multisim元件模型参数解释

Multisim元件介绍

机电类器件库（Elector-Mechanical Components）
2021/5/23
1
一、电源库
电源库中共有30个电源器件，分别是：
●Hale Waihona Puke 接地端● 数字接地端● VCC电压源
● VDD数字电压源
● 直流电压源
● 直流电流源
● 正弦交流电压源 ● 正弦交流电流源
● 时钟电压源
● 调幅信号源
● 调频电压源
● 虚拟电阻 ● 虚拟电容 ● 上拉电容 ● 虚拟电感 ● 虚拟电位器 ● 虚拟可变电容 ● 虚拟可变电感 ● 继电器 ● 非线性变压器 ● 无芯线圈 ● 插座 ● 半导体电容 ● SMT电阻 ● SMT电解电容
现实元件虚拟元件
2021/5/23
10
1、电阻
电阻浏览器
电阻模型分类栏
2021/5/23
7.2 Multisim 元件库
左图所示的14个元器件按钮从上到下分别是：
电源库（Sources）
基本元件库（Basic）
二极管库（Diodes Components）
晶体管库（Transistors Components）
模拟元件库（Analog Components）
TTL元件库（TTL）
CMOS元件库（CMOS）
11
“General”页：元件的一般性资料，包括元件的名称、制造商、创建时间、制作者。
“Symbol”页：元件的符号。
“Model”页：元件的模型，提供电路仿真时所需要的参数。
“Footprint”页：元件封装，提供给印制电路板设计的原件外形。
“Electronic Parameters”页：元件的电气参数，包括元件在实际使用中应该考虑的参数指标。

multisim的电阻

multisim的电阻
Multisim是一款功能强大的电子仿真软件，广泛应用于电子电路的设计、分析和优化。

无论是初学者还是专业人士都可以使用Multisim进行电子电路的建模和仿真。

Multisim中的电阻有四个主要参数：阻值、功率、精度和温度系数。

下面我们就来详细介绍一下这四个参数。

1. 阻值：
阻值是电阻的基本参数，通常以欧姆为单位，用R表示。

在Multisim中，用户可以通过选取不同的电阻值来匹配电路中不同的电压和电流值。

电阻的阻值是由元件材料和截面积、长度、温度等因素决定的。

Multisim中包含了各种类型和阻值的电阻，用户只需要选择合适的电阻即可。

2. 功率：
功率是电阻可以承受的最大能量，以瓦特（W）为单位，用P表示。

在Multisim中，
功率越大的电阻通常尺寸也越大。

如果电流或电压超过了电阻所能承受的最大功率，电阻
将被烧毁或损坏。

3. 精度：
精度是电阻阻值与标称值之间的偏差，通常以百分比表示。

在Multisim中，电阻的精度越高，则组成电路的误差也越小。

常见的电阻精度包括1%、5%、10%等。

4. 温度系数：
温度系数是指电阻阻值随温度变化的比例，通常以每摄氏度的变化量（ppm/°C）表示。

当电阻材料的温度变化时，其阻值也会发生相应变化。

在Multisim中，用户可以选择不同的电阻温度系数，以满足电路中对稳定性和温度敏感性的要求。

multisim元器件库参考资料

Multisim 2001的器件库Multisim 2001含有4个种类的器件库，执行View\Component Bars命令即可显示如图2-1所示的下拉菜单。

图2-1 View\Component Bars命令的下拉菜单图2-1中的Multisim Database也称为Multisim Master，用来存放软件自带的元件模型。

随着版本的不同，该数据库中包含的仿真元件的数量也不一样。

Corporate Database 仅专业版有效，为用于多人协同开发项目时建立的共用器件库。

User Database 用来存放用户使用Multisim编辑器自行创建的元器件模型。

EDAParts Bar 为用户提供通过因特网进入网站，下载有关元器件的信息和资料。

Multisim 2001的Multisim Database中含有14个器件库(即Component Toolbar)，每个器件库中又含有数量不等的元件箱(又称之为Farmily)，共有6000多个元器件，各种元器件分门别类地放在这些器件箱中供用户调用。

User Database在开始使用时是空的，只有在用户创建或修改了元件并存放于该库后才能有元件供调用。

本章将分别对Multisim Database中的14个器件库中的元器件加以介绍。

第一节电源库一、电源库组成电源库(Sources)如图2-2所示，其中共有30个电源器件，有为电路提供电能的电源，也有作为输入信号的信号源及产生电信号转变的控制电源，还有两个接地端。

电源库中的器件全部为虚拟器件。

图2-2 电源库二、电源库中的器件箱1.接地端（Ground）在电路中，“地”是一个公共参考点，电路中所有的电压都是相对于该点而言的电势差。

在Multisim电路图上可以同时调用多个接地端，它们的电位都是OV。

2．数字接地端(Digital Ground)在实际数字电路中，许多数字器件需要接上直流电源才能正常工作，而在原理图中并不直接表示出来。

multisim常见元件知识讲解

m u l t i s i m常见元件multisim元件库1.点击“放置信号源”按钮，弹出对话框中的“系列”栏如图2所示。

图2(1). 选中“电源(POWER_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图3所示：图3(2). 选中“信号电压源(SIGNAL_VOLTAGE_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图4所示：图4(3). 选中“信号电流源(SIGNAL_CURRENT_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图5所示：图5(4). 选中“控制函数块(CONTROL_FUNCTION_BLOCKS)”，其“元件”栏下内容如图6所示：图6(5). 选中“电压控源(CONTROLLED_VOLTAGE_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图7所示：图7(6). 选中“电流控源(CONTROLLED_CURRENT_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图8所示：图82. 点击“放置模拟元件”按钮，弹出对话框中“系列”栏如图9 所示。

图9(1). 选中“模拟虚拟元件(ANALOG_VIRTUA L)”，其“元件”栏中仅有虚拟比较器、三端虚拟运放和五端虚拟运放3个品种可供调用。

(2). 选中“运算放大器(OPAMP)”。

其“元件”栏中包括了国外许多公司提供的多达4243种各种规格运放可供调用。

(3). 选中“诺顿运算放大器(OPAMP_NORTON)”，其“元件”栏中有16种规格诺顿运放可供调用。

(4). 选中“比较器(COMPARATOR)”，其“元件”栏中有341种规格比较器可供调用。

(5). 选中“宽带运放(WIDEBAND_AMPS)”其“元件”栏中有144种规格宽带运放可供调用，宽带运放典型值达100MHz，主要用于视频放大电路。

(6). 选中“特殊功能运放(SPECIAL_FUNCTION)”，其“元件”栏中有165种规格特殊功能运放可供调用，主要包括测试运放、视频运放、乘法器/除法器、前置放大器和有源滤波器等。

晶闸管等效电路multisim-概述说明以及解释

晶闸管等效电路multisim-概述说明以及解释1.引言1.1 概述晶闸管是一种电子器件，具有开启和关闭电流的能力，被广泛应用于电力控制、电动机驱动和电子变换器等领域。

为了更好地理解和设计晶闸管电路，人们常常使用等效电路进行仿真分析。

Multisim是一款强大的电路仿真软件，具有直观的界面和丰富的模拟元件库，适用于各种电路设计和仿真需求。

在Multisim中，我们可以通过搭建晶闸管等效电路模型来进行仿真实验，验证电路设计的有效性和性能。

本文将介绍晶闸管等效电路的基本概念、Multisim软件的功能特点，以及如何在Multisim中进行晶闸管等效电路的仿真。

通过对晶闸管等效电路仿真的重要性进行总结，探讨Multisim软件在电路仿真中的应用前景，并展望晶闸管等效电路仿真在未来的发展方向。

愿本文能够为读者提供有益的参考和启发。

1.2 文章结构文章结构部分的内容应该包括整篇文章的框架和各个章节的内容概述。

以下是可能的内容，供参考：文章结构部分是整篇文章的框架，主要包括引言、正文和结论三个部分。

引言部分包括概述、文章结构和目的三个小节，用于介绍文章的主题和目的。

正文部分包括晶闸管等效电路的基本概念、Multisim软件介绍和晶闸管等效电路在Multisim中的仿真方法三个小节，用于详细阐述晶闸管等效电路的仿真原理和方法。

结论部分包括总结晶闸管等效电路仿真的重要性、讨论Multisim软件在电路仿真中的应用前景和展望晶闸管等效电路仿真在未来的发展方向三个小节，用于总结和展望文章的内容。

整个文章结构清晰，层次分明，有助于读者理解和阅读。

1.3 目的：本文的主要目的是介绍晶闸管等效电路在Multisim软件中的仿真方法，探讨晶闸管等效电路仿真在电路设计和教学中的重要性。

通过本文的阐述，读者可以了解晶闸管等效电路的基本概念，掌握Multisim软件的基本操作方法，并学习如何利用Multisim进行晶闸管等效电路的仿真设计。

multisim元件模型参数解释

m u l t i s i m元件模型参数解释Revised by Petrel at 2021电阻模型参数R 电阻倍率因子TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电容模型参数C 电容倍率因子VC1 线性电压系数VC2 二次电压系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电感模型参数L 电感倍率因子IL1 线性电流系数IL2 二次电流系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数二极管模型参数IS 饱和电流RS 寄生串联电阻N 发射系数TT 渡越时间CJO 零偏压PN结电容VJ PN结自建电势M PN结剃度因子EG 禁带宽度XT1 IS的温度指数FC 正偏耗尽层电容系数BV 反向击穿电压（漆点电压）IBV 反向击穿电流（漆点电流）KF 闪烁躁声系数AF 闪烁躁声指数双极晶体管（三极管）IS 反向饱和电流BF 正向电流放大系数NF 正向电流发射系数VAF（VA）正向欧拉电压IKF （IK）正向漆点电流ISE（C2） B-E漏饱和电流NE B-E漏饱和电流BR 反向电流放大系数NR 反向电流发射系数VAR（VB）正想欧拉电压IKR 反向漆点电流ISSNSISC C4 B-C 漏饱和电流NC B-C漏发射系数RB基极体电阻IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流RE 发射区串联电阻RC 集电极电阻CJE 零偏发射结PN结电容VJE发射结电压MJE ME 集电结剃度因子TF 正向渡越时间XTF TF随偏置变化的系数VTF TF随VBC变化的电压参数ITF 影响TF的大电流参数PTF 在 F=1/（2派TF）Hz时超前相移CJC 零偏衬底结PN结电容VJC PC 集电结内建电势MJC MC 集电结剃度因子XCJC Cbe 接至内部Rb的内部TR 反向渡越时间CJS CCS 零偏衬底结PN结电容VJS PS 衬底结构PN结电容MJS MS 衬底结剃度因子XCJSXTB BF和BR的温度系数EG 禁带宽度XTI（PT） IS的温度效应指数KF I/F躁声系数AF I/F躁声指数FC 正偏势垒电容系数RCOVOQCO由于参数太多，占时先编写到双极晶体管，改天在继续编写。

multisim三极管参数

multisim2001中双极型晶体管模型参数的含义,大家来看看对不对!
是从Pspice 的模型中抄过来的,好象对.大家发表些意见啊!multisim可以自己建模型库,可是大多数人都没有数据,比如9000系列....有没有人有这些晶体管的数据信息呢?我也好想要
Model data:
.MODEL2SC1815 NPN
+ 饱和电流IS=1.881e-011
正向电流发射系数NF=1.000e+000
基-射结泄漏饱和电流ISE=1.067e-013
+ 基-射结泄漏发射系数NE=1.008e+000
正向电流放大系数BF=2.384e+002
反向电流放大系数BR=1.000e+000
+ 正向B’
（贝塔）F大电流时下降点IKF=1.350e-001
正向厄尔利电压VAF=3.000e+001
反向厄尔利电压VAR=2.000e+001
+ ？EG=1.110e+000
饱和电流的温度指数XTI=3.000e+000
正向B’（贝塔）F的温度指数XTB=0.000e+000
+ 集电极体电阻RC=3.333e+000
基极体电阻RB=2.500e+001
发射极体电阻RE=4.991e-001
+ 基-射结零偏时耗尽电容CJE=1.021e-011,
基-射结指数因子MJE=5.926e-001
基-射结内建电势VJE=9.500e-001
+ 基-集结零偏时耗尽电容CJC=1.021e-011, 基-集结指数因子MJC=5.926e-001
基-集结内建电势VJC=9.500e-001。

multisim稳压二极管的参数

multisim稳压二极管的参数稳压二极管（也称为稳压二极管、三端稳压二极管或Zener二极管）是一种特殊的二极管，具有稳定和可控的反向击穿电压，可以将电压稳定在特定的值上。

一、稳压二极管的基本原理：稳压二极管利用反向击穿特性来达到稳定电压输出的目的。

当二极管的反向电压小于击穿电压时，稳压二极管的电流非常小，处于截止状态；当反向电压大于击穿电压时，稳压二极管会发生反向击穿，电流急剧增加。

由于稳压二极管反向击穿后的电压比较稳定，因此可以通过选择不同击穿电压的二极管来实现不同的稳压。

二、稳压二极管的参数：1. 反向击穿电压（Vz）：是稳压二极管工作的关键参数，可以根据需要选择不同的Vz值来实现不同的稳压效果。

2. 反向击穿电流（Izk）：是稳压二极管在反向击穿时所能承受的最大电流。

3. 稳压温度系数（TC）：稳压二极管的电压与温度的关系，通常以百分比/摄氏度（% / ℃）表示。

稳压二极管的电压会随着温度的变化而产生一定的漂移，稳压温度系数描述了这一变化的程度。

4. 功耗（Pd）：稳压二极管的功耗与通过它的电流有关，功耗过大可能会导致稳压二极管过热而损坏。

5. 电流调节系数（IZT）：在稳压二极管工作电流下的电压变化百分比，通常以毫伏/毫安（mV / mA）表示。

电流调节系数越小，表示稳压二极管在额定电流下的稳压性能越好。

6. 负载调节系数（ZT）：当稳压二极管的负载电流从无负载变化到额定值时输出电压的变化百分比，通常以毫伏/毫安（mV / mA）表示。

负载调节系数越小，表示稳压二极管的负载稳定性越好。

7. 动态电阻（rd）：稳压二极管在额定稳压电流下的正向电阻，通常以欧姆（Ω）表示。

动态电阻越小，表示稳压二极管的电流变化能力越强。

8. 封装形式：稳压二极管通常采用肖特基二极管、PN结技术制作，常见的封装形式有SOT-23、SOT-223、SOD-123等。

三、稳压二极管的应用范围：1. 电源稳压：稳压二极管可以用于电源的稳压电路中，通过稳定输出电压来保护电路中的元器件不受电压波动的影响。

multisim[方案]

multisim对于电阻、电容、电感等基本元器件在Multisim 2001里存在两种模型：现实元器件模型和虚拟元器件模型。

所谓Virtual Component(虚拟元件)是指元器件的大部分模型参数是该种类元器件的典型值，部分模型参数可由用户根据需要自行确定的元器件。

Multisim 2001中的现实元器件是根据实际存在的元器件参数设计的，与实际元器件相对应，且仿真结果准确可靠，大多数能在市场上购买到。

由于在大多数情况下选取虚拟元器件的速度要比现实元器件快得多，而且可以很方便地改变其参数，因此经常用到虚拟元器件。

这两种元器件的属性对话框仅在Value选项卡上有所区别，现实元器件Value 选项卡参数不可改变，如图8.20所示。

Multisim 2001的元器件存储在三种不同的数据库中，执行Tools|Database Management命令即可看到数据库管理信息。

它主要包括Multisim Master库、Corporate Library库(仅在专业版中存在)和User库，这三种数据库的功能分别说明如下。

Multisim Master库：存放Multisim 2001提供的所有元器件，不能修改和编辑。

Corporate Library库：存放企业或个人修改、创建和选择的元器件，主要是方便企业的设计团队共享经常使用的一些特定的元器件。

瓦特表(Wattmeter)用来测量电路的交(直)流功率和功率因数。

瓦特表图标和面板如图8.46和图8.47所示。

数字地和模拟地有时候一个电路中既有数字电路又有模拟电路，这个时候画PCB的时候要注意区分这两个地，必要的时候要分离开来画PCB地线，但最终需要用0欧姆电阻连接起来，主要原因是让电路避免不必要的信号干扰这是非常important可以这么说电路中的一切干扰均由于地线干扰。

听我一一道来：1：理论上我们一般认为只要是个地线电位就是0了，这是理论2：真实情况是什么样的呢：从电源地开始后面都是负载，可以说电源地才是真的地，我们经常将一处电路的地经过一个导线接到电源地上，但是不可否认中间是有一段铜线的，这段铜线我们一般认为电阻为0，其实不然，理论是铜线越细越长电阻越大，所以到你电路上的真实地有可能都是0.3V了（注意：这只是打比方），在模拟电路中有时候只是电压高低而已，如果这个电平继续扩大，在数字电路中就危险了，有可能进来的是低电平，经过这个提压已经变成了高电平，造成信号不能正确识别。

multisim元件模型参数解释

电阻模型参数R 电阻倍率因子TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电容模型参数C 电容倍率因子VC1 线性电压系数VC2 二次电压系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电感模型参数L 电感倍率因子IL1 线性电流系数IL2 二次电流系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数二极管模型参数IS 饱和电流RS 寄生串联电阻N 发射系数TT 渡越时间CJO 零偏压PN结电容VJ PN结自建电势M PN结剃度因子EG 禁带宽度XT1 IS的温度指数FC 正偏耗尽层电容系数BV 反向击穿电压（漆点电压）IBV 反向击穿电流（漆点电流）KF 闪烁躁声系数AF 闪烁躁声指数双极晶体管（三极管）IS 反向饱和电流BF 正向电流放大系数NF 正向电流发射系数VAF（VA）正向欧拉电压IKF （IK）正向漆点电流ISE（C2）B-E漏饱和电流NE B-E漏饱和电流BR 反向电流放大系数NR 反向电流发射系数VAR（VB）正想欧拉电压IKR 反向漆点电流ISSNSISC C4 B-C 漏饱和电流NC B-C漏发射系数RB基极体电阻IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流RE 发射区串联电阻RC 集电极电阻CJE 零偏发射结PN结电容VJE发射结电压MJE ME 集电结剃度因子TF 正向渡越时间XTF TF随偏置变化的系数VTF TF随VBC变化的电压参数ITF 影响TF的大电流参数PTF 在F=1/（2派TF）Hz时超前相移CJC 零偏衬底结PN结电容VJC PC 集电结内建电势MJC MC 集电结剃度因子XCJC Cbe 接至内部Rb的内部TR 反向渡越时间CJS CCS 零偏衬底结PN结电容VJS PS 衬底结构PN结电容MJS MS 衬底结剃度因子XCJSXTB BF和BR的温度系数EG 禁带宽度XTI（PT）IS的温度效应指数KF I/F躁声系数AF I/F躁声指数FC 正偏势垒电容系数RCOVOQCO由于参数太多，占时先编写到双极晶体管，改天在继续编写。

multisim元件模型参数解释

m u l t i s i m元件模型参数解释The latest revision on November 22, 2020电阻模型参数R 电阻倍率因子TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电容模型参数C 电容倍率因子VC1 线性电压系数VC2 二次电压系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电感模型参数L 电感倍率因子IL1 线性电流系数IL2 二次电流系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数二极管模型参数IS 饱和电流RS 寄生串联电阻N 发射系数TT 渡越时间CJO 零偏压PN结电容VJ PN结自建电势M PN结剃度因子EG 禁带宽度XT1 IS的温度指数FC 正偏耗尽层电容系数BV 反向击穿电压（漆点电压）IBV 反向击穿电流（漆点电流）KF 闪烁躁声系数AF 闪烁躁声指数双极晶体管（三极管）IS 反向饱和电流BF 正向电流放大系数NF 正向电流发射系数VAF（VA）正向欧拉电压IKF （IK）正向漆点电流ISE（C2） B-E漏饱和电流NE B-E漏饱和电流BR 反向电流放大系数NR 反向电流发射系数VAR（VB）正想欧拉电压IKR 反向漆点电流ISSNSISC C4 B-C 漏饱和电流NC B-C漏发射系数RB基极体电阻IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流RE 发射区串联电阻RC 集电极电阻CJE 零偏发射结PN结电容VJE发射结电压MJE ME 集电结剃度因子TF 正向渡越时间XTF TF随偏置变化的系数VTF TF随VBC变化的电压参数ITF 影响TF的大电流参数PTF 在 F=1/（2派TF）Hz时超前相移CJC 零偏衬底结PN结电容VJC PC 集电结内建电势MJC MC 集电结剃度因子XCJC Cbe 接至内部Rb的内部TR 反向渡越时间CJS CCS 零偏衬底结PN结电容VJS PS 衬底结构PN结电容MJS MS 衬底结剃度因子XCJSXTB BF和BR的温度系数EG 禁带宽度XTI（PT） IS的温度效应指数KF I/F躁声系数AF I/F躁声指数FC 正偏势垒电容系数RCOVOQCO由于参数太多，占时先编写到双极晶体管，改天在继续编写。

multisim中有关元器件参数的中英文对照

电阻模型参数R 电阻倍率因子TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电容模型参数C 电容倍率因子VC1 线性电压系数VC2 二次电压系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电感模型参数L 电感倍率因子IL1 线性电流系数IL2 二次电流系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数二极管模型参数IS 饱和电流RS 寄生串联电阻N 发射系数TT 渡越时间CJO 零偏压PN结电容VJ PN结自建电势M PN结剃度因子EG 禁带宽度XT1 IS的温度指数FC 正偏耗尽层电容系数BV 反向击穿电压（漆点电压）IBV 反向击穿电流（漆点电流）KF 闪烁躁声系数AF 闪烁躁声指数双极晶体管（三极管）IS 传输饱和电流EG 禁带宽度XTI（PT）IS的温度效应指数BF 正向电流放大系数NF 正向电流发射系数VAF（VA）正向欧拉电压IKF （IK）正向漆点电流ISE（C2）B-E漏饱和电流NE B-E漏饱和电流BR 反向电流放大系数NR 反向电流发射系数VAR（VB）正想欧拉电压IKR 反向漆点电流ISC C4 B-C 漏饱和电流NC B-C漏发射系数RB 零偏压基极电阻IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流RE 发射区串联电阻RC 集电极电阻CJE 零偏发射结PN结电容VJE PE 发射结内建电势MJE ME 集电结剃度因子CJC 零偏衬底结PN结电容VJC PC 集电结内建电势MJC MC 集电结剃度因子XCJC Cbe 接至内部Rb的内部CJS CCS 零偏衬底结PN结电容VJS PS 衬底结构PN结电容MJS MS 衬底结剃度因子FC 正偏势垒电容系数TF 正向渡越时间XTF TF随偏置变化的系数VTF TF随VBC变化的电压参数ITF 影响TF的大电流参数PTF 在F=1/（2派TF）Hz时超前相移TR 反向渡越时间XTB BF和BR的温度系数KF I/F躁声系数AF I/F躁声指数Is=14.34f 反向饱和电流。

Multisim元件库分类介绍

电子仿真软件“Mumsim8.3.30特殊版”的元件库中把元件分门别类地分成13个类别，每个类别中又有许多种具体的元器件，为便于读者在创建仿真电路时寻找元器件，现将电子仿真软件“Mumsim8.3.30特殊版”元件库和元器件的中文译意整理如下，供读者参考。

电子仿真软件Mumsim8.3.30特殊版的元件工具条如图1所示。

图11.点击“放置信号源”按钮，弹出对话框中的“系列”栏如图2所示。

图2(1). 选中“电源(POWER_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图3所示：图3(2). 选中“信号电压源(SIGNAL_VOLTAGE_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图4所示：图4(3). 选中“信号电流源(SIGNAL_CURRENT_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图5所示：图5(4). 选中“控制函数块(CONTROL_FUNCTION_BLOCKS)”，其“元件”栏下内容如图6所示：图6(5). 选中“电压控源(CONTROLLED_VOLTAGE_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图7所示：图7(6). 选中“电流控源(CONTROLLED_CURRENT_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图8所示：图82. 点击“放置模拟元件”按钮，弹出对话框中“系列”栏如图9 所示。

图9(1). 选中“模拟虚拟元件(ANALOG_VIRTUAL)”，其“元件”栏中仅有虚拟比较器、三端虚拟运放和五端虚拟运放3个品种可供调用。

(2). 选中“运算放大器(OPAMP)”。

其“元件”栏中包括了国外许多公司提供的多达4243种各种规格运放可供调用。

(3). 选中“诺顿运算放大器(OPAMP_NORTO N)”，其“元件”栏中有16种规格诺顿运放可供调用。

(4). 选中“比较器(COMPARATOR)”，其“元件”栏中有341种规格比较器可供调用。

(5). 选中“宽带运放(WIDEBAND_AMPS)”其“元件”栏中有144种规格宽带运放可供调用，宽带运放典型值达100MHz，主要用于视频放大电路。

multisim元件模型参数解释

m u l t i s i m元件模型参数解释Revised by Petrel at 2021电阻模型参数R 电阻倍率因子TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电容模型参数C 电容倍率因子VC1 线性电压系数VC2 二次电压系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数电感模型参数L 电感倍率因子IL1 线性电流系数IL2 二次电流系数TC1 线性温度系数TC2 二次温度系数二极管模型参数IS 饱和电流RS 寄生串联电阻N 发射系数TT 渡越时间CJO 零偏压PN结电容VJ PN结自建电势M PN结剃度因子EG 禁带宽度XT1 IS的温度指数FC 正偏耗尽层电容系数BV 反向击穿电压（漆点电压）IBV 反向击穿电流（漆点电流）KF 闪烁躁声系数AF 闪烁躁声指数双极晶体管（三极管）IS 反向饱和电流BF 正向电流放大系数NF 正向电流发射系数VAF（VA）正向欧拉电压IKF （IK）正向漆点电流ISE（C2） B-E漏饱和电流NE B-E漏饱和电流BR 反向电流放大系数NR 反向电流发射系数VAR（VB）正想欧拉电压IKR 反向漆点电流ISSNSISC C4 B-C 漏饱和电流NC B-C漏发射系数RB基极体电阻IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流RE 发射区串联电阻RC 集电极电阻CJE 零偏发射结PN结电容VJE发射结电压MJE ME 集电结剃度因子TF 正向渡越时间XTF TF随偏置变化的系数VTF TF随VBC变化的电压参数ITF 影响TF的大电流参数PTF 在 F=1/（2派TF）Hz时超前相移CJC 零偏衬底结PN结电容VJC PC 集电结内建电势MJC MC 集电结剃度因子XCJC Cbe 接至内部Rb的内部TR 反向渡越时间CJS CCS 零偏衬底结PN结电容VJS PS 衬底结构PN结电容MJS MS 衬底结剃度因子XCJSXTB BF和BR的温度系数EG 禁带宽度XTI（PT） IS的温度效应指数KF I/F躁声系数AF I/F躁声指数FC 正偏势垒电容系数RCOVOQCO由于参数太多，占时先编写到双极晶体管，改天在继续编写。

multisim元件模型参数解释

电阻模型参数R电阻倍率因子T C1线性温度系数T C2二次温度系数电容模型参数C电容倍率因子V C1线性电压系数V C2二次电压系数T C1线性温度系数T C2二次温度系数电感模型参数L电感倍率因子I L1线性电流系数I L2二次电流系数T C1线性温度系数T C2二次温度系数二极管模型参数I S饱和电流R S寄生串联电阻N发射系数T T渡越时间C J O零偏压P N结电容V J P N结自建电势M P N结剃度因子E G禁带宽度X T1I S的温度指数F C正偏耗尽层电容系数B V反向击穿电压（漆点电压）I B V反向击穿电流（漆点电流）K F闪烁躁声系数A F闪烁躁声指数双极晶体管（三极管）I S反向饱和电流B F正向电流放大系数NF 正向电流发射系数VAF（VA）正向欧拉电压IKF （IK）正向漆点电流ISE（C2） B-E漏饱和电流NE B-E漏饱和电流BR 反向电流放大系数NR 反向电流发射系数VAR（VB）正想欧拉电压IKR 反向漆点电流ISSNSISC C4 B-C 漏饱和电流NC B-C漏发射系数RB基极体电阻IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流RE 发射区串联电阻RC 集电极电阻CJE 零偏发射结PN结电容VJE发射结电压MJE ME 集电结剃度因子TF 正向渡越时间XTF TF随偏置变化的系数VTF TF随VBC变化的电压参数ITF 影响TF的大电流参数PTF 在 F=1/（2派TF）Hz时超前相移CJC 零偏衬底结PN结电容VJC PC 集电结内建电势MJC MC 集电结剃度因子XCJC Cbe 接至内部Rb的内部TR 反向渡越时间CJS CCS 零偏衬底结PN结电容VJS PS 衬底结构PN结电容MJS MS 衬底结剃度因子XCJSXTB BF和BR的温度系数EG 禁带宽度XTI（PT） IS的温度效应指数KF I/F躁声系数AF I/F躁声指数FC 正偏势垒电容系数RCOVOQCO由于参数太多，占时先编写到双极晶体管，改天在继续编写。

multisim元件库介绍

电子仿真软件“Mumsim8.3.30特殊版”的元件库中把元件分门别类地分成13个类别，每个类别中又有许多种具体的元器件，为便于读者在创建仿真电路时寻找元器件，现将电子仿真软件“Mumsim8.3.30特殊版”元件库和元器件的中文译意整理如下，供读者参考。

电子仿真软件Mumsim8.3.30特殊版的元件工具条如图1所示。

图11.点击“放置信号源”按钮，弹出对话框中的“系列”栏如图2所示。

(1). 选中“电源(POWER_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图3所示：图3(2). 选中“信号电压源(SIGNAL_VOLTAGE_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图4所示：图4(3). 选中“信号电流源(SIGNAL_CURRENT_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图5所示：图5(4). 选中“控制函数块(CONTROL_FUNCTION_BLOCKS)”，其“元件”栏下内容如图6所示：图6(5). 选中“电压控源(CONTROLLED_VOLTAGE_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图7所示：图7(6). 选中“电流控源(CONTROLLED_CURRENT_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图8所示：图82. 点击“放置模拟元件”按钮，弹出对话框中“系列”栏如图9 所示。

图9(1). 选中“模拟虚拟元件(ANALOG_VIRTUAL)”，其“元件”栏中仅有虚拟比较器、三端虚拟运放和五端虚拟运放3个品种可供调用。

(2). 选中“运算放大器(OPAMP)”。

其“元件”栏中包括了国外许多公司提供的多达4243种各种规格运放可供调用。

(3). 选中“诺顿运算放大器(OPAMP_NORTON)”，其“元件”栏中有16种规格诺顿运放可供调用。

(4). 选中“比较器(COMPARATOR)”，其“元件”栏中有341种规格比较器可供调用。

(5). 选中“宽带运放(WIDEBAND_AMPS)”其“元件”栏中有144种规格宽带运放可供调用，宽带运放典型值达100MHz，主要用于视频放大电路。

multisim常见元件简介

multisim元件库1.点击“放置信号源”按钮，弹出对话框中的“系列”栏如图2所示。

图2(1). 选中“电源(POWER_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图3所示：图3(2). 选中“信号电压源(SIGNAL_VOLTAGE_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图4所示：图4(3). 选中“信号电流源(SIGNAL_CURRENT_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图5所示：图5(4). 选中“控制函数块(CONTROL_FUNCTION_BLOCKS)”，其“元件”栏下内容如图6所示：图6(5). 选中“电压控源(CONTROLLED_VOLTAGE_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图7所示：图7(6). 选中“电流控源(CONTROLLED_CURRENT_SOURCES)”，其“元件”栏下内容如图8所示：图82. 点击“放置模拟元件”按钮，弹出对话框中“系列”栏如图9 所示。

图9(1). 选中“模拟虚拟元件(ANALOG_VIRTUAL)”，其“元件”栏中仅有虚拟比较器、三端虚拟运放和五端虚拟运放3个品种可供调用。

(2). 选中“运算放大器(OPAMP)”。

其“元件”栏中包括了国外许多公司提供的多达4243种各种规格运放可供调用。

(3). 选中“诺顿运算放大器(OPAMP_NORTON)”，其“元件”栏中有16种规格诺顿运放可供调用。

(4). 选中“比较器(COMPARATOR)”，其“元件”栏中有341种规格比较器可供调用。

(5). 选中“宽带运放(WIDEBAND_AMPS)”其“元件”栏中有144种规格宽带运放可供调用，宽带运放典型值达100MHz，主要用于视频放大电路。

(6). 选中“特殊功能运放(SPECIAL_FUNCTION)”，其“元件”栏中有165种规格特殊功能运放可供调用，主要包括测试运放、视频运放、乘法器/除法器、前置放大器和有源滤波器等。

multisim元件库介绍以及中英文全面解析

multisim元件库介绍以及中英文全面解析Multisim是电子电路仿真软件，提供了丰富的元件库以供用户使用。

下面是Multisim元件库的介绍和中英文解析：1.模拟元件库（Analog）该元件库包括了各种模拟器件，如放大器、滤波器、振荡器、信号发生器等。

其中常用的元件有：-电阻器（Resistor）-电容器（Capacitor）-电感器（Inductor）-变压器（Transformer）-运算放大器（Operational Amplifier）-差分放大器（Differential Amplifier）-低通滤波器（Low Pass Filter）-高通滤波器（High Pass Filter）-带通滤波器（Band Pass Filter）-窄带滤波器（Bandwidth Filter）-带阻滤波器（Band Stop Filter）-正弦波发生器（Sine Wave Generator）2.数字元件库（Digital）该元件库包括了各种数字器件，如逻辑门、计数器、触发器、移位寄存器等。

其中常用的元件有：-与门（AND Gate）-或门（OR Gate）-非门（NOT Gate）-与非门（NAND Gate）-或非门（NOR Gate）-异或门（XOR Gate）-手动开关（Switch）- 555定时器（555 Timer）- JK触发器（JK Flip Flop）- D触发器（D Flip Flop）-梯形计数器（Ripple Counter）-移位寄存器（Shift Register）3. RF经典元件库（RF Classic）该元件库包括了常用的射频（RF）组件，如双极性晶体管、场效应晶体管、射频变压器等。

其中常用的元件有：-双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor，BJT）-场效应晶体管（Field-Effect Transistor，FET）-射频变压器（RF Transformer）-射频电抗器（RF Inductor）-射频电容器（RF Capacitor）-高频滤波器（High Frequency Filter）4.传感器元件库（Sensors）该元件库包括了各种传感器，如温度传感器、光敏传感器、气体传感器、声音传感器等。

MULTISIM元件解析

信号源序号类型名分类名元件名称 1 交流电源 2 直流电源 3 数字地 4 地线 5 非理想电源 6 电源星形三相电源 7 三角形三相电源 8 TTL电源 9 COMOS电源 10 TTL地端 11 COMOS地端 12 交流信号电压源 13 调幅信号电压源 14 时钟信号电压源 15 指数信号电压源信号电压源 16 调频信号电压源 17 线性信号电压源 18 脉冲信号电压源 19 噪信号电压源 20 交流信号电流源 21 时钟信号电流源 22 直流信号电流源 23 指数信号电流源 24 信号电流源调频信号电流源 25 磁通量信号源 26 磁通量类型信号源信号源 27 线性信号电流源 28 脉冲信号电流源 29 限流器 30 除法器 31 乘法器 32 非线性函数控制器 33 多项电压控制器 34 转移函数控制器 35 限制电压函数控制器控制函数块 36 微分函数控制器 37 增压函数控制器 38 滞回电压控制器 39 积分函数控制器 40 限幅器 41 信号响应速率控制器 42 加法器 43 单脉控制器 44 电流控电压器 45 键控电压器 46 电压控线性源电压控源
47 48 49 50 51 52
电压控源
电流控源
Hale Waihona Puke 电压控正弦波电压控方波电夺控三角波电压控电压器电流控电流源电压控电流源

32768晶振multisim中的参数设置

32768晶振multisim中的参数设置
晶振位于Multisim 自带元件库中，目录路径为MasterDataBase ->Misc。

如果需要其他频率的晶振，需要自己创建元件，或者，修改已有的晶振。

修改之前，首先要了解晶振的电路模型。

晶体具有串联谐振的特性。

在完整等效电路中，电容Cq1、电感Lq1、电阻Rq1串联，表示其基音特性。

其他的为其各次谐波泛音。

C0 是晶振的静态电容，是以石英为介质，两个基板为电极构成的电容，其引脚、支架产生的电容也一并计入。

C0远大于Cqn。

晶体具有很大的Lq，约为几十毫亨；具有很小的Cq，小于0.01pF；以及很高的Q值，常大于10的五次方。

在Multisim中，采用基频等效电路来模拟晶振，LS，CS，RS和CO四个参数分别就是基频等效电路中的Lq，Cq、Rq和C0。

于是，您应该已经了解该如何修改了，根据串联谐振频率公式，修改LS和CS 两个参数，就可以改变其频率。