五邑大学模电2010-2011(2)模拟电子技术基础A(答案)
模拟电子技术基础课后答案(共10篇)
模拟电子技术根底课后答案(共10篇)模拟电子技术根底课后答案〔一〕: 模拟电子技术根底第三版课后习题答案网上有很多课后题答案网站,我知道一个天天learn网站,我之前在上面找过英语的答案,没找过模电的,因为我模电买的参考书,上网找太费力了,你还不如去买本参考书了,理科的东西只看是不行的模拟电子技术根底课后答案〔二〕: 求模拟电子技术作业答案,单项选择题:1.差分式放大电路由双端输入变为单端输入时,其空载差模电压增益〔〕A.增加一倍B.不变C.减少一半D.减少一倍2.表征场效应管放大能力的重要参数是( ).A.夹断电压VpB.开启电压ViC.低频互(跨)导gmD.饱和漏电流IDss3.桥式RC正弦波振荡器中的RC串并联网络的作用为〔〕.A.选频正反应B.选频负反应C.放大负反应D.稳幅正反应4.某传感器产生的是电压信号〔几乎不提供电流〕,经过放大后希望输出电压与信号成正比,放大电路应是〔〕电路.A.电流串联负反应B.电压串联负反应C.电流并联负反应D.电压并联负反应5.BJT的两个PN结均正偏或均反偏时,所对应的状态是〔〕A.截止或放大B.截止或饱和C.饱和或截止D.已损坏多项选择题:1.放大电路的三种组态中,只能放大电压或放大电流的是〔〕.A.共射组态B.共集组态C.共基组态D.02.直流稳压电源包括以下哪些电路〔〕A.起振电路B.选频网络C.稳压电路D.滤波电路3.在信号的运算中,往往把运算放大器视为理想的放大器,在运算过程中,利用其两个重要的特性,它们是〔〕A.抑制共模信号B.放大差模信号C.虚短D.虚断4.差动放大电路〔〕A.能抑制零漂B.提高输入电阻C.减小输出电阻D.增益与输出方式有关5.在根本放大电路中,三极管通常不处于〔〕工作状态.A.甲类B.乙类C.甲乙类D.丙类判断题:1.在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功耗也最大.〔〕A.错误B.正确2.双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用,结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出,可以互换使用.〔〕A.错误B.正确3.两个单极放大电路空载的放大倍数均为—50,将他们构成两级阻容耦合放大器后,总的放大倍数为2500.〔〕A.错误B.正确4.直流负反应是指直流通路中的负反应.〔〕A.错误B.正确5.正弦振荡电路是一个没有输入信号的带选频网络的负反应放大电路.〔〕A.错误B.正确6.反相比例运算电路引入的是负反应,同相比例运算电路引入的是正反应.〔〕A.错误B.正确7.电流负反应可以稳定输出电流,电压反应可以稳定输出电压.( )A.错误B.正确2.直流稳压电源包括以下哪些电路〔BCD 〕A.起振电路B.选频网络C.稳压电路D.滤波电路5.在根本放大电路中,三极管通常不处于〔ABD 〕工作状态.A.甲类B.乙类C.甲乙类D.丙类3.在信号的运算中,往往把运算放大器视为理想的放大器,在运算过程中,利用其两个重要的特性,它们是〔CD 〕A.抑制共模信号B.放大差模信号C.虚短D.虚断4.差动放大电路〔AD 〕A.能抑制零漂B.提高输入电阻C.减小输出电阻D.增益与输出方式有关判断题:1.在功率放大电路中,输出功率最大时,功放管的功耗也最大.〔A 〕A.错误B.正确2.双极型三极管的发射极和集电极不能互换使用,结型场效应管的源极和漏极是由同一种杂质半导体中引出,可以互换使用.〔B 〕A.错误B.正确3.两个单极放大电路空载的放大倍数均为—50,将他们构成两级阻容耦合放大器后,总的放大倍数为2500.〔A 〕A.错误B.正确4.直流负反应是指直流通路中的负反应.〔A 〕A.错误B.正确模拟电子技术根底课后答案〔三〕: 有没有《电工与电子技术根底》主编毕淑娥的课后练习答案我有不齐全的模拟电子技术根底课后答案〔四〕: 模拟电子技术根底题,1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管,稳压时工作在〔〕状态,但其两端电压必须〔〕,它的稳压值才有导通电流,否那么处于〔〕状态.A、正偏B、反偏C、大于D、小于E、导通F、截止2、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V,那么三个电极分别是〔〕,该管是〔〕型.A、〔B、C、E〕 B、〔C、B、E〕 C、〔E、C、B〕D、〔NPN〕E、〔PNP〕3、对功率放大器的要求主要是〔〕、〔〕.A、Uo高B、Po大C、功率大D、Ri大E、波形不失真4、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为〔〕,此时应该〔〕偏置电阻.A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小5、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为〔〕,此时应该〔〕偏置电阻.A、饱和失真B、截止失真C、交越失真D、增大E、减小很简单.1、B；C；F；2、C；D；3、B、E4、B、E；5、B、E〔重复了〕模拟电子技术根底课后答案〔五〕: 模拟电子技术晶体管放大电路问题来自课本,《模拟电子技术根底》第四版华成英童诗白主编1.第96页中图2.3.13〔d〕中1/h22〔即rce〕的电流方向如何请看97页式〔2.3.7b〕是不是可以判断.2.再看第103页图2.2.5〔a〕,如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,看是不是和1问的电流方向有点矛盾3.再看第194页图4.2.10〔b〕中rce1和rce2的电流方向,和上面的1/h22是一样吗如果一样,能推出第195页式(4.2.15)的结果吗1/h22 和rce1和rce2应该都是ce之间动态电阻.请问rce中的电流方向到底如何谢谢requis能答复得这么详细,不过对你的答复我有些疑问,以下为疑问和我的理解：1.首先1/h22e是个电阻量,它本身没有符号,流过它的电流方向要看它两端的电压方向,如果图中Uce真实方向如图中所示,电流确实向下.但是你注意第97页式2.3.6b和前一页图2.3.13〔c〕中的负载线,可以知道dic(即Ic)和duce(即Uce)这两者变化关系是相反的,即当Ic增加时Uce就会减小,也就是说Ic为正时Uce就为负,也就是说1/h22电流方向与Ic相反了.实际你可以从图2.3.13〔c〕中的负载线上直观的看到ic增大〔相当于dic为正〕,Q点上移,Uce减小,由ic-Uce曲线可知ic随Uce减小而减小.说明：Ic与rce电流相反.2.我2问中的图是103页图2.3.18,正常如果图中假设考虑rce的影响,放大倍数会出现形如Au=-(βrce//Rc//Rl)/rbe,试问：如果rce电流方向真的由上向下,Au式中的负号会出现吗同理3问中Au表达式中也有负号,用你说的电流方向是矛盾的.1问其实2．3．13d这个图是等效电路模型,电流方向怎样取都没有问题的,公式都能成立.因为等效模型中的参量是可以有负值的,所以我们应该定义这里讨论的,是真实方向.在文中下一页的对h参数方程2．3．7a／b的解释.我们可以知道1／h22为晶体管ce结动态电阻,或称交流内阻.形象的说,如果ib＝0,那么模型中的h12ib为零,等效去掉受控恒流源的时候,ce结就成为一个大电阻,在UBE的作用下产生一个微小的ic值.所以我们可以知道了,1／h22中真实的电流方向是与ic一致的,即图中为向下.因为它本身就是ic的一局部.这点在97页的h参数方程中,ic＝h21eib+h22eUbe,下文中也有说到“第二项由UBE产生一个电流,因而h22e为电导〞.2问：没搞明白,你说的页码跟图号都不对头,“如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,〞也没找到,略过.3问：rce1与1／h22e是一样的,所以电流方向自然一样.而rce2,从图4．2．10b中,或公式4．2．15中,都可以看出,rce1/rce2/RL是并联关系,所以其真实方向也是一致的.不要被图4．2．10a迷惑,那是直流电路,标的也都是直流态的方向.4.2.15公式,表示在RL大到不可忽略rce1/rce2的情况下的Au,这个时候实际上镜流源的意义已经失去.镜流源是为了在实用电路的交流模型中剔除掉Rc 电阻,使实用电路的交流模型能够与图2．3．13d一致〔2．3．13d并非实用电路的交流模型,这点要搞清楚〕.所以实际上4．2．15公式的Au,是不具有实用价值的,因为rce在实际中是不可控参量.所以实际电路,都把RL【模拟电子技术根底课后答案】模拟电子技术根底课后答案〔六〕: 关于PN结的问题《模拟电子技术根底》中说PN结中的内建电场是由于P区带有不能自由移动的负电荷,而N区带有不能自由移动的正电荷,所以PN结之间就会产生一个由N 指向P的内建电场,但是我想问为什么P区会带不能移动的负电荷,N区会带不能移动的正电荷,因为按我的理解,P区也就是P型半导体,它又叫空穴型半导体,所以它内部有可以移动的带正电的空穴,没有不能移动的负电荷,反之,N型半导体中也只有可以移动的自由电子,但到是有不能移动的正电荷,如果按照网上的一些解释,当P区和N区一接触的时候,那么P区的多子——空穴跑到N区,而N区的多子——自由电子跑到P区,效果应该就是一个复合的结果,也就是说,P区的空穴消失,共用电子对形成,共价键变得完整,而这时P区应该是显正电性,因为P型半导体中掺入的硼元素为最外层电子数3的五价元素,所以它应该显正电,N区也是显正电性.你说的pn结导电的意思就是通了外电压吧,没通外电压时p区的多子是空穴、通电后空穴会向n区运动,当然这个过程中存在离子复合、但并不是所有空穴都会复合模拟电子技术根底课后答案〔七〕: 某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化,且信号源的内阻很大,应选用以下哪种负反应某放大器要求其输出电流几乎不随负载电阻的变化而变化,且信号源的内阻很大,应选用以下哪种负反应A．(A) 电压串联B．(B) 电压并联C．(C) 电流串联D．(D) 电流并联这是注册电气工程师考试的一道真题,按照一本参考书的理论解释所选答案绝非网上流传的答案,请高手帮助看看哪个才是正确答案,劳烦说明理由.1、要稳定电流,必须用电流反应.2、信号源内阻很大,可以把它视作一个恒流源,可以通过减小放大电路的输入电阻,以使得电路获得更大输入电流,应该使用并联反应.所以D是正确答案.这个题目你可以参考,童诗白的《模拟电子技术根底》第四版,P292页,写得非常清楚.前面的朋友答复的结果不准确.【模拟电子技术根底课后答案】模拟电子技术根底课后答案〔八〕: 电路与模拟电子的简单问题求解判断〔1〕半导体三极管的集电极电流仅由多数载流子的扩散运动形成。
五邑大学2012-2013学年二学期模拟电子技术基础期末考试试卷(A卷)
考核人数______ 考核班次_______________ 任课教员_________出题教员签名________ 任课教研室主任签名_______日期_______ 队别__________教学班次___________ 学号___________ 姓名____________…………………………密………………………………封………………………………线………………………………………五邑大学《模拟电子技术基础》期末考试试卷(A 卷题目部分,(卷面共有12题,100分,各大题标有题量和总分一、选择题(1小题,共1分1、对于同一个晶体管来说,CBO I ____CEO I ;(BRCBO U _____(BRCEO U 。
A 、小于,B 、大于, C 、等于二、是非(3小题,共20分1、判断下列说法的正确性,设元件参数改变不会使VT 1、VT 2处于截止或饱和状态。
1.当R e 增大时,则静态工作电流I C2减小( ,差模电压放大倍数d u A不变( ,共模电压放大倍数c u A 减小( ;2.当R c 增大时,则静态工作电流I C2减小( ,差模电压放大倍数d u A增大( ,共模电压放大倍数c u A 不变( 。
V EE ( 12V2、运放中差放输入级负载电阻的失配及其温度系数的不同不会引起附加的失调电压U IO 和失调电压温漂TU d d IO。
(3、判断下列说法是否正确。
1.对于甲类功率放大电路,输出功率越大,晶体管损耗越小;(2.对于乙类功率放大电路,输出功率越大,晶体管损耗越大;(3.在输入电压有效值可以任意增大的情况下,功率放大电路最大输出功率的大小将决定于电源电压和功放管的最小管压降;(4.对于任何功率放大电路,功放管的动态电流都等于负载的动态电流。
(三、改错题(1小题,共6分1、图(a所示为某同学所接的电压比较器,已知集成运放A 为理想运放,其输出电压的最大幅值为±14V ,U Z 小于12V 。
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题：1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流，它由少数载流子形成，其大小决定于温度，而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位，N型侧接低电位称为正向偏置（正偏），反之称为反向偏置（反偏）。
4.PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中，掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同，有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管，当IB 从10μA增大到20μA，IC从1mA增大到2mA，它的β为100，α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时，就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区，而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏，则可判断出x、y、z分别为三极管的集电（C）极、基（B）极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中，用万用表测出管脚对地电压分别是：A脚为12伏，B脚为11.7伏，C脚为6伏，则该管为PNP型锗管，A为发射(E)极，B为基（B）极，C为集电（C）极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区，主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区：分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级，与负载相连接的末级放大电路称为输出级，它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V，接入3KΩ负载后，输出电压变为3V，该放大电路的输出电阻为1KΩ。
五邑大学模拟电子技术基础卷A参考答案
命题人: 廖惜春试卷分类(A 卷或B 卷 A五邑大学试卷学期: 2006 至 2007 学年度第二学期课程: 低频电子线路专业: 班级:姓名: 学号:一、选择题 (共7分1.在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于( CA.掺杂工艺B.杂质浓度C.温度D.晶体缺陷 2.如图A 所示电路由理想二极管组成,其输出电压o u 为( D A.+12V B.+6V C.+3V D. 0V3.若要求提高多级放大器的输入电阻并稳定输出电压,则应当选用( AA.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈4.在某放大电路中,测得三极管三个极的静态电位分别为0V 、-10V 、-9.3V ,则这只三极管为( AA. NPN 型硅管B. NPN 型锗管C. PNP 型硅管D. PNP 型锗管 5. FET 的电流由( A 组成,故称为( D 。
它是通过改变( G来改变漏极电流的。
A. 多子;B. 少子;C. 两种载流子;D. 单极型;E.双极型;F. 栅极电流; G . 栅源电压; H 漏源电压二、填空题 (共13分6. 在差分放大电路中,大小相等、相位相同的两个输入信号称为信号共模输入信号 ;大小相等、相位相反的两个输入信号称为差模输入信号信号。
7桥式整流电容滤波电路是一种将正弦交流电压转换为直流电压的变换电路。
8.若电源变压器副边电压的有效值为2U ,,则半波整流无滤波电容、有负载时的输出电压约为245.0U ;桥式整流有滤波电容、有负载时的输出电压约为22.1U 。
图 A⋅⋅⋅=±=+,2,1,0 π2F A n n ϕϕ ;振荡器起振的幅度条件是 1>AF ,相位条件是⋅⋅⋅=±=+,2,1,0 π2F A n n ϕϕ。
10. 乙类互补对称低频功率放大器存在交越失真,应调整电路结构使其工作在甲乙类。
11. 要使放大器的输入电阻和输出电阻均提高,应采用电流串联负反馈。
模拟电子技术基础(A)参考答案及评分标准
“模拟电子技术基础”试卷（A ）参考答案及评分标准一、 填空题（每空1分，共20分）1、单向导电性；2、3；3、发射极正向偏置，集电极反向偏置；集电区面积做得大，基区很薄，发射区掺杂的杂质浓度高。
4、漂移；5、直接耦合、阻容耦合、变压器耦合、光电耦合；6、三极管极间电容及分布电容；耦合电容；8.提高源电压增益，稳定放大倍数； 8、带阻；带通；9、同相比例；微分；10、饱和失真；增大R b ，减小R c ；截止失真；减小R b ；11、差分放大电路；抑制零点漂移。
二、选择题（每小题2分，共20分）1、A ；2、B ；3、A 、B4、C ；5、A ；6、B ；7、C ；8、C ；9、A ；10、A 、D三、计算题1、解：分析估算如下：100BE1BE2CC =--=RU U V I R μ A （2分）βCC B1C0B2C0E1E2CC1C0I I I I I I I I I I I I R +=+=+==== （4分）1001C =≈⋅+=R R I I I ββμ A （2分）2、解：（1）静态分析：V7.5)( A μ 101mA1V 2e f c EQ CEQEQBQ e f BEQBQ EQ CC b2b1b1BQ =++-≈≈+=≈+-==⋅+≈R R R I V U I I R R U U I V R R R U CC β（4分）动态分析：Ω==Ω≈++=-≈++-=Ω≈++=k 5k 7.3])1([7.7)1()(k 73.2mV26)1(c o f be b2b1i fbe L c EQbb'be R R R r R R R R r R R A I r r uββββ∥∥∥ （4分）（2）R i 增大，R i ≈4.1k Ω；u A 减小，ef 'LR R R A u+-≈ ≈－1.92。
（4分）3、解：解：（1）Q 点：（5分）V56.4)(mA86.1 Aμ 31)1(e c EQ CC CEQ BQ CQ eb BEQ CC BQ =+-≈≈=≈++-=R R I V U I I R R U V I ββuA 、R i 和R o 的分析：Ω==-≈-=Ω≈=Ω≈++=k 3 95)( 952 952mV26)1( c o beL c be b i EQbb'be R R r R R A r R R I r r u∥∥ββ（2）设s U ＝10mV （有效值），则 （5分）mV 304 mV2.3 io s i s ii ≈=≈⋅+=U A U U R R R U u 若C 3开路，则mV 4.14mV6.95.1k 3.51])1([io is ii e L c e be b i ≈=≈⋅+=-=-≈Ω≈++=U A U U R R R U R R R A R r R R u s u∥∥β4、解应引入电压串联负反馈，如解图所示。
(完整word版)模拟电子技术基础,课后习题答案
模拟电子技术基础第一章1.1 电路如题图1.1所示，已知()5sin i u t V ω=，二极管导通电压降D 0.7V U =。
试画出i u 和o u 的波形，并标出幅值。
解：通过分析可知：(1) 当37V i u .>时，37o u .V = (2) 当37V 37V i .u .-≤≤时，o i u u = (3) 当37V i u .<-时，37o u .V =- 总结分析，画出部分波形图如下所示：1.2 二极管电路如题图1.2所示。
（1）判断图中的二极管是导通还是截止？（2）分别用理想模型和横压降模型计算AO 两端的电压AO U 。
解：对于（a ）来说，二极管是导通的。
采用理想模型来说，6V AO U =-采用恒压降模型来说，67V AO U .=-对于（c ）来说，二极管1D 是导通的，二极管2D 是截止的。
采用理想模型来说，0AO U = 采用恒压降模型来说，07V AO U .=-1.3 判断题图1.3电路中的二极管D 是导通还是截止？用二极管的理想模型计算流过二极管的电流D ?I = 解：（b ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：25101515V 182255U .-⨯+⨯++左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝故此二极管截止，流过的电流值为0D I ＝（c ）先将二极管断开，由KVL 定律，二极管左右两端电压可求出：151525V 255U .⨯+左＝＝，2252005V 182U ..-⨯+左＝＝ 10151V 14010U ⨯+右＝＝由于05V U U .-=右左，故二极管导通。
运用戴维宁定理，电路可简化为05327μA 153D .I ..==1.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示，在图中标出三个电极，并说明它们是硅管还是锗管。
解： T1: 硅管，PNP ，11.3V 对应b, 12V 对应e, 0V 对应cT2: 硅管，NPN ，3.7V 对应b, 3V 对应e, 12V 对应c T3: 硅管，NPN ，12.7V 对应b, 12V 对应e,15V 对应c T4: 锗管，PNP ，12V 对应b, 12.2V 对应e, 0V 对应c T5: 锗管，PNP ，14.8V 对应b, 15V 对应e, 12V 对应c T6: 锗管，NPN ，12V 对应b, 11.8V 对应e, 15V 对应c 模拟电子技术基础 第二章2.2 当负载电阻L 1k R =Ω时，电压放大电路输出电压比负载开路（L R =∞）时输出电压减少20%，求该放大电路的输出电阻o r 。
电子科大模电期末真题10~11.doc
电子科大模电期末真题10~11学院___________________ 系别____________ 班次_____________ 学号__________ 姓名________________………….……密…..……….封……..……线………..…以………..…内………....答…………...题…………..无…….….效…..………………..电子科技大学二零一零至二零一一学年第 1 学期期末考试模拟电路基础课程考试题A卷（120 分钟）考试形式：开卷考试日期2011年1 月 5 日课程成绩构成：平时20 分，期中20 分，实验0 分，期末60 分一二三四五六七八九十合计复核人签名得分签名一、填空题（共30分，共 15个空格，每个空格2 分）1、共发射极放大器（NPN管），若静态工作点设置偏高，可能产生_饱和__失真，此时集电极电流会出现__上___（上、下）削峰失真。
2、某晶体管的极限参数P CM = 200 mW，I CM = 100 mA，U(BR)CEO = 30 V，若它的工作电压U CE为10 V，则工作电流不得超过20 mA；若工作电流I C = 1 mA，则工作电压不得超过30 V。
4、电路及直流测试结果如图1所示，分别指出它们工作在下列三个区中的哪一个区(恒流区、夹断区、可变电阻区)。
得图1(a) 恒流区 ; (b) 可变电阻区 。
5、由三端集成稳压器构成的直流稳压电路如图2所示。
已知W7805的输出电压为5V ，I Q ＝10 mA ，晶体管的β＝50，|U BE |＝0.7 V ，电路的输入电压U I ＝16 V ，三极管处于放大 （放大，饱和，截止）状态， R 1上的电压为 5.7 V ，输出电压U o 为 9 V 。
图26、设图3中A 均为理想运放，请求出各电路的输出电压值。
U 01= 6 V; U 02= 6 V; U 03= 4 V; U 04= 10 V; U 05= 2 V; U 06= 2 V 。
模拟电子电路学习基础试题及其答案解析(大学期末考试-题)
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
（完整版）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二（1）
（完整版）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二（1）模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷二(本科)及其参考答案试卷二一、选择题（这是四选一选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共22分）1．某放大电路在负载开路时的输出电压4V ，接入Ωk 12的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（）a. 10Ωkb. 2Ωkc. 4Ωkd. 3Ωk2．某共射放大电路如图1-2所示，其中Ω=Ω=k 2,k 470c b R R ，若已知I C =1mA,V CE =7V ，V BE =0.7V ，r be =1.6Ωk ,50=β，则说明（）a. 107.07BE CE i o ====V V V V A V &&&b. 37.021BE c C i o -=?-=-==V R I V V A V &&&c. 5.62//be b c i c i b c C i o -≈-=-=-==r R R R R R I R I V V A V ββ&&&d. 5.626.1250be c i o -=?-=-==r R V V A V β&&&图1-23．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入（）。
a. 共射电路b. 共基电路c. 共集电路d. 共集-共基串联电路4. 在考虑放大电路的频率失真时，若i v 为正弦波，则o v （）a. 有可能产生相位失真b. 有可能产生幅度失真和相位失真c. 一定会产生非线性失真d. 不会产生线性失真5. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（）。
a. 开环或正反馈状态b. 深度负反馈状态c. 放大状态d. 线性工作状态6. 多级负反馈放大电路在（）情况下容易引起自激。
a. 回路增益F A &&大b. 反馈系数太小c. 闭环放大倍数很大d. 放大器的级数少7. 某电路有用信号频率为2kHz ，可选用（）。
《模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电子技术基础》典型习题第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出u i 与u O的波形，并标出幅值。
图P1.1 解图P1.1 解：波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2（a）所示，其输入电压u I1和u I2的波形如图（b）所示，二极管导通电压U D＝0.7V。
试画出输出电压u O的波形，并标出幅值。
图P1.2解：u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.6测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.6所示。
在圆圈中画出管子，并分别说明它们是硅管还是锗管。
图P1.6解：晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如解表P1.6所示。
1.7 电路如图P1.7所示，试问β大于多少时晶体管饱和？图P 1.7解：取U CES ＝U BE ，若管子饱和，则Cb CBE CC b BE CC R R R U V R U V ββ=-=-⋅所以，100Cb=≥RRβ时，管子饱和。
1.8 分别判断图P1.8所示的各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。
图P1.8解：（a）可能（b）可能（c）不能（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。
（e）可能第二章基本放大电路2.1分别改正图P2.1所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
图P2.1解：（a ）将－V CC 改为＋V CC 。
（b ）在＋V CC 与基极之间加R b 。
（c ）将V BB 反接，且在输入端串联一个电阻。
（d ）在V BB 支路加R b ，在－V CC 与集电极之间加R c 。
2.3电路如图P2.3所示，晶体管的β＝80，'bb r=100Ω。
分别计算R L ＝∞和R L ＝3kΩ时的Q 点、u A、R i和R o。
图P2.3解：在空载和带负载情况下，电路的静态电流、r be 均相等，它们分别为Ω≈++=≈=≈--=k 3.1mV26)1(mA76.1 Aμ 22EQbb'be BQ CQ BEQb BEQ CC BQ I r r I I RU R U V I ββ空载时，静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为Ω==-≈⋅+≈Ω≈≈=-≈-=≈-=k 593k 3.1308V 2.6 c o bes bebe be b i becc CQ CC CEQ R R A r R r A r r R R r R A R I V U uusu∥βR L ＝5k Ω时，静态管压降、电压放大倍数分别为47115V3.2)(bes bebe'LL c CQ Lc LCEQ -≈⋅+≈-≈-=≈-+=uusu A r R r A r R A R R I R R R U β∥Ω==Ω≈≈=k 5k 3.1c o be be b i R R r r R R ∥2.4 电路如图P2.4所示，晶体管的β＝100，'bb r=100Ω。
模拟电子技术习题集参考答案
第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、解：U O1＝6V，U O2＝5V。
五、解：u i和u o的波形如题5解图所示。
题6解图题5解图六、解：u i和u o的波形如题6解图所示。
题6解图七、解：1、当U I＝10V时，若U O＝U Z＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。
故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I ＝15V 时，稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ，所以U O ＝U Z ＝6V同理，当U I ＝35V 时，U O ＝U Z ＝6V 。
2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA ＞I ZM ＝25mA ，稳压管将因功耗过大而损坏。
八、解：波形如题8解图所示。
题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ；硅，锗；电子和空穴。
(完整版)模拟电子技术基础期末考试试题及答案
《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题：（每空1分共40分）1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。
2、漂移电流是（温度）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。
3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（0 ），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。
5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。
6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（变小），发射结压降（不变）。
7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共基）、（共射）、（共集）放大电路。
8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（电压并联）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（串联）负反馈。
9、负反馈放大电路和放大倍数AF=（1/（1/A+F）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数AF=（1/ F ）。
10、带有负反馈放大电路的频带宽度BWF=（）BW，其中BW=（），（）称为反馈深度。
11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（）信号。
12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（）失真，而采用（）类互补功率放大器。
13、OCL电路是（）电源互补功率放大电路；OTL电路是（）电源互补功率放大电路。
14、共集电极放大电路具有电压放大倍数（），输入电阻（），输出电阻（）等特点，所以常用在输入级，输出级或缓冲级。
15、差分放大电路能够抑制（）漂移，也称（）漂移，所以它广泛应用于（）电路中。
16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为（），未被调制的高频信号是运载信息的工具，称为（）。
17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=（），电路符号是（）。
二、选择题（每空2分共30分）1、稳压二极管是一个可逆击穿二极管，稳压时工作在（）状态，但其两端电压必须（），它的稳压值Uz才有导通电流，否则处于（）状态。
模拟电子技术基础习题及答案
模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2016.9.15目录第1 章习题及答案 (1)第2 章习题及答案 (14)第3 章习题及答案 (36)第4 章习题及答案 (45)第5 章习题及答案 (55)第6 章习题及答案 (70)第7 章习题及答案 (86)第8 章习题及答案 (104)第9 章习题及答案 (117)第10 章习题及答案 (133)模拟电子技术试卷1 (146)模拟电子技术试卷2 (152)模拟电子技术试卷3 (158)第 1 章习题及答案1.1 选择合适答案填入空内。
（1）在本征半导体中加入元素可形成N 型半导体，加入元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价（2）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（3）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小（4）稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿解：（1）A、C （2）A （3）A （4）C写出图P1.2.1 所示各电路的输出电压值，设二极管是理想的。
（1）（2）（3）图P1.2.1解：（1）二极管导通U O1=2V （2）二极管截止U O2=2V （3）二极管导通U O3=2V 写出图P1.2.2 所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
（1）（2）（3）图P1.2.2解：（1）二极管截止U O1=0V （2）二极管导通U O2=-1.3V （3）二极管截止U O3=-2V 电路如P1.3.1 图所示，设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V，试判断下图中各二极管是否导通，并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解：二极管D1截止，D2导通，U O=-2.3V电路如图P1.3.2 所示，已知u i＝10sinωt(v)，试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3.2解：当u i>0V 时，D 导通，u o =u i；当u i≤0V 时，D 截止，u o=0V。
完整word版,《模拟电子技术基础》A卷及答案
一、选择题1.为了增大输出电阻，应在放大电路中引入 A ；A、电流负反馈B、电压负反馈C、直流负反馈D、交流负反馈2.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为____ B _____失真，下半周失真时为____ A ____失真。
A、饱和B、截止C、交越D、频率3.三端集成稳压器CXX7805的输出电压是____ A _____A、5vB、9vC、12vD、8v4.两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为 B 。
A、βB、β2C、2βD、1+β5.直流电压表测得放大电路中某三极管各管脚电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是____C____。
A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、A、B、C均可6.集成运放的互补输出级采用 B 。
A、共基接法B、共集接法C、共射接法D、差分接法7. 稳压管的稳压区是其工作在 D 状态。
A、正向导通B、反向截止C、饱和D、反向击穿8.晶体管能够实现放大的外部条件是 B 。
A、放射结正偏，集电极正偏B、放射结正偏，集电极反偏C、放射结反偏，集电极正偏D、放射结反偏，集电极反偏9.测得晶体管三个电极的静态电流分别是0.06mA，3.66mA和3.6mA，则该管的β为 A 。
A、60B、61C、100D、5010.射极输出器的特点是 C 。
A、。
uA＜1，输入电阻小，输出电阻大B、。
uA＞1，输入电阻大，输出电阻小C、。
uA＜1且。
uA≈1，输入电阻大，输出电阻小D、。
uA＞1，输入电阻小，输出电阻大11.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是 C 。
A.电阻阻值有误差B.晶体管参数的分散性C.晶体管参数受温度影响D.电源电压稳定12.对于结型场效应管，当| u GS | ＞ | U GS （off ） | 时，管子一定工作在 C 。
A 、恒流区B 、可变电阻区C 、截止区D 、击穿区13.负反馈放大电路产生自激振荡条件是 B 。
A 、AF=1B 、1-=。
模拟电子技术基础-五邑大学
附件2《低频电子线路》教学大纲课程英文名称：Low Frequency Electronics Technique Fundamentals 课程编号：005A1630 学时：56＋16（实验）学分：4.0一、课程教学对象（宋体小三号字）低频电子线路（又称模拟电子技术基础、电子线路基础等）是电子信息与通信类、电气工程及自动化类、自动控制类、仪器仪表类以及计算机应用类等专业的重要技术基础课。
是信息学院教学平台的重要必修课程之一。
本课程教学对象为五邑大学信息学院：电子信息工程、通信工程、电气工程及其自动化、自动化、交通控制工程、计算机应用工程、软件工程等专业的本科学生。
二、课程性质、目的和任务（宋体小三号字）本课程是五邑大学信息学院各专业本科学生必修的重要专业技术基础课程之一。
该课程包括理论教学(56学时)和实践教学(16学时)两个环节。
本课程的作用与任务是：使学生获得电子技术和线路方面的基本理论、基本知识和基本技能。
通过理论课的教学，学生应了解半导体器件的结构与基本工作原理，掌握放大器、比较器、稳压器等电路的组成原理、性能特点、基本分析方法和工程计算及应用技术。
熟悉半导体器件的外部特性与测试方法；掌握各种基本放大电路的组成、工作原理、分析方法和典型应用，注重培养学生的工程应用能力和创新精神；在学习分离元件放大电路的基础上，学习通用集成运算放大器的结构、工作原理和特点，掌握由集成运算放大器组成的各种典型基本运算电路的组成和分析方法；熟悉集成直流稳压器的应用电路。
培养学生分析问题和解决问题的能力，为以后深入学习电子技术某些领域中的内容，以及为电子技术在实际中的应用打下基础。
本课程是一门实践性较强的课程。
学生应结合理论教学的进度，通过实践教学环节的训练，进一步加深对器件特性和各种单元电路工作原理的理解，培养分析问题和解决问题的能力和实际动手能力。
初步掌握模拟低频电子线路的工程设计与测试方法，学会正确使用常用电子仪器、工具，掌握常用元器件的测试方法和电路参数的测试方法。
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命题人： 徐秀平 审核人： 试卷分类（A 卷或B 卷） A
五邑大学 试 卷（答案）
学期： 2010 至 2011 学年度 第 二 学期 课程： 模拟电子技术基础 课程代号： 005A1670
使用班级： 信息工程学院09级 姓名： 学号：
选
择 题 (共8分)
1 半导体二极管若看做一个电阻，则具有（B ）。
A ．线性 B. 非线性 C 恒流性 D 恒压性
2. 若测得晶体三极管在放大电路中的三个极的电位为V B =1.2V ，V E =0.9V ，V C =6V ，则晶体三极管处
于（ C ）工作状态
A. 饱和
B. 截止
C.放大
D. 击穿
3. 今测得晶体三极管3个电极的电流为I 1
=2mA ，I 2 =–0.02mA ，I 3 =–1.98mA ，
如图1–1所示，则此三极管的三个电极为（ D ）。
A. （b
，c ，e ；NPN ） B. （c ，b ，e ；PNP ） C.（e ，c ，b ；NPN ） D. （e ，b ，c ；PNP ）
4. 为了抑制直接耦合多级放大电路的零点漂移，一般在输入级采用（ C ）。
A ．共发射极放大电路
B ．射极输出器
C ．差分放大电路
D ．功率放大电路
5. 甲乙类互补对称功率放大电路的静态工作点是在功放管输出特性的（ D ）。
A. 饱和区
B. 放大区 C 截止区 D. 放大区但靠近截止区
6. 为了减小放大电路从信号源索取电流，一般引入（ C ）负反馈电路。
A. 电压
B. 电流
C. 串联
D. 并联
7. RC 文氏桥正弦波振荡电路是利用电阻和电容组成（ C ）的振荡电路。
A. 放大电路 B. 负反馈电路
C. 选频网络
D. 稳幅网络
8.整流电路如图1–2所示, 设变压器副边电压有效值为u 2， 若二极管D 2开路，则输出电压平均值为U o 为（ C ）。
1
-1图3
二、填 空 题 (每空１分，共 18分)
1. 硅二极管的死区电压典型值为__0.5V__，导通电压的典型值为__0.7V__。
2. 在BJT 三极管放大电路中，电源电压为U CC =12V 。
若测得三极管的集射极电压U CE =5V ，则此时三极管处于__放大___状态；若U CE =0.5V ，则此时三极管处于_饱和___状态；若U CE ≈12V ，则此时三极管处于_截止__状态。
3. 射极输出器可作为多级放大电路的输出级是由于其输出电阻___低__，可以提高带负载能力。
4. 理想运算放大器的主要条件：开环差模电压放大倍数为_无穷大__，差模输入电阻为__无穷大___，输出电阻为_零_；工作在线性区时，具有_虚短_和__虚断__两个特点。
5. 在放大电路中，若稳定静态工作点，则要采用__直流__反馈；在直流稳压电源电路中，需采取_电压_负反馈；而对于大功率LED 的恒流驱动电路中，应接入_电流_负反馈。
6. 直流稳压电源主要是由__变压_、__整流__、_滤波_和_稳压_四部分组成。
综 合 题 (共74分)
三、(5分)
半导体二极管电路如图3所示，假设二极管为理想二极管，且t u ωsin 10i =V ，写出二极管导通和截止的条件，并画出输出电压的波形。
解：当u i ≤ 5V 时，二极管导通，u o =5V ；（2
当u i > 5V 时，二极管截止，u o = u i ；（2分）
输出电压波形如图。
（1分）
四、(20分)
共发射极放大电路如图4所示，若V 6.0BE =U ，β ＝50， (1) 估算静态值I C 、I B 和U C E ； (2) 画出微变等效电路；（3）求该电路的电压放大倍数∙
u A 、输入电阻i R 和输出电阻R o ；（4）说明R e1 和R e2的作用。
解： （1） V 31220
6020
CC b2b1b2B =⨯+=+=
U R R R U （2分）
mA .807
.23.06
.03e e BE B C =+-=+'-≈
R R U U I （1分）
8
.0I u u
（2分）
（2）（4分）
（3）
（1分）
（3分）
（2分）
（2分）
（4）R e1提高输入电阻，R e2稳定静态工作点。
（2分）
五、(12分)
场效应管放大电路如图5所示，已知g m=1.2mA/V，R G1=180KΩ，R G2=20KΩ，R G3=1MΩ，R=2KΩ，R D=3KΩ，R L=27KΩ，U DD=30V。
（1）画出微变等效电路；（2）求电压放大倍数V
A
∙
、输入电阻
i
R和输
出电阻
R。
解：（1）（4分）
(2)
（4分）
（2分）
（2分）
CC
u o
V
4.8
)7.2
3.0
6(
8.0
12
CE
=
+
+
⨯
-
≈
U
L
∙
U
6.8
3.0
)
50
1(
85
.1
6
//
6
50
)
1(e
be
L
i
o
u
-
=
⨯
+
+
⨯
-
=
+
+
'
⋅
-
=
=
R
R
U
U
A
r
.
.
β
β
kΩ
8
]3.0
)
50
1(
85
.1
//[
20
//
60
]
)
1(
//[
//e
be
2
b
b1
i
≈
⨯
+
+
=
+
+
=R
r
R
R
Rβ
kΩ
85
.1
8.0
26
)
50
1(
200
26
)
1(
200
E
be
=
⨯
+
+
=
+
+
≈
I
rβ
kΩ
6
c
o
=
≈R
R
∙
∙
42.3-
/
L
m
i
o
u
=
-
=
=
∙
∙
∙
R
g
U
U
A
Ω
≈
+
=M
1
//
G2
G1
G3
i
R
R
R
R
Ω
=
≈K
3
D
o
R
R
六、(15分)
差分放大电路如图6所示，已知U CC =U EE =12V ,三极管的50=β，Ω='300b b r ，U BE = 0.7V ， (1) 求T 1和T 2的静态工作点I B 、I C 和U CE ； (2) 求双入/双出差模电压放大倍数A u d 、共模电压放大倍数A u c 和共模抑制比K CMRR ；（3）求差模输入电阻 R id 和输出电阻R od 。
解：（1）I C = 50μA I B = 1μA
U C E = 12–0.05×100+0.7 =7.7V （2） A u d =–17.9 A u c =0 K CMRR =∞ （3）
七、(10分)
电路如图7所示，其中A 1和A 2为理想运算放大器，已知R 1 = R 4，R 2 = R 3，写出输出电压u o 的表达 式。
6
图
i
u 7
图
八、(6分)
放大电路如图8所示，判断级间反馈,说明是正反馈还是负反馈，是直流反馈还是交流反馈，其反馈类型是什么。
九（6分）已知图9所示放大电路中引入了深度负反馈，试写出该放大电路的反馈信号f u 、反馈系数F u 及闭环电压放大倍数A uf 的表达式。
o
CC
U +o
u 图 7。