DIP电子元件的认识

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常见DIP CHIP元件的识别

法)=109nF(纳法)=1012pF(皮用
有
法)
c. 退耦、
耦合、旁
路作
d 滤波、
无
谐振
贴片电容 C 法拉（F）
无
电感
色环电感（L）
亨利(H)
工字电感 (L)
亨利(H)
贴片绕线电感(L)
亨利(H)
磁环电感亨利(H)
(L)
无 a. 阻流作
用.b.调谐
与选频作
无 1H( 亨利 )=1000mH( 毫用.c.与其
降压，分流，限流，建立电路中所需特定数值的电压或电
流
直插电解电
容（EC）法拉（F）
有
电容
贴片电解电容（EC）法拉（F）
引线钽电容
（EC）
法拉（F）
贴片钽电容法拉（F） (EC)
积层陶瓷电容(独石电
容)C
法拉（F）
有
a. 充放电
和延时作
用
.
有
b. 通交流
1F=103mF(毫法)=106µF(微隔直流作
电流，上限 (1)金属脚嵌在
玻璃里较小的
频率，最大一端为正极﹐ 较大的一极是
负极。
正向（整流） (2)外壳下边切弧的一端为负
电流等
极﹐对面为正极。
符号：
_
贴片发光二
极管（LED） +
有绿点的一端为负极
符号：
整流桥
峰值反压
整流桥（D）
VRRM(V) 流(A)
平均电正向压
有
降(V) 封装
符号：
三极管（Q）发射极反向击
穿电压,表示临界饱和时的饱和电压）， P C M（最大允许耗散功率）

常用元器件基础知识

DIP 常用元器件基础知识电阻电阻的符号：用字母“ R ”表示。

常用标记 ——I ——■电阻的作用：一般在电路中用作限流、分压等。

电阻单位及换算：单位：欧母（Q ）千欧（K Q ）兆欧（M Q ）换算：1M Q =103K Q =106Q , 1K Q =1000Q电阻的性能指标：1:标准阻值:指标注于电阻体上的阻值.2. 允许偏差值：即标准阻值与实际值的相对误差，常见允许偏差为：± 5% （I 级）、± 10%（II 级）、± 20%（III 级）.3. 额定功率：指电阻在室温25C 时，长期稳定工作条件下消耗散的电功率, 成品电阻常见的额定功率有 0.25W 、0.125W 、0.5W 、1W 、2W 、4W 。

＜五＞电阻分类：1. SMD 电阻:为矩形贴片小体积电阻，其底色为黑色.表示 1K(10*102=103 Q =1K Q )2. 色环电阻：采用美国军标，用色环来标记电阻阻值. 四色环电阻：底色一般为黄褐色 n —L五色环电阻：底色一般为绿色.也称作精密电阻.000 表示0Q1R2表示1.2Q （R 表示小数点）102色环第一色环第二色环第三色环第四色环第五色环颜色数字•数字数字乘积误差（％）黑八=0 0 0 100/棕 1 1 1 101± 1红 2 2 2 102± 2橙 3 3 3 103/黄 4 4 4 104/绿 5 5 5 105± 0.5、人 6 6 6 106± 0.25紫7 7 7 107± 0.1灰8 8 8 108/白9 9 9 109/金/ / / 10-1/银/ / / 10-2/分类：A.旋转式可调电阻：此VR上有一“+”字旋帽，用“ +”字螺丝批可调节阻值。

B.滑动式可调电阻：此VR为一滑动电阻，常用作音量开关。

4.SMT精密电阻：1）不同颜色表示2）英文字母表示3）四位数表示5.排阻：很多电阻整齐的排列在一起，比色环电阻少占空间。

dip电阻

DIP电阻1. 什么是DIP电阻？DIP电阻，全称为Dual In-line Package电阻，是一种常见的电子元器件。

它采用双排直插封装，通常由陶瓷或塑料制成。

DIP电阻具有两个平行排列的引脚，可直接插入电子电路的插座中。

2. DIP电阻的结构和工作原理DIP电阻的结构相对简单，主要由电阻体、引脚和封装材料组成。

电阻体通常由金属膜、金属箔或碳膜构成，用于提供所需的电阻值。

引脚则负责与电路连接，通过插入插座将DIP电阻与其他元器件相连。

DIP电阻的工作原理也十分简单，它通过电阻体的材料特性来实现对电流的限制。

当电流通过DIP电阻时，电阻体会产生一定的电阻值，从而限制电流的流动。

根据欧姆定律，电流和电阻之间存在线性关系，即I = V / R，其中I为电流，V为电压，R为电阻值。

3. DIP电阻的特点和应用领域特点DIP电阻具有以下几个特点：•封装方便：DIP电阻采用双排直插封装，方便插入插座，易于安装和拆卸。

•多种规格：DIP电阻有多种规格可选，以适应不同的电阻值和功率需求。

•稳定可靠：DIP电阻的封装材料通常具有良好的绝缘性能和耐高温性能，能够在恶劣环境下稳定工作。

•价格低廉：由于制造工艺成熟，DIP电阻的成本相对较低。

应用领域DIP电阻广泛应用于各个领域的电子电路中，包括但不限于以下几个方面：•通信设备：DIP电阻可用于手机、路由器、调制解调器等通信设备中，用于限制电流和调节电路性能。

•汽车电子：DIP电阻可用于汽车电子系统中，如发动机控制单元、车载娱乐系统等，用于电路的稳定和保护。

•工业控制：DIP电阻可用于工业控制设备中，如PLC、变频器等，用于电路的精确控制和调节。

•家用电器：DIP电阻可用于各类家用电器中，如电视机、洗衣机、空调等，用于电路的稳定工作和保护。

4. DIP电阻的选型和安装选型选型DIP电阻时，需要考虑以下几个因素：•电阻值：根据电路设计要求选择合适的电阻值，确保电路能够正常工作。

第一章 DIP的认识

第一章，零件的认识一、Resistor 电阻1、功能：主要是限制或调节电流的大小。

2、符号：R (Resistor)3、单位：欧姆Ω 千欧姆 K Ω 兆欧姆M Ω4、电阻的类型：碳膜电阻，金属膜电阻，网络电阻，微调电阻，电位器等。

网络电阻又分为共脚型、分开型、双面终端型三种(有方向性)碳膜电阻器的特性∙工作温度范围：-55℃～+155℃ ∙精度：2% 5% ∙阻值范围：1Ω～10MΩ ∙标称阻值：E-96 ∙极限电压高 ∙极好的长期稳定性 ∙价格低 ∙ 包装方式有带装、散装金属膜电阻器特性∙温度系数：±100PPM/℃ ∙功率负荷大、电流噪声小 ∙稳定性能，高频性能好 ∙工作温度范围：-55℃～+155℃ ∙精度：0.25%，0.5%，1%，5% ∙阻值范围：1Ω～10MΩ ∙标称阻值：E-96 ∙包装方式有带装、散装金属氧化膜电阻器特性 ∙ 具有大负荷下的优良耐久性 ∙ 抗潮湿、抗氧化 ∙ 阻燃性好 ∙ 抗浪涌电流强，过载能力高 ∙ 已氧化过的电阻皮膜长时间内变化少，皮膜强度好 ∙ 精度：2%，5% ∙ 阻值范围：1Ω～10MΩ ∙标称阻值：E-96 ∙ 包装方式有带装、散装封装与功率关系如下：单位：mm(毫米)不同类型的电阻颜色如下：5、色环：常见的色环电阻有四色环和五色环色环主要分成两部分：∙第一部分：靠近电阻前端的一组是用来表示阻值。

两位有效数的电阻值，用前三个色环来代表其阻值。

三位有效数的电阻值，用前四个色环来代表其阻值，一般用于精密电阻的表示。

∙第二部分：靠近电阻后端的一条色环用来代表公差精度。

第一部分的每一条色环都是等距，自成一组，容易和第二部分的色环区分。

四个色环电阻的识别：第一、二环分别代表两位有效数的阻值；第三环代表倍率；第四环代表误差。

五个色环电阻的识别：第一、二、三环分别代表三位有效数的阻值；第四环代表倍率；第五环代表误差。

如果第五条色环为黑色，一般用来表示为绕线电阻器，第五条色环如为白色，一般用来表示为保险丝电阻器。

dip的特点及介绍

dip的特点及介绍DIP是双列直插式封装技术，引脚数不超过100，双入线封装，那么你对DIP了解多少呢?下面就让店铺来给你科普一下什么是dip。

dip的介绍DIP封装，是dual inline-pin package的缩写，也叫双列直插式封装技术，双入线封装，DRAM的一种元件封装形式。

指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100。

DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。

当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。

DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏管脚。

DIP封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP(含玻璃陶瓷封接式，塑料包封结构式，陶瓷低熔玻璃封装式)等。

dip的特点适合在PCB(印刷电路板)上穿孔焊接，操作方便。

芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大。

最早的4004、8008、8086、8088等CPU都采用了DIP封装，通过其上的两排引脚可插到主板上的插槽或焊接在主板上。

在内存颗粒直接插在主板上的时代，DIP 封装形式曾经十分流行。

DIP还有一种派生方式SDIP(Shrink DIP,紧缩双入线封装)，它比DIP 的针脚密度要高六倍。

DIP还是拨码开关的简称，其电气特性为：1、电器寿命：每个开关在电压24VDC与电流25mA之下测试，可来回拨动2000次 ;2、开关不常切换的额定电流：100mA,耐压50VDC ;3、开关经常切换的额定电流：25mA,耐压24VDC ;4、接触阻抗：(a)初始值最大50mΩ;(b)测试后最大值100mΩ;5、绝缘阻抗：最小100mΩ，500VDC ;6、耐压强度：500VAC/1分钟 ;7、极际电容：最大5pF ;8、回路：单接点单选择：DS(S),DP(L)。

另外，电影数字方面DIP(Digital Image Processor)二次元实际影像dip的用途采用这种封装方式的芯片有两排引脚，可以直接焊在有DIP结构的芯片插座上或焊在有相同焊孔数的焊位中。

dip-基本电子零件认识

製二課新進人員教育訓練教案第一章認識電阻電阻,顧名思義,就是阻止電流流動的阻力.有阻止電流流動能力的元件,稱為電阻器(resistor),其單位為毆姆.電阻器可以分為固定電阻器與可變電阻器兩種,從材質方面分類,通常又可以分為混合式與繞線式兩種.( 1) 固定電阻器( fixed resistor ) :固定電阻是指該電阻的電阻值,由製作廠家製成某一固定數值.此種電阻,在電子設備中使用甚廣,按其結構又分為下列幾種:1.型線繞式電阻器2.碳膜電阻器3.固定碳素混合電阻4.絕緣固定式碳膜電阻器5.固定金屬膜電阻器6.厚膜微型電阻器7.厚膜電阻網路< 1. 功率型線繞式電阻器power type coated wire wound resistor>這種電阻器是在瓷器管狀的耐熱卷蕊上繞上電阻線,其外圍在施以洋灰色或磁漆等耐熱物質.以下的圖就是功率線繞式電阻器剖析圖.< 2. 固定碳膜電阻器fixed carbon film resistor>這種電阻器在磁管或磁棒的表面上附著碳素系物質薄膜的電阻體, 並加上適當的的端子,其表面再加以保護塗裝.以下的圖就是固定碳膜電阻器剖析圖.< 3. 固定式碳素混合電阻器fixed carbon composition resistor>這種電阻器是利用碳素系導電物質混合其他適當的物質所形成, 電阻器的表面具絕緣性.以下的圖就是固定式碳素混合電阻器剖析圖.< 4. 絕緣性固定碳膜電阻器insulated fixed carbon film resistor>這種電阻器是在瓷體的表面加上碳素膜的電阻體及端子,外表再封以絕緣質.以下的圖就是絕緣性固定碳膜電阻器剖析圖.< 5. 固定金屬膜電阻器fixed metal film resistor>這種電阻器是在瓷體的表面加上鉻化鎳(NiCr)合金薄膜的電阻體及端子,外表再加以保護塗裝.以下的圖就是固定金屬膜電阻器剖析圖.< 6. 厚膜微型電阻器thick film chip resistor>這種電阻器是在高純度鋁質基體(high purity alumina substrate)上密著電阻體厚膜,兩端加以電極面作為與外部線路銲接之用,並在電阻厚膜的表面加上保護塗裝.以下的圖就是厚膜微型電阻器剖析圖.< 7. 厚膜電阻網路thick film resistor network>這種電阻器是在高純度鋁質基板上分佈著多個電阻體厚膜,在鋁質基板上接成一特定的網路.在包裝的形式上有所謂單行式(single in line)或雙行式(dual in line)兩種.以下的圖就是厚膜電阻網路剖析圖.依其構造材料之特性可分成碳膜電阻與金屬膜電阻,其各色環所代表之意義,可參考(A,B圖表)來判斷.固定電阻器標示電阻值的方法有色碼標示法,直接數字標示法等兩種.(A) 色碼標示法:大部分的電阻器值表示均用四個或是五各色帶(容許誤差在正負1%以下)來標示,可由下圖中知道.色碼讀法由左至右,第一,第二為數值,第三為倍數,第四為誤差,(若為五個色帶,則第一,二,三為數值,第四為倍數第五為誤差)(B) 直接數字標示法:是直接在電阻器表面標示其值及消耗功率,例如3K3WD,後面D是為誤差值,其各英文字母所表示的誤差百分比可參考(A,B圖表).( 2) 可變電阻器( variable resistors ):可變電阻可分為電位器( potentiometer ),微調電阻器( trimmer )或稱半定可調電阻器,和線繞功率型可變電阻器( rheostats).可變電阻--- 就是在固定的電阻器上,再加上一個可動部分(稱為"動子"),由動子的變動而得到所需的電阻值,各型可變電阻的變化可分成九種變化類型:A型:15 %對數關係,此型可供做收錄音機,音響的音量控制.B型:直線關係,適用於音質控制電路.C型: 15 %反對數關係,其特性恰好與A型相反.D型:10 %對數關係.E型: 25 %反對數關係.U型: 介於A型與B型之間.W型:近似於S形狀的關係.T型:相當於D曲線.X型: 相類似曲線.色彩第一色第二色第三色倍數誤差(代號)黑0 0 0 1毆姆棕 1 1 1 10毆姆正負1% (F)紅 2 2 2 100毆姆正負2% (G)橙 3 3 3 1K毆姆黃 4 4 4 10K毆姆綠 5 5 5 100K毆姆正負0.5% (D)藍 6 6 6 1M毆姆正負0.25%(C)紫7 7 7 10M毆姆正負0.10%(B)灰8 8 8 正負0.05% 白9 9 9金0.1 正負5% (J)銀0.01 正負10% (K)無色正負20%電阻規格臥式碳膜電阻1/8W 5% 臥式碳膜電阻外型尺寸: 長4mm x直徑2φ阻值範圍: 0Ω to 22MΩ1/4W 5% 臥式碳膜電阻外型尺寸: 長4mm x直徑2φ阻值範圍: 0Ω to 22MΩ1/2W 5% 臥式碳膜電阻外型尺寸: 長x mm 直徑3φ阻值範圍: 0Ω to 22MΩ1/4W 5% 臥式精密電阻外型尺寸: 長4mm x直徑2φ阻值範圍: 10Ω to 1MΩ1/2W 1% 臥式精密電阻外型尺寸: 長mm x直徑2φ阻值範圍: 10Ω to 1MΩ溫度系數100ppm 以下1W 5% 金屬氧化膜電阻外型尺寸: 長x12mm,直徑 4.0φ阻值範圍: 0.1Ω to 1MΩ2W 5% 金屬氧化膜電阻外型尺寸: 長x15mm,直徑 4.5φ阻值範圍: 0.01Ω to 1MΩ3W 5% 金屬氧化膜電阻外型尺寸: 長x17mm,直徑6φ阻值範圍: 0.01Ω to 1MΩ臥式水泥電阻80W 5% 臥式水泥電阻外型尺寸: 長x22,寬x8,高x8mm 阻值範圍: 0.02Ω to 100KΩ5W 5% 臥式水泥電阻外型尺寸: 長x22,寬x10,高x10mm 阻值範圍: 0.02Ω to 100KΩ10W 5% 臥式水泥電阻外型尺寸: 長x19,寬x10,高x10mm 阻值範圍: 0.05Ω to 20KΩ20W 5% 臥式水泥電阻外型尺寸: 長x61,寬x14,高x14mm 阻值範圍: 0.05Ω to 10KΩ5W 5% 立式水泥電阻外型尺寸: 長x22,寬x14,高x10mm 阻值範圍: 0.02Ω to 100KΩ5W 1% 臥式精密水泥電阻外型尺寸: 長x22,寬x8,高x8mm 阻值範圍: 0.02Ω to 100KΩ10W 1% 臥式精密水泥電阻外型尺寸: 長x22,寬x8,高x8mm 阻值範圍: 0.02Ω to 100KΩ80W 5% 臥式水泥電阻外型尺寸: 長x22,寬x8,高x8mm 阻值範圍: 0.02Ω to 100KΩ排列電阻5P 排列電阻單排共邊腳阻值範圍: 100Ωto 470KΩ7P 排列電阻單排共邊腳阻值範圍: 100Ωto 100KΩ9P 排列電阻單排共邊腳阻值範圍: 100Ωto 1MΩ11P 排列電阻單排共邊腳阻值範圍: 100Ωto 1MΩ6P 排列電阻單排獨立腳阻值範圍: 100Ωto 470KΩ8P 排列電阻單排獨立腳阻值範圍: 10Ωto 470KΩ10P 排列電阻單排獨立腳阻值範圍: 100Ωto 470KΩ光敏、熱敏電阻CDS 光敏電阻外型尺寸: 5mm to 30mm 國產5φ負溫度係數熱敏電阻阻值範圍:1KΩ to 100KΩ立式熱敏電阻阻值範圍: 2.7KΩ to 10KΩ臥式熱敏電阻阻值範圍:10KΩ to 47KΩ大電流熱敏電阻阻值範圍:0.5Ω 30A to1Ω 30A可變電阻24φAIKO 工業用碳膜圓柄可變電阻阻值範圍: 500Ω-2MΩ柄長:15mm16φ碳膜可變電阻阻值範圍: 500Ω-2MΩ額定功率: W外型尺寸: 16φ柄長: 15 / 25mm24φ碳膜可變電阻阻值範圍: 500Ω-2MΩ額定功率: W外型尺寸: 24φ, 柄長: 15 / 25mm16φ日製(COSMOS)碳膜密封可變電阻電阻材質:碳膜阻值範圍: 100Ω-1MΩ額定功率: 0.125W外型尺寸: 16φ柄長: 15mm24φ日製(COSMOS)碳膜密封可變電阻電阻材質: 碳膜阻值範圍: 500Ω-1MΩ額定功率: 0.25W外型尺寸: 24φ柄長: 20mm24φ日製(COSMOS)雙連碳膜可變電阻電阻材質: 碳膜阻值範圍: 500Ω-1MΩ額定功率: 0.25W外型尺寸: 24φ柄長: 20mm10W高功率磁金屬膜可變電阻電阻材質: 磁金屬膜額定功率: 10W外型尺寸: 24φ柄長: 75mm10W高功率磁金屬膜可變電阻電阻材質: 磁金屬膜額定功率: 10W外型尺寸: 24φ柄長: 15mm25W 大功率磁線繞VR本體材質: 磁, 阻值範圍: 2Ω-1KΩ額定功率: 25W, 外型尺寸: 46φ50W 大功率磁線繞VR本體材質: 磁, 阻值範圍: 2Ω-1KΩ額定功率: 50W, 外型尺寸: 63φ100W 大功率磁線繞VR本體材質: 磁, 阻值範圍: 2Ω-1KΩ額定功率: 100W, 外型尺寸: 85φ50φ360度日製可變電阻直徑: 50.8φ, 柄長: 20mm, 柄直徑: 6φ50φ360度日製可變電阻直徑: 50.8φ, 柄長: 30mm, 柄直徑: 6φ不燃性D型線繞可調電阻不燃性D型線繞電阻不燃性D型線繞電阻不燃性琺瑯波浪線瓷管電阻琺瑯波浪線繞線電阻器第二章認識電容一般應用於無線電及其他電子設備的電容器主要有兩大類:固定電容器與可變電容器.固定電容器在一定電容值的電路中使用,而可變電容器則適用於隨時或是必要時需要變更的電路中.基本的電容器是兩塊金屬板,中間夾以絕緣物質所構成;如圖A所示,中間所夾的絕緣物質,就稱為介質.電容器的介質很多,如雲母,瓷,塑膠,紙,空氣,鈦,鉭,油脂和電解質的氧化膜等.電容器的識別,一般都是直接標示其值,耐壓,極性,但有些是用其他數字或符號來表示.如上圖圖B所示;2A 表示耐壓值,103表示電容量,而M表示誤差.( 1 ) 固定電容器:固定電容器,通常依其使用的介質不同又可分為以下數種:A.紙質電容器( paper capacitor ) :這種電容器是使用紙張作為介質體製成的電容器.B.塑膠膜電容器( plastic film capacitor ) :以一種專供製造電容器使用的聚乙烯塑膠膜作為介質體而製成.C.質電容器( ceramic capacitor ) :以質材料(如塊滑石) 作為介質製成的固定電容器.D.電解質電容器( electrolytic capacitor ) :這種電容器可以陽極及內部的材料不同而分為以下四種:•鋁極固體電解電容器.•鋁極液態電解電容器.•鉭質固體電解電容器.•鉭質非固體電解電容器.E.雲母電容器( mica capacitor ) :主要是以雲母片做為介質體製成而成.( 2 ) 可變電容器:可變電容器,依使用之介質可分為:A.空氣介質可變電容.B.質可變電容.電容器的電氣性能試驗可分為:( 1 ) 耐壓試驗( 2 )絕緣電阻測量( 3 ) 洩漏電流測量( 4 )靜電容量測量( 5 )品質因數測量( 6 ) 阻抗測定( 7 )溫度特性測量( 8 )突波電壓測試.電容器的機械特性試驗可分為:( 1 )端子強度試驗( 2 )耐震性能試驗( 3 ) 衝擊試驗( 4 )可焊性試驗( 5 )銲錫耐熱性試驗( 6 )密封性試驗( 7 )耐溶劑性試驗( 8 )放射線穿透試驗.電容器的環境測試可分為:( 1 )耐寒性試驗( 2 ) 耐熱性試驗( 3 )溫度循環試驗( 4 )浸漬循環試驗( 5 )耐濕性試驗( 6 )鹽水噴霧試驗( 7 )減壓試驗( 8 )耐濕負載試驗( 9 )高溫負載試驗( 10 ) 耐燃性試驗.電容規格瓷電容低壓質電容電壓範圍: 16V to 200V電容值範圍: 1pF to 104(0.1)高壓質電容電壓範圍: 1KV to 10KV電容值範圍: 1pF to 104(0.1)急充放電電容急充放電電容電壓範圍: 350V / 400V電容值範圍: 330μF to 6800μF急充放電電容電壓範圍: 400V to 1KV電容值範圍: 0.5μF to 2.2μF立式鉭質電容立式鉭質電容電壓範圍: 6.3V to 35V電容值範圍: 0.1μF to 47μF積層電容立式臥式積層電容電壓範圍: 50V to 100V電容值範圍: 102 to 4749P 積層排列電容規格: 102x8 9P,103x8 9P,104x8 9P日製晶片型積層電容金屬化膜電容棕色立式金屬化膜電容(MEF)電壓範圍: 50V to 1200V電容值範圍: 0.001K to 10K黃色臥式圓型金屬化膜(MET)電壓範圍: 100V to 1000V電容值範圍: 0.01K to 10K黃色臥式扁型金屬化膜(MEA)電壓範圍: 100V to 1000V電容值範圍: 0.01K to 10K5mm 63V 方型金屬化膜腳距: 5mm電壓: 63V電容值範圍: 0.001J to 1.5J其他綠色塑膠薄膜電容電壓: 100V電容值範圍: 0.001J(102) to 0.47J(474)500V雲母電容(高級音響、無線電機用)電容值: 10pF to 10000pF, ±5%立式PS 透明塑膠電容電壓: 50V電容值範圍: 56pF to 10000pF6φ日製上調半固定電容電容值範圍: 3pF to 70pFAC 400V 電源接地Y 電容AC 250V 交流電容器電容值誤差表代碼 B C D F G H J K L M N誤差值±1 ﹪±0.25﹪±0.5﹪±1 ﹪±2 ﹪±3 ﹪±5 ﹪±10 ﹪±15 ﹪±20 ﹪±30 ﹪常用的數值倍量符號表代表倍數符號中文名稱英文名稱10-12ｐ微微pico10-9ｎ奈nano10-6μ微micro10-3ｍ毫milli103ｋ千kilo106Ｍ百萬mega109Ｇ十億giga1012Ｔ兆tera電容器耐壓值表(單位V)第三章認識電晶體一個典型的接面電晶體( j u n c t i o n t r a n s i s t o r )是由一片N型矽(或鍺 )物質外加兩片P型矽(或鍺 )物質疊合而成.另一結構方式是由P型物質介於兩片N型物質之中組合而成.前者我們稱為P-N-P電晶體,後者我們則稱為N-P-N電晶體.圖A所示就是兩種電晶體的型態.電晶體的三部份為射極(e m i t t e r),基極(b a s e),集極(c o l l e c t o r).當射極與基極接面所加的偏壓為順向時,射極上的箭頭即為電流的流向.此時,射極與基極接面的特性為低阻抗及低電壓降.若集極與基極之間加上反向偏壓時.相當於負偏壓加於二極體上,因此集極-基極間之阻抗甚高.電晶體的種類 :一邊常用的電晶體可以分為 :[1.接面電晶體 ][2.場效電晶體 ][3.金氧半場效電晶體 ][4.矽控整流器 ][5.雙向三極體][6.單接面電晶體 ]1.接面電晶體(j u n c t i o n t r a n s i s t o r):接面電晶體又稱為雙極式電晶體,又可分為P-N-P與N-P-N兩種電晶體 .其工作原理與構造就如同前面所敘述的一樣 .(參考圖A)2.場效電晶體(F E T , f i e l d e f f e c t t r a n s i s t o r):F E T是由一長立方體之N型物質,沿此立方體之中央部分,加上一環繞之P型物質,而形成一環繞之P-N結合.此P型物質接至外部的接點稱之為"閘極"(g a t e).立體方塊之兩端,各有一歐姆接觸(o h m i c c o n t a c t),一端稱為源極(s o u r c e),另一端稱為汲極(d r a i n).在P-N接面上通常加以反向偏壓,因而障壁層將深入通道 ( c h a n n e l )內,並有效地控制其導通的面積.在F E T工作時,電壓V d s加於通道之兩端,所有多數載子將在通道中流動.假若反向電壓變動時,障壁層的寬度及通道有效導通面積也隨之變動,使通道電流產生變化 .3.金氧半場效電晶體(M O S F E T,m e t a l o x i d e s e m i c o n d u c t o r F E T):如圖B所示在P+區域(源極 )及P+區域(汲極 )上加以適當的電壓,使另一電極(閘極 )面附近產生一導通之通道.當一電壓V d s加於汲極(負壓 )及源極(正壓 )時,N-P+(汲極 )接面形成一負偏壓,只有微小的電流從源極流向汲極.假若現在使閘極上有一與源極對應之負偏壓,電洞便受到N型區域表面之吸引並使其變為P型.因此,便有一P型通道接面在P+(源極 )及P+(汲極 )兩區域之間.電流便受到V d s的影響而從源極流向汲極,其大小隨閘極電壓之升高而增加.4.矽控整流器(S C R,s i l i c o n c o n t r o l l e d r e c t i f i e r):整流元件.在一般狀況下,它阻隔任一方向的電流.但經過觸發( t r i g g e r )之後,它可容許順向的電流流動,但反向電流仍被阻隔.因此 ,具有可控制的整流作用.當閘極未觸發之前的初期狀況,陽極和陰極之間為高電阻.但當閘極受到很小的電流觸發之後,其作用則與一般整流器相似.在導通後,則形成穩定狀態直至主電流減至很小時才回復至初期高電阻狀態 .5.雙向三極體(t r i a c):雙向三極體是由S C R發展出來的控制元件.可藉閘極來控制順向及反向特性.S C R為單一的控制整流器,僅能控制D C整流輸出,而雙向三極體則能控制A C功率,如圖C所示.改變向三極體可視為兩個S C R相並聯------即一個N-P-N-P單體與一個P-N-P-N單體並聯 .6.單接面電晶體 (U J T,u n i j u n c t i o n t r a n s i s t o r):單接面電晶體是由一個P-N接面所組成,利用其接面間之負電阻(n e g a t i v e r e s i s t a n c e)效應可應用方脈波及非正弦波產生器中.電晶體的種類判別(P N P或 N P N):<1>將三用電錶V O M旋轉至歐姆檔 X1(或 X10)並作歸零調整.<2>依圖D-a所示將V O M的測試棒與待測電晶體之腳中任接兩腳(1,2腳),若指針不動,試棒互相對調(如圖D-b),若指針不動,則另一腳則為基極(亦即先找出不通的兩腳 ).<3>再以另一腳為主(第三腳),紅棒接第三腳,黑棒接第一腳,如圖E-a指針偏轉,紅棒不動,再以黑棒接第二腳,如圖E-b,指針偏轉 .則電晶體為P N P.<4>若以第三腳接黑棒,第一腳接紅棒,如圖F-a,指針偏轉,黑棒不動,再以紅棒接第二腳,如圖F-b,指針偏轉,則電晶體為N P N.用三用電錶V O M判斷電晶體的接腳 :<1>依上述先判斷出電晶體的基極為何種類(N P N或P N P).<2>將V O M的電阻檔轉至歐姆檔X10或是X1K檔,並作歸零調整.<3>知道了基極接腳後,剩下的兩腳即為集極和射極.<4>只要給電晶體施以基極電流ＩB,將會有βＩB的集極電流 .<5>假設待測的電晶體為N P N型,且第一腳為射極,第二腳為基極,第三腳為集極如圖G-a所示,並假設所使用的V O M紅棒為接V O M內部電池的負極,黑棒為接V O M內部電池之正極 .<6>將V O M的黑棒接在待測電晶體的第三腳(假設為集極),紅棒接在待測電晶體的第一腳(假設為射極),用手指按住第三腳與第二腳(假設為基極 ) (此處,以手指的電阻造成基極電流ＩB ) .若假設正確,使電晶體產生βＩB =ＩC而使V O M指針順向偏轉,如圖G-b所示;假設錯誤 ,則如圖G-c所示,V O M指針將呈現出高阻抗.此時,第三腳應為射極,第一腳為集極 .認識電晶體一個典型的接面電晶體( junction transistor )是由一片N型矽( 或鍺)物質外加兩片P型矽( 或鍺)物質疊合而成.另一結構方式是由P型物質介於兩片N型物質之中組合而成.前者我們稱為P-N-P電晶體,後者我們則稱為N-P-N電晶體.圖A所示就是兩種電晶體的型態.電晶體的三部份為射極( emitter ) , 基極( base ),集極( collector ).當射極與基極接面所加的偏壓為順向時,射極上的箭頭即為電流的流向.此時,射極與基極接面的特性為低阻抗及低電壓降.若集極與基極之間加上反向偏壓時.相當於負偏壓加於二極體上,因此集極-基極間之阻抗甚高.電晶體的種類:一邊常用的電晶體可以分為:[ 1.接面電晶體] [2.場效電晶體][ 3.金氧半場效電晶體][ 4.矽控整流器][ 5.雙向三極體] [ 6.單接面電晶體]1.接面電晶體( junction transistor ) :接面電晶體又稱為雙極式電晶體,又可分為P-N-P與N-P-N兩種電晶體 . 其工作原理與構造就如同前面所敘述的一樣 . ( 參考圖A )2.場效電晶體( FET,field effect transistor ) :FET是由一長立方體之N型物質,沿此立方體之中央部分,加上一環繞之P型物質,而形成一環繞之P-N結合.此P 型物質接至外部的接點稱之為"閘極" ( gate ) .立體方塊之兩端,各有一歐姆接觸( ohmic contact ),一端稱為源極( source ),另一端稱為汲極( drain ) .在P-N接面上通常加以反向偏壓,因而障壁層將深入通道( channel )內,並有效地控制其導通的面積.在FET工作時,電壓Vds加於通道之兩端,所有多數載子將在通道中流動.假若反向電壓變動時,障壁層的寬度及通道有效導通面積也隨之變動,使通道電流產生變化 .3.金氧半場效電晶體( MOSFET , metal oxide semiconductor FET ) :如圖B所示在P+區域( 源極)及P+區域( 汲極)上加以適當的電壓,使另一電極( 閘極)面附近產生一導通之通道.當一電壓Vds加於汲極( 負壓)及源極( 正壓)時,N-P+( 汲極)接面形成一負偏壓,只有微小的電流從源極流向汲極.假若現在使閘極上有一與源極對應之負偏壓,電洞便受到N型區域表面之吸引並使其變為P型.因此,便有一P型通道接面在P+( 源極)及P+( 汲極)兩區域之間.電流便受到Vds的影響而從源極流向汲極,其大小隨閘極電壓之升高而增加.4.矽控整流器( SCR , silicon controlled rectifier ) :整流元件.在一般狀況下,它阻隔任一方向的電流.但經過觸發( trigger )之後,它可容許順向的電流流動,但反向電流仍被阻隔.因此,具有可控制的整流作用.當閘極未觸發之前的初期狀況,陽極和陰極之間為高電阻.但當閘極受到很小的電流觸發之後,其作用則與一般整流器相似.在導通後,則形成穩定狀態直至主電流減至很小時才回復至初期高電阻狀態 .5.雙向三極體( triac ) :雙向三極體是由SCR發展出來的控制元件.可藉閘極來控制順向及反向特性.SCR為單一的控制整流器,僅能控制DC整流輸出,而雙向三極體則能控制AC功率,如圖C所示.改變向三極體可視為兩個SCR相並聯------ 即一個N-P-N-P單體與一個P-N-P-N單體並聯 .6.單接面電晶體( UJT , unijunction transistor ) :單接面電晶體是由一個P-N接面所組成,利用其接面間之負電阻(negative resistance)效應可應用方脈波及非正弦波產生器中.電晶體的種類判別( PNP 或NPN ) :<1> 將三用電錶VOM旋轉至歐姆檔X 1 (或X 10)並作歸零調整.<2>依圖D-a所示將VOM的測試棒與待測電晶體之腳中任接兩腳(1,2腳),若指針不動,試棒互相對調(如圖D-b),若指針不動,則另一腳則為基極( 亦即先找出不通的兩腳) .<3>再以另一腳為主( 第三腳),紅棒接第三腳,黑棒接第一腳,如圖E-a指針偏轉,紅棒不動,再以黑棒接第二腳,如圖E-b,指針偏轉 .則電晶體為PNP .<4>若以第三腳接黑棒,第一腳接紅棒,如圖F-a,指針偏轉,黑棒不動,再以紅棒接第二腳,如圖F-b,指針偏轉,則電晶體為NPN .用三用電錶VOM判斷電晶體的接腳:<1>依上述先判斷出電晶體的基極為何種類(NPN或PNP).<2>將VOM的電阻檔轉至歐姆檔X10或是X1K檔,並作歸零調整.<3>知道了基極接腳後,剩下的兩腳即為集極和射極.<4>只要給電晶體施以基極電流ＩB ,將會有βＩB的集極電流 .<5>假設待測的電晶體為NPN型,且第一腳為射極,第二腳為基極,第三腳為集極如圖G-a所示,並假設所使用的VOM紅棒為接VOM內部電池的負極,黑棒為接VOM內部電池之正極 .<6>將VOM的黑棒接在待測電晶體的第三腳(假設為集極),紅棒接在待測電晶體的第一腳( 假設為射極),用手指按住第三腳與第二腳( 假設為基極) ( 此處,以手指的電阻造成基極電流ＩB ) .若假設正確,使電晶體產生βＩB = ＩC而使VOM指針順向偏轉,如圖G-b所示;假設錯誤,則如圖G-c所示,VOM指針將呈現出高阻抗.此時,第三腳應為射極,第一腳為集極 .第四章認識電感電感器是由捲繞漆包線所形成之線圈,通過與流過該線圈之電流成直交之磁束的磁蕊所構成,而對交流具有高阻抗,對直流顯示極低之電阻特性的電路元件.電感器的單位為亨利,符號為H,有時也以毫亨來表示,符號為mH.電感器與電感之間的測量--"電感量",就是每單位電流流經電感器所產生的磁通鏈(Flux linkage).磁通鏈等於電感器的閘數與其相交的磁力線數之乘積.電感器又稱為電感線圈,高Q線圈,L元件等...簡稱L . 低頻線圈又分為[ 電感線圈] 和[ 抗流線圈] 兩類, 電感線圈與抗流線圈都可以工作於較低頻率,抗流線圈主要應用於電源電路的濾波部分,它能夠通過較高的直流電流.然而電感線圈則要求較高之Q值及陡削的諧振特性.當直流電通過線圈時,僅在接通或中斷瞬間產生感抗(inductive reactance),在正常工作期間僅有電感器本身的直流電阻而已.但當交流信號通過時,其感抗將依頻率的增高而加大.電感器對交流信號所產生的阻力,便稱為交流有效電阻(effective AC resistance).電感線圈的種類,依其構造分類,通常分為固定電感器與可變電感器.如依線圈的導磁材料分類,又可分為空心,鐵心,鐵粉心及非導磁金屬心等..四種.如依照繞製方法或形狀分類,則又可分為單層螺管線圈與複層線圈,以及蜂房,蛛網,環狀,花籃等式..線圈.若再依照使用用途以及機能分類的話,又可以在區分出,濾波器線圈,加感線圈,調諧線圈,振盪線圈等..其他...[ 固定電感器]固定電感器的意義是電感為一定數值,線圈亦被固定.固定電感器又可細分為下列數類:< 1 >重載式( heavy- duty )線圈:以粗大之導線疏繞而成,多用於功率較大的發射機電路 .< 2 >輕載式( light duty )線圈:除體積大小不同外,大體與重載式線圈相同,因使用較細導線如漆包,絲包,或紗包等繞製而成,故圈間距離可較重載更為緊密,此種線圈被廣泛地運用在各式接收機中 .< 3 >微型電感器( chip inductor ):在一微小之導磁鐵心上繞製線圈並加以適當之包裝以利自動裝配機使用 .[ 可變電感器]可變電感器可分為兩類:< 1 >變移接頭式可變電感器:此種電感器的構造方式有兩種,其中一種是線圈具有若干接頭( taps ),用一變換開關可隨時選擇不同的電感量.另外一種是在線圈之外面裝一可移動的滑輪或夾箍,利用輪或箍的移動以改變電感量.通常應用於發射機上 .< 2 >導磁係數式可變電感器:這種電感器,其線圈內具有磁性鐵心,調整鐵心之位置以改變其電感量 . 通常多應用於無線電機的調諧電路中 .抗流線圈( choke coil )亦為一種固定電感器,它與前述固定式電感器不同之處主要在應用方面.< 1 >射頻抗流圈:其對射頻具有高電感抗, 故可用以阻止射頻電流通過 .< 2 >聲頻抗流圈:其異於射頻抗流圈者,具有更高的感抗,才能阻止聲頻交流通過 .電感器的自諧振及分佈電容之測量:無論線圈的繞法如何,很難使分佈電容完全消除.分佈電容的存在與線圈工作的電感形成所謂自諧振.一般而言,自諧振頻率比線圈工作頻率為高,但可能接近工作頻率的諧波( harmonics ), 故電感器在電路中工作的性能可能存有某些限制 .一. 自諧振的測量:( 1 )最小訊號輸出法:測試時應先將電感器自電路中取下,以避免受到四周電路的電容及電感的影響.調整信號產生器之輸出頻率,使其低於諧振頻率.若電流表為指針式時,應調整信號產生器的輸出信號強度,使電流表上的指示約為滿標度的75%,然後逐漸增加信號產生器的頻率,並注意電流表指示的數值,直至電流表的指示讀數至最低點為止.自諧振頻率可能多於一個, 我們應檢查整個頻帶,以尋找所有存在的自諧振頻率 .( 2 ) 射頻阻抗分析儀或相位分析儀測試法:圖A所示為電感線圈理想化的自諧振等效電路.由並聯諧振的特性中知道,諧振阻抗最大,通過的電流最小,而電路成電導(或電阻) 性.測量時,使用射頻阻抗分析器或相位分析儀最為簡便,而結果亦最為準確,如圖B所示.使用阻抗分析儀或相位分析器作自諧振測試時,應先依使用方法將儀器完成校準之後,在予測量.測量時必須將線圈自線路中取下,目的是避免附近電路的電容及電感效應的影響.如果線圈無法取下來時,必須使線圈盡量遠離其他的電路或元件.測量時先將測試頻率調至低於諧振頻率的位置.如頻率無法預知時,可將頻率調至最低.然後逐漸增加。

DIP零件认识

2.插件說明及注意事項 Insertions Instruction： (1)板上插件標示:板上插件位置名稱及防呆腳的方向 Showing the location name and the extra for insertion. (2)插件難度:低度控制 The degree of insertion is low control. (3)其他:部份零件未加防呆腳時,插件時需注意方向標示 Pay attention to some brand whose parts without the extra pin.
X’TAL(振盪器)
X’TAL(振盪器)
1.外觀特徵 Features： (1)跪腳式(筒狀)外觀無頻率數值標示,臥式振盪器零件上方有雷射標示頻率數值。 The body of the bowl shape without showing the spec value of frequency , but the lying shape shows on its top side. (2)無極性,無方向性。 Without polarity and direction .
IC SOCKEK(IC腳座)
缺口位置
IC SOCKEK(IC腳座)
1.外觀特徵 Features： (1)零件上方有標示零件廠牌及電壓數值。 The body shows the vender brand and the volts value. (2)有方向,方向以零件上的缺口方向為區別式。 The three fixed pins lead to the correct insertion direction. (3)在PC板上之插件位置標示 Uxx 如：U20/U21 Marked on board with Uxx et : U20/U21

DIP零件介绍-1

RELAY
繼電器
COIL
電感
COMMOM CHOKE
濾波器
FERRIT CHOKE
INDUCTOR
LED
發
BUZZER
USB JACK
TRANSISTOR
RESISTOR
SERIES RESISTOR
SURGE
PCB (ABBREVIATION) ON PCB C C C D D
FAN FUSE J OR JP J OR P OR JP J 0R JP J OR JP
JP K L L L L LED OR D LS P Q R RP RV
PCB板零件標示
Components Name
FERRIT CHOKE INDUCTOR LED BUZZER USB JACK TRANSISTOR RESISTOR SERIES RESISTOR SURGE SWITCH ROCKER SWITCH TRANSFORMER HEAT SINK IC OSCILLATOR OR X'TAL
PCB (ABBREVIATION) ON PCB
L L LED OR D LS P Q R RP RV SW SW OR S TF U U Y
CAPACITOR
電容
CERAMIC CAPACITOR 陶瓷電容
MYLAR CAPACITOR 麥拉電容
BRIDGE DIODE
橋式二極體
DIODE
二極體
FAN
風扇
FUSE
保險絲
EAR JACK
耳麥插頭
PHONE JACK
電話插頭
PIN HEADER
跳線帽
POWER JACK

dip学习心得

dip学习心得Dip 学习心得在学习 Dip（双列直插式封装）的过程中，我仿佛打开了一扇通往电子世界的新大门。

从对它的一知半解，到逐渐深入理解其原理和应用，这个过程充满了挑战，也带来了无数的收获。

一开始接触 Dip 时，我被它看似复杂的结构和众多的引脚搞得有些晕头转向。

但随着学习的深入，我慢慢发现，只要掌握了一定的规律和方法，理解它并不是一件难事。

Dip 封装的特点首先在于其直观的布局。

引脚以双排的形式排列，这种排列方式使得芯片在电路板上的安装和连接相对较为简单。

与其他更为复杂的封装形式相比，Dip 的引脚间距较大，这为手工焊接提供了便利。

对于初学者来说，这是一个很好的入门点，能够通过实际操作来感受电子元件与电路板之间的连接过程。

在学习 Dip 的过程中，我还深入了解了它的引脚功能。

每个引脚都有其特定的作用，比如电源引脚、接地引脚、输入引脚和输出引脚等。

正确理解和连接这些引脚是确保电路正常工作的关键。

通过不断地查阅资料和实际操作，我逐渐熟悉了不同类型 Dip 芯片引脚的功能和连接方式。

同时，我也认识到 Dip 在电子电路设计中的重要地位。

尽管在现代电子产品中，由于对小型化和高性能的追求，更先进的封装技术如SMD（表面贴装器件）等越来越普及，但 Dip 仍然在一些特定的应用场景中发挥着不可替代的作用。

例如在一些简单的电路原型设计、维修和教学实验中，Dip 因其易于操作和观察的特点而备受青睐。

在实际操作中，我也遇到了不少问题。

比如在焊接 Dip 芯片时，由于焊接技术不熟练，导致引脚短路或者虚焊的情况时有发生。

但正是通过不断地尝试和错误，我逐渐掌握了正确的焊接技巧，能够保证焊接质量，提高电路的稳定性。

另外，在选择 Dip 芯片时，也需要根据具体的电路需求来考虑其参数，如工作电压、工作频率、逻辑电平等等。

如果选择不当，可能会导致电路无法正常工作或者性能达不到预期。

这就要求我们在学习 Dip 的过程中，不仅要了解其封装形式和引脚功能，还要对相关的电子技术知识有深入的掌握。

电子元件集成电路IC的封装DIPQFPPGABGACSPCGALGAZIFSOPPFP

电子元件集成电路IC的封装
DIPQFPPGABGACSPCGALGAZIFSOPPFP
包括：
一、DIP(Dual In-line Package)
1.定义
DIP(Dual In-line Package)是集成电路的一种常用封装方式，它是
一种在宽度相等的两排端接，上下两面引出，用来外接线、芯片封装的多
引脚，多用于插针式的芯片封装。

2.优点
（1）DIP封装外观结构简单，在制作安装接口方面更为容易，它们
可以方便地通过插针的方式进行安装或拆卸，安装速度快，方便安装检查；
（2）DIP封装实物体积小，可以装入较小的外壳，容易地安放在电
路板上，对于垂直和水平的电路板都有较大的优势；
（3）DIP封装具有良好的电气特性和可靠性，外接引脚被锁住，芯
片的散热性能好；
（4）DIP封装有着更优越的继电器特性及价格优势，它们的原料成
本低廉，制成成本也不高，所以在价格上也得到很好的优势。

3.缺点
（1）DIP封装容易受到污染和尘埃，可能会造成封装的芯片的损坏；
（2）DIP封装一般的片上空间与非片上封装形式相比，更加紧凑，
但外形相对来说比较大，有时在设计小型产品时，这会成为一个不便；
（3）DIP封装在安装插针的时候，不具有人性化的设计，容易受到拉伤的影响；
（4）DIP封装有限的锡盘面积，使得提升处理性能受到限制，无法满足一些性能要求比较高的应用。

SMT、PCB、PCBA和DIP概念一文搞清楚

SMT、PCB、PCBA和DIP概念一文搞清楚
一、SMT是电子元器件的基础元件之一，称为表面组装技术（或是表面贴装技术），分为无引脚或短引线，是通过回流焊或浸焊加以焊接组装的电路装连技术，也是目前电子组装行业里最流行的一种技术和工艺。

特点：我们的基板，可用于电源供应，讯号传输、散热、提供结构的作用。

特性：能够承受固化和焊接的温度和时间。

平整度符合制造工艺的要求。

适合返修工作。

适合基板的制造工艺。

低介质数和高电阻。

我们的产品基板常用的材料为健康环保的环氧树脂和酚醛树脂，有较好的防燃特性，温度特性、机械和电介质性能及低成本。

以上说到的是刚性基板为固态化。

我们的产品还有柔性基板，有节省空间，折叠或转弯，移动的用途，采用非常薄的绝缘片制成，有良好的高频性能。

缺点为组装工艺较难，不适合微间距应用。

我认为基板的特性是细小的引线和间距，大的厚度和面积，较好的热性传导，较坚硬的机械特性，较好的稳定性。

我认为基板上的贴装技术是电气性能，有可靠性，标准件。

我们不仅有全自动一体化的运作，还有通过人工一层一层的审核，机审人工审的双重保障，产品的合格率高达百分之九十九点九八。

二、PCB是电子元器件中最重要的，没有之一。

通常把在绝缘材上，按预定设计，制成印制线路、印制元件或两者组合而成的导电图形称为印制电路。

而在绝缘基材上提供元器件之间电气连接的导电图形，称为印刷电路板（或是印制线路板），它是电子元器件的重要支撑体，能够承载元器件的载体。

我认为我们通常打开电脑键盘就能看到一张软性薄膜（挠性的绝缘基材），印上有银白色。

常用电子元器件的封装形式

常用电子元器件的封装形式1.DIP（直插式）封装：DIP封装是电子元器件的一种常见封装形式，其引脚以直插式连接到电路板上。

它的主要特点是易于手工焊接和更换，适用于大多数应用场景。

但是由于引脚间距相对较大，封装体积较大，无法满足小型化需求。

2.SOP（小外延封装）封装：SOP封装是一种较小的表面贴装封装，其引脚呈直线排列并焊接在电路板的表面上。

SOP封装具有容易自动化生产、体积小、引脚数量多等特点，适用于中等密度的电子元器件。

3.QFP（方形浸焊封装）封装：QFP封装是一种表面贴装封装，引脚排列呈方形形状，并通过焊点浸焊在电路板表面上。

QFP封装具有高密度、小尺寸、引脚数量多等特点，适用于高性能、小型化的电子设备。

4.BGA（球栅阵列）封装：BGA封装是一种高密度的表面贴装封装，引脚排列成网格状，并通过焊球连接到电路板的焊盘上。

BGA封装具有高密度、小尺寸、良好的散热性能等特点，适用于高性能计算机芯片、微处理器等。

5.SMD（表面贴装）封装：SMD封装是一种广泛应用于电子元器件的表面贴装封装。

其特点是体积小、重量轻、引脚密度高，适用于大规模自动化生产。

常见的SMD封装包括0805、1206、SOT-23等。

6.TO（金属外壳）封装：TO封装是一种金属外壳的电子元器件封装形式。

其主要特点是能够提供良好的散热性能和电磁屏蔽效果，适用于功率较大、需要散热的元器件。

7.COB（芯片上下接插封装）封装：COB封装是一种将芯片直接粘贴到电路板上，并通过金线进行引脚连接的封装形式。

COB封装具有体积小、重量轻、引脚数量多等特点，适用于小型化、高集成度的电子设备。

8.QFN（无引脚封装）封装：QFN封装是一种无引脚的表面贴装封装，引脚位于封装的底部。

QFN封装具有体积小、引脚密度高、良好的散热性能等特点，适用于小型、高性能的电子产品。

9.LCC（陶瓷外壳）封装：LCC封装是一种使用陶瓷材料制成的封装形式，具有较高的耐高温性和良好的散热性能。

dip概念和理解

dip概念和理解
DIP（Dependency Inversion Principle，依赖倒置原则）是SOLID原则中的一条，是面向对象设计中的一个重要原则之一。

它要求依赖关系的建立不应该依赖于具体的实现类，而是应该依赖于抽象接口或抽象类。

DIP的核心思想是将高层模块与低层模块的依赖关系转换为它
们共同依赖的抽象接口或抽象类，以达到解耦的目的。

它通过反转依赖关系，使得高层模块和低层模块都依赖于抽象，从而提高代码的可维护性、可扩展性和可测试性。

DIP的理解可以从以下几个方面来说明：
1. 依赖倒置：传统的依赖关系是高层模块依赖于低层模块，而DIP反转了依赖关系，将高层模块和低层模块都依赖于抽象。

这样做的好处是，高层模块的变动不会影响低层模块，低层模块的变动也不会影响高层模块。

2. 抽象接口与抽象类：DIP建议使用抽象接口或抽象类来定义
依赖关系，而不是具体的实现类。

这样做的好处是，可以满足开闭原则，只需通过修改具体实现类，而不需要修改依赖它们的高层模块。

3. 依赖注入：实现DIP的一种常见方式是使用依赖注入（Dependency Injection，DI）。

依赖注入是指将依赖关系通过
构造函数、参数、属性等方式注入到对象中，而不是在对象内部进行直接实例化。

这样可以使得对象依赖的具体实现可配置、
可替换，并且更容易进行单元测试。

总结起来，DIP是面向对象设计中的一种重要原则，它要求依赖关系的建立不应该依赖于具体的实现类，而是应该依赖于抽象。

通过实现DIP，可以提高代码的可维护性、可扩展性和可测试性。

最常见的DIP实现方式是依赖注入。

DIP电子元件

100*120电阻的识别电阻在电路中用“R”加数字表示，如：R1表示编号为1的电阻。

电阻在电路中的主要作用为：分流、限流、分压、偏置等。

电阻的色标位置和倍率关系如下表所示：颜色银色金色黑色棕色红色橙色黄色绿色蓝色紫色灰色白色有效数字/ / 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 倍率x0.01 x0.1 x100 x10 x102x103x104x105x106x107x108x109允许偏差（%）±10 ±5 / ±1 ±2 / / ±0.5 ±0.2 ±0.1 / /电容的识别电容在电路中一般用“C”加数字表示（如C13表示编号为13的电容）。

电容是由两片金属膜紧靠，中间用绝缘材料隔开而组成的元件。

电容的特性主要是隔直流通交流。

电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小，电容对交流信号的阻碍作用称为容抗，它与交流信号的频率和电容量有关。

容抗X C=1/2πfc (f表示交流信号的频率，C表示电容容量)常用电容的种类有电解电容（有极性）、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容（有极性）和涤纶电容等。

识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，分直标法、色标法和数标法3种。

电容的基本单位用法拉（F）表示，其它单位还有：毫法（mF）、微法（uF）、纳法（nF）、皮法（pF）。

其中：1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法容量大的电容其容量值在电容上直接标明，如10uF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示字母表示法：1m=1000uF 1P2=1.2PF 1n=1000PF数字表示法：一般用三位数字表示容量大小，前两位表示有效数字，第三位数字是倍率。

如：102表示10×102PF=1000PF；224表示22×104PF=0.22uF。

电容容量误差表：符号 F G J K L M允许误差±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20% 如：一瓷片电容为104J表示容量为0.1 uF、误差为±5%。

DIP -零件认识教材

DIP 零件認識DIP Component introductionDaniel KuoDIP Component list •電解電容(Electrolytic Capacitor) Polarity•陶瓷電容(Ceramics Capacitor)•電感(Inductor)•變壓器(Transformer) Polarity•電源插座(Power Jack)•開關(Switch)•蜂鳴器(Buzzer)•LED Polarity•排針(Pin Header)•排母(Female Header)•Box Header•Wafer connector•USB座(USB Jack)•天線插座(Antenna Jack)•RJ插座(RJ Socket)•震盪器(Crystal)•電池座(Battery Socket ) PolarityVoltage CapacitanceSupplier Polarity外觀標示(Outline): 廠牌容值,電壓值. (Supplier, Capacitance, Voltage)極性(Polarity): 白色(或金色)長條. (White or golden color bar)料號(P/N): 150-300-□□□□插件需注意零件底部平貼Component bottom must touch PCB closely) * 1F ＝1×106μF =10×109VoltageCapacitance外觀標示(Outline): 電壓值,電容值. (Remark the Voltage, Capacitance)外觀標示(Outline): 零件上方標示電感值極性(Polarity): 無. (No)料號(P/N): 160-200-□□□□R(or G). * 1H ＝1×103mH=10×106μH150 ---15×100μH , 4R7 ---4.7μHPolarity Supplier D/C•外觀標示(Outline): 零件上方標示廠牌,Date Code. (Supplier, Date Code)•極性(Polarity): 有. (Yes)•料號(P/N): 160-610-□□□□R(or G).Polar point電源插座(Power Jack)•外觀標示(Outline): 無. (No)•極性(Polarity): 無. (No)•料號(P/N): 220-300-□□□□R(or G).開關(Switch)•外觀標示(Outline): 無. (No)•極性(Polarity): 無. (No)•料號(P/N): 220-700-□□□□R(or G).蜂鳴器(Buzzer)•外觀標示(Outline):無. (No)•極性(Polarity): 無. (No)•料號(P/N): 240-200-□□□□R(or G).LED+Polar is +排針(Pin Header)•外觀標示(Outline): 無. (No)•極性(Polarity): 無, 但有插件方向性. (No, But note Direction)•料號(P/N): 220-110-□□□□R(or G).排母(Female Header)•外觀標示(Outline): 無. (No)•極性(Polarity): 無但有插件方向性. (No, But note Direction)•料號(P/N): 220-110-□□□□R(or G).Box Header•外觀標示(Outline): 無. (No)•極性(Polarity): 無但有插件方向性. (No, But note Direction)•料號(P/N): 220-110-□□□□R(or G).Wafer Connector•外觀標示(Outline): 無. (No)•極性(Polarity): 無但有插件方向性. (No, But note Direction)•料號(P/N): 220-110-□□□□R(or G).USB 插座(USB Jack)•外觀標示(Outline): 無. (No)•極性(Polarity): 無. (No)•料號(P/N): 220-110-□□□□R(or G).天線插座(Antenna Jack)•外觀標示(Outline): 無. (No)•極性(Polarity): 無. (No)•料號(P/N): 220-600-□□□□R(or G).RJ插座(RJ Socket)•外觀標示(Outline): 無. (No)•極性(Polarity): 無. (No)•料號(P/N): 220-100-□□□□R(or G).震盪器(Crystal)Value震盪器(Crystal) z PCB Location remark ---Y4電池座(Battery Socket )•外觀標示(Outline): 無. (No)•極性(Polarity): 有. (Yes)•料號(P/N): 220-900-□□□□R(or G).。

DIP培训教材电子元件识别

2﹒烙鐵功率與溫度的關系﹕
15W 280℃----400℃
20W 290℃----410℃ 25W 300℃----420℃ 30W 310℃----430℃ 40W 320℃----440℃ 50W 320℃----440℃ 60W 340℃----450℃
3、Patience is bitter, but its fruit is sweet. (Jean Jacques Rousseau , French thinker)忍耐是痛苦的，但它的果实是甜蜜的。08:305.26.202108:305.26.202108:3008:30:575.26.202108:305.26.2021
AJ則插臥式元件。
6﹒生產流程﹕
AI 領料臥式立式測試全檢
MI 領料插件手動錫爐切腳
全檢功能測試包裝
自動錫爐補焊
焊接工程
一﹑焊接工程的種類﹕焊接分為自動焊接和人工焊接兩種﹕
1﹒自動焊接DIP﹐又稱為波峰焊﹔ 2﹒人工焊接分為人工手動焊接和浸焊﹔ 3﹒人工手動焊接是一門集技巧﹐技術於一體的學問﹐
22×103PF=0.022UF
“J”表示誤差。
6﹒麥拉電容﹕(MC)
常用的麥拉電容其表示法如104J表示容量為 0.1UF﹐J為誤差﹐100V為耐壓值。
7﹒色環電容(臥式)電容﹕
材料一般為聚脂類﹐體積較小﹐數值與電阻讀法相似﹐但後面單們為PF。例如﹕ (1) 棕紅黃銀容量為0.12UF 誤差為﹕±10％ (2) 棕紅金容量為0.12UF 色環電容與色環電阻的區別﹕色環電容本體底色一般為淡黃色或紅色﹔中間部分又兩端略高﹐而色環電阻一般兩端隆起﹐中間部分略低。
3﹒電容的單位及換算公式﹕

dip电阻

dip电阻
Dip电阻是一种常见的电子元件，它的全称是“直插电阻”。

由于其外形呈长条形，两端有引脚，可以直接插入到电路板中进行使用，因此被称为直插电阻。

直插电阻通常由电阻体、绝缘体和引脚三部分组成。

电阻体的作用是阻碍电流的流动，产生电压降，从而实现电路中的电阻功能。

绝缘体的作用是将电阻体与引脚隔离，避免电流的短路或泄漏。

引脚则是将电阻接入电路中的接口，通常采用金属材料制成。

直插电阻的阻值范围广泛，常见的有1/4W、1/2W、1W等不同功率的电阻。

根据其阻值精度，可以分为精密电阻和普通电阻，其中精密电阻的阻值精度高，误差小，多用于高精度的电子测量和控制系统。

在电路设计中，直插电阻的应用非常广泛。

它可以用于信号的调整、电源的滤波、电机的启动与调速等多种场合。

选择合适的直插电阻对于保证电路的正常运行和稳定性至关重要。

总之，直插电阻作为一种常见的电子元件，在电路设计中具有广泛的应用。

了解其基本原理、参数和选用原则对于电子工程师来说是非常必要的。