模拟电子技术复习提纲
《模拟电子技术基本教程》课程复习提纲
《模拟电子技术基本教程》课程复习提纲一、基本要求（一）基本要求1.掌握半导体器件的基本工作原理2.掌握放大电路的基本分析方法，能够正确估算基本放大电路的静态工作点和动态参数。
3.掌握多级放大电路的耦合方式的优缺点，正确估算多级放大电路的动态参数。
4.能够正确判断电路中反馈的性质和交流负反馈的组态。
5.掌握集成运放组成的基本运算电路的分析方法。
（二）重点掌握的内容常用半导体器件的工作原理，外特性；放大电路的基本概念及分析方法，放大电路中反馈的判断，基本运算电路的分析。
二、复习内容1.集成运算及其基本应用（1）放大的概念及其指标（2）集成运算放大电路（3）理想运放组成的基本运算电路（4）电压比较器2.半导体二极管及其应用（1）半导体基础知识（2）半导体二极管及其应用电路（3）其它二极管及应用电路3.晶体三极管及放大电路（1）晶体三极管（2）放大电路的组成原则（3）放大电路的基本分析方法（4）放大电路的三种组态4.场效应管及基本放大电路（1）场效应管（2）基本放大电路5.集成运算放大电路（1）多级放大电路（2）放大电路简介（3）差分放大电路（4）功率放大电路6.放大电路中的反馈（1）负反馈的基本概念和分析方法（2）负反馈电路的框图及一般表达式（3）放大倍数分析（4）负反馈对放大电路性能的影响7、直流稳压电源（1）直流稳压电源的组成及作用（2）单相整流电路（3）滤波电路（4）稳压管稳压电路（5）线性稳压电源（6）开关型稳压电源。
模拟电子技术考试复习提纲xin
模拟电子技术考试复习提纲1．本课程的基本任务介绍常用半导体器件的基本原理和特性，电子电路的基本概念、基本原理和基本分析方法，培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术的某些领域及电子技术的应用打下基础。
2．本课程的基本要求绪论第一章半导体二极管及其基本电路熟练掌握1．两种载流子，扩散和漂移，PN结的形成，半导体二极管的单向导电性，稳压管的稳压作用；2．半导体二极管的外特性，主要参数的定义；正确理解3．使用注意事项；第二章双极型晶体管及放大电路基础熟练掌握1．晶体管的外特性和放大作用，三种工作状态；2．放大倍数、输入电阻、输出电阻；3．静态、动态，直流通路、交流通路；4．微变等效电路；5．CE、CC的工作原理及各种计算（单级、多级）；6．合理的近似。
7．复合管正确理解10．用图解法确定静态工作点及输出波形失真及最大不失真输出电压；11．CB的工作原理及计算；12．三种组态的比较和选择；第三章场效应管及其放大电路熟练掌握1．耗尽层，沟道，场效应管的外特性及放大作用，三种工作状态；2．放大倍数、输入电阻、输出电阻；3．静态、动态，直流通路、交流通路；4．场效应管的微变等效电路；5．CS的工作原理及各种计算（单级、多级）；正确理解6．CD的工作原理及计算；7．阻容耦合、变压器耦合；第四章功率放大电路熟练掌握1．功放的基本原理，输出功率、效率和非线性失真；2．OCL直接耦合功率放大电路的工作原理、输出功率的估算；正确理解3．交越失真、攻放管的选用原则；4．甲乙类互补对称功率放大电路的工作原理、分析计算；第五章集成电路运算放大器熟练掌握1．零点漂移、差模、共模、恒流源等概念；2．差模放大倍数的有关计算；正确理解3．共模抑制比及其计算；4．镜象电流源的工作原理；5．集成运算放大器的工作原理；6．运算放大器的主要参数。
第六章放大电路的频率响应熟练掌握1．频率特性等概念及影响频率特性的因素；2．会画Bode图（只含一个时间常数）；正确理解3．多级放大电路与单级放大电路频宽之间的关系。
【精品】模拟电子技术基础复习提纲
第9章 直流稳压电源
选择题、判断题 基本概念：半波整流、桥式整流、滤波、输
出电压平均值、输出电流平均值； 整流电路的分析、计算 电容滤波电路的计算 课后习题：P258-259 9.1-9.4
选择题、判断题、分析题 产生正弦波振荡的条件 识别各种正弦波振荡电路，掌握判断能否起
振的方法以及振荡频率的计算； 了解如何将矩形波变换为其他波形 课后习题：P213-216 7.1-8
第8章 功率放大电路
选择题、判断题、计算题 基本概念：导通角、输出功率、转换效率、
交越失真 功率放大电路的识别与计算 习题P229-231 8.1-5
第二章 晶体三极管及其基本放大电路（重点）
熟练掌握共发射极放大电路的计算；理解共 集电极放大电路的计算；了解共基极放大电 路。
会分析电路是否有可能放大正弦交流信号 会判断多级放大电路中每一级的基本接法 课后习题：除2.19-2.22以外的全部习题
第二章 晶体三极管及其基本放大电路（重点）
Hale Waihona Puke 第6章 基于集成运放的信号运算与处理电路(重点)
选择题、判断题、计算题、作图题 识别及计算各种运算电路（指数运算和对数
运算不要求），会与第5章负反馈的判断相 结合 识别及计算各种电压比较器 课后习题：P185-189 6.1-6.7 6.9 6.12 6.14
第7章 基于集成运放的信号产生与变换电路
几种典型差分放大电路的计算：
第4章 集成运算放大器（重点）
几种典型差分放大电路的计算：
第4章 集成运算放大器（重点）
几种典型差分放大电路的计算：
第4章 集成运算放大器（重点）
会判断能否构成复合管； 搞清楚使用“虚断”、“虚短”分析集成运
模电复习大纲(P.95)
ICBO ICBO( T0 25 C) e k (T T0 )
温度T 输出特性曲线上移
总之： 2. 温度变化对输入特性曲线的影响
VBE VBE( (T T0 ) 2.2 10 V ITCBO ICEO 0 25 C)
温度T 输入特性曲线左移
半导体三极管极放大电路基础
1、基本结构 半导体三极管的结构示意图如图 03.1.01 所示。它有 集电极， 用C或 c 发射极， 用E或 e 两种类型 :NPN 型和PNP型。 表示（Collector）。 集电区 发射区 表示（Emitter ）；
基区 发射结(Je) 集电结 基极，用B或b表示（ Base(Jc) ）
5、基本放大电路动态分析 一般用测试仪测出； rbe 与Q点有关，可用图 示仪测出。 一般也用公式估算 rbe
其中对于低频小功率管 而
rb≈200
(T=300K)
VT (mV) 26(mV) re I EQ (mA) I EQ (mA)
则
26( mV ) rbe 200 (1 ) I EQ ( mA )
3
Q Q1 1Q Q
I IB B i iB =0 =0
B
v /V vCE CE/V
3. 温度变化对 的影响
T VBE IB IC
温度每升高1 ° C ， 要增加0.5%1.0% 温度T 输出特性曲线族间距增大
分压式偏置电路
+EC RB1
C1
一、静态分析
4、理解二极管 单向导电性、特性方程及曲线PN结相同 主要参数：最大整流电流 IF、反向峰值电压 VBR、反向峰值电流IR 。 分析题型：计算二极管电路参数、判断二极管状态、二极管选择 、画波形图(理想模型、恒压模型） 5、特殊二极管——稳压管（一段为反向连接） 反向偏置 且VI＞VZ 稳压原理：无论输入变化或负载变化，引起的电流变化都 加于稳压管上，从而使输出稳定 参数：VZ、IZ、PZM、
《模拟电子技术基础(第五版 康华光主编)》 复习提纲
模拟电子技术基础复习提纲第一章绪论）信号、模拟信号、放大电路、三大指标。
（放大倍数、输入电阻、输出电阻）第三章二极管及其基本电路）本征半导体：纯净结构完整的半导体晶体。
在本征半导体内，电子和空穴总是成对出现的。
N型半导体和P型半导体。
在N型半导体内，电子是多数载流子；在P型半导体内，空穴是多数载流子。
载流子在电场作用下的运动称为漂移；载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。
P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结，在该区域中，多数载流子扩散到对方区域，被对方的多数载流子复合，形成空间电荷区，也称耗尽区或高阻区。
空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。
PN结最重要的电特性是单向导电性，PN结加正向电压时，电阻值很小，PN结导通；PN结加反向电压时，电阻值很大，PN结截止。
PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿；PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容，前者是正向偏置电容，后者是反向偏置电容。
）二极管的V-I 特性（理论表达式和特性曲线））二极管的三种模型表示方法。
（理想模型、恒压降模型、折线模型）。
（V BE=）第四章双极结型三极管及放大电路基础）BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。
（由三端的直流电压值判断各端的名称。
由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数））什么是直流负载线什么是直流工作点）共射极电路中直流工作点的分析与计算。
有关公式。
(工作点过高，输出信号顶部失真，饱和失真，工作点过低，输出信号底部被截，截止失真)。
）小信号模型中h ie和h fe含义。
）用h参数分析共射极放大电路。
（画小信号等效电路，求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻）。
）常用的BJT放大电路有哪些组态（共射极、共基极、共集电极）。
各种组态的特点及用途。
P147。
（共射极：兼有电压和电流放大，输入输出电阻适中，多做信号中间放大；共集电极（也称射极输出器），电压增益略小于1，输入电阻大，输出电阻小，有较大的电流放大倍数，多做输入级，中间缓冲级和输出级；共基极：只有电压放大，没有电流放大，有电流跟随作用，高频特性较好。
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）
模拟电子技术课程复习提纲（复习必备）第一章半导体器件§1.1半导体基础知识1、本征半导体：本征半导体、本征激发、复合、本征半导体导电机理；2、杂质半导体：杂质半导体、N 型半导体、P 型半导体、多数载流子、少数载流子；3、PN 结：PN 结的形成机理、扩散运动与漂移运动、PN 结的本质、PN 结的单向导电特性；4、温度对本征半导体、杂质半导体、PN 结导电能力的影响；5、PN 结的伏安特性：)1(-=T U u S D e I I ，当T=300K 时mV U T 26=，伏安特性曲线：反向击穿区、反向截止区、死区、正向导通区；6、PN 结的反向击穿特性：击穿类型、击穿原因（雪崩击穿、齐纳击穿）；7、PN 结的电容效应：势垒电容C T 、扩散电容C D ，PN 结电容效应的非线性、正偏和反偏时主要考虑那个电容。
§1.2半导体二极管1、二极管的结构、分类、符号；2、二极管的伏安特性：)1(-=T D U u S D e I I ，⑴正向特性：死区开启电压U th =0.5V （Si ）、0.1V （Ge ），正向导通电压U D(on)=0.7V （Si ）、0.2V （Ge ），⑵反向特性：反向截止区，反向击穿区；3、二极管的温度特性；4、二极管的参数及其含义：F I 、R U 、R I 、M f 、D R 、d r 、DQD T D I mV I U r )(26≈=； 5、二极管的等效模型：理想模型、理想二极管串联恒压将模型、折线模型、小信号（微变等效）模型（注意微变等效模型的应用条件）；6、二极管电路的分析方法：⑴直流图解法、⑵模型解析法⑶交流图解法（在Q 点附近i u 幅度较小时使用）、⑷微变等效电路分析法；7、稳压二级管：稳压二极管工作原理、稳压二极管参数及含义、简单电路参数计算；8、二极管应用（单向导电特性、二极管导通截止的判断）⑴静态工作分析、⑵整流电路（单管半波整流、双管全波整流、桥式整流）、⑶限幅电路（串联限幅、并联限幅、上限幅、下限幅、双向限幅）、⑷门电路；9、特种二极管的工作条件、符号、特性、参数，发光二极管、光敏二极管、激光二极管、红外二极管、光电耦合器件、变容二极管。
模拟电子技术总复习大纲-20121228
典型习题
8.2、8.8
9．正弦波振荡器（6学时/10分）
知识点一：振荡的基本原理（正反馈基本方程、起 振条件、平衡条件）、振荡器分类 知识点二：RC振荡器电路工作原理与分析 知识点三：LC振荡器电路工作原理与分析 知识点四：石英晶体振荡器电路工作原理与分析 基本要求： 1）掌握正反馈的基本方程、振荡器的起振条件和 平衡条件。 2）掌握文氏桥振荡器的工作原理、电路分析方法。 3）掌握变压器耦合LC振荡器和三点式LC振荡器的 工作原理、电路分析方法。 4）掌握并联型和串联型石英晶体振荡器电路的特 点、工作原理、电路分析方法。
典型习题
3.1、3.3、3.5、3.10、3.12 例题3.3.2
4. 放大器的频率响应（4学时/5分）
知识点一：频率响应的概念（中频增益、上下限 频率、3dB带宽），放大器的低频、中频和高频 等效电路 知识点二：晶体管高频小信号模型和高频参数、 共射电路频率响应 知识点三：波特图 基本要求： 1）掌握频率响应的概念和基本分析方法。 2）掌握晶体管频率参数、共射电路频率响应特性 （了解密勒等效的概念及等效方法即可）。 3）了解波特图的概念及画法。
典型习题
补充教材：11-3、11-4、11-15、11-16
典型习题
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
补充教材：10-3、10-9、10-11
10．调制与解调（7学时/10分）
知识点一：调制的概念、作用与分类 知识点二：幅度调制与解调的基本原理 知识点三：角度调制与解调的基本原理 基本要求： 1）了解调制的概念、作用、类型。 2）掌握AM、DSB、SSB调制的基于原理、已调信 号的时域和频域波形、已调信号功率和带宽的计算。 3）掌握FM、PM调制的基本原理，单音调制FM、 PM信号的时域表达式、调制指数和已调信号带宽 的计算。 4）了解幅度调制和角度调制信号的解调原理。
模电复习大纲(模拟)
Ri
Vi Ii
+ Vs
–
Rs + Vi –
Ro
+
+
Ri
AVO号源吸取信号幅值的大小。
输入电压信号， Ri 越大，Vi 越大。 输入电流信号， Ri 越小， Ii 越大。
IT
外 加 测 试 信 号VT
R
i
VT IT
+ VT
+ VT
–
–
放 大 Ri 电
路
2. 输出电阻
重点掌握单管共射放大电路(包括分压式和射极偏置) 电路的组成和工作原理,
注意有Re时的计算 习题4.1.1；4.1.2；4.3.5；4.3.11；4.4.3；4.5.3
第五章 场效应管放大电路
双极型三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。
1、能够根据转移特性判别场效应管的类型（P237 表5.5.1）
A f
≈
1 F
6、理解负反馈电路自激条件
••
A F 1
••
AF 1
••
arctg A F (2n 1)
1+AF或AF越大越容易自激。
习题7.1.1；7.1.2；7.2.1；7.4.5；7.5.2
第八章 功率放大电路
1、了解放大器的三种工作状态 甲类：在整个周期IC≥0导通角3600η高=50% 乙类：在半个周期IC≥0导通角1800η高=78.5% 甲乙类:在大半个周期IC≥0导通角1800＜θ＜3600
振幅平衡条件
••
AF 1
相位平衡条件 A F 2n
RC桥式振荡电路的组成，P437图9.6.1（RC串并联网络的作用） 振荡频率ω0=1/RC，F=1/3
模拟电子技术复习提纲2011-12
《2011．12．10第一章一．基本概念和基本知识1．PN结具有单向导电性：加正向电压时导通，加反向电压时截止。
2. 二极管的伏安特性正向特性：U I<开启电压时，I D≈ 0 ,U I 大于开启电压后逐渐导通，I D增加，二极管导通后，正向压降≈0.7伏（对于硅管）。
反向特性：当U I < 反向击穿电压时，I D≈ 0 。
若U I≥反向击穿电压时。
反向电流急剧增加，将会使二极管击穿而损坏。
3．稳压二极管是一种特殊的二极管。
在电路中主要用于稳定电压。
稳压二极管工作于反向击穿状态。
使用时，必须与负载并联，并且串接有稳压和限流功能的电阻。
4．晶体三极管分为NPN和PNP型两大类。
要求熟练记住其符号以及正确加载电源电压的极性。
对于NPN管集电极和基极的偏置电源必须接外接电源的正极。
对于PNP管则集电极和基极的偏置电源必须接外接电源的负极。
5. 为了使晶体三极管实现电流放大作用，供电电源接法应保证：发射结正向偏置，集电结反向偏置。
6．三极管的电流关系：I E = I B＋I C ; 在放大区I C =β I B7．三极管的输出特性曲线有三个区：截止区、放大区、饱和区。
三极管工作在放大状态时，必须保证在线性放大区，不能进入截止区和饱和区。
在数字电路中则工作于截止区和饱和区。
8．三极管的主要参数：（1）共射电流放大倍数β = ∆I C / ∆I B 共基电流放大倍数∆α = ∆I C / ∆I E ;α = β / (1+ β)β = α / (1 - α)(2)集电极最大电流I CM ; 集电极最大功耗P CM ;(3)反向击穿电压U(BR)CEO U(BR)CBO U(BR)EBO9场效应管（1）场效应管分为结型场效应管和绝缘栅型效应管两大类。
从导电沟道分：分为N沟道和P沟道两大类；绝缘栅型效应管可分为耗尽性和增强型两大类。
（2）场效应管是电压控制器件；而双极型三极管则是电流控制器件。
（3）要求熟记各种类型场效应管的电路符号以及所加电源电压的极性。
完整版模电总结复习资料模拟电子技术基础
G ）二极管屯路 5）图解分析I 第一章I 半导体二极管一.半导体的基础知识1. 半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 （如硅Si 、错Ge ）。
2. 特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3. 本征半导体----4. 两种载流子-5. 杂质半导体---- *P 型半导体：*N 型半导体： 纯净的具有单晶体结构的半导体。
-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子） 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴） 6. 杂质半导体的特性 *载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN 结 结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V ，错材料约为0.2~0.3V 。
结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
结的伏安特性 * PN1L jp/mA 1 玩1 M 0 沪向特性赵亦V ft 反向特性 匸th «Fry JflZuA 二.半导体二极管* PN8. PN*单向导电性---- *二极管伏安特性 *正向导通压降-* 死区电压—— 正向导通，反向截止。
----同PN 结。
--- 硅管 0.6~0.7V ，错管 0.2~0.3V 。
硅管0.5V ，错管0.1V 。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低 若V 阳＞V 阴（正偏），二极管导通（短路）； 若V 阳＜V 阴（反偏） 1）图解分析法 该式与伏安特性曲线 的交点叫静态工作点 ，二极管截止（开路）。
Q 。
At2）等效电路法? 直流等效电路法*总的解题手段----若V阳>V阴（若V阳<阴（*三种模型Cd）小信吋模型三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性…正常工作时处在PN结的反向击穿区,第一.三极管的结构、类型及特点1.类型… 分为NPN和PNP两种。
模拟电子技术复习提纲
第3章 二极管及其基本电路知识重点：1、杂质半导体的导电机理；2、PN 结的形成及其单向导电性；3、半导体二极管的伏安特性；4、稳压管的应用基本知识：1、空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点，在本征半导体中掺入三价元素杂质后即成为P 型半导体。
2、半导体二极管只有一个PN 结，它的基本特性是具有单向导电特性。
3、稳压二极管接入电路时，一定要串入一个电阻，其原因是利用电阻调节作用。
4、下面电路中电阻R 1=6kΩ，R 2=1kΩ，试判断理想二极管D 1与D 2是导通还是截止,并计算电压V ab ，。
（）第4章 三极管及其放大电路知识重点：1、半导体三极管的放大条件以及电流控制和放大作用；2、BJT 的输入特性、输出特性及主要参数；3、BJT 的代表符号、BJT 的特性曲线，尤其是输出特性曲线的四个区域的理解；基本知识：1、双极性晶体管放大电路的三种基本放大方式为共射、共基与共集放大，其中共集放大 放大电路也叫做射极输出器。
2．三极管的输入电阻Rbe 是个动态电阻，但是与静态工作点是有关联的。
3、双极性晶体管对温度变化较敏感，硅管与锗管相比，硅管受温度影响较小。
aba b4．电压放大器的输出电阻越小，意味着放大器带负载能力越强。
5、双极性晶体管是一种电流型控制元件。
6．在基本共射电路中，若晶体管的β增大一倍，电压放大倍数也相应增大，但达不到一倍。
7、在放大电路中测得某管的3个电极电位分别为-2.5V, -3.2V,-9V，则这个三极管的管型是PNP型硅管。
8、单极放大电路的3种组态都有功率放大作用。
9、多极放大器的电压放大倍数为各级放大倍数之积。
10、一个NPN管在电路中正常工作，现测得Ube>0,Ubc>0,Uce>0，则此管的工作区为饱和区。
11、图示电路中β=50, V CC=6V, R b1=10KΩ, R b2=2KΩ , R c=2KΩ，R e=300Ω，R L=2 KΩ，试：①估算Q点(取V BE =0.7V)；②画出小信号模型图；③r be=1KΩ时，计算Av、r i与r o。
模拟电子技术复习提纲资料
;
1
;
E
C B
C
I I I I 中小值
和取不产生饱和失真不产生截止失真om
om
om CES
CEQ
om
L
CQ om
U
U
U U U U R I U 模拟电子技术复习提纲
（各章重点及公式汇编）
第三章1. 半导体
2．PN 结正偏时：反偏时：
削弱内电场增强内电场PN 结变窄，导通；
PN 结变宽，截止
第四章
1、三极管工作在放大区
2、电流分配关系
条件关系式NPN 型
PNP 型
BE 结正偏
BC 结反偏
Ic=βIb 放大功能
V BE = 0.7V(Si)
0.2V(Ge)
U CE ＞1V
V BE =- 0.7V (Si)
-0.2V (Ge) U CE ＞-1V
I E = I C +I B
3、三极管热稳定性差;
I E ≥I C ＞＞I B
反向饱和电流
I CBO ；穿透电流I CEO = (1+β) I CBO
4、共射放大器
（2）最大不失真
V om （振幅）计算
（1）图解方法：
半导体N 型P 型掺杂
5价施主杂质
3价受主杂质多子电子空穴少子
空穴
电子。
模拟电子技术复习提纲
第8 章
波形的发生和信号的转换
（1）了解振荡电路的组成、产生正弦波振荡的振荡条 了解振荡电路的组成、 相位平衡条件和幅度平衡条件， 件、相位平衡条件和幅度平衡条件，集成电压比较器种 类和各自的特点。 类和各自的特点。 （2）理解电压比较器的作用和分类以及迟滞比较器和 窗口比较器的工作原理和传输特性。 窗口比较器的工作原理和传输特性。
第5 章 放大电路的频率响应 主要以课件为主） （主要以课件为主）
（1）掌握概念：三极管的特征频率fT ,放大电路的中频 掌握概念：三极管的特征频率 放大电路的中频 增益A 下限频率f 和上限频率f 增益 VM、下限频率 L和上限频率 H 。 （2）掌握频率响应的概念和分析方法，掌握波特图 掌握频率响应的概念和分析方法，掌握波特图 频率响应的概念和分析方法
第10章 10章
直流电源
（1）要求学生掌握桥式整流电容滤波电路的构成、工 要求学生掌握桥式整流电容滤波电路的构成、 作原理
第9 章
功率放大电路
（1）了解功率放大的基本概念以及主要技术指标。理 了解功率放大的基本概念以及主要技术指标。
解功率放大电路的基本要求以及功率放大电路的主要特 点。 （2）掌握甲类、乙类和甲乙类工作状态的概念和特点 掌握甲类、 电路的组成和工作原理、 （3）掌握OCL和OTL电路的组成和工作原理、最大输 掌握 和 电路的组成和工作原理 出功率和效率的估算方法； 出功率和效率的估算方法；掌握交越失真的概念以及克 服交越失真的基本方法。 服交越失真的基本方法。
习
集成运放构成的放大电路
半导体二极管及其基本电路
（1）掌握概念：空穴、扩散运动、漂移运动、 掌握概念：空穴、扩散运动、漂移运动、 型半导体、 型半导体、多子、少子、 N型半导体、P型半导体、多子、少子、 反向击穿、反向击穿电压、 反向击穿、反向击穿电压、导通电压等 （2）掌握PN结偏置电压的加法和PN结的单向导电性。 掌握PN结偏置电压的加法和PN结的单向导电性。 PN结偏置电压的加法和PN结的单向导电性 （3）掌握二极管的符号和伏安特性 （4）了解二极管电路的分析方法，熟练掌握应用二极管 了解二极管电路的分析方法， 的理想模型和恒压降模型分析电路的方法。 的理想模型和恒压降模型分析电路的方法。 （5）掌握稳压管的符号、伏安特性和应用。 掌握稳压管的符号、伏安特性和应用。
模拟电子复习大纲
电子技术1（模拟部分）复习要点第一章绪论了解电子系统的构成与基本作用、放大电路的基本知识。
第二章运算放大器1、放大的概念、放大电路框图、2、放大电路主要性能指标（输入电阻、输出电阻、放大倍数（或增益））3、运放的电压传输特性，线性工作区特点4、理想运放、虚短、虚断和虚地的概念，及其在推导运算放大器线性运算关系时的应用。
掌握：运算放大器线性运算输入输出关系的推导方法，包括：①同相和反相放大（比例运算）②求差、求和（减法运算、加法运算）③微分、积分运算电路④多个运算放大器组合的运算电路（例题、习题要很熟悉）5、单限比较器、滞回比较器（阀值电压、传输特性、波形）第三章半导体基础知识1、熟悉下列定义、概念：本征半导体、杂质半导体、载流子、扩散与漂移、复合，PN结、耗尽层、PN结的特性曲线、2、二极管的单向导电性，V-I特性、主要参数，二极管的简化模型（理想模型、恒压降模型），温度对二极管的性能的影响3、二极管电路的分析（判断理想二极管导通与否的方法及其应用，共阴极或共阳极二极管的优先导通问题。
）。
4、齐纳（稳压）二极管V-I特性、主要参数，稳压管稳压电路，限流电阻的作用（IZMAX ＜IZ＜Izmin第四章双极结型三极管及其放大电路一、三极管1、BJT的电流放大作用及电流分配关系三个重要的电流分配关系式：2、晶体管的输入特性和输出特性α、β，I CM, P CM：P CM ,U CBO、U CEO和U EBO。
过损耗区、过电流区、击穿区和安全工作区。
5、温度对晶体管特性及参数的影响温度对I CBO和I CEO等由本征激发产生的平衡少子形成的电流影响非常严重。
U BE具有负温度系数。
当温度升高时，I CEO和β增大，输入特性左移，最终导致集电极电流增大。
6、根据静态电位判断三极管及其工作状态。
二、基本放大电路的分析计算1、三极管放大电路的基本接法（基本组态），信号放大原理（从图解分析法来理解）共射极放大电路： [包括：固定偏置电路和工作点稳定电路]共集电极放大电路(射极输出器)：共基极放大电路：）2、基本放大电路的静态分析直流通路、静态工作点及其稳定、直流负载线、求静态工作点的估算法，电路参数对静态工作点的影响。
模拟电子技术复习提纲
模拟电子技术复习提纲第一章1 对半导体基础知识的理解2 二极管、稳压管、晶体管和场效应管工作状态的判断及输出电压的求解3 pn 结的单向导电性及二极管的电压和电流关系方程4 三极管的参数如何受温度的影响？5场效应管的特点和特性？讨论题 第三讲 1 1.3V 3.7V 2 有解答第二章1 放大电路的基本概念2 各种基本放大电路的性能特点及选用3 放大电路的交流通路和直流通路的画法4 共集、共射、共基、共源和共漏放大电路的静态和动态分析当输入信号增大时，空载情况下输出电压首先出现饱和失真；当接上负载时输出电压首先出现截止失真。
5 单管放大电路基本接法的主要特点，及如何选取电路。
讨论题 第四讲 有解答第5讲 有解答第六讲讨论2 94页 讨论3 1 空载时首先出现饱和失真，当接上负载时出现截止失真。
讨论4，5均有答案。
第7讲 课本上有答案第8讲 习题13 讨论2 有答案第9讲 书上有答案第三章1 多级放大电路的定性分析2 多级放大电路的分析计算3 差分放大电路的分析计算第10讲 讨论2第11讲 有答案第四章1电流源电路及其应用电路的分析2 有源负载的应用第13讲 讨论2 课件第五章1 对频率响应有关概念的正确理解2 放大电路频率响应的定型分析3 放大电路上限频率和下限频率的求解4 根据波特图求放大电路的频率参数及电压放大倍数。
自测题 二 答案 （1） 178-=usm A （2） pf c 1602/=π（3） Hz f H 175= Hz f L 14=三 （1） 60，310± （2） 10，410第六章1 反馈和反馈性质的判断方法，判断电路中引入反馈的类型，如何根据电路性能要求引入反馈；2 深度负反馈条件下放大倍数的估算方法3 根据需求引入合适负反馈的原则及方法第17讲 讨论题 课件上有答案第18讲 讨论题 课件上有答案第七章1 运算电路的识别2 运算电路的分析计算3 根据需求选择运算电路4 有源滤波器的识别及电路分析（只要求一阶电路）5 工作在线性区的集成运放的其它应用电路的分析第21讲讨论1 111011i f u R R u ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛+= 232013201i f f u R R u R R u ⎪⎪⎭⎫ ⎝⎛++-= 讨论二 1 根据基本运放电路的分析可以求出2 差分放大电路 02010u u u -=讨论三 1 课件上有答案 2 绝对值电路 ，具体见书上例题第8章1 rc 桥式正弦波振荡电路的组成特点以及振荡频率和幅值的估算，电路是否产生自激振荡的判断，改正电路中的错误使之有可能产生正弦波振荡；2 电压比较器电路的识别及电压传输的求解，已知电压传输特性判断电压比较器的类型及其主要参数，已知电压传输特性设计电压比较器电路等；3矩形波、三角波和锯齿波发生电路的工作原理和波形的分析，振荡频率和幅值的求解和调节、改错等。
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模拟电子技术复习提纲
第一章常用半导体器件
1．知道什么叫半导体？半导体有哪三种特性？什么叫本征激发？本征激发使半导体内产生的两种载流子的数目为何种关系？温度升高后载流子数目会怎样变化？
2．掌握杂质半导体的掺杂情况？杂质半导体内部多子和少子各是什么载流子？多子和少子分别由什么途径产生？杂质半导体对外是否显电性？为什么？
3．掌握在PN结的形成过程中扩散和漂移运动分别是什么原因产生的？它们对空间电荷区有什么影响？
4．掌握PN结的导电特性？何为外加正向电压？何为外加反向电压？外加电压对PN结内部空间电荷区宽度有什么影响？对PN结电阻有什么影响？
6．熟练掌握半导体二极管理想化处理的有关情况：
外加正向电压时，管电阻看成------ ，二极管压降看成------- ，管子看成------开关，通过二极管的电流的大小由-----决定，电流方向------；外加反向电压时，管电阻看成-------，通过管子的电流看成-------，管子看成--------开关，二极管两端压降的数值由-------决定。
7．掌握半导体二极管有哪些主要应用？给出限幅电路、整流电路、箝位电路，根据输入波形画出输出波形（参考习题1.2，1.3，1.5），或根据输入电压判断输出电压。
8．半导体二极管在使用中I C与I CM、U R与U RM、f与f M应为何种关系？用万用表欧姆挡挑选二极管时，什么样的管子单向导电特性好些？
9.稳压二极管与普通二极管有什么相同和不同？稳压二极管的主要作用是什么？当外加正向电压时管子两端压降如何？当外加反向电压数值小于U Z时管子两端电压如何？当外加反向电压数值大于U Z时管子两端电压如何？
10．了解双极型三极管内部结构和工作原理。
11．掌握双极型三极管的输入特性和输出特性；三种工作状态与极间电压的定性关系（参考习题1.8，1.9）；由输出特性曲线求 。
12．画出NPN、PNP三极管I CB0、I CE0测试电路。
13．掌握温度变化时双极型三极管哪些参数会发生变化？如何变化？
14．了解场效应管的内部结构和工作原理。
熟悉场效应管符号，由符号指出管子的沟道、是结型还是绝缘栅型、是耗尽型还是增强型？处在放大状态极间电压的定性关系。
第二章基本放大电路
1．给出自测T2.2所示电路，指出能否放大，并指出理由；对不能放大的电路如何改进才能有电压放大作用？
2．掌握放大电路的图解分析法；对于基本放大电路来说，当V CC、R C、R B分别变化时，用图解法分析Q点的变化。
给出输入波形作出有关波形。
对于有失真的电路如何改变电路参数才能改善失真波形。
对给定电路能分析最大不失真输出电压值。
3．熟练掌握用近似计算法计算各种双极型三极管放大电路的静态工作点。
4．熟练掌握用微变等效法分析计算各种双极型三极管放大电路的性能指标。
(参考习题2.7，2.9，2.11，2.12，2.13)
5．了解场效应管放大电路的分析。
6．熟练掌握复合管是否正确的判断。
第三章多级放大电路
1．掌握多级放大电路级间耦合有哪几种形式？各有什么特点？计算两级双极型三极管放大电路的静态工作点和性能指标（参考习题3.2，3.3）。
2．知道直接耦合放大电路产生零点漂移的原因和主要原因。
3．掌握差分放大电路有哪几种输入、输出接法？它们的Ad与Au的关系如何？uo与ui 的相位关系如何？长尾电路中Re的作用如何？它的数值改变对电路对差模放大倍数、共模放大倍数、共模抑制比各有什么影响？
4．熟练掌握计算各种差分放大电路的静态工作点和差模电压放大倍数(参考3.6，3.7，3.9)。
第四章 集成运算放大电路
1．掌握集成运放内部电路由哪几部分组成。
理想集成运放工作在线性区和非线性区的重要特点分别是什么？
2． 掌握根据给出的恒流源电路推导出输出电流与基准电流的关系。
3．知道集成运放有哪些性能指标、理想集成运放主要性能指标。
4．了解集成运放的分类。
了解集成运放在使用中需要加哪些保护措施，如何进行提高输 出电压和扩展输出电流？
第五章 放大电路的频率响应
1．知道频率响应的定义和分类。
2．何谓波特图？，掌握利用幅频特性和相频特性画出波特图和近似波特图。
3．掌握画出单管共射阻容耦合放大电路的波特图，幅频波特图低频段下降的主要原因是 什么？高频段下降的主要原因是什么？它们下降的斜率如何？
4．多级阻容耦合放大电路下限频率同单级相比会提高还是下降？上限频率会提高还是 下降？中频段增益同单级相比会提高还是下降？通频带同单级相比会变宽还是变窄？记住多级放大电路下限频率、上限频率求解公式。
5．掌握根据给出的幅频波特图求解电路的电压放大倍数、下限频率、上限频率。
6．了解晶体管的高频等效电路。
7．了解晶体管电流放大系数的频率响应。
第六章 放大电路的反馈
1． 掌握放大电路中直流负反馈和交流负反馈的主要作用。
2．掌握四种组态反馈电路中A ∙和F ∙的量纲。
3．熟练掌握根据给出的电路找出反馈网络，并判断出交流反馈网络的反馈极性和类型（组态）。
4． 熟练掌握负反馈对放大电路性能的影响。
深度负反馈放大电路A ∙f ≈1
F ∙说明什么问
题？
5． 掌握根据指定的性能要求，引入响应的负反馈。
6． 用近似计算法，计算负反馈放大电路的A ∙uf 或A ∙
usf （参考6.8，6.9）。
第七章 信号的运算和处理
1．掌握各种比例运算电路A ∙u f 的计算。
各种比例运算电路运放输入端的共模电压如何？
2．熟练掌握各种加、减运算电路输出电压与输入电压之间的关系。
3．熟练掌握利用求和运算、加减运算电路实现所给出的输出电压与输入电压表达式的运算电路。
4．积分和微分电路
（1） 会推导积分运算电路的输出电压与输入电压之间的表达式。
（2） 熟练掌握给出积分电路、元件参数、输入电压波形，会画出输出波形。
知道如果 输入电压为正弦波，输出与输入信号之间的相位关系。
（3）会讨论微分运算电路的输出电压与输入电压表达式。
知道如果输入电压为正弦波，输出与输入信号之间的相位关系。
（4）了解函数型微分电路。
5．对数和指数运算电路
认识运算电路，知道输出电压与输入电压关系。
6．掌握模拟乘法器在运算电路中的应用。
7．有源滤波器
（1）掌握滤波器的分类。
（2）掌握一阶低通无源RC和有源滤波器放大倍数表达式、幅频特性。
（3）了解二阶低通无源RC和有源滤波器。
8．了解电子信息系统预处理中所用放大器的特点。
9．掌握仪表用放大器电路的讨论。
10．熟练掌握类似习题7.6，7.10，7.11，7.12，7.13，7.17，7.18 。
第八章波形的发生和信号的转换
1．掌握正弦波振荡电路的自激振荡条件和起振条件。
2．了解正弦波振荡电路的分类。
3．熟练掌握用振幅条件和相位条件判断正弦波振荡电路能否振荡。
写出振荡频率计算公式。
对不完善电路进行正确连线。
4．了解石英晶体振荡电路。
5．掌握各种单限电压比较器的电路和电压传输特性。
6．掌握滞回电压比较器的电路和电压传输特性。
7．了解窗口电压比较器。
8．了解非正弦波发生电路
9．掌握利用集成运放实现的信号转换电路。
10．熟练掌握类似习题8.1，8.2，8.4，8.6，7.8，8.8，8.10，8.11，8.12，8.14，8.15，题目的处理。
第九章功率放大电路
1．掌握功率放大电路的分类。
2．掌握互补功率放大电路的工作原理，会计算最大输出功率、最高功率转换效率。
3．了解功率放大电路的安全运行。
4．了解集成功率放大电路。
5．掌握类似习题9.1，9.2，9.3，9.4，9.5，9.6，9.8题目的处理。
第十章直流电源
1．熟练掌握各种单相整流电路输出波形，输出电压平均值与变压器次级电压有效值之间的关系，二极管在电路中所承受的最大反向电压值。
选择整流二极管。
2．了解各种滤波电路以及滤波原理。
掌握电容滤波电路滤波电容容量和耐压的选择。
3．掌握硅稳压二极管稳压电路以及稳压原理。
4．掌握带放大器环节的串联型稳压电路的组成框图。
5．掌握带放大器环节的串联型稳压电路的稳压原理。
6．掌握78系列和79系列集成三端稳压器的应用。