芯片解密需要用到的FIB简介

芯片解密方法概述

芯片解密方法概述芯片解密(IC解密)，又称为单片机解密，就是通过一定的设备和方法，直接得到加密单片机中的烧写文件，可以自己复制烧写芯片或反汇编后自己参考研究。

目前芯片解密有两种方法，一种是以软件为主，称为非侵入型攻击，要借助一些软件，如类似编程器的自制设备，这种方法不破坏母片（解密后芯片处于不加密状态）；还有一种是以硬件为主，辅助软件，称为侵入型攻击，这种方法需要剥开母片（开盖或叫开封，decapsulation），然后做电路修改(通常称FIB：focused ion beam)，这种破坏芯片外形结构和芯片管芯线路只影响加密功能，不改变芯片本身功能。

单片机解密常用方法单片机（MCU）一般都有内部ＲＯＭ／ＥＥＰＲＯＭ／ＦＬＡＳＨ供用户存放程序。

为了防止未经授权访问或拷贝单片机的机内程序，大部分单片机都带有加密锁定位或者加密字节，以保护片内程序。

如果在编程时加密锁定位被使能（锁定），就无法用普通编程器直接读取单片机内的程序，这就是所谓单片机加密或者说锁定功能。

事实上，这样的保护措施很脆弱，很容易被破解。

单片机攻击者借助专用设备或者自制设备，利用单片机芯片设计上的漏洞或软件缺陷，通过多种技术手段，就可以从芯片中提取关键信息，获取单片机内程序。

因此，作为电子产品的设计工程师非常有必要了解当前单片机攻击的最新技术，做到知己知彼，心中有数，才能有效防止自己花费大量金钱和时间辛辛苦苦设计出来的产品被人家一夜之间仿冒的事情发生。

目前，单片机解密主要有四种技术，分别是：一、软件攻击该技术通常使用处理器通信接口并利用协议、加密算法或这些算法中的安全漏洞来进行攻击。

软件攻击取得成功的一个典型事例是对早期ＡＴＭＥＬＡＴ８９Ｃ５１系列单片机的攻击。

攻击者利用了该系列单片机擦除操作时序设计上的漏洞，使用自编程序在擦除加密锁定位后，停止下一步擦除片内程序存储器数据的操作，从而使加过密的单片机变成没加密的单片机，然后利用编程器读出片内程序。

(完整版)单片机解密方法简单介绍(破解)

单片机解密方法简单介绍下面是单片机解密的常用几种方法,我们做一下简单介绍:1：软解密技术，就是通过软件找出单片机的设计缺陷，将内部OTP/falsh ROM 或eeprom代码读出，但这种方法并不是最理想的，因为他的研究时间太长。

同一系列的单片机都不是颗颗一样。

下面再教你如何破解51单片机。

2：探针技术，和FIB技术解密，是一个很流行的一种方法，但是要一定的成本。

首先将单片机的C onfig.(配置文件)用烧写器保存起来，用在文件做出来后手工补回去之用。

再用硝酸熔去掉封装，在显微镜下用微形探针试探。

得出结果后在显微镜拍成图片用FIB连接或切割加工完成。

也有不用FIB用探针就能用编程器将程序读出。

3：紫外线光技术，是一个非常流行的一种方法，也是最简单的一种时间快、像我们一样只要30至1 20分钟出文件、成本非常低样片成本就行。

首先将单片机的Config.(配置文件)用烧写器保存起来，再用硝酸熔去掉封装，在显微镜下用不透光的物体盖住OTP/falsh ROM 或eeprom处，紫外线照在加密位上10到120分钟，加密位由0变为1就能用编程器将程序读出。

（不过他有个缺陷，不是对每颗OT P/falsh都有效）有了以上的了解解密手段，我们开始从最简的紫外光技术，对付它：EMC单片机用紫外光有那一些问题出现呢？：OTP ROM 的地址(Address:0080H to 008FH) or (Address:0280h to 028FH) 即:EMC的指令的第9位由0变为1。

因为它的加密位在于第9位，所以会影响数据。

说明一下指令格式："0110 bbb rrrrrrr" 这条指令JBC 0x13,2最头痛,2是B，0X13是R。

如果数据由0变为1后："0111 bbb rrrrrrr"变成JBS 0x13,2头痛啊，见议在80H到8FH 和280H到28FH多用这条指令。

FIB芯片探测技术简介

FIB芯片探测技术简介FIB（聚焦离子束，Focused Ion beam)是将液态金属(Ga)离子源产生的离子束经过离子枪加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像.此功能与SEM（扫描电子显微镜）相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工.通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应，有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层。

FIB技术的在芯片设计及加工过程中的应用介绍：1.IC芯片电路修改用FIB对芯片电路进行物理修改可使芯片设计者对芯片问题处作针对性的测试,以便更快更准确的验证设计方案。

若芯片部份区域有问题,可通过FIB对此区域隔离或改正此区域功能,以便找到问题的症结。

FIB还能在最终产品量产之前提供部分样片和工程片,利用这些样片能加速终端产品的上市时间。

利用FIB修改芯片可以减少不成功的设计方案修改次数，缩短研发时间和周期。

2.Cross-Section 截面分析用FIB在IC芯片特定位置作截面断层,以便观测材料的截面结构与材质,定点分析芯片结构缺陷。

3.Probing Pad在复杂IC线路中任意位置引出测试点, 以便进一步使用探针台(Probe- station) 或E-beam 直接观测IC 内部信号。

4.FIB透射电镜样品制备这一技术的特点是从纳米或微米尺度的试样中直接切取可供透射电镜或高分辨电镜研究的薄膜。

试样可以为IC芯片、纳米材料、颗粒或表面改性后的包覆颗粒，对于纤维状试样，既可以切取横切面薄膜也可以切取纵切面薄膜。

对含有界面的试样或纳米多层膜，该技术可以制备研究界面结构的透射电镜试样。

技术的另一重要特点是对原始组织损伤很小。

5.材料的鉴定材料中每一个晶向的排列方向不同，可以利用遂穿对比图像进行晶界或晶粒大小分布的分析。

另外，也可加装EDS 或SIMS进行元素组成分析。

半导体制造中fib、sem关键技术原理

半导体制造中fib、sem关键技术原理
在半导体制造中，Focused Ion Beam（FIB，聚焦离子束）和Scanning Electron Microscopy（SEM，扫描电子显微镜）是两项关键的技术，用于加工和检测半导体器件。

以下是它们的关键技术原理：1．Focused Ion Beam (FIB)：
原理：FIB使用高能离子束，通常是氙离子或镭离子，来定向照射半导体表面。

这些离子具有足够的能量，能够在半导体表面剥离原子，形成微小的凹陷或沟槽。

应用：FIB广泛用于样品切割、修复、修饰和掺杂。

在半导体制造中，它可以用于制作微小的结构、修复制程中的缺陷，以及进行器件的故障分析。

2．Scanning Electron Microscopy (SEM)：
原理：SEM使用电子束代替传统光线，通过扫描样品表面，获得样品表面的高分辨率图像。

当电子束与样品表面相互作用时，产生的信号（如二次电子、反向散射电子等）被检测并用于形成图像。

应用：SEM在半导体制造中用于检查表面形貌、观察晶体结构、评估工艺质量，以及进行故障分析。

它提供了高分辨率的表面图像，对于验证工艺步骤的准确性和器件结构的一致性非常重要。

这两项技术在半导体制造中发挥着关键作用，帮助工程师们精确地制造和评估微小尺寸的半导体器件。

FIB用于加工和修复，而SEM 则用于观察和检测微小结构。

它们的结合使用有助于确保高质量、高性能的半导体产品。

单片机解密方法简单介绍(破解)

单片机解密方法简单介绍下面是单片机解密的常用几种方法,我们做一下简单介绍:1：软解密技术，就是通过软件找出单片机的设计缺陷，将内部OTP/falsh ROM 或eeprom代码读出，但这种方法并不是最理想的，因为他的研究时间太长。

同一系列的单片机都不是颗颗一样。

下面再教你如何破解51单片机。

2：探针技术，和FIB技术解密，是一个很流行的一种方法，但是要一定的成本。

首先将单片机的C onfig.(配置文件)用烧写器保存起来，用在文件做出来后手工补回去之用。

再用硝酸熔去掉封装，在显微镜下用微形探针试探。

得出结果后在显微镜拍成图片用FIB连接或切割加工完成。

也有不用FIB用探针就能用编程器将程序读出。

3：紫外线光技术，是一个非常流行的一种方法，也是最简单的一种时间快、像我们一样只要30至1 20分钟出文件、成本非常低样片成本就行。

首先将单片机的Config.(配置文件)用烧写器保存起来，再用硝酸熔去掉封装，在显微镜下用不透光的物体盖住OTP/falsh ROM 或eeprom处，紫外线照在加密位上10到120分钟，加密位由0变为1就能用编程器将程序读出。

（不过他有个缺陷，不是对每颗OT P/falsh都有效）有了以上的了解解密手段，我们开始从最简的紫外光技术，对付它：EMC单片机用紫外光有那一些问题出现呢？：OTP ROM 的地址(Address:0080H to 008FH) or (Address:0280h to 028FH) 即:EMC的指令的第9位由0变为1。

因为它的加密位在于第9位，所以会影响数据。

说明一下指令格式："0110 bbb rrrrrrr" 这条指令JBC 0x13,2最头痛,2是B，0X13是R。

如果数据由0变为1后："0111 bbb rrrrrrr"变成JBS 0x13,2头痛啊，见议在80H到8FH 和280H到28FH多用这条指令。

芯片解密-M0516芯片解密

芯片解密-M0516芯片解密首先，我们要讲的是M0516的芯片内核结构：M051为Cortex-M032位微控制器系列，其特点为宽电压工作范围2.5V至5.5V与-40℃~ 105℃工作温度、内建22.1184MHz高精度RC晶振(±3%精确度，-40℃~105℃,2.5V~5.5V)、并内建Data Flash、欠压检测、丰富周边、整合多种多组串行传输接口、高抗干扰能力(8KV ESD/4KV EFT)、支持在线系统更新(ISP)、在线电路更新(ICP)与在线应用程序更新(IAP)，提供封装有QFN33与LQFP48。

主要应用领域:门禁系统/警报器、温度传感设备、直流无刷马达应用等等内存(Memory)-64KB应用程序-内嵌4KB SRAM-内嵌4KB Data Flash-在线系统更新ISP(In-System Programming)-在线电路更新ICP(In-Circuit Programming)-在线应用程序更新IAP(In-Application Programming)这一系列的型号有：M0516LDE\M0516LDN\M0516ZDE\M0516ZDN\M052LDE\M052LDN\M052ZDE\M052ZDN\M054LDE\M054LD N\M054ZDE\M054ZDN\M058LDE\M058LDN\M058SFAN\M058SLAN\M058SSAN\M058ZDE\M058ZDN M0516芯片解密的手段：就是用硝酸融掉表层环氧树脂使芯片暴露，再用IC设计中的纠错手段（FIB线路修改）在芯片上切割线路和连接线路。

这个过程中涉及到芯片提图。

任何一个新的MCU翻出线路图的成本费用很高和时间也较长，这也是研究解密方案的前期的主要成本，也是给客户做从没做过的型号价格较贵的原因。

有了纸，分析出切割点后；就是做实验了，边试边修改，直到程序读取成功。

用FTB进行芯片的线路修改，方案做完后，将芯片放在指定的带可读性的编程器上，便可读出程序。

工程师必读：芯片反向技术

⼯程师必读：芯⽚反向技术⼀直以来，芯⽚解密对于我们的客户来说就是⼀个很神奇的东西，⼤家都想知道芯⽚解密是怎么⼀回事，也⼀直在研究芯⽚解密是怎么做的，我们现在就介绍⼀下简单的芯⽚是怎么解密的：单⽚机解破对于搞IC设计的⼈来说⼏乎是⼩菜⼀碟。

在2000-6000倍的显微镜下，任何芯⽚的内部版图⽆⾮是⼀个3～6层线路的PCB⽽已，会做PCB抄板就可以把整个单⽚机的线路图翻出来，剩下只是找出芯⽚的ROM总线和控制线，最后找到加密位熔丝，再下来就是在PCB上找⼀个适当的点来做连线跳过熔丝就⼤功告成了。

⾄于⼿段，就是⽤硝酸融掉表层环氧树脂使芯⽚暴露，再⽤IC设计中的纠错⼿段（FIB线路修改）在芯⽚上切割线路和连接线路。

这个过程中涉及到芯⽚提图。

任何⼀个新的MCU翻出线路图的成本费⽤很⾼和时间也较长，这也是研究解密⽅案的前期的主要成本，也是给客户做从没做过的型号价格较贵的原因。

有了纸，分析出切割点后；就是做实验了，边试边修改，直到程序读取成功。

成功了就可以开门做这个型号解密的⽣意了；每颗IC根据切割点和连线点的多少费⽤不等，主要看FIB所花费的时间。

FIB有的地⽅按线收费，有的按时间收费。

这是每次解密芯⽚的主要成本了。

这颗MCU是⼀颗绑定的MCU，经过腐蚀后，⿊⾊的邦定胶溶解了，晶粒就重见天⽇了。

此时绑定线完整，MCU还可以正常⼯作。

这颗是MCU在电⼦显微镜下线路倍切割和跳线连接的图⽚。

以上就是IC解密的终极⼿段了。

⼤家动动脑筋看看⽤何种⽅法保护⾃⼰编写的程序能不被取出。

最后给⼤家看⼀个N多年前给客户做的⼀个⽅案；是⼀个关于XX48 MCU的具体做法。

⾸先在芯⽚上找到有这颗特征的地⽅，然后是跳过熔丝的做法；将1号线和2号线切割断，然后再将1，2号线都接⾼电平使之熔丝断为没有加密。

最后是利⽤离⼦束加⼯后的断线和跳线的实际效果图。

做好线后把芯⽚放到编程器上读⼀下，所有数据就读出来了。

其实，这只是最简单的芯⽚解密，要解密⾼难度芯⽚还远远不⽌于此……⾮常感谢深圳橙盒科技芯⽚解密研究中⼼提供的技术资料，如有需要请加徐⼯QQ：573934005，或微信1357273089。

加密芯片工作原理

加密芯片工作原理加密芯片是一种专门用于实现信息安全功能的芯片，它能够在存储和传输信息时进行加密和解密，以保证数据的机密性、完整性和实时性。

它是一种综合应用的信息处理技术，广泛用于计算机安全系统，如银行支付系统、政府机关传输信息系统、企业内部信息系统等。

一、加密芯片基本结构及原理加密芯片由多种功能子部件组成，包括加密芯片外壳、芯片片内电路及存储单元。

加密芯片外壳由金属或塑料材质制成，主要用于连接外部设备，保护芯片内部结构，并传输外来信息与芯片之间的信号，使芯片能够正常工作。

芯片片内电路包括处理器、控制器、集成电路、存储单元等，主要用于实现加密芯片的数据处理能力，其中最重要的子部件是微处理器，它可以根据外部程序指令，实现对外来数据的加密、解密、签名、校验等功能。

二、加密芯片的加密方法加密芯片的加密方法主要分为私钥加密和公钥加密两种，它们分别使用两种不同的密钥结构，其功能也有所区别。

1.私钥加密：私钥加密是使用相同的密钥，将明文利用密码算法加密成密文的一种方法。

它能够提供较高的安全级别，但它的缺点是，由于在加密和解密时使用的都是同一个密钥，容易被黑客破解，因此，它通常不适用于网络环境下安全传输信息。

2.公钥加密：公钥加密是利用一对不同的密码，分别表示发送者的公钥和接收者的私钥，将明文加密成密文的一种方法。

由于加密和解密使用的都是两个不同的密钥，因此，公钥加密能够提供更高的安全性，在实时认证和安全传输信息等方面有着广泛的应用。

三、加密芯片的应用加密芯片通常用于在存储和传输数据时，实现数据的加密和解密。

常见的应用场景包括以下几种：1.付系统：加密芯片可以用于银行、信用卡、货币支付等支付系统中，以保证数据的安全性。

2.子商务：使用加密芯片可以实现在电子商务交易中的信息加密，避免黑客利用信息窃取等行为，以确保客户的隐私安全。

3.子政务：加密芯片可以用于政府机关的信息传输，如电子税务系统、电子政务系统等，以保证信息安全。

橙盒芯片解密报告：宏晶STC15新版本芯片解密

芯片解密报告：宏晶STC15新版本芯片解密在开篇讲宏晶STC新版本芯片解密之前，先给大家讲STC的演变历史，众所周知，早期的STC89\90时代的芯片，是台湾笙泉的MPC89和MPC90,仔细的工程技术人员会发现他们在命名规则上是一样的，并且，当时的宏晶是宣称这两种芯片是可以相互替代的，而且价格是相较于笙泉是更加的实惠，后期，宏晶迎来了STC10\11\12时代，这是一系列是高性能的加密，启动了ID加密，而且编程器没有可读功能，这给我们带来了非常大的技术挑战，但是后来，我们还是克服了这个困难，把STC10\11\12全系列芯片解密的方案开发出来。

然而，就在2013年，宏晶又把STC10\11\12的加密结构重新改动，这让我们有点措手不及，加之STC15系列出动，又是一个完全不一样的加密结构方法，橙盒科技芯片解密研究中心，立马成立专门的宏晶芯片解密研究小组，来研究STC10\11\12系列及STC15的新版本芯片解密方案。

我们为什么要进STC15新版本的芯片解密研究工作呢？一般来说，芯片解密方案的开发，是基于市场的一个需求来决定是否有必要去开发的，也就是说，是否有客户愿意投资来做，一般，大家对芯片解密方案的开发了解不是很多，芯片解密其实跟设计制作芯片是一样的，都是要运用到FIB设备，芯片绘制完毕之后，进行流片生产测试，如果有什么问题，那么就会用FIB设备进行线路的一个修改工作，其费用成本是非常之高的，同样的，芯片解密也是跟做芯片设计一样，我们要借用到FIB设备（我之前写过的一个文库文章，《芯片解密需要用到的FIB简介》，大家可以去看一下，）同时，我们还有一个比芯片绘制更大的费用，就是给芯片拍图，所以，开发一个芯片解密的费用的非常之大的，但是，同时大家又很清楚，如果开发失败的话，那投入的人力物力就是白费了。

如果开发出来之后，又没有后续的人要做这种芯片的话，那这个项目了也是失败的，所以，有时候，有客户愿意投资十几万开发一个，但是我们都不会接，就是这样的一个原因，因为没有后续。

芯片解密方法及攻略

北京首矽致芯科技有限公司逆向工程及芯片解密专业机构芯片解密方法及攻略芯片解密在网络上并不陌生，文章也很多，但是有实际技术价值的很少。

芯片解密是个广义的概念，包括很多内容，是芯片逆向的范畴。

我们在狭义上说的芯片解密就是将具有存储功能的芯片内的芯片读出来，因为一般的芯片的烧录了用户代码后就可以加密，是不能直接读出来的，所以就有解密的说法。

有很多公司也叫单片机解密，其实单片机只是这些需要解密的芯片中的一种，因为传统的单片机是指的MCU，而并没有包括比如ARM、CPLD、DSP 等其它具有存储器的芯片。

而目前芯片解密更多的是ARM解密、DSP解密、CPLD解密以及专用加密芯片的解密。

比如北京致芯科技网站上推出的芯片解密业务基本上涵盖了各种芯片代码读出业务。

以下就目前常见的单片机破解方法做一些介绍。

一、紫外线攻击方法紫外线攻击也称为UV攻击方法，就是利用紫外线照射芯片，让加密的芯片变成了不加密的芯片，然后用编程器直接读出程序。

这种方法适合OTP的芯片，做单片机的工程师都知道OTP的芯片只能用紫外线才可以擦除。

那么要擦出加密也是需要用到紫外线。

目前台湾生产的大部分OTP芯片都是可以使用这种方法解密的，感兴趣的可以试验或到去下载一些技术资料。

OTP芯片的封装有陶瓷封装的一半会有石英窗口，这种事可以直接用紫外线照射的，如果是用塑料封装的，就需要先将芯片开盖，将晶圆暴露以后才可以采用紫外光照射。

由于这种芯片的加密性比较差，解密基本不需要任何成本，所以市场上这种芯片解密的价格非常便宜，比如SONIX 的SN8P2511解密，飞凌单片机解密等价格就非常便宜。

二、利用芯片漏洞很多芯片在设计的时候有加密的漏洞，这类芯片就可以利用漏洞来攻击芯片读出存储器里的代码，比如我们以前的文章里提到的利用芯片代码的漏洞，如果能找到联系的FF这样的代码就可以插入字节，来达到解密。

还有的是搜索代码里是否含有某个特殊的字节，如果有这样的字节，就可以利用这个字节来将程序导出。

工欲善其事,必先利其器

工欲善其事，必先利其器。

侵入式攻击用的最多的设备3-(2)价值百万美金设备FIB工作站（Focused Ion Beam workstation）FIB工作站的正式用途是调试样片中的问题或错误等，为最后批量流片做准备。

把FIB工作站用来做芯片的解密破解其实只用到里面很小的一部分功能，实则是大炮打蚊子而已。

对0.5微米及以下的半导体器件需要更有效的工具来建立与内部线路连接。

这种工具就是FIB工作站。

不仅可以制作测试点，也可用来成像和修复。

在失效分析中，用来准备切面和缺陷分析。

拥有极好的空间分辨率和精度，足以在深亚微米技术的晶粒上制作探测点。

FIB工作站包括一个真空室，与SEM不同的是内有一个电子枪，镓离子从液态阴极出发加速并聚焦成直径为5-10纳米的束流。

通过增强离子束的电流，芯片材料可以被除去。

通过注入碘之类的蒸汽可以有更好的腐蚀率。

可以制作访问底部金属层的窗口而不损伤附近结构。

通过注入铂基的有机气体，可以制造新的连接。

使用别的化学成分，甚至是绝缘物，可以沉积到底部金属到表面的连接，而不用接触任何覆盖层。

实例如下图：用FIB在芯片表面打孔实例如下图：用FIB切割金属线实例如下图：用FIB制作测试点，右侧是光学照片。

FIB可以在芯片表面以0.1微米的精度进行移动，而不论芯片表面结构或芯片的平整度。

使用红外线成像，可以从芯片的背面定位某个晶体管，修改芯片并非一直需要使用微探测技术来从芯片的内部总线获取信息。

有时侯，特别是对于微控制器，可以通过切割掉内部的金属互连线或破坏掉控制电路来屏蔽掉安全保护。

FIB很容易将传输安全保护状态的金属线连到地上或电源上。

微探针也能做到，但对于埋在芯片内部的金属线就无能为力了。

实例如下图：切掉PIC12C508A 的某根金属线来屏蔽掉安全保护系统。

实例如下图：用激光切割器破坏掉PIC16F628 的熔丝控制电路来屏蔽掉安全保护系统芯片修改至少需要对芯片进行反向工程来找到可以破解的点，这意味着只有装备精良且训练有素的破解者才有可能获得成功。

FIB的工作原理及其应用

Ｃ嗣ａｔｅＶｏｉ恼ｇｅ‰ｍＦｉｇ．８Ａ１ＧａＮ／ＧａＮＨＥＭＴｓ：ｇａｔｅｌｅａｋａｇｅｃｕｒｒｅｎｔａｎｄｄｒａｉｎｓｕｂ－ｔｈｒｅｓｈｏｌｄｌｅａｋａｇｅｃｕｒｒｅｎｔｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎｓ，ｉｔｉｓｔｒａｐ—ｒｅｌａｔｅｄｐｈｅｎｏｍｅｎａｔｅｓｔｉｎｇＰｈｏｔｏｎ－ＥｍｉｓｓｉｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ（ＰＥＭ），ａｎｄＳｃａｎｎｉｎｇＡｃｏｕｓｔｉｃＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙａｎｄｉｔｓａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓｉｎｆａｉｌｕｒｅａｎａｌｙｓｉｓ．Ｔｈｉｓｔｕｔｏｒｉａｌｗｉｌｌｂｅｓｕｉｔａｂｌｅｆｏｒａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｅｎｇｉｎｅｅｒｓ，ｆａｉｌｕｒｅａｎａｌｙｓｉｓｅｎｇｉｎｅｅｒｓ，ＩＣ＆ｄｅ＇ｖｉｃｅｄｅｓｉｇｎｅｎｇｉ－ｎｅｅｒｓ，ａｎｄｓｅｎｉｏｒｓｔｕｄｅｎｔｓＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｔｅａｃｈｅｒｓａ８ｗｅｌｌ．ＦＩＢ的工作原理及其应用章晓文林晓玲陈嫒（电子元器件可靠性物理及应用技术国家级重点实验室广东广州５１０６１０）。

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ｊｊ：５摘要介绍了聚焦离子束显微镜的基本功能及工作原理，分析了影响离子束显微镜影像的因素。

详细介ｉ绍了气体在聚焦离子束系统中的作用，对刻蚀气体与沉积气体种类进行了介绍。

刻蚀气体可对不同的材料进，．行选择性刻蚀，而沉积气体可以沉积金属或介质，以进行电路的修改。

关键词聚焦离子束电路修改刻蚀气体沉积气体ｉｐｊ？ｊ１ｊ，ｊｊｊｊｊｊｊ？ｊ／ｊｒｊｊｊｊ≮？；｝ｊｊｊ＿｛ｊｊｊ．＋ｊ？；？，？１引言聚焦离子束显微镜（ＦｏｃｕｓｅｄＩｏｎｂｅａｍ，ＦＩＢ）系统是利用电子透镜将离子束聚集成非常小尺寸的显微精细切割仪器，目前商用系统的离子束多为液体金属离子源（ＬｉｑｕｉｄＭｅｔａｌＩｏｎＳｏｕｒｃｅ．ＬＭＩＳ），金属材质为镓，因为镓元素具有低熔点、低蒸汽压，及良好的抗氧化能力。

聚焦离子束显微境的基本功能可分为四种，即：（１）精细切割，利用粒子的物理碰撞来达到切割的目的；（２）选择性的材料蒸镀，以离子束的能量分解有机金属蒸汽或气相绝缘材料，在局部区域作导体或非导体的沉积，可供金属和氧化层的沉积，常见的金属沉积有铂和钨两种。

瑞萨单片机解密

瑞萨单片机解密简介：单片机（MCU）是一种集成了处理器、存储器、输入/输出（I/O）接口和其他功能模块的高度集成的集成电路芯片。

瑞萨电子（Renesas Electronics）是全球领先的半导体制造商之一，其开发和生产了许多用于嵌入式应用的单片机产品。

本文将介绍瑞萨单片机解密，包括解密方法、解密工具及解密的风险和限制等内容。

瑞萨单片机解密方法：1. 逆向工程：逆向工程是一种常用的单片机解密方法。

逆向工程的主要目标是通过分析和破解单片机的硬件和软件来还原其原始的功能和代码。

逆向工程单片机需要特定的技术和知识，例如芯片翻新、硬件分析、软件逆向等。

2. 物理攻击：物理攻击是指通过直接对芯片进行物理操作，如聚焦离子束（FIB）切割、电子显微镜（SEM）观察、电子探针测试等手段来获取单片机内部的信息。

这种方法需要现代技术设备和专业知识，对硅芯片产生的痕迹相当微小，需要仔细检查。

3. 仿真方法：仿真方法是通过将单片机连接到特定设备上并使用仿真软件对其进行分析和研究来进行解密。

通过仿真工具，可以观察和分析单片机的内部运行状态、内存使用、输入输出等。

瑞萨单片机解密工具：1. 硬件解密工具：硬件解密工具是一种专业的设备，用于对芯片进行物理攻击，例如电子显微镜（SEM）、离子束切割机等。

这些工具可以对芯片进行操作和分析，以获取内部的关键信息。

2. 软件解密工具：软件解密工具是一种用于逆向工程的软件应用程序，可以对单片机的二进制代码进行分析和破解。

这些工具可以还原出单片机的原始代码，并提供一些附加功能，如代码优化、调试等。

解密的风险和限制：1. 法律风险：解密单片机可能涉及到侵犯知识产权的法律问题。

许多国家和地区对知识产权保护有严格的规定，对于未经授权的解密行为可能会面临法律追究。

2. 成本和时间限制：单片机解密需要大量的时间和资源，例如专业知识和设备。

对于复杂的单片机来说，解密的成本和时间可能非常高，甚至可能无法获取所需的信息。

芯片切片分析的总结

芯片切片分析的总结随着半导体封装工艺越来越多样，芯片种类也越来越多样化，对芯片切片是观察其内部结构的主要途径，特别是对于很多封装厂来说，由于缺乏对芯片结构的了解，在产品导入过程时，往往缺乏一些可以考量的依据，如：铝层厚度多少，芯片内部线路结构如何等等问题，而目前市场上针对裸芯片的切片往往采用精确剖面切片如聚焦离子束（FIB），价钱较为昂贵，时效性也很难把控。

而且大部分芯片厂和封装厂都不具备这些条件，所以研究低成本的切片技术很有必要。

本论文针对如何使用低成本的机械切片来观察芯片结构做了详细的研究和实验。

机械切片是一项低成本的切片技术，由于精度较低、操作步骤相对复杂，较少应用于芯片的结构的截面观察。

为了在条件不足的情况下对芯片结构进行观察，本文对芯片切片做了详细的说明，该方法可满足大部分情况下对芯片结构观察的需要。

机械切片主要包括取样，镶嵌，研磨和抛光。

取样应根据被检样品的检验目的，还须考虑取样方法和样品是否需要装用夹具或镶嵌等。

镶嵌的目的：根据样品材料和检测要求等，通过选择不同镶嵌材料来满足边缘，易碎样品保护及方便握持，目前半导体行业使用较多的是环氧树脂镶嵌，具有收缩率低，透明度高与试样附着好等优点。

研磨和抛光的主要目的，使试样表面的损伤逐渐减小直到理论上为零的过程，获得光亮无划痕的金相表面。

裸芯片目前主要成分还是以硅为主，而且体积较小，材质较脆，妍磨过程中容易碎裂，所以产品机械研磨必须镶嵌后才能进行，但是芯片镶嵌后样品凝固在镶嵌树脂内，无法看不到样品状态和压区位置，不能有效定位。

而且芯片表面金属层以铝为主，具有延展性，在抛光研磨过程中，抛光布摩擦作用会导致芯片铝层产生延展甚至脱落，导致研磨失败。

本文主要通过改变目前切割裸芯片方法，有效解决了之前研磨存在的无法定位，铝层脱开，延展等问题，大大提高了客户满意度，也解决了时效性的问题，最主要的是降低了研磨切片成本。

IC逆向分析反向设计

IC逆向分析/反向设计目前，由于国内在模拟集成电路设计领域的研究较为薄弱，芯片逆向分析便成为大多数模拟集成电路工程师基础实际模拟电路积累经验的有效途径，IC 反向设计也成为推动国内集成电路设计进步的有效手段。

在IC逆向分析与设计服务中，致芯科技主要提供以下服务内容：用FBI对IC线路进行修改用FIB对芯片电路进行物理修改可使芯片设计者对芯片问题处作针对性的测试,以便更快更准确的验证设计方案.若芯片部份区域有问题,可通过FIB对此区域隔离或改正此区域功能,以便找到问题的症结.FIB还能在最终产品量产之前提供部分样片和工程片,利用这些样片能加速终端产品的上市时间.利用FIB 修改芯片可以减少不成功的设计方案修改次数，缩短研发时间和周期。

对于做芯片解密的客户，可以通过线路修改达到解密的效果。

对单片机、CPLD、FPGA等进行逆向和安全分析对单片机和CPLD以及FPGA等芯片进行分析和测试，做逆向的代码提取以及安全漏洞的测试分析。

IC截面分析用FIB在IC芯片特定位置作截面断层,对材料的截面结构与材质,定点分析芯片结构缺陷.这样可以帮助IC设计人员对IC设计性能的分析。

网表/电路图提取与逻辑功能分析在芯片反向工程中，网表/电路图提取是非常重要的工作。

网表提取的质量和速度直接影响后面整理、仿真和LVS等方方面面的工作。

世纪芯在长期的技术研究中已经成功总结了一套切实可行的规范和方法，可以高质量高速度的提取各种类型电路的网表。

逻辑功能分析网表提取结束后，往往需要进行电路的整理工作，把一个打平的电路进行层次化整理，形成一个电路的层次化结构，以便理解设计者的设计思路和技巧，同时还能达到查找网表错误的目的。

世纪芯通过对电路的各个层次模块的整理和分析，不仅可以充分理解芯片设计者的设计思想和设计技巧，还可以在分析总结先进设计思路的基础上实现自身设计能力的提高。

版图设计版图设计是电路逻辑的物理实现，是集成电路产品实现。

世纪芯在反向设计的基础上提供版图的提取、工艺库替换、目标工艺修改、DRC检查和LVS校验等各种设计服务。

芯片fib

芯片fib芯片是一种微小的电子器件，通常由硅等半导体材料制成，用于存储和处理电信号。

在计算机科学中，斐波那契数列是一个经典的数学问题，定义为前两个数字为1，后续数字为前两个数字之和。

因此，斐波那契数列的前几个数字是1、1、2、3、5、8、13、21等。

将斐波那契数列的前1000个数字存储在芯片中可能需要一定的存储空间和计算能力。

由于斐波那契数列的每个数字都是前两个数字之和，可以使用迭代或递归方法生成数列并将其存储在芯片中。

以迭代方式生成并存储斐波那契数列的思路如下：1. 在芯片中初始化前两个数字为1，即f0 = 1，f1 = 1。

2. 使用循环迭代的方式生成数列前1000个数字，从第三个数开始。

3. 每次迭代，计算当前数字为前两个数字之和，即fn = fn-1 +fn-2。

4. 将生成的数字存储在芯片的相应位置，可以使用二进制形式存储。

递归方式生成斐波那契数列并存储在芯片中的思路如下：1. 在芯片中初始化前两个数字为1，即f0 = 1，f1 = 1。

2. 编写递归函数，接受当前数字的索引作为参数。

3. 在递归函数中，判断当前索引是否达到1000，如果达到，则返回相应的斐波那契数。

4. 否则，计算当前数字为前两个数字之和，即fn = fn-1 + fn-2。

5. 递归调用函数，并将当前索引加1作为参数传入。

6. 将生成的数字存储在芯片的相应位置，可以使用二进制形式存储。

无论使用迭代还是递归方式生成斐波那契数列并存储在芯片中，都需要足够的存储空间和计算能力。

具体的实现细节取决于芯片的规格和编程语言的特性。

芯片反向技术干货：FIB芯片电路修改

芯片反向技术干货：FIB芯片电路修改
在各类应用中，以线路修补和布局验证这一类的工作具有最大经济效益，局部的线路修改可省略重作光罩和初次试作的研发成本，这样的运作模式对缩短研发到量产的时程绝对有效，同时节省大量研发费用。

封装后的芯片，经测试需将两条线路连接进行功能测试，此时可利用聚焦离子束系统将器件上层的钝化层打开，露出需要连接的两个金属导线，利用离子束沉积Pt 材料，从而将两条导线连接在一起，由此可大大缩短芯片的开发时间。

这也是芯片解密常用到手法。

利用聚焦离子束进行线路修改，(A)、(B)将欲连接线路上的钝化层打开，(C) 沉积Pt 材料将两个线路连接起来。

其实FIB 被应用于修改芯片线路只是其功能之一，这里介绍一下另几个功能：样品原位加工
可以想象，聚焦离子束就像一把尖端只有数十纳米的手术刀。

离子束在靶材表面产生的二次电子成像具有纳米级别的显微分辨能力，所以聚焦离子束系统相当于一个可以在高倍显微镜下操作的微加工台，它可以用来在任何一个部位溅射剥离或沉积材料。

图1 是使用聚焦离子束系统篆刻的数字;图2 则是在一个纳米带上加工的阵列孔;图3 是为加工的横向存储器单元阵列。

剖面制备观察
微电子、半导体以及各型功能器件领域中，由于涉及工艺较多且繁杂。

一款器件的开发测试中总会遇到实际结果与设计指标的偏差，器件测试后的失效，逻辑功能的异常等等，对于上述问题的直观可靠的分析就是制备相应的器件剖面，从物理层次直观的表征造成器件异常的原因。

诱导沉积材料。