阻容吸收电路
直流电力机车主电路阻容吸收回路电阻过热烧损故障的原因分析及解决措施
２ ． ４ 吸收 电阻阻值小
流增大 的影 响 ， 吸收电阻就会在 短时问 内烧损 。 目前 的交 直交机 车变频 器几 乎都 采用 Ｐ ＷＭ 控 制方 式 ， 这 样 的脉 冲调制形 式使 得 变频 器运 行 时在 电源侧 产生 高次 谐 波 电 流 ， 并 造成 电压 波 形 畸 变 ，
５ ６个 。
２
．
阻 容 吸 收 回路 电 阻 过 热烧 损 原 因 分 析
尽管 和谐 型 交 流 电力 机 车 对 电网 的影 响 已经
Ｘ
２ ． １ 过 电流 、 过 电压对 阻容 吸 收 回路 的影 响
图１ ｓ Ｓ ６ Ｂ型直流机 车的主电路阻容吸收 回路
如图１ 所示 ， Ｓ Ｓ ６ Ｂ型直流 机车 主 电路 阻容 吸 收 回路并 联在 主变 压器各 次边 绕组 上 ， 和并联 在 牵 引 绕组上 的非 线性 电 阻对 过 电压进 行 抑制 ， 而 与主 整 流器各 整 流元件 并联 的 电阻 电容 ， 用 以抑 制 整流 器 的换 向过 电压及 调 节过 电压 。
阻元件散热条件的改进 ， 改善 了高次谐 波对 直流 电力机 车的干扰， 有效解决了电阻元件的烧损 问
题。
关键词 ： 直流 电力机车 ； 主电路 ； 阻容保护；故障分析
中图分 类号 ： Ｕ ２ ６ ４ ． ６ 文 献标 识码 ： Ｂ 文章 编号 ： ２ ０ ９ ５ ４９ ０ １ （ ２ ０ １ ３） １ ２ － ０ ０ ４ ３ － ０ ３
以过 电流 引起 阻容 吸 收 回路 的 电 阻烧 损 故 障
得 到很大 改 善 ， 但 是 由 于电传 动系 统 网侧 变流 器 的 控制 特 性 ， 仍 会 出现 电 网 不 匹 配 问题 ， 主 要 是 低 频 振 荡和 高次谐 波谐 振 对 同一 供 电系 统 其 他 机 车 的
阻容吸收rc时间常数
阻容吸收rc时间常数
阻容吸收RC时间常数是电路中一个重要的参数，它描述了电路中的电容器和电阻器共同作用下，电容器充电或放电的速度。
在电路中，当一个电容器通过一个电阻器充电或放电时，电容器电压或电流的变化会遵循指数衰减的规律，而这种指数衰减的特性可以用RC 时间常数来描述。
RC时间常数的计算公式为：RC，其中R代表电阻值，C代表电容值。
RC时间常数越大，电路的响应速度就越慢，电容器充电或放电的时间就越长；反之，RC时间常数越小，电路的响应速度就越快，电容器充电或放电的时间就越短。
在实际电路设计中，我们可以通过调节电阻值和电容值来控制RC 时间常数，从而实现对电路响应速度的调节。
如果我们希望电路的响应速度较快，可以选择较小的RC时间常数；如果我们希望电路的响应速度较慢，可以选择较大的RC时间常数。
在直流电路中，RC时间常数还可以用来描述电路的稳定性和响应特性。
当电路的RC时间常数很大时，电路的响应速度较慢，电压或电流变化较平缓，电路更加稳定；反之，当电路的RC时间常数较小时，电路的响应速度较快，电压或电流变化较剧烈，电路的稳定性较差。
除了在直流电路中，RC时间常数也在交流电路和信号处理中起着重
要作用。
在交流电路中，RC时间常数可以影响电路的频率响应和滤波特性；在信号处理中，RC时间常数可以影响信号的衰减速度和滤波效果。
总的来说，阻容吸收RC时间常数是电路中一个重要的参数，它不仅可以用来描述电路中电容器和电阻器的响应速度，还可以用来控制电路的稳定性和滤波特性。
在实际电路设计中，合理选择RC时间常数是非常重要的，可以帮助我们实现电路功能的最佳性能。
希望本文对读者有所帮助，谢谢阅读。
rcd阻容吸收电路
RCD（Residual Current Device，剩余电流设备）阻容吸收电路是一种用于限制和吸收电路中剩余电流的装置。
RCD主要由电阻、电容和二极管组成，其作用是在电源断开时，吸收和限制电弧电压，保护人身安全和设备。
RCD阻容吸收电路的工作原理如下：
1. 电源接通时，电阻和电容形成一个充放电回路。
此时，二极管处于截止状态，电流通过电阻和电容流动。
2. 电源断开时，电容器存储的电荷通过二极管放电。
由于二极管的导通电压约为1V，可以有效地限制电弧电压。
同时，电阻分压，使得电压降低，进一步保护人身安全和设备。
3. 电容器放电过程中，电阻分压产生的电压信号可以用于触发保护装置，如漏电保护开关。
RCD阻容吸收电路的设计要点包括：
1. 选择合适的电阻和电容值，以满足电路的充放电特性和限制电弧电压的要求。
2. 确定二极管的导通电压，确保其在电源断开时能够迅速导通，吸收电弧电压。
3. 考虑电路的响应速度，确保在电源断开瞬间，电容器能够快速放电，限制电压上升。
4. 设计时还要考虑设备的额定电压、电流等参数，以确保RCD在不同工况下的稳定性和可靠性。
RC吸收电路
RC吸收电路————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：缓冲电路（独立运行光伏发电系统功率控制研究-----内蒙古工业大学硕士论文） 开关管开通和关断理论上都是瞬间完成的，但实际情况开关管关断时刻下降的电流和上升的电压有重叠时间，所以会有较大的关断损耗。
为了使IGBT 关断过程电压能够得到有效的抑制并减小关断损耗，通常都需要给IGBT 主电路设置关断缓冲电路。
通常情况下,在设计关于IGBT 的缓冲电路时要综合考虑从IGBT 应用的主电路结构、器件容量以及要满足主电路各种技术指标所要求的IGBT 开通特性、关断特性等因素。
选用RCD 缓冲电路，结构如图4-5所示。
对缓冲电路的要求：尽量减小主电路的电感；电容应采用低感吸收电容；二极管应选用快开通和快速恢复二极管，以免产生开通过电压和反向恢复引起较大的振荡过电压。
（1）缓冲电容的计算()500.850.5184ce s r f ce I C t t uF V =+=⨯= （2）缓冲电阻的计算0.55029.4330.283on s s t us R C uF⨯===Ω⨯ （3）缓冲二极管的选择选用快速恢复二极管ERA34-10，参数为0.1A/1000V/0.15us 。
继电器RC 加吸收单元起到什么作用？接触器和继电器在断电时，线圈释放瞬间会产生一个浪涌脉冲，这个浪涌电压对某些敏感电子装置会有干扰，造成电子装置误动作或故障，因此在接触器和继电器线圈并联一个阻容吸收器来吸收这个脉冲。
一般安装吸收单元的接触器或继电器都是因为在他的同一电路中存在敏感电子电路，这些电路对浪涌脉冲比较敏感，所以这类电路中的接触器或继电器才加装吸收单元，吸收继电器线圈释放产生的脉冲和浪涌，避免电子电路的故障或误动作.RC吸收回路的作用，一是为了对感性器件在电流瞬变时的自感电动势进行钳位，二是抑制电路中因dV/dt对器件所引起的冲击，在感性负载中，开关器件关断的瞬间，如果此时感性负载的磁通不为零，根据愣次定律便会产生一个自感电动势，对外界辞放磁场储能，为简单起见，一般都采用RC吸收回路，将这部份能量以热能的方式消耗掉。
RC阻容吸收计算公式
阻容吸收器是一个频敏元件，不同于压敏元件（如避雷器）。
其可以看作一个典型的串联RC保护电路，R、C、L同时起作用。
一、电容选值操作过电压，其实质是开关开端时产生的电磁能量震荡过程。
在回路中没有保护器存在时，总电容值很小，导致震荡频率f很高。
电容的引入，可以大大提高回路总电容值，降低震荡频率。
最佳的效果应是降低频率正好到工频（50Hz），基本计算公式如下：f=ω/2π（1）ω=（1/LC－（R/2L）2）1/2 （2）由于每个电路的初始L和C都不同，最佳值是不可能得到的。
只能依据真空断路器大致的情况进行经验比较。
根据多年运行经验，取电容0.1μF时，一般可以将f限制在150Hz 以下，因此0.1就成为一个比较通用的值。
理论上讲，若对具体电路可以做到精确测算，容量再大些对保护效果会更好（这就是有些地方用0.2或0.15的原因），但若没有精确测算，导致f太小将造成副作用。
二、电阻选值R是一个阻尼元件，一方面对震荡频率有影响，一方面对电容器保护有利。
对震荡频率的影响可以参考上面的公式（2），R不应小于其临界值2（L/C）1/2，否则对降低频率不利。
所以存在电阻值不应小于100Ω的说法。
R值高同样有利于保护电容本身安全，防止电容过载烧毁。
故一般高安全性的阻容吸收装置，都适当的增大了R的值（一般最高做到400Ω）。
但是R值如果太大，将大大提高时间常数，导致暂态时间延长，不利于保护的高效性。
所以我们希望R能够是一个压敏元件，在低压下电阻尽可能大，以保护电容；在高压下达到百欧姆级，以利于工作。
自控式阻容吸收器的最主要改革就在于此。
而且这样改革后，额外的起到了限制正常电压下阻容吸收器接地电流的作用，不会造成以往出现的阻容吸收器接地电流引发系统误判断的问题，简化了整体设计非线性阻容吸收器选用的7个关键词作者：阅读人次：295 发布时间：2010-10-21 17:14:01 关键词：阻容吸收过电压操作过电压阻容吸收器是一种特殊的吸收操作过电压设备，由于工作原理上与氧化锌避雷器类限幅设备不同，由于目前大多数地方是使用氧化锌避雷器类限幅设备限制操作过电压的，导致很多用户不知道如何选择阻容吸收器才是合适的。
RC吸收电路参数计算
RC吸收电路参数计算RC吸收电路是一种常见的电路配置，用于实现信号的滤波。
它由一个电阻（R）和一个电容（C）组成。
电阻用于限制信号流过电路的电流，而电容则负责在不同时间尺度上储存和释放电荷。
在RC吸收电路中，我们通常关心的是电阻值、电容值和截止频率。
下面将详细介绍如何计算这些参数。
1.电阻值（R）的计算：电阻值的选择主要取决于应用需求和电路中的其他元件。
你可以选择一个标准电阻值或使用数字电阻进行精确控制。
确保电阻值足够大，以限制电流流过电路，同时不要太大，否则会影响电路的动态响应。
选择电阻值的一种常用方法是根据截止频率进行估算，然后根据市场可用的电阻值进行调整。
2.电容值（C）的计算：电容值的选择取决于滤波器需要通过的频率范围。
根据需求，您可以选择陶瓷电容或电解电容。
陶瓷电容通常适用于低频范围，而电解电容则适用于高频范围。
计算电容值的一种常用方法是根据截止频率和电阻值进行估算。
截止频率可以根据信号需要通过的频率范围和滤波器类型进行选择。
3. 截止频率（f_cutoff）的计算：截止频率是滤波器的重要参数，它决定了滤波器的频率响应。
通过截止频率，我们可以了解信号在滤波器中的通过情况。
截止频率的计算公式为：f_cutoff = 1 / (2 * π * R * C)4.频率响应曲线的绘制：根据计算得到的截止频率和选定的电阻和电容值，我们可以绘制出滤波器的频率响应曲线。
在低于截止频率时，滤波器会较好地通过信号；而在高于截止频率时，滤波器会对信号进行衰减。
频率响应曲线可用于验证滤波器设计是否符合要求。
需要注意的是，以上计算和估算方法是理论值，实际使用过程中可能会存在误差。
由于电阻和电容元件的工艺制造和偏差等原因，实际结果可能与理论值有所不同。
因此，在实际应用中，可能需要对电路进行调整和调试。
总结起来，RC吸收电路参数的计算主要涉及电阻值、电容值和截止频率的确定。
通过选择合适的参数，可以实现对信号的滤波和调整。
晶闸管(可控硅) 阻容吸收元件的选择
晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。
它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。
若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。
即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。
因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN结组成。
在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。
当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。
如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。
因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。
为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅)两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。
因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C 串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。
同时，避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。
由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。
RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择:C=(2.5-5)×10的负8次方×IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF选用2.5mF，1kv 的电容器电阻的选择：R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56选择10欧PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2Pfv=2u(1.5-2.0)u=三相电压的有效值If----正向电流PR---- 电阻功率PfV--- 额定功率fc--- 不是符号！是f*c，就是频率*容值！阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。
阻容吸收器阻容参数的简单计算
阻容吸收器阻容参数的简单计算阻容吸收器是一个频敏元件，不同于压敏元件（如避雷器）。
其可以看作一个典型的串联RC 保护电路，R、C、L同时起作用。
一、电容选值操作过电压，其实质是开关断开时产生的电磁能量震荡过程。
在回路中没有保护器存在时，总电容值很小，导致震荡频率f很高。
电容的引入，可以大大提高回路总电容值，降低震荡频率。
最佳的效果应是降低频率正好到工频（50Hz），基本计算公式如下：f=ω/2π （1）ω=（1/LC－（R/2L）2）1/2 （2）由于每个电路的初始L和C都不同，最佳值是不可能得到的。
只能依据真空断路器大致的情况进行经验比较。
根据多年运行经验，取电容0.1μF时，一般可以将f限制在150Hz以下，因此0.1就成为一个比较通用的值。
理论上讲，若对具体电路可以做到精确测算，容量再大些对保护效果会更好（这就是有些地方用0.2或0.15的原因），但若没有精确测算，导致f 太小将造成副作用。
二、电阻选值R是一个阻尼元件，一方面对震荡频率有影响，一方面对电容器保护有利。
对震荡频率的影响可以参考上面的公式（2），R不应小于其临界值2（L/C）1/2，否则对降低频率不利。
所以存在电阻值不应小于100Ω的说法。
R值高同样有利于保护电容本身安全，防止电容过载烧毁。
故一般高安全性的阻容吸收装置，都适当的增大了R的值（一般最高做到400Ω）。
但是R值如果太大，将大大提高时间常数，导致暂态时间延长，不利于保护的高效性。
所以我们希望R能够是一个压敏元件，在低压下电阻尽可能大，以保护电容；在高压下达到百欧姆级，以利于工作。
自控式阻容吸收器的最主要改革就在于此。
而且这样改革后，额外的起到了限制正常电压下阻容吸收器接地电流的作用，不会造成以往出现的阻容吸收器接地电流引发系统误判断的问题，简化了整体设计。
为什么要在晶闸管两端并联阻容网络一、在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
晶闸管可控硅两端并联电阻和电容的作用
晶闸管（可控硅）两端为什么并联电阻和电容一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC 串联网络，该网络常称为RC 阻容吸收电路。
我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。
它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。
若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。
即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。
因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN 结组成。
在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。
当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。
如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。
因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。
为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅) 两端并联RC 阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。
因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C 串联电阻R 可起阻尼作用，它可以防止R、L、C 电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。
同时，避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。
由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。
RC 阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择:C=(2.5-5)×10的负8次方×IfIf=0.367IdId-直流电流值如果整流侧采用500A 的晶闸管(可控硅)可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=1.25-2.5mF选用2.5mF，1kv 的电容器电阻的选择：R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56选择10欧PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2Pfv=2u(1.5-2.0)u=三相电压的有效值阻容吸收回路在实际应用中，RC 的时间常数一般情况下取1~10毫秒。
RC吸收电路的参数选取
晶闸管(可控硅)两端并联电阻和电容的作用
晶闸管（可控硅）两端为什么并联电阻和电容一、晶闸管(可控硅）两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅）电路中，常在其两端并联RC 串联网络，该网络常称为RC 阻容吸收电路.我们知道，晶闸管（可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。
它表明晶闸管(可控硅）在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。
若电压上升率过大，超过了晶闸管（可控硅）的电压上升率的值,则会在无门极信号的情况下开通。
即使此时加于晶闸管（可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。
因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN 结组成。
在晶闸管（可控硅）处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。
当晶闸管(可控硅）阳极电压变化时,便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。
如果晶闸管（可控硅）在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下,晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。
因此,对加到晶闸管（可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。
为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅）安全运行,常在晶闸管（可控硅) 两端并联RC 阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。
因为电路总是存在电感的（变压器漏感或负载电感)，所以与电容C 串联电阻R 可起阻尼作用，它可以防止R、L、C 电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅）。
同时, 避免电容器通过晶闸管(可控硅）放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。
由于晶闸管（可控硅）过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。
RC 阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
二、整流晶闸管(可控硅）阻容吸收元件的选择电容的选择：C=（2。
5—5)×10的负8次方×IfIf=0.367IdId—直流电流值如果整流侧采用500A 的晶闸管(可控硅）可以计算C=（2.5—5）×10的负8次方×500=1。
阻容吸收器阻容参数的简单计算
阻容吸收器阻容参数的简单计算阻容吸收器是一个频敏元件，不同于压敏元件（如避雷器）。
其可以看作一个典型的串联RC 保护电路，R、C、L同时起作用。
一、电容选值操作过电压，其实质是开关断开时产生的电磁能量震荡过程。
在回路中没有保护器存在时，总电容值很小，导致震荡频率f很高。
电容的引入，可以大大提高回路总电容值，降低震荡频率。
最佳的效果应是降低频率正好到工频（50Hz），基本计算公式如下：f=ω/2π （1）ω=（1/LC－（R/2L）2）1/2 （2）由于每个电路的初始L和C都不同，最佳值是不可能得到的。
只能依据真空断路器大致的情况进行经验比较。
根据多年运行经验，取电容0.1μF时，一般可以将f限制在150Hz以下，因此0.1就成为一个比较通用的值。
理论上讲，若对具体电路可以做到精确测算，容量再大些对保护效果会更好（这就是有些地方用0.2或0.15的原因），但若没有精确测算，导致f 太小将造成副作用。
二、电阻选值R是一个阻尼元件，一方面对震荡频率有影响，一方面对电容器保护有利。
对震荡频率的影响可以参考上面的公式（2），R不应小于其临界值2（L/C）1/2，否则对降低频率不利。
所以存在电阻值不应小于100Ω的说法。
R值高同样有利于保护电容本身安全，防止电容过载烧毁。
故一般高安全性的阻容吸收装置，都适当的增大了R的值（一般最高做到400Ω）。
但是R值如果太大，将大大提高时间常数，导致暂态时间延长，不利于保护的高效性。
所以我们希望R能够是一个压敏元件，在低压下电阻尽可能大，以保护电容；在高压下达到百欧姆级，以利于工作。
自控式阻容吸收器的最主要改革就在于此。
而且这样改革后，额外的起到了限制正常电压下阻容吸收器接地电流的作用，不会造成以往出现的阻容吸收器接地电流引发系统误判断的问题，简化了整体设计。
为什么要在晶闸管两端并联阻容网络一、在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
阻容吸收器工作原理
阻容吸收器⼯作原理
阻容吸收器⼯作原理：正常运⾏时，阻容吸收器并联在开关柜出线端，当操作过电压来时，由于其电压幅值⾼，⽽电容器具有储存电能作⽤，所以，开始对电容器充电，并通过电阻吸收能量，从⽽达到降低过电压幅值的⽬的，⽽且由于阻容吸收器其电容值（0.1µF）远⼤于开关柜控制的感性设备的对地电容值（不超过50PF），改变了感性设备的电感和其对地电容发⽣振荡的条件，因为，根据LC发⽣振荡的频率的计算公式f＝1/2π√LC，电容C越⼤，频率f越⼩，使感性设备相邻匝间在过电压时的电位差变⼩，从⽽保护感性设备的匝间绝缘。
因阻容吸收器限制过电压的原理与MOA不同，它不存在残压问题，⽽是靠操作过电压⾼频出现后引起容抗(ZＣ=1/(2πfc))降低，增⼤电容器上电流，来吸收产⽣过电压震荡的能量，从⽽限制操作过电压。
正常⼯频⼯作状态下，电流很⼩，所以其使⽤寿命较长。
阻容吸收器现在被⼴泛应⽤于冶炼、煤炭、⽯油、化⼯、⽔电、等领域；阻容吸收器得到新疆电⽯、青海硅铁、四川硅锰，宁夏中卫、⽯嘴⼭、内蒙巴彦淖尔、乌海、乌兰察布、陕西榆林、⼭西⼤同、河北唐⼭、辽宁本溪、辽宁鞍⼭、吉林⽩城、齐齐哈尔、⼭东临沂、江苏徐州、江苏盐城、安徽马鞍⼭、河南安阳、四川攀枝花、阿坝、云南德宏州、迪庆、贵州兴义、黔东南、湖南怀化、郴州、⼴西柳州、北海、百⾊等地冶炼、铁合⾦、化⼯企业⼀致好评。
有效抑制了⼯业硅、硅铁、硅锰合⾦、电⽯、⾼碳铬铁、镍铁、碳素、⽯墨烯、钛⾦属冶炼企业操作过电压，保护电路变压器、电抗器、电机起到了有效作⽤。
阻容吸收器接线原理图：。
RC阻容吸收器的使用与选择方案
RC 阻容吸收器的使用与选择方案RC阻容吸收器主要使用于机械开关、定时器、可控硅中消除在开关工作中产生的电火花。
同时也可以使用于电磁阀中，对干扰电压的消除。
其典型的应用电路如下所示:其中A电路为常规的机械开关电路，如定时器、计数器中;电路B的左边部分为消除可控硅产生的干扰、右边为消除电磁阀的干扰电压。
电路B /Circuit B电路A /Circuit A现在对以上三个不同的使用的电路进行分析。
在电路A中，开关K在工作时，在它两端产生一定的电压，此电压通过RC组件吸收掉，在此处加如电阻的方式主要是减少旁路电流，同时也可以通过以热能的方式把干扰的电压消除掉。
在实际的电路中，存在一个等效的串联电感，电路A可以等价成下图Ls在上的电路中，其实为一个很典型的LRC串联谐振电路，发生谐振的条件是l R=2* ? c在电路中，不希望发生谐振，最好的为产生过阻尼振荡，使干扰的电压在几个振荡周期内干扰的数值很快降下来。
其变化的波形为所以在选择电阻时，其数值都会大于发生谐振的临界电阻值。
但从这点来分析，是否电阻值越大，其效果就越好呢。
在RC电路中，每个周期的时间由时间常数确定τ=RC ? 如果时间常数太大，侧造成上次的干扰电压未消除掉时，下一个干扰的波形又过来了，造成更大的干扰，一般时间常数选择为开关动作周期的1/3左右。
在一般情况下，电容器的容量选择越大越好，因为火花吸收效果的好坏直接与电容量有很大的关系。
从电路A中可以看出，对于使用交流电时，流过电容器的电流I=2πfcU ?会产生一个旁路电流，此电流的大小直接影响到电路使用，有可能会产生误动作，对于旁路电流的选择方案，一般大小为正常工作电流的1/50。
从公式?中，可以确定电容量的大小。
从公式?中，当知道电感的数值，就可以确定了电阻的选择问题。
在此处的电感包括几部分，电路中纯电感部分、分布串联电感。
电路中的纯电感可以直接通过测量或厂家给出的技术参数中得到，而分布电感主要为高频特性，在电路中无法测量，一般在计算中使用的数值大约为4μH。
阻容吸收器阻容参数的简单计算之欧阳术创编
阻容吸收器阻容参数的简单计算阻容吸收器是一个频敏元件，不同于压敏元件（如避雷器）。
其可以看作一个典型的串联RC保护电路，R、C、L同时起作用。
一、电容选值操作过电压，其实质是开关断开时产生的电磁能量震荡过程。
在回路中没有保护器存在时，总电容值很小，导致震荡频率f很高。
电容的引入，可以大大提高回路总电容值，降低震荡频率。
最佳的效果应是降低频率正好到工频（50Hz），基本计算公式如下：f=ω/2π （1）ω=（1/LC－（R/2L）2）1/2 （2）由于每个电路的初始L和C都不同，最佳值是不可能得到的。
只能依据真空断路器大致的情况进行经验比较。
根据多年运行经验，取电容0.1μF时，一般可以将f限制在150Hz以下，因此0.1就成为一个比较通用的值。
理论上讲，若对具体电路可以做到精确测算，容量再大些对保护效果会更好（这就是有些地方用0.2或0.15的原因），但若没有精确测算，导致f太小将造成副作用。
二、电阻选值R是一个阻尼元件，一方面对震荡频率有影响，一方面对电容器保护有利。
对震荡频率的影响可以参考上面的公式（2），R不应小于其临界值2（L/C）1/2，否则对降低频率不利。
所以存在电阻值不应小于100Ω的说法。
R值高同样有利于保护电容本身安全，防止电容过载烧毁。
故一般高安全性的阻容吸收装置，都适当的增大了R的值（一般最高做到400Ω）。
但是R值如果太大，将大大提高时间常数，导致暂态时间延长，不利于保护的高效性。
所以我们希望R能够是一个压敏元件，在低压下电阻尽可能大，以保护电容；在高压下达到百欧姆级，以利于工作。
自控式阻容吸收器的最主要改革就在于此。
而且这样改革后，额外的起到了限制正常电压下阻容吸收器接地电流的作用，不会造成以往出现的阻容吸收器接地电流引发系统误判断的问题，简化了整体设计。
为什么要在晶闸管两端并联阻容网络一、在实际晶闸管电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。
我们知道，晶闸管有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。
晶闸管 可控硅 两端并联电阻和电容的作用
晶闸管（可控硅）两端为什么并联电阻和电容一、晶闸管(可控硅)两端为什么并联电阻和电容在实际晶闸管(可控硅)电路中，常在其两端并联RC 串联网络，该网络常称为RC 阻容吸收电路。
我们知道，晶闸管(可控硅)有一个重要特性参数－断态电压临界上升率dlv/dlt。
它表明晶闸管(可控硅)在额定结温和门极断路条件下，使晶闸管(可控硅)从断态转入通态的最低电压上升率。
若电压上升率过大，超过了晶闸管(可控硅)的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。
即使此时加于晶闸管(可控硅)的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。
因为晶闸管(可控硅)可以看作是由三个PN 结组成。
在晶闸管(可控硅)处于阻断状态下，因各层相距很近，其J2结结面相当于一个电容C0。
当晶闸管(可控硅)阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容C0，并通过J3结，这个电流起了门极触发电流作用。
如果晶闸管(可控硅)在关断时，阳极电压上升速度太快，则C0的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，晶闸管(可控硅)误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。
因此，对加到晶闸管(可控硅)上的阳极电压上升率应有一定的限制。
为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管(可控硅)安全运行，常在晶闸管(可控硅) 两端并联RC 阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。
因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C 串联电阻R 可起阻尼作用，它可以防止R、L、C 电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管(可控硅)。
同时，避免电容器通过晶闸管(可控硅)放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管(可控硅)。
由于晶闸管(可控硅)过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。
RC 阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。
二、整流晶闸管(可控硅)阻容吸收元件的选择电容的选择:C=×10的负8次方×IfIf=Id-直流电流值如果整流侧采用500A 的晶闸管(可控硅)可以计算C=×10的负8次方×500=选用，1kv 的电容器电阻的选择：R=((2-4) ×535)/If=选择10欧PR=×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)/2Pfv=2uu=三相电压的有效值阻容吸收回路在实际应用中，RC 的时间常数一般情况下取1~10毫秒。
阻容吸收器的作用
阻容吸收器的作用
1 阻容吸收器的概念
阻容吸收器（RC Absorber）是一种具有抗震和抗冲击作用的电池。
它是一种由电容器和电阻组成的电子设备，广泛用于降低传动系统和
装置中的回路振荡和高频电磁噪音。
2 阻容吸收器的作用
阻容吸收器的作用可以分为几个方面：
1. 阻容吸收器可以用来缓冲通常的脉冲电流。
由于电磁侧吸收器
可以有效地实现脉冲阻抗，因此能够减少所谓的振荡电流。
2. 在某些情况下，阻容吸收器可以有效地缓冲和抑制低频信号的
干扰。
由于阻容吸收器有一定的频率衰减曲线，因此可以有效地抑制
低频信号的传播，以防止其干扰其它电路。
3. 阻容吸收器可以抑制传动系统中的振荡，这可以有效防止过载
破裂等意外情况的发生，从而提高系统的稳定性。
4. 阻容吸收器可以有效地减少电源和电缆附近的EMI（电磁兼容性）。
电磁兼容（EMC）可以帮助减少对其他电子设备的干扰，确保系
统的可靠性和可操作性。
3 阻容吸收器的应用
阻容吸收器的主要应用领域涉及各种工业领域，例如电力、航空、国防、车辆制造、汽车等。
它可以用于电磁兼容（EMC）的测量，电
路抑制，无线用户机等等。
因此，阻容吸收器对于工业应用的抗干
扰非常重要。
4 结论
阻容吸收器是一种由电容器和电阻组成的电子设备，可以有效抵
抗振动，减少传动系统回路振荡，减少低频信号的干扰，抑制EMI，并可防止意外破裂等情况的发生。
阻容吸收器非常适用于不同的工业领域，如电力，航空，国防，车辆制造，汽车等。
阻容吸收原理
阻容吸收原理阻容吸收原理是指在电路中使用电容和电感来实现对特定频率信号的阻抗匹配和能量传输的原理。
在实际应用中，阻容吸收原理被广泛应用于无线通信、射频识别、天线设计等领域。
本文将对阻容吸收原理进行详细介绍，包括其基本概念、工作原理、应用场景等内容。
首先，我们来了解一下阻容吸收原理的基本概念。
阻容吸收是指通过电容和电感的相互作用，将特定频率的能量吸收并传输到电路中的负载部分。
电容和电感分别是电路中的两种基本元件，电容可以存储电荷并对变化的电压起到响应，而电感则可以存储能量并对变化的电流起到响应。
通过合理地组合电容和电感，可以实现对特定频率信号的阻抗匹配和能量传输，从而提高电路的性能和效率。
其次，我们来了解一下阻容吸收原理的工作原理。
在电路中，当特定频率的信号通过电容和电感时，会产生共振现象，使得电路对该频率的信号具有较低的阻抗。
这样一来，电路就可以有效地吸收并传输该频率的能量，从而实现对特定频率信号的处理和利用。
通过调节电容和电感的数值和连接方式，可以实现对不同频率信号的阻抗匹配和能量传输，从而满足不同应用场景的需求。
最后，我们来看一下阻容吸收原理在实际应用中的场景。
在无线通信领域，阻容吸收原理被广泛应用于天线设计和信号处理中，可以实现对特定频率信号的接收和发送。
在射频识别领域，阻容吸收原理可以用于实现对射频信号的识别和解调。
在电子设备中，阻容吸收原理也可以用于滤波器设计和功率放大器的优化。
总之，阻容吸收原理在现代电子领域中具有重要的应用价值，可以帮助我们更好地处理和利用特定频率的信号。
综上所述，阻容吸收原理是通过电容和电感实现对特定频率信号的阻抗匹配和能量传输的原理。
通过合理地组合电容和电感，可以实现对不同频率信号的处理和利用，从而满足不同应用场景的需求。
在实际应用中，阻容吸收原理被广泛应用于无线通信、射频识别、天线设计等领域，具有重要的应用价值。
希望本文对阻容吸收原理有所帮助，谢谢阅读！。
阻容吸收原理
阻容吸收原理阻容吸收原理是指在电子元器件中，通过增加阻抗、调整电容和吸收电磁波的能力来实现信号的阻断和吸收。
它是一种用于抑制电磁干扰和保护电子设备的重要技术手段。
本文将介绍阻容吸收原理的基本概念、工作原理和应用。
一、阻容吸收原理的基本概念阻容吸收原理是指通过在电路中引入阻抗、电容和吸收材料等元器件，来实现对电磁波的阻断和吸收。
阻容吸收的基本原理是利用电流和电压的阻抗特性，将电磁波的能量转化为热能进行吸收，从而达到抑制电磁干扰的目的。
阻容吸收原理的工作原理可以分为两个方面：阻断和吸收。
1. 阻断：通过增加电路的阻抗，改变电流和电压的传输特性，从而使电磁波无法通过电路。
其中，阻断电磁波的关键是选择合适的阻抗匹配，使得电磁波在进入电路时与电路的阻抗相匹配，从而产生反射和散射，使电磁波无法继续传播。
2. 吸收：通过引入电容和吸收材料等元器件，将电磁波的能量转化为热能进行吸收。
其中，电容起到了储存电磁波能量的作用，而吸收材料则能将电磁波的能量转化为热能，使其被有效吸收。
三、阻容吸收原理的应用阻容吸收原理广泛应用于电磁兼容性（EMC）领域和电子设备的抗干扰设计中。
主要应用包括以下几个方面：1. 抑制辐射干扰：通过选择合适的阻断元器件和吸收材料，阻止电磁波的辐射传播，减少对周围电子设备的干扰。
2. 提高电磁兼容性：通过在电路中增加阻抗和电容，改善电磁波的传输特性，提高电子设备的电磁兼容性，减少相互干扰。
3. 保护电子设备：通过吸收电磁波的能量，将其转化为热能进行吸收，从而保护电子设备免受电磁波的损坏。
4. 提高设备性能：通过阻断和吸收电磁波，减少电子设备内部的干扰源，提高设备的性能和可靠性。
四、总结阻容吸收原理是一种重要的电磁干扰抑制技术，通过增加阻抗、调整电容和吸收电磁波的能力，实现对电磁波的阻断和吸收。
其工作原理包括阻断和吸收两个方面，应用领域涉及电磁兼容性和电子设备的抗干扰设计。
通过合理应用阻容吸收原理，可以有效提高电子设备的抗干扰能力，保护设备免受电磁波的影响，提高设备的性能和可靠性。
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为了限制电路电压上升率过大，确保晶闸管安全运行，常在晶闸管两端并联RC阻容吸收网络，利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。
因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容C串联电阻R可起阻尼作用，它可以防止R、L、C电路在过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏晶闸管。
同时，避免电容器通过晶闸管放电电流过大，造成过电流而损坏晶闸管。
由于晶闸管过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。
RC阻容吸收网络就是常用的保护方法之一。