SI 基本知识
半导体基本知识总结
半导体基本知识总结半导体是一种介于导体(如金属)和绝缘体(如橡胶)之间的材料。
它的电导率介于导体和绝缘体之间,可以在特定条件下导电或导热。
半导体材料通常由硅(Si)或锗(Ge)等元素组成。
半导体具有以下几个重要特性:1. 带隙: 半导体具有能带隙,在原子之间存在禁止带,使得半导体在低温状态下几乎没有自由电子或空穴存在。
当半导体受到外部能量或掺杂杂质的影响时,带隙可以被克服,进而产生导电或导热行为。
2. 导电性: 半导体的电导性取决于其材料内部的掺杂情况。
掺杂是指将杂质元素(如硼或磷)引入半导体材料中,以改变其电子特性。
N型半导体中的杂质元素会提供额外的自由电子,增加导电性;P型半导体中的杂质元素会提供额外的空穴,也可以增加导电性。
3. PN结: PN结是由P型半导体和N型半导体通过特定方式连接而成的结构。
PN结具有整流特性,只允许电流在特定方向上通过。
当正向偏置(即正端连接正极,负端连接负极)时,电流可以自由通过;而反向偏置时,几乎没有电流通过。
4. 半导体器件: 多种半导体器件被广泛使用,如二极管、晶体管和集成电路。
二极管是一种具有正向和反向导电特性的器件,可用于整流和电压稳定等应用。
晶体管是一种具有放大和开关功能的半导体器件。
集成电路是把多个晶体管、电阻和电容等器件集成在一起,成为一个小型电路单元,用于各种电子设备。
半导体的发现和发展极大地推动了现代电子技术的进步。
它不仅广泛应用于计算机、通信设备和电子产品,还在光电子学、太阳能电池和传感器等领域发挥着重要作用。
随着半导体技术的不断发展,人们对于半导体材料与器件的研究仍在进行,为电子技术的未来发展提供了无限可能性。
半导体的基本知识
半导体的基本知识半导体是一种电导率介于导体和绝缘体之间的材料。
半导体的电性质可以通过施加电场或光照来改变,这使得半导体在电子学和光电子学等领域有广泛的应用。
以下是关于半导体的一些基本知识:1. 基本概念:导体、绝缘体和半导体:导体(Conductor):电导率很高,电子容易通过的材料,如金属。
绝缘体(Insulator):电导率很低,电子很难通过的材料,如橡胶、玻璃。
半导体(Semiconductor):电导率介于导体和绝缘体之间的材料,如硅、锗。
2. 晶体结构:半导体通常以晶体结构存在,常见的半导体材料有硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)等。
3. 电子能带:价带和导带:半导体中的电子能带分为价带和导带。
电子在价带中,但在施加电场或光照的作用下,电子可以跃迁到导带中,形成电流。
能隙:价带和导带之间的能量差称为能隙。
半导体的能隙通常较小,这使得它在室温下就能够被外部能量激发。
4. 本征半导体和杂质半导体:本征半导体:纯净的半导体材料,如纯硅。
杂质半导体:在半导体中引入少量杂质(掺杂)以改变其导电性质。
掺入五价元素(如磷、砷)形成n型半导体,而掺入三价元素(如硼、铝)形成p型半导体。
5. p-n 结:p-n 结:将p型半导体和n型半导体通过特定工艺连接在一起形成p-n 结。
这是许多半导体器件的基础,如二极管和晶体管。
6. 半导体器件:二极管(Diode):由p-n 结构构成,具有整流特性。
晶体管(Transistor):由多个p-n 结构组成,可以放大和控制电流。
集成电路(Integrated Circuit,IC):在半导体上制造出许多微小的电子器件,形成集成电路,实现多种功能。
7. 半导体的应用:电子学:微电子器件、逻辑电路、存储器件等。
光电子学:光电二极管、激光二极管等。
太阳能电池:利用半导体材料的光伏效应。
这些是半导体的一些基本知识,半导体技术的不断发展推动了现代电子、通信和计算机等领域的快速进步。
汉语拼音基本知识
汉语拼音基本知识汉语拼音基本知识汉语拼音是学习语文的基础,是识字的前提。
下面是小编为大家整理了汉语拼音基本知识,希望能帮到大家!一、字母表Aɑ Bb Cc Dd Ee Ff Gɡ Hh Ii Jj Kk Ll Mm Nn Oo Pp Qq Rr Ss Tt Uu Vv Ww Xx Yy Zz二、声母表b p m f d t n l g k h j q x玻坡摸佛得特呢勒哥科喝基欺希zh ch sh r z c s y w知蚩诗日资雌思衣乌三、韵母表单韵母a o e i u ü复韵母ai ei ui ao ou iu ie ue eran en in un ün (前鼻音)ang eng ing ong (后鼻音)四、整体认读音节zhi chi shi ri zi ci si yi wu yu只吃师日资雌撕一乌鱼ye yue yuan yin yun ying也月远因云应五、声调阴平:-阳平:/ 上声:∨ 去声:﹨例如:拼音声调声调符号标在音节的主要母音上。
轻声不标。
妈mā 【阴平】麻má 【阳平】马mǎ 【上声】骂mà 【去声】吗 ma 【轻声】隔音符号a,o,e开头的音节连接在其它音节后面的时候,如果音节的界限发生混淆,用隔音符号(')隔开,例如pi'ao(皮袄)。
备注①、"知蚩诗日资雌思"等字的韵母用i 。
②、 i 行的韵母,前面没有声母的时候,写成yi(衣)、ya(呀)、ye(耶)、yao(腰)、you(忧)、yan(烟)、yin(因)、yang(央)、ying(英)、yong(雍)。
③、u 行的韵母,前面没有声母的时候,写成wu(乌)、wa (蛙)、wo(窝)、wai(歪)、wei(威)、wan(弯)、wen(温)、wang(汪)、weng(翁)。
④、ü 行的韵母,前面没有声母的时候,写成yu(迂)、yue (约)、yuan(冤)、yun(晕)、。
长笛si的指法
长笛si的指法摘要:一、长笛基本知识二、长笛si指法的含义三、长笛si指法的操作步骤四、练习长笛si指法的建议五、提高长笛演奏技巧的方法正文:长笛作为一种流行的管乐器,吸引了众多音乐爱好者。
掌握长笛的基本知识和技巧是演奏出优美旋律的关键。
本文将详细介绍长笛si指法的相关知识,帮助读者更好地演奏长笛。
一、长笛基本知识长笛起源于17世纪,是一种木质吹管乐器。
长笛家族包括高音笛、中音笛、低音笛和倍低音笛等。
长笛的音色纯净、优美,适用于独奏、重奏和交响乐等多种音乐形式。
二、长笛si指法的含义长笛si指法是指在长笛演奏过程中,用手指覆盖音孔来改变音高。
在长笛上,共有六个音孔,分别位于吹嘴、高音区、中音区和低音区。
通过封闭或打开这些音孔,可以演奏出不同的音高。
三、长笛si指法的操作步骤1.吹嘴:吹嘴是长笛的灵魂,掌握正确的吹嘴姿势是演奏好长笛的基础。
将吹嘴放入口中,嘴唇紧贴吹嘴,保持嘴唇放松,用气流吹动吹嘴上的簧片发出声音。
2.手指:在演奏长笛时,手指要灵活、迅速地覆盖和打开音孔。
高音区的音孔较小,需要用食指、中指和无名指覆盖;中音区用食指和中指覆盖;低音区用食指、中指、无名指和小指覆盖。
3.呼吸:演奏长笛时,呼吸至关重要。
要用腹式呼吸,保持气息稳定,避免颤抖和断音。
四、练习长笛si指法的建议1.熟练掌握指法:通过反复练习,熟悉各个音孔的位置和指法,形成肌肉记忆。
2.保持手指灵活:可以进行一些手指操练,如手指伸展、快速封闭音孔等,提高手指敏捷度。
3.慢速练习:在熟练掌握指法后,逐渐提高速度,但要保证音准和音色的稳定。
4.乐曲练习:选择适合自己水平的乐曲进行练习,不断提高演奏水平。
五、提高长笛演奏技巧的方法1.学习乐理知识:了解音阶、和弦、节奏等基本乐理知识,提高音乐素养。
2.跟随专业老师学习:寻找一位经验丰富的长笛老师,跟随老师学习长笛演奏技巧和指法。
3.多听古典音乐:聆听古典音乐,培养音乐审美,吸收优秀音乐家的演奏技巧。
半导体的基本知识
电子技术基础——半导体的基本知识11(6)吴越11223524半导体材料1.半导体:导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。
2.常用的半导体材料有:元素半导体,如硅(Si)、锗(Ge)等;化合物半导体,如砷化镓(GaAs)等;掺杂半导体,如硼(B)、磷(P)、锢(In)和锑(Sb)等。
3.半导体的特点:导电能力介于导体与绝缘体之间受外界光和热的刺激时,导电能力会产生显著变化。
在纯净半导体中,加入微量的杂质,导电能力急剧增强。
半导体的共价键结构Si、Ge是四价元素,最外层原子轨道上有四个价电子,邻近原子之间由共价键联结,具有晶体结构。
本征半导体、空穴及其导电作用1.本征半导体:一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。
2.本征激发:T=0K以上,价电子就会获得足够的随机热振动能量而挣脱共价键的束缚,成为自由电子。
3.空穴:本征激发价电子成为自由电子后,共价键上留下的空位。
空穴是一个带正电的粒子,其电量与电子相等,符号相反,在外加电场作用下,可以自由地在晶体中运动,和自由电子一样可以参加导电。
邻近价电子就可填补到这个空位上,而在这个电子原来的位置上又留下新的空位,使共价键中出现一定的电荷迁移。
空穴的移动方向和电子移动的方向是相反的。
空穴也是一种载流子,这种载流子的运动,是人们根据共价键中出现空穴的移动而虚拟出来的。
本征半导体中的自由电子和空穴数相等。
杂质半导体1.P型半导体:在硅(或锗)的晶体内掺入少量三价元素杂质,如硼、铟,它与周围硅原子组成共价键时,因缺少一个电子,在晶体中便产生一个空穴。
P型半导体中多数载流子是空穴,少数载流子是电子(本征激发产生)。
当相邻共价键上的电子受到热振动或在其他激发条件下获得能量时,就有可能填补这个空位,使硼原子成为不能移动的负离子,而原来硅原子的共价键则因缺少一个电子,形成了空穴,半导体呈中性。
2.N型半导体:在硅或锗的晶体中掺入五价元素,如磷、砷、锑,它的五个价电子中有四个与周围的硅原子结成共价键,多余的一个价电子在室温下就可以成为自由电子。
硅钢片基本知识
五金知识:矽钢片--------------------------------------------------------------------------------来源: 发布日期:电工用硅钢薄板俗称矽钢片或硅钢片。
顾名思义,它是含硅高达0.8%-4.8%的电工硅钢,经热、冷轧制成。
一般厚度在1mm以下,故称薄板。
硅钢片广义讲属板材类,由于它的特殊用途而独立一分支。
电工用硅钢薄板具有优良的电磁性能,是电力、电讯和仪表工业中不可缺少的重要磁性材料。
(1)硅钢片的分类A、硅钢片按其含硅量不同可分为低硅和高硅两种。
低硅片含硅2.8%以下,它具有一定机械强度,主要用于制造电机,俗称电机硅钢片;高硅片含硅量为 2.8%-4.8%,它具有磁性好,但较脆,主要用于制造变压器铁芯,俗称变压器硅钢片。
两者在实际使用中并无严格界限,常用高硅片制造大型电机。
B、按生产加工工艺可分热轧和冷轧两种,冷轧又可分晶粒无取向和晶粒取向两种。
冷轧片厚度均匀、表面质量好、磁性较高,因此,随着工业发展,热轧片有被冷轧片取代之趋势(我国已经明确要求停止使用热轧硅钢片,也就是前期所说的"以冷代热")。
(2)硅钢片性能指标A、铁损低。
质量的最重要指标,世界各国都以铁损值划分牌号,铁损越低,牌号越高,质量也高。
B、磁感应强度高。
在相同磁场下能获得较高磁感的硅钢片,用它制造的电机或变压器铁芯的体积和重量较小,相对而言可节省硅钢片、铜线和绝缘材料等。
C、叠装系数高。
硅钢片表面光滑,平整和厚度均匀,制造铁芯的叠装系数提高。
D、冲片性好。
对制造小型、微型电机铁芯,这点更重要。
E、表面对绝缘膜的附着性和焊接性良好。
F、磁时效G、硅钢片须经退火和酸洗后交货。
(一)电工用热轧硅钢薄板(GB5212-85)电工用热轧硅钢薄板以含碳损低的硅铁软磁合金作材质,经热轧成厚度小于1mm的薄板。
电工用热轧硅钢薄板也称热轧硅钢片。
热轧硅钢片按其合硅量可分为低硅(Si≤2.8%)和高硅(Si≤4.8%)两种钢片。
si元素知识点总结
si元素知识点总结一、硅元素的基本知识1.1 硅元素的发现硅元素最早被认识到并得到应用是在古代希腊化学家提亚哥尼当时。
在18世纪早期,瑞典化学家狄卡曼曾经从植物灰得到了明显有硅的白色物质,这被认为是硅的初次发现。
1808年,英国化学家戈比伦从硅酸盐中提取出了纯度较高的硅。
1831年,斯塔克将硅当作是一种新元素,起初被叫做硅素(silicium)。
后在1867年,进一步研究发现确凿无误地证明了硅是一种单质。
1.2 硅元素的结构硅元素的原子序数为14,原子量为28.09。
在元素周期表中位于第14族,第3周期。
硅元素的化学性质与其结构密切相关。
硅元素是有七个电子壳的元素,有4个价电子,硅在化学反应中得失电子以达到稳定的电子构型。
硅的原子结构为1s2 2s22p6 3s23p2,在固态中以硅原子中心为顶点的四面体结构成为共价化合物。
硅的晶体结构可以是钻石型或闪锌矿型。
1.3 硅元素的同位素硅元素有多种同位素,其中自然界存在的有3种同位素,分别是硅-28(92.23%)、硅-29(4.67%)、硅-30(3.10%)。
此外,人工合成了多种放射性同位素,可用于放射性示踪、医学诊断等领域。
二、硅元素的性质2.1 物理性质硅元素是一种具有金属和非金属性质的典型准金属元素。
在常温常压下呈现为灰白色固体,有金属光泽,质地脆硬。
硅元素的结构稳定性较高,熔点为1414°C,沸点为3265°C。
硅元素是热传导性能极好的材料,同时也是半导体材料。
2.2 化学性质硅元素的化学性质活泼,容易与氧、氮等元素发生反应。
硅元素在常温下不溶于多种酸、碱溶液中,但遇到浓硝酸和氢氟酸时会发生剧烈反应。
硅元素与氧发生化学反应时,形成二氧化硅(SiO2),通常被称为石英,也是硅元素广泛存在的一种化合物。
2.3 其他性质硅元素的结构稳定性较高,同时还具有良好的光学性能、导电性能。
此外,硅元素还具有辐射抗性、耐高温等优良性质。
普通话学习的基本知识
普通话学习的基本要点:声母:b p m f d t n l g k h j q x zh ch sh r z c s w y单韵母:a o e i u ǔ复韵母:ai ei ui ao ou iu ie ǖe er an en in un ǔn ang eng ing o ng整体认读音节zhi chi shi ri zi ci si yi wu yu ye yue yin yun yuan ying百度百科:汉语字音中声母、字调以外的部分。
旧称为韵。
韵母又可以分成韵头(介音)、韵腹(主要元音)、韵尾三部分,每个韵母一定有韵腹,韵头和韵尾则可有可无。
鼻韵母:an、ian、uan、üan 、en、in、uen、ün 、ang、iang、uang、eng、ing、ueng、ong、iong韵头又称介音,是韵腹前面、起前导作用的部分,发音比较模糊,往往迅速带过;韵腹又称主要元音,是一个韵母发音的关键,是韵母发音过程时,口腔肌肉最紧张,发音最响亮的部分;韵尾可元音可辅音。
一种叫鼻韵尾,有-n,-ng两个。
另一种叫口韵尾。
韵尾是韵腹后面、起收尾作用的部分,发音也比较模糊,但务求发到位。
按结构可以分为单韵母、复韵母、鼻韵母(有鼻韵尾的韵母叫鼻韵母);按开头元音发音口形可分为开口呼、齐齿呼、合口呼、撮口呼,简称“四呼”。
开口呼韵母为a、o、e、ê、er、i(前) 、i(后)或a、o、e开头的韵母齐齿呼韵母为i或i开头的韵母如iou、iao、ie、ia合口呼韵母为u或u开头的韵母如ua、uo、uai、uei撮口呼韵母为ü或以ü开头的韵母如üe、ün、üan单元音韵母由一个元音构成的韵母叫单韵母,又叫单元音韵母。
单元音韵母发音的特点是自始至终口形不变,舌位不移动。
普通话中单元音韵母共有十个:a、o、e、ê、i、u、ü、-i(前)、-i(后)、er。
Allegro PCB SI 仿真理论知识
Allegro PCB SI仿真随着微电子技术和计算机技术的不断发展,信号完整性分析的应用已经成为解决高速系统设计的唯一有效途径。
借助功能强大的Cadence公司SpecctraQuest仿真软件,利用IBIS模型,对高速信号线进行布局布线前信号完整性仿真分析是一种简单可行行的分析方法,可以发现信号完整性问题,根据仿真结果在信号完整性相关问题上做出优化的设计,从而缩短设计周期。
本文概要地介绍了信号完整性(SI)的相关问题,基于信号完整性分析的PCB设计方法,传输线基本理论,详尽的阐述了影响信号完整性的两大重要因素—反射和串扰的相关理论并提出了减小反射和串扰得有效办法。
讨论了基于SpecctraQucst的仿真模型的建立并对仿真结果进行了分析。
研究结果表明在高速电路设计中采用基于信号完整性的仿真设计是可行的, 也是必要的。
【关键字】高速PCB、信号完整性、传输线、反射、串扰、仿真AbstractWith the development of micro-electronics technology and computer technology,application of signal integrity analysis is the only way to solve high-speed system design. By dint of SpecctraQuest which is a powerful simulation software, it’s a simple and doable analytical method to make use of IBIS model to analyze signal integrity on high-speed signal lines before component placement and routing. This method can find out signal integrity problem and make optimization design on interrelated problem of signal integrity. Then the design period is shortened.In this paper,interrelated problem of signal integrity, PCB design based on signal integrity, transmission lines basal principle are introduced summarily.The interrelated problem of reflection and crosstalk which are the two important factors that influence signal integrity is expounded. It gives effective methods to reduce reflection and crosstalk. The establishment of emulational model based on SpecctraQucst is discussed and the result of simulation is analysed. The researchful fruit indicates it’s doable and necessary to adopt emulational design based on signal integrity in high-speed electrocircuit design.Key WordsHigh-speed PCB、Signal integrity、Transmission lines、reflect、crosstalk、simulation目录第一章绪论 (5)第二章 Candence Allegro PCB简介 (6)2.1 高速PCB的设计方法 (6)2.2 SpecctraQuest Interconnect Designer在高速信号印刷板设计中的应用.72.3 PCB板的SI仿真分析 (8)第三章信号完整性分析概论 (12)3.1 信号完整性(Signal Integrity)概念 (12)3.2 信号完整性的引发因素 (12)3.3 信号完整性的解决方案 (14)第四章传输线原理 (15)4.1 传输线模型 (15)4.2 传输线的特性阻抗 (16)第五章反射的理论分析和仿真 (19)5.1 反射形成机理 (19)5.2 反射引起的振铃效应 (20)5.3 端接电阻匹配方式 (23)5.4 多负载的端接 (28)5.5 反射的影响因素 (29)第六章串扰的理论分析和仿真 (34)6.1 容性耦合电流 (34)6.2 感性耦合电流 (35)6.3 近端串扰 (36)6.4 远端串扰 (38)6.5 串扰的影响因素 (41)第七章结束语 (46)参考文献 (47)致谢 (47)附录:A/D、D/A 采样测试板原理图和PCB板图 (61)第一章绪论随着信息宽带化和高速化的发展,以前的低速PCB已完全不能满足日益增长信息化发展的需要,人们对通信需求的不断提高,要求信号的传输和处理的速度越来越快,相应的高速PCB的应用也越来越广,设计也越来越复杂。
半导体器件的基本知识
半导体器件的基本知识在现代科技的高速发展中,半导体器件扮演着至关重要的角色。
从我们日常使用的智能手机、电脑,到各种智能家电、汽车电子,乃至医疗设备和航空航天领域,半导体器件无处不在。
那么,什么是半导体器件?它们又是如何工作的呢?让我们一起来揭开半导体器件的神秘面纱。
半导体,顾名思义,其导电性能介于导体和绝缘体之间。
常见的半导体材料有硅(Si)、锗(Ge)等。
这些材料的原子结构和特性使得它们在特定条件下能够实现对电流的控制和调节。
半导体器件的种类繁多,其中最基本的包括二极管、三极管和场效应管等。
二极管是一种最简单的半导体器件。
它具有单向导电性,也就是说电流只能从一个方向通过。
二极管的结构就像是一个 PN 结,P 型半导体和 N 型半导体结合在一起。
当在二极管上施加正向电压时,电流可以顺利通过;而施加反向电压时,电流几乎无法通过,只有极小的反向漏电流。
二极管在电路中常用于整流、稳压、检波等功能。
比如,在电源适配器中,二极管就被用来将交流电转换为直流电。
三极管则比二极管复杂一些,它有三个电极,分别是基极(B)、发射极(E)和集电极(C)。
根据结构的不同,三极管分为 NPN 型和PNP 型。
三极管的主要作用是放大电流信号。
当基极输入一个较小的电流变化时,会引起集电极和发射极之间较大的电流变化,从而实现信号的放大。
此外,三极管还可以用作开关,控制电路的通断。
场效应管也是一种重要的半导体器件。
它是利用电场来控制电流的。
场效应管分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管。
绝缘栅型场效应管中的 MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)在现代集成电路中应用广泛。
它具有输入电阻高、噪声低、功耗小等优点,常用于数字电路和模拟电路中。
半导体器件的制造工艺非常复杂和精细。
首先,需要通过一系列的化学和物理过程,将半导体材料提纯并制备成晶圆。
然后,在晶圆上通过光刻、蚀刻、掺杂等工艺制作出各种半导体器件的结构。
这些工艺要求极高的精度和纯度,以确保半导体器件的性能和可靠性。
硅的基本知识
高纯硅是指将工业硅提纯到硅含量在99.9999%(6N)以上的多晶硅。
高纯硅材料经提拉或铸锭处理制成的单晶硅或多晶硅,是制作集成电路和光伏电池不可或缺的基础材料工业硅金属硅定义:金属硅又称结晶硅或工业硅,其主要用途是作为非铁基合金的添加剂。
硅是非金属元素,呈灰色,有金属色泽,性硬且脆。
硅的含量约占地壳质量的26%;原子量为28.80;密度为2.33g/m3;熔点为1410°C;沸点为2355°C;电阻率为2140Ω.m。
金属硅的牌号:按照金属硅中铁、铝、钙的含量,可把金属硅分为553、441、411、421、3303、3305、2202、2502、1501、1101等不同的牌号。
金属硅的附加产品:包括硅微粉,边皮硅,黑皮硅,金属硅渣等。
其中硅微粉也称硅粉、微硅粉或硅灰,它广泛应用于耐火材料和混凝土行业金属硅的用途:金属硅(Si)是工业提纯的单质硅,主要用于生产有机硅、制取高纯度的半导体材料以及配制有特殊用途的合金等。
(1)生产硅橡胶、硅树脂、硅油等有机硅硅橡胶弹性好,耐高温,用于制作医疗用品、耐高温垫圈等。
硅树脂用于生产绝缘漆、高温涂料等。
硅油是一种油状物,其粘度受温度的影响很小,用于生产高级润滑剂、上光剂、流体弹簧、介电液体等,还可加工成无色透明的液体,作为高级防水剂喷涂在建筑物表面。
(2)制造高纯半导体现代化大型集成电路几乎都是用高纯度金属硅制成的,而且高纯度金属硅还是生产光纤的主要原料,可以说金属硅已成为信息时代的基础支柱产业。
(3)配制合金硅铝合金是用量最大的硅合金。
硅铝合金是一种强复合脱氧剂,在炼钢过程中代替纯铝可提高脱氧剂利用率,并可净化钢液,提高钢材质量。
硅铝合金密度小,热膨胀系数低,铸造性能和抗磨性能好,用其铸造的合金铸件具有很高的抗击冲击能力和很好的高压致密性,可大大提高使用寿命,常用其生产航天飞行器和汽车零部件。
硅铜合金具有良好的焊接性能,且在受到冲击时不易产生火花,具有防爆功能,可用于制作储罐。
谱曲的基本知识
谱曲的基本知识包括音符、音阶、节奏、调式、和声等。
音符:在简谱中,用以表示音的高低及相互关系的基本符号为七个阿拉伯数字,即1、2、3、4、5、6、7,唱作do、re、mi、fa、sol、la、si。
音阶:将1→i或i→1之间的音像阶梯一样按高低次序进行排列,称为音阶。
节奏:乐曲或歌曲中,音的强弱有规律地循环出现,就形成节奏。
节奏的掌握对于读谱至关重要,要练习掌握节奏,首先要能准确地击拍。
调式:将调式中的各音从主音到主音,按一定的音高关系排列起来的音列,叫音阶。
和声:两个或两个以上具有协和关系的音同时发声,在音乐表现中形成一种融合、丰满的音响,称为和声。
此外,在谱曲时,还有一些其他的技巧和注意事项,如运用基本音阶和变化音阶、注意音量的控制、考虑音乐的整体结构等。
同时,还需要学习和了解不同乐器的演奏法和表现特点,以及如何为演唱者伴奏等。
总之,谱曲需要掌握基本知识,同时也需要不断的实践和学习,提高自己的音乐素养和表现能力。
单晶硅基本知识1
硅的基本知识
1 硅的物理化学性质
硅,元素符号为Si,原子数为14,相对原子质量为28.09,有无定形和晶体两种同素异形体,主要以化合物(二氧化硅和硅酸盐)的形式存在,硅约占地壳总重量的27.72%,其丰度仅次于氧。
硅的固态密度为2.33克/立方厘米,液态硅的密度为2.54克/立方厘米。
熔点为1416±4℃,沸点为2355℃。
拉制单晶硅时,是在高温状态下,易发生如下反应:
Si+C→SiC Si+SiO2→SiO↑Si+O2→SiO2
另外硅还能与钙、镁、铁、铜、铂、铋等化合,生成金属化合物,对单晶硅的质量有很大的影响。
2 单晶硅的晶向
单晶硅有N型/P型之分。
N型的掺杂剂为磷,P型掺杂剂为硼。
分别有〈100〉晶体上有四条晶线,〈110〉晶体上有两条晶线,〈111〉有三条或六条对称分布的棱线。
化学成分硅是元素半导体。
电活性杂质磷和硼在合格半导体和多晶硅中应分别低于0.4ppb和0.1ppb。
拉制单晶时要掺入一定量的电活性杂质,以获得所要求的导电类型和电阻率。
重金属铜、金、铁等和非金属碳都是极有害的杂质,它们的存在会使PN结性能变坏。
硅中碳含量较高,低于1ppm 者可认为是低碳单晶。
碳含量超过3ppm时其有害作用已较显著。
硅中氧含量甚高。
氧的存在有益也有害。
直拉硅单晶
氧含量在5~40ppm范围内;区熔硅单晶氧含量可低于1ppm。
半导体基本知识
4)温度升高,激发的电子空穴对数目增加,半导体的导电能力增强。 空穴的出现是半导体导电区别于导体导电的一个主要特征。
如果在本征半导体中掺入微量杂质(其他元素),形成杂质半导体,其导电 能力会显著变化。根据掺入杂质的不同,可以分为P型半导体和N型半导体。
在本征半导体硅(或锗)中掺入微量的 五价元素,如磷、砷、锑等,就形成N型半 导体。杂质原子替代了晶格中的某些硅原子, 它的四个价电子和周围四个硅原子组成共价 键,而多出的一个价电子很容易受激发脱离 原子核的束缚成为自由电子,但并不同时产 生空穴,相应的五价元素的原子因失去一个 电子而成为不能自由移动的带正电粒子—— 正离子,由于杂质原子可以提供电子,故也 称施主原子,如右图所示。
在本征半导体硅(或锗)中掺入微量的 三价元素,如硼、铝、铟等,就形成P型半导 体。杂质原子替代了晶格中的某些硅原子, 它的三个价电子和周围四个硅原子组成共价 键,而第四个共价键因缺少一个价电子出现 空位,由于空位的存在,使邻近共价键内的 电子只需很小的激发能便能填补这个空位, 相应的三价元ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ的原子因得到一个电子而成 为不能自由移动的带负电粒子——负离子, 由于杂质原子得到电子,故也称为受主原子, 如右图所示。
这种杂质半导体的多子是空穴,因空穴 带正(positive)电,所以称为P型半导体。P 型半导体中空穴的浓度比电子的浓度高得多。 当在其两端加电压时,主要由空穴定向移动 形成电流。
硅的基本知识
硅的基本知识硅一种重要的半导体材料。
元素周期表中第 3周期第Ⅳ族的元素,化学符号Si,原子序数14,属金刚石型晶格结构,晶格常数5.42×10-10m,熔点1417℃,禁带宽度1.12电子伏,性脆易碎,密度小而硬度大,是呈银灰色金属光泽的非金属材料。
硅在地壳中常以化合态存在。
用作半导体材料的硅是经还原提纯的高纯硅(纯度达8个“9”以上)。
它有非晶、多晶、单晶 3种形态。
制造硅器件主要用单晶硅。
1950年,硅单晶作为半导体材料开始进入实用化阶段,制作单晶硅的工艺主要有直拉法、区熔法和外延法。
直拉法适宜于生长低电阻大直径单晶,其径向杂质分布均匀,适宜作低压硅器件和集成电路的材料。
区熔单晶径向杂质分布均匀性较直拉法差,但氧、碳含量低,用高阻区熔单晶经过中子辐照可以得到杂质分布均匀性相当满意的单晶材料,适宜于制作高压大功率器件。
衡量单晶质量的参数主要有导电类型、晶向电阻率及其均匀性、少子寿命、位错密度、补偿度等。
影响单晶质量的关键因素是晶格缺陷和杂质。
由于硅的资源十分丰富,易于提纯,价格便宜,而且硅器件易于实现平面工艺,具有效率高、寿命长、体积小、导热好、耐高温、可靠性高等优点,大多数半导体器件都选硅作原料。
硅主要用于制作各种集成电路、晶体管及电力电子器件。
后者包括大功率的整流管、晶闸管、晶体管及各种派生器件,已广泛用于机械、冶金、电力、矿山、交通运输、航天、化工等各个领域。
硅晶体管和集成电路主要用于无线电装置、电信设备、自动控制系统、计算机、航天事业等各个领域。
此外,还可制造太阳能电池,用作航天飞机、人造卫星、无人灯塔等的电源。
硅有无定形硅和晶形硅两种同素异形体。
无定形硅是灰黑色粉末,实际上也是一种微晶体。
晶形硅具有金刚石的晶体结构和半导体性质。
无定形硅化学性质活泼,在氧气中能剧烈燃烧。
它在高温下与卤素、氮、碳等非金属发生反应,也能与镁、钙、铁等金属作用,生成硅化物。
无定形硅几乎不溶于包括氢氟酸在内的所有无机酸和有机酸,但能溶于硝酸与氢氟酸的混合酸。
半导体的基本知识
第1章半导体的基本知识1.1 半导体及PN结半导体器件是20世纪中期开始发展起来的,具有体积小、重量轻、使用寿命长、可靠性高、输入功率小和功率转换效率高等优点,因而在现代电子技术中得到广泛的应用。
半导体器件是构成电子电路的基础。
半导体器件和电阻、电容、电感等器件连接起来,可以组成各种电子电路。
顾名思义,半导体器件都是由半导体材料制成的,就必须对半导体材料的特点有一定的了解。
1.1.1半导体的基本特性在自然界中存在着许多不同的物质,根据其导电性能的不同大体可分为导体、绝缘体和半导体三大类。
通常将很容易导电、电阻率小于10* Q ?cm的物质,称为导体,例如铜、铝、银等金属材料;将很难导电、电阻率大于1010Q?cm的物质,称为绝缘体,例如塑料、橡胶、陶瓷等材料;将导电能力介于导体和绝缘体之间、电阻率在10°Q?cm-1010Q?cm 范围内的物质,称为半导体。
常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。
用半导体材料制作电子元器件,不是因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间,而是由于其导电能力会随着温度的变化、光照或掺入杂质的多少发生显著的变化,这就是半导体不同于导体的特殊性质。
1热敏性所谓热敏性就是半导体的导电能力随着温度的升高而迅速增加。
半导体的电阻率对温度的变化十分敏感。
例如纯净的锗从20C升高到30C时,它的电阻率几乎减小为原来的1 /2。
而一般的金属导体的电阻率则变化较小,比如铜,当温度同样升高10C时,它的电阻率几乎不变。
2、光敏性半导体的导电能力随光照的变化有显著改变的特性叫做光敏性。
一种硫化铜薄膜在暗处其电阻为几十兆欧姆,受光照后,电阻可以下降到几十千欧姆,只有原来的1%自动控制中用的光电二极管和光敏电阻,就是利用光敏特性制成的。
而金属导体在阳光下或在暗处其电阻率一般没有什么变化。
3、杂敏性所谓杂敏性就是半导体的导电能力因掺入适量杂质而发生很大的变化。
在半导体硅中,只要掺入亿分之一的硼,电阻率就会下降到原来的几万分之一。
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定義式
9). SI單位的名稱及其符號不應
附加表示量特性和信息。如不 可用:U = 500Vmax; 而用:U max = 500V
10).單位制雖是固定量,但不 表示量值間的相關關系。如:
J=kg.m2/s2 J = Pa.m3 但也可以:
5. 國際單位制的特點
• 通用性:适用于各個科學技術領域,也适 用于商品流通和人民日常生活領域。 • 簡明性:取消了其它單位制的一些單位, 了表示形式,省略了各個單位制之間的換 算。消除了很多混亂現象。 • 實用性:主單位量保持了歷史的連續性和 實際應用的普遍性。 • 准确性:七個基本單位都有嚴格的科學定 義,都能夠被复現。
3.SI 基本量單位和定義
• 熱力學溫度 • 長度...meter ( m ) . . . Kelvin ( k ) • 質量...kilogram ( kg ) • 物質的量 • 時間 . . second ( s ) . . . mole ( mol ) • 發光強度 • 電流..ampere ( A)
• μ0為真空磁導率
開爾文
( K)
• 1K =Ttr(H2O)•
I/273.16
Hale Waihona Puke • Ttr(H2O) --水 三相點的熱力 學溫度
摩爾 ( mol )
• 1mol = 0.012kg/m(12C)•L • m(12C)為一個12C原子的 質量。 • L 為阿伏加德羅常量。
坎德拉
• 1cd = Km(540THz)•I/683 (w/sr)
SI虫
SI膀 セ 虫
乎 秖 1 虫 秖 Quantity of dimension one
Τ 秖 乎 秖 虫
SI 詞頭
• • • • • • • • • • 1024 1021 1018 1015 1012 109 106 103 102 101 蕘 yotta 澤 zetta 艾 exa 拍 peta 太 tera 吉 giga 兆 mega 千 kilo 百 hecto 十 deca Y Z E P T G M k h da
一贯單位(Coherent derived unit) 由比例因數為1的公式用基本单 位表示的導出單位。
注.制外單位(Off-system unit) 一些不便于取消或暫時不能取消 的單位以及与國際單位制并用的 單位
SI單位的构成
瓣悔虫 虫
SI虫 ㎝ だ 计 虫 计
SI 旧 虫
• Km 最大光譜光效能 • Km(540THz)-540THz 時最大光譜光效能。
(cd)
4. SI單位的构成原則
• 1). SI的基本單位的定義,只能由CGPM作 出。 • 2). SI導出單位中,具有專門名稱及符號 的導出單位,只能由CGPM作出。 • 3).构成S I的一貫單位制的單位稱S I單位 • 4).SI單位的倍數和分數都是十進位的,而 且只能用作詞頭,這些詞頭稱SI詞頭。.
5).無量綱量的S I單 位為“1”
6).一個量只能有一個 SI單位,但這個SI單位 可以有不同的等效形式。
7). S I導出單位中,弧度和球面 度作為輔助單位,使用中,既可用 rad或sr,也可用“1”.
8). S I導出單位的獲得是通過導出量 的量綱或其定義方程。
量 速度 動能
能
量綱 v=l/t LT-1 E k=1/2mv2 ML2T-2 E k=1/2mv2+mgh ML2T-2
當S I詞頭的因數小于106時,其符號用正体小 寫
k , h , da , d , c , m , μ , n , , z , y. p , f , a
當SI詞頭的因數等于或大于106時,其符號 用正大寫。
Y , Z , E , P , T , G , M.
量的符號,無論在何种情況下,
一律用斜体印刷或書寫。 h , t , m, N , W , Hz
SI 基本知識
培訓目的
使用SI,消除混亂,遵循國際 法規,響應客戶和TDK的要 求,滿足公司長遠發展的需 要.
培訓目標
1.掌握SI的基礎知識. 2.本次培訓后要求大家務必 在以后的工作中使用SI.
培訓內容.時間
一.SI知識簡介. (60min)
二.實例和練習.討論(30min)
一.SI知識簡介
6.國際單位制的使用注意事項
a)在SI中,對于每個單位都規定有國際通 用的名稱和符號,必須遵照使用。 •S I單位和SI詞頭的國際符號,不論是拉 丁字母還是希腊字母,一律用正体印刷或 書寫。
m , kg ,Ω,η,μ
一般S I單位的國際符號的字母用正体 小寫,來源于人名的SI單位,第一個 字母用正体大寫。 m , kg , s Hz , N
當可能發生誤解時,應盡量采用 圓點或斜線, 如速度單位:m.s-1或m/s,而不應 寫成ms-1。
二.實例 練習和討論
實例:
WI-449“ mil ” 單位之使用應更換成mm. •DCMI-ENG-639中重量單位用gf應改為g. •DCMI-QA-311中有inch表示長度應改為cm. •1inch=25.4mm所以5inch=5*25.4mm=127mm •
• 1.什么是SI? • 2.S I 有關術語 • 3.S I基本單位和定義 • 4.S I构成原則 • 5.S I的特點 • 6.S I單位的使用
International System of Units
1.什么是SI?
它是一种關于量制的國際單位制 a.量制 基本量 有量綱的量 導出量 無量綱的量 b.國際單位制度 由(CGPM) 對确定量制按給定規則确定 的一組單位.
二.實例 練習和討論
Thanks
Everyone!
• 1. The formal documents which were issued after Apr 10 use the SI units or not; • 2. Whether the SI units were used in the right way. • 3. If the documents used the nonSI units. there is an update plan or not. • 4. It must be qualitied by customers or MTE to use non-SI units. • The reference materials are DQAI284 and database. Please find the
2.
•量
有關術語
現象, 物体和物質的可以定性區別和 定量确定的一种屬性。 • 基本量(Base quantity) 在量制中,約定的認為函數關系上彼此 獨立的量。即不能在一組基本量之間互 相導出,建立不起函數關系。
導出量(Derived quantity) 在量制中,為該量制基本量的 函數所導出的量。如動能:Ek=1/2mv2
量綱(Dimension of a quantity) 以量制基本量的冪的乘積表示該量制中 的一個量的表示式。 F的量綱 dimF=LMT-2 無量綱的量(Dimensionless quantity) 在量綱表達式中,其基本量的指數為零
單位制(System of units )
為給定量制按給定規則确定的一組 基本單位和導出單位。
SI prefixes
• • • • • • • • • • 10-1 分 10-2 厘 10-3 毫 10-6 微 10-9 納 10-12 皮 10-15 飛 10-18 阿 10-21 仄 10-24 麼 deci centi milli micro nano pico femto atto zepto yocto d c m µ n p f a z y
. . .candela ( cd )
米
• 米等于光在真空中 299792458分之一秒 時間間隔內所經路徑 的長度。
(m)
1m = c· 1/299792458 c --真空中的 光速
千克
• 千克是質量單位, 等于國際千克原器 質量。 • 1kg = mBI(kg)
.
( kg )
mBI(kg)是國際計量局BIPM所保存
注:引用SQA-QMS四月份Q-DAY報告并請看 MTE的B DATABASE.
練習: 一. 判斷題. 1.v(速度) =500 m/s max ( ) 2.m(米) cm(厘米) s(秒) mol(摩爾)其書寫是否正确. ( ) 3.kg(千克)可寫成Kg. ( ) 4.力矩的單位可寫成mN. ( ) 5.時間的符號可寫成t. ( ) 6.密度的單位可寫成kg/m3 kg.m-3 或 kgm-3. ( ) 7.長度的單位可以是m A mm nm . ( ) 8.体積的單位可以是Gal(加侖). ( ) 9.發動机的馬力多大. ( ) 10.天气這么悶熱,不知有几度. ( ) 二.請寫出七個基本量的中文名稱及單位及符号.
,
b).由兩個以上SI單位相乘构成的組 合單位,兩個符號之間可以加或不加 圓點。如: N• , Pa•or Nm , Pas m s
若組成的符號中有一個同時雙是詞 頭符號,應將這個符號 于右側。 如力矩的單位Nm不能寫成mN。
C). 由兩個以上單位相除所构成的組合 單位,可以有三种表達形式,如密度單 位: kg/m3 , kg.m-3 , kgm-3
的千克原器的質量,它是一個人為 的物理量。
秒
• 銫-133原子基態的兩個 超精細能級間躍遷所對 應的輻射的9192631770 個周期的持續時間。 • 1s = 9192631770τ τ --銫原子133基態的兩 超精細能級間對應的周 期
(s)
安培
•
(A)
2 2 10 -7 N 1A 0