士兰微SVF2N60规格书(最新版)
20120210 士兰分立器件产品介绍
诚信
Faith
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
Enthusiasm
Return
芯片产能 (pcs) 40K/M 4K/M 50K/M 4K/M 0.1K/M 2K/M 18K/M 5.5K/M 2K/M 8K/M
Company Confidential, don’t copy
Page 8
热情
Enthusiasm
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
Enthusiasm
Return
S-RinTM 表示采用了比前几代高压HVDMOS更小尺寸的GR环的新一代士兰 VDMOS器件。
• •
S-RinTM 系列高压VDMOS同时采用了优化后的条形元胞结构。 控制和调节J-FET注入的深度和浓度来改善Rdson 参数.
Silan 士兰微电子 分立器件产品封装 • • • • • •
诚信
Faith
忍耐
Endurance
探索
Exploration
热情
Enthusiasm
Return
目前,已在士兰集成芯片厂完成建立了分立器件产品封装净化厂房 (主要针对高压 MOS管/FRD/SBD等产品) 2011年3月开始批量封装FRD/SBD产品; 2011年7月开始批量封装HVMOS产品; 目前批量生产的封装形式有TO-220-3L/TO-220F-3L/TO-3PN这3种; 后续会根据具体需求有计划的增加TO-252-2L/TO-251-3L/ TO-263-2L/TO-262-3L等; 目前封装厂的产能已扩展到15KK/M; 我们正在成都建立功率半导体封装基地用来扩展更大产能和降低成本.
士兰微电子 SD02M50DAE DAS 说明书
智能功率模块(IPM),500V/2A 三相全桥驱动描述SD02M50DAE/DAS 是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路,主要应用于风扇类的小功率电机驱动。
其内置了6个快恢复功率MOS 管和3个半桥高压栅极驱动电路。
SD02M50DAE/DAS 内部集成了欠压保护功能,提供了优异的保护和失效保护操作。
由于每一相都有一个独立的负直流端,其电流可以分别单独检测。
SD02M50DAE/DAS 采用了高绝缘、易导热和低电磁干扰的设计,提供了非常紧凑的封装体,使用非常方便,尤其适合内置于电机的应用和要求紧凑安装的场合。
主要特点♦ 内置6个500V/2A 的快恢复功率MOS 管 ♦ 内置高压栅极驱动电路(HVIC) ♦ 内置欠压保护 ♦ 内置自举二极管♦ 内置负温度系数电阻用于温度检测♦ 完全兼容3.3V 和5V 的MCU 的接口,高电平有效 ♦ 3个独立的负直流端用于变频器电流检测的应用 ♦优化并采用了低电磁干扰设计 ♦ 绝缘级别1500V rms /min应用♦ 室内/户外空调 ♦ 冰箱压缩机 ♦ 排气扇 ♦ 风扇 ♦ 空气净化器 ♦洗碗机水泵产品规格分类备注1:壳温测试点,请看图5所示。
推荐工作条件电气特性参数(除非特殊说明,Tamb=25︒C,VCC =VBS=15V)逆变器部分(除非特殊说明,特指每个快恢复MOSFET)(a)开启(b) 关断图1. 开关时间定义控制部分 (除非特殊说明,特指每个HVIC)备注2:BV DSS 是指加在每个功率MOSFET 源漏之间的极限最高电压,实际应用的时候,考虑到导线杂散电感的影响,V PN 必须足够小于BV DSS 这个值,以保证在任何时候加到MOSFET 上的V DS 都不会超过B VDSS 。
备注3:t ON 和t OFF 包括内部的驱动IC 的传输延迟时间。
列出的值是在实验室的测试条件,会随着应用现场不同的印刷电路板和电线的效果而不同。
请参阅图1的开关时间定义和图6的开关测试电路图。
SVF2N60M(F)(T)(D)说明书
版本号:1.1 2010.10.21 共10页 第1页
SVF2N60M/F/T/D 说明书
极限参数(除非特殊说明,TC=25°C)
参数名称
漏源电压 栅源电压 漏极电流 漏极脉冲电流 耗散功率(TC=25°C)
- 大于 25°C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量(注 1) 工作结温 贮存温度
VDS=25V,VGS=0V, f=1.0MHz
VDD=300V,ID=2.0A, RG=25Ω
(注 2,3)
VDS=480V,ID=2.0A,
VGS=10V
(注 2,3)
最小值 600 --2.0 ------------
典型值 ----3.7
250.1 35.7 1.1 9.2 23.4 15.3 20.1 5.67 1.74 1.99
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号:1.Βιβλιοθήκη 2010.10.21 共10页 第7页
封装外形图 (续)
TO-220F-3L(1)
SVF2N60M/F/T/D 说明书
单位: mm
TO-220F-3L(2)
单位: mm
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号:1.1 2010.10.21 共10页 第8页
封装外形图 (续)
TO-252-2L
SVF2N60M/F/T/D 说明书
单位: mm
声明: • •
•
士兰保留说明书的更改权,恕不另行通知!客户在下单前应获取最新版本资料,并验证相关信息是否完 整和最新。 任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能,买方有责任在使用 Silan 产品进行系统 设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施,以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情 况的发生! 产品提升永无止境,我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品!
士兰微电子 3VD235600YL 高压MOSFET芯片 说明书
3VD235600YL高压MOSFET芯片描述Ø3VD235600YL为采用硅外延工艺制造的N沟道增强型600V高压MOS功率场效应晶体管;Ø先进的高压分压终止环结构;Ø较高的雪崩能量;Ø漏源二极管恢复时间快;Ø该芯片可采用TO-251型式封装,典型的成品规格为2N60;Ø封装后的成品广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PWM马达驱动;芯片简图芯片介绍项目描述圆片尺寸6Inch管芯尺寸2060μm *2720μm管芯数量2815 dice/wafer芯片厚度300±20µm.正面金属 /厚度Al(1%Si) : 3µm.背面金属 /厚度Ti/Ni/Ag:0.1/0.3/0.4μm栅极压点尺寸(PAD1)454.2μm *536μm划片道宽度80μm *80μm极限参数(T amb=25°C)参数名称符号额定值单位漏源电压V DS600V 栅源电压V GS±30V 漏极电流I D 2.0A 耗散功率(TO-251封装)P D44W 工作结温T J150°C 贮存温度T stg-55~+150°C电参数(T amb=25°C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位漏源击穿电压B VDSS V GS=0V, I D=250µA600--V 栅极开启电压V TH V GS= V DS,I D=250µA 2.0- 4.0V 漏源漏电流I DSS V DS=600V,V GS=0V-- 1.0µA 导通电阻R DS(on)V GS=10V,I D=1.0A-- 4.6Ω栅源漏电流I GSS V GS=±30V,V DS=0V--±100nA 漏源寄生二极管正V FSD I S=2.0A, V GS=0V-- 1.4V 向导通压降声明:•士兰保留说明书的更改权,恕不另行通知!客户在下单前应获取最新版本资料,并验证相关信息是否完整和最新。
SVF2N60
此区域工作受限于RDS(ON)
100µs 1ms 10ms
DC
注:
1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个信号
101
102
103
漏源电压 - VDS(V)
漏电流 - ID(A)
杭州士兰微电子股份有限公司
漏电流 - ID(A)
漏源导通电阻(标准化) – RDS(on)(Ω)
包装形式 料管 料管 袋装 料管 料管 料管 编带
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号:1.4 2011.11.16 共11页 第1页
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书
极限参数(除非特殊说明,TC=25°C)
参数名称
符号
漏源电压
VDS
栅源电压
VGS
2.0
1.3
8.0
35
30
44
0.28
0.24
0.35
115 -55~+150 -55~+150
SVF2N 单位 60F V V
A
A
23
W
0.18 W/°C
mJ
°C
°C
热阻特性
参数名称
芯片对管壳热阻 芯片对环境的热阻
符号
RθJC RθJA
SVF2N60M/D SVF2N60MJ
3.7
3.57
110
110
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书
2A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率MOS场效应 晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制 造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导 通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
SVF4N60D(F)(T)(M)说明书_1.1-L
SVF4N60D/F/T/M 说明书4A、600V N沟道增强型场效应管描述SVF4N60D/F/T/M N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体 管采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电 阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换 器,高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点∗ ∗ ∗ ∗ ∗4A,600V,RDS(on)(典型值)=2.0 Ω@VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力命名规则产品规格分类产 品 名 称 SVF4N60T SVF4N60F SVF4N60D SVF4N60DTR SVF4N60M SVF4N60M 封装形式 TO-220-3L TO-220F-3L TO-252-2L TO-252-2L TO-251-3L TO-251D-3L 打印名称 SVF4N60T SVF4N60F SVF4N60D SVF4N60D SVF4N60M SVF4N60M 材料 无铅 无铅 无铅 无铅 无铅 无铅 包装 料管 料管 料管 编带 料管 料管杭州士兰微电子股份有限公司版本号:1.12011.08.26 共10页 第1页SVF4N60D/F/T/M 说明书极限参数(除非特殊说明,TC=25°C)参 数 名称 漏源电压 栅源电压 漏极电流 漏极脉冲电流 耗散功率(TC=25°C) - 大于 25°C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量(注 1) 工作结温范围 贮存温度范围 TC=25°C TC=100°C 符号 VDS VGS ID IDM PD EAS TJ Tstg 100 0.8 参数范围 SVF4N60T SVF4N60F 600 ±30 4.0 2.5 16 33 0.26 217 -55~+150 -55~+150 77 0.62 SVF4N60D/M 单位 V V A A W W/°C mJ °C °C热阻特性参数名称 芯片对管壳热阻 芯片对环境的热阻 符号 RθJC RθJA 参数范围 SVF4N60T 1.25 62.5 SVF4N60F 3.85 120 SVF4N60D/M 1.61 110 单位 °C/W °C/W关键特性参数(除非特殊说明,TC=25°C)参数名称 漏源击穿电压 漏源漏电流 栅源漏电流 栅极开启电压 导通电阻 输入电容 输出电容 反向传输电容 开启延迟时间 开启上升时间 关断延迟时间 关断下降时间 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量 符号 BVDSS IDSS IGSS VGS(th) RDS(on) Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VDS=480V,ID=4A, VGS=10V (注 2,3) (注 2,3) 测试条件 VGS=0V,ID=250µA VDS=600V,VGS=0V VGS=±30V,VDS=0V VGS= VDS,ID=250µA VGS=10V, ID=2A VDS=25V,VGS=0V, f=1.0MHZ VDD=300V,ID=4A, RG=25Ω 最小值 600 --2.0 -----------典型值 ----2.0 461 57 1.47 15.7 37.3 19.1 19.3 8.16 2.63 3.01 最大值 -1.0 ±100 4.0 2.4 ----------nC ns pF 单位 V µA nA V Ω杭州士兰微电子股份有限公司版本号:1.12011.08.26 共10页 第2页SVF4N60D/F/T/M 说明书源-漏二极管特性参数参 数 名 称 源极电流 源极脉冲电流 源-漏二极管压降 反向恢复时间 反向恢复电荷 注: 1. 2. 3. L=30mH,IAS=3.45A,VDD=155V,RG=25Ω,开始温度 TJ=25°C; 脉冲测试: 脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%; 基本上不受工作温度的影响。
士兰微电子 SD20A60FA 说明书
智能功率模块600V/20A 3相全桥驱动描述SD20A60FA是高度集成、高可靠性的3相无刷直流电机驱动电路,主要应用于较低功率的变频驱动,如空调、洗碗机、工业缝纫机等。
其内置了6个低损耗的IGBT管和3个高速半桥高压栅极驱动电路。
SD20A60FA内部集成了欠压、短路、过温等各种电路,提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。
由于每一相都有一个独立的负直流端,其电流可以分别单独检测。
SD20A60FA采用了高绝缘、易导热的设计,提供了非常紧凑的封装体,使用非常方便,尤其适合要求紧凑安装的应用场合。
主要特点♦内置6个600V/20A的低损耗IGBT;♦内置高压栅极驱动电路;♦内置欠压保护和过温、过流保护;♦完全兼容3.3V和5V的MCU的接口,高电平有效;♦3个独立的负直流端用于变频器电流检测的应用;♦报警信号:对应于低侧欠压保护和短路保护;♦封装体采用DBC设计,热阻极低;♦绝缘级别:2500Vrms/min应用♦空调压缩机♦冰箱压缩机♦低功率变频器♦工业缝纫机产品规格分类内部框图极限参数推荐工作条件电气特性参数(除非特别说明,T amb =25 C ,V CC =V BS =15V)(a)开启过程(b)关闭过程图1. 开关时间定义备注1: 故障输出脉宽t FO 取决于C FOD ,C FO =18.3×10-6×t FO [F]备注2: 短路保护只对低侧有效管脚排列图壳温(TC )检测点DBC 衬底管脚描述控制时序说明保护电路状态IGBT栅极-发射极间电压输出电流分流电阻感应电压故障输出信号(包含外部分流电阻和RC 连接)a1:正常工作:IGBT 导通,并且加载负载电流。
a2:短路电流检测(SC 触发器)。
a3:IGBT 门极硬中断。
a4:IGBT 关断。
a5:故障输出定时器开始工作:故障输出信号的脉冲宽度是由外部电容CFO 设定。
a6:输入"L":IGBT 处于关断状态。
WFF2N60中文资料
WFF2N60
Electrical Characteristics ( TC = 25 °C unless otherwise noted )
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min
Off Characteristics
BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage
VDS = 480V, TC = 125 °C
-
Gate-Source Leakage, Forward
VGS = 30V, VDS = 0V
-
IGSS
Gate-source Leakage, Reverse
VGS = -30V, VDS = 0V
-
On Characteristics
VGS(th) Gate Threshold Voltage
-
100
uA-100nA--100
nA
-
4.0
V
4.0
5.0
Ω
320 420
35
46
pF
4.5
6.0
8
30
23
60
ns
25
60
28
70
9.5
13
1.6
-
nC
4.0
-
Source-Drain Diode Ratings and Characteristics
Symbol
Parameter
Test Conditions
8
VDS = 480V
6
4
2
※ Note : ID = 2.0 A
0
0
2
士兰微电子 SVF2N60RD M MJ 说明书
2A 、600V N 沟道增强型场效应管描述SVF2N60RD/M/MJ N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体管采用士兰微电子的F-Cell TM 平面高压VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器,高压H 桥PWM 马达驱动。
特点♦ 2A ,600V ,R DS(on)(典型值)=3.7 @V GS =10V ♦ 低栅极电荷量 ♦ 低反向传输电容 ♦ 开关速度快 ♦提升了dv/dt 能力命名规则士兰F-Cell 工艺VDMOS 产品标识额定电流标识,采用1-2位数字;例如:4代表 4A额定耐压值,采用2位数字例如:60表示600V封装外形标识例如:FJH:TO-220FJH;F:TO-220FS V F X N X X R X沟道极性标识,N 代表N 沟道版本产品规格分类极限参数(除非特殊说明,T C =25︒C)热阻特性电气参数(除非特殊说明,T C =25︒C)源-漏二极管特性参数注:1. L=30mH ,I AS =6.6A ,V DD =100V ,R G =25Ω,开始温度T J =25︒C;2. V DS =0~400V ,I SD <=12A , T J =25︒C;3. VDS =0~480V;4. 脉冲测试: 脉冲宽度≤300μs ,占空比≤2%;5.基本上不受工作温度的影响。
典型特性曲线图1. 输出特性图2.传输特性漏极电流 – I D (A )0.010.1100.1110100漏源电压 – V DS (V )漏极电流 – I D (A )0.01110024681013579栅源电压 – V GS (V )3.203.403.603.804.000 1.52 2.5漏源导通电阻 – R D S (o n )(Ω)漏极电流 – I D (A )图3. 导通电阻vs.漏极电流和栅极电压0.20.40.60.8 1.41.20.11100反向漏极电流 – I D R (A )源漏电压 – V SD (V )图4. 体二极管正向压降vs.漏极电流、温度4.201.010.110典型特性曲线(续)0.80.91.11.0-100-5050100200漏源击穿电压(标准化)– B V D S S结温 – T J (°C)图7. 击穿电压vs.温度特性漏源导通电阻(标准化) – R D S (o n )图8. 导通电阻vs.温度特性结温 – T J (°C)1.21502.0-100-50501002003.0150漏极电流 - I D (A )10-210-110010110101102103图9. 最大安全工作区域(SVF2N60RD/M/MJ)漏源电压- V DS (V)图5. 电容特性电容(p F )0.1110100漏源电压 – V DS (V )050150350250450100200400300图6. 电荷量特性栅源电压– V G S (V )0410总栅极电荷 – Q g (nC)246810128262550751001251500.51.01.52.0漏极电流 - I D (A )壳温– T C (°C)图 10. 最大漏电流vs. 壳温典型测试电路12VV DSV GS10V电荷量栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图V DSV GS10%90%E AS 测试电路及波形图V DDLBV DSS I ASV DD封装外形图封装外形图(续)声明:♦士兰保留说明书的更改权,恕不另行通知!客户在下单前应获取最新版本资料,并验证相关信息是否完整和最新。
SVF5N60T(F)(D)(MJ)说明书_1.2-L
800
600 400 200
0 0.1
Ciss Coss Crss
注:
1. VGS=0V 2. f=1MHz
1
10
100
漏源电压 – VDS(V)
栅源电压 – VGS(V)
反向漏极电流 – IDR(A)
漏极电流 – ID(A)
图2. 传输特性 100
-55°C 25°C 150°C
10
1
注: 1.250µS脉冲测试 2.VDS=50V 0.1 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换 器,高压 H 桥 PWM 马达驱动。
2
1
3 1.栅极 2.漏极 3.源极
TO-252-2L
特点
∗ 5A,600V,RDS(on)= 1.88Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力
1.04
1.00
110
110
SVF5N60F 3.13 120
单位
°C/W °C/W
关键特性参数(除非特殊说明,TC=25°C)
参数名称 漏源击穿电压 漏源漏电流 栅源漏电流 栅极开启电压 导通电阻 输入电容 输出电容 反向传输电容 开启延迟时间 开启上升时间 关断延迟时间 关断下降时间 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量
单位:mm
声明: • •
•
士兰保留说明书的更改权,恕不另行通知!客户在下单前应获取最新版本资料,并验证相关信息是否完 整和最新。 任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能,买方有责任在使用 Silan 产品进行系统 设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施,以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情 况的发生! 产品提升永无止境,我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品!
士兰微SL库存型号推荐---赛矽电子何小姐
士兰微SL库存型号推荐SA7527(料管)士兰微SOP-8 1000SA1117BH-1.8TR 士兰微SOT-223 20000/箱 2500/盘SA1117BH-3.3TR 士兰微SOT-223 20000/箱 2500/盘SA1117BH-2.5TR 士兰微SOT-223 20000/箱 2500/盘SA1117BH-5.0TR 士兰微SOT-223 20000/箱 2500/盘SA1117BH-ADJTR 士兰微SOT-223 20000/箱 2500/盘SD4840P67K65 士兰微DIP-8 2000/盒SD4841P67K65 士兰微DIP-8 2000/盒SD4842P67K65 士兰微DIP-8 2000/盒SD4843P67K65 士兰微DIP-8 2000/盒SD45215 士兰微SOP-8 25000/箱 2500/盘SD4844P67K65 士兰微DIP-8 2000/盒SD4870TR 士兰微SOT23-6 3000/盘SC5272 士兰微TO-22OF 1000SC5262 士兰微TO-22OF 1000SD42522 士兰微SOP-8 2500/盘SD42525E 士兰微SOT89 2500/盘SA7527(盘装)士兰微SOP-8 2500/盘SDH6802 士兰微DIP-8 2000/盒SD6863 士兰微DIP-8 2000/盒SD6861P 士兰微DIP-8 2000/盒GB45215 士兰微SOP-8 25000/箱 2500/盘SD6834 士兰微DIP-8 2000/盒SD6832 士兰微DIP-8 2000/盒SD6864 士兰微DIP-8 2000/盒SD6953B 士兰微SOT-6 3000/盘WY0365 士兰微DIP-8 2000/盒SD45216 士兰微SOP-8 25000/箱 2500/盘SA1117BH-1.2TR 士兰微SOT-223 25000/箱 2500/盘SD6834G 士兰微DIP-8 2000/盒SD45214 士兰微SOP-8 25000/箱 2500/盘SD6835 士兰微DIP-8 2000/盒SD42527 士兰微SOP-8 2500/盘SD42560E 士兰微ESOP-8 2500/盘SC8113 士兰微TO-22OF 1000SD6834B 士兰微DIP-8 2000/盒SD7530S 士兰微SOP-8 2500/盘SD45217 士兰微SOP-8 2500SD6900 士兰微SOT-6 3000/盘SD4871 士兰微SOT-23-6 3000/盘SD6800 士兰微SOP-8 盘SD6901S 士兰微SOP-8 盘SD6902S 士兰微SOP-8 盘SA1117BH-1.5TR 士兰微SOT-223 2500/盘SA9801 士兰微SOP-20 100SD6857 士兰微SOP-8 3000SD6954 士兰微DIP-8 2000SD6830 士兰微DIP-8 2000SVD1N60B 士兰微TO-92 2000/盒SVD1N60DB 士兰微TO-92 2000/盒SVD2N60F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVD2N65F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVD4N60F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVD4N65F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVD7N65AF 士兰微TO-22OF 1000/盒SVD10N65F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVD10N60F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SBD20C100T 士兰微TO-220T 5000/箱/ 1000/盒SBD20C100F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVD1N60M 士兰微TO-251 24000/箱 4800/盒SVD1N60M(J)士兰微TO-251 4500/盒SVD12N65F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVD12N60F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVD2N60M 士兰微TO-251 24000/箱 4800/盒SVD2N60M(J) 士兰微TO-251 4500/盒SFR16S20T 士兰微TO-220T 5000/箱/ 1000/盒SBD10C100F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SBD10C150T 士兰微TO-220T 5000/箱/ 1000/盒SBD10C100T 士兰微TO-220T 5000/箱/ 1000/盒SVD5N60F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SFR20S20T 士兰微TO-220T 5000/箱/ 1000/盒SVF1N60N 士兰微TO-126 200/包SVF10N60F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVD8N60F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVF2N60F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVF4N60D 士兰微TO-252 2500/盘SVF4N65F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVF4N65M 士兰微TO-251 24000/箱 4800/盒SVF5N60F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVF8N60F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVF7N80F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVF7N60F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVF12N60F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVF840F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVF7N65F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVF10N65F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVF2N60MJ 士兰微TO-251 4500/盒SVF2N70M 士兰微TO-251 24000/箱 4800/盒SVF13N60AF 士兰微TO-22OF 1000/盒SVD2N60MJ 士兰微TO-251 4500/盒SVF12N65F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVF2N60N 士兰微TO-126 3000/盒 200/包SVF5N60D 士兰微TO-252 2500/盘SVF13N50F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVF4N70F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVF2N60M 士兰微TO-251 24000/箱 4800/盒SVF9N90F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVF4N90F 士兰微TO-, 22OF 5000/箱/ 1000/盒SVF2N65F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVF4N65D 士兰微TO-252 2500/盘SVF830F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SBD20C45T 士兰微TO-220T 5000/箱/ 1000/盒SVF20N60F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVF1N60B 士兰微TO-92 2000/盒SVD7N60F 士兰微TO-22OF 5000/箱/ 1000/盒SVF830T 士兰微TO-220F 5000/箱SVD830T 士兰微TO-220T 10SVF2N60D 士兰微TO-252 2500SVF3N80F 士兰微TO-220F 1000/盘SVF4N60F 士兰微TO-220F 1000SBD20C150T 士兰微TO-220T 1000/盒SVF4N65MJ 士兰微TO-251 4500/盒SVF4N65M(S) 士兰微TO-251 4500/盒SVF2N60M(S) 士兰微TO-251 4800PCS/盒SBD20C150F 士兰微TO-220F 1000SVD2N70M 士兰微TO-251 4500/盒SVF1N60D 士兰微TO-252 2500/盒SVF8N80F 士兰微TO-220F 1000/盒SBD10C200F 士兰微TO-220F 1000/盒SBD20C200F 士兰微TO-220F 1000/盒SVF1N60M(S) 士兰微TO-251 80/管SVF4N60EF 士兰微TO-220F 1000/盒SVF5N60MJ 士兰微TO-251 4500/盒SFR10S40T 士兰微TO-220 50 SBD20C45F 士兰微TO-220 1000/盒SA7527STR 士兰微SOP-8 2500/盘。
士兰微电子 SVG103R0NT(S)说明书
180A、100V N沟道增强型场效应管SVG103R0NT(S) N沟道增强型功率MOS场效应晶体管采用士兰的LVMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于不间断电源及逆变器系统的电源管理领域。
特点♦180A,100V,R DS(on)(典型值)=2.5mΩ@V GS=10V♦低栅极电荷♦低反向传输电容♦开关速度快♦提升了dv/dt能力♦100%雪崩测试♦无铅管脚镀层♦符合RoHS环保标准关键特性参数产品规格分类极限参数(除非特殊说明,T=25︒C)A热特性电气参数(除非特殊说明,T=25︒C)j注:1. 脉冲时间5µs;2. 耗散功率值会随着温度变化而变化,当大于25︒C时耗散功率值随着温度每上升1度减少1.8W/︒C;3. 脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%;4. 基本上不受工作温度的影响。
典型特性曲线典型特性曲线(续)典型测试电路V DSV GS 10V栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图LDDV V E AS 测试电路及波形图V DDV LBV DSSI ASV DDtpTimeV DS(t)I D(t)E AS =12LI AS 2BV DSS BV DSS V DD封装外形图重要注意事项:1. 士兰保留说明书的更改权,恕不另行通知。
2. 客户在下单前应获取我司最新版本资料,并验证相关信息是否最新和完整。
产品应用前请仔细阅读说明书,包括其中的电路操作注意事项。
3. 我司产品属于消费类电子产品或其他民用类电子产品。
4. 在应用我司产品时请不要超过产品的最大额定值,否则会影响整机的可靠性。
任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能,买方有责任在使用我司产品进行系统设计、试样和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施,以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生。
士兰微SVF18N50F T PN FJ 说明书
漏极电流 - ID(A)
漏极电流 - ID(A)
漏源导通电阻 – RDS(ON)(标准化)
图8. 导通电阻vs.温度特性 3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0 -100 -50
注: 1. VGS=10V 2. ID=9.0A
0 50 100 150 200
结温 – TJ(°C)
图9-2. 最大安全工作区域(SVF18N50T) 102
产品提升永无止境,我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品!
产品名称: SVF18N50F/T/PN/FJ 版 权: 杭州士兰微电子股份有限公司
文档类型: 说明书 公司主页: http: //
版 本: 2.1 修改记录:
1. 增加 TO-220FJ-3L 封装信息 2. 根据李敏意见优化参数 版 本: 2.0 修改记录: 1. 修改 TO-220-3L 封装信息 版 本: 1.9 修改记录: 1. 修改 TO-220F-3L 封装信息 版 本: 1.8 修改记录: 1. 修改热阻特性 版 本: 1.7 修改记录: 1. 修改产品规格分类 版 本: 1.6 修改记录: 1. 修改 MOS 管符号的示意图 版 本: 1.5 修改记录: 1. 修改“典型特性曲线” 版 本: 1.4 修改记录: 1. 修改 Trr 和 Qrr 的值 版 本: 1.4 修改记录: 1. 修改“典型特性曲线” 版 本: 1.2 修改记录: 1. 增加 TO-220-3L 封装 版 本: 1.1 修改记录:
100µs 1ms
101
10ms
DC
100
此区域工作受限于RDS(ON)
10-1
注:
1.TC=25°C
2.Tj=150°C
Silan High Performance Power MOSFET
Silan
11A/600V (DPMOS I)
I-company
11A/600V (C3)
Package
Vds Vgs Id Vth Rds(on)--typ Qg--typ Qgd--typ FOM : Qg*Rds
TO-220F
600V ±25V 11A 3.1V 0.3Ω 23 nC 12 nC 6.9 ΩnC
Silan 士兰微电子
Silan Power MOSFET
First Section
Road Map of Silan Power MOS
Company Confidential, don’t copy
Silan 士兰微电子
Silan Power MOSFET
Silan Power MOSFET:The idea of development
Company Confidential, don’t copy
A*Rdson Reduction
uniform
Non-uniform
Silan 士兰微电子
Silan Power MOSFET
FOM against Competitor 600V SJ MOSFET
S-Company
Device 11A/600V (MD II)
MP Developing Planning
Y 2012-2014
Company Confidential, don’t copy
Y 2015
Y 2016
Y 2017
Silan 士兰微电子
Silan Power MOSFET
Road Map of Silan MOSFET A*RDSON
Planar Process : S-Rin & F-Cell
士兰微电子 SGT60N60FD1PN P7 说明书 60A、600V绝缘栅双极型晶体管 说明书
士兰微电子SGT60N60FD1PN/P7说明书 60A 、600V 绝缘栅双极型晶体管描述 SGT60N60FD1PN/P7绝缘栅双极型晶体管采用场截止(Field Stop )工艺制作,具有较低的导通损耗和开关损耗,该产品可应用于UPS,SMPS以及PFC 等领域。
特点♦60A ,600V ,V CE(sat)(典型值)=2.2V@I C =60A ♦低导通损耗 ♦快开关速度 ♦ 高输入阻抗命名规则SGT 60 N 60 □□□ P □IGBT 系列电流规格,60表示60AN : N ChannelNE : N 沟平面栅带ESDT : N 沟槽栅电压规格 : 60表示600V D : 封装快恢复二极管的器件R : 集成续流二极管的器件封装形式,如PN 表示TO-3P 封装形式; P7表示TO-247封装形式1,2,3… : 版本号L : 低饱和压降器件S : 标准器件Q : 快速器件F : 高速器件UF : 超高速器件产品规格分类产 品 名 称封装形式 打印名称 环保等级 包装 SGT60N60FD1PNTO-3P 60N60FD1 无铅 料管 SGT60N60FD1P7 TO-247-3L 60N60FD1 无铅 料管 极限参数(除非特殊说明,T C =25°C)参 数符 号 参数范围 单位 集电极-射极电压V CE 600 V 栅极-射极电压V GE ±20 V 集电极电流T C =25°C I C 120 A T C =100°C 60 集电极脉冲电流I CM 180 A 耗散功率(T C =25°C )P D 321 W 工作结温范围T J -55~+150 °C 贮存温度范围T stg -55~+150 °C士兰微电子SGT60N60FD1PN/P7说明书热阻特性参数符号参数范围单位芯片对管壳热阻(IGBT)RθJC0.39 °C/W 芯片对管壳热阻(FRD)RθJC 1.10 °C/W 芯片对环境的热阻RθJA40 °C/WIGBT电性参数(除非特殊说明,T C=25°C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位集射击穿电压BV CE V GE=0V, I C=250μA 600 -- -- V 集射漏电流I CES V CE=600V, V GE=0V -- -- 200 μA 栅射漏电流I GES V GE=20V, V CE=0V -- -- ±400 nA 栅极开启电压V GE(th)I C=250μA, V CE=V GE 4.0 5.0 6.5 V饱和压降V CE(sat)I C=60A,V GE=15V -- 2.2 2.7 V I C=60A,V GE=15V,T C=125°C -- 2.6 -- V输入电容C ies VCE=30VV GE=0Vf=1MHz -- 2850 --pF输出电容C oes-- 294 -- 反向传输电容C res-- 85 --开启延迟时间T d(on)V CE=400VI C=60AR g=10ΩV GE=15V感性负载-- 36 --ns开启上升时间T r-- 142 --关断延迟时间T d(off)-- 193 --关断下降时间T f-- 136 --导通损耗E on-- 3.72 --mJ 关断损耗E off-- 1.77 --开关损耗E st-- 5.49 --栅电荷Q gV CE = 400V, I C=60A, V GE = 15V -- 179 --nC发射极栅电荷Q ge-- 23 --集电极栅电荷Q gc-- 100 --FRD电性参数(除非特殊说明,T C=25°C)参数符号测试条件最小值典型值最大值单位二极管正向压降V FM I F=30A, T C=25°C -- 1.9 2.6V I F=30A, T C=125°C -- 1.5 --二极管反向恢复时间T rr I ES=30A, dI ES/dt=200A/μs -- 38 -- ns 二极管反向恢复电荷Q rr I ES=30A, dI ES/dt=200A/μs -- 85 -- nC士兰微电子SGT60N60FD1PN/P7说明书 典型特性曲线图1. 典型输出特性集电极电流 – I C (A )090180026集电极-发射极电压 – V CE (V)15030120集电极-发射极电压 – V C E (V )栅极-发射极电压 – V GE (V)图5. 饱和电压 vs.栅极-发射极电压 0204820481612图6. 饱和电压vs.壳温集电极-发射极电压 – V C E (V )12402575150壳温– T C (°C)125412165060集电极-发射极电压 – V C E (V )栅极-发射极电压 – V GE (V)图4. 饱和电压 vs.栅极-发射极电压020482048161212163100图2. 传输特性集电极电流 – I C (A )04010001015栅极-发射极电压 – V GE (V)8020605图3. 典型饱和电压特性集电极电流 – I C (A )0601800246集电极-发射极电压 – V CE (V)12030901501.52.53.5士兰微电子SGT60N60FD1PN/P7说明书 典型特性曲线(续)图8. 栅极电荷栅极-发射极电压 – V G E (V )015080200栅极电荷 – Qg(nC)612图9. 开启特性 vs.栅极电阻开关时间(n S )栅极电阻 - Rg(Ω)开关损耗 - E (m J )栅极电阻 - R g (Ω)图11. 开关损耗 vs. 栅极电阻3940120160图10. 关断特性 vs.栅极电阻开关时间(n S )栅极电阻 - Rg(Ω)100图7. 电容特性C (p F)06000135集电极-发射极电压 – V CE (V)4000102000100030005000100000101010001020501图12.开启特性 vs.集电极电流开关时间(n S )集电极电流 - I C (A)10100001011001010000301100203040502030405051030406090120士兰微电子SGT60N60FD1PN/P7说明书 典型特性曲线(续)开关损耗(m J )集电极电流 - I C (A)图14.开关特性vs. 集电极电流反向恢复时间- T r r (n s )正向电流 - I F (A)图16.反向恢复时间vs. 正向电流开关时间(n s )集电极电流 - I C (A)图13.关断特性vs. 集电极电流45303540集电极电流 - I C E (A )集电极-发射极电压 - V CE (V)图18.最大安全工作区域10210210-110110310010110030105060402010311000200.110406080120100002012010010804060100100正向电流-I F M (A )正向电压-V FM (V)图15.正向特性10000.5 2.510121 1.5反向恢复电荷- Q r r (n c )正向电流 - I F (A)图17.反向恢复电荷vs. 正向电流100020403010506040206080士兰微电子SGT60N60FD1PN/P7说明书 典型特性曲线(续)热阻抗(标准化)脉冲宽度(Sec)图19.瞬态热阻抗-脉冲宽度 (IGBT)10110010-110-310-510-110-610-310010-410-210-2热阻抗(标准化)脉冲宽度(Sec)图20.瞬态热阻抗-脉冲宽度 (FRD)10110010-110-310-510-110-610-310010-410-210-2101102士兰微电子SGT60N60FD1PN/P7说明书封装外形图士兰微电子SGT60N60FD1PN/P7说明书 声明:产品名称: SGT60N60FD1PN/P7文档类型: 说明书 版 权: 杭州士兰微电子股份有限公司公司主页: http: // 版 本:1.3 作 者: 殷资 修改记录:1. 修改TO-247-3L 封装的材料信息 版 本:1.2 作 者: 殷资修改记录:1. 增加TO-247-3L 封装形式 版 本:1.1 作 者: 殷资 修改记录:1. 修改产品规格分类版 本:1.0 作 者: 殷资 修改记录:1. 正式发布版本♦士兰保留说明书的更改权,恕不另行通知!客户在下单前应获取最新版本资料,并验证相关信息是否完整和最新。
4N60F PDF规格书
Fig.5. Typical output characteristics. ID = f(VDS); parameter VGS
RDS(on), Drain-Source on resistance (Ohms) 4.5 V VGS = 5 V 5.5 V PHP3N60 Tj = 25 C
PHP3N60
15
10 150 C
5
Tj = 25 C
5
0
0
15.87 ±0.20
3.30 ±0.20
12.42 ±0.20
6.68 ±0.20
2.76 ±0.20
9.75 ±0.20
1.47max
D
0.50 ±0.20
1
2.54typ 2.54typ
2 3
0.80 ±0.20
G
Байду номын сангаас
S
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃
Parameter Drain-Source Voltage Drain-Gate Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Current Pulsed Drain Current Repetitive and Non-Repetitive Avalanche Current Power Dissipation Non-Repetitive Avalanche Energy Repetitive Avalanche Energy Thermal Resistance.Junction- to-Ambient Thermal Resistance.Junction- to-Case Junction Temperature Storage Temperature Range Ta=25℃ Ta=100℃ Symbol VDS VDG VGS ID IDM IAS,IAR PD EAS EAR RthJA RthJC TJ Tstg Rating 600 600 ±30 2.4 1.5 18 4.5 35 295 9 55 3.6 150 -55 to 150 W mJ ℃/W A V Unit
士兰微电子 SDM15G60FB 说明书
SDM15G60FB说明书智能功率模块(IPM),600V/15A 三相全桥驱动描述SDM15G60FB是高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路,主要应用于较低功率的变频驱动,如空调、电冰箱、洗衣机等。
其内置了3相全桥高压栅极驱动电路和6个低损耗IGBT管。
SDM15G60FB内部集成了欠压、短路、过温等各种保护功能,提供了优异的保护和宽泛的安全工作范围。
由于每一相都有一个独立的负直流端,其电流可以分别单独检测。
SDM15G60FB采用了高绝缘和易导热设计,提供了非常紧凑的封装体,使用非常方便,尤其适合要求紧凑安装的场合。
主要特点♦内置6个低损耗600V/15A IGBT;♦内置高压栅极驱动电路(HVIC);♦内置欠压保护和过温、过流保护和温度输出;♦内置带限流电阻的自举二极管;♦完全兼容3.3V和5V的MCU的接口,高电平有效;♦3个独立的负直流端用于变频器电流检测的应用;♦报警信号:对应于低侧欠压保护和短路保护;♦封装体采用Al2O3 DBC设计,热阻极低;♦绝缘级别:1500V rms/min。
应用♦空调压缩机♦冰箱压缩机♦低功率变频器产品规格分类产品名称封装形式打印名称环保等级包装SDM15G60FB DIP-24H SDM15G60FB 无铅料管内部框图极限参数参数符号参数范围单位逆变部分加在PN之间的直流母线电压V PN450 V 加在PN之间的直流母线电压(浪涌)V PN(Surge)500 V 集电极-发射极电压V CES600 V单个IGBT的集电极持续电流,T C=25°C,Tj<150°C I C15 A 单个IGBT的集电极峰值电流,T C=25°C,Tj<150°CI CP30 A 脉冲宽度<1ms每个模块集电极最大耗散功率,T C=25°C P C35 W 控制部分控制电源电压V CC20 V 高侧控制电压V BS20 V 输入信号电压V IN-0.5~ V CC+0.5 V 故障输出电源电压V FO-0.5~V CC+0.5 V 故障输出电流,V FO端灌电流I FO 1 mA 电流检测端输入电压V SC-0.5~V CC+0.5 V 整机短路保护限压V CC=V BS=13.5~16.5V, T J=150°C, 单V PN(PROT)400 V 次且小于2μs工作壳温范围,-40°C≤T J≤150°C(备注1)T C-20~100 °C 存储温度范围T STG-40~125 °C IGBT结壳热阻RθJC Q 3.0 °C/W FRD结壳热阻RθJC F 3.9 °C/W 绝缘电压60Hz, 正弦波, 1 分钟连接管脚到散热片V ISO1500 V rms 安装扭矩安装螺丝:-M3,推荐值0.62N.m T 0.5~0.8 N.m 备注1:功率芯片的最大结温是150°C,为了保证IPM能安全工作,建议平均结温Tj≤125°C(@Tc≤100°C)推荐工作条件电气特性参数 (除非特殊说明,T amb =25°C, V CC =V BS =15V)逆变部分(a)开启(b)关闭CE图1. 开关时间定义控制部分备注2:短路保护或欠压保护工作时故障信号FO 输出。
FTA2N60规格书
Breakdown Voltage (Normalized)
BVDSS, Drain-to-Source
VGS(TH) Threshold Voltage
(Normalized)
1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 -50 -25 0 25 50 75 100 T J , Junction Temperature (℃) 125 150
10 8 6 4 2 0 0 0.5 1 QG, Gate Charge(nC) 1.5 2 2.5 3 3.5 4
ISD, Reverse Drain Current(A)
150℃
25 20 15 10 5 0 0.25
25℃ -55℃
0.5
0.75 1 1.25 1.5 VSD, Source-to-Drain Voltage(V)
FTP02N60A 600 2.2
FTA02N60A
Unit V
Continuous Drain Current Continuous Drain Current Pulsed Drain Current, VGS@10V Power Dissipation Derating Factor above 25℃ Gate-to-Source Voltage Single Pulse Avalanche Energy L=50mH, ID=2.2A Peak Diode Recovery dv/dt[3] Soldering Temperature Distance of 1.6mm from case for 10 seconds Operating and Storage Temperature Range
FTP02N60A FTP02N60AG FTA02N60A FTA02N60AG
FAIRCHILD FCP22N60N FCPF22N60NT 说明书
G D S TO-220FCP SeriesG D SMOSFET Maximum Ratings T = 25o C unless otherwise noted*Thermal CharacteristicsParameterDrain to Source Voltage Gate to Source Voltage Drain Current Continuous (T C Continuous (T C Drain CurrentPulsed (Note 1)Single Pulsed Avalanche Energy (Note 2)Avalanche CurrentRepetitive Avalanche Energy Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3)MOSFET dv/dt Power DissipationOperating and Storage Temperature RangeMaximum Lead Temperature for Soldering Purpose,1/8” from Case for 5 SecondsThermal Resistance, Junction to Case Thermal Resistance, Case to Heat Sink (Typical)Thermal Resistance, Junction to Ambient*Drain current limited by maximum junction temperatureSwitching CharacteristicsDrain-Source Diode CharacteristicsC rss Reverse Transfer Capacitance -3-pF C oss Output CapacitanceV DS = 380V, V GS = 0V, f = 1MHz -43.2-pF C oss eff.Effective Output Capacitance V DS = 0V to 480V, V GS = 0V-196.4-pF Q g(tot)Total Gate Charge at 10V V DS = 380V, I D = 11A, V GS = 10V(Note 4)-45-nC Q gs Gate to Source Gate Charge -8.7-nC Q gd Gate to Drain “Miller” Charge -14.5-nC ESREquivalent Series Resistance (G-S)Drain Open, f=1MHz-1-Ωt d(on)Turn-On Delay Time V DD = 380V, I D = 11A R G = 4.7Ω(Note 4)-16.9-ns t r Turn-On Rise Time -16.7-ns t d(off)Turn-Off Delay Time -49-ns t fTurn-Off Fall Time-4-nsI S Maximum Continuous Drain to Source Diode Forward Current --22A I SM Maximum Pulsed Drain to Source Diode Forward Current --66A V SD Drain to Source Diode Forward Voltage V GS = 0V, I SD = 11A- - 1.2V t rr Reverse Recovery Time V GS = 0V, I SD = 11AdI F /dt = 100A/µs-350-ns Q rrReverse Recovery Charge-6- µCNotes:1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature2. I AS = 7.3A, R G = 25Ω, Starting T J = 25°C3. I SD ≤ 22A, di/dt ≤ 200A/µs, V DD ≤ 380V, Starting T J = 25°C4. Essentially Independent of Operating Temperature Typical CharacteristicsUnclamped Inductive Switching Test Circuit & WaveformsDimensions in MillimetersFCP22N60N / FCPF22N60NT N-Channel MOSFET*Trademarks of System General Corporation, used under license by Fairchild Semiconductor.DISCLAIMERFAIRCHILD SEMICONDUCTOR RESERVES THE RIGHT TO MAKE CHANGES WITHOUT FURTHER NOTICE TO ANY PRODUCTS HEREIN TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION, OR DESIGN. FAIRCHILD DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF THE APPLICATION OR USE OF ANY PRODUCT OR CIRCUIT DESCRIBED HEREIN; NEITHER DOES IT CONVEY ANY LICENSE UNDER ITS PATENT RIGHTS, NOR THE RIGHTS OF OTHERS.THESE SPECIFICATIONS DO NOT EXPAND THE TERMS OF FAIRCHILD’S WORLDWIDE TERMS AND CONDITIONS, SPECIFICALLY THE WARRANTY THEREIN, WHICH COVERS THESE PRODUCTS.LIFE SUPPORT POLICYFAIRCHILD’S PRODUCTS ARE NOT AUTHORIZED FOR USE AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS WITHOUT THE EXPRESS WRITTEN APPROVAL OF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.As used herein:1. Life support devices or systems are devices or systems which, (a) areintended for surgical implant into the body or (b) support or sustain life,and (c) whose failure to perform when properly used in accordance with instructions for use provided in the labeling, can be reasonably expected to result in a significant injury of the user.2.A critical component in any component of a life support, device, system whose failure to perform can be reasonably expected to cause the failure of the life support device or system, or to affect its safety or effectiveness.PRODUCT STATUS DEFINITIONS Definition of Terms Auto-SPM™Build it Now™CorePLUS™CorePOWER™CROSSVOLT ™CTL™Current Transfer Logic™EcoSPARK ®EfficentMax™EZSWITCH™ * ™*Fairchild ®Fairchild Semiconductor ®FACT Quiet Series™FACT ®FAST ®FastvCore™FETBench™FlashWriter ® *FPS™F-PFS™FRFET ®Global Power Resource SMGreen FPS™Green FPS™ e-Series™G max ™GTO™IntelliMAX™ISOPLANAR™MegaBuck™MICROCOUPLER™MicroFET™MicroPak™MillerDrive™MotionMax™Motion-SPM™OPTOLOGIC ®OPTOPLANAR ®®PDP SPM™Power-SPM™PowerTrench PowerXS™Programmable Active Droop™QFET ®QS™Quiet Series™RapidConfigure™ ™Saving our world, 1mW /W /kW at a time™SmartMax™SMART START™SPM ®STEALTH™SuperFET™SuperSOT™-3SuperSOT™-6SuperSOT™-8SupreMOS™SyncFET™Sync-Lock™®*The Power Franchise ®®TinyBoost™TinyBuck™TinyLogic ®TINYOPTO™TinyPower™TinyPWM™TinyWire™TriFault Detect™TRUECURRENT™*µSerDes™UHC ®Ultra FRFET™UniFET™VCX™VisualMax™XS™®Datasheet Identification Product Status DefinitionAdvance InformationFormative / In DesignDatasheet contains the design specifications for product development. Specifications may change in any manner without notice.ANTI-COUNTERFEITING POLICYFairchild Semiconductor Corporation’s Anti-Counterfeiting Policy. Fairchild’s Anti-Counterfeiting Policy is also stated on our external website,, under Sales Support .Counterfeiting of semiconductor parts is a growing problem in the industry. All manufactures of semiconductor products are experiencing counterfeiting of their parts. Customers who inadvertently purchase counterfeit parts experience many problems such as loss of brand reputation, substandard performance, failed application, and increased cost of production and manufacturing delays. Fairchild is taking strong measures to protect ourselves and our customers from the proliferation of counterfeit parts. Fairchild strongly encourages customers to purchase Fairchild parts either directly from Fairchild or from Authorized Fairchild Distributors who are listed by country on our web page cited above. Products customers buy either from Fairchild directly or from Authorized Fairchild Distributors are genuine parts, have full traceability, meet Fairchild’s quality standards for handing and storage and provide access to Fairchild’s full range of up-to-date technical and product information. Fairchild and our Authorized Distributors will stand behind all warranties and will appropriately address and warranty issues that may arise. Fairchild will not provide any warranty coverage or other assistance for parts bought from Unauthorized Sources. Fairchild is committed to combat this global problem and encourage our customers to do their part in stopping this practice by buying direct or from authorized distributors.。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
反偏 P-N 结
--
VSD
IS=2.0A,VGS=0V
--
Trr
IS=2.0A,VGS=0V,
--
Qrr
dIF/dt=100A/µS
--
1. L=30mH,IAS=2.52A,VDD=145V,RG=25Ω,开始温度 TJ=25°C; 2. 脉冲测试: 脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%;
3. 基本上不受工作温度的影响。
DC
10-1 注:
1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个信号
10-2
100
101
102
103
漏源电压- VDS(V)
图9-5. 最大安全工作区域(SVF2N60N)
102
101
100
10-1
10-2 100
此区域工作受限于RDS(ON)
100µs 1ms 10ms DC
注:
1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个信号
版本号:1.4 2011.11.16 共11页 第7页
封装外形图 (续)
TO-251D-3L
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书
单位: mm
TO-251J-3L
单位: mm
版本号:1.4 2011.11.16 共11页 第8页
封装外形图 (续)
TO-220F-3L(1)
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书
L
EAS =
1 2
LIAS2
BVDSS BVDSS - VDD
BVDSS
IAS
待测器件
VDD
VDD
ID(t) tp
VDS(t) Time
版本号:1.4 2011.11.16 共11页 第6页
封装外形图
TO-220-3L
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书
单位: mm
ห้องสมุดไป่ตู้
TO-126-3L
单位: mm
tr td(off)
tf Qg Qgs Qgd
测试条件 VGS=0V, ID=250µA VDS=600V,VGS=0V VGS=±30V,VDS=0V VGS= VDS,ID=250µA VGS=10V,ID=1.0A
VDS=25V,VGS=0V, f=1.0MHz
VDD=300V,ID=2.0A, RG=25Ω
(注 2,3)
VDS=480V,ID=2.0A,
VGS=10V
(注 2,3)
最小值 600 --2.0 ------------
典型值 ----3.7
250.1 35.7 1.1 9.2 23.4 15.3 20.1 5.67 1.74 1.99
最大值 -1.0
±100 4.0 4.2 -----------
单位: mm
3.30±0.25
15.75±0.50 6.70±0.30
15.80±0.50
9.80±0.50
TO-220F-3L(2)
单位: mm
版本号:1.4 2011.11.16 共11页 第9页
封装外形图 (续)
TO-252-2L(1)
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书
单位: mm
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书
2A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率MOS场效应 晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制 造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导 通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
封装形式 TO-251D-3L TO-251J-3L TO-126-3L TO-220F-3L TO-220-3L TO-252-2L TO-252-2L
打印名称 SVF2N60M SVF2N60MJ SVF2N60N SVF2N60F SVF2N60T SVF2N60D SVF2N60D
材料 无铅 无铅 无铅 无铅 无铅 无铅 无铅
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换 器,高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点
∗ 2A,600V,RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力
命名规则
产品规格分类
产品名称 SVF2N60M SVF2N60MJ SVF2N60N SVF2N60F SVF2N60T SVF2N60D SVF2N60DTR
Ciss Coss Crss
注: 1. VGS=0V 2. f=1MHz
0
0.1
1
10
100
漏源电压 – VDS(V)
图7. 击穿电压vs.温度特性
1.2
漏源击穿电压(标准化)– BVDSS(V)
1.1 1.0
0.9
0.8 -100 -50
注: 1. VGS=0V 2. ID=250µA
0
50 100 150 200
0.5
0.0 -100 -50
注: 1. VGS=10V 2. ID=1.0A
0
50 100 150 200
结温 – TJ(°C)
图9-2. 最大安全工作区域(SVF2N60MJ)
102
101
100
10-1
10-2 100
此区域工作受限于RDS(ON)
100µs 1ms 10ms
DC
注:
1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个信号
与待测器件
VGS
参数一致
Qg
50KΩ
10V VDS
12V
200nF
300nF
Qgs
Qgd
VGS
3mA
待测器件
电荷量
VDS VGS RG
10V
开关时间测试电路及波形图
RL
VDD
待测器件
VDS
90%
10%
VGS
td(on)
tr
ton
td(off)
tf
toff
RG 10V
tp
VDS ID
EAS测试电路及波形图
漏电流 - ID(A)
漏源导通电阻(标准化) – RDS(on)(Ω)
栅源电压 – VGS(V)
图6. 电荷量特性 12
VDS=120V
10
VDS=300V
VDS=480V
8
6
4
2
注:ID=2.0A
0
01
2
3
456
总栅极电荷 – Qg(nC)
图8. 导通电阻vs.温度特性
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
TO-252-2L(2)
单位: mm
版本号:1.4 2011.11.16 共11页 第10页
SVF2N 60F
单位
V V
A
A
23
W
0.18 W/°C
mJ
°C
°C
热阻特性
参数名称
芯片对管壳热阻 芯片对环境的热阻
符号
RθJC RθJA
SVF2N60M/D SVF2N60MJ
3.7
3.57
110
110
参数范围 SVF2N60N
4.17 62.5
SVF2N60T 2.86 62.5
SVF2N60F 5.56 120
结温 – TJ(°C)
图9-1. 最大安全工作区域(SVF2N60M/D)
102
101
100
10-1
10-2 100
此区域工作受限于RDS(ON)
100µs 1ms 10ms
DC
注:
1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个信号
101
102
103
漏源电压 - VDS(V)
漏电流 - ID(A)
101
102
103
漏源电压- VDS(V)
漏电流 - ID(A)
漏电流 - ID (A)
漏电流 - ID(A)
图9-4. 最大安全工作区域(SVF2N60F)
102
此区域工作受限于RDS(ON) 101
100µs 1ms
100
10ms
DC
10-1 注:
1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个信号
101
102
103
漏源电压 - VDS(V)
版本号:1.4 2011.11.16 共11页 第4页
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书
典型特性曲线(续)
漏电流 - ID(A)
图9-3. 最大安全工作区域(SVF2N60T)
102
此区域工作受限于RDS(ON) 101
100µs 1ms
10ms 100
- 大于 25°C 每摄氏度减少
PD
单脉冲雪崩能量(注 1)
EAS
工作结温范围
TJ
贮存温度范围
Tstg
SVF2N 60M/D
34 0.27
参数范围
SVF2N 60MJ
SVF2N 60N
SVF2N 60T
600
±30
2.0
1.3
8.0
35
30
44
0.28
0.24
0.35
115 -55~+150 -55~+150
单位 V µA nA V Ω pF
ns
nC
版本号:1.4 2011.11.16 共11页 第2页