【大学电力电子技术期末考卷】
电力电子技术期末考试试题及答案(1)
电力电子技术试题第 1 章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在 __开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为 __通态损耗 __，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为 __开关损耗 __。
3.电力电子器件组成的系统，一般由 __控制电路 __、_驱动电路 _、 _主电路 _三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加 _保护电路 __。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为 _单极型器件 _ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件 _三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为 _承受正向电压导通，承受反相电压截止 _。
6.电力二极管的主要类型有 _普通二极管 _、_快恢复二极管 _、 _肖特基二极管 _。
7. 肖特基二极管的开关损耗 _小于快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ 。
9.对同一晶闸管，维持电流 IH与擎住电流 IL 在数值大小上有 IL__大于__IH 。
10.晶闸管断态不重复电压 UDSM与转折电压 Ubo数值大小上应为， UDSM_大于 __Ubo。
11.逆导晶闸管是将 _二极管_与晶闸管 _反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成 __结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的 _截止区 _、前者的饱和区对应后者的 __放大区 __、前者的非饱和区对应后者的 _饱和区 __。
14.电力 MOSFET的通态电阻具有 __正 __温度系数。
15.IGBT 的开启电压 UGE（th ）随温度升高而 _略有下降 __，开关速度 __小于__电力 MOSFET。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为 _电压驱动型 _和_电流驱动型_两类。
《电力电子技术》期末试卷3份答案(可打印修改)
《电力电子技术》试卷1答案一、填空（每空1分，36分）1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT ；IGBT是 MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触发脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑 均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。
4、在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波，输出电流波形为 方波。
5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管晶闸管、它的额定电压为800V伏、额定有效电流为 100A。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120o导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在不同桥臂上的元件之间进行的。
7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下降、正反向漏电流会增加。
8、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经?逆变电源、逆变桥而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采控用控制角α大于β的工作方式。
9、常用的过电流保护措施有快速熔断器?、串进线电抗器、接入直流快速开关、控制快速移相使输出电压下降。
（写出四种即可）10、双向晶闸管的触发方式有Ⅰ+、Ⅰ-、Ⅲ＋、Ⅲ-四种。
二、判断题,（每题1分，10分）（对√、错×）1、在半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路出故障时会出现失控现象。
（√）2、在用两组反并联晶闸管的可逆系统，使直流电动机实现四象限运行时，其中一组逆变器工作在整流状态，那么另一组就工作在逆变状态。
（ ×）3、晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。
（×）4、逆变角太大会造成逆变失败。
（×）5、并联谐振逆变器必须是略呈电容性电路。
电力电子技术期末考试样卷含答案
）（10分，每小题1.0分）1、（）只要移相控制角090>α晶闸管变流器就可实现有源逆变。
2、(）单相半波可控整流电路带阻感性负载时，晶闸管承受反向阳极电压立刻关断。
3、（）在目前所有电力电子器件开关中，电力场效应管开关速度最快。
4、（）IGBT可视为一个场效应管和一个电力晶体管的达林顿连接。
5、（）三相桥式全控整流电路，输出电压波形的脉动频率是300H Z。
6、（）移相控制角越大，整流电路的功率因数越高。
7、（）晶闸管内部可视为两个晶体三极管的负反馈连接。
8、（）二极管单相桥式整流器带电容滤波电路重载时输出电压平均值约等于1.4U2。
9、（）高频PWM逆变电路输出电压含有低次谐波。
10、（）晶闸管整流电路中的功率因数与电流波形畸变无关。
二、单项选择题（20分，每小题2.0分）1、由IGBT组成的无源逆变器中其换流方式是（）A.电网换流B.器件换流C.强迫换流D.负载换流2、带电阻性负载的单相全控桥，晶闸管所承受的最大正向和反向电压为( )。
A.222,2UU B.2222,2UU C.222,2/2UU D.2/2,222UU3、单相桥式晶闸管整流电路带阻感性负载时输出电流平均值表达式为（）。
A.αcosUR.Id2342= B.αcosUR.Id2151=C.αcosUR.Id29= D.αcosUR.Id245=4、带电感性负载的三相全控桥，变压器二次侧相电流有效值为( )。
A.3/dI B.3/2dI C. 3/dI D. 3/2dI5、晶闸管直流侧过电压保护的元器件是（ ）A. 快速熔断器B. 压敏电阻C. 快速开关D. 过流继电器6、设开关周期和开关导通时间分别为on t T ,，在直流升降压斩波电路中，电源电压E 与负载电压平均值o U 之间的关系是（ ）。
（下式中Tt T t off on==βα,） A.E U o β= B. E U o α= C.E U o αα-=1 D. E U o αα-=17、能实现有源逆变的晶闸管整流电路为( )。
电力电子技术期末考试试卷
《电力电子技术》考试试卷题号一二三四五六总分分值30 20 10 20 20 100得分一．单项选择题（本大题共10小题，每小题3分，共30分）在每小题列出的四个备选项中有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
1、交流电变为直流电称为，直流电交为交流电称为。
（）A、整流、整流B、整流、交交变换C、整流、逆变D、逆变、整流2、当阳极和阴极之间加上正向电压而门极不加任何信号时，晶闸管处于。
（）A、导通状态B、关断状态C、不确定状态D、都不对3、单相桥式全控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（）。
A、90°B、120°C、150°D、180°4、过电压分为外因过电压和内因过电压，由分闸、合闸等开关操作引起的过电压属于，由电力电子装置内部器件的开关过程引起的过电压属于。
（）A、外因过电压、外因过电压B、外因过电压、内因过电压C、内因过电压、外因过电压D、内因过电压、内因过电压5、三相桥式半控整流电路中，每只晶闸管承受的最高正反向电压为变压器二次相电压的。
A.√2 倍B.√3 倍C.√2 *√3 倍D.2√‾3 倍6、单相桥式可控整流电路带阻感性负载时，α的移相范围可扩大到。
（）A、90°B、120°C、150°D、180°7、在三相串联电感式电压型逆变器中，除换相点外的任何时刻，均有几个晶闸管导通。
（）A、两个B、三个C、四个D、一个8、三相桥式半波整流电路带电阻负载，当触发角α=0º时，输出的负载电压平均值为（）。
A、0.45U2 B、0.9U2C、1.17U2D、2.34U29、三相全控桥式整流电阻性负载电路中，整流变压器二次相电压的有效值为U2ϕ，当触发延迟角a的变化范围在30°～60°之间时，其输出平均电压为Ud= 。
A. 1.17U2ϕcosαB. 2.34U2ϕcosαC. Ud=2.34U2ϕ[1+cos (60°+ α)]D. 2.34U2ϕsinα10、单相桥式半控整流大电感负载电路中，为避免“失控”现象发生，采取的措施是在负载两端并联一个（）。
电力电子技术期末考试试题及答案-(1)
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、_主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_、_双极型器件_、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、_肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流I L在数值大小上有I L__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
14.电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15.IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17.IGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有__负___温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有__正___温度系数。
电力电子技术期末复习10套及答案
电力电子技术期末复习10套及答案考试试卷(1)卷一、填空（这道题有8个小问题，每个空白1分，共20分）1、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2.为了降低自身损耗，提高效率，电力电子设备一般工作在开关状态。
当设备的工作频率较高时，开关损耗将成为主要损耗。
3、在pwm控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4.面积等效原则指的是___________________________基本相同。
5.在GTR、GTO、IGBT和MOSFET中，开关速度最快的是MOSFET，最大的单管输出功率是多少6、设三相电源的相电压为u2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其最大正向电压为。
7.如果逆变器电路的负载连接到电源，则称为逆变器。
如果它与负载相连，则称为逆变器。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用v1,vd1,v2,vd2表示)。
（1）在从0到T1的时间段内，当前路径为__；（2）在T1~T2时间段内，电流路径为__；(3)t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4)t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5)t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、多项选择题（本题共有10个子题，前4题各得2分，其余各得1分，共计14分）1、单相桥式pwm逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）a、 V1和V4打开，V2和V3关闭，B和V1正常打开，V2正常关闭，V3和V4交替打开和关闭，C，V1和V4关闭，V2和V3打开d、v1常断，v2常通，v3与v4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）a、当晶闸管的触发角大于电路的功率因数角时，晶闸管的导通角小于180度b、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作c、晶闸管的触发角小于电路的功率因数角。
电力电子技术期末考试试题答案
1.IGBT 的开启电压UGE （th ）随温度升高而略有下降，开关速度小于电力MOSFET 。
2.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管，属于全控型器件的是GTO GTR 电力MOSFET IGBT ；属于单极型电力电子器件的有电力MOSFET ，属于双极型器件的有电力二极管 晶闸管 GTO GTR ，属于复合型电力电子器件得有 IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT ，属于电流驱动的是晶闸管、GTO 、GTR 。
3.电阻负载的特点是_电压和电流成正比且波形相同_。
阻感负载的特点是_流过电感的电流不能突变，在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角α的最大移相范围是__0-180O _ ，其承受的最大正反向2__，续流二极管承受的最大反向电压为2_（设U 2为相电压有效值）。
4.单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时，α角移相范围为0-180O ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电222；带阻感负载时，α角移相范围为0-90O ，单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别22；带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象，可在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗器。
5.单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ =π-α-δ; 当控制角α小于不导电角 δ 时，晶闸管的导通角 θ = π-2δ。
6.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm 2，晶闸管控制角α的最大移相范围是0-150o ，使负载电流连续的条件为o 30≤α(U2为相电压有效值)。
电力电子技术期末考试试题与答案
电力电子技术期末考试试题与答案电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态.2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3。
电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲,往往需添加_保护电路__. 4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况,电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_.6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_.7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__ .9。
对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH 。
10。
晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11。
逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_(如何连接）在同一管芯上的功率集成器件.12.GTO的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13。
MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系,其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__.14。
电力MOSFET的通态电阻具有__正__温度系数。
15。
IGBT 的开启电压UGE（th)随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET 。
16。
按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质,可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
电力电子技术期末考试试题及答案
4.根据三相联接形式的不同，三相交流调压电路具有多种形式，TCR属于_支路控制三角形_联结方式，TCR的控制角的移相范围为_90O-180O_，线电流中所含谐波的次数为_6k±1_。
5.晶闸管投切电容器 选择晶闸管投入时刻的原那么是：_该时刻交流电源电压应与电容器预先充电电压相等_。
6.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为__交交变频电路_。
度。
11、直流斩波电路按照输入电压及输出电压的上下变化来分类有降压斩波电路；升压斩波电路；升降压斩波电路。
12、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流与强迫换流。
13、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源、逆变器及无源逆变器两大类。
14、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK快速晶闸管；200表示表示200A，9表示900V。
15.直流可逆电力拖动系统中电动机可以实现四象限运行，当其处于第一象限时，电动机作_电动__运行，电动机_正__转，正组桥工作在_整流_状态；当其处于第四象限时，电动机做_发电_运行，电动机_反转_转，___正_组桥工作在逆变状态。
16.大、中功率的变流器广泛应用的是_晶体管__触发电路，同步信号为锯齿波的触发电路，可分为三个根本环节，即_脉冲的形成及放大__、_锯齿波的形成及脉冲移相_与_同步环节_。
电力电子技术期末考试试题及答案
电力电子技术试题第1章 电力电子器件1.电力电子器件一般工作在__开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为__通态损耗__，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为__开关损耗__。
3.电力电子器件组成的系统，一般由__控制电路__、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路__。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为 __正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。
9.对同一晶闸管，维持电流IH 与擎住电流I L 在数值大小上有I L __大于IH 。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM 与转折电压Ubo 数值大小上应为，UDSM _小于__Ubo 。
12.GTO 的__多元集成__结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.MOSFET 的漏极伏安特性中的三个区域与GTR 共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的__放大区__、前者的非饱和区对应后者的_饱和区__。
15.IGBT 的开关速度__小于__电力MOSFET 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
18.在如下器件：电力二极管（Power Diode ）、晶闸管（SCR ）、门极可关断晶闸管（GTO ）、电力晶体管（GTR ）、电力场效应管（电力MOSFET ）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT ）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_ GTO 、GTR 、电力MOSFET 、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO 、GTR _，属于复合型电力电子器件得有 IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET ，属于电压驱动的是电力MOSFET 、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO 、GTR _。
电力电子技术期末复习考卷综合附答案,题目配知识点
电力电子技术期末复习考卷综合附答案,题目配知识点IMB standardization office【IMB 5AB- IMBK 08- IMB 2C】一、填空题：1、电力电子技术的两个分支是电力电子器件制造技术和变流技术。
2、举例说明一个电力电子技术的应用实例变频器、调光台灯等。
3、电力电子承担电能的变换或控制任务，主要为①交流变直流（AC —DC ）、②直流变交流（DC —AC ）、③直流变直流（DC —DC ）、④交流变交流（AC —AC ）四种。
4、为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率，电力电子器件一般都工作在开关状态，但是其自身的功率损耗（开通损耗、关断损耗）通常任远大于信息电子器件，在其工作是一般都需要安装散热器。
5、电力电子技术的一个重要特征是为避免功率损耗过大，电力电子器件总是工作在开关状态，其损耗包括三个方面：通态损耗、断态损耗和开关损耗。
6、通常取晶闸管的断态重复峰值电压UDRM 和反向重复峰值电压URRM 中较小标值作为该器件的额电电压。
选用时，额定电压要留有一定的裕量，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。
7、只有当阳极电流小于维持电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
导通：正向电压、触发电流（移相触发方式）8、半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路可能会出现失控现象，为了避免单相桥式半控整流电路的失控，可以在加入续流二极管来防止失控。
9、整流电路中，变压器的漏抗会产生换相重叠角，使整流输出的直流电压平均值降低。
10、从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为触发角。
☆从晶闸管导通到关断称为导通角。
☆单相全控带电阻性负载触发角为180度☆三相全控带阻感性负载触发角为90度11、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2√2U1。
（电源相电压为U1）三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为。
（电源相电压为U 2）12、四种换流方式分别为器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流。
《电力电子技术》期末考试试卷
《电力电子技术》期末考试试卷一、选择题（每小题1分，共20分）1．下列哪种情况下不能使导通的晶闸管关断：（ ）A.加反向阳极电压B. 加反向门极电压C ．减少正向阳极电压值，使其阳极电压小于维持电流2.在一般可逆电路中，最小逆变角βmin 选在下面那一种范围合理（ ）。
A.30º-35º，B.10º-15º，C.0º-10º，D.0º。
3．选择晶闸管额定电压时考虑安全裕量（ ）A. 1~2倍B.2~3倍C.1.5~2倍D.1.5~3倍4．单相全控桥式整流电路，纯阻性负载，其输出电压平均值为（ ）A.2cos 145.02α+UB.αcos 45.02UC.2cos 19.02α+UD.αcos 9.02U5. 比较而言，下列半导体器件中性能最好的是（ ）。
A ． GTR B. MOSFET C. IGBT D. GTO6．三相全控桥式整流电路，VT1和VT4的脉冲应间隔（ ）A.60°B.120°C.180°D.240°7. α为（）度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A.0度，B.60度，C.30度，D.120度，8．电压型逆变电路直流侧接有（），相当于（）源。
A．电流 B．电压 C．大电感 D．大电容9.下面哪种功能不属于变流的功能（）A、有源逆变B、交流调压C、变压器降压D、直流斩波10．为了保证逆变能正常工作，变流器的逆变角不得小于( )。
A 5°B 15°C 20°D 30°11.门极可关断晶闸管属于（）A.单极型电压驱动型B.单极型电流驱动型C.双极型电压驱动型D.双极型电流驱动型12.下列能使导通的晶闸管关断的是（）A.加正向阳极电压B.加反向阳极电压C.加正向门极电压D.加反向门极电压13. 变压器漏抗对整流电路的影响体现在：换相不能瞬时完成，其所对应的时间用电角度表示，叫（）。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
17、为了减小变流电路的开、关损耗，通常让元件工作在软开关状态，软开关电路种类很多，但归纳起来可分为零电流开关与零电压开关两大类。
7.Sepic斩波电路和Zeta斩波电路具有相同的输入输出关系，所不同的是：_ Sepic斩波电路_的电源电流和负载电流均连续，_ Zeta斩波电路_的输入、输出电流均是断续的，但两种电路输出的电压都为__正_极性的。
8.斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第__1__象限，升压斩波电路能使电动机工作于第__2__象限，_电流可逆斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。
18.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管__，属于半控型器件的是__晶闸管_，属于全控型器件的是_GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT _；属于单极型电力电子器件的有_电力MOSFET _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、GTO、GTR _，属于复合型电力电子器件得有__ IGBT _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力MOSFET，属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT _，属于电流驱动的是_晶闸管、GTO、GTR _。
15.IGBT的开启电压UGE（th）随温度升高而_略有下降__，开关速度__小于__电力MOSFET。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
电力电子技术期末考试试题及答案(史上最全)
6.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为__交交变频电路_。
7.单相交交变频电路带阻感负载时，哪组变流电路工作是由_输出电流的方向_决定的，交流电路工作在整流还是逆变状态是根据_输出电流方向和输出电压方向是否相同_决定的。
1、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管GTR；可关断晶闸管GTO；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
2、晶闸管对触Βιβλιοθήκη 脉冲的要求是要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高和触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
3、多个晶闸管相并联时必须考虑均流的问题，解决的方法是串专用均流电抗器。。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为__正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止__。
9.对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。
10.晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM_大于__Ubo。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
10、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波，电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是180º度；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波，电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是120º
第2章整流电路
大学电力电子技术期末考试试题与答案详解
题号 一 二 三 四五六七八九十总分得分一、（共 15分） 1．写出下列电路符号的名称或简称。
（a ）晶闸管 (b) 电力MOSFET (c) GTR (d)IGBT2．画出单结晶体管的电路符号及伏安特性；说明单结晶体管的导通条件和截止条件。
导通条件：u e ＞U p ，i e ＞I p （2分）截止条件：u e ＜U v ，i e ＜I v （2分）3．在第1题所给的器件中，哪些属于自关断器件？c ），（d ）二、（共 18 分） 具有续流二极管的单相桥式全控整流电路，对发电机励磁绕组供电。
绕组的电阻为5Ω，电感为0.4H ，励磁直流平均电流I d 为30A ，交流电源电压U 2为220V 。
（1）画出电路图；（2）计算晶闸管和续流二极管 的电流有效值；电源电流I 2、容量S 以及功率因数；（3）作出整流输出电压u d 、输出电流i d 和电源电流i 2的波形；（4）若电压和电流都考虑2倍的安全裕量，采用KP50－8的晶闸管是否合理？为什么？（1）（3分） （3）（6分） （2）（6分） 由R I U U dd =+=2cos 19.02α解得α=59o （4）（3分）∵A A II T AV T 5022257.1)(〈=⨯=∴A I I d T 4.172=⋅-=παπ V V U U U 800622222〈=⨯==A I I d DR 2.17=⋅=πα ∴采用KP50－8的晶闸管是合理的。
三、（共 25 分）变流电路如图所示。
已知：U 2=200V ，R =2Ω，L =∞，L B =1mH ，α=45o ，E M =100V 。
1．计算输出直流平均电压U d 、平均电流I d 和换流重叠角γ；标出 U d 和E M 的实际极性，说明变流电路和直流电动机的工作状态。
2．作出输出电压u d 、流过晶闸管VT 1的电流i T1的波形。
3．若电动机处于发电制动状态，变流电路应工作在 状态。
电力电子技术期末考试试题及答案-(1)
电力电子技术试题第1章电力电子器件1.电力电子器件一般工作在开关状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。
3.电力电子器件组成的系统，一般由控制电路、_驱动电路_、 _主电路_三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_保护电路。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为_单极型器件_ 、 _双极型器件_ 、_复合型器件_三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为_承受正向电压导通，承受反相电压截止_。
6.电力二极管的主要类型有_普通二极管_、_快恢复二极管_、 _肖特基二极管_。
7.肖特基二极管的开关损耗_小于_快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止。
9.对同一晶闸管，维持电流与擎住电流在数值大小上有大于。
10.晶闸管断态不重复电压与转折电压数值大小上应为，大于。
11.逆导晶闸管是将_二极管_与晶闸管_反并联_（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12的多元集成结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13的漏极伏安特性中的三个区域与共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的_截止区_、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的_饱和区。
14.电力的通态电阻具有正温度系数。
15 的开启电压（）随温度升高而_略有下降，开关速度小于电力 。
16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为_电压驱动型_和_电流驱动型_两类。
17的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有负温度系数， 在1/2或1/3额定电流以上区段具有正温度系数。
18.在如下器件：电力二极管（ ）、晶闸管（）、门极可关断晶闸管（）、电力晶体管（）、电力场效应管（电力）、绝缘栅双极型晶体管（）中，属于不可控器件的是_电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管_，属于全控型器件的是_ 、 、电力 、 _；属于单极型电力电子器件的有_电力 _，属于双极型器件的有_电力二极管、晶闸管、 、 _，属于复合型电力电子器件得有 _；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管_，工作频率最高的是_电力，属于电压驱动的是电力 、 _，属于电流驱动的是_晶闸管、 、 _。
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2019 ～2020 学年第 1 学期 电力电子技术 科目考 样 卷
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二、简答题（每题8，共24分）
1.什么是电压型逆变电路和电流型逆变电路？各有什么特点？
2．试分别说明交流调压和交流调功电路的结构和工作原理有何异
同？
答：
3、换流失败的产生给逆变电路造成什么样的后果？ 答：
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三、分析与计算
1、整流变压器二次侧中间抽头的双半波相控整流电路如图题1所
示。
(1)分别画出电阻性负载和大电感负载在α=60°时的输出电
压U d 、电流i d 的波形，比较与单相全控桥式整流电路是否相
同。
若已知U 2=220V ，分别计算其输出直流电压值U d 。
（2）画出电阻性负载α=60°时晶闸管两端的电压u T1波形，说
明该电路晶闸管承受的最大反向电压为多少?（本题12
分）
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2.三相全控桥式整流电路带大电感负载，负载电阻R d =4Ω，要求U d 从
0~220V 之间变化。
试求：
(1)不考虑控制角裕量时，整流变压器二次线电压。
(2)计算晶闸管电压、电流值，如电压、电流取2倍裕量，选择晶
闸管型号。
3）计算整流变压器二次电流有效值I 2。
（4）计算整流变压器二次侧容量S 2。
（本题12分）
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3、单相全控桥式晶闸管可逆电路，如图7所示，U 2=220V ，
E D =100V ，R Σ=2Ω,当β=30º时，能否进行有源逆变？为什么？（本
题10分）
图题7
4. 如图，在升压斩波电路中，已知输入端电压U=50V ，L 值和C 值
较大，R=20Ω，若采用脉宽调制方式，当T s =40μs，t on =20μs
时，计
算输出电压平均值U 0和输出电流平均值I 0。
（本题10分）
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号： 5、一台220V 、10KW 的电炉，现采用晶闸管单相交流调压使其工作
于5KW ，试求其触发角、工作电流以及电源侧的功率因数。
（本题10分）
解：。