LED芯片种类及介绍
关于LED驱动电源那些常见的十款经典LED驱动芯片
关于LED驱动电源那些常见的⼗款经典LED驱动芯⽚⽬前，芯⽚设计⾏业越来越多的⼚家加⼊了LED设计，设计出众多型号，在此从性能价格⽐⽅⾯详细的谈谈，怎样选择⾃⼰合适的IC，哪些IC最合适⾃⼰准备设计的产品。
为IC设计企业了解市场需要什么样的IC，应该制定什么价位中合适。
价格随时会变动只能为参考值。
质量和价格是决定是否采⽤的因数，符合产品设计质量参数要求很重要！价格更重要！1、美国CATALYST公司-CAT4201这个IC驱动1-7颗1W LED。
效率可达92%，6-28V电压输⼊范围降压型驱动应⽤设计。
它最⼤的优势是封装SOT23⼤⼩，线路简介，符合⽬前多数⼩体积灯杯设计使⽤要求。
⼤阻值范围电流调节，可以电位器宽阻值范围调节亮度，⽐如设计台灯等产品需要这样时。
2、美国国家半导体 LM3404LM3404和LM3402的线路⼀样，不同的是电流可以达到1A，驱动1-15pcsLED性价⽐较⾼。
上⾯所列IC规格都是内置MOS管，内置MOS管可以简化线路设计，⼩体积，降低设计综合成本，故障率也会降低。
因其⽬前IC⼯艺制成、成本等原因⼤于1A以上的LED驱动IC需要外置MOS管。
在我们⽇常产品设计中经常会遇到⼤电流设计，⽐如5W、10W等更⾼功率的设计要求，那只能选择外置MOS管的IC才可以。
3、褒贬不⼀的LED驱动芯⽚IC-AMC7150在当时AMC7150还是不错的，它有个很重要的因数就是价格，有不到2元的市场价格，是你采⽤它的理由。
AMC7150⽬前有⼏⼗家可以直接替换的IC型号，价格战会⽆法避免。
在设计参数要求不⾼的低压4-25V产品中可以选择它，基本驱动能⼒在3W以下应⽤设计。
⽐如1W串3颗或3W 1颗LED设计是稳定的。
4、欧洲Zetex公司-ZXLD1350这颗IC⽬前市场反应良好，也是SOT23⼩体积封装，输⼊7-30V电压降压恒流驱动1-7psc LED，线路简洁实⽤。
设计时Rs要紧靠IC避免供电电压⼤幅度不动，这样会影响恒流效果。
LED芯片分类知识
LED芯片分类知识LED 芯片分为MB 芯片，GB 芯片，TS 芯片，AS 芯片等4 种，下文将分析介绍这4 种芯片的定义与特点。
1.MB 芯片定义与特点定义：MB 芯片：Metal Bonding (金属粘着）芯片；该芯片属于UEC 的专利产品特点﹐1、采用高散热系数的材料---Si 作为衬底，散热容易。
Thermal ConductivityGaAs: 46 W/m-KGaP: 77 W/m-KSi: 125 ～150 W/m- KCupper:300~400 W/m-kSiC: 490 W/m-K2、通过金属层来接合(wafer bonding)磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收. 3、导电的Si 衬底取代GaAs 衬底，具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4 倍)，更适应于高驱动电流领域。
4、底部金属反射层，有利于光度的提升及散热。
5、尺寸可加大﹐应用于High power 领域﹐eg: 42mil MB 2.GB 芯片定义和特点定义﹐GB 芯片：Glue Bonding (粘着结合）芯片；该芯片属于UEC 的专利产品特点：1：透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs 衬底﹐其出光功率是传统AS (Absorbable structure)芯片的2 倍以上，蓝宝石衬底类似TS 芯片的GaP 衬底。
2：芯片四面发光﹐具有出色的Pattern 图。
3：亮度方面﹐其整体亮度已超过TS 芯片的水平(8.6mil)。
4：双电极结构﹐其耐高电流方面要稍差于TS 单电极芯片。
3.TS 芯片定义和特点定义：TS 芯片：transparent structure(透明衬底)芯片，该芯片属于HP 的专。
LED芯片的基本介绍
MOCVD是利用气相反应物（前驱物）及 Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行 反应，将所需的产物沉积在衬底表面。通过控 制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而 控制镀膜成分、晶相等品质。MOCVD外延炉是 制作LED外延片最常用的设备。 然后是对LED PN结的两个电极进行加工， 电极加工也是制作LED芯片的关键工序，包括 清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨； 然后对LED毛片进行划片、测试和分选，就可 以得到所需的LED芯片。如果芯片清洗不够乾 净，蒸镀系统不正常，会导致蒸镀出来的金属 层（指蚀刻后的电极）会有脱落，金属层外观 变色，金泡等异常。
p-GaN p-Al0.25Ga0.75N
MQW u-In0.04Ga0.96N
LM-InGaN n-GaN/u-GaN
蓝宝石衬底
衬底片
外延片
RIBER R49NT型MBE系统
RIBER R6000型MBE系统
注析：法国Riber公司是全球着名的MBE系统及相关设备的制造商和供应商，已有30年以上研发MBE系统的经验，在国际市场和中国市场中所占的市场份额都居于领先地位， 也是最早进入中国市场的MBE设备供应商之一，可为客户提供各种化合物半导体薄膜的外延设备和技术服务。2008年6月Riber收购了法国专门制造分子束源炉的ADDON公司； 2008年9月Riber公司又收购了英国牛津仪器公司控股的VG Semicon MBE部门，进一步扩大了它在国际MBE市场中的占有率。目前Riber公司在全球已有250多个研究型MBE客 户，22个生产型MBE客户（市场占有率71%），产品的销售网络遍布欧洲、美洲和亚洲等许多国家和地区。
LED芯片的基本介绍
陈海金
2012-10
目录
一、LED名词解释 二、LED晶片生产工艺及流程 三、LED晶片分类 四、LED发展的趋势 五、小结
LED芯片的分类与特征
LED芯片的分类与特征
发光二极管的制造工艺过程
Sapphire蓝 宝石 2-inch
芯片加工
衬底材料 生长或购 买衬底
芯片切割
器件封装
LED结构 MOCVD生长
课程内容
LED芯片的作用 LED芯片的分类与特征 LED芯片的结构与图示 LED芯片参数 LED芯片型号编码 LED芯片评估
回顾:LED的发光原理
Eg代表了将半导体的电子断键，变成 自由电子，并将此自由电子送到导带，而 在价带中留下空穴所需的能量。 Eg=hf h是常数，f是光的频率。 因为光速=波长×频率，即C= ×f。 所以：=1240/Eg （单位：纳米）
理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光 区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即 λ≈1240/Eg（nm） 电子由导带向价带跃迁时以光的形式释放 能量，大小为禁带宽度Eg，由光的量子性可知， hf= Eg [h为普朗克常量,f为频率，据f=c/λ,可得 λ=hc/Eg,当λ的单位用um, Eg单位用电子伏特 （eV）时，上式为λ=1.24um·ev/Eg ]，若能产生 可见光（波长在380nm紫光～780nm红光）， 半导体材料的Eg应在1.59 ～ 3.26eV之间。
F.A. Ponce and D.P. Bour, Nature 386, 351 (1997)
5.按芯片质量分:
（1）正规格方片：是指经过生产厂挑选过的：亮度， 电压，抗静电能力，色差都是在同一个标准范围的！ 正规方片A：是完全经过挑选，并保证数量。 正规方片B：是指不保证数量的但是经过挑选。 （2）大圆片：就是指未经过挑选：亮度相差大，电压 波动大，抗静电能力不一致，跑波长（色差大）！ 但是会把（外延片做成的芯片）周围的不能用的部 分剔除掉 （3）猪毛片：大圆片的不良都有具备，最大特点是什 么颜色都有，不只是单纯的波长跨度大！ 正规方片A>正规放片B>大圆片>猪毛片>散晶。
LED芯片种类及介绍
芯片晶粒种类表
晶粒种类 类别
可见光
不可见光
颜色 红
高亮度红 橙
高亮度橙 黄
高亮度黄 黄绿
高亮度黄绿 绿
高亮度绿 高亮度蓝绿/绿
高亮度蓝
红外线
波长 645nm~655nm 630nm~645nm 605nm~622nm
585nm~600nm
569nm~575nm
555nm~560nm 490nm~540nm 455nm~485nm 850nm~940nm
台湾LED芯片厂商：
晶元光电（Epistar）简称：ES、（联诠、元坤，连勇，国联），广镓光电（ Huga），新世纪（Genesis Photonics），华上（Arima Optoelectronics）简称 ：AOC，泰谷光电（Tekcore），奇力，钜新，光宏，晶发，视创，洲磊，联胜 （HPO），汉光（HL），光磊（ED），鼎元（Tyntek）简称：TK，曜富洲技 TC，灿圆（Formosa Epitaxy），国通，联鼎，全新光电（VPEC），
☆ 超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。
芯片按组成元素可分为：
☆ 二元晶片(磷﹑镓)：H﹑G等；
☆ 三元晶片(磷﹑镓 ﹑砷)：SR(较亮红色GaA/AS 660nm)、 HR (超亮红色 GaAlAs 660nm)、UR(最亮红色GaAlAs 660nm)等；
☆ 四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟)：SRF( 较亮红色 AlGalnP )、HRF(超亮红色 AlGalnP)、URF(最亮红色 AlGalnP 630nm)、VY(较亮黄色GaAsP/GaP 585nm)、 HY(超亮黄色 AlGalnP 595nm)、UY(最亮黄色 AlGalnP 595nm)、UYS(最亮黄色 AlGalnP 587nm)、UE(最亮桔色 AlGalnP 620nm)、HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)、 UG (最亮绿色 AIGalnP 574nm) LED等。
LED芯片种类及介绍
LED芯片种类及介绍LED芯片是一种发光二极管（Light Emitting Diode，LED）的核心组件，广泛应用于照明、显示、通讯和传感等领域。
根据不同的用途和要求，LED芯片有多种不同的种类和类型。
下面将介绍一些常见的LED芯片。
1.普通LED芯片：普通LED芯片是最基本的LED芯片，通常由镓磷化物材料构成。
它们具有低功耗、高亮度、长寿命等优点，广泛用于室内和室外照明、指示灯、面板指示等应用。
普通LED芯片有不同的尺寸和颜色可选。
2.SMDLED芯片：SMD（Surface Mount Device）LED芯片是一种表面贴装封装的LED芯片。
它们通常非常小巧，适合在限空应用中使用，例如电视、手机、平板电脑等显示屏。
SMD LED芯片有多种类型，包括单色、多色和全彩等，可实现各种显示效果。
3.COBLED芯片：COB（Chip on Board）LED芯片是将多个LED芯片连接到同一电路板上，形成一组LED芯片。
它们具有高亮度、高光效和均匀光分布的优点，在照明应用中非常受欢迎，例如室内灯具、车灯和户外照明。
4.UVLED芯片：UV（Ultraviolet）LED芯片是一种可以发出紫外线光的LED芯片。
它们广泛应用于紫外线消毒、紫外线固化、光刻、UV打印等领域。
UVLED芯片有多种波长可选，不同波长的紫外线适用于不同的应用。
5.IRLED芯片：IR（Infrared）LED芯片是一种可以发出红外线光的LED芯片。
它们在遥控器、红外线通信、红外线传感等领域得到广泛应用。
IR LED芯片有不同的波长和功率可选，可以适应不同的应用需求。
6.RGBLED芯片：RGBLED芯片由红、绿、蓝三种颜色的LED芯片组成，可以通过不同的亮度和混色方式来呈现各种颜色。
RGBLED芯片广泛用于彩色显示、舞台灯光、装饰照明等领域。
除了以上介绍的常见LED芯片，还有其他一些特殊类型的LED芯片，如高亮度LED芯片、高功率LED芯片、有机LED芯片等，它们在各自的领域有着特殊的用途和优势。
led 芯片 材料体系
led 芯片材料体系LED（Light Emitting Diode）芯片是LED产品的核心部分，它通过半导体材料的能级跃迁来产生光。
LED芯片的材料体系主要包括以下几种：1. 硅基材料（Si-based）：硅（Si）是最早被用于LED制造的材料之一，但由于其发光效率相对较低，目前主要用于低功率的LED应用，如指示灯。
2. 镓氮化物基材料（GaN-based）：氮化镓（GaN）是制造蓝光LED的主要材料，因为它具有较高的击穿电压、良好的热稳定性和较宽的带隙。
蓝光LED可以通过与其他半导体材料结合形成量子阱结构来产生其他颜色的光，例如通过与砷化镓（GaAs）结合产生绿光，与铟镓磷（InGaP）结合产生黄光。
3. 磷化镓基材料（GaP-based）：磷化镓（GaP）及其合金用于制造黄绿色、绿色到红色范围的LED。
4. 砷化镓基材料（GaAs-based）：砷化镓（GaAs）常用于制造红光和红外线LED。
5. 铟镓氮化物基材料（InGaN-based）：铟镓氮化物（InGaN）合金被用于制造高效率的蓝光和绿光LED。
6. 铝镓氮化物基材料（AlGaN-based）：铝镓氮化物（AlGaN）合金可以产生紫外和深紫外光，常用于特殊应用，如UV固化、消毒等。
7. 复合材料：为了得到更广泛的光谱范围，研究者们开发了多种复合材料，如多元合金化镓氮化物（GaN-based alloys）。
LED芯片的设计和制造涉及到多种材料和工艺的结合，包括晶体生长、加工、封装等。
不同的材料体系具有不同的电学、热学和光学特性，因此选择合适的材料体系对于实现LED芯片的高效率、高稳定性和低成本生产至关重要。
随着技术的不断进步，新材料和新技术的开发也在持续进行中，以满足不断增长的市场需求。
LED芯片
LED芯片LED芯片是一种光电半导体器件，它的全称是Light-emitting diode，即发光二极管。
LED芯片的主要作用是将电能转换成光能，通过发光产生可见光。
与传统的荧光灯和白炽灯相比，LED芯片具有更高的能效、更长的寿命、更小的体积和更高的耐冲击性。
LED芯片的基本结构包括P型半导体和N型半导体，中间夹着一层P-N结。
当正向电压施加到LED芯片上时，电子会从N型半导体流向P型半导体，而空穴则从P型半导体流向N型半导体，两者在P-N结相遇时会发生复合，产生光能。
根据不同的材料组成，LED芯片可以发出不同的光谱，从红色、绿色到蓝色甚至紫外线。
LED芯片的优点主要体现在以下几个方面：1. 能效高：LED芯片的能效比传统荧光灯和白炽灯更高，转换电能至光能的效率非常高，能够节省能源的消耗。
相同功率下，LED芯片的光亮度要高于其他光源。
2. 长寿命：LED芯片寿命一般可以达到几万个小时以上，远远超过传统灯泡。
这意味着LED产品的使用寿命更长，更节省更换成本。
3. 可调性好：LED芯片的亮度和颜色可以通过外部电流和电压进行调节，具有非常好的可调性。
这使得LED应用非常广泛，可以满足不同场景下的需求。
4. 反应速度快：LED芯片的反应速度非常快，可以迅速达到最大亮度，适合对光亮度要求较高的场景，如电子显示屏和灯光效果等。
5. 尺寸小：LED芯片的尺寸非常小，可以做到非常紧凑的设计，适合集成在各种设备和产品中。
6. 环保节能：LED芯片不含有汞等有害物质，不会对环境产生污染，而且能效高，节约能源，符合可持续发展的要求。
目前，LED芯片已广泛应用于照明、显示、电子产品、交通信号灯、汽车照明等领域，成为一种主流的照明和显示技术。
随着技术的不断进步，LED芯片的亮度、颜色、能效和稳定性不断提高，预计未来LED芯片的应用范围还将进一步扩大。
led显示屏常用芯片说明
LED 显示屏中常用的芯片说明及原理Led中常见的芯片有：74HC595列驱动，74HC138译码驱动，74HC245信号放大，74HC4953行扫描等。
1、74HC59574HC595是硅结构的CMOS器件，兼容低电压TTL电路，遵守JEDEC标准。
74HC595是具有8位移位寄存器和一个存储器，三态输出功能。
移位寄存器和存储器是分别的时钟。
数据在SHcp（移位寄存器时钟输入）的上升沿输入到移位寄存器中，在STcp（存储器时钟输入）的上升沿输入到存储寄存器中去。
如果两个时钟连在一起，则移位寄存器总是比存储寄存器早一个脉冲。
移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’）,和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。
8位串行输入/输出或者并行输出移位寄存器，具有高阻关断状态。
三态。
将串行输入的8位数字，转变为并行输出的8位数字，例如控制一个8位数码管，将不会有闪烁。
2特点8位串行输入 /8位串行或并行输出存储状态寄存器，三种状态输出寄存器（三态输出：就是具有高电平、低电平和高阻抗三种输出状态的门电路。
）可以直接清除 100MHz的移位频率特点8位串行输入/8位串行或并行输出存储状态寄存器，三种状态输出寄存器（三态输出：就是具有高电平、低电平和高阻抗三种输出状态的门电路。
）可以直接清除100MHz的移位频率3输出能力并行输出，总线驱动；串行输出；标准中等规模集成电路595移位寄存器有一个串行移位输入（Ds），和一个串行输出（Q7’）,和一个异步的低电平复位，存储寄存器有一个并行8位的，具备三态的总线输出，当使能OE时（为低电平），存储寄存器的数据输出到总线。
参考数据Cpd决定动态的能耗，Pd=Cpd×VCC×f1+∑(CL×VCC^2×f0)F1=输入频率，CL=输出电容f0=输出频率（MHz）Vcc=电源电压4、引脚说明符号引脚描述Q0…Q7 8位并行数据输出，其中Q0为第15脚GND 第8脚地Q7’第9脚串行数据输出MR 第10脚主复位（低电平）SHCP 第11脚移位寄存器时钟输入STCP 第12脚存储寄存器时钟输入OE 第13脚输出有效（低电平）DS 第14脚串行数据输入VCC 第16脚电源2、74HC138 芯片74HC138是一款高速CMOS器件，74HC138引脚兼容低功耗肖特基TTL（LSTTL）系列。
LED芯片种类及介绍
LED芯片具有高效、节能、环保、寿命长等优点，广泛应用于照明、显示、背 光等领域。
LED芯片的分类
按波长分类
LED芯片按发射光的波长可分为可见光LED芯片和不可见光LED芯片。可见光LED芯片主 要用于照明和显示领域，不可见光LED芯片主要用于红外通信、感应等领域。
按功率分类
LED芯片按功率可分为小功率LED芯片和大功率LED芯片。小功率LED芯片主要用于指示 器、背光等领域，大功率LED芯片主要用于照明领域。
室外照明
LED芯片也可用于路灯、隧道灯 、景观灯等室外照明设备，提高 夜间能见度和安全性。
显示屏幕
电视屏幕
LED芯片可以用于制造高清、大屏幕 的电视屏幕，提供出色的视觉效果。
广告显示屏
LED芯片还可以用于制造各种广告显 示屏，如户外大型广告牌、商场展示 屏等，具有高亮度、高清晰度和高动 态范围的特点。
LED芯片还可以用于制造舞台灯光设 备，如染色灯、追光灯等，提供丰富 多彩的舞台效果。
04
LED芯片的发展趋势
高亮度化
总结词
随着LED技术的不断进步，高亮度LED芯片已成为市场主流，广泛应用于户外照明、汽 车照明等领域。
详细描述
高亮度LED芯片能够发出更高的光通量，具有更广泛的照明应用范围。它们通常采用高 功率芯片和先进的封装技术，以提高发光效率和稳定性。高亮度LED芯片的发展对于推
VS
详细描述
垂直芯片的结构使得其具有较高的亮度和 可靠性，同时也有利于散热。在垂直芯片 中，电流从上表面的阳极流向下表面的阴 极，产生的光子通过透明衬底向外发出。 这种结构使得垂直芯片在高温和低温环境 下都能保持良好的稳定性，适用于各种恶 劣环境下的应用。
LED芯片种类及介绍
LED芯片种类及介绍在现代电子产品中，LED（发光二极管）芯片是最常见的光源之一、它具有低能耗、长寿命、小体积等优势，被广泛应用于背光、指示灯、车灯等领域。
随着技术的不断发展，LED芯片的种类也越来越多样化。
下面将介绍几种常见的LED芯片。
1.常规LED芯片：常规LED芯片是最基础的一种LED产品，具有传统的电流驱动方式。
常见的常规LED芯片有：DIP（插拔式双列直插）、SMD（表面贴装器件）等。
常规LED芯片颜色丰富，可用于背光、指示灯等应用。
它们的优点是价格低廉、可靠性高，但相对来说光效略低。
2.COBLED芯片：COB（Chip-on-Board）芯片是一种将多个LED芯片密封到同一芯片上的技术。
COB芯片采用多级封装，可以实现高密度、高亮度的光源。
相比于常规LED，COB芯片有更高的光效和更均匀的光分布，适用于照明领域的大功率应用，如室内照明、户外照明等。
3.高亮度LED芯片：高亮度LED芯片是指具有较高发光效率的LED产品。
高亮度LED芯片通常采用隧道结构或透明衬底技术，提高了光效和较大的光出射面积。
这种芯片常用于照明领域，特别是需要高亮度的应用，如车灯、手电筒等。
高亮度LED芯片的光效一般较高，通常属于高端产品。
4.RGBLED芯片：RGB（红、绿、蓝）LED芯片是一种能够产生多种颜色的LED产品。
RGBLED芯片内部包含三个独立的LED芯片，分别发射红色、绿色和蓝色光。
通过调节不同颜色的光的亮度和混合比例，可以产生各种颜色的光。
这种芯片常用于显示屏、舞台照明等需要多彩效果的应用。
5.高频LED芯片：高频LED芯片是一种具有快速响应时间和高频闪烁能力的LED产品。
相比于常规LED芯片，它的响应时间更短，可以实现更高的刷新率。
这种芯片常用于LED显示屏、摄影闪光灯等需要高速闪烁的应用。
总结起来，LED芯片种类繁多，每种芯片都有其独特的特点和应用范围。
无论是常规LED芯片、COB芯片、高亮度LED芯片、RGBLED芯片还是高频LED芯片，它们都在不同领域中发挥着重要的作用。
led芯片简介演示
通过兼并重组等方式，培育一 批具有国际竞争力的led芯片 龙头企业，引领产业升级。
提升产业集聚度
加强区域合作，推动产业集聚和产 业链协同，形成规模效应。
加强国际合作
积极参与国际标准制定和产业联盟 ，加强与国际先进企业的合作交流 。
产品成本的降低
优化生产工艺
通过改进生产工艺、提高生产效 率等方式，降低生产成本。
芯片切割
01 激光切割
采用激光切割技术，将外延层生长的LED芯片切 割成独立的个体。
02 机械切割
采用机械切割方式，对外延层进行切割和分离， 得到独立的LED芯片。
03 分选测试
对外观和性能进行检测，将不合格的芯片筛选出 来，保证产品的质量和一致性。
封装测试
01
02
03
封装材料选择
选择合适的封装材料，如 环氧树脂、硅胶等，以实 现良好的散热、防水和机 械保护。
03
采用金属基板作为衬底，可实现更高的散热性能和更灵活的封
装方式。
外延生长
01 氮化镓外延层
在衬底上生长氮化镓外延层，该层具有高导热性 和高透光性。
02 掺杂氮化镓外延层
通过掺杂不同元素，控制外延层的导电类型和电 阻率，以实现更好的电学性能。
03 多层结构的外延生长
采用多层结构的外延生长技术，实现不同功能层 的堆叠和优化，以获得更好的光学和电学性能。
体积小、寿命长、效率高、色彩丰富、耐冲击。
led芯片分类
按发光管发光颜色：分为 可见光LED芯片和不可见 光LED芯片。
按发光管出光面特征：分 为表面发光型和侧面发光 型。
按发光二极管结构：分为 有环氧和无环氧封装。
按发光二极管整体形状特 征：分为圆型、方型、矩 形等。
LED芯片介绍范文
LED芯片介绍范文一、原理LED芯片是一种发光二极管器件，其发光原理是基于电子与空穴的复合过程。
当正向电压施加到二极管芯片上时，电子和空穴在PN结附近的载流子复合区域相遇，释放出能量，并以光的形式辐射出来。
这种电能转化为光能的过程被称为电致发光效应。
由于使用了半导体材料，LED芯片能够实现低功耗和高亮度的特性。
二、结构LED芯片的结构主要包括PN结、发光层和金属反射层。
PN结是LED 芯片最关键的一部分，它由N型半导体和P型半导体组成，通过之间的结合形成一个转换区域。
在PN结中，P区域中富集了正空穴，N区域中富集了负电子，当正向电压施加到PN结时，正空穴和负电子就会在PN结附近碰撞。
发光层位于PN结的中心位置，它是一层能够吸收电子和空穴能量并将其转化为光能的特殊材料。
金属反射层位于发光层的一侧，它能够反射产生的光线，以增强光的输出效果。
三、制造工艺晶片生长是将材料在晶体生长炉中进行熔化，并通过特定的工艺条件促使晶体生长。
常用的材料包括砷化镓(GaAs)、氮化镓(GaN)等。
晶体生长后，会形成具有PN结构的晶片。
晶片加工阶段是在晶片上进行腐蚀、扩散、光刻等工艺步骤，以形成LED的各个结构层。
其中，腐蚀工艺用于去除不需要的材料，扩散工艺用于调整材料的掺杂浓度，光刻工艺用于形成发光层和金属反射层的模式。
后道封装是将晶片连接到金属导线、加入封装材料，并通过焊接或粘合技术固定晶片。
封装材料可以保护晶片免受外界环境的影响，并通过对光线的导引和散射来实现光的输出。
四、应用由于LED芯片具有高亮度、低功耗、长寿命等特点，因此在照明、显示、通信等领域有广泛的应用。
在照明领域，LED芯片可以替代传统的白炽灯和荧光灯，用于家庭照明、道路照明等。
LED照明具有较高的能量转换效率，可以节省大量的电能消耗，同时还具有调光功能，满足不同环境下的需求。
在显示领域，LED芯片可以用于制造LED显示屏、LED电视等设备。
由于LED芯片可以实现高亮度和大角度的光线输出，所以LED显示屏具有较高的视觉效果和更广泛的视角，适用于户外广告、室内显示器等应用。
LED芯片知识大全：分类,制造,参数(精)
LED 芯片知识大全：分类，制造，参数我们在买灯具的时候，经常会听说LED 芯片，那么，LED 芯片究竟是什么呢？下面就带着大家了解下。
LED 芯片也称为led 发光芯片，是led 灯的核心组件，也就是指的P-N 结。
其主要功能是：把电能转化为光能，芯片的主要材料为单晶硅。
半导体晶片由两部分组成，一部分是P 型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N 型半导体，在这边主要是电子。
但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N 结。
当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P 区，在P 区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED 发光的原理。
而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N 结的材料决定的。
分类用途：根据用途分为大功率led 芯片、小功率led 芯片两种；颜色：主要分为三种：红色、绿色、蓝色（制作白光的原料）；形状：一般分为方片、圆片两种；大小：小功率的芯片一般分为8mil 、9mil 、12mil 、14mil 等片尺寸大功率LED 芯片有尺寸为38*38mil，40*40mil，45*45mil等三种当然芯片尺寸是可以订制的，这只是一般常见的规格。
mil 是尺寸单位，一个mil 是千分之一英寸。
40mil 差不多是1毫米。
38mil ，40mil ，45mil 都是1W 大功率芯片的常用尺寸规格。
理论上来说，芯片越大，能承受的电流及功率就越大。
不过芯片材质及制程也是影响芯片功率大小的主要因素。
例如CREE40mil 的芯片能承受1W 到3W 的功率，其他厂牌同样大小的芯片，最多能承受到2W 。
发光亮度一般亮度：R(红色GaAsP655nm 、H(高红GaP697nm 、G(绿色GaP565nm 、Y(黄色GaAsP/GaP585nm、E(桔色GaAsP/GaP635nm等；高亮度：VG(较亮绿色GaP565nm 、VY(较亮黄色GaAsP/GaP585nm、SR(较亮红色GaA/AS660nm；超高亮度：UG ﹑UY ﹑UR ﹑UYS ﹑URF ﹑UE 等。
led芯片型号
led芯片型号LED（Light-Emitting Diode）是一种具有发光功能的半导体材料。
在LED中，最重要的元件就是LED芯片。
LED芯片是一个微小的发光源，它能够将电能直接转化为光能。
目前市场上存在着许多种不同型号的LED芯片，常见的有以下几种：1. SMD LED芯片：SMD代表表面贴装装置（Surface Mount Device），是一种常见的LED芯片封装形式。
SMD LED芯片具有小巧、高亮度、节能等特点，广泛应用于平板电视、手机屏幕、电子显示屏等领域。
2. COB LED芯片：COB代表Chip on Board，是将多个LED 芯片集成在一起，并用特殊的胶水固定在一个基板上。
COB LED芯片具有高亮度、均匀发光等特点，适用于室内照明、汽车灯光等领域。
3. RGB LED芯片：RGB代表红、绿、蓝三种颜色，RGB LED 芯片内部分别集成了红、绿、蓝三种颜色的LED晶体管。
RGB LED芯片可以通过调节三种颜色的亮度来实现各种颜色的光效，被广泛应用于灯饰、舞台灯光等领域。
4. UV LED芯片：UV代表紫外线，UV LED芯片能够发出紫外线光线。
UV LED芯片广泛应用于杀菌、固化、紫外线照射等领域。
5. IR LED芯片：IR代表红外线，IR LED芯片能够发出红外线光线。
IR LED芯片广泛应用于遥控器、红外线通讯等领域。
6. High Power LED芯片：High Power LED芯片是一种功率较大的LED芯片，其亮度较高。
High Power LED芯片广泛应用于照明、汽车灯光、户外广告牌等领域。
以上只是部分LED芯片型号的介绍，随着科技的进步和需求的不断变化，LED芯片的种类也在不断增加和改进。
无论哪种型号的LED芯片，都具有节能、环保、寿命长等优点，有着广泛的应用前景。
LED芯片种类及介绍
大陆LED芯片厂商： 三安光电简称（S）、上海蓝光（Epilight）简称（E）、士兰明芯（SL）、大连路美简称 （LM）、迪源光电、华灿光电、南昌欣磊、上海金桥大晨、河北立德、河北汇能、深圳 奥伦德、深圳世纪晶源、广州普光、扬州华夏集成、甘肃新天电公司、东莞福地电子材料 、清芯光电、晶能光电、中微光电子、乾照光电、晶达光电、深圳方大，山东华光、上海 蓝宝等。
LED芯片的常用分类方法
LED芯片衬底对比
LED芯片的供应商
1. LED芯片的常用分类方法
LED芯片是半导体发光器件LED的核心部件，它主要由砷(AS)、铝 (AL)、镓(Ga)、铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Ｓi)这几种元素中的若干 种组成。
芯片按发光亮度分类可分为：
☆ 一般亮度：R(红色GaAsP 655nm)、H ( 高红GaP 697nm )、 G ( 绿色GaP 565nm )、Y ( 黄色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色 GaAsP/ GaP 635nm )等；
☆ 高亮度：VG (较亮绿色GaP 565nm )、VY(较亮黄色 GaAsP/ GaP 585nm )、SR( 较亮红色GaA/AS 660nm )； ☆ 超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。
芯片按组成元素可分为：
☆ 二元晶片(磷﹑镓)：H﹑G等； ☆ 三元晶片(磷﹑镓 ﹑砷)：SR(较亮红色GaA/AS 660nm)、 HR (超亮红色 GaAlAs 660nm)、UR(最亮红色GaAlAs 660nm)等； ☆ 四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟)：SRF( 较亮红色 AlGalnP )、HRF(超亮红色 AlGalnP)、URF(最亮红色 AlGalnP 630nm)、VY(较亮黄色GaAsP/GaP 585nm)、 HY(超亮黄色 AlGalnP 595nm)、UY(最亮黄色 AlGalnP 595nm)、UYS(最亮黄色 AlGalnP 587nm)、UE(最亮桔色 AlGalnP 620nm)、HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)、 UG (最亮绿色 AIGalnP 574nm) LED等。
LED芯片的类型
一般分类方法：
芯片功率 芯片的波长 芯片的材料
二、LED芯片分类
LED芯片的技术指标
几何参数：芯片的几何形状和尺寸 材料参数：材料组成、衬底材料、pn型电 极材料 光学参数：波长范围、亮度、光强、光通 量范围 电学参数：正向电压、电流，反向电压、 电流 使用条件：工作环境温度、存储温度、极 限参数等
60m W
20mA
1.9~2. 1 3.0~3. 6 2~2.3 3.0
功率 LED W级 LED
20×20m 几百 il mW 1×1mm 1W
40~10 0mA 200~3 50mA
食人鱼 4~6lm
铝基板 6~50 热沉
二、LED芯片分类
电磁波谱
LED按颜色分类
电磁波谱
长电磁波 无线电（~1km） 微波（1mm~1m） 红外线（近、中、远红外） 可见光（380~780nm） 紫外线（紫外、极紫外） x射线 γ射线 宇宙射线
LED按颜色分类
LED按波长分类
紫外波长 370-410
1.3 LED芯片的类型
内容
一、半导体光电器件分类 二、LED芯片分类 按LED的发光颜色分类 按LED输入功率分类
一、半导体光电器件分类
发光LED（单色、双多色、面、闪烁、白光） 发光显示器（数码、字符、多位、电平、其它） 光传感器（光敏、组合型） 光电耦合器（通用、集成电路型、光控晶闸管、光纤型 高压） 智能显示器（单位、多位、全彩） 光电池（太阳能、光电池阵列） 电子耦合元件摄像器件（面阵、线阵） 激光二极管LD（短波长、可见、长波长）
LED芯片的类型
高可靠性
总结词
高可靠性是LED芯片的重要发展趋势，能够保证LED产品的长期稳定性和可靠性。
详细描述
高可靠性LED芯片能够提高产品的使用寿命和稳定性，减少故障和维护成本。高可靠性LED芯片采用先进的封装 技术和材料，提高产品的散热性能和耐候性能，保证LED产品的长期稳定运行。
环保节能
总结词
环保节能是全球范围内的共同目标，也是LED芯片的重要发展趋势。
。
LED芯片的应用领域
照明
显示
LED芯片广泛应用于室 内外照明，如LED灯具、
LED显示屏等。
LED芯片可以组成各种 显示屏幕，如电视、电 脑显示器、广告牌等。
汽车
LED芯片可用于汽车照 明和信号灯，提高车辆
的安全性和外观。
电子设备
LED芯片可用于各种电 子设备的指示器、背光
等。
02
LED芯片的分类
LED芯片的类型
• LED芯片简介 • LED芯片的分类 • LED芯片的制造工艺 • LED芯片的发展趋势
01
LED芯片简介
LED芯片的定义
01
LED芯片是发光二极管的核心部 分，由化合物半导体材料制成， 能够将电能转化为光能。
02
LED芯片通常由一个PN结芯片组 成，当电流正向通过时，电子与 空穴复合，释放出能量，以光子 的形式辐射出来。
氮化镓是LED芯片的核心 发光材料，通过外延生长 技术制备氮化镓外延层是 关键步骤。
掺杂
掺杂是指将杂质元素引入 到外延层中，以改变材料 的导电性能和发光特性。
结构优化
通过结构优化，如量子阱、 量子点等结构，提高LED 芯片的发光效率和稳定性。
芯片加工
刻蚀
LED芯片种类及介绍
LED芯片种类及介绍1.蓝光LED芯片：蓝光LED芯片是将电能通过半导体材料中的电流与空穴之间的复合，产生蓝光辐射。
蓝光LED芯片可以通过使用荧光粉转化为其他颜色的光线，如白光、红光、绿光等。
蓝光LED芯片常用于显示屏、汽车车灯、室内照明等领域。
2.白光LED芯片：白光LED芯片是通过蓝光LED芯片与黄光荧光粉的混合，将蓝光与黄光叠加在一起，形成白光。
白光LED芯片具有高亮度、低功耗的特点，广泛应用于室内和室外照明，以及液晶显示屏背光源等领域。
3.RGBLED芯片：RGBLED芯片是由红、绿、蓝三种颜色的LED芯片组成，分别通过不同的亮度协调混合在一起，可以形成多种颜色的光线。
RGBLED芯片广泛应用于室内和室外的装饰照明、显示屏和舞台照明等领域。
4.柔性LED芯片：柔性LED芯片是一种可以在柔性基材上制作的LED芯片，它具有极高的可弯曲性和可塑性，可以实现很多特殊形状的灯具设计，如弯曲、卷曲等。
柔性LED芯片适用于各种照明装饰设计，如建筑立面照明、天花板照明等。
5.COBLED芯片：COBLED芯片是将多个LED芯片集成在一个芯片上，形成一个整体光源。
COB芯片具有高亮度、均匀光线分布和较高的发光效率，常用于室内和室外照明、街灯、车灯等领域。
6.高效率LED芯片：高效率LED芯片通过改进材料结构和工艺技术，提高了LED芯片的光电转换效率，从而实现更高的亮度和更低的功耗。
高效率LED芯片广泛应用于电视背光源、车灯、手机屏幕等领域。
除了以上介绍的LED芯片种类外，还有许多其他特殊用途的LED芯片，如紫外线LED芯片、红外线LED芯片以及具有特殊波长或光谱分布的LED芯片，它们在医疗、检测、通信等领域有着重要的应用。
总的来说，LED芯片种类繁多，不同的LED芯片在光谱、亮度、功耗等方面有所差异，可根据具体需要选择适合的LED芯片来满足各种照明和显示需求。
随着技术的不断发展，LED芯片的性能将不断提高，应用范围也将更加广泛。
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硅衬底 硅是热的良导体，所以器件的导热性能可以明显改善，从 而延长了器件的寿命。硅衬底芯片电极采用两种接触方式:
L
V
接 触 垂 直 接 触
接 触 水 平 接 触
(
( )
V电极芯片 L电极芯片
)
采用蓝宝石衬底和碳化硅衬底的LED芯片
碳化硅衬底
碳化硅衬底（CREE公司专门采用SiC材料作为衬底）的 LED芯片，电极是L型电极，电流是纵向流动的。采用这种衬 底制作的器件的导电和导热性能都非常好，有利于做成面积 较大的大功率器件。 优 点 缺 点
2、LED衬底材料的种类
对于制作LED芯片来说，衬底材料的选用是首要考虑的问 题。应该采用哪种合适的衬底，需要根据设备和LED器件的要 求进行选择。
◆ 蓝宝石（Al2O3） ◆ 硅 （Si） ◆ 碳化硅（SiC）
三种衬底材料：
三种衬底材料的性能比较 导热系数 (W/m· K) 膨胀系数 (×10-6)
1.生产技术成熟、器件质量较好 ;
2.稳定性很好，能够运用在高温生 长过程中;
3.机械强度高，易于处理和清洗。
蓝宝石的硬度非常高, 在自然材料中其硬度仅次于金刚石, 但是在LED器件的制作过程中 却需要对它进行减薄和切割(从400nm减到100nm左右)。添置完成减薄和切割工艺的设备又要增 加一笔较大的投资。 蓝宝石衬底导热性能不是很好(在100℃约为25W/m· ，制作大功率LED往往采用倒装技术 K) (把蓝宝石衬底剥离或减薄)。
芯片晶粒种类表
晶粒种类 类别 颜色 红 波长 645nm~655nm 结构 AlGaAs/GaAs
高亮度红
橙 高亮度橙
630nm~645nm
605nm~622nm 585nm~600nm
AlGaInP/GaAs
GaAsP/GaP AlGaInP/GaAs
黄
可见光 高亮度黄 黄绿 高亮度黄绿 绿 高亮度绿 高亮度蓝绿/绿 高亮度蓝 不可见光 红外线
☆ 高亮度：VG (较亮绿色GaP 565nm )、VY(较亮黄色 GaAsP/ GaP 585nm )、SR( 较亮红色GaA/AS 660nm )； ☆ 超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。
芯片按组成元素可分为：
☆ 二元晶片(磷﹑镓)：H﹑G等； ☆ 三元晶片(磷﹑镓 ﹑砷)：SR(较亮红色GaA/AS 660nm)、 HR (超亮红色 GaAlAs 660nm)、UR(最亮红色GaAlAs 660nm)等； ☆ 四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟)：SRF( 较亮红色 AlGalnP )、HRF(超亮红色 AlGalnP)、URF(最亮红色 AlGalnP 630nm)、VY(较亮黄色GaAsP/GaP 585nm)、 HY(超亮黄色 AlGalnP 595nm)、UY(最亮黄色 AlGalnP 595nm)、UYS(最亮黄色 AlGalnP 587nm)、UE(最亮桔色 AlGalnP 620nm)、HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)、 UG (最亮绿色 AIGalnP 574nm) LED等。
台湾LED芯片厂商：
晶元光电（Epistar）简称：ES、（联诠、元坤，连勇，国联），广镓光电（ Huga），新世纪（Genesis Photonics），华上（Arima Optoelectronics）简称 ：AOC，泰谷光电（Tekcore），奇力，钜新，光宏，晶发，视创，洲磊，联胜 （HPO），汉光（HL），光磊（ED），鼎元（Tyntek）简称：TK，曜富洲技 TC，灿圆（Formosa Epitaxy），国通，联鼎，全新光电（VPEC），
华兴（Ledtech Electronics）、东贝（Unity Opto Technology）、光鼎（Para Light Electronics）、亿光（Everlight Electronics）、佰鸿（Bright LED Electronics）、今台 （Kingbright）、菱生精密（Lingsen Precision Industries）、立基（Ligitek Electronics）、 光宝（Lite-On Technology）、宏齐(HARVATEK)等。
目前有很多家生产LED芯片的厂商，对于芯片的分类也没有统一 的标准。一般情况下，LED芯片有按芯片功率大小分类的，也有 按波长、颜色分类的，还有按材料的不同进行分类的。但无论怎 样分类，对LED芯片供应商和 LED芯片采购商来说，LED芯片应 当提供下列技术指标：LED芯片的几何尺寸、材料组成、衬底材 料、pn型电极材料，LED芯片的波长范围，LED裸晶的亮度光强 范围，LED 芯片的正向电压、正向电流、反向电压、反向电流， LED芯片的工作环境温度、储存温度、极限参数，等等。
大陆LED芯片厂商： 三安光电简称（S）、上海蓝光（Epilight）简称（E）、士兰明芯（SL）、大连路美简称 （LM）、迪源光电、华灿光电、南昌欣磊、上海金桥大晨、河北立德、河北汇能、深圳 奥伦德、深圳世纪晶源、广州普光、扬州华夏集成、甘肃新天电公司、东莞福地电子材料 、清芯光电、晶能光电、中微光电子、乾照光电、晶达光电、深圳方大，山东华光、上海 蓝宝等。
碳化硅的导热系数为490W/m· K， 要比蓝宝石衬底高出10倍以上。
碳化硅制造成本较高， 实现其商业化还需要降低相应的成本。
2013-7-30
11
2. LED芯片的供应商
国外LED芯片厂商： CREE，惠普（HP），日亚化学（Nichia），丰田合成，大洋日酸，东芝、昭和 电工（SDK），Lumileds，旭明（Smileds），Genelite，欧司朗（Osram）， GeLcore，首尔半导体等，普瑞，韩国安萤（Epivalley）等。
衬底材料
稳定性
导热性
成本
抗静电能 力 一般 好
蓝宝石(Al2O3) 硅(Si)
46 150
1.9 5~20
一般 良
差 好
中 低
碳化硅(SiC)
490
-1.4
良
好
高
好
蓝宝石
蓝宝石衬底有许多的优点：
蓝宝石衬底存在的问题： 1.晶格失配和热应力失配，会在外 延层中产生大量缺陷； 2.蓝宝石是一种绝缘体，在上表面 制作两个电极，造成了有效发光面 积减少； 3.增加了光刻、蚀刻工艺过程，制 作成本高。
LED芯片的常用分类方法
L LED芯片的常用分类方法
LED芯片是半导体发光器件LED的核心部件，它主要由砷(AS)、铝 (AL)、镓(Ga)、铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Ｓi)这几种元素中的若干 种组成。
芯片按发光亮度分类可分为：
☆ 一般亮度：R(红色GaAsP 655nm)、H ( 高红GaP 697nm )、 G ( 绿色GaP 565nm )、Y ( 黄色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色 GaAsP/ GaP 635nm )等；
GaAsP/GaP
AlGaInP/GaAs GaP/GaP AlGaInP/GaAs GaP/GaP AlGaInP/GaAs GaInN/Sapphire GaInN/Sapphire GaAs/GaAs AlGaAs/GaAs AlGaAs/AlGaAs
569nm~575nm
555nm~560nm 490nm~540nm 455nm~485nm 850nm~940nm