TW4901移动电源管理IC
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TW4901
移动电源管理IC
概述:
TW4901是一款集成线性大电流充电及大电流BOOST升压控制器的移动电源管理专用芯片,内置过充过放、短路及温度保护电路。4档电量显示。针对大容量单芯或多芯并联锂电池(锂离子或锂聚合物)的移动电源应用,提供简单易用的解决方案,完全取代目前市场上的充电管理IC+MCU+升压IC方案。
功能特点:
2.1线性充电功能
1、线性恒流恒压充电,使用内置MOSFET充电电流高达800mA(典型值),外扩三极管充电电流可达到2A以上
2、过温保护
3、过充保护,充电电压高精度,误差小于1%
4、充电饱和电压4.25
5、输入电压:3.0-6V
2.2升压控制器
1、Boost异步升压控制电路,外置MOS开关管及Schottky Diode
2、输出电压:5.15V
3、输出电压精度:+-3%
4、最大输出电流:2A
5、转换效率:MAX:92%
6、输出负载检测、限流保护和短路保护
7、过温保护
8、电池过放保护,检测电池电压3.0V以下自动关闭BOOST输出
2.3系统管理
1、按键开关机控制,短按(500ms)开关机,长按按键(大于3.5S)进入待机模式
2、接上适配器自动开机充电
3、输出电流监测,输出无负载检测,3分内进入待机模式待机
4、手电筒LED开关控制,在0.5S内连续按按键2下,打开或关闭LED手电照明功能
5、充电状态指示
6、4档电池电量显示
TW4901
移动电源管理IC 脚位图及说明:
图1
序号名称描述
1LED白光LED驱动
2IBASE充电外扩控制脚
3LED1电池电量指示LED1
4LED2电池电量指示LED2
5LED3电池电量指示LED3
6LED4电池电量指示LED4
7KEY功能按键
8NC悬空脚
9GND电源地
10STB外部待机开关使能信号
11FB电压反馈脚
12NGATE开关管栅驱动
13VDD电源正极
14BAT+充电输出,接电池正极
15VDD电源正极
16ISENSE电感电流采样脚
TW4901
移动电源管理IC 应用电路图
图2.内置MOSFET充电应用图
TW4901
移动电源管理IC
图3.外扩三极管充电应用图
注意事项(以图3为例):
参数选择:
1.升压输出电压Vout由电阻R3和R4按以下公式设定:Vout=(1+R3/R4)X1.25V
2、为了保证高的升压效率,选取MOS管Rdson尽量小,肖特基二极管的导通压降尽量低。
3.为了提高系统的稳定性,可在FB端与Vout之间接一电容,该电容的经验取值是:当上述电阻为MQ级时,取值约100pF;当上述电阻取值为几十至几百KQ时,取值在10nF~0.1uF之间。
版图布局考虑:
1高精度采样:
采样电阻和滤波电容,必须靠近IC。
2大电流回路:
大电流回路布线要尽量宽和短,布线面积要尽量小。高频开关通路不能过通孔。
3地线:
大电流回路的地以及控制IC的地线要采用星型接法。而且采样电阻的地要尽量宽和短。避免大电流,开关信号对采样电压的干扰。
4其它:
电感下面不要走信号线。
IC地的面积要足够大,板子要覆铜,使得控制IC散热良好。
典型参数
参数名称参数符号测试条件最小
值
典型
值
最大
值
单
位
待机电流Isb2050Ua
CHARG
参数名称参数符号测试条件最小
值
典型
值
最大
值
单
位
输入电压Vcc–25 6.5V 空载电压Vo VDD=5V 4.25 4.3 4.35V 饱和电压Vs VDD=5V 4.2 4.25 4.3V 预充电电压Vb VDD=5V 2.8V
TW4901
移动电源管理IC
充电电流
涓流VDD=5V,|VBTP-VBTN|=2V30mA I CHARGE VDD=5V,|VBTP-VBTN|=3.6V—800—mA
静电保护ESD人体模型4000V EXT_CH驱动电
流
I EXT CH–25mA 过温保护OTP–150℃过温回滞OTR–20℃LED电流I L1-4–8mA LED手电I LED–60mA 充电检测1L1VDD=5V 3.41V 放电检测1L1– 3.31V 充电检测2L2VDD=5V 3.79V 放电检测2L2– 3.57V 充电检测3L3VDD=5V 4.02V 放电检测3L3– 3.67V 充电检测4L4VDD=5V 4.24 4.26 4.27V 放电检测4L4– 3.994 4.01V
BOOST
参数名称参数符号测试条件最小
值
典型
值
最大
值
单
位
输入电压VCC–— 4.2—V 启动电压VST–1 1.5V 关断电流IOFF–10mA 反馈电压VREF– 1.28 1.31 1.32V 开关频率FOSC–400480600KHz LX OnRes–0.3 1.1ohm Max Duty DMAX–8595% OCP ILIMIT–1 1.62A EXT驱动电流I EXT–100mA 过温保护OTP–150℃过温回滞OTR–20℃