集成电路芯片封装技术期末考试题

《集成电路测试》期末复习题库【附答案】

《集成电路测试》期末复习题库【附答案】《集成电路测试》期末复习题库【附答案】（试题按章节分类）【填空】1、切筋成型其实是两道⼯序：切筋和打弯，通常同时完成。

2、对SMT装配来讲，尤其是⾼引脚数⽬框架和微细间距框架器件，⼀个突出的问题是引脚的⾮共⾯性。

3、打码⽅法有多种，其中最常⽤的是印码：包括油墨印码(ink marking)和激光印码(Laser Marking)两种。

4、在完成打码⼯序后，所有器件都要100％进⾏测试。

这些测试包括⼀般的⽬检、⽼化试验和最终的产品测试。

5、对于连续⽣产流程，元件的包装形式应该⽅便拾取，且不需作调整就能够应⽤到⾃动贴⽚机上。

【选择】1、⽓密性封装是指完全能够防⽌污染物（液体或固体）的侵⼊和腐蚀的封装形式，通常⽤作芯⽚封装的材料中，能达到所谓⽓密性封装的只有：⾦属、陶瓷和玻璃2、⾦属封装现有的封装形式⼀般包括平台插⼊式⾦属封装、腔体插⼊式⾦属封装、扁平式⾦属封装和圆形⾦属封装等。

3、根据所使⽤材料的不同，元器件封装主要分为⾦属封装、陶瓷封装和塑料封装三种类型。

4、⾦属封装由于在最严酷的使⽤条件下具有杰出的可靠性⽽被⼴泛⽤于军事和民⽤领域。

【讨论】1、各向异性材料、各向同性材料的区别是什么？所有物理性质在不同⽅向是⼀样的是各向同性材料，⼤部分物理性质在不同⽅向是不⼀样的是各向异性材料。

2、除氧化铝外，其他陶瓷封装材料有哪些？氮化铝、碳化硅、氧化铍、玻璃陶瓷、钻⽯等材料。

【填空】6、⾦属与玻璃之间⼀般黏着性不佳。

7、控制玻璃在⾦属表⾯的湿润能⼒是形成稳定粘结最重要的技术。

8、玻璃密封材料的选择应与⾦属材料的种类配合。

9、酚醛树脂、硅胶等热硬化型塑胶为塑料封装最主要的材料。

【选择】5、塑料封装具有低成本、薄型化、⼯艺较为简单、适合⾃动化⽣产等优点。

6、玻璃密封的主要缺点是：强度低、脆性⾼。

7、通孔插装式安装器件⼜分为以下⼏种：（1）塑料双列直插式封装：（2）单列直插式封装（3）塑料针栅封装8、去溢料⽅法：机械喷沙、碱性电解法、化学浸泡+⾼压⽔喷法。

集成电路封装测试技术考核试卷

18. ABCD
19. ABC
20. ABCD
三、填空题
1.扁平式射频
2.球栅阵列封装
3.陶瓷塑料
4.逻辑功能电参数
5.热导率机械强度
6.引线键合
7.温度循环试验湿度试验
8. X射线检测
9.四边
10.晶圆级封装
四、判断题
1. √
2. ×
3. √
4. ×
5. ×
6. √
7. √
8. ×
9. ×
10. ×
五、主观题（参考）
1.封装主要保护芯片免受物理、化学和环境影响，确保其电性能稳定。封装还便于安装、焊接和散热，对集成电路的性能和可靠性至关重要。
2.评估封装可靠性通常通过环境试验、电测试和寿命试验等方法。常用测试包括高温试验、低温试验、温度循环试验、湿度试验和振动试验等。
3.表面贴装技术（SMT）适用于小型化、高密度封装，具有组装速度快、成本低、占用空间小、可靠性高等优点。
C.温度循环试验
D.霉菌试验
18.以下哪些封装工艺适用于芯片级封装（CSP）（）
A.倒装芯片封装
B.引线键合
C.球栅阵列封装
D.晶圆级封装
19.以下哪些因素会影响集成电路封装的信号完整性（）
A.封装形式
B.封装材料
C.引线长度
D.芯片设计
20.以下哪些技术可以用于提高集成电路封装的散热性能（）
A.散热片
2.所有集成电路封装形式都可以采用表面贴装技术。（）
3.焊线键合是封装工艺中用于连接芯片与引线框架的一种方法。（）
4.集成电路封装的电气性能测试只需要检测芯片的功能性。（）
5.塑料封装的成本通常高于陶瓷封装。（）

集成电路封装与测试复习题（含答案）

集成电路封装与测试复习题(含答案)第1章集成电路封装概论2学时第2章芯片互联技术3学时第3章插装元器件的封装技术1学时第4章表面组装元器件的封装技术2学时第5章BGA和CSP的封装技术4学时第6章POP堆叠组装技术2学时第7章集成电路封装中的材料4学时第8章测试概况及课设简介2学时一、芯片互联技术1、引线键合技术的分类及结构特点？答：1、热压焊：热压焊是利用加热和加压力，使焊区金属发生塑性形变，同时破坏压焊界面上的氧化层，使压焊的金属丝与焊区金属接触面的原子间达到原子的引力范围，从而使原子间产生吸引力，达到“键合”的目的。

2、超声焊：超声焊又称超声键合，它是利用超声波(60-120kHz)发生器产生的能量，通过磁致伸缩换能器，在超高频磁场感应下，迅速伸缩而产生弹性振动经变幅杆传给劈刀，使劈刀相应振动；同时，在劈刀上施加一定的压力。

于是，劈刀就在这两种力的共同作用下，带动Al丝在被焊区的金属化层(如Al膜）表面迅速摩擦，使Al丝和Al膜表面产生塑性形变。

这种形变也破坏了Al层界面的氧化层，使两个纯净的金属面紧密接触，达到原子间的“键合”，从而形成牢固的焊接。

3、金丝球焊：球焊在引线键合中是最具有代表性的焊接技术。

这是由于它操作方便、灵活，而且焊点牢固，压点面积大，又无方向性。

现代的金丝球焊机往往还带有超声功能，从而又具有超声焊的优点，有的也叫做热(压)(超)声焊。

可实现微机控制下的高速自动化焊接。

因此，这种球焊广泛地运用于各类IC和中、小功率晶体管的焊接。

2、载带自动焊的分类及结构特点？答：TAB按其结构和形状可分为Cu箔单层带：Cu的厚度为35-70um，Cu-PI双层带Cu-粘接剂-PI三层带Cu-PI-Cu双金属3、载带自动焊的关键技术有哪些？答：TAB的关键技术主要包括三个部分：一是芯片凸点的制作技术；二是TAB载带的制作技术；三是载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线的焊接术。

制作芯片凸点除作为TAB内引线焊接外，还可以单独进行倒装焊（ＦＣＢ）4.倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法？答：蒸镀焊料凸点：蒸镀焊料凸点有两种方法，一种是C4 技术，整体形成焊料凸点；电镀焊料凸点：电镀焊料是一个成熟的工艺。

集成电路封装考试答案

名词解释：1. 集成电路芯片封装：利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引用接线端子并通过可塑性绝缘介质灌装固定，构成整体立体结构的工艺。

2. 芯片贴装：3.是将IC 芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。

4. 芯片互联：5. 将芯片与电子封装外壳的I/O 引线或基板上的金属布线焊区相连接。

6. 可焊接性:指动态加热过程中，在基体表面得到一个洁净金属表面，从而使熔融焊料在基体表面形成良好润湿能力。

7. 可润湿性：8.指在焊盘的表面形成一个平坦、均匀和连续的焊料涂敷层。

9.印制电路板：10.为覆盖有单层或多层布线的高分子复合材料基板。

11. 气密性封装：12. 是指完全能够防止污染物（液体或固体）的侵入和腐蚀的封装。

13. 可靠性封装：14. 是对封装的可靠性相关参数的测试。

15. T/C 测试：16. 即温度循环测试。

17. T/S 测试：18. 测试封装体抗热冲击的能力。

19.TH测试：20.是测试封装在高温潮湿环境下的耐久性的实验。

21.PC测试：22.是对封装体抵抗抗潮湿环境能力的测试1. 芯片封装实现了那些功能？24.是测试封装体长时间暴露在高温环境下的耐久性实验。

封装产品长时间放置在高温氮气炉中，然后测试它的电路通断情况。

25.Precon测试：26.模拟包装、运输等过程，测试产品的可靠性。

27.金线偏移：28. 集成电路元器件常常因为金线偏移量过大造成相邻的金线相互接触从而产生短路，造成元器件的缺陷。

29. 再流焊：30. 先将微量的铅锡焊膏印刷或滴涂到印制板的焊盘上，再将片式元器件贴放在印制板表面规定的位置上，最后将贴装好元器件分印制板放在再流焊设备的传送带上。

简答：传递电能、传递电路信号、提供散热途径、结构保护与支持2．芯片封装的层次五个层次：零级层次:在芯片上的集成电路元器件间的连线工艺第一层次：芯片层次的封装第二层次：将第一个层次完成的封装与其他电子元器件组成的一个电路卡的工艺第三层次：将第一个层次完成的封装组装成的电路卡组合成在一个主电路板上使之成为一个部件或子系统的工艺第四层次：将数个子系统组装成一个完整电子产品的工艺过程3.简述封装技术的工艺流程硅片减薄、硅片切割、芯片贴装、芯片互联、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码4.芯片互联技术有哪几种?分别解释说明打线23. HTS测试:健合技术（WB）:将细金属线或金属按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上形成电路互联。

集成电路先进封装技术考核试卷

（）
6.系统级封装（SiP）的一个主要优点是__________，它可以提高电子产品的性能和功能。
（）
7.传统的__________封装技术因其较高的热阻和电感而逐渐被先进封装技术所取代。
（）
8.在倒装芯片封装（FC）中，芯片通常是__________朝下放置在基板上的。
（）
9.为了减小封装体积，提高集成度，__________封装技术被广泛应用于高性能电子产品中。
A.硅片级封装（SLP）
B.硅通孔技术（TSV）
C.系统级封装（SiP）
D.倒装芯片封装（FC）
14.关于球栅阵列封装（BGA），以下哪个描述是错误的？（）
A.提高了封装的电气性能
B.提高了封装的散热性能
C.适用于低频、低速电子产品
D.可以减小封装体积
15.下列哪种技术主要用于提高封装的集成度？（）
D.系统级封装（SiP）
20.以下哪些技术可用于集成电路封装中的互连？（）
A.金属线键合
B.硅通孔技术（TSV）
C.非导电胶粘接
D.引线键合
注意：请将答案填写在括号内，每题1.5分，共30分。
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.在集成电路封装技术中，__________是指将芯片直接连接到封装基板或互连结构的技术。
A.通常采用引线键合技术
B.适用于低频、低速电子产品
C.不能提高封装的集成度
D.可以有效降低封装成本
11.下列哪种材料主要用于制造TSV工艺中的通孔？（）
A.铜
B.铝
C.硅
D.硅氧化物
12.以下哪个因素不是影响集成电路可靠性的主要因素？（）
A.封装材料

集成电路芯片封装技术复习题

￥一、填空题1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置，粘贴固定以及连接，引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装 ;在次基础之上，将封装体与装配成完整的系统或者设备，这个过程称之为广义封装。

2、芯片封装所实现的功能有传递电能；传递电路信号；提供散热途径；结构保护与支持。

3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。

4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。

5、金属凸点制作工艺中，多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。

6、成型技术有多种，包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。

'7、在焊接材料中，形成焊点完成电路电气连接的物质叫做焊料；用于去除焊盘表面氧化物，提高可焊性的物质叫做助焊剂；在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡膏。

8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、陶瓷气密性封装、玻璃气密性封装。

9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、光刻工艺。

10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（Module）、电路卡工艺（Card）、主电路板（Board）、完整电子产品。

11、在芯片的减薄过程中，主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。

12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。

^13、DBG切割方法进行芯片处理时，首先进行在硅片正面切割一定深度切口再进行背面磨削。

14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术，制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。

15、芯片的表面组装过程中，焊料的涂覆方法有点涂、丝网印刷、钢模板印刷三种。

16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。

二、名词解释1、芯片的引线键合技术(3种)]是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连，包括超声波键合、热压键合、热超声波键合。

集成电路的封装热管理考核试卷

11. C
12. A
13. D
14. D
15. A
16. C
17. A
18. B
19. D
20. A
二、多选题
1. ABCD
2. AB
3. ABC
4. BD
5. ABCD
6. ABC
7. AB
8. ABC
9. ABCD
10. ABC
11. AB
12. ABCD
13. ABC
14. ABC
15. AB
1.集成电路封装的主要目的是保护芯片，提高电路的______和可靠性。
2.热阻（Rth）的单位是______，它表示单位时间内通过单位面积的热量与温差之比。
3.在集成电路封装中，BGA（Ball Grid Array）封装类型具有较好的______性能。
4.主动散热方式包括风冷、液冷和______等。
5.热导率（k）是衡量材料导热能力的物理量，单位是______。
6.为了提高集成电路封装的热管理效果，可以采用______材料来降低热阻。
7.封装过程中，若芯片与封装材料之间的热膨胀系数不匹配，可能会导致______问题。
8.在自然散热条件下，集成电路的散热主要依赖于______和封装表面积。
9.热设计的一个重要原则是保持芯片的工作温度在______以下，以确保电路的正常运行。
16. ABC
17. AD
18. ABC
19. ABC
20. BD
三、填空题
1.可靠性
2. K/W
3.热性能
4.热管
5. W/(m·K)
6.高热导率
7.热应力
8.对流
9.最高允许温度
10.硅脂

电子制造中的芯片级封装技术考核试卷

D. QFN
5.以下哪种芯片级封装技术主要用于提高散热性能？（）
A.低温共烧技术
B.热压接技术
C.焊球技术
D.倒装芯片技术
6.在芯片级封装中，下列哪种技术主要用于减小封装尺寸？（）
A.多芯片模块封装
B.系统级封装
C.基板级封装
D.三维封装
7.以下哪种材料在芯片级封装中常用作焊料？（）
A.铅
B.镍
C.铜
4.三维封装技术有助于进一步提高封装密度和集成度，但面临散热、信号完整性、工艺复杂度等挑战。其应用前景广阔，需要不断解决技术难题以实现商业化大规模应用。
5.以下哪些因素会影响芯片级封装的散热性能？（）
A.材料的热导率
B.封装设计
C.焊接质量
D.环境温度
6.以下哪些技术可以用于多芯片模块封装？（）
A.系统级封装
B.三维封装
C.基板级封装
D.单芯片封装
7.在芯片级封装中，哪些因素会影响焊球质量？（）
A.焊料成分
B.焊球直径
C.焊接温度
D.焊接时间
8.以下哪些封装类型适合高频率应用？（）
B.系统级封装
C.基板级封装
D.三维封装
15.芯片级封装中，哪些因素会影响封装的电性能？（}
A.材料的选择
B.封装设计
C.焊接质量
D.封装尺寸
16.以下哪些封装形式在空间受限的应用中具有优势？（}
A. CSP
B. BGA
C. QFP
D. SOP
17.在芯片级封装中，哪些技术有助于提高生产效率？（}
A.焊球技术
C.焊球技术
D.倒装芯片技术
11.以下哪种封装形式在芯片级封装中具有更好的热性能？（）

集成电路封装与测试复习题 - 问题详解

一、填空题1、将芯片及其他要素在框架或基板上布置，粘贴固定以及连接，引出接线端子并且通过可塑性绝缘介质灌封固定的过程为狭义封装;在次基础之上，将封装体与装配成完整的系统或者设备，这个过程称之为广义封装。

2、芯片封装所实现的功能有传递电能；传递电路信号；提供散热途径；结构保护与支持。

3、芯片封装工艺的流程为硅片减薄与切割、芯片贴装、芯片互连、成型技术、去飞边毛刺、切筋成形、上焊锡、打码。

4、芯片贴装的主要方法有共晶粘贴法、焊接粘贴法、导电胶粘贴发、玻璃胶粘贴法。

5、金属凸点制作工艺中，多金属分层为黏着层、扩散阻挡层、表层金保护层。

6、成型技术有多种，包括了转移成型技术、喷射成型技术、预成型技术、其中最主要的是转移成型技术。

7、在焊接材料中，形成焊点完成电路电气连接的物质叫做焊料；用于去除焊盘表面氧化物，提高可焊性的物质叫做助焊剂；在SMT中常用的可印刷焊接材料叫做锡膏。

8、气密性封装主要包括了金属气密性封装、瓷气密性封装、玻璃气密性封装。

9、薄膜工艺主要有溅射工艺、蒸发工艺、电镀工艺、光刻工艺。

10、集成电路封装的层次分为四级分别为模块元件（Module）、电路卡工艺（Card）、主电路板（Board）、完整电子产品。

11、在芯片的减薄过程中，主要方法有磨削、研磨、干式抛光、化学机械平坦工艺、电化学腐蚀、湿法腐蚀、等离子增强化学腐蚀等。

12、芯片的互连技术可以分为打线键合技术、载带自动键合技术、倒装芯片键合技术。

13、DBG切割方法进行芯片处理时，首先进行在硅片正面切割一定深度切口再进行背面磨削。

14、膜技术包括了薄膜技术和厚膜技术，制作较厚薄膜时常采用丝网印刷和浆料干燥烧结的方法。

15、芯片的表面组装过程中，焊料的涂覆方法有点涂、丝网印刷、钢模板印刷三种。

16、涂封技术一般包括了顺形涂封和封胶涂封。

二、名词解释1、芯片的引线键合技术(3种)是将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或封装基板的焊垫上而形成电路互连，包括超声波键合、热压键合、热超声波键合。

《集成电路封装技术》期末复习

p.1封装/组装定义Packaging PKG是指利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或者基板上布置，粘贴固定及连接，引出接线端子，并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺。

广义上的封装指的是：将封装体及基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程。

将基板技术，芯片封装体，分立器件等全部要素，按照电子设备整机要求进行连接和装配，实现电子的，物理的功能，使之转变为适用于整机或者系统的形式，称为整机装置或设备的工程称为电子封装工程。

2-3封装功能传递电能传递电路信号提供散热途径结构保护与支持4-5封装/组装分级第零层次：芯片级封装是指把芯片与封装基板或者引脚架之间的粘贴固定，电路连线与封装保护的工艺第一层次：器件级封装将多个芯片层次封装体组成基本器件第二层次：电路板级封装将多个器件层次封装体与其他电子元器件组成电路板第三层次：子系统级封装将多个电路板级封装体组成的电路卡组合在一个主电路板成为一个子系统第四层次：系统级封装将数个子系统组装成一个完整的电子产品的工艺过程。

11封装发展的几个阶段（按年代、接合方式和典型封装体分）20世纪50-60年代是TO的时代 70年代是DIP的时代80年代是QFP和SMT的时代 90年代是BGA和MCM的时代20世纪末是SIP的时代12-13集成电路发展的主要特征芯片尺寸越来越大工作频率越来越高发热量日趋增大引脚越来越多13-14对集成电路封装的要求小型化适应高发热集成度提高同时适应大芯片要求高密度化适应多引脚适应高温环境适应高可靠性考虑环保要求15-18我国封装业的发展和分类。

目前我国半导体封装测试主要集中在长三角珠三角京津环渤海湾地区第一类：国际大厂整合组件制造商第二类：国际大厂整合组件制造商与本土业者合资第三类：台资封装第四类：国内本土封装5-6封装分类：笔记-封装标准笔记-各种封装体EDEC 联合电子器件工程委员会美国 DIP双列直插式封装EIAJ日本电子工程委员会日本 PLCC塑封有引线芯片载体IEC国际电工委员会瑞士本部 QFP四边有引脚的扁平封装GB/T 中国国家技术标准研究所 PGA针栅阵列按封装外壳材料： BGA球栅阵列气密封装：金属壳封装陶瓷封装 CSP芯片尺寸封装非气密性封装：塑料封装 MCM多芯片组件86-93 印制电路板（PCB）硬式印制电路板：绝缘材料（高分子树脂和玻璃纤维强化材料）导体材料（铜）软式印制电路板：FR—4环氧树脂金属夹层电路板：射出成型电路板：聚亚硫胺，多元脂类，氩硫酸纤维，强化复合纤维，及氟碳树脂---聚乙烯对苯二甲酯101-108元器件与电路板的的接合引脚假材料：42%铁—58%镍的Alloy42（ASTMF30）最多常见方式：引脚插入式结合引脚与电路板导孔结合可区分为：弹簧固定与针脚焊接（波峰焊）p.39电磁兼容性设计任务抑制干扰的产生和传播，确保信号有效而不失真地传输，使电路能稳定可靠地工作40-42内部干扰源数字电路（内部干扰源）抗干扰能力优于模拟电路（外部干扰源）接地线噪声电源线噪声传输线反射线间串扰42-44减少干扰方法降低谐振电路Q值提供去耦电容解决匹配问题47-50减少（数字电路内部）噪声措施减小连接线电感用接地栅网减小地线电感减小环路面积来减小电感电源去耦51-59辐射形式和减少辐射措施差模辐射（电流流过电路中导线形成环路造成）减小电流I的幅度减小环路面积降低电源频率F及其谐波分量差模辐射（电路中存在不希望的电压降造成）减小共模电压屏蔽与去耦电缆中串入共模扼流圈p.60三级热阻器件级热阻(内热阻) 表示从发热芯片或其他电路元件的结至元器件外壳之间的热阻组装级热阻（外热阻）表示热流从元器件外壳流向某个参考点的热阻系统级热阻（最终的热阻）表示冷却剂至终端热沉的热阻61牛顿冷却方程对流的换热量可用牛顿冷却方程表示：Φ=h*A*Δt (W) A-----参与对流的换热面积m²h------对流换热系数W/(m²*k) 62传热形式、导热方程传热形式有：导热对流换热辐射换热导热方程：Φ=—λ* A* dT/dx (W)Φ垂直于换热面积的导热热量W λ是导热系数W/(m*k) dT/dx 是温度梯度C/m63-64热阻式导热热阻：R=l/(λ*A) λ材料导热系数对流热阻：R=1/(h*A) h对流换热系数（66导热分析法）：目的是在已知边界条件下，求的介质内部的温度分布及其热阻值：67-70对流的无量纲数Nu----努谢尔特数 Re—雷诺数 Pr---普朗特数 Gr—格拉晓夫数72热测试目的：检测组装内的温度或温度分布75-76热控制措施使热源至耗热空间的热阻降至最小措施：散热制冷恒温热管传热p.81腐蚀定义和腐蚀因素材料 + 环境介质（化学反应/电化学反应）变质性破坏腐蚀因素：潮湿空气污染物质温度太阳辐射生物因素82-83引起电化学腐蚀的条件金属材料 + 潮湿空气----------形成原电池83-84电极电位溶液 + 金属界面---------双电层--电位差—电池85-86腐蚀原电池及其基本工作过程；腐蚀原电池（异种金属接触电池和氧浓度差电池）阳极金属溶解阴极物质还原电流流动86-87吸氧腐蚀和析氢腐蚀吸氧腐蚀:----以氧还原反应作为阴极析氢腐蚀：-----以氢离子还原反应作为阴极87-92腐蚀类型均匀腐蚀电偶腐蚀应力腐蚀外加电压下腐蚀缝隙腐蚀94-95聚合物材料的劣化变质：化学腐蚀和自然腐蚀老化：高聚物变软变粘变脆变硬开裂影响因素：太阳辐射水汽大气中的化学物质96微生物侵蚀合适生长条件：水分合适的温度营养物质97-99微电子设备的防潮方法有机材料 + 无机材料—------器件表面钝化防潮三防：防潮防霉防雾p.101-104结构动应力主要由振动，冲击时结构的惯性电荷，基板弯曲或扭转变形，运载工具做曲线运动引起的惯性静荷产生的静应力组成108-110基板的动态特性基板的动态特性主要由固有频率fn和传递率η在工程中，基板和支承结构件的连接方式有螺旋连接，插座，带有波状弹簧板边导轨，槽形导轨连接，某一边的无支承等p.132互连与连接互连（2点或2点以上，具有一定距离之间的电器连同）---------厚膜互连与薄膜互连连接（紧邻2点之间具有接触内涵的电器连通）----钎焊（软/硬450）熔焊绕接压接键合倒装焊133印制板制造工艺的三种方法加成法减成法多线法167常用的线缆电力电话多芯屏蔽多芯同轴双绞线扁扁平挠性印制光学纤维 ------电缆144 #布线原则所有的走线尽可能短，敏感的信号线先走尽量近以减小回路电阻数字电路与模拟电路在布局布线上应尽量分隔开，以避免相互干扰设计开始时要估算功耗及温升，在性能允许的条件下尽量选用低功耗器件电路元器件接地，接电源应尽量短，尽量近以减小回路电阻敏感的高频的信号线采用共平面线结构或带状结构，以避免与其他电路耦合，产生干扰XY层走线应互相垂直以减少耦合，切忌上层走线与下层走线对齐或平行高速门电路的多根输入线的长度应相等，以避免产生不必要的延迟差分/平衡放大器,I/O通道的输入输出线的长度要求相等，以免产生不必要的延迟和相移为了生产，测试方便，设计上应设置必要的断点和测试点笔记/19 传统塑料封装工艺流程硅片减薄---硅片切割---芯片贴装---芯片互连---成型技术---去飞边毛刺—切筋成形---上焊锡---打码20晶圆切割对硅片进行背面减薄，然后对硅片进行划片加工20芯片贴装贴装的方式有:（共晶焊接导电胶玻璃胶）+ 粘贴法23芯片互连芯片互连常见方法：（打线载带自动倒装芯片）+ 键合24引线键合主要的打线键合技术：（超声波热超声波热压）+ 键合41~42成型技术塑料封装的成型技术：（转移喷射预）+ 成型技术, 主要的成型技术是转移成型技术42去飞边毛刺去飞边毛刺工序工艺有：（介质溶剂水） + 去飞边毛刺28上焊锡对封装后框架外引脚的后处理可以是电镀或是浸锡工艺焊锡的成分一般是63Sn/37Pb, 它是一种低共熔合金，共熔点在183-184 C之间，也有使用成分为85Sn/15Pb,90Sn/10Pb,95Sn/5Pb的焊锡，有的日本公司甚至用 98Sn/2Pb的焊料。

《集成电路芯片封装技术》考试题

得分评分人得分评分人得分评分人《集成电路封装与测试技术》考试试卷班级: 学号姓名一一、填空题（每空格1分共18分）1、封装工艺属于集成电路制造工艺的工序。

2、按照器件与电路板互连方式，封装可分为引脚插入型（PTH ）和两大类。

3、芯片封装所使用的材料有许多，其中金属主要为材料。

4、技术的出现解决了芯片小而封装大的矛盾。

5、在芯片贴装工艺中要求：己切割下来的芯片要贴装到引脚架的中间焊盘上，焊盘的尺寸要与芯片大小要。

6、在倒装焊接后的芯片下填充，由于毛细管虹吸作用，填料被吸入，并向芯片-基板的中心流动。

一个12,7mm 见方的芯片，分钟可完全充满缝隙，用料大约0,031mL 。

7、用溶剂来去飞边毛刺通常只适用于的毛刺。

8、如果厚膜浆料的有效物质是一种绝缘材料，则烧结后的膜是一种介电体，通常可用于制作。

9、能级之间电位差越大，噪声越。

10、薄膜电路的顶层材料一般是。

11、薄膜混合电路中优选作为导体材料。

12、薄膜工艺比厚膜工艺成本。

13、导电胶是与高分子聚合物（环氧树脂）的混合物。

14、绿色和平组织的使命是：。

15、当锡铅合金中铅含量达到某一值时，铅含量的增加或锡含量的增加均会使焊料合金熔点。

16、印制电路板为当今电子封装最普遍使用的组装基板，它通常被归类于层次的电子封装技术17、印制电路板通常以而制成。

18、IC 芯片完成与印制电路板的模块封装后，除了焊接点、指状结合点、开关等位置外，为了使成品表面不会受到外来环境因素，通常要在表面进行处理。

二、选择题（每题2分共22分）1、TAB 技术中使用（）线而不使用线，从而改善器件的热耗散性能。

A 、铝 B 、铜 C 、金 D 、银2、陶瓷封装基板的主要成分有（）A 、金属B 、陶瓷C 、玻璃D 、高分子塑料3、“塑料封装与陶瓷封装技术均可以制成双边排列（DIP ）封装，前者适合于高可靠性的元器件制作，后者适合于低成本元器件大量生产”，这句话说法是（）。

集成电路期末试题及答案

集成电路期末试题及答案Michael Chen2022年1月10日第一部分：选择题1. 集成电路是指（）A. 多个电路板连接在一起B. 多个电子元件连接在一起C. 多个电气设备连接在一起D. 多个电子器件集成在一起答案：D2. 集成电路的分类依据是（）A. 外部尺寸B. 工作原理C. 制造工艺D. 功耗大小答案：C3. 集成电路的封装形式包括（）A. DIPB. SIPC. QFPD. 以上都是E. 以上都不是答案：D4. CMOS是指（）A. 生物科学中的一种病毒B. 一种通信协议C. 一种数字电路设计技术D. 一种模拟电路设计技术答案：C5. 集成电路的发展趋势是（）A. 更小封装B. 更低功耗C. 更高速度D. 以上都是答案：D第二部分：填空题1. 集成电路的最早应用是在（电子计算机）中。

2. 集成电路制造工艺的重要步骤包括薄膜沉积、光刻和（蚀刻）。

3. 集成电路的数字功耗由（开关功耗）和（短路功耗）组成。

4. 集成电路的封装形式除了DIP、SIP、QFP外，还有（BGA）。

5. 集成电路的发展史上的一个重要里程碑是第一个微处理器（Intel 4004）的发布。

第三部分：简答题1. 请简要解释集成电路的概念，并举例说明。

答：集成电路是将多个电子器件（如晶体管、电容器等）集成在一个芯片上的电路。

通过微影工艺在芯片上形成电路连接，实现各种电路功能。

例如，常见的操作放大器、时钟芯片、存储器等都是利用集成电路技术制造的。

2. 请介绍集成电路制造工艺中的薄膜沉积步骤。

答：薄膜沉积是集成电路制造工艺中的重要步骤之一。

它通过在芯片表面上沉积一层薄膜，为后续工艺提供基础。

常用的薄膜沉积工艺包括物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。

PVD是通过物理方法将金属或其它物质蒸发或溅射到芯片表面形成薄膜；CVD则是通过化学反应使气相中的化合物在芯片表面沉积。

薄膜沉积可以实现金属导线、绝缘层等结构的形成，为后续的光刻、蚀刻工艺提供基础。

集成电路封装技术考核试卷

8. AB
9. ABCD
10. BD
11. AB
12. AB
13. ABCD
14. ABC
15. ABC
16. AC
17. ABCD
18. ABC
19. ABCD
20. AC
三、填空题
1.四侧引线扁平封装
2.陶瓷
3.信号传输
4.金线
5.热性能
6.湿热测试
7.助焊剂
8. QFN
9.材料选择
10.基板
四、判断题
D. TO-92
（）
三、填空题（本题共10小题，每小题2分，共20分，请将正确答案填到题目空白处）
1.集成电路的封装技术中，QFP是指_______。
（）
2.通常情况下，_______封装具有更好的热性能。
（）
3.集成电路封装的主要目的是保护芯片和_______。
（）
4.在引线键合工艺中，_______是常用的键合材料。
B.铜线键合
C.硅铝线键合
D.铁线键合
（）
15.以下哪些封装形式适用于微控制器？
A. QFN
B. QFP
C. PLCC
D. TO-92
（）
16.以下哪些封装材料在制造过程中具有较高的加工性？
A.塑料
B.陶瓷
C.金属
D.玻璃
（）
17.以下哪些是倒装芯片封装的优点？
A.提高电性能
B.提高热性能
C.降低封装成本
集成电路封装技术考核试卷
考生姓名：答题日期：得分：判卷人：
一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）
1.集成电路封装技术中，最常用的引线键合方式是以下哪一种？

半导体集成电路封装技术试题汇总(李可为版)

半导体集成电路封装技术试题汇总(李可为版)半导体集成电路封装技术试题汇总第一章集成电路芯片封装技术1. (P1)封装概念：狭义：集成电路芯片封装是利用（膜技术）及（微细加工技术），将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体结构的工艺。

广义：将封装体与基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确保整个系统综合性能的工程。

2.集成电路封装的目的：在于保护芯片不受或者少受外界环境的影响，并为之提供一个良好的工作条件，以使集成电路具有稳定、正常的功能。

3.芯片封装所实现的功能：①传递电能，②传递电路信号，③提供散热途径，④结构保护与支持。

4．在选择具体的封装形式时主要考虑四种主要设计参数：性能，尺寸，重量，可靠性和成本目标。

5.封装工程的技术的技术层次？第一层次，又称为芯片层次的封装，是指把集成电路芯片与封装基板或引脚架之间的粘贴固定电路连线与封装保护的工艺，使之成为易于取放发热量日趋增大4引脚越来越多对封装的要求：1小型化2适应高发热3集成度提高，同时适应大芯片要求4高密度化5适应多引脚6适应高温环境7适应高可靠性9.有关名词：SIP：单列式封装SQP：小型化封装MCP：金属鑵式封装DIP：双列式封装CSP：芯片尺寸封装QFP：四边扁平封装PGA：点阵式封装BGA：球栅阵列式封装LCCC：无引线陶瓷芯片载体第二章封装工艺流程1.封装工艺流程一般可以分为两个部分，用塑料封装之前的工艺步骤成为前段操作，在成型之后的工艺步骤成为后段操作2.芯片封装技术的基本工艺流程硅片减薄硅片切割芯片贴装，芯片互联成型技术去飞边毛刺切筋成型上焊锡打码等工序3.硅片的背面减薄技术主要有磨削，研磨，化学机械抛光，干式抛光，电化学腐蚀，湿法腐蚀，等离子增强化学腐蚀，常压等离子腐蚀等4.先划片后减薄：在背面磨削之前将硅片正面切割出一定深度的切口，然后再进行背面磨削。

5.减薄划片：在减薄之前，先用机械或化学的方式切割处切口，然后用磨削方法减薄到一定厚度之后采用ADPE腐蚀技术去除掉剩余加工量实现裸芯片的自动分离。

《集成电路先进封装与系统集成技术》结业测试试题

《集成电路先进封装与系统集成技术》结业测试试题一、单项选择题：1、下面哪项不是AiP天线技术出现的原因? （）A）随着应用频率的提高天线尺寸越来越小，可集成于封装体内B）AiP技术有利于降低射频芯片与天线互连距离，降低互连损耗C）AiP天线引入可以降低封装的成本(正确答案)2、从工艺流程分类，eWLB属于下面哪种类型的扇出型封装?（）A chip-first（face-down）(正确答案)B chip-first（face-up）C chip-last（RDL-first）3、下面哪种封装形式不能进行多芯片集成?（）A. chip-first Fanout（face-down）B. chip-first Fanout（face-up）C. chip-last Fanout（RDL-first）D. WL-CSP(正确答案)4、下面哪种扇出型封装形式更容易实现细线宽线距的RDL再布线?（）A chip-first（face-down）B chip-first（face-up）C chip-last（RDL-first）(正确答案)5、Desmear在处理基材时的顺序?（）A）蓬松-除胶-活化（B）清洁-除胶-中和C）蓬松-除胶-中和（(正确答案)D）清洁-蓬松-除胶6、以下哪个参数不属于信号完整性设计考虑的范畴?（）A）S参数;（B）特性阻抗;C）延时; （D）直流压降(正确答案)7、采用以下哪个手段可以明显降低电源/地平面的交流阻抗?（）A）并联电容;（(正确答案)B）串联电容;C）串联电感;（D）并联电阻8、下面哪些表述是正确的?（）A.材料表面越粗糙润湿性越好B.泊松比是纵向应变与横向应变之比C.弹性模量又称杨氏模量(正确答案)D.湿扩散系数与温度不相关二、多项选择题:1、毫米波通讯应用中采用什么方法增加基站传输距离?（）A）采用大规模相控阵列（(正确答案)B）采用波束赋形合成(正确答案)C）采用较大功率元器件（(正确答案)D）增加基站密度2、降低电容互连寄生的方法有什么?（）A）增加馈入点个数（(正确答案)B）采用介电常数较高的薄膜材料C）馈入电对称且保证与馈出口形成电流均匀（(正确答案) D）缩短互连线长度(正确答案)3、晶圆级封装的驱动力是什么?（）A.成本(正确答案)B.封装尺寸(正确答案)C.电/热学性能(正确答案)D.集成性能(正确答案)4、芯片尺寸封装中，UBM的作用是什么?（）A. 防止焊料扩散(正确答案)B .提高焊料的可焊性(正确答案)C. 保护RDL层D. 提高热力学性能5、热传递包含哪几种传热方式?（）A. 热传导(正确答案)B. 热对流(正确答案)C. 热辐射(正确答案)D. 热串扰6、物体的传导热阻与哪些因素有关?（）A. 热导率.(正确答案)B 物体长度.(正确答案)C 横截面积(正确答案)D. 温度7、对流热阻与哪些因素有关?（）A. 物体与流体之间的有效接触面积(正确答案)B. 对流系数(正确答案)C. 温度8、电镀时对于沉积光亮起作用的是哪些成份?（）A）硫酸（B）光亮剂（(正确答案)C）整平剂（D）载运剂（(正确答案)E）氯离子(正确答案)9、埋入技术的优点有哪些?（）A）减小封装尺寸（(正确答案)B）提高I/O密度（(正确答案)C）减少寄生参数(正确答案)D）散热性能优异（(正确答案)E）只适合有源埋入10、信号完整性设计时，从如下哪几个方面展开传输链路的阻抗匹配?（）A）调整传输线的线宽线距;(正确答案)B）过孔的焊盘和反焊盘大小设计;(正确答案)C）电源平面的分布和尺寸;D）接插件的匹配设计(正确答案)11、传输线的特性阻抗与如下哪几个参数有关?（）A）线宽线距; （(正确答案)B）介质的损耗角正切;C）与回流平面的距离; （(正确答案)D）介电常数(正确答案)12、以下哪些手段可以提升信号传输质量?（）A）绕线; （B）阻抗匹配;(正确答案)C）缩短传输路径; （(正确答案)D）采用低损耗角正切的介质(正确答案)13、可靠性设计流程中需要输入哪些参数?（）A.验证手段B.封装结构(正确答案)C. 封装材料性能(正确答案)D.施加载荷(正确答案)14、热应力仿真时需要提供材料哪些力学性能?（）A.模量(正确答案)B.热膨胀系数(正确答案)C.泊松比(正确答案)D.玻璃化温度15、减小电子封装热应力的方法有哪些?（）A.优化封装结构(正确答案)B.选择热膨胀系数匹配的封装材料(正确答案)C.在焊球或者微凸点间隙中填充底填胶(正确答案)D.降低最高工艺温度(正确答案)16、可靠性设计的指标包含哪几部分?（）A）可靠性指标(正确答案)B）性能参数的稳定性(正确答案)C）环境适应性(正确答案)D）必须消除或控制的过应力失效与磨损失效(正确答案)三、判断题:1、热辐射需要任何介质 [判断题]对错(正确答案)2、热辐射可以在真空中传播 [判断题]对(正确答案)错四、简答题:1、电尺寸的概念是什么?对于一个1cm的微带线在100GHz应用下属于电大尺寸还是电小尺寸情况?_________________________________2、对于电磁场屏蔽的有效方案是什么?_________________________________3、什么叫黑体?_________________________________4、SAP工艺增层的工艺流程顺序是什么?_________________________________5、FCBGA的芯板有哪些特点?_________________________________6、请描述TSV的定义;_________________________________7、TSV中哪个参数是衡量垂直互连的密度的?是如何定义的_________________________________8、请以无源硅转接板（silicon passive interposer）为例，描述TSV工艺流程;_________________________________9、基于TSV工艺模块在整个芯片制造流程的（）区分，可以分为如下三种：，和技术路线_________________________________10、基于TSV技术的CIS封装，通常选择哪种方式的TSV工艺？_________________________________。

集成电路封装考核试卷

B.影响芯片的功耗
C.对芯片性能没有影响
D.决定了芯片的安装方式
16.以下哪种封装形式适用于功率器件？（）
A. QFP
B. BGA
C. TO-220
D. SOIC
17.在集成电路封装中，以下哪个过程与焊接无关？（）
A.芯片粘接
B.引线键合
C.焊球形成
D.焊接炉温控制
18.以下哪个因素会影响集成电路封装的翘曲？（）
五、主观题（本题共4小题，每题5分，共20分）
1.请描述集成电路封装的主要功能及其在电子设备中的作用。
答题区：
2.阐述BGA（Ball Grid Array）封装与QFP（Quad Flat Package）封装的异同点，并说明它们各自适用于哪些类型的电路。
答题区：
3.请解释为什么在集成电路封装过程中要考虑热管理，并列举几种提高封装热性能的方法。
答题区：
4.讨论集成电路封装的可靠性测试的重要性，并简要介绍两种常用的可靠性测试方法。
答题区：
标准答案
一、单项选择题
1. B
2. C
3. A
4. D
5. B
6. B
7. D
8. D
9. A
10. D
11. A
12. B
13. D
14. A
15. C
16. C
17. D
18. D
19. A
20. D
二、多选题
B.引线阻抗
C.封装材料
D.焊接质量
16.以下哪些封装形式适用于光学器件？（）
A. COB
B. PGA
C. BGA
D. QFN
17.集成电路封装的后道工艺包括：（）

集成电路封装测试题期末2017

集成电路封装测试题期末20171、引线键合技术的分类及结构特点？答：1、热压焊：热压焊是利用加热和加压力，使焊区金属发生塑性形变，同时破坏压焊界面上的氧化层，使压焊的金属丝与焊区金属接触面的原子间达到原子的引力范围，从而使原子间产生吸引力，达到“键合”的目的。