电子技术基础简明教程(第三版)答案
模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行课后答案
I Z I I RL 30 6 24 m A
③ I RL
UZ RL
3mA
I Z I I RL 20 3 17 m A
习题 1-8 设有两个相同型号的稳压管，稳压值均为
6V ，
当工作在正向时管压降均为 0.7V ，如果将他们用不同的方
法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出
各种不同的串联方法。
习题 1-4 已知在下图中， uI = 10sinω t (V)， R L=1k?，试 对应地画出二极管的电流 i D、电压 uD以及输出电压 uO 的波
形，并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向
电流可以忽略。
uI /V
10 + uD -
0
+
uI -
+
iD
RL
uD -
iD/mA
10
t
( a)
习题 1-16 已知一个 N 沟道增强型 MOS 场效应管的输出特性
曲线如图 P1-16所示。试作出 uDS=15V 时的转移特性曲线，并
由特性曲线求出该场效应管的开启电压
UGS(th)和 IDO 值，以及
当 uDS=15V ， uGS=4V 时的跨导 gm。
uDS =15V
由图可得，开启电压 UGS(th)=2V ， IDO =2.5mA ，
习题 2-2 试画出图 P2-2中各电路的直流通路和交流通路。 设各电路中的电容均足够大，变压器为理想变压器。
答： (a) Rb
+V CC Rc
R e1 R e2 (a)直流通路
+
+
Ui
Re1
Uo
Rb
Rc
-
模拟电子技术基础简明教程[第三版]习题答案解析1-
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第一章习题参考答案100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区FD 、EABC图P1-14(g)DS =15V ，u GS =4V 时的跨导g m u DS =15V由图可得，开启电压U GS(th)=2V ，I DO =2.5mA ，4 1.22.84.53.5D m GS i g mS u ∆-===∆-习题1-17试根据图P1-17所示的转移特性曲线，分别判断各相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P 型沟道或N 型沟道，增强型或耗尽型）。
如为耗尽型，在特性曲线上标注出其夹断电压U GS(off)和饱和漏极电流I DSS ；如为增强型，标出其开启电压U GS(th)。
(a)绝缘栅型N 沟道增强型；(b)结型P 沟道耗尽型；(c)绝缘栅型N 沟道耗尽型；(d)绝缘栅型P 沟道增强型。
习题1-18已知一个N 型沟道增强型MOS场效应管的开启电压U GS(th)= +3V ，I DO =4mA ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-19已知一个P 型沟道耗尽型MOS 场效应管的饱和漏极电流I DSS = -2.5mA ，夹断电压U GS(off)=4V ，请示意画出其转移特性曲线。
习题1-18图习题1-19图R b (a)交流通路R e i U +--oU R (b)交流通路i U +--oU R 1(c)交流通路i U '+-21i i N U U N '=23L N R R ⎛⎫'= ⎪NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数时，试定性说明、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。
定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数将增u A ↓，↑。
u A ，↓。
u A ↓。
u A ④增大β，则I BQ 基本不变，r be ↑，基本不变u AWORD 完美格式编辑i U +--oU +(b)解：①可先用近似估算法求I BQ100.70.0220510CC BEQb V U mA AR μ--==≈=Q 1WORD 完美格式编辑Q 1Q 1Q 2Q 1Q 2=2mA ，u CE =2V 的一点与横坐标上u CE =10V 因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3R b 211k Ω2i U oU +_(b)图P2-7解：①直流负载线方程为：()153CE CC C c e C u V i R R i ≈-+=-(b)mA的一条水平线， 2.67.2点，且斜率为，其中1LR -'R b 211k Ω2i U oU ++图P2-6(b)C2-10 设图P2-10电路中三极管的β=60，V ，R b =530k Ω，R L =5M Ω，试：①估算静态工作点；值；，输入电阻。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-[1]
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习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用，简单说明理由。
答：(a无放大作用（发射结反偏）；
(b不能正常放大（发射结无直流偏置）；(c无放大作用（集电结无直流偏置）；(d无放大作用（发射结无直流偏置）；(e有放大作用（是射极跟随器）；(f 无放大作用（输出交流接地）；(g无放大作用（输入交流接地）；(h不能正常放大（栅极无直流偏置）；(i无放大作用（电源极性接反）；
习题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。
①增大R b ；②增大V CC ；③增大β。
答：①增大R b ，则I BQ 减少，I CQ 减少，U CE Q 增大。
②增大V CC ，则I BQ 增大，I CQ 增大，U CE Q 不确定。
③增大β，则I BQ 基本不变，I CQ 增大，U CE Q 减少。
习题2-19 P107
解：(a共基电路
(b共射电路(c共集电路(d共射电路(e共射－共基电路
①
②时
时
③当时，如果
去掉射极输出器，则
习题2-
微变等效电路：
Rb①
②RL=∞时，
Rb12=时，
③如果去掉射极输出器，则时，
时，
习题2-27 P110 答：①测静态工作点Q ：直流稳压电源、万用表(直流电压档②测电压放大倍数Au ：直流稳压电源、正弦波信号发生器、示波器、交流毫伏表。
③测最大输出电压幅度Uom ：同②④测输入电阻Ri ：同②⑤测输出电阻Ro ：同②。
数字电子技术基础简明教程第三版4-6章(含答案)
第四章（选择、判断、填空共30题）一、选择题1.N个触发器可以构成能寄存位二进制数码的寄存器。
A.N-1B.NC.N+1D.2N2．在下列触发器中，有约束条件的是。
A.主从J K F/FB.主从D F/FC.同步R S F/FD.边沿D F/F3．一个触发器可记录一位二进制代码，它有个稳态。
A.0B.1C.2D.3E.44．存储8位二进制信息要个触发器。
A.2B.3C.4D.85．对于T触发器，若原态Q n=0，欲使新态Q n+1=1，应使输入T=。
A.0B.1C.QD.Q6．对于T触发器，若原态Q n=1，欲使新态Q n+1=1，应使输入T=。
A.0B.1C.QD.Q7．对于D触发器，欲使Q n+1=Q n，应使输入D=。
A.0B.1C.QD.Q8．对于J K触发器，若J=K，则可完成触发器的逻辑功能。
A.R SB.DC.TD.Tˊ9．欲使J K触发器按Q n+1=Q n工作，可使J K触发器的输入端。
A.J=K=0B.J=Q,K=QC.J=Q,K=QD.J=Q,K=0E.J=0,K=Q10．欲使J K触发器按Q n+1=Q n工作，可使J K触发器的输入端。
A.J=K=1B.J=Q,K=QC.J=Q,K=QD.J=Q,K=1E.J=1,K=Q11．欲使J K触发器按Q n+1=0工作，可使J K触发器的输入端。
A.J=K=1B.J=Q,K=QC.J=Q,K=1D.J=0,K=1E.J=K=112．欲使J K触发器按Q n+1=1工作，可使J K触发器的输入端。
A.J=K=1B.J=1,K=0C.J=K=QD.J=K=0E.J=Q,K=013．欲使D触发器按Q n+1=Q n工作，应使输入D=。
A.0B.1C.QD.Q14．下列触发器中，克服了空翻现象的有。
A.边沿D触发器B.主从R S触发器C.同步R S触发器D.主从J K触发器15．下列触发器中，没有约束条件的是。
A.基本R S触发器B.主从R S触发器C.同步R S触发器D.边沿D触发器16．描述触发器的逻辑功能的方法有。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)课后习题答案详解
模拟电子技术基础简明教程（第三版）课后习题答案习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
数字电子技术基础简明教程(第三版)余孟尝第三章-完成ok
第三章 组合逻辑电路【】 分析图P3.1电路的逻辑功能,写出Y 1、Y 2的逻辑函数式,列出真值表,指出电路完成了什么逻辑功能.Y 1【解】1()Y ABC A B C AB AC BC ABC ABC ABC ABC=+++•++=+++2Y AB BC AC =++由真值表可见,这是一个全加器电路。
A 、B 、C 为加数、被加数和来自低位的进位，Y 1是和，Y 2是进位输出。
【】 图3.2是对十进制数9求补的集成电路CC14561的逻辑图,写出当COMP=1;Z=0和COMP=0,Z=0时Y 1,Y 2,Y 3,Y 4的逻辑式,列出真值表。
Y 1Y 2Y 3Y 4A 1A 2A 3A 4Z【解】(1)COMP=1、Z=0时输出的逻辑式为11223234234Y A Y A Y A A Y A A A⎧=⎪=⎪⎨=⊕⎪⎪=++⎩ 〔2〕COMP=0、Z=0时输出的逻辑式为11223344Y A Y A Y A Y A =⎧⎪=⎪⎨=⎪⎪=⎩〔即不变换，真值表从略〕3个或3个以上为1时输出1，输入为其他状态时输出0。
【解】Y ABCD ABCD ABCD ABCD ABCD ABC ABD ACD BCD ABC ABD ACD BCD=++++=+++=•••B D Y【】 有一水箱由大、小两台水泵M L 、M S 供水,如图P3.4所示.水箱中设置了3个水位检测元件A、B 、C 。
水面低于检测元件时，检测元件给出高电平；水面高于检测元件时，检测元件给出低电平。
现要求当水位超过C 点时水泵停止工作；水位低于C 点高于B 点时M S 单独工作；水位低于B 点而高于A 点时M L 单独工作；水位低于A 点时M L 、M S 同时工作。
试用门电路设计一个控制两台水泵的逻辑电路，要求电路尽量简单。
【解】图P3.4M L真值表中的ABC 、ABC 、ABC 、ABC 为约束项，利用卡诺图【图A3.4(a)】化简后得到S L M A BCM B⎧=+⎪⎨=⎪⎩ 〔M S 、M L 的1状态表示工作，0状态表示停止〕 逻辑图如图A3.4(b).S M A BC =+L M B =〔a 〕(b)A B CM SM L【】。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)课后习题答案详解
模拟电子技术基础简明教程（第三版）课后习题答案习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础简明教程(第三版)_课后答案
+习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。
解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为：321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。
一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60A μ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。
解：20℃时，()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时，8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大？输入特性的死区电压约为多大？②为了使PNP 型三极管工作在放大区，其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零？并与NPN 型三极管进行比较。
模拟电子技术基础简明教程课后答案(第三版)
3 U I I 2.2 A , U 0.8V
0 0.5 1 1.5 2 U/V (a)
可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，则二 极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。
习题 1-4 已知在下图中， uI = 10sinω t (V)， RL=1kΩ，试 对应地画出二极管的电流 i D、电压 uD以及输出电压 uO的波 形，并在波形图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向 电流可以忽略。 uI/V 10 + uD 0 t + + i D/mA uI iD uD 10 RL 0 (a) t uI/V 0 t - 10 uo/V 10 0 t
3
10 A 1.25 A
在 80℃时的反向电流约为： 2
3
10 A 80 A
习题 1-3 某二极管的伏安特性如图 (a)所示： ①如在二极管两端通过 1kΩ的电阻加上 1.5V的电压，如图 (b)，此时二极管的电流 I 和电压U各为多少？ ②如将图 (b)中的 1.5V电压改为 3V，则二极管的电流和电 I/mA 压各为多少？ 3 + U 解：根据图解法求解 ①电源电压为 1.5V时 2 I 1.5V 1kΩ (b) 1 1.5 U I I 0.8 A , U 0.7V ②电源电压为 3V时
0 1 1%
t t0
30 1 1%
50 20
30 1 30 1% 39
ICEO 1 ICBO 320 A 0.32mA
习题 1-12 一个实际 PNP型锗三极管的输入、输出特性曲线分 别如图 P1-12(a)和 (b)所示。 ①查看该三极管的穿透电流 ICEO约为多大？输入特性的死区电 压约为多大？ ②为了使 PNP型三极管工作在放大区，其 uBE和 uBC的值分别应 该大于零还是小于零？并与 NPN型三极管进行比较。 解：①查图可知， ICEO =0.5mA，死区电压约为 0.2V； ②为了使三极管工作在放大区， 对 PNP型： uBE<0， uBC >0； 对 NPN型： uBE>0， uBC <0。