半导体三极管及其基本电路试题及标准答案

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半导体三极管及其放大电路练习及答案

半导体三极管及其放大电路练习及答案

半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏,集电结正偏b 发射结反偏,集电结反偏c 发射结正偏,集电结反偏答案:c2.当晶体管工作于饱和状态时,其_________a 发射结正偏,集电结正偏b 发射结反偏,集电结反偏c 发射结正偏,集电结反偏答案:a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案:b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案:b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。

则该管的β为_____a 40b 50c 60答案:c6.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案:a7.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案:a8.温度升高,晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案:a9.温度升高,晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案:b10.对 PNP 型晶体管来说,当其工作于放大状态时,_________ 极的电位最低。

a 发射极b 基极c 集电极答案:c11.温度升高,晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案:b12.温度升高,晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案:a12.温度升高,晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案:c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案:a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时,下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案:c16.对于电压放大器来说,越小,电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案:b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ,则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案:b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ,则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案:c19在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案:b20在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,而输出波形则出现了底部被削平的现象,这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案:a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案:c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案:c25. 既能放大电压,也能放大电流的是 _________ 放大电路。

电子电工类--三极管及放大电路基础试题及答案

电子电工类--三极管及放大电路基础试题及答案

电子电工类--三极管及放大电路基础试题及答案一、单选题1.射极跟随器就是()A、共发射极放大电路B、共基极放大电路C、共集电极放大电路D、信号的输出是从发射极输出【正确答案】:C2.在共射基本电路中,当用直流电压表测得UCE^VCC时,有可能是因为()A、Rb开路B、Rb过小C、Rc开路D、Re过小【正确答案】:A3.对于基本共射放大电路,信号源内阻Rs增大时,输入电阻Ri()。

A、增大,B、减小,C、不变D、不能确定【正确答案】:C4.画三极管放大电路的直流通路时,应()A、将耦合电容、旁路电容、直流电源看成开路B、将耦合电容、旁路电容、直流电源看成短路C、将耦合电容、旁路电容看成开路D、将耦合电容、旁路电容看成短路【正确答案】:C5.三极管作为开关管使用时,其工作状态为A、饱和状态和截止状态B、饱和状态和放大状态C、截止状态和放大状态D、放大状态和击穿状态【正确答案】:A6.在基本放大电路中,输入电阻最大的放大电路是()A、共射放大电路B、共基放大电路C、共集放大电路D、共栅极放大电路【正确答案】:C7.以下关于输出电阻的叙述中,正确的是A、输出电阻越小,带负载能力就越强B、输出电阻越小,带负载能力就越弱C、输出电阻等于集电极电阻与负载并联的等效电阻D、输出电阻就是负载电阻【正确答案】:A8.为了使高阻输出的放大电路与低阻输入的放大负载很好地配合,可以在放大电路与负载之间插入()。

A、共射电路B、共集电路C、共基电路D、电容耦合【正确答案】:B9.多级放大器的输出电阻Ro就是()A、第一级输出电阻B、最后一级输出电阻C、每级输出电阻之和D、每级输出电阻之差【正确答案】:B10.共射基本放大电路基极偏置电阻,一般取值为()A、几欧至几十欧B、几十欧至几百欧C、几百欧至几千欧D、几十千欧至几百千欧Ik2k 10kJ 碍 VT. 7 HJVT,1一心I-12VA 、4kQ【正确答案】:D11. 如图所示,该两级放大电路的输出电阻是B 、1.3kQC 、3kQD 、1.5kQ【正确答案】:C12. 以下关于三极管的说法中,正确的是A 、三极管属于单极型器件B 、三极管内存在有三个PN 结C 、三极管的穿透电流随温度升高而增大D 、三极管的正向导通电压随温度升高而增大【正确答案】:C13.在共射放大电路中,输入交流信号vi与输出信号vo相位A、相反B、相同C、正半周时相同D、负半周时相反【正确答案】:A14.在固定偏置放大电路中,若偏置电阻Rb断开,则___。

三极管试题及答案

三极管试题及答案

三极管试题及答案一、选择题1. 三极管的三个主要极是发射极、基极和______。

A. 集电极B. 栅极C. 门极D. 源极答案:A2. 在NPN型三极管中,基极电流增加时,集电极电流的变化趋势是______。

A. 减少B. 增加C. 不变D. 先增加后减少答案:B3. 三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现对______电流的控制。

A. 基极B. 发射极C. 集电极D. 栅极答案:C二、填空题4. 三极管的工作原理是基于______效应。

答案:PN结5. 在三极管放大电路中,基极与发射极之间的电压称为______电压。

答案:正向偏置三、判断题6. 三极管可以工作在截止、饱和和放大三种状态。

()答案:正确7. 所有的三极管都可以用作开关。

()答案:错误四、简答题8. 简述三极管放大电路的基本工作原理。

答案:三极管放大电路的基本工作原理是利用三极管的电流放大作用,通过控制基极电流,实现对集电极电流的放大。

当基极电流增加时,由于基极与集电极之间的电流放大倍数(β值),集电极电流也会相应增加,从而达到放大信号的目的。

9. 什么是三极管的饱和状态?答案:三极管的饱和状态是指在三极管的集电极与发射极之间电压达到最大值,使得集电极电流达到最大,此时三极管的放大作用达到极限,无法进一步放大信号。

五、计算题10. 已知NPN型三极管的β值为100,基极电流为20μA,求集电极电流。

答案:根据三极管的电流放大公式IC = β * IB,集电极电流IC = 100 * 20μA = 2mA。

六、分析题11. 某三极管放大电路的基极电流为50μA,若要使集电极电流增加到5mA,需要调整基极电流到多少?答案:首先,根据三极管的电流放大公式IC = β * IB,可以求出基极电流IB = IC / β。

已知IC为5mA,β值未知,设β值为X,则有5mA = 50μA * X。

解得X = 100。

因此,基极电流需要增加到50μA * 100 = 5mA。

三极管复习题及答案

三极管复习题及答案

三极管复习题及答案三极管是电子技术中常用的一种器件,广泛应用于放大、开关和稳压等电路中。

它由三个掺杂不同材料的半导体区域组成,分别是基区、发射区和集电区。

三极管的工作原理是基于PN结的导电特性,通过控制基区的电流来控制发射区和集电区之间的电流。

在学习三极管的过程中,我们需要通过复习题来巩固所学的知识。

下面是一些常见的三极管复习题及其答案,希望对大家的学习有所帮助。

1. 什么是三极管的放大倍数?答:三极管的放大倍数是指集电极电流变化与基极电流变化之间的比值。

一般用β表示,也叫做电流放大倍数或直流放大倍数。

2. 三极管的三个区域分别是什么?答:三极管的三个区域分别是基区、发射区和集电区。

其中,基区位于发射区和集电区之间,发射区连接基区和集电区。

3. 三极管的工作原理是什么?答:三极管的工作原理是基于PN结的导电特性。

当基极电流为零时,三极管处于截止状态,没有集电极电流。

当基极电流大于零时,三极管处于饱和状态,有较大的集电极电流。

4. 什么是共射放大电路?答:共射放大电路是一种常见的三极管放大电路,也是最常用的一种。

在共射放大电路中,输入信号与基极之间串联,输出信号与集电极之间并联。

5. 三极管的工作状态有哪些?答:三极管的工作状态分为截止状态、饱和状态和放大状态。

截止状态下,三极管的集电极电流为零;饱和状态下,三极管的集电极电流较大;放大状态下,三极管的集电极电流受到基极电流的控制。

6. 三极管的常见应用有哪些?答:三极管在电子技术中有广泛的应用。

它可以用于放大电路、开关电路、振荡电路、稳压电路等。

例如,三极管可以用于放大音频信号,使得声音更加清晰;它还可以用于开关电路,控制其他器件的开关状态。

通过对这些复习题的学习,我们可以更好地理解和掌握三极管的工作原理和应用。

同时,我们也要多做一些实际的电路设计和调试,加深对三极管的理解。

当然,除了以上的复习题,还有很多其他的问题和知识点需要我们去学习和掌握。

半导体三极管及其放大电路练习及标准答案

半导体三极管及其放大电路练习及标准答案

半导体三极管及其放大电路一、选择题1.晶体管能够放大的外部条件是_________a 发射结正偏,集电结正偏b 发射结反偏,集电结反偏c 发射结正偏,集电结反偏答案:c2.当晶体管工作于饱和状态时,其_________a 发射结正偏,集电结正偏b 发射结反偏,集电结反偏c 发射结正偏,集电结反偏答案:a3.对于硅晶体管来说其死区电压约为_________a 0.1Vb 0.5Vc 0.7V答案:b4.锗晶体管的导通压降约|UBE|为_________a 0.1Vb 0.3Vc 0.5V答案:b5. 测得晶体管三个电极的静态电流分别为 0.06mA,3.66mA 和 3.6mA 。

则该管的β为_____a 40b 50c 60答案:c6.反向饱和电流越小,晶体管的稳定性能_________a 越好b 越差c 无变化答案:a7.与锗晶体管相比,硅晶体管的温度稳定性能_________a 高b 低c 一样答案:a8.温度升高,晶体管的电流放大系数 ________a 增大b 减小c 不变答案:a9.温度升高,晶体管的管压降|UBE|_________a 升高b 降低c 不变答案:b10.对 PNP 型晶体管来说,当其工作于放大状态时,_________ 极的电位最低。

a 发射极b 基极c 集电极答案:c11.温度升高,晶体管输入特性曲线_________a 右移b 左移c 不变答案:b12.温度升高,晶体管输出特性曲线_________a 上移b 下移c 不变答案:a12.温度升高,晶体管输出特性曲线间隔_________a 不变b 减小c 增大答案:c12.晶体管共射极电流放大系数β与集电极电流Ic的关系是_________a 两者无关b 有关c 无法判断答案:a15. 当晶体管的集电极电流Icm>Ic时,下列说法正确的是________a 晶体管一定被烧毁b 晶体管的PC=PCMc 晶体管的β一定减小答案:c16.对于电压放大器来说,越小,电路的带负载能力越强________a 输入电阻b 输出c 电压放大倍数答案:b17.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 -2V 、 -8V 、 -2.2V ,则该管为 _________a NPN 型锗管b PNP 型锗管c PNP 型硅管答案:b18.测得晶体管三个电极对地的电压分别为 2V 、 6V 、 -2.2V ,则该管 _________a 处于饱和状态b 放大状态c 截止状态d 已损坏答案:c19在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则输出与输入电压的相位_________a 同相b 反相c 相差 90 度答案:b20在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,而输出波形则出现了底部被削平的现象,这种失真是_________ 失真a 饱和b 截止c 饱和和截止答案:a21.引起上题放大电路输出波形失真的主要原因是______a 输入电阻太小b 静态工作点偏低c 静态工作点偏高答案:c23.利用微变等效电路可以计算晶体管放大电路的_______a 输出功率b 静态工作点c 交流参数答案:c25. 既能放大电压,也能放大电流的是 _________ 放大电路。

三极管试题及答案

三极管试题及答案

三极管试题及答案一、填空题1. 三极管是一种______控制型半导体器件,它由两个PN结组成,分为______极、______极和______极。

答案:电流;发射;基;集2. 三极管的放大作用是通过改变______极电流的大小来控制______极电流的大小。

答案:基;集3. 三极管的三种工作状态分别是______、______和______。

答案:放大区;饱和区;截止区4. 三极管的静态工作点设置在放大区的目的是为了保证三极管的______和______。

答案:稳定性;线性5. 三极管的截止频率是指三极管的放大倍数下降到1倍时的频率,它反映了三极管的______特性。

答案:高频二、选择题1. 三极管的电流放大系数β的物理意义是()。

A. 集电极电流与基极电流之比B. 发射极电流与基极电流之比C. 集电极电流与发射极电流之比D. 基极电流与集电极电流之比2. 在三极管放大电路中,若要使三极管工作在放大区,应满足的条件是()。

A. U_B > U_BEB. U_B < U_BEC. U_B = U_BED. U_B ≈ U_BE答案:A3. 三极管的饱和区是指()。

A. I_C = βI_BB. I_C = I_BC. I_C ≈ βI_BD. I_C ≈ I_B4. 三极管的截止区是指()。

A. I_C = βI_BB. I_C = I_BC. I_C ≈ βI_BD. I_C ≈ 0答案:D5. 三极管的截止频率是指()。

A. 三极管的放大倍数下降到1倍时的频率B. 三极管的放大倍数下降到0.707倍时的频率C. 三极管的放大倍数下降到0.5倍时的频率D. 三极管的放大倍数下降到0.1倍时的频率三、判断题1. 三极管的放大作用是通过改变集电极电流的大小来控制基极电流的大小。

( ×)2. 三极管的三种工作状态分别是放大区、饱和区和截止区。

(√ )3. 三极管的截止频率是指三极管的放大倍数下降到0.707倍时的频率。

《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷

《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷

《电子技术基础》第二章半导体三极管及其放大电路试卷一、单项选择题1.在三极管放大器中,三极管各极电位最高的是( )。

(2 分)A.NPN管的集电极B.PNP管的集电极C.NPN管的发射极D.PNP管的基极2.在一块正常放大的电路板上,测得三极管1、2、3脚对地电压分别为-10V、-10.3V、-14V,下列符合该三极管的有( )。

(2 分)A.PNP型三极管B.硅三极管C.1脚是发射极D.2脚是基极3.一般要求放大电路的( )。

(2 分)A.输入电阻大,输出电阻大B.输入电阻小,输出电阻大C.输入电阻大,输出电阻小D.输入电阻小,输出电阻小4.用万用表判别三极管的管脚时,应该( )。

(2 分)A.用R×1挡或R×10挡B.先判别出基极BC.先判别出发射极ED.不需判别是NPN还是PNP5.三极管按内部结构不同,可分为( )。

(2 分)A.NPN型B.PNP型C.硅管D.锗管6.一个三级放大器,工作时测得A u1=100,A u2= -50,A u3=1,则总的电压放大倍数是( )。

(2 分)A.51B.100C.-5000D.17.在单管共发射极放大电路中,其输出电压u o与输入电压u i( )。

(2 分)A.频率相同B.波形相似C.幅度相同D.相位相反8.有三只晶体三极管,除β和I CEO不同外,其他参数一样,用作放大器件时,应选用( )。

(2 分)A.β=50,I CEO=0.5 mAB.β=140,I CEO=2.5 mAC.β=10,I CEO=0.5 mA9.晶体三极管中电流固定不变的分配原则是:( )。

(2 分)A.B.C.10.在分压式偏置电路中,已知R B1=20kΩ,R B2=10 kΩ,R C=2 kΩ,R E=2kΩ,U CC=12V,β=50,R L=2kΩ。

设U BEQ=0,I CQ为( )。

(2 分)A.1mAB.2mAC.3mAD.4mA二、判断题11.( )功率放大电路的主要作用是向负载提供足够大的功率信号。

三极管试题及答案

三极管试题及答案

三极管试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 三极管的三个极分别是:A. 基极、发射极、集电极B. 基极、阴极、阳极C. 基极、发射极、阴极D. 基极、阳极、集电极答案:A2. NPN型三极管的基极电压相对于发射极电压:A. 必须高于B. 必须低于C. 可以相等D. 无要求答案:A3. 三极管放大作用的实质是:A. 电流放大B. 电压放大C. 功率放大D. 电阻放大答案:C4. 在三极管的三种工作状态中,放大状态的特点是:A. 基极电流变化引起集电极电流变化B. 基极电流变化引起发射极电流变化C. 基极电流变化引起基极电流变化D. 基极电流变化引起阳极电流变化答案:A5. 要使三极管工作在放大区,其基极电流与发射极电流的关系是:A. 基极电流大于发射极电流B. 基极电流小于发射极电流C. 基极电流等于发射极电流D. 基极电流与发射极电流无关答案:B6. 三极管的放大倍数β表示的是:A. 基极电流与集电极电流的比值B. 基极电流与发射极电流的比值C. 发射极电流与集电极电流的比值D. 集电极电流与基极电流的比值答案:D7. 三极管的饱和区是指:A. 基极电流很小,集电极电流很大B. 基极电流很大,集电极电流很小C. 基极电流很小,集电极电流很小D. 基极电流很大,集电极电流很大答案:D8. 为了减小三极管的热稳定性,可以采取的措施是:A. 增加基极电流B. 降低基极电流C. 增加集电极电流D. 降低集电极电流答案:B9. 三极管的截止状态是指:A. 基极电流为零B. 基极电流很大C. 集电极电流为零D. 集电极电流很大答案:A10. 三极管的开关特性是指:A. 三极管可以作为开关使用B. 三极管可以作为放大器使用C. 三极管可以作为整流器使用D. 三极管可以作为稳压器使用答案:A二、填空题(每题2分,共10分)1. 三极管的放大作用是通过______来实现的。

答案:基极电流控制集电极电流2. 在三极管的放大区,基极电流与集电极电流的比值称为______。

半导体三极管基础知识测试题

半导体三极管基础知识测试题

2020秋季电子技术基础第二次月考半导体三极管基础知识测试题(满分100分,时间:1.5小时)一、填空题(每空0.5分,共32分)1、三极管有两个PN结,即结和结;有三个电极,即极、极和极,分别用符号、、或、、表示。

2、半导体三极管有型和型,前者的图形符号是,后者的图形符号是。

3、某半导体三极管的(集电极与发射极之间的电压)UCE 不变,基极电流IB=30μA时,Ic=1.2 mA。

则发射极电流IE = mA.如果基极电流IB增大到50μA时, IC增加到2 mA,则发射极电流IE= mA,三极管的电流放大系数β= 。

4、三极管基极电流IB 的微小变化,将会引起集电极电流IC的较大变化,这说明三极管具有作用。

5、当UCE不变时,和之间的关系曲线称为三极管的输入特性。

6、硅三极管发射结的死区电压约为 V。

锗三极管的死区电压约为 V。

半导体三极管处在正常放大状态时,硅管的导通电压约为 V,锗管的约为 V。

7、三极管工作在放大状态时,其结必反偏,结必正偏。

集电极电流与基极电流的关系是,其中最大,最小。

由于IB的数值远远小于Ic,如忽略IB ,则Ic IE。

8、当三极管的发射结,集电结时,工作在放大区;发射结,集电结或时,工作在饱和区;发射结或,集电结时,工作在截止区。

9、半导体三极管放大的实质是。

10、三极管工作在饱和区时,IC决定于,而与无关,这时三极管(有,无)电流放大作用。

11、三极管的输出特性分为、放大、三个区。

工作在放大区时必须使三极管的结保持正向偏置,结保持反向偏置。

12、当温度升高时,三极管的β将,反向饱和电流ICEO,正向结压降UBE ,,三极管的输入特性曲线将。

13、半导体三极管的ICEO,是指极开路的情况下,电流。

14、三极管电流放大系数太小,电流放大作用;电流放大系数太大,会使三极管的性能。

15、工作在放大状态的三极管可作为器件;工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。

16、三极管的极限参数分别是、和、。

电气工程半导体三极管及其电路分析习题及解答

电气工程半导体三极管及其电路分析习题及解答

第二章 半导体三极管及其电路分析题1.2.1 有二个晶体管,一个β=200,I CEO =200µA ;另一个β=50,I CEO =10µA 其余参数大致相同。

你认为应选用哪个管子较稳定?解: 选β=50,I CEO =10μA 的管子较稳定。

题1.2.2 有甲、乙两个三极管一时辨认不出型号,但可从电路中测出它们的三个未知电极X 、Y 、Z 对地电压分别为:甲管V X =9V ,V Y =6V ,V Z =6.7V ;乙管V X =9V ,V Y =6V ,V Z =6.2V 。

试分析三个电极中,哪个是发射极、基极、集电极?它们分别是NPN 型还是PNP 型,是锗管还是硅管?解: 甲管为NPN 型硅管,其中X 为C 极,Y 为E 极,Z 为B 极;乙管为PNP 型锗管, 其中X 为C 极,Y 为E 极,Z 为B 极。

题1.2.3 共射电路如图题1.2.3所示。

现有下列各组参数:(1) V CC =15V ,R b =390k Ω,R c =3.1k Ω,β=100(2) V CC =18V ,R b =310k Ω,R c =4.7k Ω,β=100(3) V CC =12V ,R b =370k Ω,R c =3.9k Ω,β=80(4) V CC =6V ,R b =210k Ω,R c =3 k Ω,β=50判定电路中三极管T 的工作状态(放大、饱和、截止)。

图题1.2.3解: (1)工作在放大状态(工作在放大区)(2)工作在饱和状态(工作在饱和区)(3)工作在放大状态(工作在放大区)(4)工作在放大状态(工作在放大区)。

题1.2.4 从图题1.2.4所示各三极管电极上测得的对地电压数据中,分析各管的类型和电路中所处的工作状态。

(1) 是锗管还是硅管?(2) 是NPN 型还是PNP 型?(3) 是处于放大、截止或饱和状态中的哪一种?或是已经损坏?(指出哪个结已坏,是烧断还是短路?)[提示:注意在放大区,硅管V V V V E B BE 7.0≈-=,锗管V V BE 3.0≈,且E C CE V V V -=>0.7V ;而处于饱和区时,V V CE 7.0≤。

半导体二极管和三极管习题及答案

半导体二极管和三极管习题及答案

半导体二极管和三极管习题及答案一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的()价元素,形成N型半导体。

A.二B.三C.四D.五2、在P型半导体中,自由电子浓度()空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后,()。

A.自由电子增多,空穴数基本不变B.空穴数增多,自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多,且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由()构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN结加正向电压时,空间电荷区将()。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在()。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的β约为()。

A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是()器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流12、场效应管是()器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中,基极电阻Rb的作用是()。

A.限制基极电流,使晶体管工作在放大区,并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中,集电极电阻Rc的作用是()。

A.限制集电极电流的大小B.将输出电流的变化量转化为输出电压的变化量C.防止信号源被短路D.保护直流电压源EC15、基本共射放大电路中,输入正弦信号,现用示波器观察输出电压uo和晶体管集电极电压uc的波形,二者相位()。

电子技术——半导体三极管及其基本电路参考答案

电子技术——半导体三极管及其基本电路参考答案

第二章半导体三极管及其基本电路参考答案一、填空题1发射极,集电极,基,集电2、共基电路,共射电路,共集电路。

3、输入特性,输出特性4、I B,V BE5、合适的静态工作点,幅度适中6、截止,减小,增大7、输出电压,输入电压8、基极,集电极9、电压,电流10、发射,集电11、饱和,NPN12b,e,c ,NPN,硅13、发射结正偏、集电结反偏,I E=I C+I B14、增加,上移15、增大,减小16、电容,电源17、信号源,负载18、阻容耦合,直接耦合,变压器耦合。

19、第一级,输入级,差动放大电路20、阻容耦合,直接耦合,阻容耦合22、提高(增加),增加22、降低,降低23、直流,负,串联24、AF>1,φA+φF=2nπ(n=0,1,2,…)25、RC,LC26、振幅平衡、相位平衡27、放大器、反馈网络28、甲类,乙类,甲乙类29、PO输出功率,PD直流电源供给功率,η/效率,乙30、甲类,甲乙类,乙类,甲乙类二、选择题1、A2、B3、C4、C5、D6、D7、D8、A9、A10、C 11、B12、A13、D14、B15、C16、A17、B18、C19、C20、D21、A22、B23、B24、B25、B26、D27、C28、A29、B30、C31、A32、D33A30、D35、D36、A37、B38、D39、C40、D、A41、B42、C43、C44、C45、B46、B47、D48、D49、B50、B51、D52、B53、B54、C55、B56、C57、D58、C59、B60、D61、B62、A63、A64、B65、C66、B三、判断题1、错2、对3、错4、错5、错6、错7、错8、对9、错10、错11、错12、错13、错14、对15、错16、对17、错18、错19、对20、错21、错22、错23、错24、错25、错26、错27、错28、错29、错30、对31、错32、对33、错34、对35、对36、对37、对38、错39、错40、错41、错42、错43、对44、错45、对46、错47、错48、对49、错四、简答题1、(2-1,中)什么是静态工作点?静态工作点对放大电路有什么影响?答:放大电路在没有输入信号时所处的状态称为静态,又称直流状态。

第2章半导体三极管及基本放大电路(精)

第2章半导体三极管及基本放大电路(精)

第2章半导体三极管及基本放大电路1.温度升高时,晶体管的电流放大系数和反向饱和电流I CBO______,正向结压降V BE______;共射输入特性曲线将______,输出特性曲线将______,而且输出特性曲线之间的间隔将______。

A.变大,变小,左移,上移,增大B.变大,变大,右移,上移,增大C.变大,变小,左移,下移,增大D.变小,变大,右移,上移,增大2.现有八种半导体器件,其型号分别是3AX22,2CZ11,3DG6,2AP9,3DJ13,2CP10,3DD1,2CW11。

说明哪些是普通硅二极管,哪些是普通锗二极管,哪些是硅稳压管。

A.2AP9 二极管,2CZ11锗二极管,2AP9硅稳压管B.2AP9硅二极管,2CP10锗二极管,2CW11硅稳压管C.2CW11硅二极管,2AP9锗二极管,2CP10硅稳压管D.2CP10硅二极管,2AP9锗二极管,2CW11硅稳压管3.三极管的极限参数P CM=150mW,I CM=100mA,V(BR)CEO=30V,若其工作电压V CE=10V,则工作电流不得超过______mA;若V CE=1V,则工作电流不得超过______mA;若工作电流I C=1mA,则工作电压V CE不得超过______V。

A.15;100;150B.15;150;150C.15;150;30D.15;100;304.对双极型晶体管下列说法正确的是( )A.发射极和集电极可以调换使用,因为双极型晶体管发射极和集电极的结构对称B.发射极和集电极可以调换使用,因为双极型晶体管发射极和集电极的电流基本相同C.发射极和集电极不能调换使用,因为双极型晶体管发射极和集电极的结构不对称,发射极掺杂浓度比集电极高D.发射极和集电极不能调换使用,因为双极型晶体管发射极和集电极的结构不对称,发射极掺杂浓度比集电极低5.晶体管在输出特性曲线的饱和区工作时,其电流放大系数和在放大区工作时的关系是:A.饱和区的电流放大系数大于放大区工作时的电流放大系数B.饱和区的电流放大系数等于放大区工作时的电流放大系数C.饱和区的电流放大系数小于放大区工作时的电流放大系数D.饱和区的电流放大系数与放大区的电流放大系数的关系不能确定6.对于晶体基区的叙述下面正确是是。

03第三章、半导体三极管及放大电路_例题解析

03第三章、半导体三极管及放大电路_例题解析
例题解析
• 例1.电路如图所示,设半导体三极管的β=80,试分 析当开关K分别接通A、B、C三位置时,三级管各工 作在输出特性曲线的哪个区域,并求出相应的集电极 电流Ic。 解:(1)当开关K置A,在输入回路IB.Rb+VBE=Vcc,可得I B=Vcc/Rb=0.3mA 假设工作在放大区,则IC=β.IB=24mA,VCE=Vcc-IC.Re< 0.7V,故假设不成立,三级管工作在放大区。此时,VCE=VCES=0.3V, IC=Vcc/Re=3mA (2)当开关K置B,同样的方法可判断三级管工作在放大区,I C=β.IB=1.92mA (3)当开关K置C,三级管工作在截止状态,IC=0
• • • • •
(2)输入电阻Ri Ri=Vi/Ii=Rb1//[rbe+(1+β)(Re1//RL1) (3)输出电阻Ro Ro=Re2//[(rbe+Ro1)/(1+β)] 其中:Ro1为第一级放大电路的输出电阻, Ro1=Re1//[(rbe+(Rb1//Rs))/(1+β)]
• (3)rbe=200+(1+β)26mA/IEQ =857 AV=-β(RC//RL)/rbe=-155.6 (4)因为VEB=-vi+VCb1=-vi+VEB 从输出波形可以看出,输出波形对应vs正半周出现失 真,也即对应VEB减小部分出现失真,即为截止失真。 减小Rb,提高静态工作点,可消除此失真。
• •
பைடு நூலகம்
• 例2.某固定偏流放大电路中三极管的输出特性及交、直 流负载线如图所示,试求: (1)电源电压VCC、静态电流IB、IC和VCE。 (2)电阻Rb、Rc的值。 (3)输出电压的最大不失真幅度。 (4)要使该电路能不失真地放大,基极正弦电流的最 大幅度是多少?

半导体集成电路考试题目及参考答案

半导体集成电路考试题目及参考答案

第一部分考试试题第 0 章绪论1.什么叫半导体集成电路2.按照半导体集成电路的集成度来分,分为哪些类型,请同时写出它们对应的英文缩写3.按照器件类型分,半导体集成电路分为哪几类4.按电路功能或信号类型分,半导体集成电路分为哪几类5.什么是特征尺寸它对集成电路工艺有何影响6.名词解释:集成度、 wafer size 、die size 、摩尔定律第 1 章集成电路的基本制造工艺1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用2.在制作晶体管的时候,衬底材料电阻率的选取对器件有何影响。

3.简单叙述一下 pn结隔离的 NPN晶体管的光刻步骤4.简述硅栅 p阱 CMOS的光刻步骤5.以 p阱 CMOS工艺为基础的 BiCMOS的有哪些不足6.以 N阱 CMOS工艺为基础的 BiCMOS的有哪些优缺点并请提出改进方法。

7.请画出 NPN晶体管的版图,并且标注各层掺杂区域类型。

8.请画出 CMOS反相器的版图,并标注各层掺杂类型和输入输出端子。

第 2 章集成电路中的晶体管及其寄生效应1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略。

2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应3.什么是 MOS晶体管的有源寄生效应4.什么是 MOS晶体管的闩锁效应,其对晶体管有什么影响5.消除“ Latch-up ”效应的方法6.如何解决 MOS器件的场区寄生 MOSFET效应7.如何解决 MOS器件中的寄生双极晶体管效应第 3 章集成电路中的无源元件1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些2.集成电路中常用的电容有哪些。

3.为什么基区薄层电阻需要修正。

4.为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。

5.运用基区扩散电阻,设计一个方块电阻 200 欧,阻值为 1K的电阻,已知耗散功率为 20W/c ㎡ ,该电阻上的压降为 5V,设计此电阻。

第 4 章 TTL 电路1.名词解释电压传输特性开门/ 关门电平逻辑摆幅过渡区宽度输入短路电流输入漏电流静态功耗瞬态延迟时间瞬态存储时间瞬态上升时间瞬态下降时间瞬时导通时间2.分析四管标准 TTL 与非门(稳态时)各管的工作状态3.在四管标准与非门中,那个管子会对瞬态特性影响最大,并分析原因以及带来那些困难。

(带答案)2022年秋季学期电子技术基础10月月考试卷(半导体三极管)

(带答案)2022年秋季学期电子技术基础10月月考试卷(半导体三极管)

第1页 /共 3页密封线班级姓名第2页 /共 3页A. PNP 型三极管B. 硅三极管C.1脚是发射极D. 2脚是基极7.三极管的工作状态有三种,即( )。

A. 截止状态、饱和状态和开关状态 B. 饱和状态、导通状态和放大状态 C. 放大状态、截止状态和饱和状态D. 开路状态、开关状态和放大状态8. 下列三极管中,工作于饱和状态的是( )。

9. 满足I C =βI B 的关系时,三极管工作在( )区。

A.饱和 B. 放大 C.截止 D.击穿10.三极管的伏安特性是指它的( )。

A. 输入特性B.输出特性C.输入特性和输出特性D.正向特性11. 三极管的输出特性曲线是一簇曲线,每一条曲线都与( )对应。

A.I CB. U CEC.I BD. I E12. 在三极管的输出特性曲线中,当I B 减小时,它对应的输出特性曲线向( )平移。

A.下B.上C. 左D. 右 三、判断题(每题3分,共15分)1.纯净的半导体掺入微量的杂质后,导电能力会减弱。

( )2. PN 结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大。

( )3.三极管的输入特性曲线与二极管的正向特性曲线相似。

( )4.三极管有两个PN 结,因此它具有单向导电性。

( )5.三极管由两个PN 结组成,所以可以用两只二极管组合成三极管。

( )四、问答题(共14分)1.如图所示的各三极管对地电位数据分析各管分别处于何种工作状态。

(8分)2. 三极管的主要功能是什么?三极管放大的外部条件是什么?(6分)密封线姓名班级参考答案:一、填空题1.半导体2.正负负正3.单向导电导通截止4.0.75.0.56.击穿开路7.电光光电发光二极管8.发射集电基发射集电B E C bec9.NPNPNP 10. 1.23 2.05 40二、选择题1. C2. A3.A4. D5.D6. B7.C8. C9. B 10.C 11. C 12. A三、判断题1. ×2. √3.√4.×5. ×四、问答题1. 答:a) 放大b) 放大c) 饱和d)截止2. 答:三极管的主要功能是电流放大作用;三极管放大的外部条件是发射结正偏,集电结反偏。

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第二章半导体三极管及其基本电路一、填空题1、(2-1,中)当半导体三极管的正向偏置,反向偏置偏置时,三极管具有放大作用,即极电流能控制极电流。

2、(2-1,低)根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同,可将三极管放大电路分为,,三种。

3、(2-1,低)三极管的特性曲线主要有曲线和曲线两种。

4、(2-1,中)三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压V CE一定时,与之间的关系。

5、(2-1,低)为了使放大电路输出波形不失真,除需设置外,还需输入信号。

6、(2-1,中)为了保证不失真放大,放大电路必须设置静态工作点。

对NPN管组成的基本共射放大电路,如果静态工作点太低,将会产生失真,应调R B,使其,则I B,这样可克服失真。

7、(2-1,低)共发射极放大电路电压放大倍数是与的比值。

8、(2-1,低)三极管的电流放大原理是电流的微小变化控制电流的较大变化。

9、(2-1,低)共射组态既有放大作用,又有放大作用。

10、(2-1,中)共基组态中,三极管的基极为公共端,极为输入端,极为输出端。

11、(2-1,难)某三极管3个电极电位分别为V E=1V,V B=1.7V,V C=1.2V。

可判定该三极管是工作于区的型的三极管。

12、(2-1,难)已知一放大电路中某三极管的三个管脚电位分别为①3.5V,②2.8 V,③5V,试判断:a.①脚是,②脚是,③脚是(e, b,c);b.管型是(NPN,PNP);c.材料是(硅,锗)。

13、(2-1,中)晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是,电流分配关系是。

14、(2-1,低)温度升高对三极管各种参数的影响,最终将导致I C,静态工作点。

15、(2-1,低)一般情况下,晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而,发射结的导通压降V BE则随温度的增加而。

16、(2-1,低)画放大器交流通路时,和应作短路处理。

17、(2-2,低)在多级放大器里。

前级是后级的,后级是前级的。

18、(2-2,低)多级放大器中每两个单级放大器之间的连接称为耦合。

常用的耦合方式有:,,。

19、(2-2,中)输出端的零漂电压电压主要来自放大器静态电位的干扰变动,因此要抑制零漂,首先要抑制的零漂。

目前抑制零漂比较有效的方法是采用。

20、(2-2,中)在多级放大电路的耦合方式中,只能放大交流信号,不能放大直流信号的是放大电路,既能放大直流信号,又能放大交流信号的是放大电路,放大电路各级静态工作点是互不影响的。

22、(2-3,低)串联负反馈电路能够输入阻抗,电流负反馈能够使输出阻抗。

22、(2-4,低)放大电路中引入电压并联负反馈,可______输入电阻,_______输出电阻。

23、(2-4,中)在放大电路中,为了稳定静态工作点,宜引入________反馈;要展宽频、稳定增益,宜引入_______反馈;为了提高输入阻抗,宜引入_________反馈。

24、(2-4,难)正弦波振荡器的振幅起振条件是、相位起振条件是。

25、(2-4,难) 振荡器用来产生低频信号,而振荡器一般用来产生高频信号。

26、(2-4,低)要使电路产生稳定的振荡,必须满足和两个条件。

27、(2-4,低)正弦波振荡电路一般是由和组成,此外电路还应包含有选频网络和稳幅环节。

28、(2-5,低)常见的功率放大电路从功放管的工作状态分有___________,_______________,____________几种类型。

29、(2-5,难)功率放大器的性能指标主要有:,和;低频功率放大器主要有甲类、乙类和甲乙类等几种类型,最常用的是类功率放大器。

30、(2-5,中)甲类、乙类和甲乙类放大电路中,_______________电路导通角最大;_______________电路效率较高;_______________电路交越失真最大,为了消除交越失真而又有较高的效率一般电路_______________。

二、选择题1、(2-1,中)下列数据中,对NPN型三极管属于放大状态的是。

A、V BE>0,V BE<V CE时B、V BE<0,V BE<V CE时C、V BE>0,V BE>V CE时D、V BE<0,V BE>V CE时2、(2-1,中)工作在放大区域的某三极管,当I B从20μA增大到40μA时,I C从1mA变为2mA 则它的β值约为。

A、10B、50C、80D、1003、(2-1,低)NPN型和PNP型晶体管的区别是。

A、由两种不同的材料硅和锗制成的B、掺入的杂质元素不同C、P区和N区的位置不同D、管脚排列方式不同4、(2-1,难)三极管各极对公共端电位如图所示,则处于放大状态的硅三极管是A、B、C、D、5、(2-1,低)当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时,则晶体三极管的集电极电流将A、增大B、减少C、反向D、几乎为零6、(2-1,低)为了使三极管可靠地截止,电路必须满足A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结反偏,集电结正偏C、发射结和集电结都正偏D、发射结和集电结都反偏7、(2-1,中)检查放大电路中的晶体管在静态的工作状态(工作区),最简便的方法是测量A、I BQB、U BEC、I CQD、U CEQ8、(2-1,中)对放大电路中的三极管进行测量,各极对地电压分别为U B=2.7V,U E=2V,U C=6V,则该管工作在。

A、放大区B、饱和区C、截止区D、无法确定9、(2-1,低)某单管共射放大电路在处于放大状态时,三个电极A、B、C对地的电位分别是U A=2.3V,U B=3V,U C=0V,则此三极管一定是A、PNP硅管B、NPN硅管C、PNP锗管D、NPN锗管10、(2-1,难)电路如图所示,该管工作在。

A、放大区B、饱和区C、截止区D、无法确定11、(2-1,中)测得三极管I B=30μA时,I C = 2.4mA ;I B=40μA时,I C = 1mA,则该管的交流电流放大系数为。

A、80B、60C、75D、10012、(2-1,中)当温度升高时,半导体三极管的β、穿透电流、U BE的变化为A、大,大,基本不变B、小,小,基本不变C、大,小,大D、小,大,大13、(2-1,低)三极管的I CEO大,说明该三极管的。

A、工作电流大B、击穿电压高C、寿命长D、热稳定性差14、(2-1,低)用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V,V2=6V,V3=2.7V,则。

A、1为e 2为b 3为cB、1为e 3为b 2为cC、2为e 1为b 3为cD、3为e 1为b 2为c15、(2-1,低)晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示,其中每一条曲线对应一个特定的。

A、i CB、u CEC、i BD、i E16、(2-1,低)某晶体管的发射极电流等于1 mA,基极电流等于20μA,则它的集电极电流等于A、0.98 mAB、1.02 mAC、0.8 mAD、1.2 Ma17、(2-1,中)下列各种基本放大器中可作为电流跟随器的是。

A、共射接法B、共基接法C、共集接法D、任何接法18、(2-1,中)下图所示为三极管的输出特性。

该管在U CE=6V,I C=3 mA处电流放大倍数β为。

A、60B、80C、100D、10U CE/V19、(2-1,低)放大电路的三种组态。

A、都有电压放大作用B、都有电流放大作用C、都有功率放大作用D、只有共射极电路有功率放大作用20、(2-1,中)三极管参数为P CM=800 mW,I CM=100 mA,U BR(CEO)=30 V,在下列几种情况中,属于正常工作。

A、U CE =15 V,I C =150 mAB、U CE =20 V,I C =80 mAC、U CE =35 V,I C =100 mAD、U CE =10 V,I C =50 mA21、(2-1,低)晶体管构成的三种放大电路中,没有电压放大作用但有电流放大作用的是A、共集电极接法B、共基极接法C、共发射极接法D、以上都不是22、(2-1,中)三极管各个极的电位如下,处于放大状态的三极管是。

A、V B = 0.7 V,V E = 0 V,V C = 0.3 VB、V B = - 6.7 V,V E = - 7.4 V,V C = - 4 VC、V B = -3 V,V E = 0 V,V C = 6 VD、V B = 2.7 V,V E = 2 V,V C = 2 V23、(2-1,中)在单管共射固定式偏置放大电路中,为了使工作于截止状态的晶体三极管进入放大状态,可采用的办法是A、增大RcB、减小RbC、减小RcD、增大Rb24、(2-1,难)晶体管放大电路如图所示。

若要减小该电路的静态基极电流I BQ,应使A、Rb减小B、Rb增大C、Rc减小D、Rc增大25、(2-1,难)如图为某放大电路的输入波形与输出波形的对应关系,则该电路发生的失真和解决办法是A、截止失真,静态工作点下移B、饱和失真,静态工作点下移C、截止失真,静态工作点上移D、饱和失真,静态工作点上移26、(2-1,低)放大电路中,微变等效电路分析法。

A、能分析静态,也能分析动态B、只能分析静态C、只能分析动态D、只能分析动态小信号27、(2-1,低)温度影响了放大电路中的,从而使静态工作点不稳定。

A、电阻B、电容C、三极管D、电源28、(2-1,难)电路如下图所示,其输出波形发生了失真。

A、饱和B、截止C、交越D、线性29、(2-2,低)某放大器由三级组成,已知每级电压放大倍数为KV,则总放大倍数为。

A、3KVB、(KV)3C、(KV)3/3D、KV30、(2-2,低)在多级放大电路中,经常采用功率放大电路作为。

A、输入级B、中间级C、输出级D、输入级和输出级31、(2-2,低)一个三级放大器,各级放大电路的输入阻抗分别为Ri1=1MΩ,Ri2=100KΩ,Ri3=200KΩ,则此多级放大电路的输入阻抗为。

A、1MΩB、100KΩC、200KΩD、1.3KΩ32、(2-2,低)放大器的基本性能是放大信号的能力,这里的信号指的是。

A、电压B、电流C、电阻D、功率33、(2-2,低)在放大交流信号的多级放大器中,放大级之间主要采用哪两种方法。

A、阻容耦合和变压器耦合B、阻容耦合和直接耦合C、变压器耦合和直接耦合D、以上都不是30、(2-2,低)为了放大变化缓慢的微弱信号,放大电路应采用的耦合方式是。

A、光电B、变压器C、阻容D、直接35、(2-2,中)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是。

A、电阻阻值有误差B、晶体管参数的分散性C、晶体管参数不匹配D、电源电压不稳定36、(2-2,低)选用差分放大电路的原因是。

A、克服温漂B、提高输入电阻C、稳定放大倍数D、提高放大倍数37、(2-2,中)差动放大器抑制零点漂移的效果取决于。

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