半导体变流技术

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半导体技术

半导体技术
因为需求量大,自然吸引大量的人才与资源投入新技术与产品的研发。产业庞大,分工也越来越细。半导体 产业可分成几个次领域,每个次领域也都非常庞大,譬如 IC设计、光罩制作、半导体制造、封装与测试等。其 它配合产业还包括半导体设备、半导体原料等,可说是一个火车头工业。
因为投入者众,竞争也剧烈,进展迅速,造成良性循环。一个普遍现象是各大学电机、电子方面的课程越来 越多,分组越细,并且陆续从工学院中独立成电机电子与信息方面的学院。其它产业也纷纷寻求在半导体产业中 的应用,这在全世界已经变成一种普遍的趋势。
大约在 15年前,半导体开始进入次微米,即小于微米的时代,尔后更有深次微米,比微米小很多的时代。 到了 2001年,晶体管尺寸甚至已经小于 0.1微米,也就是小于 100纳米。因此是纳米电子时代,未来的 IC大部 分会由纳米技术做成。但是为了达到纳米的要求,半导体制程的改变须从基本步骤做起。每进步一个世代,制程 步骤的要求都会变得更严格、更复杂。
也因为这样,许多学者相继提出各种新颖的结构或材料,例如利用自组装技术制作纳米碳管晶体管,想利用 纳米碳管的优异特性改善其功能或把组件做得更小。
重要性
在半导体领域,“大数据分析”作为新的增长市场而备受期待。这是因为进行大数据分析时,除了微处理器 之外,还需要高速且容量大的新型存储器。在《日经电子》主办的研讨会上,日本中央大学教授竹内健谈到了这 一点。
半导体技术进入纳米时代后,除了水平方向尺寸的微缩造成对微影技术的严苛要求外,在垂直方向的要求也 同样地严格。一些薄膜的厚度都是 1 ~ 2纳米,而且在整片上的误差小于 5%。这相当于在100个足球场的面积上 要很均匀地铺上一层约1公分厚的泥土,而且误差要控制在 0.05公分的范围内。
蚀刻:另外一项重要的单元制程是蚀刻,这有点像是柏油路面的刨土机或钻孔机,把不要的薄层部分去除或 挖一个深洞。只是在半导体制程中,通常是用化学反应加上高能的电浆,而不是用机械的方式。在未来的纳米蚀 刻技术中,有一项深度对宽度的比值需求是相当于要挖一口 100公尺的深井,挖完之后再用三种不同的材料填满 深井,可是每一层材料的厚度只有 10层原子或分子左右。这也是技术上的一大挑战。

变流技术发展

变流技术发展

变流技术发展
交叉新技术
变流技术是伴随着半导体器件的发展而发展出来的一种交叉新技术。

半导体器件制造技术中已经先后经历了以晶闸管为代表的分立器件,以可关断晶闸管(GTO)、巨型晶体管(GTR)、功率MOSFET、绝缘栅双极晶体管(IGBT)为代表的功率集成器件(PID),以智能化功率集成电路(SPIC)、高压功率集成电路(HVIC)为代表的功率集成电路(PIC)等三个发展时期。

器件结构
在器件结构上,从分立器件,发展到由分立器件组合成功率变换电路的初级模块,继而将功率变换电路与触发控制电路、缓冲电路、检测电路等组合在一起的复杂模块。

功率集成器件从单一器件发展到模块的速度更为迅速,今天已经开发出具有智能化功能的模块(IPM)。

器件控制
在器件的控制模式上,从电流型控制模式发展到电压型控制模式,不仅大大降低了门极(栅极)的控制功率,而且大大提高了器件导通与关断的转换速度,从而使器件的工作频率由工频→中频→高频不断提高。

变流技术发展到今天,其应用范围大致分为5个方面。

(1)整流:实现AC/DC变换;
(2)逆变:实现DC/AC变换;
(3)变频:实现AC/AC(AC/DC/AC)变换;
(4)斩波:实现DC/DC(AC/DC/DC)变换;
(5)静止式固态断路器:实现无触点的开关、断路器的功能,控制电能的通断。

《变流技术晶闸管》课件

《变流技术晶闸管》课件

注意替换晶闸管的引脚排列和极性, 正确连接电路,避免短路或断路。
对比替换晶闸管与原晶闸管的参数, 确保替换元件的性能不低于原元件。
替换晶闸管时需要注意的事项
确保替换晶闸管的质量可靠,选 择正规品牌和渠道购买。
在断电的情况下进行替换操作, 避免带电操作引发安全事故。
遵循安全操作规程,使用适当的 工具和防护措施,避免对人身和
CHAPTER 03
晶闸管的分类与型号
晶闸管的分类
01
02
03
04
单向晶闸管
只能在一个方向上控制电流, 常用于直流电机控制。
双向晶闸管
可以在两个方向上控制电流, 常用于交流电机控制。
可关断晶闸管
可以通过外部信号控制电流的 关断,常用于大功率电机控制

绝缘栅双极晶体管
具有高开关速度和低导通电阻 ,常用于高压直流输电和电机
详细描述
晶闸管在高压直流输电中作为主要的控制元件,能够实现稳 定输送和灵活控制。在灵活交流输电系统中,晶闸管用于并 联补偿和串联补偿,提高电力系统的稳定性和可靠性。
电机控制的应用
总结词
晶闸管在电机控制中主要用于交流电动 机的变频调速和直流电动机的速度控制 。
VS
详细描述
通过将晶闸管与交流电动机连接,可以实 现变频调速,从而精确控制电机的转速和 转矩。在直流电动机的控制中,晶闸管用 于整流电路,将交流电转换为直流电,为 电机提供稳定的驱动电源。
CHAPTER 02
晶闸管的工作原理
晶闸管的结构
晶闸管由四层半导体 材料构成,包括P型 和N型半导体。
晶闸管内部有两个 PN结,分别是J1和 J2。
晶闸管有三个电极, 分别是阳极、阴极和 门极。

多元件集成电路中的具有变流功能的半导体模块

多元件集成电路中的具有变流功能的半导体模块

多元件集成电路(Multi-Chip Modules, MCM)是一种将多个芯片集成在一个模块中的电路技术。

在MCM中,半导体模块扮演着至关重要的角色,它们具有各种功能,其中包括变流功能。

本文将重点介绍多元件集成电路中具有变流功能的半导体模块,并对其进行详细的分析。

一、多元件集成电路中的变流功能1.1 变流功能的作用在多元件集成电路中,变流功能的作用非常重要。

它可以实现电流的变换和调节,从而满足不同的电路需求。

当输入电压发生变化时,变流功能可以保持输出电流的稳定,确保整个电路的稳定运行。

它还可以用于功率的调节和分配,以提高电路的效率和可靠性。

1.2 变流功能的实现方式在多元件集成电路中,变流功能可以通过多种方式实现。

常见的方法包括使用开关电源、集成电感等。

半导体模块也可以通过控制电流的方向和大小来实现变流功能。

这些方法各有优劣,可以根据具体的应用需求进行选择。

二、具有变流功能的半导体模块2.1 半导体材料的选择在设计具有变流功能的半导体模块时,半导体材料的选择至关重要。

常见的半导体材料包括硅、碳化硅、氮化镓等。

不同的材料具有不同的性能特点,可以满足不同的电路需求。

碳化硅具有较高的耐高温性能,适合用于高温环境下的电路。

氮化镓具有较高的电子迁移率和较小的能带偏移,适合用于高频电路。

2.2 变流功能的实现原理具有变流功能的半导体模块通常采用功率场效应管(Power Field Effect Transistor, PFET)和金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)等器件来实现。

它们通过控制电流的导通和截断,从而实现电压和电流的调节。

一些特殊的控制电路和反馈电路也被应用于变流功能的实现中,以提高稳定性和精度。

2.3 变流功能的优化设计在设计具有变流功能的半导体模块时,需要考虑多种因素。

需要考虑功率损耗、温度特性、安全性等因素。

半导体制程技术简介

半导体制程技术简介
• 曝光完毕之后,晶园送回Track进行显影,洗掉被曝 过光的光阻。
• 然后再进行烘烤,使没有被洗掉的光阻变得比较坚硬 而不至于在下一步蚀刻的时候被破坏掉。
2.4 酸蚀刻
• Acid Etch
– 将没有被光阻覆盖的薄膜腐蚀掉,是酸蚀刻的 主要任务。
– 蚀刻完毕之后,再将光阻洗去。
• 酸蚀刻要使用到多种酸剂,例如:腐蚀 SiO2需要用氢氟酸(剧毒无比的东东);去除 光阻需要用到硫酸。
• 铜制程沉积
– Copper Deposition
• 化学气相沉积
– Chemical Vapor Deposition
• Metal Deposition
– 一般来说,采用Physical Vapor Deposition (PVD;物理气相沉积)的方法制作金属薄膜。
– 这里面的金属薄膜包括:Aluminum(铝), Gold (金) and Tungsten(钨)。
2.5 清洗甩干
• Spin Rinse Dry
– 晶园本质上是一种类似于玻璃的东西,很脆、 易碎。任何碰撞都将导致晶园碎裂,所以在半 导体厂使用真空吸盘来抓取晶园。
– 但是即便如此,在防止了晶园碎裂导致的细小 颗粒之后。仍然必须对晶园做经常性的清洗, 以防止细小颗粒残留在晶园的表面上。
• 几乎在每一步的操 作后,都需要对晶 园进行清洗。
– 采用铜导线的困难:
• 当铜和硅接触的时候,会在硅中发生非常快速的扩 散。
• 这种扩散还将改变制作在硅上面半导体三极管的电 学特性,导致三极管失效。
– IBM最终克服了这些困难(Damascene):
• 采用先做绝缘层,再做铜导线层的方法解决扩散问 题。
• 在制作铜导线层的时候,IBM采用一种铜的多晶体, 进一步限制铜在硅中的扩散。

(完整版)电气自动化专业知识

(完整版)电气自动化专业知识

(完整版)电⽓⾃动化专业知识电⽓⾃动化专业知识第⼀部分电⼯学基础知识⼀、电路基础1、电路:电流流过的全部通路称为电路。

它是由⼀些电的设备或器件组成的总体。

2、电源:电路中提供电能或电讯号的器件。

3、负载:在电路中吸收电能或输出讯号的器件称为负载。

4、激励:电源的电流或电压称为激励函数或激励。

5、响应:负载上的电流或电压称为响应。

6、电路元件:电路器件的理想化模型称为电路元件。

7、电容元件:具有储存或释放电场能量的性质,即电场效应。

8、电感元件:具有储存或释放磁场能量的性质,即磁场效应。

9、电压:电路中两点电位之差称为电位差,或电压。

10、基尔霍夫定律包括电流定律(KCL)和电压定律(KVL)。

11、基尔霍夫(第⼀定律)电流定律(KCL):对于任⼀电路中的任⼀节点,在任⼀瞬时,流出该节点的所有⽀路电流的代数和为零。

12、基尔霍夫(第⼆定律)电压定律(KVL):对于任⼀电路中的任⼀闭合回路,在任⼀瞬时,流出该闭合回路的所有⽀路电压的代数和为零。

13、交流电路:电流、电压的⼤⼩或⽅向随时间变化的电路称为交流电路。

14、正弦交流电路:电流或电压按照正弦规律变化的电路称为正弦交流电路。

15、最⼤值(振幅):正弦电流或电压瞬时值的⼤⼩和⽅向随时间⽽变化,幅值变化的最⼤范围称为最⼤值或振幅。

16、周期:正弦函数是⼀个周期函数,重复变化⼀次需要的时间称为周期。

周期⽤T表⽰,单位为秒(s)。

17、频率:周期的倒数称为频率。

频率⽤f表⽰,单位为赫芝,简称赫(Hz)。

18、⾓频率:正弦电流变化⼀个周期,幅⾓变化为2π弧度,单位时间幅⾓变化的弧度数2π/T,叫做⾓频率。

⽤ω表⽰,单位为弧度/秒。

ω=2πf=2π/T。

19、相位:正弦电流的幅⾓(ωt+ψi),叫做正弦量的相位。

相位是时间的函数,表⽰正弦量变化的进程。

t=0时的相位ψi叫做正弦量的初相。

20、正弦量的三要素:正弦量的振幅,⾓频率(或频率)和初相,是决定正弦量的三个基本参数,也是进⾏⽐较和区分各个正弦量的依据,称为正弦量的三要素。

半导体变流技术

半导体变流技术

半导体变流技术半导体变流技术是一种将电能从一种形式转换为另一种形式的技术。

它在现代电力系统中起着重要的作用,可以实现电能的输送、分配和控制。

半导体变流技术的发展使得电力系统更加高效、可靠和灵活。

半导体变流技术的原理是利用半导体器件(如二极管、晶闸管、IGBT等)来控制电流的流动和电压的变换。

通过控制半导体器件的导通和截止状态,可以实现电能的转换和调节。

半导体器件具有快速响应、高效率、小体积和可靠性好等优点,因此成为了现代电力系统中不可或缺的关键技术。

半导体变流技术在电力系统中的应用非常广泛。

其中最常见的应用是交流与直流之间的转换。

在现代电力系统中,交流电是主要的电能输送方式,而直流电则在某些特定场合下具有更好的性能。

通过半导体变流技术,可以将交流电转换为直流电,并通过逆变器将直流电再转换为交流电,实现交流与直流之间的相互转换。

此外,半导体变流技术还可以实现电能的调节和控制。

通过控制半导体器件的导通和截止状态,可以调节电能的大小和频率,实现对电能的精确控制。

这对于电力系统的稳定运行和负荷调节非常重要。

半导体变流技术还可以实现对电能质量的提高。

在现代电力系统中,由于负载的变化和故障等原因,电能质量问题成为了一个重要的挑战。

通过半导体变流技术,可以对电能进行滤波、调节和控制,降低谐波含量、提高功率因数和稳定电压等,从而改善电能质量。

随着电力系统的不断发展和智能化的推进,半导体变流技术也在不断创新和进步。

例如,采用了新型的半导体器件(如SiC、GaN等)以及先进的控制算法和拓扑结构,可以进一步提高半导体变流技术的性能和效率。

总之,半导体变流技术是现代电力系统中不可或缺的关键技术之一。

它通过利用半导体器件来实现电能的转换、调节和控制,使得电力系统更加高效、可靠和灵活。

随着电力系统的不断发展和智能化的推进,半导体变流技术也在不断创新和进步,为电力系统的稳定运行和电能质量提供了有力支持。

半导体变流技术试题及答案

半导体变流技术试题及答案

半导体变流技术试题及答案一、单项选择题1. 半导体变流技术中,晶闸管的导通条件是什么?A. 门极正向电流大于维持电流B. 阳极电流大于零C. 门极正向电流大于零D. 阳极电压大于阴极电压答案:A2. 在整流电路中,不可控整流电路与可控整流电路的主要区别是什么?A. 输入电压的类型B. 输出电流的稳定性C. 是否可以控制导通角D. 是否使用晶闸管答案:C3. 以下哪个因素会影响晶闸管的关断时间?A. 门极电流B. 阳极电流C. 反向电压D. 环境温度答案:D二、多项选择题1. 半导体变流技术中,以下哪些因素会影响晶闸管的正向阻断电压?A. 门极电压B. 阳极电流C. 反向恢复时间D. 结温答案:C, D2. 在变流电路中,使用晶闸管进行整流时,以下哪些措施可以减少晶闸管的功耗?A. 增加散热片B. 减少导通角C. 使用逆导电性二极管D. 增加电路的负载答案:A, B三、判断题1. 晶闸管在导通状态下,即使门极电流消失,它仍然可以维持导通状态。

(对/错)答案:对2. 可控整流电路可以实现对输出电压和电流的精确控制。

(对/错)答案:对3. 半导体变流技术中的变流器只能用于直流电转换为交流电。

(对/错)答案:错四、简答题1. 简述晶闸管的工作原理。

晶闸管是一种四层三端半导体器件,主要由P型和N型半导体材料交替构成。

在晶闸管的阳极和阴极之间存在三个PN结。

晶闸管的导通需要门极信号的触发,一旦导通,即使移除门极信号,只要阳极电流大于维持电流,晶闸管就会保持导通状态。

晶闸管的关断则需要阳极电流降低到小于维持电流或者通过外部电路强制关断。

2. 说明为什么在变流电路设计中,需要考虑晶闸管的额定电流和电压。

晶闸管的额定电流和电压是其安全工作的重要参数。

额定电流是指晶闸管在规定温度下能够承受的最大电流,超过这个值可能会导致器件过热甚至损坏。

额定电压是指晶闸管能够承受的最大反向电压,如果电压超过这个值,可能会导致器件的反向击穿。

广西大学电气工程学院考研复试科目及参考书目

广西大学电气工程学院考研复试科目及参考书目
谭建成
李啸骢
龙 军
郑 江
04 电力市场
吴杰康
韦 化
080803 高电压与绝缘技术
6~8
①101政治
②201英语
③301数学(一)
④849电路
01 电力系统过电压分析
梁小冰
李世作
02 现代防雷技术
王巨丰
杭乃善
080804 电力电子与电力传动
8-10
①101政治
②201英语
③301 数学(一)
④849电路
01电力电子系统分析与控制
陈延明
陆益民
宋春宁
02电力电子技术在电力系统中的应用
杭乃善
吴杰康
陈延明
龚仁喜
080805 电工理论与新技术
2-4
①101政治
②201英语
③301数学(一)
④849电路
01 电工新技术
杭乃善
吴杰康
081101 控制理论与控制工程
35~40
①101 政治
②201 英语
③301数学(一)
专业代码、学科名称
研究方向
指导教师
招生人数
考试科目
备注
012电气工程学院
080801 电机与电器
4-6
①101政治
②201英语
③301数学(一)
④849电路
★为具有博士学位授权专业
01 特种电机与电机控制
杭乃善
卢子广
李啸骢
1.复试科目:
1201综合考试1
2.同等学力考生至少有1篇在国内核心期刊发表的报考专业的学术论文(排序1)。
何小阳
龚仁喜
黄洪全
03 运动控制与电力电子技术

电力电子技术

电力电子技术

1. 电力电子技术:使用电力电子器件对电能进行变换和控制的技术。

2. 半导体变流技术:包括用电力电子器件构成电力变换电路和对其进行控制的技术,以及构成电力电子装置和电力电子系统的技术。

3. 整流:直流变交流。

4. 逆变:交流变直流。

5. 电力电子器件:是直接用于主电路电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。

6. 主电路:是在电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路。

7. 维持电流:使晶闸管维持导通所必需的最小电流称为维持电流。

8. 擎住电流:晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后,能维持导通所需的最小电流称为擎住电流。

9. 双向晶闸管:双向晶闸可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。

10. 逆导晶闸管:是将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。

11. 光控晶闸管:又称光触发晶闸管,是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。

12. 电流关断增益:GTO最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益。

13. 功率模块:将多个电力电子器件封装在一个模块中,称为功率模块。

14. 功率集成电路:将功率器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息电子电路制作在同一芯片上的集成电路。

15. 直流斩波电路:直流到另一固定电压或可调电压的直流电的变换电路。

16. 脉冲宽度调制:周期不变,导通时间变化,即通过导通占空比的改变来改变变压比,控制输出电压的调制方法。

17. 脉冲频率调制:导通时间不变,周期变化,导通比也能发生变化,从而达到改变输出电压目的的调制方法。

18. 双极式PWM:一个开关周期内,斩波电路所输出的负载电压极性交替变化的PWM控制方式。

19. 单极式PWM:一个开关周期内,斩波电路所输出的负载电压极性单一的PWM控制方式。

20. 正激变换器:指在开关管开通时,电源将能量直接传送给负载一种带隔离变压器的DC-DC变换器。

21. 反激变换器:指在开关管开通时电源将电能转为磁能储存在电感(变压器)中,当开关管关断时再将磁能变为电能传送到负载的一种带隔离变压器的DC-DC变换器。

浅谈高压变频器的原理及冷却方式

浅谈高压变频器的原理及冷却方式

浅谈高压变频器的原理及冷却方式摘要:主要论述了高压变频器的几种常见散热方案,随着电力电子技术的发展,变频器的应用愈加广泛,逐步向大容量及高电压迈进,高压变频器都以交流-直流-交流的转换形式居多,在转换过程中会产生大量的热量,只有将这部分热量耗散掉,才能保证变频器的安全稳定运行。

关键词:变频器;冷却方式;水冷系统;空水冷系统引言随者我国高新科技应用水平的不断成熟,高压变频器技术理论体系不斯完善,实践应用水平逐步提高,高压变顺器在治金、电力等诸多行业得到了较为广泛的应用。

一般面盲,高压变额器在治金、电力等诸多行业上的巨大应用潜力和节能价值以及其优良的调速性能等,使高压变强器具备了较为广阏的未来市场发展空间和发展前景,也为电力、省金等诺多行业提供了源源不竭的发展动力。

目前,高压变频技术已成为电力电能领城以及治金治炼行业的重婴关注内容,为大功率传动装备的应用和企业经济效益的达成提供了重要支拉,因此,对高压变辣器特性及应用的搽讨与研究具备重要理论意义和现实价值。

1高压变频器结构原理高压变频器以多个功率单元串联多电平输出高压为当前主流产品,主电路采用交-直-交变流结构。

成套高压变频器主要由高压开关设备、移相变压器、功率单元、控制单元及冷却设备组成。

高压开关设备用于接通断开的输入电源和负载,切换工频旁路;移相变压器将网侧高压变换为多组低压,各副边绕组采用延边三角接法,相互之间有一定的相位差。

功率单元是变频器核心,采用多重电路新型接法结构将其均分成三组,每组一相,每个单元将三相交流电进行整流储能滤波逆变后输出单相低压交流电,每组多个功率单元输出侧串联形成高压,各单元具有故障自检自动退出功能,非故障单元正常工作可保障电机继续运行或自动切换到高压旁路工频运行,避免停机造成损失,模块化设计利于故障时迅速替换。

控制单元对变频器主回路进行检测、控制及保护,对外传输接收指令信号及参数,控制单元通过光纤对每一个功率单元进行整流、逆变控制与检测,实现电气隔离。

电力半导体技术及变流技术

电力半导体技术及变流技术
15
电力半导体技术
第三章 晶闸管整流电路
一、整流装置的常用参数: 1、α-控制角:在一个电周期内,整流桥各可控硅在过了其自然换向点后 才承受正向电压,规定此时α=0。改变α,可以控制整流装置的输出电压。 2、Ud-输出直流电压平均值 3、U2-输入交流电压有效值 4、IT-可控硅额定通态平均电流 5、Id-整流装置额定输出电流平均值
快速熔断器简称快熔,用于短路保护。当电流超过其额定电流4倍时, 动作时间在0.1s以内(具体数据以样本手册为准)。注意:快熔额定电流指 的是电流有效值,而可控硅的参数IT是指电流平均值。两者并不一致(见 可控硅容量选择一节)。但通常取快熔额定电流=IT,此时快熔容量约为 可控硅容量的2/3。 3、过压吸收:
27
电力半导体技术
第四章 双向晶闸管调压电路
三、典型调压电路 3、其它调压电路
其它调压电路还有:YN接三相调压电路、串联负载角接三相调压 电路、晶闸管角接三相调压电路等。
28
13
电力半导体技术
第二章 IGBT
四、逆变主电路
IGBT由于可关断特性,与晶闸管 比较,更加适合用于逆变电路。 以往采用晶闸管作为逆变器功率 器件时,须附加换流电路才可实 现逆变,电路较为复杂,现在变 频器已大量采用IGBT作为逆变器 功率器件。
1、IGBT导通顺序:
123234 345 456 561 612
8
电力半导体技术
第一章 晶闸管
三、晶闸管触发 晶闸管的触发电流波形对晶闸管的运行特别是对其开关过渡过程有很
大的影响。理想的触发电流波形应满且如下要求。 1、触发脉冲前沿
对于大功率晶闸管,为了减少开通时间,满足电流变化率的要求,或 者在串并联电路中,为缩小开通时间的分散性,都应采用强触发脉冲。 当触发脉冲的IGT=5-6倍时,元件的开通性能有明显的改善。 2、触发脉冲宽度

电力电子变流技术课后答案第1章

电力电子变流技术课后答案第1章

第一章 电力半导体器件 习题与思考题解 1-1.晶闸管导通的条件是什么?怎样使晶闸管由导通变为关断?解:晶闸管导通的条件是:阳极承受正向电压,处于阻断状态的晶闸管,只有在门极加正向触发电压,才能使其导通。

门极所加正向触发脉冲的最小宽度,应能使阳极电流达到维持通态所需要的最小阳极电流,即擎住电流IL以上。

导通后的晶闸管管压降很小。

使导通了的晶闸管关断的条件是:使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值-维持电流IH以下。

其方法有二:1) 减小正向阳极电压至某一最小值以下,或加反向阳极电压;2) 增加负载回路中的电阻。

1-2.型号为KP100-3的晶闸管,维持电流I H=4mA,使用在题1-2图中的电路中是否合理?为什么(不考虑电压、电流裕量)?解:根据机械工业部标准JB1144-75规定,KP型为普通闸管,KP100-3的晶闸管,其中100是指允许流过晶闸管的额定通态平均电流为100A,3表示额定电压为300V。

对于图(a),假若晶闸管V被触发开通,由于电源为直流电源,则晶闸管流过的最大电流为因为I V < I H,而I H < I L,I L为擎住电流,通常I L=(2~4) I H。

可见,晶闸管流过的最大电流远小于擎住电流,所以,图(a)不合理。

对于图(b),电源为交流220V,当α=0°时,最大输出平均电压 (V)平均电流 (A)波形系数 所以, IV=K f 。

IVAR=1.57×9.9=15.5(A)而KP100-3允许流过的电流有效值为I VE=1.57×100=157(A),I L<I V<I VE,所以,电流指标合理。

但电路中晶闸管V可能承受的最大正反向峰值电压为 (V)>300(V)所以,图(b)不满足电压指标,不合理。

对于图(c),电源为直流电源,V触发导通后,流过V的最大电流为I V=150/1=150(A),即为平均值,亦是有效值。

电力电子技术电子教案

电力电子技术电子教案

第一次课内容 绪 论▪ 1.电力电子技术的发展概况 ▪ (1)电力电子技术的定义 ▪ (2)电力半导体器件▪ 第一阶段是以整流管、晶闸管为代表的发展阶段; ▪ 第二阶段是以GTO 、GTR 等全控型器件为代表的发展阶段; ▪ 第三阶段是以功率MOSFET 、IGBT 等电压型全控器件为代表的发展阶段;▪ 第四阶段是以SPIC 、HVIC 等功率集成电路为代表的发展阶段,目前正处在发展初期。

▪ (3)电力半导体变流技术▪ 第一阶段是电子管、离子管(闸流管、汞弧整流器、高压汞弧阀)的发展与应用阶段,此时的变流技术属于整流变换,只是变流技术的一小部分。

▪ 第二阶段是硅整流管、晶闸管的发展与应用阶段,主要指晶闸管的应用阶段。

这一时期,随着整流管特别是晶闸管制造水平的不断提高,半导体变流技术所涉及的应用领域不断扩展. ▪ 第三阶段是全控型电力半导体器件的发展与应用阶段,是半导体电力变流器向高频化发展的阶段,也是变流装置的控制方式由移相控制向时间比率控制发展的阶段。

▪ 第三阶段的发展是随着全控型器件的发展而逐渐展开的。

时至µçÁ¦µç×Ó¼Êõµç×ÓѧµçÁ¦Ñ§¿ØÖÆÀíÂÛÁ¬Ðø¡¢ÀëÉ¢µç·¡¢Æ÷¼þ¾²Ö¹Æ÷¡¢Ðýתµç»ú今日,晶闸管应用领域的绝大部分已经或即将被功率集成器件所取代。

变流技术

变流技术

电网
整流滤波
PWM控制 逆变器 (d)开关型稳压器
高频 变压器
高频 整流滤波
直流输出
四、 斩波电路和开关电源电路
4.1 基本斩波电路
4.2 开关电源电路
4.1 基本斩波电路
直流斩波电路(DC Chopper)——将直流电变为另一固定 电压或可调电压的直流电。也称为直流--直流变换器(DC/DC Converter)。一般指直接将直流电变为另一直流电,不包括直 流—交流—直流。
讨论
晶闸管与IGBT的有什么不同?
二、 整流电路
整流电路的分类:
按组成的器件可分为不可控、半控、全控三种。
按电路结构可分为桥式电路和零式电路。
按交流输入相数分为单相电路和多相电路。 按电路的结构形式分,又分为半波电路和全波电路。
二、 整流电路
2.1 单相可控整流电路 2.2 三相可控整流电路
管晶 闸的 型号 表示

用字母表示器件通态平均电压组别 (100A以下的器件不标),共9组, 用A~I字母表示0.4~1.2V范围,每隔 0.1V为一级 用数字表示额定电压等级(每100V为一级)
用数字表示器件的额定通态平均电流系列
P:普通反向阻断型
用字母表示器件的类型 表示闸流特性
K:快速开关
S:双向晶闸管 G:可关断型
(1) 晶闸管是什么?
螺栓型晶闸管
塑封型晶闸管
平板型晶闸管外形及结构
(1)晶闸管是什么?
A K K G A A G a) P1 N1 P2 N2 K b) c) K
G
J1 J2 J3
G
A
图1 晶闸管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号

新型功率半导体SiC器件技术综述

新型功率半导体SiC器件技术综述

新型功率半导体SiC器件技术综述与传统功率半导体相比,碳化硅(SiC)及氮化镓(GaN)等新一代功率半导体具有高频、损耗较小的特点,其应用有助于开发新一代高效率、高开关频率、高结温、高功率密度的电力电子变流器。

本文讲述了传统功率半导体发展以及特性,详细介绍了碳化硅(SiC))的材料特性与发展,以及新型功率半导体在新能源汽车,轨道交通领域的应用。

标签:碳化硅;碳化硅MOSFET;功率半导体Abstract Compared with the traditional power semiconductors,silicon carbide (SiC)and gallium nitride(GaN)such as a new generation of power semiconductors has the characteristics of high working frequency,its application will help to develop a new generation of high efficiency,high switching frequency,high junction temperature,high power density of the power electronics converter. In this paper,the development and characteristics of traditional power semiconductors are described,and then the material properties and development of silicon carbine(SiC)and the application of new power semiconductors are introduced in detail. Finally,the application of the new power devices in electric vehicle,rail transportation is introduced.keywords:Silicon carbide(SiC),Silicon carbide MOSFET,power device1 引言功率半导体器件(Power Semiconductor Device),也可以叫做电力半导体器件,或者电力电子器件,属于电力电子技术的范畴。

2022年半导体行业的核心技术变化

2022年半导体行业的核心技术变化

2022年半导体行业的核心技术变化2022年半导体行业将有很多核心技术变化,这些变化将有助于推动半导体行业向更加先进的方向迈进。

本文将介绍2022年半导体行业的一些重要技术变化。

1. 5G技术的普及5G技术将是2022年半导体行业的一个关键技术。

5G技术将有助于实现更快的数据传输速度和更加可靠的数据传输。

这将有助于实现更加高效的通信和更加先进的网络架构。

因此,半导体行业将需要开发适用于5G技术的芯片和其他电子元件。

2. 人工智能技术的快速发展人工智能技术将成为半导体行业的另一个重要技术。

在未来几年内,人工智能将成为一个重要的商业领域,并将在全球范围内得到广泛应用。

因此,半导体行业将需要开发更加先进的处理器和其他电子元件来支持人工智能技术的发展。

3. 量子技术的崛起量子技术将是2022年半导体行业的另一个重要技术。

量子技术可以用于创造更加高效的计算机和其他电子系统。

量子技术的崛起将需要半导体行业开发更加先进的电子元件,以满足这一领域的需求。

4. 自动驾驶技术的崛起自动驾驶技术将是2022年半导体行业的另一个重要技术。

随着自动驾驶技术的崛起,半导体行业将需开发更加智能的电子元件,以支持自动驾驶汽车的行驶。

这将包括传感器和其他电子元件,以帮助汽车在不同的环境中导航和避免事故。

5. 联网设备的增加在2022年,随着联网设备的增加,半导体行业将需要开发更加智能的电子元件来支持这些设备。

这将包括用于访问和存储数据的芯片和其他电子元件。

半导体行业将需要采取一些技术创新来应对这些需求。

总结:2022年半导体行业将迎来许多核心技术变化,这些变化将有助于推动半导体行业向更加先进的方向前进。

在如今技术变化如此之快的时代,半导体行业需要不断地进行创新和适应,以保持竞争力并满足消费者的需求。

继续写相关内容和未来趋势:半导体行业的技术变化和革新,不仅会影响到我们的生活和工作,也会服务于医疗、生物、能源等其他领域。

以下是2022年半导体行业未来发展的一些趋势:1.更加智能的芯片需求将推动半导体行业快速发展与传统芯片相比,新一代的智能芯片具有更加强大的处理能力,并且能够更快地处理和存储数据。

半导体降温原理

半导体降温原理

半导体降温原理近年来,随着电子产品的普及和功能的不断提升,半导体降温技术也越来越受到关注。

半导体降温是指通过一系列的物理和化学方法,将半导体器件的温度降低到可控制的范围,以保证其正常运行和延长使用寿命。

本文将从原理、方法和应用等方面进行探讨。

让我们来了解一下半导体器件发热的原因。

在半导体器件工作时,其内部会产生大量的热量。

这主要是由于电流通过半导体材料时,会产生电阻,电阻会使电能转化为热能。

而高温会导致半导体器件的性能下降、寿命缩短甚至损坏,因此降低温度是十分重要的。

半导体降温的原理主要有两种,分别是被动式降温和主动式降温。

被动式降温是通过改变热传导路径,将热量从半导体器件导出,实现降温的过程。

常见的被动式降温方式有散热片、散热鳍片和散热管等。

散热片是一种具有较大表面积的金属片,可以与半导体器件直接接触,通过热传导将热量散发到周围环境中。

散热鳍片是在散热片上增加了一些鳍片,增加了表面积,提高了散热效果。

散热管是一种利用液体或气体的热传导性能来实现热量传递的装置,它可以将热量从半导体器件传递到远离器件的地方。

被动式降温的优点是结构简单、成本低廉,但它只能实现局部降温,对整个器件的温度控制较为困难。

而主动式降温是通过外部的设备对半导体器件进行主动的热量吸收和散发,来实现降温的过程。

主动式降温常用的方法有制冷系统和热管冷却等。

制冷系统是通过制冷剂的循环流动来吸收热量,然后通过制冷剂的压缩和膨胀过程,将热量释放到外部环境中。

热管冷却是一种利用液体或者气体的相变来实现热量传递的方法,通过热管将热量从半导体器件传递到远离器件的地方。

主动式降温的优点是能够实现全局降温,对整个器件的温度控制较为精确,但由于设备复杂,成本较高。

半导体降温技术在各个领域都有广泛的应用。

在电子产品领域,降低温度可以提高电子器件的性能和可靠性,延长使用寿命。

在航空航天领域,半导体器件的高温工作环境对降温技术提出了更高的要求,只有通过有效的降温技术才能保证器件正常工作。

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实验一 晶闸管的简易测试及其导通、关断条件一、实验目的:1.观察晶闸管的结构,掌握晶闸管测试的正确方法;2.研究晶闸管的导通条件;3.研究晶闸管的关断条件。

二、实验所需挂件及附件1. TH-DD 实验台电源控制屏;2. DJK02三相变流桥路挂箱;3.直流电压、电流表。

三、实验线路及原理图1-1 晶闸管的简易测试及其导通、关断条件实验线路图四、实验内容1. 晶闸管导通条件的测试。

2. 晶闸管关断条件的测试。

3. 测试参数:触发电流(Ig );维持电流(I H );晶闸管导通压降(U AK );触发电平。

12V五、预习要求1.阅读半导体变流技术教材中有关晶闸管导通与关断条件的内容。

2.掌握晶闸管导通与关断时参数的测定方法。

六、实验方法1.选用DJK02挂件三相变流桥路上的一个晶闸管,按图1-1完成实验线路的连接。

其中电源采用实验台控制屏上的12V直流电源。

2.导通实验:先将电阻R1置最大值,R2置最小值,然后接通电源,缓慢调节R1使门极与阴极回路的触发电流逐渐增大,同时注意电压表和电流表的读书变化,当电压表上有电压值显示时,说明晶闸管已经触发导通,此时的电流表读数为出发电流(Ig)记录之;同时测出晶闸管的导通压降(U AK);触发电平(U KG)。

将触发回路断开,观察主回路的导通情况并记录之。

3.关断实验:恢复断开的触发回路,调节R2使电压表读数下降,并注意仔细观察电压表读数的变化,当电压表的读数从某个值突然降到零时,晶闸管已经关断,此时主回路的电流即为维持电流(I H)。

七、实验报告1.根据实验记录判断被测晶闸管的好坏,写出简易的判断方法。

2.根据实验结果说明晶闸管的导通及关断条件八、注意事项1.正确连接实验线路。

同组同学互查一遍,通电实验前,应由指导教师检查一遍,方可开始实验。

2.注意正确选择测量数据所需的仪表,合理选择测量档位。

3.电压源在连接的时候注意正负极性,防止电源短路。

实验二单相桥式半控整流电路一、实验目的1.加深对单相桥式半控整流电路带电阻性、电阻电感性负载时各工作情况的理解。

2.了解续流二极管在单相桥式半控整流电路中的作用,学会对实验中出现的问题加以分析和解决。

二、实验所需挂件及附件1.TH-DD实验台控制屏;2.DJK02三相变流桥路;3.DJK03晶闸管触发电路;4.负载电阻;5.双踪示波器。

三、实验线路及原理本实验线路如图2-1所示,两组锯齿波同步移相触发电路均在DJK03挂件上,它们由同一个同步变压器保持与输入的电压同步,触发信号加到阴极的两个晶闸管,图中的负载使用灯泡。

二极管VD1、VD2、VD3及电感L d在DJK02挂件上,电感有三档可供选择,本实验用700mH。

四、实验内容1.锯齿波同步触发电路的调试。

2.单相桥式半控整流电路带电阻性负载。

3.单相桥式半控整流电路带电阻电感性负载。

五、预习要求1.阅读半导体变流技术教材中有关单相桥式半控整流电路的有关内容。

2.了解续流二极管在单相桥式半控整流电路中的作用。

图 2-1 单相桥式半控整流电路实验线路图六、思考题1.单相桥式半控整流电路在什么情况下会发生失控现象?2.在加续流二极管前后,单相桥式半控整流电路中晶闸管两端的电压波形如何?七、实验方法1.从实验台电源控制屏的三相调压输出(“U1、V1、W1、N”)侧输出一相电压,接到DJK03的“外接220V”端,按下“启动”按钮,打开DJK03电源开关,用双踪示波器观察“锯齿波同步触发电路”各观察孔的波形。

2.锯齿波同步移相触发电路的调试:其调试方法与实验三相同。

令Uct=0时(RP2电位器顺时针旋到底),α=170゜3.相桥式半控整流电路带电阻性负载:按原理图3-1接线,主电路接电阻性负载(灯泡),按下“启动”按钮,用示波器观察负载电压U d、晶闸管两端电压U VT和整流二极管两端电压U VD1的波形,调节锯齿波同步移相触发电路上的移相控制电位器RP2,观察并记录在不同α角时U d、U VT、U VD1的波形,测量相应电源电压U2和负载电压U d的数值,记录于下表中。

计算公式:U d=0.9U2(1+cosα)/2八、实验报告1.画出(1)电阻性负载,(2)电阻电感性负载时U d/U2=f(α)的曲线。

2.画出(1)电阻性负载,(2)电阻电感性负载,α角分别为30゜、60゜、90゜时的U d、U VT的波形。

3.说明续流二极管对消除失控现象的作用。

九、注意事项1.双踪示波器有两个探头,可同时观测两路信号,但这两探头的地线都与示波器的外壳相连,所以两个探头的地线不能同时接在同一电路的不同电位的两个点上,否则这两点会通过示波器外壳发生电气短路。

为此,为了保证测量的顺利进行,可将其中一根探头的地线取下或外包绝缘,只使用其中一路的地线,这样从根本上解决了这个问题。

当需要同时观察两个信号是,必须在被测电路上找到这两个信号的公共点,将探头的地线接于此处,探头各接至被测信号,只有这样才能在示波器上同时观察到两个信号,而不发生意外。

2.在本实验中,触发脉冲是从外部接入DJK02面板上晶闸管的门极和阴极,此时,应将所用晶闸管对应的正桥触发脉冲或反桥触发脉冲的开关拨向“断”的位置,并将U1f及U1r悬空,避免误触发。

3.用示波器探头观察波形时,注意不要用手接触探头的金属部分,采用“先接线,后通电”,“先断电,后拆线”的实验原则!避免触电事故。

4.为避免晶闸管意外损坏,实验是要注意以下几点:a.在主电路未接通时,首先要调试触发电路,只有触发电路工作正常后,才可以接通主电路。

b.在接通主电路前,必须先将控制电压Uct调到零,且将负载电阻调到最大阻值处;接通主电路后,才可逐渐加大控制电压Uct,避免过流。

c.要选择合适的负载电阻和电感,避免过流,在无法确定的情况下,应尽可能选用大的电阻值。

d.由于晶闸管有一定的维持电流,故要使晶闸管可靠工作,其通过的电流不能太小,否则会造成晶闸管时断时续。

e.在实验中要注意同步电压与触发相位的关系,锯齿波触发电路中,触发脉冲产生的位置是在同步电压的下半周,所以在主电路接线时应充分考虑到这个问题,否则实验就无法顺利完成。

实验四三相桥式半控整流电路的研究一、实验目的1.了解三相桥式半控整流电路的工作原理及输出电压,电流波形。

2.了解晶闸管在带电阻性及电阻电感性负载,在不同控制角α下的工作情况。

二、实验所需挂件及附件1.TH-DD实验台电源控制屏;2.DJK02三相变流桥路;3.滑线变阻器;4.双踪示波器。

三、实验线路与原理在中等容量的整流装置或要求不可逆的电力拖动中,可采用比三相全控桥式整流电路更简单、经济的三相桥式半控整流电路。

它由共阴极接法的三相半波可控整流电路与共阳极接法的三相半波不可控整流电路串联而成,因此这种电路兼有可控与不可控两者的特性。

共阳极组三个整流二极管总是在自然换流点换流,使电流换到不阴极电位更低的一相,而共阴极组三个晶闸管则要在触发后才能换到阳极电位高的一个。

输出整流电压U d的波形是三组整流电压波形之和,改变共阴极组晶闸管的控制角α,可获得0-2.34U2的直流可调电压。

具体线路可参见图4-1.四、实验内容1.三相桥式半控整流供电给电阻负载。

2.三相桥式半控整流供电给电阻电感负载。

图4-1 三相桥式半控整流电路实验原理图五、思考题1.为什么说可控整流电路供电给电动机负载与供电给电阻性负载在工作上有很大的差别?2.实验电路在电阻性负载工作是能否突加一阶跃控制电压?在电动机负载工作时呢?为什么?六、实验方法1.DJK02上“触发电路”的调试;(1)开总电源开关,操作电源控制屏上的“三相电网电压指示”开关,观察输入的三相电网电压是否平衡。

(2)开DJK02电源开关,拨动“触发脉冲指示”钮子开关,使“窄”发光管亮。

(3)察A、B、C三相的锯齿波,并调节A、B、C三相锯齿波斜率调节电位器(在各观测孔左侧),使三相锯齿波斜率尽可能一致。

2.三相半控桥式整流电路供电给电阻性负载时的特性测试。

按接线,将给定输出调到零,负载电阻放在最大阻值位置,按下“启动”按钮,缓慢调节给定,观察α在30゜,60゜,90゜,120゜等不同移相范围内整流电路的输出电压Ud,输出电路Id以及晶闸管端电压UVT的波形,并加以记录。

3.三相半控桥式整流电路供电给电阻电感性负载。

将电感700mH的Ld接入重复1步骤。

七、实验报告1.绘出实验的整流电路供电给电阻负载时的Ud=f(t),Id=f(t)以及晶闸管端电压U VT=f(t)的波形。

2.绘出整流电路在α=60゜,α=90゜时带电阻电感性负载时的波形。

八、注意事项1.双踪示波器有两个探头,可同时观测两路信号,但这两探头的地线都与示波器的外壳相连,所以两个探头的地线不能同时接在同一电路的不同电位的两个点上,否则这两点会通过示波器外壳发生电气短路。

为此,为了保证测量的顺利进行,可将其中一根探头的地线取下或外包绝缘,只使用其中一路的地线,这样从根本上解决了这个问题。

当需要同时观察两个信号是,必须在被测电路上找到这两个信号的公共点,将探头的地线接于此处,探头各接至被测信号,只有这样才能在示波器上同时观察到两个信号,而不发生意外。

2.在本实验中,触发脉冲是从外部接入DJK02面板上晶闸管的门极和阴极,此时,应将所用晶闸管对应的正桥触发脉冲或反桥触发脉冲的开关拨向“断”的位置,并将U1f及U1r悬空,避免误触发。

3.用示波器探头观察波形时,注意不要用手接触探头的金属部分,采用“先接线,后通电”,“先断电,后拆线”的实验原则!避免触电事故。

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