成都集成电路芯片封装生产制造项目规划实施方案
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成都集成电路芯片封装生产制造项目
规划实施方案
规划设计/投资分析/产业运营
报告说明—
封装是集成电路产业链必不可少的环节,位于整个产业链的下游环节。在整个产业链中,封装是指通过测试的晶圆进行划片、装片、键合、塑封、电镀、切筋成型等一系列加工工序而得到的具有一定功能的集成电路产品
的过程。
该集成电路芯片封装项目计划总投资8926.36万元,其中:固定资产
投资7413.35万元,占项目总投资的83.05%;流动资金1513.01万元,占
项目总投资的16.95%。
达产年营业收入10982.00万元,总成本费用8675.58万元,税金及附
加159.44万元,利润总额2306.42万元,利税总额2783.99万元,税后净
利润1729.82万元,达产年纳税总额1054.18万元;达产年投资利润率
25.84%,投资利税率31.19%,投资回报率19.38%,全部投资回收期6.66年,提供就业职位196个。
集成电路封装:在电子学金字塔中的位置既是金字塔的尖顶又是金字
塔的基座。说它同时处在这两种位置都有很充分的根据。从电子元器件
(如晶体管)的密度这个角度上来说,IC代表了电子学的尖端。但是IC又是一个起始点,是一种基本结构单元,是组成我们生活中大多数电子系统
的基础。同样,IC不仅仅是单块芯片或者基本电子结构,IC的种类千差万
别(模拟电路、数字电路、射频电路、传感器等),因而对于封装的需求
和要求也各不相同。本文对IC封装技术做了全面的回顾,以粗线条的方式介绍了制造这些不可缺少的封装结构时用到的各种材料和工艺。
目录
第一章项目概况
第二章投资单位说明
第三章投资背景和必要性分析第四章产业研究分析
第五章建设内容
第六章选址方案评估
第七章土建方案说明
第八章工艺技术方案
第九章环境保护可行性
第十章安全规范管理
第十一章风险评价分析
第十二章节能
第十三章进度计划
第十四章项目投资情况
第十五章项目经营收益分析
第十六章项目结论
第十七章项目招投标方案
第一章项目概况
一、项目提出的理由
近日,国家发改委称,将在集成电路、先进计算等关系数字经济发展
的战略性领域,组建若干国家产业创新中心,促进现有创新资源的联合,
打造系统解决方案的产业创新大平台、大团队,支撑世界级新兴产业集群
的发展。国家支持集成电路等产业的创新发展,为行业发展带来市场机遇。
中国集成电路封装行业技术演变路程漫漫,集成电路封装在电子学金
字塔中的位置既是金字塔的尖顶又是金字塔的基座。目前,我国集成电路
产业正处于一个快速发展阶段,集成电路封装行业因为符合国家战略发展
方向,有完善的政策资金支持,一直保持着稳定增长的势头。
二、项目概况
(一)项目名称
成都集成电路芯片封装生产制造项目
(二)项目选址
某经济示范中心
成都,简称蓉,别称蓉城、锦城,是四川省省会、副省级市、特大城市、成都都市圈核心城市,国务院批复确定的中国西部地区重要的中心城市,国家重要的高新技术产业基地、商贸物流中心和综合交通枢纽。截至2018年,全市下辖11个区、4个县,代管5个县级市,总面积14335平方
千米。2019年末,建成区面积949.6平方公里,常住人口1658.10万人,
城镇人口1233.79万人,城镇化率74.41%。成都地处中国西南地区、四川
盆地西部、成都平原腹地,境内地势平坦、河网纵横、物产丰富、农业发达,属亚热带季风性湿润气候,自古有天府之国的美誉;是西部战区机关
驻地,作为全球重要的电子信息产业基地,有国家级科研机构30家,国家
级研发平台67个,高校56所,各类人才约389万人;2019年世界500强
企业落户301家。成都是国家历史文化名城,古蜀文明发祥地。境内金沙
遗址有3000年历史,周太王以一年成邑,二年成都,故名成都;先后有7
个割据政权在此建都;一直是各朝代的州郡治所;汉为全国五大都会之一;唐为中国最发达工商业城市之一,史称扬一益二;北宋是汴京外第二大都会,发明世界上第一种纸币交子。拥有都江堰、武侯祠、杜甫草堂等名胜
古迹,是中国优秀旅游城市。成都先后获世界最佳新兴商务城市、中国内
陆投资环境标杆城市、国家小微企业双创示范基地城市、中国城市综合实
力十强、中国十大创业城市、中国外贸百强城市排名第18等荣誉,正加快
建设具有全国引领力、全球竞争力的世界文创名城。
项目选址应符合城乡建设总体规划和项目占地使用规划的要求,同时
具备便捷的陆路交通和方便的施工场址,并且与大气污染防治、水资源和
自然生态资源保护相一致。投资项目对其生产工艺流程、设施布置等都有
较为严格的标准化要求,为了更好地发挥其经济效益并综合考虑环境等多
方面的因素,根据项目选址的一般原则和项目建设地的实际情况,该项目选址应遵循以下基本原则的要求。
(三)项目用地规模
项目总用地面积30315.15平方米(折合约45.45亩)。
(四)项目用地控制指标
该工程规划建筑系数75.67%,建筑容积率1.22,建设区域绿化覆盖率7.60%,固定资产投资强度163.11万元/亩。
(五)土建工程指标
项目净用地面积30315.15平方米,建筑物基底占地面积22939.47平方米,总建筑面积36984.48平方米,其中:规划建设主体工程26060.49平方米,项目规划绿化面积2810.84平方米。
(六)设备选型方案
项目计划购置设备共计81台(套),设备购置费3374.79万元。
(七)节能分析
1、项目年用电量1044902.17千瓦时,折合128.42吨标准煤。
2、项目年总用水量8902.38立方米,折合0.76吨标准煤。
3、“成都集成电路芯片封装生产制造项目投资建设项目”,年用电量1044902.17千瓦时,年总用水量8902.38立方米,项目年综合总耗能量(当量值)129.18吨标准煤/年。达产年综合节能量45.39吨标准煤/年,项目总节能率28.27%,能源利用效果良好。