电力电子习题集
电力电子习题
1.在直流升压斩波电路中，已知电源电压U d=12V，导通比K t=1／3，则负载电压U o=( )A.4VB.18VC.36VD.48V2.三相全控桥式整流电路中，晶闸管触发电路包括同步信号发生器、脉冲整形、功率驱动和( )A.驱动电路B.逆变电路C.移相控制电路D.整流电路3.功率晶体管的安全工作区由( )A.2条曲线限定B.3条曲线限定C.4条曲线限定D.5条曲线限定4.三相全控桥式整流电路，共阳极组晶闸管触发脉冲间隔依次互差( )A.60°B.90°C.120°D.180°5.单相全控桥式整流电路，设变压器二次侧电压有效值为U2，则晶闸管承受最大反向电压为( )2B.U2226.在单相半控桥式无续流二极管带阻感性负载整流电路中，晶闸管的移相范围是( )A.0°～90°B.0°～120°C.0°～180°D.90°～180°7.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( )A.大功率三极管B.逆阻型晶闸管C.双向晶闸管D.可关断晶闸管8.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( )A.一次击穿B.反向截止C.临界饱和D.二次击穿9.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )A.导通状态B.不定C.饱和状态D.关断状态10.下面给出的四个电力半导体器件中，哪个是全控型电力半导体器件( )A.二极管B.晶闸管C.功率晶体管D.逆导晶闸管11.斩波电路的控制方式一般有时间比控制方式、瞬时值控制方式和_________。
12.反向重复峰值电压U RRM等于反向不重复峰值电压U RSM的_________。
113.将交流电能转换成直流电能的变流器称为_________。
14.三相半波可控整流电路带电阻性负载时，晶闸管承受的最大反向电压为_________，设变压器二次相电压有效值为U2。
2023电力电子习题
习题3.101.电力电子器件一般工作在开关状态，通常情况下，电力电子器件功率损耗为当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。
2.二极管英文名字缩写（TVS），二极管电气符号为。
3.电力二极管主要类型：、、。
3.131.晶闸管英文名字缩写为：。
2.同一晶闸管维持电流I H与掣住电流I l在数值大小上有I l I H。
3.晶闸管基本工作特性的概括为正向触发刚导通，反向截止。
3.201.晶闸管：。
门极自关断晶闸管：。
电力晶闸管。
2.GTO的多元集成，多元集成，多元的功率集成结构是为了便于实现萌及控制关断而设计。
3.功率晶体管GTR从高压小电流向低电压大电流跃变现象：。
4.GTR共发射极接法时输出特性中的三个区域：，，。
5.GTR电气符号中：b是极。
c是极。
e是极。
3.271.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR的共发射极接法时输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者截至区对应后者，前者饱和区对应后者，前者非饱和区对应后者。
2.电力MOSFET的电气符号中，G是极，D 极，S 极。
3.电力MOSFET通态电阻具有温度系数。
4.晶闸管；门级的关断晶闸管：；电力晶体管：；绝缘栅双型晶体管：。
电力场效应管晶体管。
4.31.在如下电力电子器件中SCR，GTO，IGBT，MOSFET中，按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电情况，属于双极型器件是；属于单极型器件；属于复合型器件的是；属于电压驱动的是；电流驱动型全控器件。
2.晶闸管的电气图形符号：。
3.门级的关断晶闸管电气图形符：。
4.电气晶体管电气图形符号：。
5.电力场效应晶体管电器图形符号：。
6.绝缘栅双极型晶体管电气图形符号：。
7.如图中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，电流最大值为I m，试计算波形的电流平均值I d与电流有效值I L，如果考虑安全裕量为a。
应选择额定电流为多大的晶闸管?4.71.单项桥式全控整流电路，带电阻负载时，其a角的移相范围：带阻感负载时，a角的移相范围：。
电力电子技术习题库(附答案)
电力电子技术习题库（附答案）一、单选题（共25题，每题1分，共25分）1.三相桥式全控整流电路，大电感负载，当α＝（）时整流平均电压Ud=0。
A、60度B、30度C、90度D、120度正确答案：C2.1957年美国通用电气（GE）公司研制出第一只（），它标志着电力电子技术的诞生。
A、电子管B、晶闸管C、MOSFETD、IGBT正确答案：B3.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成（）A、可关断晶闸管B、双向晶闸管C、逆阻型晶闸管D、大功率三极管正确答案：C4.IGBT是一个复合型的器件，它是（）A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO正确答案：B5.晶闸管的伏安特性是指()A、门极电压与门极电流的关系B、阳极电压与阳极电流的关系C、门极电压与阳极电流的关系D、阳极电压与门极电流的关系正确答案：B6.单相全控桥式整流电路大电感性负载中，控制角的最大移相范围是（）A、180°B、120°C、90°D、150°正确答案：C7.三相半波可控整流电路的自然换相点是（）A、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°B、本相相电压与相邻电压正半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°D、交流相电压的过零点正确答案：B8.逆变电路是一种（）变换电路。
A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC正确答案：B9.采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为()。
A、增大输出幅值B、减小输出谐波C、减小输出幅值D、减小输出功率正确答案：B10.三相全波可控整流电路电阻性负载中，控制角的最大移相范围是（）。
A、90°B、120°C、150°D、180°正确答案：B11.目前，在中小型变频器中普遍采用的电力电子器件是（）。
电力电子技术习题
一、填空题1、晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是：______极、______极和______极。
2、晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，故晶闸管为____ 器件。
能保持晶闸管导通的最小电流称为______。
3、逆变电路的负载如果接到电源，则称为____ __逆变，如果接到负载，则称为______ 逆变。
4、在GTR 和IGBT 两种自关断器件中，属于电压驱动的器件是______，属于电流驱动的器件是______。
5、电力电子电路中为了实现主电路与控制电路的隔离，常采用的隔离方法有_________隔离和_________隔离。
6、为了使电力晶体管安全、可靠地运行，驱动电路和主电路应该实行_________。
7、把交流电能转换成直流电能称整流，把一种直流电能转换成另一种直流电能称_________，而把直流电能转换成交流电能称_________。
8、可关断晶闸管（GTO ）的电流关断增益βoff 的定义式为βoff=___________，其值越______越好。
9、单相半波可控整流电路中，控制角α的最大移相范围是__________。
10、在GTR 、GTO 、IGBT 与MOSFET 中，开关速度最快的是_________，单管输出功率最大的是_____________，应用最为广泛的是___________。
晶闸管对触发脉冲的要求是 、 和 。
（要有足够的驱动功率、触发脉冲前沿要陡幅值要高、触发脉冲要与晶闸管阳极电压同步。
） 1、请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 ；可关断晶闸管 ；功率场效应晶体管 ；绝缘栅双极型晶体管 ；IGBT 是 和 的复合管。
（GTR 、GTO 、MOSFET 、IGBT 、MOSFET 、GTR 。
）5、型号为KS100-8的元件表示 晶闸管、它的额定电压为 伏、额定有效电流为 安。
6、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_ 上的元件之间进行的。
电力电子技术题库及答案整理版
电力电子技术题库及答案整理版《电力电子技术》习题&答案一、填空题(每空1分，共５０分)1、对同一晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL__大于__IH。
2、功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是______智能功率集成电路_________。
3、晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为，UDSM__小于__UBO。
4、电阻负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于_UFm为相电压有效值。
5、三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差__________120°_______。
6、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值_______下降______。
7、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_____________静态均压________________措施。
8、三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有___Y形和△形___二种方式。
9、抑制过电压的方法之一是用_____储能元件_______吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10、180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___同一相_的上、下二个开关元件之间进行。
11、改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变_________________输出电压基波________的幅值。
12、为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是___________(一个)较大的负电流__________。
13、恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是_________减小存储时间________________。
14、功率晶体管缓冲保护电路中二极管要求采用___快速恢复__型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
15、晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为：_____________________维持电流_______________________。
电力电子技术 第4章 习题集答案
U o max
此时负载电流最大，为
1 ( 2U 1 sin t ) 2 dt U 1 0
Po max I
功率因数为：
2 o max
220 R 37.532( KW ) R37532 0.6227 U 1 I O 220 273.98
实际上，此时的功率因数也就是负载阻抗角的余弦，即
cos 0 .6227
60 .54
同理，输出功率为最大输出功率的 50%时，有：
U o 0.5U 1
又由
U O U1
解得：
sin 2 2
90
2、一单相交流调压器，电源为工频 220V ，阻感串联作为负载，其中 R=0.5 ΩL=2mH, 试求①开通角α的变化范围；②负载电流的最大有效值；③最大输出功率及此时电源侧的功 率因数；④当α=
时，晶闸管电流有效值，晶闸管导通角和电源侧功率因数。 2
解：①负载阻抗角为：
arctan(
l 2 50 2 10 3 ) arctan( ) 0.89864 51.49 R 0.5
开通角α的变化范围为： 即： 0.89864 ③当 时，输出电压最大，负载电流也为最大，此时输出功率最大，为
6、TCR 采用哪种三相交流调压电路（ C ） A、星型联结 B、线路控制三角型联结 C、支路控制三角形联结 D、中点控制三角形联结
2 0.803
电力电子技术习题及答案 第1章
8、试说明 IGBT 、GTR、GTO 和电力 MOSFET 各自的优缺点。 解：对 IGBT 、GTR 、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表： 器件 IGBT 优 点 缺 点 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流 开 关 速 度 低 于 电 力 冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高， MOSFET ，电压，电流容 为电压驱动，驱动功率小 量不及 GTO 开关速度低，为电流驱动， 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强 ， 所需驱动功率大，驱动电 饱和压降低 路复杂，存在二次击穿问 题 电流关断增益很小，关断 时门及负脉冲电流大，开 关速度 低， 驱动 功率 大， 驱动电路复杂，开关频率 低 电流容量小，耐压低，一 般中 适 用 于 功 率 不 超 过 10kw 的电力电子装置
过流
二、判断题 1、“电力电子技术”的特点之一是以小信息输入驱动控制大功率输出。 （ √ ） 2、某晶闸管，若其断态重复峰值电压为 500V ，反向重复峰值电压为 700V ，则该晶闸管的 额定电压是 700V 。 （ × ） 3、晶闸管导通后，流过晶闸管的电流大小由管子本身电特性决定。 （ × ） 4、尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可以作为晶闸管的门极控制信号。 （ √ ） 5、 在晶闸管的电流上升至其维护电流后， 去掉门极触发信号， 晶闸管级能维护导通。 （×
） ）
1、图中阴影部分晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为 Im，试计算各 波形的电流平均值 Id1、Id2、Id3 与电流有效值 I1、I2、I3 。
解：a ） I d1
1 2
m 4
I sin td (t )
1m 2 ( 1) 0.2717I m 2 2
2 220 311.13V ；取晶闸管的安全裕量为 2 ，则晶闸管额定电压不低于 2× 311.13 ≈
电力电子技术试题（一）
电⼒电⼦技术试题（⼀）电⼒电⼦技术试题（⼀）第1章绪论习题第1部分:填空题1. 电⼒电⼦技术是使⽤________器件对电能进⾏________的技术。
2. 电能变换的含义是在输⼊与输出之间，将________、________、________、________、________中的⼀项以上加以改变。
3. 电⼒变换的四⼤类型是:________、________、________、________。
4. 在功率变换电路中，为了尽量提⾼电能变换的效率，所以器件只能⼯作在________状态，这样才能降低________。
5. 电⼒电⼦器件按照其控制通断的能⼒可分为三类，即: ________、________、________。
6. 电⼒电⼦技术的研究内容包括两⼤分⽀:________________ 技术和________技术。
7.半导体变流技术包括⽤电⼒电⼦器件构成_____________电路和对其进⾏控制的技术，以及构成________装置和________系统的技术。
8.电⼒电⼦技术是应⽤在________领域的电⼦技术。
9.电⼒电⼦技术是⼀门由________、________、________三个学科交叉形成的新的边缘技术学科。
第2部分:简答题1. 什么是电⼒电⼦技术,2. 电能变换电路的有什么特点,机械式开关为什么不适于做电能变换电路中的开关,3. 电⼒变换电路包括哪⼏⼤类,第2章电⼒电⼦器件概述习题第1部分:填空题1. 电⼒电⼦器件是直接⽤于电路中，实现电能的变换或控制的电⼦器件。
2. 主电路是在电⽓设备或电⼒系统中，直接承担的电路。
3.处理信息的电⼦器件⼀般⼯作于放⼤状态，⽽电⼒电⼦器件⼀般⼯作在状态。
4. 电⼒电⼦器件组成的系统，⼀般由、、、四部分组成。
5. 按照器件能够被控制的程度，电⼒电⼦器件可分为以下三类: 、和。
6(按照驱动电路信号的性质，电⼒电⼦器件可分为以下分为两类:和。
哈工大学电力电子习题集3
文件: 电力电子技术16.11
电力电子技术
直流－直流变换器(8)
第3章 习题（2）
第2部分：简答题 5. 桥式可逆斩波电路如题图3－4所示， 电机为正向电动状态。
题图3－4 当电机处于低速轻载运行状态（即负载 电流较小且正负交变），完成下题： （1）采用双极型控制方式时，画出V1 ～V4驱动信号的波形，负载上电压和电流 的波形；并在此基础上结合电流波形说明 在一个周期内的不同区段上负载电流的路 径以及在该区段内电机的工作状态。
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电力电子技术16.19
电力电子技术
直流－直流变换器(8)
第3章 习题（3）
第2部分：简答题 1. 画出隔离型Buck变换器的电路结构并简述其工作原理。（略） 2. 隔离型Buck变换器在正常工作时为什么要设定最大占空比？ 解：为了防止变压器磁通饱和。 3. 画出隔离型Buck-Boost变换器的电路结构并简述其工作原理。（略） 4. 为什么反激式变换器不能在空载下工作？ 答：在负载为零的极端情况下，由于T导通时储存在变压器电感中的磁能 无处消耗，故输出电压将越来越高，损坏电路元件，所以反激式变换器不 能在空载下工作。
电力电子技术
第16讲
3 直流－直流变换器（8）
直流－直流变换器(8)
本讲是的习题课，讲解第3章所布置的习题。
第3章 习题（1）
第1部分：填空题 1.直流斩波电路完成的是直流到另一固定电压或可调电压的直流电的变换。 2.直流斩波电路中最基本的两种电路是降压斩波电路和升压斩波 电路。 3.斩波电路有三种控制方式：脉冲宽度调制、脉冲频率调制和混合型。 ，其中最常用的控制方式是：脉冲宽度调制。 4.脉冲宽度调制的方法是： 周期 不变，导通 时间变化，即通过导通占空比 的改变来改变变压比，控制输出电压。 5.脉冲频率调制的方法是:导通时间不变，周期变化，导通比也能发生变化 ，从而达到改变输出电压的目的。该方法的缺点是：导通占空比的变化范围 有限。输出电压、输出电流中的谐波频率不固定，不利于滤波器的设计 。 6.降压斩波电路中通常串接较大电感，其目的是使负载电流 连续 。 7.升压斩波电路使电压升高的原因：电感L储能使电压泵升，电容C可将输出 电压保持住 。 8.升压斩波电路的典型应用有直流电动机传动和单相功率因数校正等。 9.升降压斩波电路和Cuk斩波电路呈现升压状态的条件是开关器件的导通占 空比为1/2<α <1；呈现降压状态的条件是开关器件的导通占空比为0<α <1/2。
哈工大学电力电子习题集6.7.8
U0 =
20 1 Ui = × 220 = 127V 20 + 40 3
U 0 2 127 2 P0 = = = 3226W R 5
（3）
λ = cos ϕ1 = 1
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电力电子技术47.9
电力章 习题（2）
第1部分：填空题 1.把电网频率的交流电直接变换成可调频率的交流电的变流电路称为交 交变频电路 。 2.单相交交变频电路带阻感负载时，哪组变流电路工作是由输出电流方 向决定的，交流电路工作在整流还是逆变状态是根据输出电压与电流的方 向是否相同决定的。 3.当采用6脉波三相桥式电路且电网频率为50Hz时，单相交交变频电路 的输出上限频率约为20Hz 。 4.三相交交变频电路主要有两种接线方式，即公共交流母线进线方式和 输出星形联接方式 ，其中主要用于中等容量的交流调速系统是公共交流母 线进线方式 。 5.矩阵式变频电路是近年来出现的一种新颖的变频电路。它采用的开关 器件是全控型器件；控制方式是斩控方式 。
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电力电子技术47.10
电力电子技术
组合变流电路 (3)
第6章 习题（2）
第2部分：简答题 1.画出单相交交变频电路的基本原理图并分析其基本工作原理。（略） 2.交交变频电路的主要特点和不足是什么？其主要用途是什么？ 答: 交交变频电路的优点是：只用一次变流，效率较高；可方便地实 观四象限工作：低频输出波形接近正弦波。 缺点是：接线复杂，受电网频率和变流电路脉波数的限制输出频率较 低；输入功率因数较低；输入电流谐彼含量大，频谱复杂。 交交变频电路主要用于500kw或 1000kw以上的大功率、低转速的交流 调速电路中。 3.单相交交变频电路和直流电动机传动用的反并联可控整流电路有什么不 同？ 答：电路结构相同，但工作方式不同： 单相交交变频电路是交流输出，为此两组桥在交流输出的每个周期内都要 切换，且控制角要不断变化，使输出电压按照正弦规律变化。 反并联可控整流电路是直流输出，稳态时控制角不变，只有在电机运行状 态变化时，两组桥才进行切换。
电力电子技术练习题库与参考答案
电力电子技术练习题库与参考答案一、单选题（共30题，每题1分，共30分）1、直接耦合式强迫换流是给晶闸管加上反向电压而使其关断，因此又叫（）。
A、电流换流B、器件换流C、电压换流D、负载换流正确答案：C2、PWM控制技术在( )电路中的应用最为广泛。
A、逆变B、整流C、变频D、斩波正确答案：A3、单相全桥电压型逆变电路阻感负载，需要（）个续流二极管。
A、2B、4C、1D、3正确答案：B4、逆变电路根据交流输出侧接的对象，可分为（）。
A、单相逆变电路和三相逆变电路B、电压型逆变电路和电流型逆变电路C、有源逆变电路和无源逆变电路D、电容式逆变电路和电感式逆变电路正确答案：C5、单相全控桥式整流电路最多需要（）个晶闸管。
A、2B、3C、1D、4正确答案：D6、采用调制法得到PWM波形，把希望输出的波形作为（）。
A、正玄波B、载波C、调制信号D、锯齿波正确答案：C7、绝缘栅双极晶体管IGBT是一种复合型器件，它是由（）复合而成的。
A、GTR和MOSFETB、GTR和GTOC、GTO和MOSFETD、SCR和MOSFET正确答案：A8、所谓电力电子技术就是应用于电力领域的（）技术。
A、变换B、电子C、控制D、交流正确答案：B9、单相桥式可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )。
A、0º-150°B、0º-90°C、0º-120°D、0º-180°正确答案：D10、斩波电路控制方式中，ton和T都可调，改变占空比，称为（）。
A、频率调制B、PWMC、相位控制D、混合型正确答案：D11、得到PWM波形的方法有（）。
A、计算法和调制法B、计算法和画图法C、调制法和画图法D、计算法和理论法正确答案：A12、逆变电路根据直流侧电源性质的不同，可分为（）。
A、电压型逆变电路和电流型逆变电路B、单相逆变电路和三相逆变电路C、电容式逆变电路和电感式逆变电路D、有源逆变电路和无源逆变电路正确答案：A13、斩波电路控制方式中，ton不变，改变T，称为（）。
电力电子技术_习题集(含答案)
《电力电子技术》课程习题集一、单选题1.晶闸管内部有（）PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个2.电力二极管内部有（）个PN结。
A、一个B、二个C、三个D、四个3.双向晶闸管是用于交流电路中的，其外部有（）电极。
A、一个B、两个C、三个D、四个4.比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR5.下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（）A、GTRB、MOSFETC、IGBTD、SR6.比较而言，下列半导体器件中开关速度最慢的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、IGBT7.下列半导体器件中属于电压型控制器件的是（）。
A、GTOB、GTRC、MOSFETD、SR8.压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护9.晶闸管两端并联一个RC电路的作用是（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护10.普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（）来表示的。
A、有效值B、最大值C、平均值D、最小值11.晶闸管在电路中的门极正向偏压（）愈好。
A、愈大B、愈小C、不变D、为零12.快速熔断器在晶闸管整流电路中主要是用来作（）。
A、分流B、降压C、过电压保护D、过电流保护13.当晶闸管的额定电压小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相( )。
A、串联B、并联C、串并联14.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( )。
A、导通状态B、关断状态C、饱和状态D、不定15.当晶闸管的额定电流小于实际要求时，可以用两个以上同型号的器件相 ( )。
A、串联B、并联C、串并联16.晶闸管整流电路中直流电动机应该属于（）负载。
A、电阻性B、电感性C、反电动势D、不定17.晶闸管可控整流电路中的控制角α减小，则输出的电压平均值会（）。
A、不变B、增大C、减小D、不定18.三相可控整流与单相可控整流相比较，输出直流电压的纹波系数（）。
电力电子技术第四版习题集
□ 附录：习 题 集一、填空1、晶闸管的问世，使 电子技术 进入了强电领域，形成了 电力电子 学科。
2、电力电子变流技术的应用主要有以下几方面： 整流 、 直流斩波 、 逆变 、 交流电力控制 、 变频 和 变相 。
3、在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为____通态损耗____，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为___开关损耗_____。
4、电力电子器件在实际工作中应用中，一般是由 控制电路 、 驱动电路 和以电力电子器件为核心的 主电路 组成的一个系统。
由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加___保护_____。
5、普通晶闸管内部四个区形成 三个 PN 结,外部有三个电极，分别是 阳极A 极、 阴极K 极和 门极G 极。
6、晶闸管在其阳极与阴极之间加上 正向 电压的同时，门极上加上 触发 电压，晶闸管就导通。
7、只有当阳极电流小于 维持电流 电流时，晶闸管才通转为截止。
8、正弦半波电流的波形系数dI I K 为： 1.57 9、晶闸管的工作状态有正向 阻断 状态，正向 导通 状态和反向 阻断 状态三种。
10、某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP 表示该器件的名称为 普通晶闸管 ，50表示 额定电流50A ，7表示 额定电压700V 。
11、逆导晶闸管是将____二极管____与晶闸管__反向并联______（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12、在晶闸管两端并联的RC 回路是用来防止 关断过电压 损坏晶闸管的。
13、用来保护晶闸管过电流的熔断器叫 快速熔断器 。
14、晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R 是___静态均压_____措施，给每只管子并联RC 支路是___动态均压_____措施，当需同时串联和并联晶闸管时，应采用___先串后并_____的方法。
15、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为 不可控 型器件、 半控 型器件和 全控型 器件。
电力电子技术练习题
电力电子技术习题一、可控整流部分1、如某晶闸管的正向阻断重复峰值电压为745V，反向重复峰值电压为825V，则该晶闸管的额定电压应为（）。
A、700VB、750VC、800VD、850V2、单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是( )A、0º-90°B、0º-120°C、0º-150°D、0º-180°3、三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0º时，输出的负载电压平均值为（）。
A、0.45U2B、0.9U2C、1.17U2D、2.34U24、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉冲间距相隔角度符合要求。
请选择。
5、单相半波可控整流电路，晶闸管两端承受的最大电压为（）。
A、U2B、2U2C、22UD、6U26、单相桥式整流电路的同一桥臂两只晶闸管的触发脉冲应相差度。
A、60°B、180°C、360°D、120°7、在三相半波可控整流电路中，当负载为电感性时，负载电感量越大，则（）A. 输出电压越高B.输出电压越低C.导通角越小D. 导通角越大8、在三相半波可控整流电路中，每只晶闸管的最大导通角为（D）A. 30°B. 60°C.90° D. 120°9、三相半波可控整流电路由( A)只晶闸管组成。
A、3B、5C、4D、210、三相半波可控整流电路电阻负载的控制角α移相范围是( A)。
A、0～90°B、0～100°C、0～120°D、0～150°11、三相半波可控整流电路大电感负载无续流管，每个晶闸管电流平均值是输出电流平均值的( D)。
A、1/3B、1/2C、1/6D、1/412、三相半控桥式整流电路由( A)晶闸管和三只功率二极管组成。
电力电子习题
第1章绪论1．电力电子技术涉及的三大学科领域是电力学，电子学，控制理论。
2．简答电力电子技术的应用并举例说明之。
一般工业：电化学工业，电解铝，电解食盐水，电镀，冶金工业，淬火电源，直流电弧炉。
交通运输：航空，航海，磁悬浮列车，电动汽车。
电力系统：配电网系统电子装置：程控交换机，大型计算机。
家用电器：电视，音响，冰箱，洗衣机其它：航天飞行器，水力发电。
第2章电力电子器件一、填空题：1.电力电子器件一般工作在____开关__状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为___通态损耗_____，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为____开关损耗____。
3.电力电子器件组成的系统，一般由___主电路_____、__驱动电路_____、___控制电路____三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加_____保护电路___。
4.晶闸管的基本工作特性可概括为___正向门极有触发则导通_ _反向电压则截止___ 。
5.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L____2~4倍____I H。
6.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为，U DRM ___<____ U bo。
7.逆导晶闸管是将___二极管_____与晶闸管___反并联_____（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
8.GTO的___多元集成____结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
16.在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是____电力二极管____，属于半控型器件的是___晶闸管___，属于全控型器件的是____GTO，GTR，电力MOSFET，IGBT___；在可控的器件中，容量最大的是___GTO_____，工作频率最高的是____电力MOSFET____，属于电压驱动的是____电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）____，属于电流驱动的是____GTO，GTR____。
电力电子技术及应用练习题(附答案)
电力电子技术及应用练习题（附答案）一、单选题（共90题，每题1分，共90分）1、共阳极三相半波可控整流电路的自然换相点是( )A、比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°B、本相相电压与相邻相电压负半周的交点处C、比三相不控整流电路的自然换相点超前30°D、交流相电压的过零点正确答案：B2、电力场效应晶体管的优点下列选项中错误的是？(____)。
A、开关速度慢B、安全工作区宽C、工作频率高D、无二次击穿问题正确答案：A3、以下三相交流调压电路，适用于各种负载的是(____)。
A、三相三线交流调压电路B、负载Y形连接带中性线的三相交流调压电路C、晶闸管与负载连接成内三角形的三相交流调压电路D、三个晶闸管接于Y形负载中性点的三相交流调压电路正确答案：A4、当温度升高时，晶闸管的正反向漏电流会（）A、增加B、不变C、不确定D、减小正确答案：A5、电力电子器件分为不可控型器件、半控型器件和(____)。
A、双极型器件B、复合型器件C、全控型器件D、单极型器件正确答案：C6、电力电子技术是(____)三大电气工程技术之间的交叉学科。
A、电力、电子与控制B、电力、电子与生产C、电力、电子与技术D、电力、电子与应用正确答案：A7、调光灯电路中，决定灯泡能否点亮的关键是(____)。
A、三极管B、续流二极管C、单结晶体管D、晶闸管正确答案：D8、双向晶闸管的触发方式中，灵敏度最高的是(____)。
A、Ⅰ－B、Ⅲ－C、Ⅲ＋D、Ⅰ＋正确答案：D9、导通后的晶闸管其通态压降(____)左右。
A、20VB、50VC、1VD、150V正确答案：C10、KC04移相集成触发器可以输出两个相位相差(____)的窄脉冲。
A、180°B、90°C、60°D、120°正确答案：A11、电风扇无极调速器是以（）为核心器件。
A、晶体管B、二极管C、三极管D、双向晶闸管正确答案：D12、以下不是电力电子应用技术发展方向的是( )。
电力电子习题集
电力电子题集一、名词解释1.自然换相点2.GTR3.换相重叠角γ4.同步5.相控方式6.换流7.脉宽调制法8.晶闸管的维持导通电流I H9.单拍电路10.双拍电路11.晶闸管的换相重叠角γ12.Buck-Boost电路（库克变换电路）13.电流型无源逆变电路14.晶闸管的擎住电流I L15.晶闸管的控制角α（移相角）16.导通角θ17.逆变18.开关电源19.交—交变频电路20.有源逆变21.GTO22.晶闸管的管耗23.整流电路24.直流斩波电路二、填空题1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过大，就会使晶闸管出现________，若di/dt过大，会导致晶闸管________。
2.单相全控桥可控整流电路中功率因数cos 比单相半波可控整流电路的功率因数提高了________倍。
各管上承受的最大反向电压为________。
3.三相零式可控整流电路带电阻性负载工作时，在控制角α>30°时，负载电流出现________。
晶闸管所承受的最大反向电压为________。
4.三相零式可控整流电路，在电阻性负载时，当控制角α≤30°，每个晶闸管的导通角θ=________。
此电路的移相范围为________。
5.三相全控桥可控整流，其输出电压的脉动频率为________。
6.把交流电能转换成直流电能称整流，把一种直流电能转换成另一种直流电能称_______，而把直流电能转换成交流电能称_______。
7.晶闸管一旦导通，门极就失去了控制作用，故晶闸管为_______器件。
能保持晶闸管导通的最小电流称为_______。
8.IGBT是一种新型复合器件，它的栅极具有9._______器件的电压控制特性，而它的输出极(c,e)具有_______器件的导通压降低的特点。
10.造成晶闸管在工作时发热的原因是_______，决定发热的因素是流过该管的电流_______。
《电力电子技术》习题
《电力电子技术》习题第1章 电力电子器件1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定? 答：晶闸管的导通条件是：晶闸管阳极和阳极间施加正向电压，并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。
导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定，负载上电压由输入阳极电压U A 决定。
1.2晶闸管的关断条件是什么? 如何实现? 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答：晶闸管的关断条件是：要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态，可采用阳极电压反向使阳极电流I A 减小，I A 下降到维持电流I H 以下时，晶闸管内部建立的正反馈无法进行。
进而实现晶闸管的关断，其两端电压大小由电源电压U A 决定。
1.3晶闸管的非正常导通方式有哪几种？答：非正常导通方式有：(1) I g =0，阳极电压升高至相当高的数值；(1) 阳极电压上升率du/dt 过高；(3) 结温过高。
1.4请简述晶闸管的关断时间定义。
答：晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。
即gr rr q t t t +=。
1.5试说明晶闸管有哪些派生器件？答：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管等。
1.6请简述光控晶闸管的有关特征。
答：光控晶闸管是在普通晶闸管的门极区集成了一个光电二极管，在光的照射下，光电二极管电流增加，此电流便可作为门极电触发电流使晶闸管开通。
主要用于高压大功率场合。
1.7型号为KP100-3，维持电流I H =4mA 的晶闸管，使用在图题1.7所示电路中是否合理，为什么?(暂不考虑电压电流裕量)图题1.7答：（a ）因为H A I mA K V I <=Ω=250100，所以不合理。
(b)A V I A 2010200=Ω=, KP100的电流额定值为100Ａ，裕量达５倍，太大了。
（c ）A V I A 1501150=Ω=，大于额定值，所以不合理。
电力电子技术期末习题和答案
第一章复习题1.使晶闸管导通的条件是什么？答：当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。
2．维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：（1）维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
（2）若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
3.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？答：（1）GTO在设计时，a2较大，这样晶体管v2控制灵敏，易于GTO关断；（2）GTO导通时a1+a2的更接近于1，普通晶闸管a1+a2≥1.5，而GTO则为约等于1.05，GTO的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制提供了有利条件；（3）多元集成结构每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得p2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
4．如何防止电力MOSFET因静电感应引起的损坏？答：（1）一般在不用时将其三个电极短接；（2）装配时人体，工作台，电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地；（3）电路中，栅，源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高。
（4）漏，源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。
5.IGBT,GTR,GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？答：IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT 的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
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电力电子技术习题集淮阴工学院电气学院第二章 电力电子器件1、使晶闸管导通的条件是什么？2、维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？3、图1中阴影部分为晶闸管处于通态区间的电流波形，各波形的电流最大值均为I m ，试计算各波形的电流平均值I d1﹑I d2﹑I d3与电流有效值I 1﹑I 2﹑I 3。
图 14、上题中如果不考虑安全裕量，问100A 的晶闸管能送出的平均电流I d1﹑I d2﹑I d3各为多少？这时，相应的电流最大值I m1﹑I m2﹑I m3各为多少？5、GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，为什么GTO 能够自关断，而普通晶闸管不能？6、如何防止电力MOSFET 因静电感应引起的损坏？7、IGBT ﹑GTR ﹑GTO 和电力MOSFET 的驱动电路各有什么特点？8、全控型器件的缓冲电路的主要作用是什么？试分析RCD 缓冲电路中各元件的作用。
9、试说明IGBT ﹑GTR ﹑GTO 和电力MOSFET 各自的优缺点。
第三章 整流电路1、单相半波可控整流电路对电感负载供电，L ＝20mH ，U 2=100，求当 ＝0°和60°时的负载电流I d ，并画出u d 与i d 波形。
2、图1为具有变压器中心抽头的单相全波可控整流电路，问该变压器还有直流磁化问题吗？试说明： ①晶闸管承受的最大正反向电压222U 。
②当负载为电阻和电感时，其输出电压和电流的波形与单相全控时相同。
图13、单相桥式全控整流器电路，其中，U2=100V，负载中R＝2Ω，L值极大，当α＝30°时，要求：①作出u d、i d和i2的波形；②求整流输出平均电压U d、电流I d，变压器二次电流有效值I2；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
4、单相桥式半控整流电路，电阻性负载，画出整流二极管在一周期内承受的电压波形。
5、单相桥式全控整流电路，U2＝100V，负载中R=20Ω，L值极大，反电动势E＝60V，当α＝30°时，要求：①作出u d、i d和i2的波形；②求整流输出平均电压U d、电流I d，变压器二次电流有效值I2；③考虑安全裕量，确定晶闸管的额定电压和额定电流。
6、晶闸管串联的单相半控桥（桥中VT1、VT2为晶闸管），电路如图2所示，U2＝100V，电阻电感负载，R＝2Ω，L值极大，当α＝60°时求流过器件中电流的有效值，并作出u d、i d、i VT、i VD的波形。
图27、在三相半波整流电路中，如果a相的触发脉冲消失，试绘出在电阻负载和阻感负载下整流电压u d的波形。
8、三相半波整流电路，可以将整流变压器的二次绕组分为两段称为曲折接法，每段的电动势相同，其分段布置及其矢量如图 3 所示，此时线圈的绕组增加了一些，铜的用料约增加10％，问变压器铁心是否被直流磁化，为什么？图 39、三相半波整流电路的共阴极接法与共阳极接法，a、b两相的自然换相点是同一点吗?如果不是，它们在相位上差多少度？10、有两组三相半波可控整流电路，一组是共阴极接法，一组是共阳极接法，如果它们的触发角都是a，那么共阴极组的触发脉冲与共阳极组的触发脉冲对同一相来说，例如都是a相，在相位上差多少度？11、三相半波可控整流电路，U2＝100V，带电阻电感负载，R=5Ω，L值极大，当α＝60°时，要求：①画出u d、i d和i VT的波形；②计算U d、I d、I dVT和I VT。
12、在三相桥式全控整流电路中，电阻负载，如果有一个晶闸管不能导通，此时的整流电压u d波形如何？如果有一个晶闸管被击穿而短路，其它晶闸管受什么影响？13、三相桥式全控整流电路，U2＝100V，带电阻电感负载，R=5Ω，L值极大，当α＝60°时，要求：①画出u d、i d和i VT的波形；②计算U d、I d、I dVT和I VT。
14、单相全控桥，反电动势阻感负载，R=1Ω，L=∞，E=40V，U2=100V，LB=0.5mH，当α＝60°时求U d、I d，并画出整流电压u d的波形。
15、三相半波可控整流电路，反电动势阻感负载，R=1Ω，L=∞，U2=100V，LB=1mH，求当α＝30°时、E＝50V时U d、I d、γ的值并作出U d与I VT1和I VT2的波形。
16、三相桥式不可控整流电路，阻感负载，R=5Ω，L=∞，U2=220V，XB=0.3Ω，求U d、I d、I2并作出u d、i VD和i2的波形。
17、三相全控桥，反电动势阻感负载，E=200V，R=1Ω，L=∞，U2＝220V，α＝60°，当①LB＝0和②LB＝1mH情况下分别求U d、I d并分别作出u d和i VT 的波形。
18、单相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有哪些次数的谐波？其中幅值最大的是哪一次？变压器二次电流中含有哪些次数的谐波？其中主要的是哪几次？19、三相桥式全控整流电路，其整流输出电压中含有哪些次数的谐波？其中幅值最大的是哪一次？变压器二次电流中含有哪些次数的谐波？其中主要的是哪几次？20、试计算第3题中i2的3、5、7次谐波分量的有效值i23、i25、i27。
21、试计算第13题中的i2的5、7次谐波分量的有效值i25、i27。
22、试分别计算第3题和第13题电路的输入功率因数。
23、带平衡电抗器的双反星形可控整流电路与三相桥式全控整流电路相比有何主要异同？24、整流电路多重化的主要目的是什么？25、12脉波、24脉波整流电路的整流输出电压和交流输入电流中含有哪些次数的谐波？26、使变流器工作于有源逆变状态的条件是什么？27、三相全控桥变流器，反电动势阻感负载，R=1Ω，L=∞，U2=220V，LB=1mH，当EM=-400V，β＝60°时求U d、I d，此时送回电网的有功功率是多少?28、单相全控桥变流器，反电动势阻感负载，R=1Ω，L=∞，U2=100V，LB=0.5mH，当EM=-99V，β＝60°时求U d、I d。
29、什么是逆变失败？如何防止逆变失败？30、单相桥式全控整流电路，三相桥式全控整流电路中，当负载分别为电阻负载或电感负载时，晶闸管的α角移相范围分别是多少？31、三相全控桥，电动机负载，要求可逆运行，整流变压器的接法是D/Y-5，采用NPN锯齿波触发器，并附有滞后30°的R-C滤波器，决定晶闸管的同步电压和同步变压器的联结形式。
第四章逆变电路填空题：1.把直流电变成交流电的电路称为_逆变电路_______，当交流侧有电源时称为____有源逆变____，当交流侧无电源时称为__无源逆变_____。
2._____________ 电流从一个支路向另一个支路转移的过程称_______为换流，从大的方面，换流可以分为两类，即外部换流和____内部换流____，进一步划分，前者又包括_器件换流_______和__电网换流______两种换流方式，后者包括___负载换流_____和_强迫换流_______两种换流方式。
3.适用于全控型器件的换流方式是_器件换流_______，由换流电路内电容直接提供换流电压的换流方式称为___强迫换流_____。
4.逆变电路可以根据直流侧电源性质不同分类，当直流侧是电压源时，称此电路为__电压型逆变电路______，当直流侧为电流源时，称此电路为____电流型逆变电路____。
5.半桥逆变电路输出交流电压的幅值Um为__Ud/2，全桥逆变电路输出交流电压的幅值Um为__Ud____ 。
6.三相电压型逆变电路中，每个桥臂的导电角度为_180度___，各相开始导电的角度依次相差_120度___，在任一时刻，有__3个桥臂导通。
7.电压型逆变电路一般采用_全空型_______器件，换流方式为_器件换流_______；电流型逆变电路中，较多采用__半控型______器件，换流方式有的采用_负载换流_______，有的采用_器件换流_______。
8.单相电流型逆变电路采用__负载______换相的方式来工作的，其中电容C 和L、R构成__并联谐振电路______电路，单相电流型逆变电路有自励和他励两种控制方式，在启动过程中，应采用先__他励______后__自励______的控制方式。
9.三相电流型逆变电路的基本工作方式是_120°_______导电方式，按VT1到VT6的顺序每隔_60°_______依次导通，各桥臂之间换流采用__横向______换流方式。
10.从电路输出的合成方式来看，多重逆变电路有串联多重和并联多重两种方式。
电压型逆变电路多用___串联_____多重方式；电流型逆变电路多采用_并联_______多重方式。
11交流电机调速用变频器、不间断电源、感应加热电源等电力电子装置的核心部分是__逆变电路________12变频电路常用的换流方式有负载谐振换流、脉冲（强迫）换流两种。
13、逆变器环流指的是只流经逆变电源、逆变桥晶闸管而不流经负载的电流，环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用α大于β工作方式。
14、由晶闸管构成的逆变器换流方式有负载换流和强迫（脉冲）换流。
15、按逆变后能量馈送去向不同来分类，电力电子元件构成的逆变器可分为有源逆变器与无源逆变器两大类。
16、变流电路的换流方式有器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流等四种。
17、提高变流置的功率因数的常用方法有减小触发角、增加整流相数、采用多组变流装置串联供电、设置补偿电容。
18.180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在__统一桥臂______的上、下二个开关元件之间进行。
19在电流型逆变器中，输出电压波形为正弦波波，输出电流波形为方波波20、180°导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_同一桥臂上的上、下二个元件之间进行；而120º导电型三相桥式逆变电路，晶闸管换相是在_不同桥臂上的元件之间进行的。
21、在有环流逆变系统中，环流指的是只流经两组变流器之间而不流经负载的电流。
环流可在电路中加电抗器来限制。
为了减小环流一般采用控制角α= β的工作方式。
22、逆变器按直流侧提供的电源的性质来分，可分为电压型型逆变器和电流型型逆变器，电压型逆变器直流侧是电压源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧用电容器进行滤波，电压型三相桥式逆变电路的换流是在桥路的本桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是180º度；而电流型逆变器直流侧是电流源，通常由可控整流输出在最靠近逆变桥侧是用电感滤波，电流型三相桥式逆变电路换流是在异桥元件之间元件之间换流，每只晶闸管导电的角度是120º度。