模拟电子技术基础课后答案(黄丽亚著)(机械工业出版社)
《模拟电子技术基础》习题参考答案
《模拟电子技术基础》习题及参考答案一、填空题:1.半导体中有自由电子和空穴两种载流子参与导电。
2.半导体中由漂移形成的电流是反向电流,它由少数载流子形成,其大小决定于温度,而与外电场无关。
3.PN结的P型侧接高电位,N型侧接低电位称为正向偏置(正偏),反之称为反向偏置(反偏)。
4.PN结最重要的特性是单向导电性,它是一切半导体器件的基础。
在NPN型三极管中,掺杂浓度最大的是发射区。
5.晶体三极管因偏置条件不同,有放大、截止、饱和三种工作状态。
6.晶体三极管的集电极电流Ic=βI B所以它是电流控制元件。
7.工作在放大区的晶体管,当IB 从10μA增大到20μA,IC从1mA增大到2mA,它的β为100,α为1。
8.通常晶体管静态工作点选得偏高或偏低时,就有可能使放大器的工作状态进入饱和区或截止区,而使输出信号的波形产生失真。
9.测得某正常线性放大电路中晶体管三个管脚x、y、z对地的静态电压分别为6.7伏、2.4伏、1.7伏,则可判断出x、y、z分别为三极管的集电(C)极、基(B)极、发射(E)极。
10.一只晶体管在放大电路中,用万用表测出管脚对地电压分别是:A脚为12伏,B脚为11.7伏,C脚为6伏,则该管为PNP型锗管,A为发射(E)极,B为基(B)极,C为集电(C)极。
11.稳压二极管工作在反向击穿区,主要用途是稳压。
12.稳压二极管稳压时是处于反向偏置状态,而二极管导通时是处于正向偏置状态。
13.晶体管电流放大系数是频率的函数,随着频率的升高而下降。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
14.场效应管的输出特性曲线可分为三个区:分别是可变电阻区、恒流区、击穿区。
15.电子线路中常用的耦合方式有直接耦合和电容耦合。
16.通常把与信号源相连接的第一级放大电路称为输入级,与负载相连接的末级放大电路称为输出级,它们之间的放大电路称为中间级。
17.某放大电路空载输出电压为4V,接入3KΩ负载后,输出电压变为3V,该放大电路的输出电阻为1KΩ。
(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全
第1章习题答案1. 判断题:在问题的后面括号中打√或×。
(1)当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。
(√)(2)当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。
(×)(3)线性电路一定是模拟电路。
(√)(4)模拟电路一定是线性电路。
(×)(5)放大器一定是线性电路。
(√)(6)线性电路一定是放大器。
(×)(7)放大器是有源的线性网络。
(√)(8)放大器的增益有可能有不同的量纲。
(√)(9)放大器的零点是指放大器输出为0。
(×)(10)放大器的增益一定是大于1的。
(×)2 填空题:(1)放大器输入为10mV电压信号,输出为100mA电流信号,增益是10S。
(2)放大器输入为10mA电流信号,输出为10V电压信号,增益是1KΩ。
(3)放大器输入为10V电压信号,输出为100mV电压信号,增益是0.01 。
(4)在输入信号为电压源的情况下,放大器的输入阻抗越大越好。
(5)在负载要求为恒压输出的情况下,放大器的输出阻抗越大越好。
(6)在输入信号为电流源的情况下,放大器的输入阻抗越小越好。
(7)在负载要求为恒流输出的情况下,放大器的输出阻抗越小越好。
(8)某放大器的零点是1V,零漂是+20PPM,当温度升高10℃时,零点是 1.0002V 。
(9)某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V,其最大不失真正电压输出+U OM是14V,最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。
(10)某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内,增益是100V/V,在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V,该放大器的下限截止频率f L是0HZ,上限截止频率f H是250KHZ,通频带f BW是250KHZ。
3. 现有:电压信号源1个,电压型放大器1个,1K电阻1个,万用表1个。
如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗,请写出实验步骤。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。
模拟信号是连续变化的信号,可以表示任意数值;数字信号是离散变化的信号,只能表示有限的数值。
2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。
电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。
模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域;数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。
第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流,并给出它们的单位。
电压(V)是电势差,单位为伏特(V);电流(I)是电荷通过导体的速率,单位为安培(A)。
2.列举常见的电压源和电流源。
常见的电压源有电池、发电机、电源等;常见的电流源有电流表、发电机、电源等。
3.简述欧姆定律的定义和公式。
欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。
根据欧姆定律,电流等于电压与电阻之间的比值,即I=V/R,其中I为电流,V为电压,R为电阻。
第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。
电阻是指导体对电流的阻碍程度,单位为欧姆(Ω)。
2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么?给出示意图。
–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加,即R= R1 + R2 + … + Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加,再取倒数,即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。
串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。
电压分压原理指的是当在一个电阻网络中,多个电阻串联,电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。
电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。
电容是指导体上储存电荷的能力,单位为法拉(F)。
2.串联电容和并联电容的计算方法是什么?给出示意图。
–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加,再取倒数,即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn,其中C为总电容,C1、C2、…、Cn为各个电容值。
模拟电子技术基础第四版课后答案 (3)
模拟电子技术基础第四版课后答案第一章简介1.什么是模拟电子技术?答:模拟电子技术是研究和应用模拟电子电路的一门学科,主要涉及运算放大器、信号发生器、滤波器等模拟电路的设计与分析。
2.为什么需要模拟电子技术?答:模拟电子技术在电子产品设计中起到了至关重要的作用,它可以将模拟信号进行放大、滤波、调制等处理,以满足各种应用需求。
3.模拟信号和数字信号有什么区别?答:模拟信号是连续的信号,能够取无限个可能的值,而数字信号是离散的信号,只能取有限个可能的值。
第二章模拟信号与线性系统1.什么是线性系统?答:线性系统是指其输出与输入之间存在线性关系的系统,即输出信号是输入信号的线性组合。
2.什么是阻抗?答:阻抗是指电路对交流信号的阻碍程度,它是由电阻和电抗两部分组成。
3.如何计算电路的功率?答:电路功率可以通过电压和电流的乘积来计算,即功率等于电压乘以电流。
第三章运算放大器1.什么是运算放大器?答:运算放大器是一种用于放大和处理模拟信号的电子器件,它具有高增益、高输入阻抗和低输出阻抗的特点。
2.运算放大器的特性有哪些?答:运算放大器具有输入阻抗高、增益稳定、频率响应平坦、输出阻抗低等特性。
3.运算放大器的反馈有哪些类型?答:运算放大器的反馈有正反馈和负反馈两种类型。
第四章滤波器1.什么是滤波器?答:滤波器是用于滤除或衰减特定频率信号的电路,分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等类型。
2.滤波器的工作原理是什么?答:滤波器的工作原理是利用电阻、电容和电感等元件来对特定频率的信号进行衰减或通过。
3.什么是通带和阻带?答:通带是指滤波器可以通过的频率范围,而阻带是指滤波器会衰减或阻止的频率范围。
第五章放大器1.什么是放大器?答:放大器是一种用于增加信号幅度的电路,它可以将输入信号放大到较大的幅度,以满足信号处理和传输的要求。
2.放大器的分类有哪些?答:放大器可以根据放大器所用的元件类型(如晶体管、真空管等)和工作方式(如A类放大器、B类放大器等)进行分类。
模拟电子技术基础课后答案(完整版)
第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。
2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。
当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。
3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。
二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。
( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。
( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。
(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。
( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。
( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。
( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。
(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。
式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594T V T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。
当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1eTV V>>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。
模拟电子技术基础答案
模拟电子技术基础答案
模拟电子技术是研究模拟电子系统的设计、制造和应用的科学技术。
它研究电子系统和电子元件的运行特性、理论和技术,以及它们彼此之间的相互作用,以及应用在实际情况下的诊断和调整电子系统的方法。
电子器件的原理和其他器件的概念统称为模拟电子技术。
它也包括探测分析和控制电子系统,使用模拟信号,例如电源、滤波器、放大器等,以及其他种类的电子元件,例如电阻、电容、变压器等。
电子系统使用两种不同类型的技术:模拟技术和数字技术。
模拟技术指对电子信号进行处理的系统,这些信号经常是曲线或幅度改变的,以表示它们的数据。
数字技术指的是将这些信号转换成二进制数据的系统,使它们能够更有效地传输。
我们经常将模拟电子技术和数字电子技术合称为数字模拟技术,因为它们包括了这两种技术。
模拟电子技术主要由以下几个方面组成:
一、模拟电子系统的基本组件,包括电阻、电容、变压器、滤波器、放大器、控制器等;
二、模拟信号,包括波形,频率和幅度等;
三、模拟信号处理,包括滤波、放大、编码和解码等;
四、模拟电路的分析,包括电子电路的模拟分析和电子电路的数
字分析;
五、模拟设计方法,包括电子电路的模拟设计和自动控制的设计;
六、模拟系统的应用,包括模拟电子系统在数据采集、测量和控
制等方面的实践应用。
以上是模拟电子技术的基本介绍,希望能够为大家提供一些帮助。
《模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电子技术基础》典型习题解答第一章半导体器件的基础知识1.1 电路如图P1.1所示,已知u i=5sinωt (V),二极管导通电压U D=0.7V。
试画出u与u O的波形,并标出幅值。
i图P1.1 解图P1.1解:波形如解图P1.1所示。
1.2 电路如图P1.2(a)所示,其输入电压u I1和u I2的波形如图(b)所示,二极管导通电压U D=0.7V。
试画出输出电压u O的波形,并标出幅值。
图P1.2解:u O的波形如解图P1.2所示。
解图P1.21.3 已知稳压管的稳定电压U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA ,最大功耗P ZM =150mW 。
试求图P1.3所示电路中电阻R 的取值范围。
图P1.3解:稳压管的最大稳定电流 I ZM =P ZM /U Z =25mA电阻R 的电流为I ZM ~I Zmin ,所以其取值范围为Ω=-=k 8.136.0ZZ I ~I U U R1.4 已知图P1.4所示电路中稳压管的稳定电压U Z =6V ,最小稳定电流I Zmin =5mA ,最大稳定电流I Zmax =25mA 。
(1) 别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值; (2) 若U I =35V 时负载开路,则会出现什么现象?为什么?图P1.4解:(1)当U I =10V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。
故V33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I =15V 时,若U O =U Z =6V ,则稳压管的电流小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。
故LO I L 5VR U U R R =⋅≈+当U I =35V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V 。
(2)=-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。
《模拟电子技术基础》(国防工业出版社)课后习题答案
〖题1.1〗 (1)杂质浓度,温度(2)呈电中性,呈电中性(3)等于,大于,变窄,小于,变宽(4)反向击穿(5)增大,增大,减小(6)左移,上移,加宽(7)、发射结,集电结(8)一种载流子参与导电,两种载流子参与导电,压控,流控。
〖题1.2〗 二极管电路如图T1.2所示,判断图中二极管是导通还是截止,并确定各电路的输出端电压O U 。
设二极管的导通压降为V 7.0=D U 。
图 T1.2(a )(b )(d )(c)解:(a )U O =U A -U D =-5V -0.7V=-5.7V (b )U O =U B =U C =-5V (c )U O =U A =-0.7V (d )U O =U A =-9.3V〖题1.3〗 二极管电路如图T1.3 (a) 所示,已知(m V )sin 10i t u ω= ,V 2.1=E ,+-Du Di D 8图 T1.3(a)(b)Ω=100R ,电容C 和直流电源E 对交流视为短路,二极管的伏安特性曲线如图T1.3(b)所示,求二极管两端的电压和流过二极管的电流。
解: m A )sin 92.15(d D D t i I i ω+=+=V)sin 01.07.0(d D D t u U u ω+=+=〖题1.4〗 设图T1.4中的二极管D 为理想二极管,试通过计算判断它们是否导通?。
(a)(b)图 T1.4解:(a) A 4110(20)9V 4614U =-⨯+-⨯=-++ B A B 52010V,55U U U =-⨯=->+, 二极管导通;(b) A 2510(15)4V 218520U =-⨯+-⨯=-++B A B 1151V,114U U U =-⨯=-<+, 二极管截止。
〖题1.5〗 在图T1.5所示电路中,已 知ωt(V)sin 10=i u ,二极管的正向压降和反向电流均可忽略。
分别画出它们的输出波形和传输特性曲线)(=i O u f u 。
模拟电子技术基本教程课后习题答案
《模拟电子技术基础简明教程》课后习题答案第一章1-1 二极管的正向电阻愈小愈好,反向电阻愈大愈好。
1-7 ① I Z =14mA ② I Z =24mA ③ I Z =17mA1-13 (a )放大区(b )截止区(c )放大区(d )饱和区(e )截止区(f )临界饱和(g )放大区(h )放大区1-15 (a )NPN 锗管(b )PNP 硅管第二章2-1 (a )无(b )不能正常放大(c )有(d )无(e )有(f )无(g )无(h )不能正常放大(i )无2-7 ②U BQ =3.3V ,I CQ = 2.6mA ,U CEQ =7.2V2-8①饱和失真2-10 ① I BQ = 10μA ,I CQ = 0.6mA ,U CEQ ≈3V②r be = 2.6k Ω③uA =-51.7,R i ≈2.9k Ω, R o =5k Ω 2-11 先估算Q 点,然后在负载线上求Q 点附近的β,最后估算r be 、 u A 、R i 、R o ,可得r be ≈1.6k Ω,uA =-80.6,R i =0.89k Ω, R o =2k Ω 2-14 ① I BQ = 20μA ,I CQ = 1mA ,U CEQ ≈6.1V②r be = 1.6k Ω,uA =-0.94,R i =84.9k Ω, R o =3.9k Ω 2-16 ① I BQ ≈10μA ,I CQ = 1mA ,U CEQ ≈6.4V②r be = 2.9k Ω,当R L =∞时,R e /= R e ∥R L = 5.6k Ω,uA ≈0.99; 当R L =1.2k Ω时,R e /= R e ∥R L = 0.99k Ω,uA ≈0.97。
③当R L =∞时,R i ≈282k Ω;当R L =1.2k Ω时,R i ≈87k Ω ④R o ≈2.9k Ω2-19 (a )共基组态(b )共射组态(c )共集组态(d )共射组态(e )共射-共基组态第三章3-2 如︱u A ︱=100,则20lg ︱uA ︱=40dB; 如20lg ︱u A ︱=80dB,则︱uA ︱=10000。
黄丽亚编模电 习题答案
4.3.9 B|B|B|C 4.3.11 C|B
4.3.10 A|C 4.3.12 B|A
4.3.13 A|C
4.3.14 C|B|C|C
4.3.15 B|B|C|C|A|C 4.3.17 B|B
4.3.16 A|A|B 4.3.18 3MHz|200MHz|100
20
0
1
10 10 2 10 3 10 4 10 5 10 6 10 7 f / Hz
4.3.8 在阻容耦合放大电路中,耦合电容的大小将影响____,线路分布电容的
大小将影响_____,晶体管的极间电容的大小将影响____。试选择正确答案填
空( A、上限截止频率的高低,B、下限截止频率的高低)。
4.3.9 某放大电路电压放大倍数 A&u 的折线近似幅频特性如题图所示。则中频 电压放大倍数 A&um 为____(A、60,B、1000,C、3)倍,下限截止频率为
解解::(1)输入信号为单一频率正弦波,所以不存在频率失真问题。但由于输
入信号幅度较大(为 0.1V),经 100 倍的放大后峰峰值为 0.1×2×100=20V,
题 4.4.1 图
(1)分析该放大器的中频增益 AuI、上限频率 fH 和下限频率 fL、通频带 BW;
(2)当 ui =10sin(4π×106 t)(mV)+20sin(2π×104 t)(mV) 和 ui =10sin(2π×5t)(mV)+20sin(2π×104 t)(mV)时,输出信号有无失真?
Rg
1MΩ ui
VGG
0.1µF
RL 20kΩ
uo
仍为方波,并且周期与输入相同,B、仍为方波,但周期与输入不同,C、波
《模拟电子技术基础》典型习题解答
《模拟电⼦技术基础》典型习题解答《模拟电⼦技术基础》典型习题解答模拟电⼦技术基础习题与解答1章绪论1.2.1在某放⼤电路输⼊端测量到输⼊正弦信号电流和电压的峰-峰值分别为5A µ和5 mV 。
输出端接2k Ω电阻负载,测量到正弦电压信号峰-峰值为1V 。
试计算该放⼤电路的电压增益V A 、电流增益IA 、功率增益P A ,并分别换算成dB 数表⽰。
解:(1)电压增益20010513=?==-iO V V V A )(46200lg 20)(dB dB A V ==∴(2)电流增益 100105102/1/63=??===-iLO iO I I R V I I A )(40100lg 20)(dB dB A I ==∴(3)功率增益20000=?=I V P A A A )(43102lg 104dB A P =?=∴1.2.4 某放⼤器输⼊电阻,10Ω=k R i 如果⽤A µ1电流源驱动,放⼤电路短路输出电流为10,mA 开路输出电压为10V 。
求放⼤电路接Ωk 4负载电阻时的电压增益V A 、电流增益I A 、功率增益P A ,并分别转换成dB 数表⽰。
解:Ω=?==-k I V R OsOO O 11010103100010101064=?===-ii OO iOO VO I R V V V A)(62106.1lg 10)(106.12000800)(662000lg 20)(200010)14(101010101010)(58800lg 20)(80010)14(1041066334463333dB dB A A A A dB dB A R R R A I I A I I A dB dB A R R R A V V A P I V P V LO O ISiO V iOS IS V OL L VOiO V =?=?=?=====?+?=+===?=====?+??=+==∴--功率增益电流增益⽽电压增益第⼀章半导体器件的基础知识1.2 电路如图P1.2(a )所⽰,其输⼊电压u I1和u I2的波形如图(b )所⽰,⼆极管导通电压U D =0.7V 。
黄丽亚编模电 习题答案5
的电路是____;可用作恒流源,且电流 Io 受温度影响最小的电路是____。
+V CC
+V CC
+V CC
I REF
R
Io
I REF R
Io
I REF
R
Io
A、放大倍数越不稳定 B、输入信号中差模成分越小 C、抑制温漂能力越弱 D、交流放大倍数越小 5.3.21 实验电路如题图所示。设调零电位器 RW 滑动端位于中点,试就下列问 题,选择正确答案(A、右移,B、左移,C、不移)填空。 (1)若只因为 Rb1> Rb2,而其它电路参数均对称,则为了使两边单端输出放
学院
姓名
班级
学号
- 54 -
5.3 思考题
5.3.9 威尔逊电流源是_____的一种改进形式。
5.3.1 集成运放是一种多级放大电路,级间采用____耦合方式。
A、直接耦合,
B、阻容耦合,
C、电感耦合,
D、变压器耦合
5.3.2 集成运放的输入级要求其输入阻抗_____。
A、高, B、低, C、适中
≈
−189.87
(3) uo = Aud (uI1 − uI2) = 1.52V
(4)正向最大共模输入电压约为 4.5V
负向最大共模输入电压约为-6V
- 59 -
学院
姓名
5.4.6 电路如题图所示。已知参数如下: U CC =U CE =15V , I =2mA, RC =5KΩ , uid =1.2sinωt(V)
A、放大差模, B、放大共模
C、抑制共模, D、抑制共模,又放大差模
5.3.13 差动放大电路中,当 UI1=300mV,UI2= −200mV,分解为共模输入信号
模拟电子技术课后习题及答案
模拟电子技术课后习题及答案1(总18页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改为P 型半导体。
( )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R GS 大的特点。
( )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零,则其输入电阻会明显变小。
( )解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、选择正确答案填入空内。
(1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽(2)设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC.)1e (S -TU U I(3)稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏(5)U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有。
A. 结型管B. 增强型MOS管C. 耗尽型MOS管解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。
解:U O1≈,U O2=0,U O3≈-,U O4≈2V,U O5≈,U O6≈-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图所示电路中U和O1U各O2为多少伏。
模电作业题答案 黄丽亚_杨恒新_机械工业出版社(汇总)
-5V 2.5V
3AX81
0V (a)
8V
3BX1 3V
6.3V
(b) 题图2.3
6.6V
3CG21 7V (c)
12V 3V
3DG8
0V
(d)
(a) e结正偏,c结反偏,放大状态 (b) e结反偏,c结反偏,截止状态 (c) e结正偏,c结正偏,饱和状态 (d) e结开路,晶体管损坏
u iE IESe UT
(5)增加E,其他参数不变,E 故二极管的交流电阻下降
ID
rD
UT ID
5
1.6
(a)设V1、V2截止,则 uD1 3V uD2 5V 假设不成立; V2正偏电压高,优先导通。再设V1截止,则 uD1 2V 假设成立。Uo 5V
6
1.6
(b)设V1、V2截止,则 uD1 3V uD2 3V 假设不成立; V1导通。再设V2截止,则 uD2 6V 假设成立。
当 ui 2.7V 时,V导通,则 uo ui 0.7V
9
1.7
10
1.7
(b)设V截止,则 uD 2 ui 0.7 V 即 ui 1.3V 此时 uo ui
当 ui 1.3V 时,V导通,则 uo 1.3V
11
1.7
12
1.9
u1、u2中至少有一个为3V,则uo= 3-0.7= 2.3V。 u1、u2均为0时, uo = -0.7V。
故假设成立,管子处于放大状态。
15V RC 2k T RE 1k
(b)
25
2.7
(c) 设管子截止,因 UBE 0.7V
RB 100k
故发射结导通,假设管子处于放大状态
模拟电子技术基础课后答案 黄丽亚著 机械工业出版社
UCC
RB
RC
C
+
V +
RS
+
Ui
Us
RL Uo
题图 2.23
解:(1)计算工作点和
r b
'e
、
rce
。已知
IBQ = 20μ A
则 ICQ = βI BQ = 100 × 0.02 = 2 (mA)
U CEQ
=
U CC
−
IRC
= UCC
− ⎜⎜⎝⎛ ICQ
+
U CEQ RL
⎟⎟⎠⎞ RC
=
答图 1.9 1.10 在题图 1.10 所示电路中,设稳压管的 Uz=5V,正向导通压降为 0.7V。若 ui=10 sinωt(V), 试画出 u0 的波形。
题图 1.10 解:当 ui≥5V 时,Vz 击穿,u0=5V。当 ui≤一 0.7V 时,Vz 正向导通,u0=一 0.7V。
当一 0.7V<ui<5V 时,Vz 截止,u0=ui。由此画出的 u0 波形如答图 1.10 所示。
-0.3V
-5V
8V
2.5V
3AX81
3BX1
3V
0V
6.3V
6.6
V
3V
3CG21
7V
12V 3DG8 0V
(a)
(b)
(c)
(d)
题图 2.3
1
解:题图(a)3AX 为 PNP 锗管, U BE = −0.3 V(正偏),UCE = −4.7 V(反偏),放大状
态 题图(b):e 结反偏,c 结反偏,截止状态 题图(c):e 结正偏,c 结正偏,饱和状态 题图(d):e 结开路,晶体管损坏
模拟电子技术基础第三版课后答案
习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性,管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好,还是小一些好?答:二极管的正向电阻越小越好,反向电阻越大越好。
理想二极管的正向电阻等于零,反向电阻等于无穷大。
习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ,试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大?已知温度每升高10℃,反向电流大致增加一倍。
解:在20℃时的反向电流约为:3210 1.25A Aμμ-⨯=在80℃时的反向电流约为:321080A Aμμ⨯=习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性,它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ,是大一些好还是小一些好?答:动态电阻r Z 愈小,则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小,稳压性能愈好。
一般来说,对同一个稳压管而言,工作电流I Z 愈大,则其动态内阻愈小,稳压性能也愈好。
但应注意不要超过其额定功耗,以免损坏稳压管。
温度系数αU 的绝对值愈小,表示当温度变化时,稳压管的电压变化的百分比愈小,则稳压性能愈好。
100B i Aμ=80Aμ60Aμ40A μ20A μ0Aμ0.9933.22安全工作区习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ,β=30;试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。
已知每当温度升高10℃时,I CBO 大约增大一倍,而每当温度升高1℃时,β大约增大1% 。
解:20℃时,()131CEO CBO I I Aβμ=+=50℃时,8CBO I Aμ≈()()()05020011%3011%301301%39t t ββ--=+=⨯+≈⨯+⨯=()13200.32CEO CBO I I A mAβμ=+==习题1-12一个实际PNP 型锗三极管的输入、输出特性曲线分别如图P1-12(a)和(b)所示。
①查看该三极管的穿透电流I CE O 约为多大?输入特性的死区电压约为多大?②为了使PNP 型三极管工作在放大区,其u BE 和u BC 的值分别应该大于零还是小于零?并与NPN 型三极管进行比较。
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题图 2.6
解: (1)Q1 点: β ≈ 50, Q2点:β ≈ 0。 (2) U ( BR )CEO ≈ 40V , PCM ≈ 330mW。
2.7 硅晶体管电路如题图 2.7 所示。设晶体管的 U BE ( on ) 作状态。 15V RB 470k Ω 1V D 0.3V (a) RC 2k Ω T RE 1k Ω RB 100k Ω RC 2k Ω T RE 1k Ω 15V
RB 500 C1 + ui RE 1k Ω kΩ
Q'
④ 4 6
Q
10 12
U CC − U BE ( on ) 12 = = 20 ( μ A ) ,直流负载线 RB + ( 1 + β )RE 500 + 100 U CE = U CC − I C ( RC + RE ) = 12 − 3 I C ,取两点 (U CE = 0 , IC = 4mA ; IC = 0 ,U CE = 12V ) ,可得直流负载线如图 2.18(b)中①线,工作 1 1 = − ,可得图 2.18(b)中 点 Q( U CEQ = 6 V, I CQ = 2 mA),交流负载线的斜率为 − RC 2
= 0.7 V, β = 100 。判别电路的工
9V
(b) 题图 2.7
(c)
解: 在题图(a )中,由于 U BE < 0 ,因而管子处于截止状态 。U C = U CC = 12V。
题图(b) :
2
I BQ =
15 − 0.7 = 25 μA RB + ( 1 + β )RE
I CQ = β I BQ = 2.5mA U CEQ = 15 − 2.5 × 3 = 7.5( V )
(2)
6 − 0.7 A =53mA 100 0.7V RD = =13.2 Ω 53 × 10 −3 A U 26 × 10 −3 V rD = T = =0.49 Ω I D 53 × 10 −3 A
ID =
1.4 二极管电路如题图 1.4 所示。 (1)设二极管为理想二极管,试问流过负载 RL 的电流为多少? (2)设二极管可看作是恒压降模型,并设二极管的导通电压 U D ( on ) = 0.7 V,试问流过负 载 RL 的电流是多少? (3)设二极管可看作是折线模型,并设二极管的门限电压 U D ( on ) = 0.7 V, rD (on ) = 20Ω , 试问流过负载的电流是多少? (4)将电源电压反接时,流过负载电阻的电流是多少? (5)增加电源电压 E,其他参数不变时,二极管的交流电阻怎样变化? + RL 100 Ω
E
10V D
题图 1.4 解: (1) I =
E = 100 mA RL E − U D ( on ) = 94 mA (2) I = RL E − U D ( on ) = 78.3 mA (3) I = RL + RD (4) I = − I S 或I ≈ 0
UT 下降。 ID
(5)E 增加,直流电流 I D 增加,交流电阻
1.7 二极管限幅电路如图 1.7(a)、(b)所示。将二极管等效为恒压降模型,且 UD(on)=0.7V。若 ui=5sinωt(V),试画出 u0 的波形。
题图 1.7 解:(1)在图(a)中:当 ui>一 2.7V 时,V 管截止,u0=一 2V;当 ui≤一 2.7V 时,V 管导 通,u0=ui。当 ui=5sinωt(V)时,对应的 u0 波形如图答图 1.7(a)所示。 (2)在图(b)中:当 ui>1.3V 时,V 管截止,u0=ui;当 ui≤1.3V 时,V 管导通,u0=2V。 其相应波形如答图 1.7 (b)所示。
平移使之与流负载线①线的交点是此交流负载线之中点,即 Q 点( U'CEQ = 3 V ,
I ' CQ = 3 mA) 。此时, U om =3V。
调节 R B 使 I
' BQ
= 30μ A ,则 30 × 10− 6 =
U CC − U BE (on ) 12 ≈ ,解 得 RB + ( 1 + β )RE RB + 101 × 103
2.3 已测得晶体管电极管各电极对地电位如题图 2.3 所示,试判别各晶体管的工作状态(放 大、饱和、截止或损坏) 。 -5V 2.5V -0.3V 3AX81 3BX1 3V 0V (a) (b) 题图 2.3 7V (c) (d) 6.3V 8V 6.6 V 3CG21 12V 3V 3DG8 0V
RB = 300 k Ω 。
4
2.20 放 大 电 路 如 题 图 2.20 ( a ) 所 示 , 已 知 β = 50 , UBE=0.7V , UCBE=0 , RC=2K Ω, RL = 20 KΩ, U CC = 12V .
(1)若要求放大电路由最大的输出动态范围,问 RB 应调到多大? (2)若已知该电路的交、 直流负载线如题图 2.20 (b) 所示, 试求: UCC=? RC=? UCEQ=? ICQ=? RL=? RB=? 输出动态范围 UOPP=?
0.7V
4V
0V (a) 解:
8V
0V (b)
-8V
3.7V (c)
1V 9V (d)
4.3V
题图 2.1
8V 题图(a) : 0.7V 硅 NPN 0V 题图(b) : -0.7V
-8V 硅 PNP 0V
1V 题图(c) : 3.7V 锗 PNP 4V 题图(d) : 4.3V
9V 锗 NPN 4V
IB = U CC − 0.3 12 − 0.3 = = 0.066mA R B1 + (1 + β ) R E 47 + 101 × 1.3 U CC + U CE ( sat ) ( R E + RC ) β = 12 − 0.3 = 0.035mA (1.3 + 2) × 100 12 − 0.3 × 2 = 7.1V 2 + 1. 3
题图 2.9
解: (1)U RB 2 =
I CQ =
RB 2 15 × 12 = 2.9V U CC = RB1 + RB 2 47 + 15
U RB 2 − 0.3 2.9 − 0.3 = = 2mA RE 1.3
= −[12 − 2 × (1.3 + 2)] = −5.4V (2)当 RB1 开路时,I3Q=0,管子截止。UC=0. 当 RB2 开路时,则有
处于放大状态 题图(c) : I BQ = 71μ A, I CQ = 7.1 mA
U CEQ = 15 − 7.1( 2 + 1 ) = −6.3 (V)
不可能,表明晶体管处于饱和状态。 2.9 晶体管电路如题图 2.9 所示。已知β=100,UBE=−0.3V (1)估算直流工作点 ICQ、UCEQ。 (2)若偏置电阻 RB1、RB2 分别开路,试分别估算集电极电位 UC 值,并说明各自的工作状 态。 (3)若 RB2 开路时要求 ICQ=2mA,试确定 RB1 应取多大值。
答图 1.10
ΔU o = U Z
rZ 12 = 10 × = 118.6 9(mV) R L + rZ 1000 + 12
习题答案
2.1 已知晶体管工作在线性放大区,并测得个电极对地电位如题图 2.1 所示。试画出各晶体 管的电路符号,确定每管的 b、e、c 极,并说明是锗管还是硅管。 -0.7V 4V
答图 1.7 1.9 在题图 1.9 (a)所示电路中,二极管等效为恒压降模型。已知输入电压 u1、u2 的波形如题 图 1.9(b)所示,试画出 u0 的波形。
题图 1.9 解:该电路为高电平选择电路,即 u1、u2 中至少有一个为 3V,则 u0=3 一 0.7=2.3V。 u1、u2 均为 0 时,uo=一 0.7V。其波形答图 1.9(c)所示。
U CEQ = −U ECQ = − U CC − I CQ ( RE + RC )
[
]
I B ( sat ) =
因为I B > I B ( sat ),所以晶体管处于饱和状态。此时 UC ≈ U CC + U CB ( sat ) RC + R E RC =
(3)当R B 2 开路时,由于 I CQ = β U CC + U BE 12 − 0.3 = 100 × = 2mA R B1 + (1 + β ) R E R B1 + 101 × 1.3
由此解得R B1=454 KΩ
3
2.18 放大电路及晶体管三极管的输出特性如题图 2.18(a)和(b)所示。设 U BE ( on ) = 0 , 各电容对信号视作短路。 (1)晶体管的 β 和 rce 各为多少? (2)在图 2.18(b)上作直流负载线和交流负载线。 (3)如图 2.18(a)电路中加接 R L = 2 k Ω 的负载,重复(2) 。
5
2.23 试计算题图 2.23 所示共射放大电路的静态工作点 UCEQ,源电压放大倍数 Aus = 输入电阻 Ri 和输出电阻 Ro 。设基极静态电流 I BQ 合电容。 UCC RB RC V RL + Uo
= RC // RL = 2kΩ // 2kΩ 时,为得到最大的输出电压振幅值 Uom,工作点如何 选取(调节 R B )?此时 Uom=? R B 的值又应为多少?
(4)当 R
'
L
iCE/mA RC 2k Ω T C2 CE + uo 6 5 4 3 2 1 0 (a) 题图 2.18 解: (1)输出特性理想化, U A = ∞ , rce = ∞ , β = 100 。 ( 2 ) 先 求 工 作 点 I BQ = 2 ② ③ 60 μ A 50 μ A 40 μ A 30 μ A ① 8 (b) 20 μ A 10 μ A uCE/V