贴片肖特基二极管代码S6
肖特基二极管参数表
肖特基二极管参数表【原创版】目录一、肖特基二极管概述二、肖特基二极管参数表详解三、肖特基二极管的应用场景四、结论正文一、肖特基二极管概述肖特基二极管，又称为肖特基势垒二极管，是一种金属与半导体接触的整流器件。
它具有很高的工作效率和较低的正向电压降。
肖特基二极管广泛应用于整流、限幅、开关和稳压等电路中。
二、肖特基二极管参数表详解肖特基二极管参数表主要包括以下几个方面：1.最大重复峰值反向电压（VRRM）：表示二极管能够承受的最大重复峰值反向电压。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VRRM 为 200V。
2.最大直流闭锁电压（VDC）：表示二极管在最大直流电压下仍能保持导通状态的电压值。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VDC 为 200V。
3.最大正向平均整流电流（I(AV)）：表示二极管在最大正向电压下能够通过的平均整流电流。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 I(AV) 为10.0A。
4.最大瞬时正向电压（VF）：表示二极管在最大正向电流下对应的正向电压。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 VF 为 0.92V。
5.额定直流阻断电压下的最大直流反向电流（IR）：表示二极管在最大直流阻断电压下能够承受的最大直流反向电流。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 IR 分别为 0.1mA（TA25）和 20.0mA（TA125）。
6.工作温度和存储温度范围（TJ,TSTG）：表示二极管能够正常工作的温度范围和存储温度范围。
例如，MBR10200CT 肖特基二极管的 TJ,TSTG 为 -65to 175。
三、肖特基二极管的应用场景肖特基二极管广泛应用于以下场景：1.整流电路：将交流电转换为直流电，例如在电源电路中。
2.限幅电路：限制信号波形的幅值，例如在音频处理电路中。
3.开关电路：实现开关控制功能，例如在场效应管开关电路中。
4.稳压电路：稳定输出电压，例如在稳压电源电路中。
SD103AWS贴片肖特基二极管规格书
SD103AWS 40 28
SD103BWS 30 21 350 1.5 200 300 -65 to +125
SD103CWS 20 14
UNITS VOLTS V mA A mW /W
VRRM VRMS VDC VR(RMS) IFM IFRM Pd RΘJA TSTG
.72(0.028) .69(0.027)
.08(.003) MIN
Case: Molded plastic body Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Polarity symbols marked on case Mounting Position: Any Marking: SD103AWS:S4, SD103BWS:S5, SD103CWS:S6
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
V(BR)R VF
40 30 20 0.37 0.60 5.0 50 10
V V
Fowrard voltage Reverse current SD103AWS SD103BWS SD103CWS Capacitance between terminals Reverse recovery time
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RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES SD103AWS-SD103CWS
FIG. 1- TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
1000 100
肖特基二极管参数表
肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有低功耗、大电流、超高速特性的半导体器件。
它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属半导体结原理制作的。
因此，SBD也称为金属半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
肖特基二极管的参数表通常包括以下内容：1. VF（Forward Voltage Drop）：正向压降。
这是肖特基二极管在正向导通时，从阳极到阴极的电压降。
通常情况下，VF的值较低，大约在0.4V到0.7V之间。
2. VFM（Maximum Forward Voltage Drop）：最大正向压降。
这是设备在正向工作时所能承受的最大电压。
VFM决定了二极管是否能在特定电路中进行可靠的操作。
3. VBR（Reverse Breakdown Voltage）：反向击穿电压。
这是肖特基二极管在反向偏置时，能够承受的最大电压，超过这个电压会导致器件损坏。
4. VRRM（Peak Reverse Voltage）：峰值反向电压。
这是设备在反向工作时所能承受的最大电压。
VRRM通常高于VBR，以确保器件在正常操作中不会因反向电压而损坏。
5. VRsM（Non-Repetitive Peak Reverse Voltage）：非反复峰值反向电压。
这是设备在非反复模式（如单次脉冲）下所能承受的最大反向电压。
6. VRwM（Reverse Working Voltage）：反向工作电压。
这是设备在反向偏置时能够安全工作的电压。
7. Vpc（Maximum DC Blocking Voltage）：最大直流截止电压。
这是肖特基二极管能够承受的最大直流电压，用于防止器件因过压而损坏。
8. Trr（Reverse Recovery Time）：反向恢复时间。
这是肖特基二极管从反向偏置到正向偏置的恢复时间，通常很短，大约在几纳秒到几十纳秒之间。
贴片S系列三极管参数
Code
Device
S (blue) BA592 S (red) BB640 S (white) BB535 S (yellow) BB639 S S S0 S1 S1 S1A S1B S1D S1G S1J S2 S2 S3 S3 S4 S5 S5 S5 S6 S6 S7 S7 S7s S7s S7 S8 S8 S9 S9 S12 S14 S15 S16 S16 S56 S70 S71 S74 S75 S76 S76 BB811 BAP64-02 HSMP-3880 HSMP-3881 BBY31 S1A S1B S1D S1G S1J BBY40 BFQ31 BFQ31R BBY51 BFQ31A BFQ31AR BBY52 BAT15-099 BAT15-099R BF510 BF511 SST177 BBY53-05 BBY53-05W BAT114-099 BF512 BAT14-099 BAT14-099R BF513 BBY39 SST5114 SST5115 SST5116 ZHCS1006 ZHCS506 SST270 SST271 SST174 SST175 SST176 ZHCS756
J177 p-ch fet n-ch mosfet 100V 0.17A p-ch mosfet 50V 0.13A npn RF 1.8W fT 6GHz npn RF 1.8W fT 6GHz dual 45-26pF cc VHF varicap n-ch mosfet 60V 0.19A npn RF 1.8W fT 6GHz dual 45-20pF cc varicap dual varicap for FM radio n-ch mosfet 240V 0.1A p-ch mosfet 50V 0.13A n-ch mosfet 50V 0.22A n-ch dep mosfet 250V 0.04A
05s2l-05s6l.pdf 表面贴装肖特基势垒二极管数据表说明书
VOLTAGE RANGE 20 to 60 Volts CURRENT 0.5 AmpereMAXIMUM RATINGS (@ T A =25 C unless otherwise noted)ELECTRICAL CHARACTERISTICS (@T A =25 C unless otherwise noted)RATINGSMaximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking VoltageMaximum Average Forward Rectified Current .375” (9.5mm) lead length at T A =550CPeak Forward Surge Current 8.3 ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC method)Typical Junction Capacitance (Note 1)SYMBOL V RRM V R q JA R q JL DC I FSM C J T STGV RMS UNITS Volts Volts Volts Amps 0.51511030110Amps 0C 0C/W 0C/WStorage Temperature RangeI O 150pFOperating T Typical Thermal Resistance (Note 3)emperature Range T J 05S2L 05S4L 05S5L 05S6L 05S3L 204050603014283542212040506030-55 to + 150CNOTES : 1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0 volts.2006-11CHARACTERISTICSMaximum Average Reverse Current at Rated DC Blocking VoltageV F SYMBOL I RmAmps Maximum Instantaneous Forward Voltage at 0.5A DC Volts 0.22@T A = 25oC @T A = 100o C.55.70mAmps UNITS 05S2L 05S4L 05S5L05S6L 05S3L 2. 3. Thermal Resistance: Mounted on PCB.“Fully ROHS compliant”, “100% Sn plating (Pb-free)”.INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, (V)PERCENT RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, (%)I N S T A N T A N E O U S F O R W A R D C U R R E N T , (A )AMBIENT TEMPERATURE, (C)0.10.11.01020A V E R A G E F O R W A R D C U R R E N T , (A )C T , T O T A L C A P A C I T A N C E , (p F )0.10.20.30.40.51.7 1.91.30.50.30.90.7 1.1 1.52.117515012510075502500.0010.10.011.010100RATING AND CHARACTERISTICS CURVES ( 05S2L THRU 05S6L )FIG.3 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICSFIG.1 TYPICAL FORWARD CURRENT DERATING CURVEFIG.2 TYPICAL INSTANTANEOUSREVERSE VOLTAGE, (V)I NS T A N T A NE O U S R E V E R S E C U R R E N T , (m A )1010080604020200400FIG.4 TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE PERCENT RATED PEAK REVERSE VOLTAGE, (%)0.0010.10.011.010100FIG.3 TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICSI N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N T , (m A )NUMBER OF CYCLES AT 60HzP E A K F O R W A R D S U R G E C U R R E N T , (A )105152520FIG.5 MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD SURGE CURRENTMounting Pad LayoutDimensions in inches and (millimeters).052 MIN.(1.32 MIN.).033 MIN..033 MIN.(0.85 MIN.)Rectron Inc reserves the right to make changes without notice to any productspecification herein, to make corrections, modifications, enhancements or other changes. Rectron Inc or anyone on its behalf assumes no responsibility or liabi- lity for any errors or inaccuracies. Data sheet specifications and its information contained are intended to provide a product description only. "Typical" paramet- ers which may be included on RECTRON data sheets and/ or specifications ca- n and do vary in different applications and actual performance may vary over ti- me. Rectron Inc does not assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit.Rectron products are not designed, intended or authorized for use in medical, life-saving implant or other applications intended for life-sustaining or other rela- ted applications where a failure or malfunction of component or circuitry may di- rectly or indirectly cause injury or threaten a life without expressed written appr- oval of Rectron Inc. Customers using or selling Rectron components for use in such applications do so at their own risk and shall agree to fully indemnify Rect- ron Inc and its subsidiaries harmless against all claims, damages and expendit- ures.DISCLAIMER NOTICE。
肖特基二极管参数表
肖特基二极管参数表摘要：1.肖特基二极管的基本概念和特点2.肖特基二极管的分类和应用领域3.常用肖特基二极管的型号与参数4.肖特基二极管的主要性能指标及其意义5.选择和使用肖特基二极管时需关注的因素正文：肖特基二极管（Schottky Barrier Diode，简称SBD）是一种低功耗、大电流、超高速半导体器件。
它以金属与半导体接触形成的金属半导体结原理制作，而非利用PN结原理。
由于其独特的性能优势，被广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路中。
肖特基二极管的特点包括：1.低功耗：正向导通压降仅0.4V左右，整流电流可达到几千毫安。
2.高速度：反向恢复时间极短，可达到几纳秒。
3.良好的热稳定性：具有较高的热稳定性，可以承受较高的功耗。
根据应用领域和性能要求，肖特基二极管可分为不同类型。
例如，用于续流二极管、保护二极管等。
在通信电源、变频器等电路中，肖特基二极管有着广泛的应用。
常用的肖特基二极管型号包括：1.引线式肖特基二极管：D80-004、B82-004等。
2.封装式肖特基二极管：MBR1545、MBR2535、MBR300100CT、MBR400100CT等。
在选择和使用肖特基二极管时，需要关注以下性能指标：1.正向电压VF：指肖特基二极管正向导通时，正向电压与正向电流的比值。
VF越低，功耗越小。
2.反向漏电IR：指二极管反向漏电流。
IR越小，二极管的反向性能越好。
3.反向电压VR：二极管能承受的最大反向电压。
VR越高，二极管的耐压能力越强。
4.反向恢复时间trr：二极管从反向导通到截止的时间。
trr越小，二极管的开关速度越快。
总之，肖特基二极管具有低功耗、高速度等优点，广泛应用于高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管等电路。
肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释
肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释肖特基二极管的命名：肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode 缩写成 SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode 缩写成 SBD）的简称。
肖特基：Schottky整流：RectifierSR：即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT......肖特基：Schottky势垒：BarrierSB：即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT......Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD 来命名产品型号前缀的。
但 SBD 不是利用 P 型半导体与 N 型半导体接触形成PN 结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。
因此，SBD 也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
关于肖特基 MBR 系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号M：是以最早 MOTOROLA 的命名，取 MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器“MBR”意为整流器件SCHOTTKY：肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CT M：MOTOROLA 缩写 MB：Barrier1 缩写 BR：Rectifier 缩写 R10：电流 10A200：电压 200VC：表示 TO-220AB 封装，常指半塑封。
常用肖特基二极管、型号的命名、字母含义
SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CT
M：MOTOROLA
缩写 M
B：Barrier1
缩写 B
R：Rectifier
缩写 R
10：电流 10A
200：电压 200V
C：表示 TO-220AB 封装，常指半塑封。
T：表示管装
MBR1045CT，其中的“C”：表示 TO-220 封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示 TO-3P 封装
MBR30150CT，30A，150V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR30200CT，30A，200V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR3045PT， 30A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR3060PT， 30A， 60V，TO-247、TO-3P；
MBR30100PT，30A，100V，TO-247、TO-3P；
MBR1045CT、MBR10100CT：TO-220AB（三脚半塑封），10A
M
BMBR1535CT、MBR1545CT：TO-220AB（三脚），15A RFMBR2045CT、MBR20200CT：TO-220AB（三脚），20A 1MBR2535CT、MBR2545CT：TO-220AB（三脚），25A 0MBR3045CT、MBR3060CT：TO-220AB（三脚），30A
MBR40150PT，40A，150V，TO-247、TO-3P；
MBR40200PT，40A，200V，TO-247、TO-3P；
MBR6045PT， 60A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR6060PT， 60A， 60V，TO-247、TO-3P；
常用肖特基二极管简表
常用肖特基二极管参数简表型 号厂商封 装 电流If/A 反 压Vrrm/V 压降Vf/V 50SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.6650SQ100IR轴向 5.00100 0.66 MBR735 GS TO2207.5035 0.84 MBR745GS TO2207.50450.84 MBR745IR TO2207.50450.841SS294TOS SC‐590.1400.60 BAT15‐099INF SOT1430.1140.3210MQ060N IR SMA0.77900.6510MQ100N IR SMA0.77 100 0.9610BQ015IR SMB 1.00150.34SS12 GS DO214 1.00 200.50 MBRS13 0LT3ON 1.0030 0.3910BQ040IR SMB 1.0040 0.53RB060L‐40ROHM PMDS 1.00400.55RB160L‐40ROHM PMDS 1.00400.55SS14GS DO214 1.00400.50 MBRS140T3ON ‐ 1.0040 0.6010BQ060IR SMB 1.00600.57SS16GS DO214 1.00600.7510BQ100IR SMB 1.001000.78 MBRS1100T3ON ‐ － 1.00 1000.7510MQ040N IR SMA 1.10400.5115MQ040N IR SMA 1.70400.55 PBYR245CT PS SOT223 2.00450.4530BQ015 IR SMC 3.00 150.3530BQ040IR SMC 3.00400.5130BQ060IR SMC 3.00600.5830BQ100IR SMC 3.00100 0.79 STPS340U STM SOD6 3.00 400.84 MBRS340T3ON ‐ － 3.00 40 0.52RB051L‐40ROHM PMDS 3.00 400.45 MBRS360T3ON ‐ － 3.00600.7030WQ04FN IR DPAK 3.30400.6230WQ06 FN IR DPAK3.30600.7030WQ10 FN IR DPAK 3.30 1000.9130WQ03FN IR DPAK 3.50300.5250WQ03FN IR DPAK 5.50300.5350WQ06 FN IR DPAK 5.5 060 0.576CWQ06F N IR DPAK 6.6060 0.586CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 1000.811N5817ON轴向 1.0020 0.751N5818ON轴向 1.00300.551N5819ON轴向 1.00400.60SB130 GS轴向 1.00 300.50 MBR150 ON轴向 1.0050 1.00 MBR160 ON 轴向 1.0060 1.00 11DQ10IR 轴向 1.101000.85 11DQ04IR轴向 1.10400.55 11DQ05IR轴向 1.10500.58 11DQ06IR轴向 1.10 600.58 MBRS340TR IR SMC 3.0040 0.43 1N5820 ON 轴向 3.00200.85 1N5821ON轴向 3.00 300.38 1N5822ON轴向 3.00 400.52 MBR360ON轴向 3.0060 1.00 SS32 GS DO214 3.0020 3.00 SS34 GS DO214 3.00 40 0.50 31DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85 SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57 SB540 GS DO201 5.00 40 0.57 80SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.53 STQ080 IR TO220 8.00 80 0.72 8TQ100 IR TO220 8.00 100 0.72 80SQ040 IR 轴向 8.00 40 0.53 80SQ035 IR DO204AR 8.00 35 0.53 HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 600 1.70 95SQ015 － 轴向 9.00 15 0.31 90SQ040 － 轴向 9.00 40 0.48 10TQ045 － TO220 10.00 45 0.57 MBR1035 GS TO220 10.00 35 0.84 MBR1045 ON TO220 10.00 45 0.84 STPS1045F ON ISO220 10.00 45 0.64 MBR2060CT ON TO220 10.00 60 0.85 MBR106 0 ON TO220 10.00 60 0.95 PBYR10100 PS TO220 10.00 100 0.70 10TQ040 IR TO220 10.00 40 0.57 MBR1045 CT IR TO220 10.00 45 0.84 10CTQ150‐1 IR D2pak 10.00 150 0.73 40L15CTS IR D2pak 10.00 150 0.41 85CNQ015A IR D61 80.00 15 0.32 150K40A IR D08 150.00 400 1.33 12CTQ040 IR TO220 12.00 45 0.73 MBR1545CT IR TO220 pr 15.00 45 0.72 MBR1660 GS TO220 16.0060 0.75 16CTQ080 IR TO220 pr 16.0080 0.72 16CTQ100 IR TO220 pr 16.00100 0.72 16CTQ100‐1 IR D2Pak 16.00100 0.72 18TQ045 ON TO220 18.0045 0.60HFA16PB120 IR TO247 16.00 1200 3.00 MBR1645 IR TO220AC 16.00 45 0.63 19CTQ01 IR TO220 19.00 15 0.36 20CTQ045IRTO220 pr20.00450.6420TQ045 IR TO220 20.00 45 0.57 MBR2045CT IR TO220 pr 20.00 45 0.84 MBR2090CT IR TO220 pr 20.00 90 0.80 MBR20100CTIRTO220 pr 20.00 100 0.80 MBR20100CT-1 IR TO262 20.00 100 0.80 MBR2080CT IR TO220AB 20.00 80 0.85 MBR2545CT IR TO220AB 30.00 45 0.82 MBR3045WTIRTO24730.004532CTQ030 IR TO220 pr 30.00 30 0.49 32CTQ303-1IRD2Pak30.00300.4930CPQ060 IR TO220 pr 30.00 60 0.62 30CPQ080 IR TO247AC 30.00 80 0.86 30CPQ100 IR TO247 pr 30.00 100 0.86 30CPQ150 IR TO247 pr 30.00 150 1.00 40CPQ040 IR TO247 pr 40.00 40 0.49 40CPQ045 IR TO247 pr 40.00 45 0.49 40CPQ050 IR TO247AA 40.00 50 0.53 40CPQ100 IR TO247 pr 40.00 100 0.77 40L15CT IR TO220AB 40.00 15 0.53 47CTQ020IRTO22040.00200.34 48CTQ060 IR TO220 40.00 60 0.58 40L15CWIRTO24740.00150.5242CTQ030 IR TO220 40.00 30 0.38 40CTQ045 IR TO220 40.00 45 0.68 40L45CW IR TO247 40.00 45 0.70 40CPQ060 ON TO247 40.00 60 0.68 MBR4045WT IR TO247 40.00 45 0.59 MBR4060WT IR TO247 40.0060 0.77 43CTQ100 IR TO220 40.00 1000.98 52CPQ030 IR TO247 50.00 30 0.38 MBR6045WTIRTO247pr60.0045 0.73 STPS6045CPI ON TOP3I 60.00450.84 65PQ015 IR TO247 65.00 15 0.50 72CPQ030IRTO247AC70.00300.51 85CNQ015 IR D61 80.00 15 0.32 83CNQ100 IR D61 80.00 100 0.67 80CPQ020 IR TO247 80.00 20 0.32 82CNQ030A IR D61 80.00 30 0.37 82CNQ045AIRD6180.00450.47 83CNQ100A IR D61 80.001000.67 120NQ045 IR HALFPAK 120.00 450.52125NQ015 IR D67 120.00 15 0.33122NQ030 IR D67 120.00 30 0.41 STPS16045TV ON ISOTOP 160.00 45 0.95182NQ030 IR D67 180.00 30 0.41200.00 40 0.54 200CNQ040 IR TO244AB200.00 45 0.54 200CNQ045 IR TO244AB200CNQ030 IR TO244AB 200.00 30 0.48STPS24045TV ON ISOTOP 240.00 45 0.91203CMQ080 IR TO244 200.00 80 1.03240NQ045 IR HALFPAK240.00 45 0.55 301CNQ045 IR TO244 300.00 45 0.59 403CNQ100 IR TO244AB 400.00 100 0.83440CNQ030 IR TO244AB 440.00 30 0.411N60 VOLTTS轴向0.15 40 0.5 1N60P VOLTTS轴向0.5 45 0.5 1N5711 agilent轴向0.015 70 0.41 1N5712 agilent轴向0.035 20 0.55 5082-5810 agilent轴向0.035 20 0.41 5082-2811 agilent轴向0.020 15 0.41 5082-2835 agilent轴向0.010 8 0.34 型号厂家封装电流If/A 反 压Vrrm/V压降Vf/V 编制：w5jj@ 2009‐8‐19修订。
肖特基二极管通用参数全套汇编
肖特基二极管常用参数大全肖特基二极管常用参数大全肖特基二极管常用参数大全型号制造商封装If/A Vrrm/V最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.1 400.60BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32BAT54A PS SOT23 0.20 300.5010MQ060N IR SMA 0.77 900.6510MQ100N IR SMA 0.77 1000.9610BQ015 IR SMB 1.00 150.34SS12 GS DO214 1.00 20 0.50MBRS130LT3 ON - 1.00 300.3910BQ040 IR SMB 1.00 400.53RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 400.55RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 400.55SS14 GS DO214 1.00 40 0.50MBRS140T3 ON - 1.00 400.6010BQ060 IR SMB 1.00 600.57SS16 GS DO214 1.00 60 0.7510BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7510MQ040N IR SMA 1.10 40 0.5115MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.4530BQ015 IR SMC 3.00 15 0.3530BQ040 IR SMC 3.00 40 0.5130BQ060 IR SMC 3.00 60 0.5830BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79STPS340U STM SOD6 3.00 400.84MBRS340T3 ON - 3.00 40 0.52RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45MBRS360T3 ON - 3.00 60 0.7030WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.6230WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.7030WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.9130WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.5250WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.5350WQ06FN IR DPAK 5.50 60 0.576CWQ06FN IR DPAK 6.60 600.586CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 1000.811N5817 ON 轴向 1.00 20 0.75 1N5818 ON 轴向 1.00 30 0.55SB130 GS 轴向 1.00 30 0.50 1N5819 ON 轴向 1.00 40 0.60 MBR150 ON 轴向 1.00 501.00MBR160 ON 轴向 1.00 601.0011DQ10 IR 轴向 1.10 100 0.8511DQ04 IR 轴向 1.10 40 0.55 11DQ05 IR 轴向 1.10 50 0.58 11DQ06 IR 轴向 1.10 60 0.58MBRS340TR IR SMC 3.00 400.431N5820 ON 轴向 3.00 20 0.85 1N5821 ON 轴向 3.00 30 0.38 1N5822 ON 轴向 3.00 40 0.52MBR360 ON 轴向 3.00 601.00SS32 GS DO214 3.00 20 3.00 SS34 GS DO214 3.00 40 0.50 31DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57 SB540 GS DO201 5.00 40 0.57 50SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.66 50SQ100 IR 轴向 5.00 100 0.66 MBR735 GS TO220 7.50 350.84MBR745 GS TO220 7.50 450.84MBR745 IR TO220 7.50 450.8480SQ040 IR 轴向8.00 40 0.53 STQ080 IR TO220 8.00 80 0.72 8TQ100 TO220 8.00 100 0.72 80SQ040 IR 轴向8.00 40 0.5380SQ035 IR DO204AR 8.00 350.53HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 6001.7095SQ015 轴向9.00 15 0.3190SQ040 轴向9.00 40 0.48 10TQ045 TO220 10.00 45 0.57 MBR1035 GS TO220 10.00 350.84MBR1045 ON TO220 10.00 450.84STPS1045F ON ISO220 10.00 45 0.64MBR2060CT ON TO220 10.00 600.85 <P style="TEXT-INDE。
常用的肖特基二极管型号及参数
常用的肖特基二极管型号及参数肖特基二极管（Schottky Diode）是一种由半导体材料制成的二极管，其具有较快的开关速度、低的开关功耗和较小的反向恢复时间等优点。
在电子设备和电路中广泛使用，特别是在高频应用、功率电子和数字和模拟电路中。
下面是一些常用的肖特基二极管型号及其参数的介绍。
1.1N5817-正向电压降：0.45V-最大正向连续电流：1A-反向漏电流：10uA-耐反向电压：20V- 反向恢复时间：15ns2.BAT41-正向电压降：0.37V-最大正向连续电流：100mA-反向漏电流：150nA-耐反向电压：30V- 反向恢复时间：4ns3.BAT85-正向电压降：0.37V-最大正向连续电流：200mA -反向漏电流：150nA-耐反向电压：40V- 反向恢复时间：4ns4.SB540-正向电压降：0.55V-最大正向连续电流：5A-反向漏电流：200uA-耐反向电压：40V- 反向恢复时间：25ns5.MBR2045CT-正向电压降：0.75V-最大正向连续电流：20A -反向漏电流：300uA-耐反向电压：45V- 反向恢复时间：35ns-正向电压降：0.75V-最大正向连续电流：20A -反向漏电流：300uA-耐反向电压：100V- 反向恢复时间：40ns7.11DQ06-正向电压降：0.65V-最大正向连续电流：1A-反向漏电流：10uA-耐反向电压：60V- 反向恢复时间：20ns-正向电压降：0.52V-最大正向连续电流：16A-反向漏电流：50uA-耐反向电压：45V- 反向恢复时间：16ns9. TPSMBxxA-正向电压降：0.65V-最大正向连续电流：600mA-反向漏电流：5uA-耐反向电压：5-180V（不同型号可选）- 反向恢复时间：5-50ns（不同型号可选）10.LMBS82-正向电压降：0.32V-最大正向连续电流：100mA-反向漏电流：5uA-耐反向电压：20V- 反向恢复时间：4ns以上是一些常见的肖特基二极管型号及其参数的介绍。
肖特基二极管 符号
肖特基二极管符号（实用版）目录1.肖特基二极管的概述2.肖特基二极管的符号表示3.肖特基二极管的特性与应用正文【肖特基二极管的概述】肖特基二极管（Schottky Diode）是一种金属 - 半导体接触的电子器件，具有较低的正向电压降和较高的开关速度。
它是由德国物理学家瓦尔特·肖特基（Walter Schottky）于 1934 年提出的，其结构主要包括金属（通常为铂或钨）与半导体（如硅或锗）之间的接触。
肖特基二极管具有很高的工作频率，广泛应用于高频、超高频及微波通信等领域。
【肖特基二极管的符号表示】肖特基二极管的符号表示如图 1 所示，它由一个表示半导体材料的矩形和两个表示金属电极的短线组成。
在符号中，半导体材料的矩形上方和右侧分别标注着“N”和“P”，表示该二极管为 N 型半导体与 P 型半导体接触结构。
两个金属电极分别用“A”和“K”表示，其中“A”为阳极，“K”为阴极。
需要注意的是，肖特基二极管符号中的金属电极线应尽量短，以区别于其他类型的二极管符号。
图 1 肖特基二极管符号表示【肖特基二极管的特性与应用】肖特基二极管具有以下主要特性：1.低正向电压降：肖特基二极管的正向电压降远低于普通二极管，通常仅为 0.2-0.3V，这使得它在低电压应用场合具有优势。
2.高开关速度：肖特基二极管具有较高的开关速度，可在高频率下工作，适用于高速信号传输和开关电源等领域。
3.较小的反向漏电流：肖特基二极管的反向漏电流较小，可降低电路的功耗，提高系统性能。
基于这些特性，肖特基二极管在电子设备中有着广泛的应用，如高频振荡器、放大器、信号处理器、电源开关等。
同时，肖特基二极管也可与其他器件组合使用，如与晶体管、场效应管等组成复合管，以实现更高的工作性能。
肖特基整流二极管型号及参数
肖特基整流二极管型号及参数
肖特基整流二极管（Schottky Barrier Diode，简称SBD）是一种具有快速开关特性和低电压损耗的二极管。
其工作原理是通过形成金属和半导体之间的肖特基势垒来导电。
以下是一些常见的肖特基整流二极管型号及其参数介绍：
1.BAT54C：
-最大正向电流：600mA
-最大反向电压：30V
-正向压降：0.37V（I=0.1A）
- 导通时间：4ns
2.BAT46W：
-最大正向电流：150mA
-最大反向电压：100V
-正向压降：0.4V（I=0.1A）
- 导通时间：5ns
3.BAT41：
-最大正向电流：100mA
-最大反向电压：40V
-正向压降：0.45V（I=0.1A）
- 导通时间：8ns
4.BAT54S：
-最大正向电流：300mA
-最大反向电压：30V
-正向压降：0.26V（I=0.2A）
- 导通时间：6ns
5.BAT54:
-最大正向电流：600mA
-最大反向电压：30V
-正向压降：0.41V（I=0.1A）
- 导通时间：4ns
6.BAT85:
-最大正向电流：1A
-最大反向电压：30V
-正向压降：0.37V（I=0.1A）
- 导通时间：1ns
以上只是一些常用的肖特基整流二极管型号，实际上市场上还有很多其他型号的肖特基整流二极管。
不同型号的肖特基整流二极管具有不同的正向电流、反向电压、正向压降和导通时间等参数，可以根据具体应用需求选择合适的型号。
[常用肖特基二极管参数]常用肖特基二极管参数
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[常用肖特基二极管参数]常用肖特基二极管参数篇一: 常用肖特基二极管参数型号制造商封装If/A Vrrm/V 最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60BA T15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32BA T54APSSOT23 0.20 30 0.5010MQ060NIRSMA0.77 90 0.6510MQ100NIRSMA0.77 100 0.9610BQ015 IRSMB1.00 15 0.34SS12GSDO2141.00 20 0.50MBRS130L T3ON-1.00 30 0.3910BQ040 IRSMB1.00 40 0.53RB060L-40 ROHMPMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHMPMDS 1.00 40 0.55 SS14GSDO2141.00 40 0.50MBRS140T3 ON-1.00 40 0.6010BQ060 IRSMB1.00 60 0.57SS16GSDO2141.00 60 0.7510BQ100 IRSMB1.00 100 0.78 MBRS1100T3ON-1.00 100 0.7510MQ040NIRSMA1.10 40 0.5115MQ040NIRSMA1.70 40 0.55PBYR245CT PSSOT223 2.00 45 0.45 30BQ015 IRSMC3.00 15 0.3530BQ040 IRSMC3.00 40 0.5130BQ060 IRSMC3.00 60 0.5830BQ100 IRSMC3.00 100 0.79 STPS340USTM SOD6 3.00 40 0.84 MBRS340T3 ON-3.00 40 0.52RB051L-40 ROHMPMDS 3.00 40 0.45 MBRS360T3 ON-3.00 60 0.7030WQ04FNIRDPAK 3.30 40 0.6230WQ06FNIRDPAK 3.30 60 0.7030WQ10FNIRDPAK 3.30 100 0.91 30WQ03FNIRDPAK 3.50 30 0.52 50WQ03FNIRDPAK 5.50 30 0.53 50WQ06FNIRDPAK 5.50 60 0.576CWQ06FNIRDPAK 6.60 60 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pr30.00 150 1.0040CPQ040 IRTO247 pr40.00 40 0.49 40CPQ045 IRTO247 pr40.00 45 0.49 40CPQ050 IRTO247AA 40.00 50 0.53 40CPQ100 IRTO247 pr40.00 100 0.77 40L15CTIRTO220AB 40.00 15 0.53 47CTQ020 IRTO220 40.00 20 0.34 48CTQ060 IRTO220 40.00 60 0.58 40L15CWIRTO247 40.00 15 0.5242CTQ030 IRTO220 40.00 30 0.38 40CTQ045 IRTO220 40.00 45 0.68 40L45CWIRTO247 40.00 45 0.7040CPQ060 ONTO247 40.00 60 0.68 MBR4045WTIRTO247 40.00 45 0.59 MBR4060WTIRTO247 40.00 60 0.77 43CTQ100 IRTO220 40.00 100 0.98 52CPQ030 IRTO247 50.00 30 0.38 MBR6045WTIRTO247pr 60.00 45 0.73 STPS6045CPIONTOP3I 60.00 45 0.84 65PQ015IRTO247 65.00 15 0.5072CPQ030 IRTO247AC 70.00 30 0.51 85CNQ015 IRD61 80.00 15 0.3283CNQ100 IRD61 80.00 100 0.6780CPQ020 IRTO247 80.00 20 0.3282CNQ030AIRD61 80.00 30 0.3782CNQ045AIRD61 80.00 45 0.4783CNQ100AIRD61 80.00 100 0.67120NQ045IRHALFPAK 120.00 45 0.52 125NQ015 IRD67 120.00 15 0.33122NQ030 IRD67 120.00 30 0.41STPS16045TVONISOTOP 160.00 45 0.95 182NQ030 IRD67 180.00 30 0.41200CNQ040IRTO244AB 200.00 40 0.54 200CNQ045IRTO244AB 200.00 45 0.54200CNQ030IRTO244AB 200.00 30 0.48 STPS24045TVONISOTOP 240.00 45 0.91 203CMQ080IRTO244 200.00 80 1.03 240NQ045 IRHALFPAK 240.00 45 0.55 301CNQ045IRTO244 300.00 45 0.59 403CNQ100IRTO244AB 400.00 100 0.83 440CNQ030IRTO244AB 440.00 30 0.41 肖特基二极管肖特基二极管肖特基整流二极管型号额定IA VRRM V向峰值电压浪涌电流IFSM A反向恢复时间ns SB0200.6202010SB0300.6302010SB0400.64020101N581712025101N581813025101N58191402510SB1201204010SB1301304010SB1401404010SB150150405SB160160405 SR1201204020 SR1301304020 SR1401404020 SR1501504020 SR1601604020 SR1801804020 SR1A011004020 SB2202205020 SB2302305020 SB2402405020SB2502505020 SB2602605020 SR2202205010 SR2302305010 SR2402405010 SR2502505010 SR2602605010 SR2802805010 SR2A021005010 1N58203208020 1N582133080201N58223408020 SB3203208020 SB3303308020 SB3403408020 SB3503508010 SB3603608010 SR3203208020 SR3303308020 SR3403408020 SR3503508020 SR3603608020SR3803808020 SR3A031008020 SB52052015050 SB53053015050 SB54054015050 SB55055015025 SB56056015025 SR52052015050 SR53053015050 SR54054015050 SR55055015025SR56056015025SR58058015025SR5A0510015025篇二: 肖特基二极管原理和常用参数和检测方法肖特基二极管原理肖特基势垒二极管SBD是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。
肖特基二极管电路符号
肖特基二极管电路符号1. 引言肖特基二极管（Schottky Diode）是一种具有低电压降和快速开关速度的二极管。
它由金属与半导体材料之间的接触构成，常用于高频电路、功率放大器、混频器等应用中。
本文将介绍肖特基二极管的电路符号及其相关内容。
2. 肖特基二极管的结构和工作原理肖特基二极管由一个金属（通常是铝或铬）和一个半导体（通常是硅）之间形成的PN结构组成。
相比于普通PN结二极管，肖特基二极管在PN结上形成了一个金属-半导体接触面，这个接触面被称为肖特基势垒。
肖特基势垒由于金属与半导体之间的巨大功函数差异而形成，使得在正向偏置下，少量载流子就能通过势垒进行快速注入和排出。
这使得肖特基二极管具有较低的正向压降和快速的开关速度。
3. 肖特基二极管的电路符号肖特基二极管的电路符号如下所示：其中，箭头表示了导通的方向。
与普通二极管的符号相比，肖特基二极管多了一个带有一条斜线的金属箭头，用于表示金属-半导体接触。
4. 肖特基二极管的特性4.1 正向工作特性在正向偏置下，肖特基二极管具有较低的正向压降。
这是由于少量载流子通过势垒注入和排出形成的。
正向压降一般在0.15V至0.45V之间，远低于普通PN结二极管。
4.2 反向工作特性在反向偏置下，肖特基二极管具有较高的反向击穿电压。
这是因为金属-半导体接触形成了一个较大的势垒，能够抵抗较高的反向电场。
4.3 开关速度由于肖特基势垒注入和排出载流子非常迅速，在开关速度方面表现出色。
这使得肖特基二极管适用于高频电路和快速开关应用。
4.4 温度特性肖特基二极管的温度特性较好，温度升高时正向压降会略微增加，但变化不大。
这使得肖特基二极管在高温环境下仍能保持稳定的工作性能。
5. 肖特基二极管的应用5.1 高频电路由于肖特基二极管具有快速的开关速度和较低的正向压降，适用于高频电路中作为整流和混频器等元件。
5.2 功率放大器由于肖特基二极管具有较低的正向压降，可以减小功率放大器中的能量损耗，并提高效率。
肖特基二极管电路符号
肖特基二极管电路符号
摘要：
一、肖特基二极管的概念与结构
二、肖特基二极管的符号表示
三、肖特基二极管的特性及应用
正文：
一、肖特基二极管的概念与结构
肖特基二极管是一种金属- 半导体器件，由贵金属（如金、银、铝、铂等）与n 型半导体材料结合形成。
它具有整流特性，可以用于高频、大电流、低电压整流电路及微波电子混频电路、检波电路、高频数字逻辑电路等领域。
肖特基二极管的结构特点是：在n 型半导体材料的一面覆盖一层贵金属薄膜，两者之间形成一个势垒。
当电流流过这个结构时，贵金属中的自由电子会向半导体中的空穴扩散，形成一个导电通道，从而实现整流。
二、肖特基二极管的符号表示
肖特基二极管的电路符号通常用一个表示n 型半导体的矩形与一个表示贵金属的圆形相结合，矩形和圆形之间用一条斜线表示接触面，如下图所示：```
_______
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======>
```
三、肖特基二极管的特性及应用
肖特基二极管具有以下特性：
1.正向导通压降：肖特基二极管的正向导通压降较普通二极管更低，可以降低整流电路的电压损耗。
2.反向漏电流：肖特基二极管的反向漏电流较小，可以提高整流电路的效率。
3.反向耐压：肖特基二极管的反向耐压较高，可以保护电路免受高压损害。
4.开关速度：肖特基二极管的开关速度较快，可以实现高频整流和开关。
5.环境温度：肖特基二极管的导通电压、反向漏电流等参数随环境温度的变化而变化。
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.72(0.028) .69(0.027)
.08(.003) MIN
Case: Molded plastic body Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Polarity symbols marked on case Mounting Position: Any Marking: SD103AWS:S4, SD103BWS:S5, SD103CWS:S6
Dimensions in millimeters and (inches)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Maximum ratings and electrical characteristics, Single diode @TA=25 PARAMETER Peak repetitive peak reverse voltage Working peak reverse voltage DC Blocking voltage RMS Reverse voltage Forward continuous current Repetitive peak forward current @t 1.0s Power dissipation Thermal resistance junction to ambient Storage temperature Electrical ratings @TA=25 PARAMETER Reverse breakdown voltage SD103AWS SD103BWS SD103CWS
IF,FORWARD CURRENT(mA)
CJ, CAPACITANCE(pF)
0 0.5 1.0
100
10
10
1.0
1.0
0.1
0.01
0.1 0 10 20 30 40
VR REVERSE VOLTAGE(V)
VR REVERSE VOLTAGE(V)
R
LING
JIE
STAR SEA ELECTRONICS CO.,LTD.
IRM CT trr
uA pF ns
IR=10uA IR=10uA IR=10uA IF=20mA IF=200mA VR=30V VR=20V VR=10V VR=0V,f=1.0MHz IF=IR=200mA Irr=0.1XIR,RL=100
R
LING
JIE
STAR SEA ELECTRONICS CO.,LTD.
【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】
|样品申请单模板
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SYMBOLS SYMBOLS
SD103AWS 40 28
SD103BWS 30 21 350 1.5 200 300 -65 to +125
SD103CWS 20 14
UNITS VOLTS V mA A mW /W
VRRM VRMS VDC VR(RMS) IFM IFRM Pd RΘJA TSTG
【 领先的片式无源器件整合供应商 — 南京南山半导体有限公司 】
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES SD103AWS-SD103CWS
FIG. 1- TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
1000 100
FIG. 2-TYP. JUNCTION CAPACITANCE VS REVERSE VOLTAGE
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SD103AWS-SD103CWS
SCHOTTKY DIODES
SOD-323
1.35(0.053) 1.15(0.045) 1.26(.050) 1.24(.048)
FEATURES
Low forward voltage drop Guard ring construction for transient protection Negligible reverse recovery time low reverse capacitance
Min.
Typ.
Max.
Unit
Conditions
V(BR)R VF
40 30 20 0.37 0.60 5.0 50 10
V V
Fowrard voltage Reverse current SD103AWS SD103BWS SD103CWS Capacitance between terminals Reverse recovery time
2.75(0.108) 2.30(0.091)
1.80(0.071).108) 2.30(0.091)
1.80(0.071) 1.60(0.063)
MECHANICAL DATA
0.4(0.016) .25(0.010) .177(.007) .089(.003) 1.00(.040) 0.80(.031) 0.1(0.004) MIN .305(0.012) .295(0.010)