模电复习资料及答案(003)

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模拟电子技术考试复习题及答案(共6套)

《模拟电子技术》复习试题一一、填空（每空1分，共20分）1. 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正偏、集电结反偏。

2. 放大器级间耦合方式有三种：直接耦合；阻容耦合；变压器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。

3. 差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。

4. 乙类推挽放大器的主要失真是交越失真，要消除此失真，应改用甲乙类推挽放大器。

5. 图1所示两级放大电路，图中级间采用阻容耦合方式，T接成共基1组态，T接成共集组态，1R和2R的作用是为T1管提供基极偏2置。

6. 在阻容耦合放大器中，若要降低下限频率，应将耦合电容的值增大。

7. 共射－共基组合电路中，由于共射电路的上限频率小于共基电路的上限频率，故此组合电路的上限频率主要取决于共射电路。

8. 负反馈系统产生自激的条件是1)(-=ωj T ，相应的振幅条件是1)(=ωj T ，相位条件是()πωϕ±=T 。

二、简答（共3小题，每小题5分，共15分）1. 测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如图2所示（1）判断它们各是NPN 管还是PNP 管，在图中标出e ，b ，c 极；答：见图中标识（判断NPN 管还是PNP 管各1分，标出e ，b ，c 极1分，共3分）（2）估算(b)图晶体管的β和α值。

601.06===B C I I β， 985.01≈+=ββα （各1分，共2分）2.电路如图3所示，试回答下列问题（1）要使电路具有稳定的输出电压和高的输入电阻，应接入何种负反馈？R应如何接入？（在图中连接）f答：应接入电压串联负反馈（1分）R接法如图（1分）f（2）根据前一问的反馈组态确定运放输入端的极性（在图中“□”处标出），并根据已给定的电路输入端极性在图中各“○”处标注极性。

答：见图中标识（3分）（共6空，两个1分）3.简述直流电源的主要组成部分及各部分功能。

答：直流电源主要由整流电路、滤波滤波、稳压电路组成，其中整流电路的作用是将交流电压转换为直流电压，滤波电路的作用是减小电压的脉动，稳压电路的作用是使输出直流电压基本不受电网电压波动和负载电阻变化的影响，从而获得足够高的稳定性。

模电复习资料及答案

设计题一．设计一带通滤波电路要求：（1）信号通过频率范围f在100 Hz至10 kHz之间；（2）滤波电路在1 kHz的幅频响应必须在±1 dB范围内，而在100 Hz至10 kHz滤波电路的幅频衰减应当在1 kHz时值的±3 dB范围内；（3）在10 Hz时幅频衰减应为26 dB，而在100 kHz时幅频衰减应至少为16 dB。

（一）．电路方案选择这是一个通带频率范围为100HZ~10KHZ的带通滤波电路，在通带内我们设计为单位增益。

根据题意，在频率低端f=100HKZ时，幅频响应要求衰减不小于16dB。

因此可选择一个二阶低通滤波电路的截止频率FH=10khz，一个二阶高通滤波电路的截止频率FL=100hz，有源器件扔采用运放CF412(LF412),将这两个滤波电路串联如图所示，就构成了所要求的带通滤波器。

由巴特沃斯低通，高通电路阶数N与增益的关系可知：二阶巴特沃斯滤波器的Avf1=1.586，因此，由两级串联的带通滤波电路的通带电压增益（Avf1）*2=（1.586）*2=2.515，由于所需要的通带增益为0dB,因此在低通滤波器输入部分加了一个由电阻R1，R2组成的分压器。

（二）元件参数的选择和计算在选用元件时，应当考虑元件参数误差对传递函数带来的影响。

现规定选择电阻值的容差为1%，电容值的容差为5%。

由于每一电路包含若干电阻器和两个电容器，预计实际截止频率可能存在较大的误差（也许是+10%，-10%）。

为确保在100HZ和10KHZ处的衰减不大于3dB。

现以额定截止频率90HZ,和11KHZ 进行设计。

由于在运放电路中的电阻不宜选择过大或过小。

一般为几千欧至几十千欧较合适。

因此，选择低通极电路的电容值为1000pF，高通级电路的电容值为0.1uF。

然后由公式Wc=（1/RC)可计算出精确的电阻值。

对于低通级由于已知c=1000pF和FH=11kHZ,根据公式Wc=（1/RC)算得R3=14.47KΩ，现选择标准电阻值R3=14.0KΩ。

模拟电子技术复习题+参考答案

模拟电子技术复习题+参考答案一、单选题（共80题，每题1分，共80分）1、差分放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。

( )A、错误B、正确 ;正确答案：B2、射极输出器是典型的（）。

A、电压并联负反馈；B、电压串联负反馈。

C、电流串联负反馈；正确答案：B3、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、直接耦合B、阻容耦合C、变压器耦合D、光电耦合正确答案：A4、二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。

（）A、对 :B、错正确答案：B5、若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的N型半导体。

A、正确 ;B、错误正确答案：A6、双极三极管是一种（）A、电流控制的电压源B、电流控制的电流源C、电压控制的电流源D、电压控制的电压源正确答案：B7、理想集成运放的输入电阻为（）。

A、0；B、不定。

C、∞；正确答案：C8、集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）A、深度负反馈B、正反馈C、负反馈D、自激振荡正确答案：D9、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为（）失真。

A、截止B、频率C、饱和D、交越正确答案：C10、基本放大电路中的主要放大对象是( )。

A、直流信号;B、交流信号;C、交直流信号均有。

正确答案：B11、晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。

（）A、对 :B、错正确答案：B12、集成运放的非线性应用存在( )现象。

A、虚断;B、虚地;C、虚断和虚短。

正确答案：A13、若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）A、发射结反偏、集电结反偏；B、发射结正偏、集电结反偏；C、发射结反偏、集电结正偏。

D、发射结正偏、集电结正偏；正确答案：B14、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。

( )A、错误B、正确 ;正确答案：A15、若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。

(完整版)模拟电子基础的复习题及答案

模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是 ③ ，输入电阻最，频带最宽的电路是；只能放大电流，小的电路是②，输出电阻最小的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压的电路是 ①不能放大电压的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。

2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。

填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数的表达式为A u，输入电阻的表达式为r be，输出电阻的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。

oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。

A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路的输入电阻 R = 1 。

i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ，则放大电路的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。

增大或将截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。

《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电⼦技术》复习题10套及答案《模拟电⼦技术》复习题⼀⼀、填空题1、在N 型半导体中，多数载流⼦是；在P 型半导体中，多数载流⼦是。

2、场效应管从结构上分为结型和两⼤类，它属于控制性器件。

3、为了使⾼阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接⼊（共射、共集、共基）组态放⼤电路。

4、在多级放⼤器中，中间某⼀级的电阻是上⼀级的负载。

5、集成运放应⽤电路如果⼯作在线性放⼤状态，⼀般要引⼊____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

⼆、选择题1、利⽤⼆极管的（）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C 反向击穿特性 2、P 型半导体是在本征半导体中加⼊（）后形成的杂质半导体。

A 空⽳B 三价元素硼C 五价元素锑 3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所⽰，其类型为( )场效应管。

A P 沟道增强型MOS 型 B P 沟道耗尽型MOS 型 C N 沟道增强型MOS 型D N 沟道耗尽型MOS 型E N 沟道结型F P 沟道结型图2－104、有⼀晶体管接在放⼤电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管⼦的三个管脚分别是（）。

+++----D1RL C1CeC1C2L15V 8V 50K 2.5K B=50 Uo Ui +5V Rf Re1Re2Ucc UccUcc C2Ugs+10-1-2idUbsusRsRR R 2R Uo1Uo2Uo4++1A1A2A4图2-1图2-2图2-3图2-6图2-4图2-5+++++-----D1D2R Rb Rc Rb Rb1 Rb2Re1Re2Rc RL C1CeC1C215V 8V 50K 2.5K B=50UoUi+5V Rf Re1Re2UccUccUcc C2Ugs+10-1-2idUbsusRsRRR2RUo1Uo2Uo4++1A1A2A4图2-1图2-2图2-3图2-6图2-4图2-5A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作⽤是（）。

(完整word版)模电复习资料(判断和填空有答案)

判断题第一章半导体 1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。

(对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性.(对)2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。

(错)3、晶体二极管击穿后立即烧毁。

（错)三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。

（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区，放大区,截止区。

(错）3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。

（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。

（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。

（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化,温度升高，β减少。

(错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区.（错)第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对2、基本放大电路在基本放大电路中,若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。

（对）3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。

（错)三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。

(对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1，而接近于1。

（错）射极输出器不具有电压放大作用.（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。

（错）直流放大器只能放大直流信号。

（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000。

（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄.（错）。

多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和.（错）多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。

(错)第四章在三种功率放大电路中,效率最高是的甲类功放。

(对)第五章从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级,偏置电路这几个部分组成。

模电复习资料

总复习第1章直流电路一、电流、电压、电位参考方向与实际方向关系在电路分析中，我们常在电路中选择一个点作为参考点，电路中某一点到参考点的电压就称谓这个点的电位。

参考点又称零电位点。

电路中a 、b 点两点间的电压等于a 、b 两点的电位差。

b a ab u u u -= 二、电功率电场力在单位时间内所做的功称为电功率，简称功率。

dtdWp =关联方向时：p ＞0时吸收功率，p ＜0时放出功率。

三、电压源与电流源等效变换：为了便于分析电路，常常用等效变换的方法简化或变换电路结构，但变换后的电路与原电路伏安特性不变。

实际电源模型及其等效变换 o IR U U s -=oR U I I s -= 四、简单的电阻电路串联电阻具有分压作用并联电阻具有分流作用五、基尔霍夫定律1、基尔霍夫电流定律（KCL ）——基尔霍夫第一定律在任一瞬时，通过任一节点电流的代数和恒等于零。

0i =∑2、基尔霍夫电压定律（KVL ）——基尔霍夫第二定律在任一瞬时，沿任一回路电压的代数和恒等于零。

0u =∑任意设定回路绕行方向，电压参考方向与回路绕行方向一致时取正号，相反时取负号。

六、支路电流法支路电流法是以支路电流为未知量，直接应用KCL 和KVL ，分别对节点和回路列出所需的方程式，然后联立求解出各未知电流。

一个具有m 条支路、n 个节点的电路，根据KCL 可列出（n －1）个独立的节点电流方程式，根据KVL 可列出m －(n －1)个独立的回路电压方程式。

1、支路电流法2、节点电位分析法七、叠加定理：适用于线性电路八、戴维南定理、诺顿定理：适用于线性电路九、受控源分类及表示方法第3章交流电路一、正弦交流电：)sin(u m t U u θω+=，)sin(i m t I i θω+=振幅、角频率和初相称为正弦量的的三要素。

周期、频率、角频率：f 2T2ππω== 相位、初相和相位差交流电的有效值、振幅：2I I m =，2U U m =二、正弦量的相量表示法)sin(i m t I i θω+=，im j m m I e I I i θθ∠==&，I I m &&2=，U U m &&2=三、KCL 、KVL 的相量形式：KCL ：0=∑I&，KVL ：0=∑U & 四、单一元件参数电路在以下的推导过程中，设元件两端的电压和流过元件的电流均采用关联参考方向。

《模拟电子技术基础》复习资料及答案.doc

《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性；其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。

2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。

3.当外界温度、光照等变化时，半导体材料的导电能力会发生很大的变化。

4.纯净的、不含杂质的半导体，称为本征半导体。

5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1 ,得到P型半导体。

7.木征硅中若掺入五价元素的原了，则多数载流了应是一电子,掺杂越多，则其数量一定越一多，而少数载流子应是—空穴，掺杂越多，则其数量一定越一少。

8.半导体中存在着两种载流子：带正电的空穴和带负电的.电子。

9.N型半导体小的多数载流子是_电子，少数载流子是一空穴。

10.杂质半导体分N型（电子）和P型（空穴）两大类。

11.N型半导体多数载流了是一电了，少数载流了是_空穴。

P型半导体多数载流了是一空穴，少数载流子是_电子。

12.朵质半导体中，多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子则与温度有很大关系。

13.PN结的主要特性是一单向导电性。

14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区（势垒区）或耗尽区（阻挡层）。

15.PN结加正向电压时，空间电荷区变窄；PN结加反向电压时，空间电荷区变宽。

16.PN结在无光照、无外加电压吋，结电流为零°17.PN结两端电压变化时，会引起PN结内电荷的变化，这说明PN结存在电容效应。

18.二极管是由—个PN结构成，因而它同样具有PN结的单向导电特件。

19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述，其数学式是上去屋佟LL，其曲线又口J分三部分：1I-：向特性、反向特性、击穿特性。

20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止，击穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的［3二200, /CEO=200M A； B管的卩二50, /CEO=10M A,其他参数人致相同，相比之下旦管的性能较好。

模电第三章习题答案

模电第三章习题答案模电第三章习题答案模拟电子技术（模电）是电子工程中的重要学科，它研究的是模拟电路的设计与分析。

模电的第三章主要涉及放大器的基本概念和特性，包括放大器的分类、放大器的增益计算、放大器的频率响应等内容。

在学习模电的过程中，习题是巩固知识和提高解题能力的有效工具。

下面将给出模电第三章习题的详细解答。

1. 问题：计算电压放大倍数Av。

解答：电压放大倍数Av的计算公式为Av = Vout / Vin，其中Vout为输出电压，Vin为输入电压。

根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过欧姆定律和基尔霍夫定律来计算。

2. 问题：计算共模抑制比CMRR。

解答：共模抑制比CMRR的计算公式为CMRR = 20log10(Ad / Ac)，其中Ad为差模增益，Ac为共模增益。

根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过电路分析方法来计算。

3. 问题：计算输入阻抗Zin。

解答：输入阻抗Zin的计算公式为Zin = Vin / Iin，其中Vin为输入电压，Iin为输入电流。

根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过电路分析方法来计算。

4. 问题：计算输出阻抗Zout。

解答：输出阻抗Zout的计算公式为Zout = Vout / Iout，其中Vout为输出电压，Iout为输出电流。

根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过电路分析方法来计算。

5. 问题：计算最大输出功率Pmax。

解答：最大输出功率Pmax的计算公式为Pmax = Vout^2 / (4Rl)，其中Vout为输出电压，Rl为负载电阻。

根据题目中给出的电路图和元件参数，可以通过电路分析方法来计算。

通过以上习题的解答，我们可以加深对模电第三章内容的理解。

在实际应用中，我们需要熟练掌握放大器的基本概念和特性，以便能够正确设计和分析模拟电路。

同时，通过解题过程，我们也可以培养自己的逻辑思维和问题解决能力。

模电作为电子工程的重要学科，对于电子工程师的培养具有重要意义。

模拟电子技术基础课后答案（完整版）

第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。

二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（×）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。

（√）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

（×）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

（×）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（√　）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。

（×）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（×）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e(I I TV Vs D 表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压；V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K 2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦，则)V (2.11594TV T，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1e TVV，于是TV Vs eI I，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V ，于是s I I，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。

模拟电子技术复习题答案

模拟电子技术复习题答案一、单项选择题1. 在模拟电子技术中，放大器的增益通常用哪个参数来表示？A. 电压增益B. 电流增益C. 功率增益D. 阻抗增益答案：A2. 运算放大器的输入端通常具有什么特性？A. 高输入阻抗B. 低输入阻抗C. 高输出阻抗D. 低输出阻抗答案：A3. 负反馈在放大器中的作用是什么？A. 增加增益B. 降低增益C. 增加稳定性D. 降低稳定性答案：C4. 理想运算放大器的输入端电压差是多少？A. 0VB. 5VC. 10VD. 任意值答案：A5. 在共发射极放大电路中，输出信号的相位与输入信号的相位关系如何？A. 同相B. 反相C. 无关系D. 随机答案：B二、填空题1. 晶体三极管工作在放大区时，其基极与发射极之间的电压应大于_______。

答案：0.7V2. 为了实现放大器的稳定工作，通常需要在放大器的输出端引入_______。

答案：负反馈3. 运算放大器的差分输入端电压差接近于_______时，可以认为运算放大器工作在理想状态。

答案：0V4. 共集电极放大电路的输出阻抗_______共发射极放大电路的输出阻抗。

答案：高于5. 为了提高放大器的输入阻抗，可以在晶体三极管的基极与电源之间串联一个_______。

答案：电阻三、简答题1. 简述共发射极放大电路的工作原理。

答案：在共发射极放大电路中，输入信号通过基极电阻加到晶体三极管的基极，使基极电流发生变化，进而控制集电极电流的变化，实现信号的放大。

输出信号从集电极取出，与输入信号反相。

2. 为什么在设计放大器时需要考虑频率响应？答案：放大器的频率响应决定了放大器能够放大信号的频率范围。

如果放大器的频率响应不匹配信号的频率范围，可能会导致信号失真或无法放大，因此设计放大器时需要考虑频率响应以确保信号的有效放大。

四、计算题1. 给定一个共发射极放大电路，其晶体三极管的β值为100，基极电流为10μA，求集电极电流。

答案：集电极电流Ic = β * Ib = 100 * 10μA = 1mA2. 在一个带有负反馈的放大器中，若反馈系数为0.1，原增益为100，求加入负反馈后的增益。

模电参考答案(全4套)

参考答案（第1套）一、1．电流、正向、反向；电压。

2．线性、非线性。

3．共基、共射、共集。

4．差模、共模、ocodA A 。

5．低通、200、200。

6．乙类、0、LCC R V22、0.2。

二、2．放大状态。

4．电压－串联、增大、宽。

三、1．V U mA I AI CEQ CQ BQ 2.32.222==≈μ2．115//-=-=beLC ur R R A βΩ==Ω=≈=K R R k r r R R R C o be be b b i 33.1////21四、反馈组态为：电压－串联负反馈1211R R FA uf +== 五、该放大电路为共基接法，根据瞬时极性法可知引入了负反馈，不能振荡。

更正：将变压器副边的同名端标在“地”的位置即可。

六、 1．R R TH U U R R U 3221-=-=；＝，＝时，当；＝，＝－时，当V 4U V 6U 0V 4U V 6U 0TH R TH R -<>i i u u七、运放构成差动输入形式，反相端输入为U I ，同相端输入I IU U ~0='。

I I f I f I f o U U R R U R R U R R U ~)1(111-='++-=八、1．误差放大器的同相在下方、反相端在上方。

2．电路由四个部分构成：（1）由R 1、R 2和R W 构成的取样电路；（2）由运放构成负反馈误差放大器；（3）由R 和D W 构成基准电压电路；（4）由T1和T2复合管构成调整管。

3．V U R R R R R U R R R R U R R R R R U Z w wZ w Z w w o 10~15~221221221=+++++=+"++=参考答案（第2套）一、1．反向击穿；2．甲类、甲乙类、乙类、甲乙类； 3．零点漂移；4．（串联负反馈）从C 到F ；（电压负反馈）从A 到E ； 5．差放输入级、压放中间级、互补输出级、偏置电路； 6．（1）0.5；（2）5；（3）20；二、1．W R VP L CC o 922max== LoMoM AV C R U I I πππ==⎰)(Sin ωinωt 21 W R VI V P LCC AV C CC V 46.11222)(===π %5.78max==Vo P P η W P P P P o V T T 23.1)(21max 21=-== 2．W P P o T 8.12.0max max == 三、1．10=umA 2．)101)(101(1010)1)(1()(5fj f j f jf f j f f j f fjA j A HL Lumu ++⋅=++= ω3．输出电压会失真。

《模电》复习(有答案)

模拟电路广泛应用于通信、音频、视频、控制系统等领域。
03
02
01
模拟电路的基本概念
模拟电路的基本元件
电阻是模拟电路中最基本的元件之一，用于限制电流和电压。
电容是能够存储电荷的元件，具有隔直流通交流的特性。
电感是能够存储磁能的元件，具有阻抗交流的作用。
二极管是单向导电的元件，常用于整流、开关等电路中。
04
电源：为电路提供稳定的直流或交流电源。
实验设备与仪器
实验准备
熟悉实验原理、目的、步骤和注意事项，准备好所需的仪器和元件。
电路搭建
根据实验要求，使用适当的电子元件搭建模拟电路。
参数测量
使用示波器等测量仪器，记录实验数据，观察信号波形。
结果分析
对实验数据进行分析，得出结论，并与理论值进行比较。
实验方法与步骤
发射机与接收机
通过模拟电路实现信号的调制和解调，如调频、调相和调幅等，以适应不同的通信信道。
调制解调技术
模拟电路用于信号处理和控制，如音频、视频信号的处理和通信系统的控制。
信号处理与控制
通信系统
模拟电路用于构建模拟控制器，实现对系统的连续控制和调节。
模拟控制器
模拟电路用于连接传感器和执行器，实现系统输入与输出的转换和控制。
详细描述
反馈放大电路的性能指标主要包括增益、带宽和稳定性等。
总结词
增益表示反馈放大电路的放大能力，与开环增益和反馈系数有关；带宽表示反馈放大电路能够正常工作的频率范围；稳定性则表示反馈放大电路对外部干扰和内部参数变化的敏感程度。
详细描述
反馈放大电路
总结词
集成运算放大器是一种高性能的模拟集成电路，具有高带宽、低噪声、低失真等特点。

模拟电子技术教程第3章习题答案

模拟电子技术教程第3章习题答案(总17页)--本页仅作为文档封面，使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第3章习题1. 概念题：（1）在放大电路中，三极管或场效应管起的作用就是将一种形式的电量转换为另一种形式的电量。

（2）电源的作用是为能量转换提供能源，如果离开电源，放大器可以工作吗（不能）（3）单管放大器的讲解从电容耦合形式开始，这是因为阻容耦合放大器设计和计算相对来说要简单点，如果信号和负载直接接入，其工作点的计算将要复杂的多。

（4）在共射放大器的发射极串接一个小电阻，还能认为是共射放大器吗（能）在共集放大器的集电极串接一个小电阻，还能认为是共集放大器吗（能）（5）在模电中下列一些说法是等同的，（A 、C 、F ）另一些说法也是等同的。

（B 、D 、E ）A. 直流分析B. 交流分析C. 静态分析D. 动态分析E. 小信号分析F. 工作点分析（6）PN 结具有单向导电性，信号电压和电流的方向是随时间变化的，而交流信号却能在放大电路中通过并获得放大，这是因为放大器输出端获取的交流信号其实就是电流或电压的相对变化量。

（7） β大的三极管输入阻抗也大，小功率三极管的基本输入阻抗可表示为EQTbb'be I U )1(r r β++≈。

（8）画直流通路比画交流通路复杂吗（不）在画交流通路时直流电压源可认为短路，直流电流源可认为开路，二极管和稳压管只考虑其动态内阻即可。

（9）求输出阻抗时负载R L必须断开，单管放大器输出阻抗最难求的是共集电极放大器，其次是共源放大器。

（10）对晶体管来说，直流电阻指晶体管对所加电源呈现的等效电阻，交流电阻指在一定偏置下晶体管对所通过的信号呈现的等效电阻，对纯电阻元件有这两种电阻之区分吗（无）（11）在共射级放大器或共源放大器中，电阻R C或R D的作用是把电流I C 或I D的变化转换为电压的变化。

模电复习资料（全答案）

模电复习资料（全答案）一、填空题1、要使三极管正常放大信号，要求三极管发射极重掺杂、基区很薄、集电极面积大于发射极面积、发射结和集电结均正向运用。

2、N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素，其多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。

3、P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

4、PN结未加外部电压时，扩散电流等于漂移电流；加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，其耗尽层变薄；加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，其耗尽层变厚。

5、三极管工作在放大区时，发射结为正向运用，集电结为反向运用；工作在饱和区时，发射结正向运用，集电结正向运用；工作在截止区时，发射结反向运用，集电结反向运用。

6、工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。

7、三种基本放大电路中，输入电阻最大的是共c极放大电路；输入电阻最小的是共b极放大电路；输入电压与输出电压相位相反的是共e极放大电路；电压放大倍数最大的是共e极放大电路；；电压放大倍数最小的是共b极放大电路；输出电阻最小的是共c极放大电路。

8、半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以属于电流控制器件，其输入电阻小；场效应管通过控制栅极电压来控制输出电流，所以属于电压控制器件，其输入电阻大。

9、为提高放大器的输入电阻应引入交流串联负反馈，为降低放大电路输出电阻，应引入交流电压负反馈。

10、能提高放大倍数的是正反馈，能稳定放大倍数的是负反馈。

11、为稳定输出电流，应引入交流电流负反馈；为稳定输出电压，应引入交流电压负反馈；为稳定静态工作点，应引入直流负反馈；为了展宽放大电路频带，应引入交流负反馈。

12、差动放大器主要利用对称特性来抑制零漂。

13、完全对称的长尾差动放大器中的e R 对共模信号产生串联电流负反馈，对差模信号不产生反馈。

14、为使运放线性工作，应当在其外部引入深度负反馈、无穷、无穷、零、零、无穷、.15、理想集成运放的=ud A ，=id r ，=o r ，=B I ，=CMR K 。