半桥逆变snubbber电路
半桥逆变电路工作原理
半桥逆变电路工作原理
半桥逆变电路是一种常用的电子电路，常用于直流电源向交流电源的转换。
它由两个逆变器组成，每个逆变器分别由两个开关管、两个电容和一个负载组成。
在半桥逆变电路中，两个开关管交替开关。
当第一个开关管打开时，电源电压施加在负载上，并且电容开始充电。
同时，第二个开关管关闭，阻止负载电流流过它。
当第一个开关管关闭时，电容会开始放电，将负载电流继续供应。
接着，第二个开关管打开，将电源电压施加在负载上。
逆变电路中的开关管不断地进行开关操作，使得电源电压以交替的方式施加在负载上，从而实现直流到交流的转换。
通过控制开关管的开关时间，可以调整输出交流电压的频率和形态。
此外，半桥逆变电路还可以实现输出电压的调节，通过改变开关管的开关周期和占空比来控制输出电压的大小。
在实际应用中，半桥逆变电路通常用于电力电子设备和交流驱动器中。
它具有结构简单、效率高、可靠性好等优点，广泛应用于工业生产和家庭用电领域。
同时，半桥逆变电路的工作原理也为其他类型的逆变电路提供了基础和参考。
小只推荐：详解半桥软开关逆变式焊机的电路原理
小只推荐：详解半桥软开关逆变式焊机的电路原理宝剑锋从磨砺出，梅花香自苦寒来；此句是中国流传下来的一句古训，喻为如果想要取得成绩，获取成就，就要能吃苦，勤于锻炼，这样才能靠自己的努力赢得胜利。
各个行业皆是如此。
在电源网论坛里，就存在这样一些人，他们时常能DIY出被网友们称之为的经典设计，出于大家能够共同学习的目的，小编抓住了难得的机会，整理了这些经典帖，供分享学习。
本文来自专业逆变电源的精华帖。
--------小编语。
这是一种新型的半桥软开关逆变技术，可使逆变开关器件在软开通软关断的条件下工作，其开关电压应力和电流应力都大为减小，开关损耗也大为减小，器件发热大为减小，同时电磁干扰幅度也大为减小，由于采用半桥，器件成本也相应降低了。
为达到以上目的，“半桥软开关逆变式焊机”包括按设备的电功率流向而顺序连接的：输入滤波电路、一次侧整流滤波电路、半桥软开关逆变电路、隔离变压器和二次侧整流滤波电路以及主控制板电路，主控制板电路既和二次整流滤波电路联通又和半桥软开关逆变电路联通。
如图一所示：“半桥软开关逆变式焊机”包括按设备的电功率流向而顺序连接的：输入滤波电路1、一次侧整流滤波电路2、半桥软开关逆变电路3、隔离变压器4和二次侧整流滤波电路5以及主控制板电路6。
主控制板电路6既和二次整流滤波电路5联通又和半桥软开关逆变电路3联通。
图一中各电路的构成和相互连接关系见图二。
如图二所示： 输入滤波电路1由电源开关S1，差模滤波电容C27和C28，共模滤波电容C29、C30、C31、C32以及共模滤波电感L1组成。
电网干扰信号通过上述滤波器的滤除，使得本焊机免受外界电磁干扰，提高稳定性；同样，本焊机产生的干扰信号会也会被上述滤波器滤除，使得本焊接不会对外界产生电磁干扰，提高其他设备的稳定性。
一次侧整流滤波电路2由整流桥BR1和电容C34、C35组成。
送入机内的交流电压、电流通过整流桥BR1整流成直流电压、电流，经过电容C34、C35滤波后送半桥软开关逆变电路3。
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宝剑锋从磨砺出，梅花香自苦寒来；此句是中国流传下来的一句古训，喻为如果想要取得成绩，获取成就，就要能吃苦，勤于锻炼，这样才能靠自己的努力赢得胜利。
各个行业皆是如此。
在电源网论坛里，就存在这样一些人，他们时常能DIY出被网友们称之为的经典设计，出于大家能够共同学习的目的，小编抓住了难得的机会，整理了这些经典帖，供分享学习。
本文来自专业逆变电源的精华帖。
--------小编语。
这是一种新型的半桥软开关逆变技术，可使逆变开关器件在软开通软关断的条件下工作，其开关电压应力和电流应力都大为减小，开关损耗也大为减小，器件发热大为减小，同时电磁干扰幅度也大为减小，由于采用半桥，器件成本也相应降低了。
为达到以上目的，“半桥软开关逆变式焊机”包括按设备的电功率流向而顺序连接的：输入滤波电路、一次侧整流滤波电路、半桥软开关逆变电路、隔离变压器和二次侧整流滤波电路以及主控制板电路，主控制板电路既和二次整流滤波电路联通又和半桥软开关逆变电路联通。
如图一所示：“半桥软开关逆变式焊机”包括按设备的电功率流向而顺序连接的：输入滤波电路1、一次侧整流滤波电路2、半桥软开关逆变电路3、隔离变压器4和二次侧整流滤波电路5以及主控制板电路6。
主控制板电路6既和二次整流滤波电路5联通又和半桥软开关逆变电路3联通。
图一中各电路的构成和相互连接关系见图二。
半桥逆变电路原理
半桥逆变电路原理
半桥逆变电路原理是一种常见的逆变电路，其基本原理是利用MOSFET管的导通和截止来实现直流电压到交流电压的转换。
半桥逆变电路主要由两个MOSFET管、两个二极管和一个中
间电路组成。
其中一个MOSFET管和一个二极管组成一个半桥，两个半桥并联连接在一个中间电路上。
输入端连接直流电源，而输出端则可以得到需要的交流电压。
当输入端有电压时，两个MOSFET管的门极被驱动，使其分
别导通和截止，从而实现交替的导通和截止，使得输出端得到一个交流电压。
当一个MOSFET管导通时，输出电压为正，
而另一个MOSFET管截止时，输出电压为零。
然后，当两个MOSFET管的状态互换时，输出电压变为负，从而实现完整
的交流电压。
半桥逆变电路的工作原理可以通过PWM（脉宽调制）来实现。
通过控制两个MOSFET管的导通时间比例，可以调节输出电
压的幅值。
脉宽调制技术可以通过改变PWM信号的占空比来
调整输出电压的幅值。
通过合理地控制PWM信号的占空比，
可以得到所需的输出电压。
需要注意的是，半桥逆变电路在工作时需要注意MOSFET管
的开关时间，以避免短路和过电流等问题的发生。
另外，在设计和搭建半桥逆变电路时，还需要考虑电路的损耗和效率等因素，以达到最优的工作效果。
总的来说，半桥逆变电路通过两个MOSFET管的导通和截止来实现直流电压到交流电压的转换。
控制PWM信号的占空比可以实现对输出电压幅值的调节。
在设计中需要注意电路的工作时间和效率等因素，以确保电路的正常运行。
半桥逆变电路的工作原理
半桥逆变电路的工作原理老铎半桥逆变电路技术应用于电子节能灯、电子变压器、高压低压逆变技术。
电容C7、C8组成无源半桥支路，半桥的中点电压为直流电压的一半，即为E/2，灯管作为负载与电感L2相串联，跨接在两个半桥中点之间。
VT1、VT2是半桥逆变电路中的重要组件，起着功率开关的作用，选择时，应优先考虑其开关参数。
其工作原理是：加上电源后，由直流电压VDC(E)提供的电流经R1对积分电容C5充电，一旦此电压达到并超过触发二极管VDB3的转折电压(约30～40V)后，该二极管击穿导通，并有电流流入VT2的基极，使VT2导通，此时，电流流经的路径为电源VC3→C7→灯丝→C6→灯丝→电感L 2→磁环变压器Tr的初级绕组N3→VT2的集电极→地。
VT2集电极电流的增长趋势在磁环变压器的初级绕组N3上产生感应电动势，同时在其次级(N1、N2)也产生感应电动势，其极性是使各绕组上用•表示的同名端为正，从而使VT2的基极电位升高，基极电流、集电极电流进一步加大，即在电路中产生如下的连锁反应.连锁式的正反馈作用使VT2导通并饱和。
顺便指出，在VT2导通后，电容Cs的电荷通过二极管VD。
和晶体管VT2放电，其电压下降，不再使触发管导通，该支路也不再对VT2基极产生影响。
所以，由R1、C5及VDB3提供的触发信号只在电源接通后对VT2起触发作用。
在VT1、VT2轮流工作后，其工作频率较高，VT2截止时间很短，在这样短的时间内C5来不及得到充分的充电。
而VT2导通后，C5又放电。
这样，它上面的电压是一些幅度很小的锯齿波，达不到足以使VDB3导通的电压。
因此，一旦电路转换，VT1、VT2轮流导通与截止后，VDB3将不再能导通，对VT2也不起任何作用。
当VT2电流增加使磁环趋向饱和，各绕组感应电动势急剧下降，VT2基极电位也下降，ic2减小，在磁环变压器中将产生与ic2以增加时相反极性的电动势，即各绕组中用•表示的同名端电压为负，这样一来，VT1的基极电位上升，集电极电流ic1增加，电流的流通路径为Vc3→VT1集电极→电感L2→灯丝→C6→灯丝→C8→地。
半桥逆变snubbber电路
半桥逆变SNUBBER电路描述：半桥逆变正负桥臂开关管关断时是硬关断，当负载电流很大时，开关管关断时di/dt很大，由于线路存在分布电感，所以会引起很大的电压尖峰，如果不加缓冲电路抑制电压尖峰的产生，则开关管的电压规格必须比正常值高出许多，开关损耗也较大，当UPS功率很大时（额定电流很大），开关管的选取将变得异常困难；同时，过高的di/dt将产生严重的EMI。
给半桥逆变的开关管增加关断缓冲电路可以降低di/dt、减小关断损耗，并能降低相应频段的EMI。
一、常用SNUBBER电路的种类1、RC SNUBBER（如图1）图12、RCD SNUBBER（如图2）图23、变形的RCD SNUBBER电路（CLAMPING电路，如图3）图3二、SNUBBER电路的工作过程（以RCD SNUBBER电路为例进行分析，只分析正半周的情况）1、Q1开通后进入稳态，流过Q1的负载电流为I，此时U CS1=0，U CS2=2*V BUS（如图4，红色箭头表示电流流向）。
图42、当Q1的栅极上加入关断信号，电流I通过Q1的C、E间的寄生电容流过，U CE1升高，随之D S1开通，一部分电流转移到C S1成为C S1的充电电流，Q1上电流减小，C S2经R S2、R LOAD进行放电（如图5）。
图53、Q1完全关断（恢复阻断能力）后，U CE1大于正负BUS之和，D2开始正偏置，在D2的正偏置电压没有达到其开通阈值电压之前不能及时导通，C S1继续过充电，C S2继续放电（如图6）。
图64、C S1仍然过充电，D2开始续流，负载电流I由正桥臂向负桥臂换流，C S2放电（如图7）。
图75、D2完全续流，C S1放电，C S1上过充的能量一部分消耗在R S1上，另一部分反馈到＋BUS（如图8）。
图86、C S1放电完毕，U CE1=2*V BUS，U CS2＝0，D2进入稳态续流（如图9）。
图97、Q1再次开通，Q1与D2之间进行换流，Q1的电流增大，D2的电流反相进入反相恢复过程，同时C S1、R S1、Q1构成C S1的放电回路，Q1、D S2、C S2构成C S2的充电回路(图10)。
IGBT单相电压型半桥无源逆变电路设计
IGBT单相电压型半桥无源逆变电路设计引言：无源逆变器是一种将直流电源转换为交流电源的电力电子装置。
在工业和家庭中，无源逆变器被广泛应用于交流电源的供应，如电机驱动、照明系统和电力供应等。
本文将介绍IGBT单相电压型半桥无源逆变电路的设计原理和方法。
一、无源逆变器原理：无源逆变器的基本原理是通过DC电源，经过电容滤波以及交流输出变压器等，将直流电源转换为交流电源。
在半桥无源逆变器中，瞬时电流流经其两个输出电容之一，从而实现交流输出。
二、电路设计：1.IGBT选择：由于半桥无源逆变器所需承受较高的电压和电流，因此需要选择耐压能力强的IGBT。
根据要求，选择耐压大于输入电压和输出电压的IGBT装置。
2.控制电路设计：半桥无源逆变器需要一个合适的控制电路来控制IGBT的开关状态。
一种常见的控制方法是采用PWM（脉冲宽度调制）技术。
PWM技术可通过控制转换器的开关时间，来实现输出电压的调节。
3.输出滤波电路设计：在半桥无源逆变器中，输出的交流电压通常需要通过滤波电路进行过滤，以消除输出中的谐波和噪音。
滤波电路通常由电感和电容组成，可根据需求选择适当的参数。
4.保护电路设计：为了确保无源逆变器的安全运行，需要设计相应的保护电路。
保护电路可以包括过压保护、过流保护、温度保护等功能，以防止电路过载、过热等情况发生。
三、实际应用：1.交流电机驱动：无源逆变器常用于交流电机驱动中，通过将直流电源逆变成交流电源，实现电机的控制和调速。
逆变器可以根据需要变换频率和电压，以满足不同负载的要求。
2.照明系统：无源逆变器也可以应用于照明系统中，通过逆变电路将直流电源转换成交流电源，供给照明设备。
逆变器可以实现对照明的调亮调暗和调色调温等功能，提高照明系统的灵活性。
3.电力供应：无源逆变器可以将直流电源转换为交流电源，用于电力供应。
逆变器可以应用于太阳能和风能等可再生能源系统中，将直流电源转换为交流电源，供给家庭和工业用电等。
半桥结构串联谐振逆变电路原理图
半桥结构串联谐振逆变电路原理图半桥结构串联谐振逆变电路原理图该电源采用半桥结构串联谐振逆变电路，主电路原理如图3所示。
在大功率IGBT谐振式逆变电路中，主电路的结构设计十分重要，由于电路中存在引线寄生电感，IGBT开关动作时在电感上激起的浪涌尖峰电压Ldi／dt不可忽视，由于本电源采用的是半桥逆变电路，相对全桥电路来说，将产生比全桥电路更大的di／dt。
正确设计过压保护即缓冲电路，对IGBT的正常工作十分重要。
如果缓冲电路设计不当，将造成缓冲电路损耗增大，会导致电路发热严重，容易损坏元件，不利于长期工作。
过程是：当VT2开通时，随着电流的上升，在线路杂散电感Lm 的作用下，使得Uab下降到Vcc－Ldi／dt，此时前一工作周期以被充电到Vcc的缓冲电容C1，通过VT1的反并联二极管VD1、VT2和缓冲电阻R2放电。
在缓冲电路中，流过反并联二极管VD1的瞬时导通电流ID1为流过线路杂散电感电流IL和流过缓冲电容C1的电流IC之和。
即ID1＝IL＋IC，因此IL和di／dt相对于无缓冲电路要小得多。
当VT1关断时，由于线路杂散电感Lm的作用，使Uce迅速上升，并大于母线电压Vcc，这时缓冲二极管VD1正向偏置，Lm中的储能（LmI2／2）向缓冲电路转移，缓冲电路吸收了贮能，不会造成Uce 的明显上升。
缓冲元件的计算与选择式中：f—开关频率；Rtr—开关电流上升时间；IO—最大开关电流；Ucep—瞬态电压峰值。
在缓冲电路的元件选择中，电容要选择耐压较高的电容，二极管最好选择高性能的快恢复二极管，电阻要用无感电阻。
6 结束语该电源已经成功地应用于大功率电力测试仪器，与传统方法相比，不仅测量精度高，而且提高了工作效率，增加了工作安全性，降低了劳动强度。
参考文献1 李萌金．电力电子器件绝缘栅——双极晶体管及其应用．电测与仪表，1997（10）2 任天良．300W零电流型准谐振直流电源设计．电力电子技术，2000（3）3 田建等．大功率IGBT瞬态保护研究．电力电子技术，2000（4）。
半桥逆变电路原理详解
半桥逆变电路原理详解一、概述半桥逆变电路是一种常见的电力电子变换器，其主要用途是将直流电压转换为交流电压。
半桥逆变电路由两个开关管和两个二极管组成，它可以产生正弦波或方波输出信号。
本文将详细介绍半桥逆变电路的原理及其工作过程。
二、半桥逆变电路的组成半桥逆变电路由两个开关管和两个二极管组成。
其中，开关管有一个高侧开关管和一个低侧开关管，它们分别控制直流输入端的正负极连接到输出端的哪一侧。
二极管则用于保护开关管，并防止反向电流损坏负载。
三、半桥逆变电路的工作原理当高侧开关管导通时，直流输入端的正极连接到输出端上；当低侧开关管导通时，直流输入端的负极连接到输出端上。
这样，通过不断地切换高低侧开关管的导通状态，可以产生一个交替出现在输出端上的正弦波或方波信号。
在实际应用中，为了保证输出信号稳定且符合要求，需要对半桥逆变电路进行控制。
控制方式一般有两种：PWM控制和谐振控制。
四、PWM控制PWM控制是指通过改变高侧和低侧开关管的导通时间比例来调节输出信号的频率和幅值。
具体实现过程如下：1.将高低侧开关管分别连接到一个PWM信号发生器上。
2.根据所需输出信号的频率和幅值，调整PWM信号发生器的输出波形。
3.通过不断地改变高低侧开关管的导通时间比例，使得输出信号的频率和幅值达到所需要求。
5、谐振控制谐振控制是指通过改变谐振电路中电感和电容的参数来调节输出信号的频率和幅值。
具体实现过程如下：1.在半桥逆变电路中加入一个谐振电路，它由一个串联电感和电容组成。
2.根据所需输出信号的频率和幅值，调整谐振电路中电感和电容的参数。
3.当高低侧开关管导通时，谐振电路会产生共振现象，并使得输出端产生正弦波或方波信号。
4.通过不断地改变谐振电路中电感和电容的参数，使得输出信号的频率和幅值达到所需要求。
六、总结半桥逆变电路是一种常见的电力电子变换器，它可以将直流电压转换为交流电压。
半桥逆变电路由两个开关管和两个二极管组成，它可以产生正弦波或方波输出信号。
半桥式非隔离双向直流变换器设计
半桥式非隔离双向直流变换器设计
半桥式非隔离双向直流变换器是一种常见的电力电子转换器，
它可以实现直流电能的双向转换，常用于电力系统中的能量存储系统、电动车充放电系统等领域。
设计这样的变换器需要考虑多个方面，包括拓扑结构、控制策略、元器件选型、电路保护等方面。
首先，从拓扑结构的角度来看，半桥式非隔离双向直流变换器
通常由两个功率开关器件组成，可以实现直流电压的升降转换。
在
设计时需要考虑到功率开关的选型、电路的布局、散热设计等方面，以确保电路的稳定可靠工作。
其次，控制策略是设计中至关重要的一部分。
双向直流变换器
需要能够实现正向和反向的功率流动，因此控制策略需要能够准确
控制功率开关的开关时序，实现电压和电流的平稳控制。
常见的控
制策略包括PWM控制、电流控制、电压控制等，设计时需要根据具
体应用场景选择合适的控制策略。
在元器件选型方面，需要根据设计要求选择合适的功率开关器件、电感、电容等元器件，以及适合的驱动电路和保护电路，以确
保电路具有良好的性能和可靠性。
此外，电路保护也是设计中需要考虑的重要方面。
在实际应用中，电路可能会面临过流、过压、短路等异常情况，因此需要设计相应的保护电路，以保护电路和元器件不受损坏。
综上所述，设计半桥式非隔离双向直流变换器需要考虑拓扑结构、控制策略、元器件选型和电路保护等多个方面，需要综合考虑电路性能、可靠性和成本等因素，以实现设计要求并确保电路的稳定可靠工作。
半桥逆变snubbber电路讲解
半桥逆变SNUBBER电路描述：半桥逆变正负桥臂开关管关断时是硬关断，当负载电流很大时，开关管关断时di/dt很大，由于线路存在分布电感，所以会引起很大的电压尖峰，如果不加缓冲电路抑制电压尖峰的产生，则开关管的电压规格必须比正常值高出许多，开关损耗也较大，当UPS功率很大时（额定电流很大），开关管的选取将变得异常困难；同时，过高的di/dt将产生严重的EMI。
给半桥逆变的开关管增加关断缓冲电路可以降低di/dt、减小关断损耗，并能降低相应频段的EMI。
一、常用SNUBBER电路的种类1、RC SNUBBER（如图1）图12、RCD SNUBBER（如图2）图23、变形的RCD SNUBBER电路（CLAMPING电路，如图3）图3二、SNUBBER电路的工作过程（以RCD SNUBBER电路为例进行分析，只分析正半周的情况）1、Q1开通后进入稳态，流过Q1的负载电流为I，此时U CS1=0，U CS2=2*V BUS（如图4，红色箭头表示电流流向）。
图42、当Q1的栅极上加入关断信号，电流I通过Q1的C、E间的寄生电容流过，U CE1升高，随之D S1开通，一部分电流转移到C S1成为C S1的充电电流，Q1上电流减小，C S2经R S2、R LOAD进行放电（如图5）。
图53、Q1完全关断（恢复阻断能力）后，U CE1大于正负BUS之和，D2开始正偏置，在D2的正偏置电压没有达到其开通阈值电压之前不能及时导通，C S1继续过充电，C S2继续放电（如图6）。
图64、C S1仍然过充电，D2开始续流，负载电流I由正桥臂向负桥臂换流，C S2放电（如图7）。
图75、D2完全续流，C S1放电，C S1上过充的能量一部分消耗在R S1上，另一部分反馈到＋BUS（如图8）。
图86、C S1放电完毕，U CE1=2*V BUS，U CS2＝0，D2进入稳态续流（如图9）。
图97、Q1再次开通，Q1与D2之间进行换流，Q1的电流增大，D2的电流反相进入反相恢复过程，同时C S1、R S1、Q1构成C S1的放电回路，Q1、D S2、C S2构成C S2的充电回路(图10)。
半桥逆变电路工作原理的分析-
ic2 10us/div 100mA/div
uCE2 10us/div 50V/div
图 3. 集电极电压及电流vCE2（ vCE1）、ic2 （ic1）的波形 从本节的讨论中，我们可以得出以下结论： 2．1 半桥逆变电路的转换过程是这样的：在VT1截止、VT2导通时，先是利用反向基
在vBE1变为足够正时,VT1的BE结及 BC结均变为正偏, 较大的正vBE1值除产生正向的基 极驱动电流iB1、、向基区注入大量的电子外，还产生由基极流向集电极的反向电流−ic1，此电 流由集电极流出，经C7流入灯管，同先前VT2流过灯管及电感L2的电流ic2方向是一致的，两 者共同组成灯管电流。在这里，反向集电极电流−ic1的流通路径是：由VT1集电极经C7、灯 管、电感L2、磁环绕组N3、N1及电阻R3（或通过接于VT1的BE结的反向二极管）流回基极。 在集电极电流-ic1反向流通（ic1≤0）的时间内，三极管VT1可以看作两个背靠背连接的PN结， 在CE之间两个PN结的压降是相互抵消的，因而总的压降很小。以后ic1逐渐加大，由较大的 负值变为较小的负值，再变为零，又进一步变为正值。但由于BE结的正向电压vBE1很大，iB1、 使三极管处于深饱和，这样，ic1≥0 时，vCE1仍然很小，如图 3 所示（图中ic 受到一些干扰， ic=0 不是一条水平线，但可以看出，有ic时，vCE≈0）。由此可见，在三极管VTI导通的全过程 中，CE之间的压降是很小的，管子可视为短路，而不问其电流为正或负。
ic2 10us/div 100mA/div
uN2 10us/div 1.0V/div
uB2 10us/div 1.0V/div
半桥逆变snubbber电路剖析
半桥逆变SNUBBER电路描述：半桥逆变正负桥臂开关管关断时是硬关断，当负载电流很大时，开关管关断时di/dt很大，由于线路存在分布电感，所以会引起很大的电压尖峰，如果不加缓冲电路抑制电压尖峰的产生，则开关管的电压规格必须比正常值高出许多，开关损耗也较大，当UPS功率很大时（额定电流很大），开关管的选取将变得异常困难；同时，过高的di/dt将产生严重的EMI。
给半桥逆变的开关管增加关断缓冲电路可以降低di/dt、减小关断损耗，并能降低相应频段的EMI。
一、常用SNUBBER电路的种类1、RC SNUBBER（如图1）图12、RCD SNUBBER（如图2）图23、变形的RCD SNUBBER电路（CLAMPING电路，如图3）图3二、SNUBBER电路的工作过程（以RCD SNUBBER电路为例进行分析，只分析正半周的情况）1、Q1开通后进入稳态，流过Q1的负载电流为I，此时U CS1=0，U CS2=2*V BUS（如图4，红色箭头表示电流流向）。
图42、当Q1的栅极上加入关断信号，电流I通过Q1的C、E间的寄生电容流过，U CE1升高，随之D S1开通，一部分电流转移到C S1成为C S1的充电电流，Q1上电流减小，C S2经R S2、R LOAD进行放电（如图5）。
图53、Q1完全关断（恢复阻断能力）后，U CE1大于正负BUS之和，D2开始正偏置，在D2的正偏置电压没有达到其开通阈值电压之前不能及时导通，C S1继续过充电，C S2继续放电（如图6）。
图64、C S1仍然过充电，D2开始续流，负载电流I由正桥臂向负桥臂换流，C S2放电（如图7）。
图75、D2完全续流，C S1放电，C S1上过充的能量一部分消耗在R S1上，另一部分反馈到＋BUS（如图8）。
图86、C S1放电完毕，U CE1=2*V BUS，U CS2＝0，D2进入稳态续流（如图9）。
图97、Q1再次开通，Q1与D2之间进行换流，Q1的电流增大，D2的电流反相进入反相恢复过程，同时C S1、R S1、Q1构成C S1的放电回路，Q1、D S2、C S2构成C S2的充电回路(图10)。
半桥逆变电路的工作原理
半桥逆变电路的工作原理老铎半桥逆变电路技术应用于电子节能灯、电子变压器、高压低压逆变技术。
电容C7、C8组成无源半桥支路，半桥的中点电压为直流电压的一半，即为E/2，灯管作为负载与电感L2相串联，跨接在两个半桥中点之间。
VT1、VT2是半桥逆变电路中的重要组件，起着功率开关的作用，选择时，应优先考虑其开关参数。
其工作原理是：加上电源后，由直流电压VDC(E)提供的电流经R1对积分电容C5充电，一旦此电压达到并超过触发二极管VDB3的转折电压(约30～40V)后，该二极管击穿导通，并有电流流入VT2的基极，使VT2导通，此时，电流流经的路径为电源VC3→C7→灯丝→C6→灯丝→电感L 2→磁环变压器Tr的初级绕组N3→VT2的集电极→地。
VT2集电极电流的增长趋势在磁环变压器的初级绕组N3上产生感应电动势，同时在其次级(N1、N2)也产生感应电动势，其极性是使各绕组上用•表示的同名端为正，从而使VT2的基极电位升高，基极电流、集电极电流进一步加大，即在电路中产生如下的连锁反应.连锁式的正反馈作用使VT2导通并饱和。
顺便指出，在VT2导通后，电容Cs的电荷通过二极管VD。
和晶体管VT2放电，其电压下降，不再使触发管导通，该支路也不再对VT2基极产生影响。
所以，由R1、C5及VDB3提供的触发信号只在电源接通后对VT2起触发作用。
在VT1、VT2轮流工作后，其工作频率较高，VT2截止时间很短，在这样短的时间内C5来不及得到充分的充电。
而VT2导通后，C5又放电。
这样，它上面的电压是一些幅度很小的锯齿波，达不到足以使VDB3导通的电压。
因此，一旦电路转换，VT1、VT2轮流导通与截止后，VDB3将不再能导通，对VT2也不起任何作用。
当VT2电流增加使磁环趋向饱和，各绕组感应电动势急剧下降，VT2基极电位也下降，ic2减小，在磁环变压器中将产生与ic2以增加时相反极性的电动势，即各绕组中用•表示的同名端电压为负，这样一来，VT1的基极电位上升，集电极电流ic1增加，电流的流通路径为Vc3→VT1集电极→电感L2→灯丝→C6→灯丝→C8→地。
半桥逆变器由两个单端正激式变换电路组合原理
半桥逆变器由两个单端正激式变换电路组合原理整流电路是将输入工频交流电源变换成逆变器工作所需的直流电源，而逆变器是将整流后的直流电压变换成高频交流电压（或电流），完成DC／AC的转换功能，满足中频电炉性能及工艺技术要求。
一般民用中频电炉的输出功率不大，DC/AC变换器电路通常采用单管或半桥结构。
工业中频电炉电源要求具有大的输出功率，特别是用于金属热处理、熔炼等中频电炉电源，输出功率在几百千瓦至上千千瓦，变换器的电路几乎都采用全桥电路结构。
半桥逆变器电路半桥逆变器实际上也是由两个单端正激式变换电路组合而成，其中，．个桥臂由两个特性相同、容量相等的电容器承担，每个电容器承受1／2的直流母线电压，另一桥臂由两个受脉宽调制(PWM)信号控制驱动的半导体功率开关管承担，故称半桥变换器，即Half-Bridge Converterso控制功率器件开关的驱动信号互补，相差180度，两个PWM驱动信号之间留有死压时间，防止信号扰动时导致两个功率开关器件同时导通，造成器件损坏及逆变失败。
标准的半桥逆变电路结构图。
R1、R2为桥臂电容器Cl、C2的均压和电荷泄放电阻，并确保R1=R2，Cl=C2，制造过程中应对上述四个元件进行检测，挑选配对使用。
功率开关器件通常在高频加热电源中使用场效应晶体管MOSFET及绝缘栅双极性晶体管IGBT，其工作状态受PWM驱动脉冲控制，并接于VT1、VT2上的二极管VD1、VD2用于电感电流续流、能量再生通路。
通常这两个二极管封装在功率器件内部，外部不必另接二极管在半桥逆变器的两桥臂中点A、B接负载。
对电磁中频电炉电源而言，可直接串联谐振电路的加热绕组L，及谐振补偿电容Cr，或者通过匹配变压器输出，匹配变压器的一次侧NP接在两桥臂的中点A、B，二次与加热绕组L，和谐振电容Cr连接。
图3-15是半桥变换器电路的波形图，说明两个功率开关器件VT1、VT2和PWM驱动信号Ugl、Ug2的相位关系，桥臂中点电压Ugl与Ug2、的对应关系。
半桥逆变电路原理
半桥逆变电路原理
嘿，朋友们！今天咱来唠唠半桥逆变电路原理。
这玩意儿啊，就像是一个神奇的魔法盒子！
你想啊，电就像一群调皮的小粒子，到处乱跑。
而半桥逆变电路呢，就是一个超级厉害的管理员，能把这些小粒子指挥得服服帖帖！比如说家里的那些电器，像电视啊、冰箱啊，它们能正常工作，可少不了半桥逆变电路的功劳呢。
它是怎么做到的呢？其实很简单啦！半桥逆变电路中有两个开关管，它们就像两个好兄弟，轮流工作。
当一个开关管打开的时候，电流就顺着它流过去，然后另一个开关管再打开，电流又换了条路走。
哎呀，这感觉就好像是我们在走迷宫，一会儿走这条道，一会儿走那条道。
“这又有啥用啊？”你可能会这么问。
嘿嘿，用处可大了去啦！它能把直流电变成交流电呀！就好像把一群乖孩子变成了一群调皮捣蛋但很有用的小精灵。
有了交流电，我们才能让那些需要交流电的设备欢快地工作起来呀！
咱再来深入了解一下。
想象一下，半桥逆变电路就像一场精彩的接力赛，两个开关管就是接力的选手，它们一个接一个地传递着电流这个“接力棒”。
如果没有它们默契配合，那这场比赛可就没法进行下去啦！
而且哦，半桥逆变电路还有个特别厉害的地方，就是它能控制输出电压的大小和频率呢！哇塞，这多牛啊！就像我们可以随意调节音量大小一样，神奇不？
总的来说呢，半桥逆变电路原理真的超级有趣，超级重要！它默默为我们的生活带来了那么多便利，我们真得好好感谢它呀！这就是我眼中的半桥逆变电路原理，你们觉得咋样呢？。
半桥逆变架构分析报告
半桥逆变架构
目前公司高频机常用的半桥逆变架构:
IL
+Vc
Ic
LOAD
驱动介绍
PWM+
PWM-
Deadtime
(1) PWM+/-完全互补, PMW+=PWM(2) 加入死区, 防止上下桥短路击穿
输出正弦波正半周
PWM+
PWM+
PWM-
PWM-
+BUS
Deadtime
Q1
Deadtime
+BUS Q1
这个结构就是原始的 半桥逆变.
+VDC
+VDC
-VDC
直流
-VDC
交流
问题2
上面简单方法得到的交流波形是方波存在很多缺点.比如: 输出电压谐波含量高; 输出电压不能调整(有时UPS要求输出兼容很多种
220/230/240V)
那么怎么才能让方波变成正弦波
+VDC
?
-VDC
交流
理论基础
带上述问题,下面介绍一个概念:
i(t) e(t)
i(t)
d a
c
b
O t
a)
b)
图6-2
电路输入：u(t)，窄脉冲， 电路输出：i(t)，
理论基础
下面我们再回过头来看一个正弦波形,
u
正弦半波N等分，可看
成N个彼此相连的脉冲序
a)
列，宽度相等，但幅值
不等
O
t
用矩形脉冲代替，等幅， 不等宽，中点重合，面 积（冲量）相等
宽度按正弦规律变化
LC滤波器的截止频率<1/6开关频率, 但实际 应该根据电感的温升, 器件成本来做优化设计; 目前6K机器L=1.2mH,C=25uF.取开关频率的 1/20.
半桥变换器电路解说
半桥变换器電路解說
1、电路拓扑图
2、电路原理
其变压器T1起隔离和传递能量的作用。
开关管Q1导通时，Np绕组上承受一半的输入电压，付边绕组电压使D1导通；反之亦然。
输出回路D1、D2、Lo、Co共同组成了整流滤波电路。
此电路减小了原边调整管的电压应力，所以是目前比较成熟和常见的电路；如PC Power 70%以上、电子镇流器60%都使用此电路。
3、工作特点
a、两个调整管都是相互交替打开的，所以两组驱动波形相位差要大于180°，因为要存在一定死区时间。
b、C1＝C2、R1=R2。
c、C1、C2主要用来自动平衡每个调整管的伏秒值；许多的半桥此处多用高压铝电解电容，多炸机都爆电容，因为铝电容存在一个高频特性的问题。
你如果还在用这个拓扑结构不妨可以试用一下CBB电容。
d、C3主要是滤去影响伏秒平衡的直流分量，也用CBB电容。
曾经就有一个朋友就这个CBB电容的引脚粗细（即太细多并几个CBB电容，0~30V/0~30A的仪器电源）与我讨论过，嘻嘻~~~ 您说呢？！
4、变压器计算
步骤与前相同（省去）
★原边绕组匝数：Np=Vinmin×Ton/(2×ΔB×Ae)
★付边绕组匝数：N2=(Vo+Vd+Io×R)×2×Np/Vinmin
★其它的验证及导线选择参考《单端正激式》
5、输出电感计算
参考《单端正激式》。
基本半桥逆变电路分析
基本半桥逆变电路分析节能灯产品节能灯产品基本半桥逆变电路分析基本半桥逆变电路分析一、各元件的作用FUSE 保险电阻：过电流和短路电流保护元件，抑制浪涌电流；L1，C1，C2：组成π型EMI 滤波器，减轻高频逆变电路产生的电磁干扰； D1，D2，D3，D4：组成桥式整流电路，将输入的交流变为直流；C3 滤波电容：将整流出的电压进行平滑滤波，使其接近直流电压；R1，C5：RC 积分电路，滤波后的电压经过R1对C5进行充电，提供DB3导通电压；DB3双向触发二极管：当C5上的电压高于DB3的导通电压时，DB3导通，向Q2的基极注入电流，使T2导通，电路起振后，DB3不再导通；D5：隔离启动电路和振荡电路，使振荡电流不会经过C5到地；R2，C4：C4为续流电容，R2为C4提供放电网络。
当Q1和Q2在交替开关的同时截止阶段，使灯丝有电流流过，C4通常为1000~3300pF ；R2，C4组成的放电网络同时避免两个三极管电流重叠，提供一个死区时间。
、积分电容在启动时为触发管提供导通电压，电源电压经过R1对其进行充电,充电达到DB3的28V导通电压，下管导通.移相电容，在上下管轮流导通工作过程当中，存在一个管子截止而另一个管子尚未导通的现象，而流过灯管的电流需要是连续的，利用电容电流可以突变的特性，把这一缺陷弥补上!移相电容比较好!电容减小时电流滞后电压,三极管关断功耗加大,三极管打开时功耗减小,所谓电路呈感性;电容增加时电流超前电压,三极管关断功耗减小,三极管打开时功耗增加,所谓电路呈容性.T5灯管管压略高,启辉电容略小电路本身就接近中性,如果还是将移相电容容量增加大会超成三极管滞后打开,三极管在因导通时有较高电压而产生功耗!如T8T9灯管管压略低启辉电容略高,电路容易呈感性,如果还是将移相电容容量减小会超成三极管超前打开,三极管在因关闭时有较高电压而产生功耗!可能有朋友要说了,那我后面灯管的管压和启辉电容选一定参数达到一定呈中性时就不是可以不用这个电容了吗?那不行!我们这里讲的感容性是基波电流相对于矩形波电压而言,矩形波内的高次谐波无法通过选频网络,经电感反势迭加到三极管上,这样三极管有可能瞬态导通和关断时被硬性击穿!有时象T5灯管不加移相电容时也没事,是因为管压过高时,高次谐波电流经过高的管压强度大大减弱,三极管反而安全了!所以加一定容量的电容也吸收了这些谐波,所以一定要加! 补充一点具体操作方法:用示波器观看三极管的电流波形,调节该电容和磁环的参数就能使三极管工作在最佳工作状态,这一点我认为是调试电子镇流器最精,也是最基础的技术,现在有很多的技术人员都是靠测量三极管的温升来调试的,不会调电流波形根本做不出好的镇流器,会这一点后镇流器真的简单了在下管续流二极管中靠近地线端串一个小电阻1R,用示波器看电阻上电压波形,越小约好,但不能没有!原因我不讲了,自己分析为什么!一个输出波形有三部分组成:流过三极管电流,经这个电容的电流,还有经过续流二极管的电流,组成完整的输出波.注意整个电压范围啊,一般在高压为大一点,低压为小一点）D6，D7续流二极管：与三极管并联在磁环线圈的两端，保护三极管，防止三极管反向击穿，反向电动势会通过二极管释放；Q1，Q2开关三极管：构成推挽电路，两管交替导通，在Q1的发射极和Q2的集电极中间产生近似方波脉冲；R4，R6：稳定电路工作点，负反馈作用，抬高晶体管发射极电位，控制发射机和基极之间的电压；R3，R5：控制晶体管的基极电流，同时隔离晶体管的基极电压与磁环绕组的感应电动势；N1，N2，N3磁环绕组（脉冲变压器）：利用互感耦合，以及磁芯的饱和特性，控制Q1与Q2的交替开关；L2，C6：LC串联谐振电路，在C6两端为灯提供启动电压，同时对方波脉冲进行滤波，使灯丝电流近似正弦波；L2的Q值和C6的决定提供启动电压的大小；C7，C8：隔直电容，为灯丝电流提供交流通路。
半桥逆变电路优点
8.1.2 逆变电路的换相
1) 器件换相（Device Commutation） 利用全控型器件的自关断能力进行换相。 在采用IGBT 、电力MOSFET 、GTO 、GTR等全 控型器件的电路中的换相方式是器件换相。
2) 电网换相（Line Commutation） 电网提供换相电压的换相方式。 将负的电网电压施加在欲关断的晶闸管上即可使 其关断。不需要器件具有门极可关断能力，但不 适用于没有交流电网的无源逆变电路。
电压型单相桥式逆变电路
福建工程学院电子信息与电气工程系《电力电子技术》
8.2 电压型和电流型逆变器
3）电流型逆变电路主要特点
(1) 直流侧串大电感，电流基本无脉动，相当于电流源。
(2) 交流输出电流为矩形波，与负载 阻抗角无关。输出电压波形和相位
因负载不同而不同。 (3)直流侧电感起缓冲无功能量的作用， 不必给开关器件反并联二极管。
第8章 逆变电路
引言 8.1 无源逆变及基本电路 8.2 电压型和电流型逆变器 8.3 脉宽调制（PWM）型逆变电路 8.4 软开关技术 本章小节
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第8章 ห้องสมุดไป่ตู้变电路 • 引言
逆变的概念 逆变——与整流相对应，直流电变成交流电。
交流侧接电网，为有源逆变。 交流侧接负载，为无源逆变。 逆变与变频 变频电路：分为交交变频和交直交变频两种。 交直交变频由交直变换（整流）和直交变换两部分组成，后一部 分就是逆变。 主要应用 各种直流逆变电源，如蓄电池、干电池、太阳能电池等。 交流电机调速用变频器、不间断电源、感应加热电源等电力电子 装置的核心部分都是逆变电路。
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半桥逆变SNUBBER电路描述：半桥逆变正负桥臂开关管关断时是硬关断，当负载电流很大时，开关管关断时di/dt很大，由于线路存在分布电感，所以会引起很大的电压尖峰，如果不加缓冲电路抑制电压尖峰的产生，则开关管的电压规格必须比正常值高出许多，开关损耗也较大，当UPS功率很大时（额定电流很大），开关管的选取将变得异常困难；同时，过高的di/dt将产生严重的EMI。
给半桥逆变的开关管增加关断缓冲电路可以降低di/dt、减小关断损耗，并能降低相应频段的EMI。
一、常用SNUBBER电路的种类1、RC SNUBBER（如图1）图12、RCD SNUBBER（如图2）图23、变形的RCD SNUBBER电路（CLAMPING电路，如图3）图3二、SNUBBER电路的工作过程（以RCD SNUBBER电路为例进行分析，只分析正半周的情况）1、Q1开通后进入稳态，流过Q1的负载电流为I，此时U CS1=0，U CS2=2*V BUS（如图4，红色箭头表示电流流向）。
图42、当Q1的栅极上加入关断信号，电流I通过Q1的C、E间的寄生电容流过，U CE1升高，随之D S1开通，一部分电流转移到C S1成为C S1的充电电流，Q1上电流减小，C S2经R S2、R LOAD进行放电（如图5）。
图53、Q1完全关断（恢复阻断能力）后，U CE1大于正负BUS之和，D2开始正偏置，在D2的正偏置电压没有达到其开通阈值电压之前不能及时导通，C S1继续过充电，C S2继续放电（如图6）。
图64、C S1仍然过充电，D2开始续流，负载电流I由正桥臂向负桥臂换流，C S2放电（如图7）。
图75、D2完全续流，C S1放电，C S1上过充的能量一部分消耗在R S1上，另一部分反馈到＋BUS（如图8）。
图86、C S1放电完毕，U CE1=2*V BUS，U CS2＝0，D2进入稳态续流（如图9）。
图97、Q1再次开通，Q1与D2之间进行换流，Q1的电流增大，D2的电流反相进入反相恢复过程，同时C S1、R S1、Q1构成C S1的放电回路，Q1、D S2、C S2构成C S2的充电回路(图10)。
图108、D2的反相恢复完毕，Q1上流过负载电流I，同时，C S1的放电、C S2的充电仍然继续（图11）。
图119、进入正桥臂稳态工作的情况（一个工作周期结束）。
三、SNUBBER电路定量分析1、RCD SNUBBER电路考虑线路主要分布电感，电路原理简图如图12。
图12“过程4”中U CE1达到最大，其值约等于U CS1，根据上面对电路工作过程的分析可以知道，将电路再次呈现在下面（图13）。
图13由电路有：2*V BUS =dtdiL u dt di L L CS S 22111-+ （1） 由于i L2=I-i S1，代入（1）式得： 2*V BUS =1121)(CS S u dtdi L L ++ (2) 由于i S1=dtdu C CS S 11，代入（2）式得： 2*V BUS =1212121)(CS CS S u dtu d C L L ++ (3) (3)式是一个“二阶常系数非齐次线性微分方程”，它的通解等于对应的齐次方程的通解加上它的一个特解，其对应的齐次方程为：1212121)(CS CS S u dtu d C L L ++＝0 （4） 对应的特征方程为：01)(2121=++s C L L S (5) 解之：S=±121)(S C L L j +令ω=+121)(1S C L L ，（4）式的解为： u CS1=K1cos ωt+K2sin ωt (6)可求出（3）式的一个特解为：u CS1*=2V BUS ，则（3）式的通解为： u CS1=K1cos ωt+K2sin ωt+2V BUS (7) 由于u CS1(0)=2V BUS ，所以K1=0，（7）式化为：u CS1= K2sin ωt+2V BUS （8） 所以：i S1=C S1t C K dtdu S CS ωωcos 211= （9） 由于i S1(0)=I ，所以K2=1S C Iω，则（3）式的通解为： u CS1=1S C Iω sin ωt ＋2V BUS (10） 所以u CS1过充的电压(超过2V BUS 部分)为：△U=1S C Iω sin ωt （11） 其最大值为： △U MAX =1S C Iω=121S C L L I + (12)2、 变形的RCD SNUBBER 电路计算u CE 的微分方程完全与RCD SNUBBER 一样，即：△U MAX =1S C Iω=121S C L L I + (13)3、 RC SNUBBER 电路电路简图如图14图14根据图有：2*V BUS =111212121)(CS CS S CS S u dt du C R dt u d C L L +++ (14) 对应的齐次线性微分方程为：1111212121)(CS CS S S CS S u dt du C R dtu d C L L +++＝0 （15） 其特征方程为：01)(112121=+++S C R S C L L S S S （16）由于△＝R S12C 2-4(L1+L2)C S1的符号未知，所以（16）式的解有多种不同情况，这里只讨论△<0的情况，令111212121)(CS CS S CS S u dtdu CR dtu d C L L +++，则：S=-2111])21(2[)21(1)21(2L L R C L L j L L R S S S +-+±+ （17）令-)21(21L L R S +＝α、211])21(2[)21(1L L R C L L S S +-+＝ωd ，则（15）式的解为：u CS1=)sin 2cos 1(t K t K e d t ωαα+ （18） 由于u CS1(0)=0，所以K1=0，则（18）式化为：u CS1=t K e d t ωαsin 2 （19） 所以： i S1==dtdu C cs S 11C S1()cos 2sin 2t K t e K d d t ωωωαα+ （20） 由于i S1（0）=I ，所以K2=1S d C Iω，则（15）式的通解为：u CS1=t e C Id t S d ωωαsin 1(21)可以求出（14）式的一个特解u CS1*=2V BUS ，则（14）式的通解为： u CS1=t e C Id t S d ωωαsin 1＋2V BUS (22)所以u CS1过充的电压(超过2V BUS 部分)为： △U=t e C Id t S d ωωαsin 1（23）由于α<0，所以te α<1，则： △U (MAX)=1S d C Iω （24）四、三种SNUBBER 电路的比较1、 U CE 的最大尖峰电压（C S 的最大过充电压△U (MAX)）RCD SNUBBER ：△U 1=1S C Iω变形的RCD SNUBBER ：△U 2=1S C IωRC SNUBBER ：△U 3=1S d C Iω因为ωd =22αω-，所以△U 1＝△U 2<△U 3，即在同等条件下RC SNUBBER 电路抑制电压尖峰的能力最差。
2、 开关管损耗RCD 、RC 电路的C 中电荷要经过开关管泄放，开关管损耗较大；变形的RCD 电路的C 中电荷不会经过开关管泄放，开关管损耗较小。
3、 R S 功耗RC 电路中的R S 在C S 充放电过程中都有损耗，损耗较大，令损耗为P RS1，则：P RS1=2CS S U KC f(f 为开关频率，K 为损耗系数，因为C S 中电荷不可能全部损耗在R S 上，所以K<1) RCD 电路中的R S 只在C S 放电过程中有损耗，损耗居中，令损耗为P RS2，则： P RS2=221CS S U KC f 变形的RCD 电路中的R S 只在C S 放电过程中有损耗，且C S 中的电压变化幅度为△U ，所以损耗最小，令损耗为P RS3，则： P RS3=221U KC S ∆ f 4、 EMI三种电路都能降低di/dt ，从这方面看EMI 差不多。
RCD 电路降低了开关管关断过程的du/dt ，EMI 最好；RC 电路虽然也降低了开关管关断过程的du/dt ，但由于RC 常数较大，du/dt 比RCD 电路大，EMI 居中；变形的RCD 电路不能抑制开关管关断过程的du/dt ，EMI 最差。
五、3A3-15KS 逆变SNUBBER 电路设计1、 允许C S 的过充电压△UBUS 电压V BUS 最高取450V ，则2*V BUS =900V ，如果选用1200V 的管子，则 △U<1200-900V ＝300V这里留有一定裕量，取△U ＝250V 。
2、 分布电感估算布线电感的经验估算公式为：L=710)432(ln 2--d l l (H) 3A3-15KS BUS 电容与IGBT 间用长导线连接，其长导线为主要分布电感来源，正BUS 线长0.3m 、负BUS 长0.26m ，都采用10＃线，线径为0.003m ，所以有： L=2*0.56*710*)43003.056.0*2(ln --＝5.8*10-7H 3、 C S 选择(先根据RCD SNUBBER 计算，软件限流点为90A ，实际上由于采样点在开关周期的中点，所以电流有超过90A 的可能，这里取I=100A 进行计算)根据（12）式△U MAX =121S C L L I +有： C S1===∆+-27222250)10*8.5(100)21(MAX U L L I 0.09*10-6 F=0.09uF 这里取104/1000V 电容。
4、 R S 损耗计算(取损耗系数K=0.1)RCD SNUBBER ：P RS2=221CS S U KC =0.5*0.1*0.1*10-6*11502*19200=114W RC SNUBBER ：P RS1=2CS S U KC =0.1*0.1*10-6*11502*19200=228W变形的RCD SNUBBER ：P RS3=2U KC S ∆=0.5*0.1*0.1*10-6*2502*19200=6W5、 SNUUBER 电路选择从R S 损耗计算中可以看出，选择RCD SNUBBER 电路损耗会非常大，而选择RC SNUBBER 电路损耗会再增大一倍，因此需选择变形的RCD SNUBBER 电路（CLAMPING 电路）。
6、 D S 选择根据上面的分析可以知道，在D S 开始导通的瞬间，D S 将流过所有的负载电流，软件限流点为90A ，实际上电流有超过90A 的可能，所以D S 的I FSM 应该大于150A ，这里选择RHRP15120(15A/1200V)，其I FSM =200A 。