复习题——项目21.要使三极管具有电流放大作用,必须保证发射结_______、集电结_______。
(完整版)数字电子技术试题及答案(题库)
数字电子技术基础试题(一)一、填空题 : (每空1分,共10分)1. (30.25) 10 = ( ) 2 = ( ) 16 。
2 . 逻辑函数L = + A+ B+ C +D = 。
3 . 三态门输出的三种状态分别为:、和。
4 . 主从型JK触发器的特性方程= 。
5 . 用4个触发器可以存储位二进制数。
6 . 存储容量为4K×8位的RAM存储器,其地址线为条、数据线为条。
二、选择题: (选择一个正确的答案填入括号内,每题3分,共30分 )1.设图1中所有触发器的初始状态皆为0,找出图中触发器在时钟信号作用下,输出电压波形恒为0的是:()图。
图 12.下列几种TTL电路中,输出端可实现线与功能的电路是()。
A、或非门B、与非门C、异或门D、OC门3.对CMOS与非门电路,其多余输入端正确的处理方法是()。
A、通过大电阻接地(>1.5KΩ)B、悬空C、通过小电阻接地(<1KΩ)D、通过电阻接V CC4.图2所示电路为由555定时器构成的()。
A、施密特触发器B、多谐振荡器C、单稳态触发器D、T触发器5.请判断以下哪个电路不是时序逻辑电路()。
图2A、计数器B、寄存器C、译码器D、触发器6.下列几种A/D转换器中,转换速度最快的是()。
图2A、并行A/D转换器B、计数型A/D转换器C、逐次渐进型A/D转换器D、双积分A/D转换器7.某电路的输入波形 u I 和输出波形 u O 如图 3所示,则该电路为()。
图3A、施密特触发器B、反相器C、单稳态触发器D、JK触发器8.要将方波脉冲的周期扩展10倍,可采用()。
A、10级施密特触发器B、10位二进制计数器C、十进制计数器D、10位D/A转换器9、已知逻辑函数与其相等的函数为()。
A、B、C、D、10、一个数据选择器的地址输入端有3个时,最多可以有()个数据信号输出。
A、4B、6C、8D、16三、逻辑函数化简(每题5分,共10分)1、用代数法化简为最简与或式Y= A +2、用卡诺图法化简为最简或与式Y= + C +A D,约束条件:A C + A CD+AB=0四、分析下列电路。
电子技术选择题(1)A3
电子技术选择题(1)1.晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示,其中每一条曲线对应一个特定的()A、icB、u cEC、i BD、i E2.检查放大电路中的晶体管是否饱和的最简便的方法是测量()A、I BQB、V BEQC、I CQD、V CEQ3.某放大电路,要求稳定电压且输入电阻大应引入()负反馈。
A、电压串联B、电流并联C、电压并联D、电流串联4.如图3—4所示电路,下列说法正确的是()A、相位条件不满足不能产生自激振荡B、无反馈回路不能产生自激振荡C、振幅条件不满足不能产生自激振荡D、电路能产生自激5.测得三极管电路三个电位如图3-5所示,其中二极管、三极管均为硅管,那么三极管的工作状态为()A、饱和B、放大C、倒置D、截止6.如图3-6电路中,引入的是( )A、电压并联交流负反馈B、电流串联直流负反馈C、电流串联交流负反馈D、电压并联直流负反馈7.如图3—7电路中,晶体三极管V1工作在放大状态,当V O增大时,则( )A、V be1增大B、V be1不变C、V be1减小D、不定8.只有暂稳态的电路是( )A、多谐振荡器B、单稳态电路C、施密特触发器D、555定时器9.两级放大电路第一级的电压增益为48,第二级的电压增益为12,则两级总的电压增益为()A、60B、30C、36D、1810.下列器件符号中,( A )器件具有放大作用。
11.下列电路中,指示灯不亮的电路是()12.下列电路中不能产生自激振荡的是( )13。
下列逻辑电路不满足Y=A逻辑关系的电路是()第 1 页共38页第 2 页共38 页第 3 页 共38页第 4 页 共 38 页14。
下列电路中Rf 为电流并联负反馈的电路是( )15. 如果要使负载获得的直流电压相同,二极管承受的反向电压和通过的平均电流都最小的电路是( )16。
电路如图3-16所示,已知两个稳压管的1z V =5V 、2z V =7V,它们的正向压降均为0.7V,则输出电压为 ( )。
电子技术考试题库及答案
电子技术考试题库及答案一、单项选择题(每题1分,共10分)1. 在数字电路中,逻辑“与”运算的输出为高电平的条件是:A. 所有输入都为高电平B. 至少有一个输入为高电平C. 至少有一个输入为低电平D. 所有输入都为低电平答案:A2. 以下哪种二极管是用于稳压的?A. 发光二极管B. 光电二极管C. 稳压二极管D. 变容二极管答案:C3. 在模拟电路中,放大器的增益通常表示为:A. 电压增益B. 电流增益C. 功率增益D. 阻抗增益答案:A4. 以下哪个元件不是基本的数字逻辑门?A. 与门B. 或门C. 非门D. 锁存器答案:D5. 晶体管的放大作用主要取决于其:A. 发射极B. 基极C. 集电极D. 所有选项答案:B6. 在数字电路中,一个D触发器的输出Q与输入D的关系是:A. Q = DB. Q = ¬ DC. Q = D'D. Q = ¬D'答案:A7. 以下哪种波形是正弦波?A. 方波B. 三角波C. 锯齿波D. 所有选项答案:A8. 在电子电路中,滤波器的作用是:A. 放大信号B. 减小噪声C. 改变信号频率D. 所有选项答案:B9. 以下哪种元件是半导体材料制成的?A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 电感答案:C10. 以下哪种电路元件具有非线性特性?A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 电感答案:C二、多项选择题(每题2分,共10分)1. 下列哪些是数字电路的特点?A. 离散值B. 连续值C. 高抗干扰性D. 低功耗答案:AC2. 在模拟电路中,下列哪些元件可以用于滤波?A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 电感答案:BCD3. 以下哪些是基本的数字逻辑运算?A. 与B. 或C. 非D. 加答案:ABC4. 在电子电路中,下列哪些元件可以用于信号放大?A. 晶体管B. 电阻C. 电容D. 电感答案:A5. 下列哪些是电子电路中的无源元件?A. 电阻B. 电容C. 二极管D. 晶体管答案:AB三、判断题(每题1分,共10分)1. 晶体管的基极电流可以控制集电极电流。
电子技术基础l练习习题答案 (1)
第1章检测题(共100分,120分钟)一、填空题:(每空0.5分,共25分)1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子,少数载流子为空穴,不能移动的杂质离子带正电。
P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子,不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。
三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。
3、PN结正向偏置时,外电场的方向与内电场的方向相反,有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移;PN结反向偏置时,外电场的方向与内电场的方向一致,有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散,这种情况下的电流称为反向饱和电流。
4、PN结形成的过程中,P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散,N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区,其方向由N区指向P区。
空间电荷区的建立,对多数载流子的扩散起削弱作用,对少子的漂移起增强作用,当这两种运动达到动态平衡时,PN 结形成。
5、检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的R×1K档位,当检测时表针偏转度较大时,与红表棒相接触的电极是二极管的阴极;与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被击穿;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经绝缘老化。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
二、判断正误:(每小题1分,共10分)1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。
(错)2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
(对)3、用万用表测试晶体管时,选择欧姆档R×10K档位。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)6、单极型晶体管又称为场效应(MOS)管。
其导电沟道分有N沟道和P沟道。
7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管,正常工作应在特性曲线的反向击穿区。
8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空,务必将各电极短接。
1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。
2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。
3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。
6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增加),发射结压降(减小)。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共射极)、(共集电极)、(共基极)放大电路。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(小于近似等于一),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调幅),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载波信号)。
1、在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为模拟信号;在时间上和数值上离散的信号叫做数字信号。
2、数字电路中,输入信号和输出信号之间的关系是逻辑关系,所以数字电路也称为逻辑电路。
在逻辑关系中,最基本的关系是与逻辑、或逻辑和非逻辑。
4、用来表示各种计数制数码个数的数称为基数,同一数码在不同数位所代表的位权不同。
十进制计数各位的基是10,位权是10的幂。
5、8421 BCD码和2421码是有权码;余3码和格雷码是无权码。
3、将放大器输出信号的全部或部分通过某种方式回送到输入端,这部分信号叫做反馈信号。
使放大器净输入信号减小,放大倍数也减小的反馈,称为负反馈;使放大器净输入信号增加,放大倍数也增加的反馈,称为正反馈。
放大电路中常用的负反馈类型有电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈和电流并联负反馈。
4、射极输出器具有电压增益恒小于1、接近于1,输入信号和输出信号同相,并具有输入电阻高和输出电阻低的特点。
7、十进制整数转换成二进制时采用除2取余法;十进制小数转换成二进制时采用乘2取整法。
8、十进制数转换为八进制和十六进制时,应先转换成二进制,然后再根据转换的二进制数,按照三位一组转换成八进制;按四位一组转换成十六进制。
9、8421BCD码是最常用也是最简单的一种BCD代码,各位的权依次为8、4、2、1。
8421BCD码的显著特点是它与二进制数码的4位等值0~9完全相同。
10、原码、反码和补码是把符号位和数值位一起编码的表示方法,是计算机中数的表示方法。
在计算机中,数据常以补码的形式进行存储。
8、JK D9Q=1,Q=0时为触发器的“1”状态;Q=0,Q=1时为触发器的“0”状态。
1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电,说明P型半导体呈负电性。
(错)2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
(对)5、无论在任何情况下,三极管都具有电流放大能力。
(错)6、双极型晶体管是电流控件,单极型晶体管是电压控件。
(对)7、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿。
(错)8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流I CM时,该管必被击穿。
(错)9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。
(错)10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。
(错)二、选择题(每空2分 共30分)1、仅具有置“0”和置“1”功能的触发器是( C )。
A 、基本RS 触发器B 、钟控RS 触发器C 、D 触发器 D 、JK 触发器2、由与非门组成的基本RS 触发器不允许输入的变量组合R S ⋅为( A )。
A 、00B 、01C 、10D 、113、钟控RS 触发器的特征方程是( D )。
A 、n 1n Q R Q +=+B 、n 1n Q S Q +=+C 、n 1n Q S R Q +=+D 、n n Q R S Q +=+14、仅具有保持和翻转功能的触发器是( B )。
A 、JK 触发器B 、T 触发器C 、D 触发器 D 、T ˊ触发器5、触发器由门电路构成,但它不同门电路功能,主要特点是( C )A 、具有翻转功能B 、具有保持功能C 、具有记忆功能1、逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运算关系为( B )。
A 、逻辑加B 、逻辑乘C 、逻辑非2.、十进制数100对应的二进制数为( C )。
A 、1011110B 、1100010C 、1100100D 、110001003、和逻辑式AB 表示不同逻辑关系的逻辑式是( B )。
A 、B A + B 、B A •C 、B B A +•D 、A B A +4、数字电路中机器识别和常用的数制是( A )。
A 、二进制B 、八进制C 、十进制D 、十六进制5、[+56]的补码是( D )。
A 、00111000B B 、11000111BC 、01000111BD 、01001000B6、所谓机器码是指( B )。
A 、计算机内采用的十六进制码B 、符号位数码化了的二进制数码C 、带有正负号的二进制数码D 、八进制数2、P 型半导体是在本征半导体中加入微量的( A )元素构成的。
A 、三价;B 、四价;C 、五价;D 、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是(C)。
A、导通状态;B、截止状态;C、反向击穿状态;D、任意状态。
1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在( B )状态,但其两端电压必须( C )它的稳压值Uz才有导通电流,否则处于( F )状态。
A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,则三个电极分别是( C ),该管是( D )型。
A、(B、C、E)B、(C、B、E)C、(E、C、B)D、(NPN)E、(PNP)3、对功率放大器的要求主要是( B )、( C )、( E )。
A、U0高B、P0大C、功率大D、Ri大E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为( B ),此时应该( E )偏置电阻。
A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、差分放大电路是为了( C )而设置的。
A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移6、共集电极放大电路的负反馈组态是(A )。
A、压串负B、流串负C、压并负7、差分放大电路RE上的直流电流I EQ近似等于单管集电极电流I CQ(B)倍。
A、1B、2C、38、为了使放大器带负载能力强,一般引入( A )负反馈。
A、电压B、电流C、串联9、分析运放的两个依据是( A )、( B )。
A、U-≈U+B、I-≈I+≈0C、U0=UiD、Au=15、TTL门电路中,哪个有效地解决了“线与”问题?哪个可以实现“总线”结构?答:TTL门电路中,OC门有效地解决了“线与”问题,三态门可以实现“总线”结构。
1、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子,P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子,因此说N型半导体带负电,P型半导体带正电。
上述说法对吗?为什么?答:这种说法是错误的。
因为,晶体在掺入杂质后,只是共价键上多出了电子或少了电子,从而获得了N型半导体或P型半导体,但整块晶体中既没有失电子也没有得电子,所以仍呈电中性。
2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V,试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
答:管脚③和管脚②电压相差0.7V ,显然一个硅管,是基极,一个是发射极,而管脚①比管脚②和③的电位都高,所以一定是一个NPN 型硅管。
再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极,管脚③是基极,管脚①是集电极。
3、图1-29所示电路中,已知E =5V ,t u ωsin 10i =V ,二极管为理想元件(即认为正向导通时电阻R =0,反向阻断时电阻R =∞),试画出u 0的波形。
答:分析:根据电路可知,当u i >E 时,二极管导通u 0=u i ,当u i <E 时,二极管截止时,u 0=E 。
所以u 0的波形图如下图所示:5、图1-34所示电路中,硅稳压管D Z1的稳定电压为8V ,D Z2的稳定电压为6V ,正向压降均为0.7V ,求各电路的输出电压U 0。
答:(a )图:两稳压管串联,总稳压值为14V ,所以U 0=14V ;(b )图:两稳压管并联,输出电压按小值计,因此U 0=6V ;(c )图:两稳压管反向串联,U 0=8.7V ;(d )图:两稳压管反向并联,可认为DZ1截止不通,则U 0=0.7V 。
7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用?三极管会损坏吗?为什么?答:集电极和发射极对调使用,三极管不会损坏,但是其电流放大倍数大大降低。
因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大,且结面积也不同。
图1-29 u/V ωt0 u i u 0 10 5 图1-302、已知NPN 型三极管的输入—输出特性曲线如图1-32所示,当(1)U BE =0.7V ,U CE =6V ,I C =?(2)I B =50μA ,U CE =5V ,I C =?(3)U CE =6V ,U BE 从0.7V 变到0.75V 时,求I B 和I C 的变化量,此时的?=β(9分)解:(1)由(a )曲线查得U BE =0.7V 时,对应I B =30μA ,由(b)曲线查得I C ≈3.6mA ;(2)由(b )曲线可查得此时I C ≈5mA ;(3)由输入特性曲线可知,U BE 从0.7V 变到0.75V 的过程中,ΔI B ≈30μA ,由输出特性曲线可知,ΔI C ≈2.4mA ,所以β≈2400/30≈80。
1、共发射极放大器中集电极电阻R C 起的作用是什么?(5分)答:R C 起的作用是把晶体管的电流放大转换成放大器的电压放大。
1、如图2-23所示分压式偏置放大电路中,已知R C =3.3KΩ,R B1=40KΩ,R B2=10KΩ,R E=1.5KΩ,β=70。
求静态工作点I BQ 、I CQ 和U CEQ 。
(8分,图中晶体管为硅管)解:静态工作点为:图1-32I C (m A) U CE (V)(b )输出特性曲线 (a )输入特性曲线 I B BE (V)图2-23 检测题2-5-1电路图试题一答案一、填空(每空1分共40分)1、导通截止单向2、反向少数温度无关3、零无穷大4、电流电压5、正偏反偏6、增加减小7、共射极共集电极共基极8、直流电流9、A/1+AF 1/F10、1+AF f H–f L 1+AF11、共模差模12、交越甲乙13、双单14、小于近似等于1 大小15、零点温度集成16、调幅载波信号17、KUxUy二、选择题(每空2分共30分)1、B C F2、C D3、B C E4、B E5、C6、A7、B8、A9、A B《模拟电子技术》模拟试题二一、填空题(每空1分共32分)1、P型半导体中空穴为(少数)载流子,自由电子为(多数)载流子。