电力电子复习题答案复习过程
电力电子复习题及总结答案
电力电子必胜绪论填空题：1.电力电子技术是使用________器件对电能进行________的技术。
2.电能变换的含义是在输入与输出之间，将________、________、________、________、________中的一项以上加以改变。
3.电力变换的四大类型是：________、________、________、________。
4. 在功率变换电路中，为了尽量提高电能变换的效率，所以器件只能工作在________状态，这样才能降低________。
5. 电力电子器件按照其控制通断的能力可分为三类，即: ________、________、________。
6. 电力电子技术的研究内容包括两大分支：________________ 技术和________技术。
7.半导体变流技术包括用电力电子器件构成_____________电路和对其进行控制的技术，以及构成________装置和________系统的技术。
8.电力电子技术是应用在________领域的电子技术。
9.电力电子技术是一门由________、________、________三个学科交叉形成的新的边缘技术学科。
简答题1. 什么是电力电子技术？2. 电能变换电路的有什么特点？机械式开关为什么不适于做电能变换电路中的开关？3. 电力变换电路包括哪几大类？电力电子器件填空题：1.电力电子器件一般工作在________状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为________，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为________。
3.电力电子器件组成的系统，一般由________、________、________三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加________。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为________、________、________三类。
5.按照器件能够被控制的程度，电力电子器件可分为以下三类：、和。
电力电子复习题(包括答案)
一、填空题绪论1、电力变换的四大类整流、直流斩波、交流电力控制变频变相和逆变。
第二章1、电力电子器件一般都工作在开关状态。
2、电力电子器件一般是由控制电路、驱动电路和以电力电子器件为核心的主电路组。
3、电力电子器件的损耗主要为通态损耗和断态损耗，当器件的开关频率较高时，开关损耗会增大。
4、按电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为半控型器件、全控型器件和不可控型器件。
5、晶闸管有阳极A、阴极K和门极G。
6、电力二极管的特性是正向导通和反向截止。
7、要使晶闸管导通必须在阳极可正向电压，在门极加正向电压。
8、在晶闸管的阳极加反向电压时，不论门极加何种电压，晶闸管都截止。
9、多个晶闸管并联要考虑均流问题，多个晶闸管串联要考虑均压问题。
第二章1、单向半波可控整流电路带电阻负载时α角的移相范围0~π，阻感负载α角的移相范围是0~π/2。
2、单向桥式全控整流电路带纯电阻负载时α角的移相范围是0~π，单个晶闸管承受的最大反压是0~π/2，单个晶闸管承受的最大反压是3、三相半波可控整电路中，三个晶闸管的触发脉冲相序互差120°，单个晶闸管承受最大反压带阻感性负载时α角的移相范围是0~π/2。
4、逆变电路中，当交流侧和电网联结时称有源逆变，若要实现逆变必须要用可控整流电路，当0〈α〈π/2时，电路工作在整流状态，π/2〉α〉π时，电路工作在逆变状态。
5、使变流器工作于有源逆变状态的条件有二：①直流侧要有电动势，其极性须和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流电路直流侧的平均电压；②要求晶闸管的控制角α>π/2，使U d为负值。
第三章1、直流斩波电路是把直流变为直流的电路。
2、斩波电路2种最基本的电路是降压斩波和升压斩波。
3、斩波的三种控制方法是脉冲宽度调制（脉冲调宽型）、频率调制（调频型）和混合型。
4、升降压斩波电路升压的条件是1/2〈α〈1。
第四章1、改变频率的电路叫变频电路。
电力电子复习题(部分答案)(华电研究生课程)
1、GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构,为什么GTO 能够自关断,而普通晶闸管不能?GTO 和普通晶闸管同为PNPN 结构，由P 1N 1P 2和N 1P 2N 2构成两个晶体管V 1、V 2分别具有共基极电流增益α1和α2，由普通晶闸管得分析可得，α1＋α2＝1是器件临界导通的条件。
α1＋α2>1两个晶体管饱和导通；α1＋α2<1不能维持饱和导通而关断。
GTO 能关断，而普通晶闸管不能是因为GTO 在结构和工艺上有以下几点不同：A 多元集成结构使每个GTO 元的阴极面积很小，门极和阴极的距离缩短，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
B GTO 导通时α1＋α2更接近1，晶闸管α1＋α2>1.15，而GTO 则为α1＋α2≈1.05，饱和程度不深，在门极控制下易于退出饱和。
C GTO 在设计时，α2较大，晶体管V2控制灵敏，而α1很小，这样晶体管V1的集电极电流不大，易于从门极将电流抽出，从而使GTO 关断2、三相桥式可控整流电路，输入380V 三相交流电，阻感性负载KW P d 100=，如何选择晶闸管的电压Ue 和电流Ie ？ 见笔记第三节3、单相桥式全控整流电路,V U 1002=,负载Ω=2.0R ,L 值极大,反电势V E 60=,当o 30=α时,要求: a) 作出d u 、d i 和2i 的波形；b) 求整流输出平均电压d U 、电流d I ,变压器二次侧电流有效值2I ； c) 考虑安全裕量,确定晶闸管的额定电压和额定电流。
解：整流输出电压平均值U d 、电流I d ，以及变压器二次侧电流有效值I 2分别为：220.9cos()77.94()/(77.9460)/299d d d d U U V I U E R AI I Aα====-=-===Tu 1E 4、三相半波可控整流电路的共阴极接法与共阳极接法,a 、b 两相的自然换相点是同一点吗?如果不是,它们在相位上差多少度?a 、b 两相的自然换相点不是同一点，它们在相位上差多少180度，见下图。
电力电子技术复习题 _含答案)
12、 在单相全控桥整流电路中，晶闸管的额定电压应取 U2（）
13、 在单相桥式全控整流电路中，带大电感负载，不带续流二极管时，输出电压波形中没有负面积。
（）
14、 单相全控晶闸管整流电路中，带电感性负载，没有续流二极管时，导通的晶闸管在电源电压过零时不关断。
（）
15、 三相半波可控整流电路也必需要采用双窄脉冲触发。（ ）
2 晶闸管整流电路
2、 给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。 （ ）
3、 晶闸管导通后其电流趋向无穷大。
（）
4、 已经导通的晶闸管恢复阻断的唯一条件是 AK 极电源电压降到零或反向。（ ）
5、 晶闸管并联使用时，必须采取均压措施。 （ ）
6、 晶闸管串联使用时，必须注意均流问题。 （ ）
7、 触发普通晶闸管的触发脉冲，也能触发可关断晶闸管。（ ）
合型 的 PWM 控制方法。 3、 正激电路和反激电路属于 13 励磁，半桥电路和全桥电路属于 14 励磁。 4、 开关电源大都采用 15 PWM 控制器.其原理方案分为 16 、 17 和 18 三类。 5、 试填写下列电路的名称
3 / 14
半桥电路 反激电路
正激电路 全桥电路
推挽电路
4、逆变电路
中，通常采用 规则采样法 来代替上述方法，在计算量大为减小的情况下得到的效果能够满足工程需要。
3. PWM 逆变电路３种目标控制： ７ 电压、 ８
电流和圆形磁链的 ９ 压 比较、 滞环电流比较 和 三角波比较。
5. 相电压正弦波叠加 3 次谐波构成 13 与三角波比较产生 PWM，可以提高 14 利用率并降低 15 。
2 / 14
致集电极电流增大，造成器件损坏。这种电流失控现象被称这 擎住 效应。 11、 IGBT 往往与 反并联 的快速二极管封装在一起，制成模块，成为逆导器件 。 12、电力电子器件是在电力电子电路中是作为可控开关来用。电力电子器件是一种半导体开关，实际上是一种单 向单极开关。它不是理想开关，存在开关时间和开关暂态过程。开关时间尤其是关断时间限制了电力电子器件的 开关频率。 13、电力电子应用系统一般由控制电路、驱动电路和主电路组成一个系统。为了提高系统可靠性，还应加入电 压、电流检测电路和过压、过流保护电路并构成反馈闭环控制。 14.几乎所有的电力半导体器件均为 单向极性 开关。电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可 关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（Power MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中， 在可控的器件中，功率范围最大的是 SCR 晶体管 ，开关频率最高的是_PMOS 电力场效应管
电力电子技术_复习题答案
电⼒电⼦技术_复习题答案第⼆章：1.晶闸管的动态参数有断态电压临界上升率du/dt和通态电流临界上升率等，若du/dt过⼤，就会使晶闸管出现_ 误导通_，若di/dt过⼤，会导致晶闸管_损坏__。
2.⽬前常⽤的具有⾃关断能⼒的电⼒电⼦元件有电⼒晶体管、可关断晶闸管、功率场效应晶体管、绝缘栅双极型晶体管⼏种。
简述晶闸管的正向伏安特性？答: 晶闸管的伏安特性正向特性当IG=0时，如果在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于正向阻断状态，只有很⼩的正向漏电流流过。
如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增⼤，器件开通。
随着门极电流幅值的增⼤，正向转折电压降低，晶闸管本⾝的压降很⼩，在1V左右。
如果门极电流为零，并且阳极电流降⾄接近于零的某⼀数值IH以下，则晶闸管⼜回到正向阻断状态，IH称为维持电流。
3.使晶闸管导通的条件是什么?答：使晶闸管导通的条件是：晶闸管承受正向阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。
或：uAK>0且uGK>0。
4.在如下器件：电⼒⼆极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电⼒晶体管（GTR）、电⼒场效应管（电⼒MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于半控型器件的是 SCR 。
5.晶闸管的擎住电流I L答：晶闸管刚从断态转⼊通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最⼩电流。
6.晶闸管通态平均电流I T(AV)答：晶闸管在环境温度为40 C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最⼤⼯频正弦半波电流的平均值。
标称其额定电流的参数。
7.晶闸管的控制⾓α（移相⾓）答：从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲⽌的电⾓度,⽤a表⽰,也称触发⾓或控制⾓。
8.常⽤电⼒电⼦器件有哪些？答：不可控器件：电⼒⼆极管。
半控型器件：晶闸管。
全控型器件：绝缘栅双极晶体管IGBT，电⼒场效应晶体管（电⼒MOSFET），门极可关断晶闸管（GTO），电⼒晶体管。
电力电子复习题含答案
考试试卷( 1 )卷一、填空题（本题共8小题，每空1分，共20分）1、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为____电压型____和_____电流型___两类。
2、电子技术包括__信息电子技术___和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在____开关_____状态。
当器件的工作频率较高时，__开关_______损耗会成为主要的损耗。
3、在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为______载波比_______，当它为常数时的调制方式称为_____同步____调制。
在逆变电路的输出频率范围划分成若干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为_____分段同步_______调制。
4、面积等效原理指的是，_____冲量____相等而__形状_____不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果基本相同。
5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是___MOSFET______，单管输出功率最大的是____GTO_________，应用最为广泛的是___IGBT________。
6、设三相电源的相电压为U2，三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即，其承受的最大正向电压为。
7、逆变电路的负载如果接到电源，则称为逆变，如果接到负载，则称为逆变。
8、如下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。
(1) 0~t1时间段内，电流的通路为________；(2) t1~t2时间段内，电流的通路为_______；(3) t2~t3时间段内，电流的通路为_______；(4) t3~t4时间段内，电流的通路为_______；(5) t4~t5时间段内，电流的通路为_______；二、选择题（本题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分）1、单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如下图所示，在t1~t2时间段内，有（）晶闸管导通。
电力电子技术期末复习题及其答案
第一章复习题1.使晶闸管导通的条件是什么？答：当晶闸管承受正向电压时，仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能导通。
2．维持晶闸管导通的条件是什么？怎样才能使晶闸管由导通变为关断？答：（1）维持晶闸管导通的条件是使晶闸管的电流大于能保持晶闸管导通的最小电流，即维持电流。
（2）若要使已导通的晶闸管关断，只能利用外加电压和外电路的作用使流过晶闸管的电流降到接近于零的某一数值以下，即降到维持电流以下，便可使导通的晶闸管关断。
3.GTO和普通晶闸管同为PNPN结构，为什么GTO能够自关断，而普通晶闸管不能？答：（1）GTO在设计时，a2较大，这样晶体管v2控制灵敏，易于GTO关断；（2）GTO导通时a1+a2的更接近于1，普通晶闸管a1+a2≥1.5，而GTO则为约等于1.05，GTO 的饱和程度不深，接近于临界饱和，这样为门极控制提供了有利条件；（3）多元集成结构每个GTO元阴极面积很小，门极和阴极间的距离大为缩短，使得p2极区所谓的横向电阻很小，从而使从门极抽出较大的电流成为可能。
4．如何防止电力MOSFET因静电感应引起的损坏？答：（1）一般在不用时将其三个电极短接；（2）装配时人体，工作台，电烙铁必须接地，测试时所有仪器外壳必须接地；（3）电路中，栅，源极间常并联齐纳二极管以防止电压过高。
（4）漏，源极间也要采取缓冲电路等措施吸收过电压。
5.IGBT,GTR,GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点？答：IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗，关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电压，以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是：GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度，且一般需要在整个导通期间施加正门极电流，关断需施加负门极电流，幅值和陡度要求更高，其驱动电路通常包括开通驱动电路，关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
电子电力变流技术部分复习答案
《电力电子技术》复习参考答案1.1晶闸管的导通条件是什么? 导通后流过晶闸管的电流和负载上的电压由什么决定?答：晶闸管的导通条件是：晶闸管阳极和阳极间施加正向电压，并在门极和阳极间施加正向触发电压和电流（或脉冲）。
导通后流过晶闸管的电流由负载阻抗决定，负载上电压由输入阳极电压U A 决定。
1.2晶闸管的关断条件是什么? 如何实现? 晶闸管处于阻断状态时其两端的电压大小由什么决定?答：晶闸管的关断条件是：要使晶闸管由正向导通状态转变为阻断状态，可采用阳极电压反向使阳极电流I A 减小，I A 下降到维持电流I H 以下时，晶闸管内部建立的正反馈无法进行。
进而实现晶闸管的关断，其两端电压大小由电源电压U A 决定。
1.3温度升高时，晶闸管的触发电流、正反向漏电流、维持电流以及正向转折电压和反向击穿电压如何变化？ 答：温度升高时，晶闸管的触发电流随温度升高而减小，正反向漏电流随温度升高而增大，维持电流I H 会减小，正向转折电压和反向击穿电压随温度升高而减小。
1.4晶闸管的非正常导通方式有哪几种？答：非正常导通方式有：(1) I g =0，阳极电压升高至相当高的数值；(1) 阳极电压上升率du/dt 过高；(3) 结温过高。
1.5请简述晶闸管的关断时间定义。
答：晶闸管从正向阳极电流下降为零到它恢复正向阻断能力所需的这段时间称为关断时间。
即gr rr q t t t +=。
1.11某晶闸管型号规格为KP200-8D ，试问型号规格代表什么意义?解：KP 代表普通型晶闸管，200代表其晶闸管的额定电流为200A ，8代表晶闸管的正反向峰值电压为800V ，D 代表通态平均压降为V U V T 7.06.0<<。
1.12如图题1.12所示，试画出负载R d 上的电压波形(不考虑管子的导通压降)。
图题1.12解：其波形如下图所示：1.15 什么叫GTR的一次击穿?什么叫GTR的二次击穿?答：处于工作状态的GTR，当其集电极反偏电压U CE渐增大电压定额BU CEO时，集电极电流I C急剧增大（雪崩击穿），但此时集电极的电压基本保持不变，这叫一次击穿。
电力电子复习材料及答案解析
电力电子技术一填空题1、电力电子技术就是应用于电力领域的电子技术。
2、电力变换通常可分为四大类，分别是整流、逆变、直流斩波、交流变交。
3、电力电子技术是一门由电力技术、电子技术、控制技术三个学科交叉而形成的。
4、电力电子器件一般工作在开关状态，在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时你，功率损耗主要为开关损耗。
5、一个周期内，下列整流电路整流电压波形的脉动次数：单相半波可控电路脉动__1____次；单相全控桥式整流电路脉动__2____次；三相半波可控电路脉动____3__次；三相全控桥式整流电路脉动___6___次。
6、电压型三相逆变器，电路的基本工作方式是___180°__导电方式，任一瞬间，有___3_____个IGBT 同时导通；电流型三相逆变器，电路的基本工作方式是___120°__导电方式，任一瞬间，有____2____个IGBT同时导通。
7、同一晶闸管，维持电流IH与掣住电流I L在数值大小上有I L＞ I H。
8、电力电子器件一般都工作在开关状态。
9、晶闸管和门极可关断晶闸管的英文名字的缩写分别为SCR 和GTO 。
10、按照直流侧电源性质划分，逆变电路可分为电流型逆变电路和电压型逆变电路。
11、单结晶体管张弛振荡电路的原理是利用单结晶体管的___负阻____特性和RC电路的___充放电____特性。
12、当发射极电压等于____峰点电压__时，单结晶体管导通。
导通后，当发射极电压小于__谷点电压___时，单结晶体管关断。
13、晶闸管内部是四层半导体结构，它的三个电极分别是阳极、阴极、门极。
14、整流电路的作用是交流电能将变为直流电能供给直流用电设备。
15、自换流逆变电路采用器件换流和强迫换流两种换流方式，外部换流逆变电路采用电网换流和负载换流两种换流方式。
16、IGBT是绝缘栅双极晶体管，是三端器件，三个电极分别是发射极、栅极、集电极。
电力电子技术课程复习题_解答参考_V2
11．在直流电动机负载的整流电路中，串接平波电抗器的意义是什么? 平波电抗器电感量的选择原则是什么? 分析：电枢回路串接平波电抗器，增大直流电动机工作的电流连续区， 改善电机的工作特性。电感量的选择原则为在电动机工作电流为额定电 流的5%-10%时，仍能工作于连续状态。 12．整流电路中出现换相重叠角γ的根本原因是什么；换相重叠角γ与 什么参数有关。 分析：根本原因是变压器存在漏感，使换相过程不能瞬时完成。γ与 Id、XB、α、U2有关，详见书本P61 公式2-36。 第3章部分: 一，教材P.111中的全部习题。 提示：对第3．题，因本题的L为有限值，故要首先判断电感电流即 负载电流是否连续。先假设电感电流连续， 。 二，补充题： 1．分别绘出BUCK式、BOOST式、BUCK-BOOST式DC/DC斩波电路图，绘出 其电感电流连续与不连续下的等效电路图，并在理想条件下分别导出它
3开关管选择错误不应选gtr从工作频率和功率两方面考虑应选用功率mos附图a附图brocot1uonsvt1npt1cod1nsnpuo附录scr整流负载类scr电流平均值有效值输入变压器最大功率s二极管同电阻负载同电阻负载同电阻负cos17cos17二极管同电阻负载同电阻负载同电阻负cos343参考p56图219参考p57图221计算cos34二极管同电阻负载同电阻负载同电阻负
导体器件。单极型器件：Power MOSFET。 第2章部分: 一，教材P.97---99中的第2.---13. 题, 第16.---17.①题，第18.--19. 题, 第22.---26. 题, 第29.---30. 题的全部习题。 提示：对第2．题，写出正、负半波的磁链增量之差的积分表达式来 说明；对第3．题，L为极大，即电感电流连续，且为恒流状态，② Ud80V，Id=I240A；对第5．题，半控桥中的两个二极管可以起续流二极 管的作用；对第7．题，当a相触发脉冲消失，则整流电路只对b、c相整 流 ，电路变为两相整流电路。对第11．题，Ud58.5V， IdVT =Id /33.9A；对第13．题，对照第11．题来理解、列式可简单地得出答案； 对第17．①题，Ud257.4V；对第22．题，要考虑负载是恒流性质这个电 路条件来简化解题。 二，补充题： 1．在电阻性负载、大电感性负载、大电感加有输出续流二极管性负载 这三种典型负载条件下，对SCR单相全控桥、三相半波、三相全控桥电 路三种典型整流电路，列表分别填写：电路输出直流电压、电流，SCR 的最大移相范围、导通角、承受的最大正、方向电压、电流平均值、电 流有效值；输入变压器的最大功率（）；输入电流的最低次谐波频率等 各数学表达式（包括原始积分表达式）。 分析：本题主要考察不同情况下整流电路的工作原理，各电压电流波 形；明确平均值、有效值的定义，在此基础上求解电路相关参数。详见 本文档尾页附录。 2．单相桥式全控整流电路，接电阻性负载，要求电路输出的直流平均 电压Ud从20～100V连续可调，负载平均电流均能达到20A,考虑最小控制 角为30度。试计算SCR导通角的变化范围，要求的电源容量及功率因 数，并选择SCR。提示：αmin =30，αmax =129º；S=119*42.8VA； cosφ(αmax)=0.36。 解： 1）由 ，在最小控制角α=30时，Ud=20V，可得U2=119V 由此可解出100V时的触发角α=128.8。导通角为（180-α）。提示给的 是触发角，非导通角。 2) 得： λ（α=128.8）=0.36 分析知，α在 (0,180) 区间，S单调递增，
电力电子技术第2章习题-答案
电⼒电⼦技术第2章习题-答案班级姓名学号第2/9章电⼒电⼦器件课后复习题第1部分：填空题1. 电⼒电⼦器件是直接⽤于主电路中，实现电能的变换或控制的电⼦器件。
2. 主电路是在电⽓设备或电⼒系统中，直接承担电能变换或控制任务的电路。
3. 电⼒电⼦器件⼀般⼯作在开关状态。
4. 电⼒电⼦器件组成的系统，⼀般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。
5. 按照器件能够被控制的程度，电⼒电⼦器件可分为以下三类：不可控器件、半控型器件和全控型器件。
6．按照驱动电路信号的性质，电⼒电⼦器件可分为以下分为两类：电流驱动型和电压驱动型。
7. 电⼒⼆极管的⼯作特性可概括为单向导电性。
8. 电⼒⼆极管的主要类型有普通⼆极管、快恢复⼆极管、肖特基⼆极管。
9. 普通⼆极管⼜称整流⼆极管多⽤于开关频率不⾼,⼀般为1K Hz以下的整流电路。
其反向恢复时间较长，⼀般在5s以上。
10.快恢复⼆极管简称快速⼆极管，其反向恢复时间较短，⼀般在5s以下。
11.肖特基⼆极管的反向恢复时间很短,其范围⼀般在10～40ns之间。
12.晶闸管的基本⼯作特性可概括为：承受反向电压时，不论是否触发，晶闸管都不会导通；承受正向电压时，仅在门极正确触发情况下，晶闸管才能导通；晶闸管⼀旦导通，门极就失去控制作⽤。
要使晶闸管关断，只能使晶闸管的电流降⾄维持电流以下。
13.通常取晶闸管的U DRM和U RRM中较⼩的标值作为该器件的额定电压。
选⽤时，⼀般取为正常⼯作时晶闸管所承受峰值电压2~3 倍。
14.使晶闸管维持导通所必需的最⼩电流称为维持电流。
晶闸管刚从断态转⼊通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最⼩电流称为擎住电流。
对同⼀晶闸管来说，通常I L约为I H的称为2~4 倍。
15.晶闸管的派⽣器件有：快速晶闸管、双向晶闸管、逆导晶闸管、光控晶闸管。
16. 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数⼗微秒，⾼频晶闸管10微秒左右。
电力电子技术课后部分习题参考答案
电力电子技术课后部分习题参考答案1电力电子技术部分复习题参考答案一、略二、图1所示的单相桥式整流电路中，V U 2202=、触发角°=30a ，负载为阻感负载，电感L 的值极大，W =5R 。
1、绘制输出电压d u 、输出电流d i 、变压器副边电流2i 的波形；2、计算输出电压d u 、输出电流d i 的平均值3、计算晶闸管的电流有效值。
VT1VT2VT4VT3udi du RL1u 2i图1 答案：答案：1．波形绘制．波形绘制du2 2．电路参数计算）．电路参数计算）)(47.17130cos 2209.0cos 9.02V U U d =°´´=××=a)(29.34547171A RU I d d ===78.022047.171222===××=U U I U I U d d d l3 3．电路参数计算．电路参数计算 )(25.242A I I d T ==三、图2所示的三相半波可控电路中，相电压V U 2202=、触发角°=30a ，反电动势V E 30=，电感L 的值极大，W =15R 。
1 1、计算输出电压、计算输出电压d u 、输出电流d i 的平均值、的平均值、a a 相的电流a i 的有效值；2 2、绘制输出电压、绘制输出电压d u 、输出电流d i 、a 相的电流a i 的波形的波形b a cVT1VT2VT3di R LEai du T图2答案：答案： 1．电路参数计算)(91.22230cos 22017.1cos 17.12V U U d =°´´=××=a)(86.12153091.222A RE U I d d =-=-=)(43.7386.123A I I d a ===2．波形绘制四、三相全控桥式整流电路带反电动势阻感负载，已知：负载电阻W =1R ，电感=µd L ，相电压V U 2202=，mH L B 1=，当反电动势V E 400=，控制角α=120=120°或逆变角β°或逆变角β°或逆变角β=60=60=60°时，°时，请计算输出电压平均值d U 、输出电流平均值d I 和换相重叠角g 。
电力电子复习及答案
第一章文档仅供学习参考，请无作他用。
注释：许多高校（Eg：嘉应学院）考试出题，题库。
填空题：1.电力电子器件一般工作在开关状态。
2.在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。
3.电力电子器件组成的系统，一般由主电路、驱动电路、控制电路三部分组成，由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。
4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。
5.电力二极管的工作特性可概括为单向导通。
6.电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。
7.肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。
8.晶闸管的基本工作特性可概括为正向有触发则导通、反向截止。
9.对同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L在数值大小上有I L大于I H。
10.晶闸管断态不重复电压U DRM与转折电压U bo数值大小上应为，U DRM小于Ubo。
11.逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联（如何连接）在同一管芯上的功率集成器件。
12.GTO的阴极和门极在器件内并联结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。
13.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为二次击穿。
14.MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的截止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区。
15.电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数。
16.IGBT 的开启电压U GE（th）随温度升高而略有下降，开关速度低于电力MOSFET 。
17.功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是智能功率集成电路。
18.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电流驱动和电压驱动两类。
19.为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是负脉冲。
电力电子技术期末复习考卷综合附答案,题目配知识点
电力电子技术期末复习考卷综合附答案,题目配知识点Document number：PBGCG-0857-BTDO-0089-PTT1998一、填空题：1、电力电子技术的两个分支是电力电子器件制造技术和 变流技术 。
2、举例说明一个电力电子技术的应用实例 变频器、 调光台灯等 。
3、电力电子承担电能的变换或控制任务，主要为①交流变直流（AC —DC ）、②直流变交流（DC —AC ）、③直流变直流（DC —DC ）、④交流变交流（AC —AC ）四种。
4、为了减小电力电子器件本身的损耗提高效率，电力电子器件一般都工作在 开关状态，但是其自身的功率损耗（开通损耗、关断损耗）通常任远大于信息电子器件，在其工作是一般都需要安装 散热器 。
5、电力电子技术的一个重要特征是为避免功率损耗过大，电力电子器件总是工作在开关状态，其损耗包括三个方面：通态损耗、断态损耗和 开关损耗 。
6、通常取晶闸管的断态重复峰值电压UDRM 和反向重复峰值电压URRM 中较 小 标值作为该器件的额电电压。
选用时，额定电压要留有一定的裕量，一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压的2~3倍。
7、只有当阳极电流小于 维持 电流时，晶闸管才会由导通转为截止。
导通：正向电压、触发电流 （移相触发方式）8、半控桥整流带大电感负载不加续流二极管电路中，电路可能会出现 失控 现象，为了避免单相桥式半控整流电路的失控，可以在加入 续流二极管 来防止失控。
9、整流电路中，变压器的漏抗会产生换相重叠角，使整流输出的直流电压平均值 降低 。
10、从晶闸管开始承受正向阳极电压起到施加触发脉冲止的电角度称为 触发角 。
☆从晶闸管导通到关断称为导通角。
☆单相全控带电阻性负载触发角为180度☆三相全控带阻感性负载触发角为90度11、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为 2√2U1 。
（电源相电压为U1）三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为??? 。
电力电子复习题及答案
电力电子复习题及答案电力电子技术是现代电力系统和电力驱动领域中不可或缺的技术之一。
以下是一些电力电子复习题及答案，供学生复习参考。
一、选择题1. 电力电子器件中，属于半控型器件的是（）。
A. 晶闸管B. 功率晶体管C. 功率MOSFETD. IGBT答案：A2. 电力电子变换器中，能够实现交流电与直流电相互转换的设备是（）。
A. 整流器B. 逆变器C. 变频器D. 所有选项答案：D3. 以下哪个是电力电子中常用的PWM控制方式？（）A. SPWMB. PWM-PFCC. DPWMD. A和C答案：D二、填空题4. 电力电子技术中的“电力电子”一词，指的是使用_______来控制电力的电子技术。
答案：半导体器件5. 三相桥式整流电路采用全控型器件时，其输出电压波形为_______。
答案：直流脉冲波形6. 电力电子装置中的开关器件在开关过程中，会产生较大的_______损耗和_______损耗。
答案：导通；开关三、简答题7. 简述电力电子技术在现代电力系统中的应用。
答案：电力电子技术在现代电力系统中的应用非常广泛，包括但不限于：电力系统的稳定控制、电能质量的改善、新能源发电系统的接入、电动汽车的充电与驱动、工业自动化控制等。
通过电力电子技术，可以实现电能的有效转换、分配和控制，提高系统的效率和可靠性。
8. 解释什么是软开关技术，并简述其优点。
答案：软开关技术是指在电力电子装置中，通过特定的控制策略，使得开关器件在零电压或零电流状态下进行开关操作，从而减少开关损耗，提高效率。
其优点包括：减少电磁干扰、降低开关损耗、提高系统效率、延长器件寿命等。
四、计算题9. 假设有一个三相全波整流电路，其负载为纯电阻性，输入电压为220V（有效值），求整流电路的输出直流电压。
答案：对于三相全波整流电路，输出电压的有效值可以通过以下公式计算：\[ V_{DC} = \frac{2V_{L}}{\pi} \]其中，\( V_{L} \) 是相电压，对于三相星形连接，\( V_{L} =V_{AC} \)。
电力电子技术复习题及答案 (2)
电力电子技术复习2011一、选择题（每小题10分,共20分）1、单相半控桥整流电路的两只晶闸管的触发脉冲依次应相差度。
A、180°，B、60°， c、360°， D、120°2、α为度时，三相半波可控整流电路，电阻性负载输出的电压波形，处于连续和断续的临界状态。
A，0度， B，60度， C，30度， D，120度，3、晶闸管触发电路中，若改变的大小，则输出脉冲产生相位移动，达到移相控制的目的。
A、同步电压，B、控制电压，C、脉冲变压器变比。
4、可实现有源逆变的电路为。
A、三相半波可控整流电路，B、三相半控桥整流桥电路，C、单相全控桥接续流二极管电路，D、单相半控桥整流电路。
5、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理。
A、30º-35º，B、10º-15º，C、0º-10º，D、0º。
6、在下面几种电路中，不能实现有源逆变的电路有哪几种。
A、三相半波可控整流电路。
B、三相半控整流桥电路。
C、单相全控桥接续流二极管电路。
D、单相半控桥整流电路。
7、在有源逆变电路中，逆变角的移相范围应选为最好。
A、=90º∽180º，B、=35º∽90º，C、=0º∽90º，8、晶闸管整流装置在换相时刻（例如：从U相换到V相时）的输出电压等于。
A、U相换相时刻电压uU， B、V相换相时刻电压uV，C、等于uU +uV的一半即：9、三相全控整流桥电路，如采用双窄脉冲触发晶闸管时，下图中哪一种双窄脉冲间距相隔角度符合要求。
请选择。
10、晶闸管触发电路中，若使控制电压UC=0，改变的大小，可使直流电动机负载电压Ud=0，使触发角α=90º。
达到调定移相控制范围，实现整流、逆变的控制要求。
B、同步电压， B、控制电压，C、偏移调正电压。
(完整版)电力电子技术第5章-复习题-答案
第5/10章 直流-直流变换电路 习题与答案第1部分：填空题1.直流斩波电路完成的是直流到 另一种直流 的变换。
2.直流斩波电路中最基本的两种电路是 降压（Buck ） 电路和 升压（Boost ） 电路。
3.斩波电路有三种控制方式： 脉宽调制（PWM ）、脉频调制（PFM ） 和 PWM/PFM 混合调制 ，其中最常用的控制方式是：脉宽调制（PWM ） 。
4.脉冲宽度调制的方法是： 开关周期 不变， 开关导通 时间变化，即通过导通占空比的改变来改变变压比，控制输出电压。
5.脉冲频率调制的方法是: 开关导通 时间不变， 开关周期 变化，导通比也能发生变化，达到改变输出电压的目的。
该方法的缺点是： 开关频率 的变化范围有限。
输出电压、输出电流中的 谐波频率 不固定，不利于滤波器的设计 。
6.降压斩波电路中通常串接较大电感，其目的是使负载电流 平滑 。
7.升压斩波电路使电压升高的原因：电感L 在开关管导通期间将电能转换为磁能储存起来，以实现电压泵升 ，电容C 在开关管导通期间给负载供能以使输出电压连续平滑 。
8.升压斩波电路的典型应用有 直流电动机传动 和 功率因素校正（APFC ） 等。
9.升降压斩波电路和Cuk 斩波电路呈现升压状态的条件是开关器件的导通占空比为 大于0.5小于1 ；呈现降压状态的条件是开关器件的导通占空比为 大于0小于0.5 。
10.设Buck 型DC-DC 变换器工作于CCM 模式，设输入电压U i =10V ，占空比D =0.6，则输出电压U O ＝ 6V 。
11.设Boost 型DC-DC 变换器工作于CCM 模式，设输入电压U i =12V ，占空比D =0.8，则输出电压U O ＝ 60V 。
13.开关型DC-DC 变换电路的三个基本元件是 开关管 、 电感 和 电容 。
14. 斩波电路用于拖动直流电动机时，降压斩波电路能使电动机工作于第 1 象限，升压斩波电路能使电动机工作于第 2 象限，电流可逆 斩波电路能使电动机工作于第1和第2象限。
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电力电子复习题答案一、填空题.同一晶闸管，维持电流I H与擎住电流I L的数值大小上有I L大于（或2~4）I H。
1．功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是_智能功率集成电路_。
2．晶闸管断态不重复电压U DSN与转折电压U BO数值大小上应为，U DSM<U BO。
3．电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压U Fm=1.414U2，设U2为相电压有效值。
4．三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差-_1200___。
5．对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使输出电压平均值下降。
6．晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是静态均压措施。
7．三相全控桥式变流电路交流侧非线性压敏电阻过电压保护电路的连接方式有T形和Y形_二种方式。
8．抑制过电压的方法之一是用_储能元件吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。
10．180°导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在同一相的上、下二个开关元件之间进行。
11．改变SPWM逆变器中的调制比，可以改变输出电压基波的幅值。
12．为了利于功率晶体管的关断，驱动电流后沿应是（一个）较大的电流。
13．恒流驱动电路中抗饱和电路的主要作用是减小存储时间。
14．功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用快速恢复型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。
15.晶闸管是三端器件，三个引出电极分别为：阳极、阴极和门极。
22.处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极承受正向电压，且门极有触发电流时，才能使其开通。
23.晶闸管额定通态平均电流I VEAR是在规定条件下定义的，条件要求环境温度为40℃。
24.在晶闸管单相半波可控整流电路中，从晶闸管开始承受正向电压算起，到触发脉冲到来时刻为止，这段时间的电角度称为触发角。
25.在电感性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2.45U2。
26.三相全控桥的共阴极组要求触发脉冲以120°为间隔，依次在电源电压的正_半周触发共阴极组的各晶闸管。
27.在输入相同幅度的交流电压和相同控制角的条件下，三相可控整流电路比单相可控整流电路可获得较高_的输出电压。
28.有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电网的逆变电路。
29.逆变器可分为无源逆变器和有源逆变器两大类。
30.有源逆变产生的条件之一是：变流电路输出的直流平均电压U d的极性必须保证与直流电源电势E d的极性成反极性相连，且满足|U d|<|E d|。
31.三相桥式全控变流电路的同步相控触发电路，分为垂直控制和横向控制二种方式。
32.SPWM有两种调制方式：单极性和双极性调制。
33.斩波器的时间比控制方式分为定宽调频、定频调宽、混合调宽三种方式。
34.载波比(又称频率比)K是PWM主要参数。
设正弦调制波的频率为f r，三角波的频率为f c，则载波比表达式为K=f c/_f r。
35.DC/DC变换的两种主要形式为逆变整流型和斩波电路控制型。
1. 处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极加正向电压，且在门极加正向触发电压时，才能使其开通。
2. 造成在不加门极触发控制信号，即能使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素。
一是阳极的电压上升率du/dt太快，二是阳极电压过高。
3. 功率集成电路PIC分为二大类，一类是智能功率集成电路，另一类是高压集成电路。
4. 单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角a大于不导电角δ时，晶闸管的导通角Ø=π-δ-α。
5.将直流电能转换为交流电能又馈送回交流电网的逆变电路称为有源逆变器。
6.确定最小逆变角βmin 要考虑的三个因素是晶闸管关断时间taf所对应的电角度δ，安全裕量角Ø0和换相重叠角γ。
7. 三相全控桥式有源逆变电路，每个晶闸管导通角1200，每隔600产生一次换相。
8. RC电路可用作直流侧的过电压保护元件。
9. 金属氧化物非线性压敏电阻可作为过电压保护元件。
10. 晶闸管变流器主电路要求角发电路的触发脉冲应具有一定的宽度，且前沿尽可能陡。
11. 电流型逆变器中间直流环节以电感贮能。
12. 电流源型逆变器的输出电流波形为矩形波。
13. 在PWM斩波器中，电压比较器两个输入端信号分别是三角波信号和直流信号。
14. 在升压斩波电路中，已知电源电压Ud =16V,导通比31Kv,则负载电压U=24V。
15. 功率晶体管的驱动电路，一般有恒流驱动电路和比例驱动电种型。
二、单项选择题在每小题烈出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将正确选项前的字母填在题后的括号内。
16.已经导通了的晶闸管可被关断的条件是流过晶闸管的电流（①）①减小至维持电流I H以下②减小至擎住电流I L以下③减小至门极触发电流I G以下④减小至5A以下17.功率晶体管的安全工作区由以下四条曲线限定:集电极-发射级允许最高击穿电压线,集电极最大允许直流功率线,集电极最大允许电流线和(④ )①基极最大允许直流功率线②基极最大允许电压线③临界饱和线④二次击穿触发功率线18.对于同一晶闸管,维持电流I H与擎住电流I L的关系是( ② )①I H≈(2~4)I L②I L≈(2~4) I H③I H=I L④I H≥I L19.可关断晶闸管，（GTO）的电流关断增益βaff的定义式为（①）①min G A I I - ②A G I I min - ③ A G I I -m in ④m inG A I I - 20. 单相半波可控整流电路中，晶闸管可能承受的反向峰值电压为（ ② ）①U 2 ②22U ③222U ④26U21. 单相半控桥式整流电阻性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是（ ④ ）①90° ②120° ③ 150° ④180°22. 单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是（ ④ ）①增加晶闸管的导电能力 ②抑制温漂③增加输出电压稳定性 ④防止失控现象的产生23. 电阻性负载二相半波可控整流电路，控制角a 的范围是（ ④ ）①30°~150° ②0°~120° ③15°~125° ④0°~150°24. 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，处于关断状态的晶闸管承受的的反向电压的期间角为（ ④ ）①120° ②120°—β ③180°—β ④β25. 在三相全控式变流电路直流电动机托动系统中，当a> 时，网侧功率因数为 （ ① ）①0cos <ϕ ②0cos >ϕ ③0cos =ϕ ④ϕcos 正负不定26. 三相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，输出电压平均值U d 的表达式是（ ① ）①U d =- 2.34U 2cos β ②U d =1.17U 2cos β③U d = 2.34U 2cos β ④U d =-0.9U 2cos β27.可在第二象限工作交流电路是（ ③ ）①单相全控桥 ②单相半控桥③单相反并联(双重)全控桥 ④三相半波可控变流电路28. 在高压直流输电系统中,变流器1和变流器2中间的直流环节起着功率传输作用,控制率流向的方法是( ④ )①调节变流1侧变压器②调节变流器2侧变压器③同时调节两侧变压器④调节变流器1和变流器2的U d1、U d2的极性和大小29. 若减小SPWM逆变器输出电压基波幅值，可采用的控制方法是（③）①减小三角波频率②减小三角波幅度③减小输入正弦控制电压幅值④减小输入正弦控制电压频率30. SPWM逆变器有两种调制方式：双极性和（①）①单极性②多极性③三极性④四极性31. 以下各种过流保护方法，动作速度排在第二位的是（③）①快速熔断器过流保护②过流继电器保护③快速开关过流保护④反馈控制过流保护32. 三相桥式全控变流电路的同步相控触发电路，分为垂直控制和（②）①时间比控制②横向控制③定频调宽④瞬时值控制33. 对于移相控制电路，为了限制最小移相控制角和设置移相范围，可在输入控制信号的输入控制信号的输入端再叠加一个（②）①交流电压②偏移电压③同步信号④触发信号34. KC04型集成触发电路的引脚1和15输出的触发脉冲是两个相位互差180°（②）①负脉冲②正脉冲③双脉冲④尖峰脉冲35. 电流源型逆变器，在每一个周期的0~600期间，晶闸管T6，T1导通，输出电流为i a=+I d , i b=-I-d, i c=0,则在2400~3000期间（③）①i a=-I d , i b=I d, i c=0, ②i a=I d , i b=0, i c=- I d,③i a=-I d , i b=0, i c=+I d, ④i a= 0 i b=-L d , i c=+I d,36.定宽调频控制方式中，导通比K t的改变会导致改变斩波器的（①）①输出电压频率②输出电压最大值③电源电压④输出电流幅值37. 降压斩波电路中，已知电源电压U d=16V,负载电压U0=12V,斩波周期T=4ms，则开通时间T ab=（③）①1ms ②2ms ③3ms ④4ms38. 恒流驱动电路中，加速电容C的作用是（①）①加快功率晶体管开通 ②延缓功率晶体管关断③加深功率晶体管的饱和深度 ④保护器件39. 恒流驱动电路中截上反偏驱动电路的主要作用是（ ① ）①加速功率管关断 ②加速功率晶体管开通③过电流保护 ④减小延迟时间40. 为限制功率晶体管的饱和深度，减小存储时间，恒流驱动电路经常采用（ ② ）① dt du 抑制电路 ②抗饱和电路 ③dtdi 抑制电路 ④吸收电路15．功率晶体管GTR 从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（ ②）①一次击穿 ②二次击穿 ③临界饱和 ④反向截止16．逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成(① )①大功率三极管 ②逆阻型晶闸管 ③双向晶闸管 ④可关断晶闸管17．在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区内的信号是（① ）①干扰信号 ②触发电压信号 ③触发电流信号 ④干扰信号和触发信号18．当晶闸管随反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（② ）①导通状态 ②关断状态 ③饱和状态 ④不定19．单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（④ ）①90° ②120° ③150° ④180°20．单相全控桥大电感负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为（ ② ） ①2U 22 ②2U 2 ③2U 22 ④2U 6 21．单相全控桥电阻性负载电路中，晶闸管可能承受的最大正向电压为（③） ①2U 2 ②2U 22 ③2U 22 ④2U 6 22．单相全控桥式整流大电感负载电路中，控制角α的移相范围是（① ）①0°~90° ②0°~180° ③90°~180° ④180°~360°23．单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ＝（ ③）① π-α ②π+α ③π-δ-α ④π+δ-α24.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角与哪几个参数有关（ ①）① α、负载电流I d 以及变压器漏抗X c ②α以及负载电流I d③α和U 2 ④α、U 2以及变压器漏抗X c 25．三相半波可控整流电路的自然换相点是（② ）① 交流相电压的过零点② 本相相电压与相邻电压正半周的交点处② 比三相不控整流电路的自然换相点超前30°③ 比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°26．可在第一和第四象限工作的变流电路是（① ）① 三相半波可控变流电路②单相半控桥③接有续流二极管的三相半控桥④ 接有续流二极管的单相半波可控变流电路27．快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是（④ ）① 功率晶体管 ②IGBT ③功率MOSFET ④晶闸管28．若增大SPWM 逆变器的输出电压基波频率，可采用控制方法是（③ ）① 增大三角波幅度 ②增大三角波频率③增大正弦调制波频率 ④增大正弦调制波幅度29．采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为（ ③）① 减小输出幅值 ②增大输出幅值③减小输出谐波 ④减小输出功率30．电流源型逆器中间直流环节贮能元件是（ ②）0① 电容 ②电感 ③蓄电池 ④电动机一、单项选择题(本大题共20小题，每小题1分，共20分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。