安规电容及电解电容参数
安规电容及电解电容参数
安规电容①安规件, 本体呈扁圆形,蓝色, 在SPS中主要跨接于初次级中间.②其本体都有容值﹑误差﹑安规MARKING﹑电压﹑类型(Y1或Y2)等标示.③容值误差: M=±20%④耐压为: 250V AC,⑤PIN脚成型方式: 有直脚和KINK两种方式.X1,X2,X3以及Y1,Y2,Y3,Y4指的是安全等级.具体如下:安规电容安全等级应用中允许的峰值脉冲电压过电压等级(IEC664)X1 >2.5kV ≤4.0kV ⅢX2 ≤2.5kV ⅡX3 ≤1.2kV ——安规电容安全等级绝缘类型额定电压范围Y1 双重绝缘或加强绝缘≥250VY2 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250VY3 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250VY4 基本绝缘或附加绝缘<150VY电容的电容量必须受到限制,从而达到控制在额定频率及额定电压作用下,流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的.GJB151规定Y电容的容量应不大于0.1uF.Y电容除符合相应的电网电压耐压外,还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量,避免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象,......................2.9铝箔干式电解电容器:工作电压(working voltage)简称WV,为绝对安全值;若是surge voltage(简称SV或Vs),就是涌浪电压或崩溃电压;,超过这个电压值就保证此电容会被浪淹死─小心电容会爆!根据国际IEC 384-4规定,低于315V时,Vs=1.15×Vr,高于315V时,Vs=1.1×Vr.Vs是涌浪电压,Vr是额定电压(rated voltage).电容器的电荷能量是以Q＝CV来表示,Q是库伦,C是静电容量,V是电压;故当电压值不变时,加大静电容量就能增高电荷能量.请注意,电容器的容量单位应是F(farad),可是因计量太高造成数值偏低,故多改用μF,1F=一百万μF.国外也有用mF表示μF,其实mF不十分贴切,但机械式打字机上没有μ键,故用m代表micro.散逸因数─损失角散逸因数dissipation factor(DF)存在于所有电容器中,有时DF值会以损失角tanδ表示.想想,损失角,既有损失,当然愈低愈好.塑料电容的损失角很低,但铝电解电容就相当高.DF值是高还是低,就同一品牌、同一系列的电容器来说,与温度、容量、电压、频率……都有关系;当容量相同时,耐压愈高的DF值就愈低.举实例做说明,同厂牌同系列的10000μF电容,耐压80V 的DF值一定比耐压63V的低.所本刊选用滤波电容常会找较高耐压者,不是没有道理.此外温度愈高DF值愈高,频率愈高DF值也会愈高.漏…漏电流铝电解电容在工作时一定会产生漏电流.漏电流(leakage current)当然要低,它的计算公式大致是:I＝K×CV.漏电流I的单位是μA,K是常数,例如是0.01或0.03,每家制造厂会选择不同的常数.但不论如何,电容器容量愈高,漏电流就愈大.如果你有容量愈大平滑效果愈好的想法,这个「漏电流」也请考虑在内.从计算式可得知额定电压愈高,漏电流也愈大,因此降低工作电压亦可降低漏电流.但降低电容器的漏电流并不容易,低漏电流low leakage current-LL系列价格高昂,我曾向国内厂商订制一批低漏电流LL系列电容,价格比许多进口电容还贵.漏电流规格,铝电解电容就比钽电解电容差许多,钽质电容也有干式及湿式两种,不过它的容量及耐压都较低.除特别定制外,面对一般品,想要降低它的漏电流可设法提高Vs对Vr的比值.Vs是涌浪电压,其值当然比Vr额定电压高,但施加电压(真正的工作电压)还应该比Vr低,例如取Vr的90%;找高耐压品种可说是完全正确.等效串联电阻ESR一只电容器会因其构造而产生各种阻抗、感抗,比较重要的就是ESR等效串联电阻及ESL等效串联电感─这就是容抗的基础.电容器提供电容量,要电阻干嘛?故ESR及ESL也要求低…低;但low ESR/low ESL通常都是高级系列.ESR的高低,与电容器的容量、电压、频率及温度…都有关,当额定电压固定时,容量愈大ESR愈低.有人习用将多颗小电容并接成一颗大电容以降低阻抗,其理论是电阻并联阻值降低.但若考虑电容接脚焊点的阻抗,以小并大,不见得一定会有收获.反过来说,当容量固定时,选用高WV额定电压的品种也能降低ESR;故耐压高确实好处多多.频率的影响:低频时ESR高,高频时ESR低;当然,高温也会造成ESR的提升.串联等效电阻ESR的单位是mΩ,高级系列电容常是low ESR及low ESL.若比较低内阻及低漏电流两种特性,则低内阻容易达成,故标示low ESR的电容倒很常见.ESR与损失角有关联,ESR＝tanδ/(ω×Cs),Cs是电容量.有时电容器规格上会有Z,它与ESR的意义不同,但Z的计算示与ESR有关,同时也考虑到容抗及感抗,是真正的内阻.刚才提到电容的ESR单位是mΩ,那是指大电容,若是220μF小容量电容,其ESR单位就不是mΩ而是Ω.何种电容器的ESR最低?答案只有一个:Sanyo的OS 有机半导体电容!涟波电流Irac前面谈到的散逸因数DF-损失角tanδ、漏电流、ESR-串联等效电阻…等,其值都是愈低愈好,但现在要提的涟波电流ripple current却是愈高愈好.涟波电流Irac的标示至少应有低频及高频工作时两种规格数字,低频大约是以120Hz做标准,高频大概是以10KHz做标准,但不同制造厂商可能会有略微的差别.涟波电流与频率刚好成正比,因此低频时涟波电流也比较低.可是对我们音响迷来说,低频段的Irac值才是重要.所以在采购电容器时,涟波电流数字高低是极为重要的依据.在一般状况下,同品牌时,锁螺丝式电容的涟波电流通常比snap-in插PC板式来得高.储存及工作寿命比起电阻、IC、电晶体、塑料电容这些半永久性组件,铝电解电容的寿命就值得重视.一是储存年限,自然与寿命有关,10~20年应无问题.存放过久的电容不宜立刻使用,利用power supply 先将它aging(活化);夹上端子,缓慢调整power supply电压,由低至高,最高可调至此电容的额定电压.。
什么是安规电容 安规电容参数及作用和应用
什么是安规电容安规电容参数及作用和应用安规电容：安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全.它包括X电容各Y电容两种类型，x电容是跨接在电力线两线（L-N）之间的电容，一般选用金属薄膜电容；Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间（L-E，N-E）的电容，一般是成对出现。
基于漏电流的限制，Y电容值不能太大，一般X电容是uF级，Y电容是nF级。
X电容抑制差模干扰，Y电容抑制共模干扰。
什么是安规电容 X 电容 Y电容根据IEC 60384-14，电容器分为X电容及Y电容，1. X电容是指跨于L-N之间的电容器，2. Y电容是指跨于L-G/N-G之间的电容器。
(L=Line, N=Neutral, G=Ground)X电容底下又分为X1, X2, X3，主要差別在于:1. X1耐高压大于2.5 kV, 小于等于4 kV,2. X2耐高压小于等于2.5 kV,3. X3耐高压小于等于1.2 kVY电容底下又分为Y1, Y2, Y3，Y4, 主要差別在于:1. Y1耐高压大于8 kV,2. Y2耐高压大于5 kV,3. Y3耐高压 n/a4. Y4耐高压大于2.5 kVX,Y电容都是安规电容,火线零线间的是X电容,火线与地间的是Y电容.它们用在电源滤波器里,起到电源滤波作用,分别对共模,差模工扰起滤波作用.安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全. 安规电容安全等级应用中允许的峰值脉冲电压过电压等级（IEC664） X1 >2.5kV ≤4.0kV Ⅲ X2 ≤2.5kV Ⅱ X3 ≤1.2kV ——安规电容安全等级绝缘类型额定电压范围 Y1 双重绝缘或加强绝缘≥ 250V Y2 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y3 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y4 基本绝缘或附加绝缘 <150V Y电容的电容量必须受到限制，从而达到控制在额定频率及额定电压作用下，流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的。
电解电容的参数及应用
电解电容的参数及应用铝电解电容内部结构图以上是OST（台湾的一个电容厂）的一个加工厂提供的。
以下表格是结构图当中各个部位的详细说明：NO部件所用材料供应商1LEAD LINE（外引线）TINNED CP WIRE KOJOKU2TERMINAL（内引线）ALUMINUM WIRE KOHOKU3RUBBER SEAL（胶封）IIR/EPT QIANG AN4AL-FOIL(+)（铝箔）FORMED ALUMINUM FOIL MASTUSHITA,JCC5AL-FOIL(-)（铝箔）ETCHED/FORMED ALUMINUMFOILGUAN YE6CASE（电容外壳）ALUMINUM CASE XING YU7SLEEVE（塑料外皮）PVC QI YUAN YIN LIN8SEPARATOR（电解纸）ELECTROLYTE PAPER DA FU我们可以注意3个地方：AL-FOIL(+)、AL-FOIL(-)、SEPARATOR，这些都是电容内部机构的关键部件，一些国内公司还无法做到。
我们可以看出，这些都是从日本JCC等公司进口的，对电容品质的保证起到了很重要的作用。
电解电容的八个基本参数详解[一]参数一：电容值电容值C=Q/U。
要计算主板CPU供电部位对电容容量的需求，使用如下公式：C = I/(?V/?t)假如CPU的电流I为50A, ?V=50mV时，?t=10μS。
则容量要求为C=10000μf。
要得到理想的滤波效果的话，就要求要7颗1500μf的电容并联使用。
参数二：耐压值耐压值是表示电容＋/－极之间的最大压差，如果出现过压现象，电容就会处于击穿状态，漏电流增大，电容内部发热巨增，电容内部的电解液会因高温变成气体致使电容内部压力增大。
当这个压力超过电解电容的铝外壳承受压力的时候，电容就会发生爆炸。
CPU的工作电压一般在1～2V之间，电容耐压能在4V以上就一般不会出问题，前提是电容极性不得插反！参数三：损耗正切值损耗正切值用tgδ表示，它是交流电压下介质中的能量损耗标称。
安规电容型号参数
安规电容型号参数安规电容是一种常用于电力系统中的电子元件，用于存储电荷并提供电容（储存电能）的功能。
它在电力系统的设计和操作中起着重要的作用。
以下是一些常见的安规电容型号及其参数的详细说明。
1.安规电容器型号：CBB81-隔离型：X2（UL、VDE认证）-整流型：X1（UL、VDE认证）-额定电压：250VAC-额定容量范围：0.001μF至2.2μF- 温度特性：温度系数为±480ppm/℃-阻燃等级：UL94V-02.安规电容器型号：CBB21-隔离型：X2（UL、VDE认证）-整流型：X1（UL、VDE认证）-额定电压：400VAC-额定容量范围：0.001μF至3.3μF- 温度特性：温度系数为±480ppm/℃-阻燃等级：UL94V-03.安规电容器型号：MKP62-隔离型：X2（UL、VDE认证）-整流型：X1（UL、VDE认证）-额定电压：275VAC-额定容量范围：0.001μF至4.7μF - 温度特性：温度系数为±450ppm/℃-阻燃等级：UL94V-04.安规电容器型号：MKP1847-隔离型：X2（UL、VDE认证）-整流型：X1（UL、VDE认证）-额定电压：310VAC-额定容量范围：0.001μF至10μF - 温度特性：温度系数为±150ppm/℃-阻燃等级：UL94V-05.安规电容器型号：F136T-隔离型：X2（UL、VDE认证）-整流型：X1（UL、VDE认证）-额定电压：680VAC-额定容量范围：0.001μF至10μF - 温度特性：温度系数为±180ppm/℃-阻燃等级：UL94V-0以上是一些常见的安规电容型号及其参数的概述。
这些参数中，额定容量和额定电压是选择安规电容的两个重要因素。
额定容量决定了电容器能够存储多少电能，而额定电压则表示了电容器能够承受的最高电压值。
此外，隔离型和整流型是电容器的两种常见类别。
(完整版)什么是安规电容安规电容参数及作用和应用
什么是安规电容安规电容参数及作用和应用安规电容：安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全.它包括X电容各Y电容两种类型，x电容是跨接在电力线两线（L-N）之间的电容，一般选用金属薄膜电容；Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间（L-E，N-E）的电容，一般是成对出现。
基于漏电流的限制，Y电容值不能太大，一般X电容是uF级，Y电容是nF级。
X电容抑制差模干扰，Y电容抑制共模干扰。
什么是安规电容 X 电容 Y电容根据IEC 60384-14，电容器分为X电容及Y电容，1. X电容是指跨于L-N之间的电容器，2. Y电容是指跨于L-G/N-G之间的电容器。
(L=Line, N=Neutral, G=Ground)X电容底下又分为X1, X2, X3，主要差別在于:1. X1耐高压大于2.5 kV, 小于等于4 kV,2. X2耐高压小于等于2.5 kV,3. X3耐高压小于等于1.2 kVY电容底下又分为Y1, Y2, Y3，Y4, 主要差別在于:1. Y1耐高压大于8 kV,2. Y2耐高压大于5 kV,3. Y3耐高压 n/a4. Y4耐高压大于2.5 kVX,Y电容都是安规电容,火线零线间的是X电容,火线与地间的是Y电容.它们用在电源滤波器里,起到电源滤波作用,分别对共模,差模工扰起滤波作用.安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全. 安规电容安全等级应用中允许的峰值脉冲电压过电压等级（IEC664） X1 >2.5kV ≤4.0kV Ⅲ X2 ≤2.5kV Ⅱ X3 ≤1.2kV ——安规电容安全等级绝缘类型额定电压范围 Y1 双重绝缘或加强绝缘≥ 250V Y2 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y3 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y4 基本绝缘或附加绝缘 <150V Y电容的电容量必须受到限制，从而达到控制在额定频率及额定电压作用下，流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的。
什么是安规电容 安规电容参数及作用和应用
什么是安规电容安规电容参数及作用和应用一、安规电容：安规强调对使用和维护人员的保护，是我们使用电子产品方便同时，不让电子产品给我们带来危险，同时允许设备部分或全部功能丧失。
设备部分或全部功能丧失，但是不会对使用人员带来危险，那么安全设计则是合格的——尽管设备不能使用或变成一堆废物。
即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全.它包括X电容各Y电容两种类型，x电容是跨接在电力线两线（L-N）之间的电容，一般选用金属薄膜电容；Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间（L-E，N-E）的电容，一般是成对出现。
基于漏电流的限制，Y电容值不能太大，一般X电容是uF级，Y电容是nF级。
X电容抑制差模干扰，Y电容抑制共模干扰。
二、什么是安规电容 X 电容 Y电容根据IEC 60384-14，电容器分为X电容及Y电容，1. X电容是指跨于L-N之间的电容器，2. Y电容是指跨于L-G/N-G之间的电容器。
(L=Line, N=Neutral, G=Ground)X电容底下又分为X1, X2, X3，主要差別在于:1. X1耐高压大于2.5 kV, 小于等于4 kV,2. X2耐高压小于等于2.5 kV,3. X3耐高压小于等于1.2 kVY电容底下又分为Y1, Y2, Y3，Y4, 主要差別在于:1. Y1耐高压大于8 kV,2. Y2耐高压大于5 kV,3. Y3耐高压 n/a4. Y4耐高压大于2.5 kVX,Y电容都是安规电容,火线零线间的是X电容,火线与地间的是Y电容.它们用在电源滤波器里,起到电源滤波作用,分别对共模,差模干扰起滤波作用.安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全. 安规电容安全等级应用中允许的峰值脉冲电压过电压等级（IEC664） X1 >2.5kV ≤4.0kV Ⅲ X2 ≤2.5kV Ⅱ X3 ≤1.2kV ——安规电容安全等级绝缘类型额定电压范围 Y1 双重绝缘或加强绝缘≥ 250V Y2 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y3 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V Y4 基本绝缘或附加绝缘 <150V Y电容的电容量必须受到限制，从而达到控制在额定频率及额定电压作用下，流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的。
安规电容的规格型号和选择
安规电容的规格型号和选择伴随着国家经济的快速发展，人们的生活水平不断提高，各种电子设备和产品大量进入家庭。
由于这些产品或设备存在爆炸、有害辐射、火灾、触电、化学及机械伤人的危险，为了保护人们的生命和财产安全，维护消费者利益，促进企业提高产品质量，国家相继制定了有关产品的安全标准，将上述危险减到最小，并通过立法保证安全标准的贯彻执行。
被国家认可的国家认证机构，对通过有关检验的电子产品，予以认可，承认这些产品符合有关安全标准。
那么这和我们说的安规电容有联系呢？安规电容就是指电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全。
安规电容通常只用于抗干扰电路中的滤波作用。
首先我们得了解什么是电容（electric capacity），电容在电路中具有隔断直流电，通过交流电的作用，因此常用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐。
电容是由两个金属极，中间夹有绝缘材料（介质）构成。
由于绝缘材料的不同，所构成的新晨阳电容器的种类也有所不同。
电容种类：按结构可分为：固定电容，可变电容，微调电容。
按介质材料可分为：气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，有机固体介质电容，有机固体介质电解电容。
按极性分为：有极性电容和无极性电容。
什么是安规电容什么是安规电容？安规电容又叫做安全电容器，新晨阳电子安规电容的放电和普通电容不一样，普通电容在外部电源断开后电荷会保留很长时间，如果用手触摸就会被电到，而安规电容则没这个问题。
出于安全考虑和电磁兼容考虑，一般在电源入口建议加上安规电容。
安规电容包括X电容和Y电容两种类型，交流电源输入分为3 个端子：火线L/零线N/地线G，(L=Line,N=Neutral, G=Ground)。
跨于“L-N”之间，即“火线-零线”之间的是X 电容；跨于“L-G/N-G”之间，即“火线-地线或零线-地线”之间的是Y 电容。
X电容是跨接在电力线两线（L-N）之间的电容，一般选用金属薄膜电容；Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间（L-E，N-E）的电容，一般是成对出现。
安规电容的规格型号和选择
安规电容的规格型号和选择伴随着国家经济的快速发展，人们的生活水平不断提高，各种电子设备和产品大量进入家庭。
由于这些产品或设备存在爆炸、有害辐射、火灾、触电、化学及机械伤人的危险，为了保护人们的生命和财产安全，维护消费者利益，促进企业提高产品质量，国家相继制定了有关产品的安全标准，将上述危险减到最小，并通过立法保证安全标准的贯彻执行。
被国家认可的国家认证机构，对通过有关检验的电子产品，予以认可，承认这些产品符合有关安全标准。
那么这和我们说的安规电容有联系呢？安规电容就是指电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全。
安规电容通常只用于抗干扰电路中的滤波作用。
首先我们得了解什么是电容（electr ic capaci ty），电容在电路中具有隔断直流电，通过交流电的作用，因此常用于级间耦合、滤波、去耦、旁路及信号调谐。
电容是由两个金属极，中间夹有绝缘材料（介质）构成。
由于绝缘材料的不同，所构成的新晨阳电容器的种类也有所不同。
电容种类：按结构可分为：固定电容，可变电容，微调电容。
按介质材料可分为：气体介质电容，液体介质电容，无机固体介质电容，有机固体介质电容，有机固体介质电解电容。
按极性分为：有极性电容和无极性电容。
什么是安规电容什么是安规电容？安规电容又叫做安全电容器，新晨阳电子安规电容的放电和普通电容不一样，普通电容在外部电源断开后电荷会保留很长时间，如果用手触摸就会被电到，而安规电容则没这个问题。
出于安全考虑和电磁兼容考虑，一般在电源入口建议加上安规电容。
安规电容包括X电容和Y电容两种类型，交流电源输入分为3 个端子：火线L/零线N/地线G，(L=Line,N=Neutra l, G=Ground)。
跨于“L-N”之间，即“火线-零线”之间的是X电容；跨于“L-G/N-G”之间，即“火线-地线或零线-地线”之间的是Y电容。
电解电容器的参数
电解电容器的参数、影响因素及互相间的关系1 漏电流电解电容器的氧化膜介质,不是一层完美无暇的绝缘层,在其表面或多或少地存在有各种极微小的疵点、空洞、以及缝隙之类的缺陷,在外加电压的作用下,这些缺陷处的电子和离子作定向运动,就形成了电容器的介质漏电流。
另一方面,电容器两引出端之间及表面不可能很清洁,存在有一定的杂质离子,这些杂质离子同样在外加电压的作用下作定向运动,这就形成了电容器的表面漏电流。
因此电容器的漏电流由两部分组成，即介质漏电流和表面漏电流。
铝电解电容器的漏电流I可用式（1）表示：I=KCRUR (1)式中I ——漏电流，μA；K——漏电流常数，μA/V·μF；K值一般为0.05～0.002μA/ V·μF；CR——标称电容量，μF;UR——额定电压，V。
影响铝电解电容器漏电流的因素是较多的,主要有：1.1 杂质含量电容器中含有杂质,如和等,将破坏介质氧化膜的绝缘性能,使电容器的漏电流增大。
电容器中的杂质来源,无非有两个方面,一方面是来自原材料,如阴阳极箔、电解纸、电解液中的化工材料等；另一方面是来自生产工艺，即生产过程的清洁程度。
1.2 氧化膜质量由于腐蚀和化成工艺的影响,化成箔的漏电流将直接影响到电容器的漏电流大小。
1.3 温度的影响温度越高,电容器内部杂质离子的迁移能力急剧增加,杂质离子破坏介质氧化膜的作用也更剧烈,所以漏电流也越大。
1.4 施加电压大小的影响施加于电容器上电压越高,杂质离子参加导电的数目增多,漏电流大。
1.5 施加电压时间长短的影响测试电容器漏电流时,表头指示的电流值中由三部分组成,即位移电流,吸收电流和漏电流。
位移电流和吸收电流迅速减小,只有漏电流才是不变的,所以漏电流就是测试时间足够长后,表头所指示的电流值。
安规电容介绍（X电容,Y电容作用）
安规电容介绍（X电容,Y电容作⽤）1、安规电容介绍安规电容是指⽤于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及⼈⾝安全。
安規電容通常只⽤于抗⼲擾電路中的濾波作⽤。
安规电容的放电和普通电容不⼀样，普通电容在外部电源断开后电荷会保留很长时间，如果⽤⼿触摸就会被电到，⽽安规电容则没这个问题。
处于安全考虑和EMC考虑，⼀般在电源⼊⼝建议加上安规电容。
在交流电源输⼊端,⼀般需要增加3个安全电容来抑制EMI传导⼲扰。
它们⽤在电源滤波器⾥，起到电源滤波作⽤，分别对共模，差模⼯扰起滤波作⽤。
Y电容：在⽕线和地线之间以及在零线和地线之间并接的电容,⼀般统称为Y电容。
这两个Y电容连接的位置⽐较关键,必须需要符合相关安全标准, 以防引起电⼦设备漏电或机壳带电,容易危及⼈⾝安全及⽣命。
它们都属于安全电容,从⽽要求电容值不能偏⼤,⽽耐压必须较⾼。
⼀般情况下,⼯作在亚热带的机器,要求对地漏电电流不能超过0.7mA;⼯作在温带机器,要求对地漏电电流不能超过0.35mA。
因此,Y电容的总容量⼀般都不能超过4700PF（472）。
Y电容的电容量必须受到限制，从⽽达到控制在额定频率及额定电压作⽤下，流过它的漏电流的⼤⼩和对系统EMC性能影响的⽬的。
GJB151规定Y电容的容量应不⼤于0.1uF。
Y电容除符合相应的电⽹电压耐压外，还要求这种电容器在电⽓和机械性能⽅⾯有⾜够的安全余量，避免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象，Y电容的耐压性能对保护⼈⾝安全具有重要意义。
特别指出：作为安全电容的Y电容,要求必须取得安全检测机构的认证。
Y电容外观多为橙⾊或蓝⾊,⼀般都标有安全认证标志（如UL、CSA等标识）和耐压AC250V或AC275V字样。
然⽽,其真正的直流耐压⾼达5000V以上。
必须强调,Y电容不得随意使⽤标称耐压AC250V或者DC400V之类的普通电容来代⽤。
X电容：在⽕线和零线抑制之间并联的电容,⼀般称之为X电容。
由于这个电容连接的位置也⽐较关键,同样需要符合相关安全标准。
创容新能源安规电容规格书
创容新能源安规电容规格书
创容新能源安规电容规格书创容新能源安规电容是一种电，专门用于新能源电力系统的安全规范。
它是根据国家电力安全规定，利用高压电技术，采用聚合物材料制成的一种新型安全电容。
创容新能源安规电容有两种：第一种是石英晶体电容，它有很高的耐压，耐热，耐电弧和耐高温的特性，适用于高压、高温、恶劣环境下的电力系统。
第二种是电解电容，它有着良好的稳性，低温特性，适用于低压、低温电力系统。
创容新能源安规电容的最新规格如下：
1、容量：1-1000μF
2、电压：
0.25KV-500KV
3、工作温度：-40 ℃ to +125℃
4、损耗角正切值：<
0.002(50Hz，20℃)
5、绝缘电阻：>60MΩ
6、可靠性：>
99.97%
7、外壳：塑料外壳创容新能源安规电容的绝缘性能优良，损耗小，可靠性高，耐电弧性能强，且易于安装，可以满足新能源电力系统的安全性要求。
此外，创容新能源安规电容采用了新的工艺，可以提高电的寿命和可靠性，并可以适应不同环境的温度变化，从而提高电的使用寿命。
总之，创容新能源安规电容可以满足新能源电力系统的安全规范要求，具有良好的绝缘性、低损耗、高可靠性、耐电弧性等特点，是新能源电力系统的理想选择。
wd102k安规电容
wd102k安规电容
WD102K安规电容是一种具有安全认证的电容器，其额定电压为100V，容量为2uF。
安规电容是指用于这样的场合，即电容器失效后，不会导致电击，不危及人身安全. 它包括了X电容和Y电容。
X电容是跨接在电力线两线（L-N）之间的电容，一般选用金属薄膜电容；Y电容是分别跨接在电力线两线和地之间（L-E，N-E）的电容，一般是成对出现。
基于漏电流的限制，Y电容值不能太大，一般X电容是uF级，Y电容是nF级。
X电容抑制差模干扰，Y电容抑制共模干扰。
在选择和安装WD102K安规电容时，需要确保它符合相关的安全标准和规定，以确保电路的安全和稳定运行。
同时，还需要注意电容器的容量、电压、工作温度等参数，以确保其适应特定的应用场景。
以上信息仅供参考，如需了解更多关于WD102K安规电容的信息，建议查阅相关的产品手册或咨询专业的技术人员。
电容器参数大全
电容器电容器通常简称其为电容，用字母C表示。
电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。
定义2：电容器，任何两个彼此绝缘且相隔很近的导体（包括导线）间都构成一个电容器。
相关公式电容器的电势能计算公式：E=CU^2/2=QU/2多电容器并联计算公式：C=C1+C2+C3+…+Cn多电容器串联计算公式：1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn三电容器串联C=(C1*C2*C3)/(C1*C2+C2*C3+C1*C3)标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量。
在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等，换算关系是：1法拉(F)= 1000毫法(mF)＝1000000微法(μF) 1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。
容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10 μF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。
三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇，第三位数宇表示有效数字后面零的个数，它们的单位都是pF。
如：102表示标称容量为1000pF。
221表示标称容量为220pF。
224表示标称容量为22x10(4)pF。
在这种表示法中有一个特殊情况，就是当第三位数字用"9"表示时，是用有效数宇乘上10的-1次方来表示容量大小。
如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。
允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%。
电解电容主要全参数
1 漏电流电解电容器的氧化膜介质,不是一层完美无暇的绝缘层,在其表面或多或少地存在有各种极微小的疵点、空洞、以及缝隙之类的缺陷,在外加电压的作用下,这些缺陷处的电子和离子作定向运动,就形成了电容器的介质漏电流。
另一方面,电容器两引出端之间及表面不可能很清洁,存在有一定的杂质离子,这些杂质离子同样在外加电压的作用下作定向运动,这就形成了电容器的表面漏电流。
因此电容器的漏电流由两部分组成，即介质漏电流和表面漏电流。
铝电解电容器的漏电流I可用式（1）表示：I=KC R U R (1)式中I ——漏电流，μA；K——漏电流常数，μA/V·μF；K值一般为0.05～0.002μA/ V·μF；C R——标称电容量，μF;U R——额定电压，V。
影响铝电解电容器漏电流的因素是较多的,主要有：1.1 杂质含量电容器中含有杂质,如和等,将破坏介质氧化膜的绝缘性能,使电容器的漏电流增大。
电容器中的杂质来源,无非有两个方面,一方面是来自原材料,如阴阳极箔、电解纸、电解液中的化工材料等；另一方面是来自生产工艺，即生产过程的清洁程度。
1.2 氧化膜质量由于腐蚀和化成工艺的影响,化成箔的漏电流将直接影响到电容器的漏电流大小。
1.3 温度的影响第1页共9页温度越高,电容器内部杂质离子的迁移能力急剧增加,杂质离子破坏介质氧化膜的作用也更剧烈,所以漏电流也越大。
1.4 施加电压大小的影响施加于电容器上电压越高,杂质离子参加导电的数目增多,漏电流大。
1.5 施加电压时间长短的影响测试电容器漏电流时,表头指示的电流值中由三部分组成,即位移电流,吸收电流和漏电流。
位移电流和吸收电流迅速减小,只有漏电流才是不变的,所以漏电流就是测试时间足够长后,表头所指示的电流值。
铝电解电容器漏电流测试时间,根据用户对产品漏电流指标的不同要求,一般规定为1～2分钟。
1.6 储存期储存期间,电容器内部的杂质离子破坏介质氧化膜,还有电解液中的水分侵蚀介质氧化膜等,都会使电容器的漏电流增大。
电容规格介绍
电容器种类依照主要材质特性分为电解质电容, 电解质芯片电容, 塑料薄膜电容, 陶瓷电容, 及陶瓷芯片电容等大类别.1. 电解质电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型 (>11mm高度), 迷你型 (7mm高度), 超迷你型 (5mm高度), 耐高温型 (10 5℃), 低漏电型, 迷你低漏电型 (7mm高度), 双极性型, 无极性型, 及低内阻型 (Low ESR)等.2. 电解质芯片电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为标准型芯片, 耐高温型芯片 (105℃), 无极性型芯片, 及钽质芯片等.3. 塑料薄膜电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为聚乙烯薄膜, 金属化聚乙烯薄膜, 聚乙脂薄膜, 聚丙烯薄膜, 直流用金属化聚丙烯薄膜, 及交流用金属化聚丙烯薄膜等.4. 陶瓷电容器种类: 依照细部材质, 形状, 及功能特性可再区分为Class-1 (T.C. Type)温度补偿型, Class-2 (Hi-K Type)高诱电型, Class-3 (S.C. Type)半导体型等.5. 陶瓷芯片电容种类: 依照尺寸及额定功率特性可再区分为0402, 0603, 08 05, 1206等较具普遍性.电容器主要电气规格1. 电容量Capacitance: 一般电解电容器的电容量范围为0.47uF-10000u F, 测试频率为120Hz. 塑料薄膜电容器的电容量范围为0.001uF-0.47uF, 测试频率为1KHz. 陶瓷电容器T/C type的电容量范围为1 pF-680pF, 测试频率为1MHz. Hi-K type的电容量范围为100pF-0.047uF, 测试频率为1KH z. S/C type的电容量范围为0.01uF-0.33uF.2. 电容值误差Tolerance: 一般电解电容器的电容值误差范围为M 即 +/-2 0%, 塑料薄膜电容器为J即 +/-5%或K即 +/-10%, 或M即 +/-20%三种, 陶瓷电容器T/C type为C即 +/-0.25pF (10pF以下时), 或D即 +/-0.5pF (10pF 以下时), 或J或K四种. Hi-K type 及S/C type为K或M或Z即 +80/-20%三种.3. 损失角即D值: 一般电解电容器因为内阻较大故D值较高, 其规格视电容值高低决定, 为0.1-0.24以下. 塑料薄膜电容器则D值较低, 视其材质决定为0.001-0.01以下. 陶瓷电容器视其材质决定, Hi-K type 及S/C type为0.025以下. T/C type其规格以Q值表示需高于400-1000. (Q值相当于D值的倒数)4. 温度系数Temperature Coefficient: 即为电容量受温度变化改变之比例值, 一般仅适用于陶瓷电容器. T/C type其常用代号为CH或NPO 即为 +/-60ppm, UJ即为 -750+/-120ppm, SL即为 +350+/-1000ppm. Hi-K type (Z)及S/C type (Y), 其常用代号为B (5P)即为 +/-10%, E (5U)即为 +20/-55%, F (5 V)即为 +30/-80%.5. 漏电流量Leakage current: 此为电解电容器之特定规格, 一般以电容器本身额定电压加压3 Min后, 串接电流表测试, 其漏电流量需在0.01CV ( uF 电容量值与额定电压相乘积) 或3uA以下 (取其较大数值). 特定低漏电流量使用 (Low leakage type) 则其漏电流量需在0.002CV或0.4uA以下.6. 冲击电压Surge Voltage: 一般以电容器本身额定电压之1.3倍电压加压, 需工作正常无异状.7. 使用温度范围: 一般电解电容器的使用温度范围为 -25℃至+85℃, 特定高温用或低漏电流量用者为 -40℃至+105℃. 塑料薄膜电容器为 -40℃至+8 5℃. 陶瓷电容器T/C type为-40℃至+85℃, Hi-K type 及S/C type为 -25℃至+85℃.如何选用规格适当之电容器1. 所有被动组件中, 电容器属于种类及规格特性最复杂的组件. 尤其为了配合不同电路及工作环境的需求差异, 即使是相同的电容量值与额定电压值, 亦有其它不同种类及材质特性的选择.2. 以电解电容器为例, 由于其电容量值较大, 虽然能和塑料薄膜电容器或陶瓷电容器互相区隔.实际使用上仍有下述各种特性差异:A. 使用温度范围: 需选定一般型 -25℃至+85℃或耐高温型 -40℃至+105℃B. 使用高度限制: 传统A/I标准型最低高度为11mm, 迷你型为7mm, 超迷你型为5mm(相当于芯片电解电容器之高度).C. 电容量误差值: 较高额定电压或电容量大于100uF时, 有一般型为 +100/-10%或 M型 +/-20%.2楼D. 低漏电流量特性: 用于某些特定电路, 与充放电时间常数准确性有关时. (相当于Tantalum钽质电容特性)E. Low ESR低内阻特性: 用于某些滤波电路, 需配合高频脉波大电流之滤波效果.例如交换电源之滤波电路.F. Bipolar 双极性特性: 用于高频脉波电路, 需配合高频脉波大电流之通路效果.例如推动偏向线圈之水平输出电路.G. Non-polar无极性特性: 用于低频高波幅之音频信号通路, 用以避免因电容器两端之正逆向偏压, 造成输出波形失真.H. 以上为一般A/I电解电容器, 而芯片电解电容器亦同样有标准型, 耐高温型, 低漏电流量型 (即钽质芯片电容), 无极性特性等分类.3. 以陶瓷电容器为例, 其材料特性区分为3类. Class 1 T/C温度补偿型供高频谐振电路用, Class 2 Hi-K与Class 3 S/C为滤波及信号通路用, 由于其电容量值部分类似, 且与塑料薄膜电容器亦数值接近, 需特别注意特性选用.A. Class 1容量范围为1 pF-680 pF, 可视高频电路需要, 选择CH零温度补偿型 (例如RC谐振电路, 不需补偿温度系数), UJ负温度补偿型 (例如LC谐振电路,需补偿线圈正温度系数), SL无控制温度补偿型 (例如高频补偿, 非谐振电路, 不需考虑温度影响).B. Class 2 Hi-K容量范围为100 pF-0.047 uF与Class 3 S/C容量范围为0.01 uF-0.33 uF, 两者特性接近. 一般后者外型较小, 成本低, 但耐压规格较低.C. 需注意100 pF-680 pF范围内, Class 1与 Class 2电容器之Q值相差极大, 电路上不可误用.4. 以塑料薄膜电容器为例, 各类不同材质特性, 可配合不同之电路应用. 其共同特性为容量不受温度影响, 适合中低频电路使用.A. 聚丙烯 (代号PPN或PPS) 材质之损失角最低, 可适用于高电压脉波电路工作. PPS材质为 1KV以上使用, PPN材质为 1KV 以下使用.B. 金属化聚丙烯 (代号MPPN) 材质耐电压较高, 适用于DC高电压或AC电源电路工作.使用于AC电源电路者, 必须符合AC电源安规验证, 一般称为X2电容.C. 聚乙脂 (代号PS) 损失角低且容量较低, 高频特性良好, 可适用于中低频谐振电路工作.D. 金属化聚乙烯 (代号MPE) 容量范围广及无电感特性, 可适用于一般脉波电路工作. 代号MEF者, 亦为MPE类材质, 但具有Flame-retardant防火特性.E. 聚乙烯 (代号PE分为有电感特性PEI及无电感特性PEN两种) 其损失角较大, 但因成本较低, 可适用于一般直流或低频电路工作.F. 所有金属化之塑料薄膜电容器, 均具有self-healing自行回复特性, 材质被高压击穿后, 只要移去高压, 即可自行回复原有功能.安规电容器X Cap及 Y Cap 附加说明1. X cap are line to line, 0.1-1 uF. X1 for 3 phase line impulsed voltage tested at 4KV, X2 for AC wall-let impulsed voltage tested at 2.5 KV.2. Y cap are line to neutral ground. 4700 pF. small to limit AC leakage current. Y1 for double insulation impulsed tested at 8KV, Y2 for basic insulation im pulsed tested at 5KV.3. Capacitor Discharge: The capacitor discharge test ensures that if an ac plug is abruptly removed from its receptacle, the voltage across the line and neutral terminals will not exceed a safe level. Per UL 1950, voltage across a capac itance greater than 0.1 μF must decay to 37% of the ac-input peak voltage i n 1 second for type A equipment and 10 seconds for type B equipment. IEC 6 1010-1 requires that the pins not be hazardous (live) at 5 seconds after discon nection from the supply.各类电容器参考规格电解质电容 Electrolytic Capacitor种类 (Mini) >=11mm (Super-Mini) 7mm (Ultra-Mini) 5mm额定电压 6.3-100V 160-450V 6.3-63V 6.3-50V容值范围 (120Hz) 0.47-10000uf 0.47-220uf 0.47-470uf 0.1-220uf∙2007-6-24 20:40∙回复3楼容值误差 (120Hz) M M M M温度范围 -40℃--+85℃ -25℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+105℃漏电流 (3 Min.) <=0.01 CV 或 3 uA <=0.03 CV 或 3 uA <=0.03 CV 或 3 uA <= 0.01 CV 或 3 uA损失角 (120Hz) <=0.08--0.22 <=0.16--0.20 <=0.1--0.24 <=0.1--0.24种类 (High Temp.) >=11mm (Low leakage) >=11mm (Mini / Low leakage) 7 mm额定电压 6.3-100V 160-450V 6.3-63V 6.3-63V容值范围 (120Hz) 0.47-10000uf 0.47-220uf 0.47-1000uf 0.47-100uf容值误差 (120Hz) M M M M温度范围 -40℃--+105℃ -25℃--+105℃ -40℃--+105℃ -40℃--+105℃漏电流 (3 Min.) <=0.01 CV 或 3 uA <=0.03 CV 或 3 uA <=0.002CV或0.4uA < =0.002CV或0.4uA损失角 (120Hz) <=0.08--0.22 <=0.15--0.24 <=0.1--0.24 <=0.1--0.24种类 (Bipolar) >=26mm (Nonpolar)>=11mm (Low ESR)额定电压 25/50V 10-160V 6.3-63V 6.3-100V 160-450V容值范围 (120Hz) 2.2-10uf 0.47-1000uf 0.47-100uf 4.7-3300uf 3.3-330uf容值误差 (120Hz) M M M温度范围 -40℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+85℃ -55℃--+105℃ -40℃--+10 5℃漏电流 (3 Min.) <=100uA <=0.03 CV 或 4 uA <=0.03 CV 或 3 uA损失角 (120Hz) <=0.05 <=0.15-0.25 <=0.12--0.24Ripple Current 6-8 Amp电解质芯片电容 Electrolytic Chip Capacitor种类 Electrolytic (General) Electrolytic (Hi-Temp.) Electrolytic (Non-polar) Tant alun Chip电容值范围 0.1-1000uf 0.1-1000uf 0.1-47uf 0.1---220 uf额定电压范围 6.3-100V 6.3-100V 6.3-50V 6.3---50 V容值误差范围 M M M K / M温度范围 -40℃--+85℃ -40℃--+105℃ -40℃--+85℃ -55℃--+125℃漏电流 <=0.01 CV 或 3 uA <=0.01 CV 或 3 uA <=0.01 CV 或 3 uA 0.01 CV 或 5 uA损失角 <=0.1-0.35 <=0.1-0.3 <=0.15-0.3 <=0.04-0.08塑料薄膜电容器 Plastic Film Capacitor 金属化聚乙烯种类 Polyester 聚乙烯 Metallized Polyester Polystrene 聚乙脂电容值范围 0.001-0.47uf 0.01-10uf 100-10000pf额定电压范围 50/100/200/400V 50/100/250/400/630V 50/100/125/250/500V 容值误差范围 J, K, M. J, K, M. G, J, K.温度范围 -40℃--+85℃ -40℃--+85℃ -40℃--+85℃损失角(1KHz) <=0.006 <=0.01 <=0.001Withstand Voltage 200% 1 Min. 175% 3 Sec.Inductive / 代号 No/Yes, PEN(Red)/PEI(Green) No / MPE (Red) No / PS金属化聚丙烯种类 Polypropylene 聚丙烯 Metallized Polypropylene Metallized Polypropylen e 金属化聚丙烯电容值范围 0.001-0.68uf 0.01-3.3uf 0.001-0.47uf额定电压范围 50/100/250/400/630/1000V 100/250/400/630V 250/275VAC容值误差范围 J, K, M. G, J, K. K(>0.01uf), M(<0.01uf)温度范围 -40℃--+85℃ -40℃--+85℃ -40℃--+85℃损失角(1KHz) <=0.0008 <=0.001 <=0.001Withstand Voltage 250 % Rated Voltage DC 2000V / 1Sec. DC 2000V / 1Sec. Inductive / 代号 No, PPN / PPS (Hi-Voltage) No / MP No / MPX (X2 Cap.)Acros s the line cap.陶瓷芯片电容 (MLCC)Multi-layer Ceramic Chip型号 0402 0603 0805 1206尺寸 inch 0.04L*0.02W 0.06L*0.03W 0.08L*0.05W 0.12L*0.06W额定电压 16/25/50V 10/16/25/50V 10/16/25/50V 25/50/100/200/500V温度系数 COG (NPO) X7R Y5V容值范围 <=220pf温度范围 -55℃--+125℃ -55℃--+125℃ -30℃--+85℃容值误差 F 或 G 或 J 或 K J 或 K 或 M +80/-20% 或 MD值 (1KHz) <=0.0015 <=0.025 <=0.05陶瓷电容 Ceramic Disc ChipClass-1 (T.C. Type) CH (NPO+/_ 60) UJ (-750+/_120) SL (+350/_1000)容值范围 <=680pf <=680pf <=680pf温度范围 -55℃--+85℃ -55℃--+85℃ -40℃--+85℃容值误差 C/D/J/K C/D/J/K C/D/J/KQ值 (1MHz) <=30pf Q>=400+20C <=30pf Q>=400+20C <=30pf Q>=400+20C >30pf Q>1000 >30pf Q>1000 >30pf Q>1000Class-2 (Hi-K Type) B(Y5P) +/_10% E(Z5U) +20/-55% F(Z5V) +30/-80%容值范围 100pf-0.047uf 100pf-0.047uf 100pf-0.047uf温度范围 -25℃--+85℃ +10℃--+85℃ +10℃--+85℃容值误差 K M +80/-20%额定电压 50/63/100/500/630/1KVD值 (1KHz) <=0.025 <=0.025 <=0.05Class-3 (S.C. Type) B(Y5P) +/_10% E(Y5U) +20/-55% F(Y5V) +30/-80%容值范围 0.01uf-0.33uf 0.01uf-0.33uf 0.01uf-0.33uf温度范围 -25℃--+85℃ -25℃--+85℃ -25℃--+85℃容值误差 K M +80/-20%额定电压 16/25/50/63VD值 (1KHz) <=0.025 <=0.025 <=0.05。
安规电容耐压值
安规电容耐压值
电容耐压值是指一种高压装置在实际应用时，在指定的电压及规定的温度及时间内，
所能承受的最大电压，在设备维护与安全性方面，电容耐压值对于制造者和使用者而言都
是极为重要的。
现今，电容式无线电配套系统的使用，都要设计到电容耐压值，当今国家对于大多数
电子设备的安规要求是电容耐压值不少于800V；如果电容耐压值小于800V，那么这些产
品可能会受到一些技术性问题的困扰，从而影响产品的正常使用。
电容耐压值在电子技术中非常重要，如果耐压值过低，那么电子设备可能会受到电击、过热或者其他各种故障，影响正常使用;而要想达到安全的程度，电容耐压值也要特别注重，一般来说，根据专业的标准规定，电容耐压值不少于800V为最低要求，若大于800V，则电容耐压系数会随着耐压值的增大而减小，就是说同样大小的电容，在800V以下的情
况下耐压值会大于800V，在800V以上的情况下耐压值会小于800V；另外，还应该注意电
压的持续时间，应该经受一定时间的规定的高压是耐压的一个重要指标，并要考虑电压的
影响等。
因此，总之，根据国家对于大多数电子设备安规的要求，电容耐压值不少于800V，耐压要求应当根据电容的物理属性来确定，以确保设备的安全性以及正常使用。
常用电容知识与种类大全
一：电解电容：1．铝电解电容：电容量：0.47--10000u / 额定电压：6.3--450V / 主要特点：体积小，容量大，损耗大，漏电大 / 应用：电源滤波，低频耦合，去耦，旁路等2．钽电解电容（CA）铌电解电容（CN）：电容量：0.1--1000u / 额定电压：6.3--125V / 主要特点：损耗、漏电小于铝电解电容 / 应用：在要求高的电路中代替铝电解电容二：无极电容：1．瓷片电容：A．低频瓷介电容（CT）: 电容量：10p--4.7u / 电压：50V--100V / 特点：体积小，价廉，损耗大，稳定性差/ 应用：要求不高的低频电路。
B: 高频瓷介电容（CC）: 电容量：1--6800p / 额定电压：63--500V / 主要特点：高频损耗小，稳定性好/ 应用：高频电路。
2．独石电容：容量范围：0.5PF--1UF 耐压：二倍额定电压主要特点：电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定，耐高温耐湿性好,温度系数很高应用范围：广泛应用于电子精密仪器,各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。
独石又叫多层瓷介电容，分两种类型，I型性能挺好，但容量小，一般小于0.2U，另一种叫II型，容量大，但性能一般3．CY-云母电容：电容量：10p--0。
1u 额定电压：100V--7kV 主要特点：高稳定性，高可靠性，温度系数小。
应用：高频振荡，脉冲等要求较高的电路4．CI-玻璃釉电容：电容量：10p--0.1u 额定电压：63--400V 主要特点：稳定性较好，损耗小，耐高温（200度）。
应用：脉冲、耦合、旁路等电路5．空气介质可变电容器：可变电容量：100--1500p 主要特点：损耗小，效率高；可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等应用：电子仪器，广播电视设备薄膜介质可变电容器可变电容量：15--550p 主要特点：体积小，重量轻；损耗比空气介质的大应用：通讯，广播接收机等。
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安规电容及电解电容参数
2.8安规电容
①安规件, 本体呈扁圆形,蓝色, 在SPS中主要跨接于初次级中间.
②其本体都有容值﹑误差﹑安规MARKING﹑电压﹑类型(Y1或Y2)等标示.
③容值误差: M=±20%
④耐压为: 250V AC,
⑤PIN脚成型方式: 有直脚和KINK两种方式.
X1,X2,X3以及Y1,Y2,Y3,Y4指的是安全等级.
具体如下:
安规电容安全等级应用中允许的峰值脉冲电压过电压等级(IEC664)
X1 >2.5kV ≤4.0kV Ⅲ
X2 ≤2.5kV Ⅱ
X3 ≤1.2kV ——
安规电容安全等级绝缘类型额定电压范围
Y1 双重绝缘或加强绝缘≥250V
Y2 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V
Y3 基本绝缘或附加绝缘≥150V ≤250V
Y4 基本绝缘或附加绝缘<150V
Y电容的电容量必须受到限制,从而达到控制在额定频率及额定电压作用下,流过它的漏电流的大小和对系统EMC性能影响的目的.GJB151规定Y电容的容量应不大于0.1uF.Y电容除符合相应的电网电压耐压外,还要求这种电容器在电气和机械性能方面有足够的安全余量,避免在极端恶劣环境条件下出现击穿短路现象,....
..................
2.9铝箔干式电解电容器:
工作电压(working voltage)简称WV,为绝对安全值;若是surge voltage(简称SV或Vs),就是涌浪电压或崩溃电压;,超过这个电压值就保证此电容会被浪淹死─小心电容会爆!根据国际IEC 384-4规定,低于315V时,Vs=1.15×V r,高于315V时,Vs=1.1×V r.Vs是涌浪电压,V r是额定电压(rated voltage).
电容器的电荷能量是以Q＝CV来表示,Q是库伦,C是静电容量,V是电压;故当电压值不变时,加大静电容量就能增高电荷能量.请注意,电容器的容量单位应是F(farad),可是因计量太高造成数值偏低,故多改用μF,1F=一百万μF.国外也有用mF表示μF,其实mF不十分贴切,但机械式打字机上没有μ键,故用m代表micro.
散逸因数─损失角
散逸因数dissipation factor(DF)存在于所有电容器中,有时DF值会以损失角tanδ表示.想想,损失角,既有损失,当然愈低愈好.塑料电容的损失角很低,但铝电解电容就相当高.DF值是高
还是低,就同一品牌、同一系列的电容器来说,与温度、容量、电压、频率……都有关系;当容量相同时,耐压愈高的DF值就愈低.举实例做说明,同厂牌同系列的10000μF电容,耐压80V 的DF值一定比耐压63V的低.所本刊选用滤波电容常会找较高耐压者,不是没有道理.此外温度愈高DF值愈高,频率愈高DF值也会愈高.
漏…漏电流
铝电解电容在工作时一定会产生漏电流.
漏电流(leakage current)当然要低,它的计算公式大致是:I＝K×CV.漏电流I的单位是μA,K是常数,例如是0.01或0.03,每家制造厂会选择不同的常数.但不论如何,电容器容量愈高,漏电流就愈大.如果你有容量愈大平滑效果愈好的想法,这个「漏电流」也请考虑在内.从计算式可得知额定电压愈高,漏电流也愈大,因此降低工作电压亦可降低漏电流.
但降低电容器的漏电流并不容易,低漏电流low leakage current-LL系列价格高昂,我曾向国内厂商订制一批低漏电流LL系列电容,价格比许多进口电容还贵.漏电流规格,铝电解电容就比钽电解电容差许多,钽质电容也有干式及湿式两种,不过它的容量及耐压都较低.
除特别定制外,面对一般品,想要降低它的漏电流可设法提高Vs对V r的比值.Vs是涌浪电压,其值当然比V r额定电压高,但施加电压(真正的工作电压)还应该比V r低,例如取V r的90%;找高耐压品种可说是完全正确.
等效串联电阻ESR
一只电容器会因其构造而产生各种阻抗、感抗,比较重要的就是ESR等效串联电阻及ESL等效串联电感─这就是容抗的基础.电容器提供电容量,要电阻干嘛?故ESR及ESL也要求低…低;但low ESR/low ESL通常都是高级系列.
ESR的高低,与电容器的容量、电压、频率及温度…都有关,当额定电压固定时,容量愈大ESR愈低.有人习用将多颗小电容并接成一颗大电容以降低阻抗,其理论是电阻并联阻值降低.但若考虑电容接脚焊点的阻抗,以小并大,不见得一定会有收获.
反过来说,当容量固定时,选用高WV额定电压的品种也能降低ESR;故耐压高确实好处多多.频率的影响:低频时ESR高,高频时ESR低;当然,高温也会造成ESR的提升.
串联等效电阻ESR的单位是mΩ,高级系列电容常是low ESR及low ESL.若比较低内阻及低漏电流两种特性,则低内阻容易达成,故标示low ESR的电容倒很常见.ESR与损失角有关联,ESR＝tanδ/(ω×Cs),Cs是电容量.
有时电容器规格上会有Z,它与ESR的意义不同,但Z的计算示与ESR有关,同时也考虑到容抗及感抗,是真正的内阻.刚才提到电容的ESR单位是mΩ,那是指大电容,若是220μF小容量电容,其ESR单位就不是mΩ而是Ω.何种电容器的ESR最低?答案只有一个:Sanyo的OS 有机半导体电容!
涟波电流Irac
前面谈到的散逸因数DF-损失角tanδ、漏电流、ESR-串联等效电阻…等,其值都是愈低愈好,但现在要提的涟波电流ripple current却是愈高愈好.
涟波电流Irac的标示至少应有低频及高频工作时两种规格数字,低频大约是以120Hz做标准,高频大概是以10KHz做标准,但不同制造厂商可能会有略微的差别.
涟波电流与频率刚好成正比,因此低频时涟波电流也比较低.可是对我们音响迷来说,低频段的Irac值才是重要.所以在采购电容器时,涟波电流数字高低是极为重要的依据.在一般状况下,同品牌时,锁螺丝式电容的涟波电流通常比snap-in插PC板式来得高.
储存及工作寿命
比起电阻、IC、电晶体、塑料电容这些半永久性组件,铝电解电容的寿命就值得重视.一是储存年限,自然与寿命有关,10~20年应无问题.存放过久的电容不宜立刻使用,利用power supply 先将它aging(活化);夹上端子,缓慢调整power supply电压,由低至高,最高可调至此电容的额定电压.
---- 以上节选青春之歌《零件培训资料2.8,2.9章节》。