焦平面APD探测器的国内外技术现状和发展趋势
红外焦平面成像方法及红外焦平面芯片行业竞争分析及发展规划指导报告
技术创新
鼓励企业加大技术研发投入，推动行业的技术 创新和产品升级。
人才培养
加强人才培养和引进，建立完善的人才体系，为行业发展提供人才保障。
行业市场拓展策略
市场定位
01
明确红外焦平面芯片的市场定位，针对不同领域和客户需求，
制定相应的市场拓展策略。
应用领域拓展
随着红外成像技术的不断成熟和成本降低，红外焦平面芯片的应用领域 将进一步拓展，包括智能家居、无人机、智能交通等领域。
03
市场竞争加剧
随着市场规模的扩大和技术进步，红外焦平面芯片行业的竞争将更加激烈。企业需要加大技术研来自和产品创新的投入，以提升竞争力。
03
红外焦平面芯片行业竞 争分析
竞争格局分析
市场份额
根据市场调研数据，美国Flir Systems在全球红外焦平面芯片市场中占据最大的 市场份额，约为30%；法国Thales和美国Raytheon分别占据约20%的市场份额 。
行业发展趋势分析
01 02
技术创新
随着材料科学、微电子技术等领域的发展，红外焦平面芯片的技术水平 不断提高，性能和可靠性得到提升。未来，高灵敏度、高分辨率、快速 响应的红外焦平面芯片将成为主流。
品牌建设
02
加强品牌建设和宣传，提高品牌知名度和美誉度，增强市场竞
争力。
国际合作
03
加强国际合作和交流，引进国际先进技术和管理经验，拓展国
际市场。
05
红外焦平面芯片行业未 来发展展望
技术创新推动行业发展
红外焦平面成像技术不断升级
随着技术的不断进步，红外焦平面成像的分辨率、灵敏度和响应速度将得到显著提升， 推动行业的发展。
光电探测器技术的发展现状与趋势
光电探测器技术的发展现状与趋势一、绪论光电探测器是指将光信号转换为电信号的器件，是现代光电技术的核心。
光电探测器具有高灵敏度、高分辨率、宽波长响应范围等优点，广泛应用于通讯、医疗、安防、航空航天、环境监测等领域。
本文就光电探测器技术的发展现状与趋势进行探讨。
二、发展现状1. 热释电探测器热释电探测器是一种新型的光电探测器，其工作原理是利用光辐射引起探测物质的温度变化，产生热释电效应，并将其转化为电信号。
与传统的半导体探测器相比，热释电探测器具有响应速度快、低噪声等优点，广泛应用于热成像、红外探测等领域。
2. 硅基光电探测器硅基光电探测器是一种典型的光电元件，以硅材料为基底制造。
硅基光电探测器具有成熟的制造工艺和高灵敏度、低噪声、快速响应等优点，是光通信、光计算、遥感、医疗等领域的重要器件。
3. 红外探测器红外探测器是一种高灵敏度、高分辨率的光电探测器。
随着红外光技术的不断发展，红外探测器的性能也逐步提高，应用范围更加广泛。
当前市场上主要的红外探测器有热释电探测器、光电二极管探测器、金属半导体场效应管探测器等。
三、技术趋势1. 制造工艺的进一步优化目前光电探测器制造的主要难点之一是如何控制材料的晶格和表面形貌，以提高器件的性能。
未来的发展趋势是对制造工艺进行进一步优化，采用新材料和新制造工艺，提高器件的光电转换效率、灵敏度和响应速度。
2. 对多模式光子探测器的研究多模式光子探测器是一种新兴的光电探测器，能同时探测多个光子的数量和时序信息。
它具有高精度、高响应速度等优点，在激光雷达、光子计算等领域具有广阔的应用前景。
3. 异质结构的研究异质结构是将两种不同的半导体材料通过层状堆叠制备而成的结构。
此类结构具有独特的电、光、力学与热学特性，被认为是制备高性能光电探测器的理想载体。
未来的发展趋势是对异质结构进行更为深入的研究，探索新的应用领域。
四、结论光电探测器技术在科学研究和工业生产中具有广泛的应用前景。
红外焦平面阵列技术现状和发展趋势
红外焦平⾯阵列技术现状和发展趋势⼀、引⾔⾃从1800年赫谢尔利⽤⽔银温度计制作的最原始的热敏探测器发现了红外辐射以来[1]，⼈们就开始不断运⽤各种⽅法对红外辐射进⾏检测，并根据红外光的特点⽽加以应⽤，相继制成了各种红外探测器，如热敏型辐射探测器（温差电偶探测器、电阻测辐射热计、热释电探测器）和半导体光电探测器（光电导探测器、光伏型探测器等）。
最初，⼈们只能以单个探测单元通过光机扫描的⽅式并协同低温制冷器来实现图像探测；后来，则出现了探测单元数⽬在⼀万以上，且⾃带有信号读出电路的⼆维N×M元焦平⾯阵列(FPA)探测器；⽽现今，集成了探测器后续信号处理电路，包括信号读出电路、前放、模数转换器等的第三代被称为“灵巧”（smart）凝视的⼤阵列焦平⾯也已开始崭露头⾓[2]。
红外焦平⾯热像仪是⼀种可探测⽬标的红外辐射，并能通过光电转换、电信号处理等⼿段，将⽬标物体的温度分布图像转换成视频图像的设备，是集光、机、电等尖端技术于⼀体的⾼科技产品。
因其具有较强的抗⼲扰能⼒，隐蔽性能好、跟踪、制导精度⾼等优点，在军事领域获得了⼴泛的应⽤。
⽬前许多国家，尤其是美国等西⽅军事发达国家，都花费⼤量的⼈⼒、物⼒和财⼒进⾏此⽅⾯的研究与开发，并获得了成功[3、4]。
⼆、红外焦平⾯阵列原理、分类1、红外焦平⾯阵列原理焦平⾯探测器的焦平⾯上排列着感光元件阵列，从⽆限远处发射的红外线经过光学系统成像在系统焦平⾯的这些感光元件上，探测器将接受到光信号转换为电信号并进⾏积分放⼤、采样保持，通过输出缓冲和多路传输系统，最终送达监视系统形成图像。
2、红外焦平⾯阵列分类（1）根据制冷⽅式划分根据制冷⽅式，红外焦平⾯阵列可分为制冷型和⾮制冷型。
制冷型红外焦平⾯⽬前主要采⽤杜⽡瓶/快速起动节流致冷器集成体和杜⽡瓶/斯特林循环致冷器集成体[5]。
由于背景温度与探测温度之间的对⽐度将决定探测器的理想分辨率，所以为了提⾼探测仪的精度就必须⼤幅度的降低背景温度。
红外焦平面阵列技术发展现状与趋势
红外焦平面阵列技术发展现状与趋势跨入二十一世纪以来，红外热摄像技术的发展已经历了三十多个年头。
其发展已从当初的机械扫描机构发展到了目前的全固体小型化全电子自扫描凝视摄像，特别是非致冷技术的发展使红外热摄像技术从长期的主要军事目的扩展到诸如工业监控测温、执法缉毒、安全防犯、医疗卫生、遥感、设备先期性故障诊断与维护、海上救援、天文探测、车辆、飞行器和舰船的驾驶员夜视增强观察仪等广阔的民用领域。
红外热摄像技术的发展速度主要取决于红外探测器技术取得的进展。
三十年来，红外探测器技术已从第一代的单元和线阵列发展到了第二代的二维时间延迟与积分（TDI）8～12μm的扫描和3～5μm的640×480元InSb凝视阵列，目前正在向焦平面超高密度集成探测器元、高性能、高可靠性、进一步小型化、非致冷和军民两用技术的方向发展，正在由第二代阵列技术向第三代微型化高密度和高性能红外焦平面阵列技术方向发展。
1 发展现状1.1 超高集成度的焦平面探测器像元像可见光CCD光纤通信工业应用使其具有大批量生产的能力，因而几年来日益受到重视，美国传感器无限公司在DARPA 和NVESD支持下正在加速发展这种非致冷的红外焦平面阵列和摄像机技术，其阵列尺寸已达到320×240元。
·HgCdTe阵列：由于军用目的的需求，过去这种材料焦平面阵列技术的发展主要集中于中波和长波红外波段应用，但洛克威尔国际科学中心却一直在发展1～3μm波段工作的HgCdTe焦平面阵列技术，其主要目的是天文和低背景应用，该中心在90年代中期已制出HQWAⅡ-1 1024×1024元阵列，目前已研制成功世界上最大的HQWAⅡ-2型2048×2048元的阵列，该中心正在计划研制4096×4096元的特大型阵列。
在3～5μm的中波红外焦平面阵列方面：中波红外焦平面阵列技术的发展一直是红外焦平面中发展最快的，主要有PtSi、InSb和HgCdTe三种阵列，其阵列规模已达到2048×2048元（400万元）。
焦平面红外探测器应用现状
焦平面红外探测器应用现状0 引言红外探测器广泛应用于军事、科学、工农业生产和医疗卫生等各个领域，尤其在军事领域，红外探测器在精确制导、瞄准系统、侦察夜视等方面具有不可替代的作用。
近年来，红外探测器的需求不断增加。
据美国相关公司市场调研分析师预测，全球军用红外探测器需求额有望在2020年达到163.5亿美元，复合年均增长率为7.71%。
红外探测器按探测机理可分为热探测器和光子探测器，按其工作中载流子类型可以分为多数载流子器件和少数载流子器件两大类，按照探测器是否需要致冷，分为致冷型探测器和非致冷型探测器。
非致冷探测器目前主要是非晶硅和氧化钒探测器，致冷型探测器主要包括碲镉汞三元化合物、量子阱红外光探测器Ⅱ类超晶格等。
在过去的几十年里，大量的新型材料、新颖器件不断涌现，红外光电探测器完成了第一代的单元、多元光导器件向第二代红外焦平面器件的跨越，目前正朝着以大规模、高分辨力、多波段、高集成、轻型化和低成本为特征的第三代红外焦平面技术的方向发展。
1 焦平面红外探测器应用现状热探测器的应用早于光子探测器。
热探测器包括热释电探测器、温差电偶探测器、电阻测辐射热计等。
热探测器具有宽谱响应、室温工作的优点，但是它响应时间较慢、高频时探测率低，目前主要应用于民用领域。
光子探测器是基于光电效应制备的探测器，通过配备致冷系统，具有高量子效率、高灵敏度、低噪声等效温差、快速响应等优点。
在军事领域，光子探测器占据主导地位。
常用的光子探测器有碲镉汞（HgCdTe）、InAs / InGaSb Ⅱ类超晶格、GaAs / AlGaAs量子阱等。
近年来量子点红外光探测器也引起广泛关注，量子点红外光探测器在理论上具有很多优点，但实际制备的量子点红外光探测器与理论预测的还是有一定差距。
表1对几种常用的光子型焦平面红外探测器进行了比较。
在精确制导领域，主流制导方式有红外制导和雷达制导，这两种方式各有优势，在某些特定的场合，红外制导更是显示出其不可替代性。
焦平面APD探测器地国内外技术现状和发展趋势
红外焦平面探测器的国内外技术现状和发展趋势一、焦平面APD探测器的背景及特点焦平面APD探测器主要是由：APD阵列和读出电路(ROIC)两部分组成，其中APD是核心元件。
1、APD雪崩光电二极管（APD）是一种具有内部增益的半导体光电转换器件，具有量子响应度高、响应速度快、线性响应特性好等特点，在可见光波段和近红外波段的量子效率可达90%以上，增益在10～100倍，新型APD材料的最大增益可达200 倍，有很好的微弱信号探测能力。
2、APD阵列的分类按照APD的工作的区间可将其分为：Geiger-mode APD（反向偏压超过击穿电压）和线性模式APD（偏压低于击穿电压）两种。
（1）Geiger-mode APD阵列的特点优点：1）极高的探测灵敏度，单个光子即可触发雪崩效应，可实现单光子探测；2）GM-APD输出信号在100ps量级，即有高的时间分辨率，进而有较高的距离分辨率，厘米量级；3）较高的探测效率，采用单脉冲焦平面阵列成像方式；4）较低的功耗，体积小，集成度高；5）GM-APD输出为饱和电流，可以直接进行数字处理，读出电路(ROIC)不需要前置放大器和模拟处理模块，即更简单的ROIC。
缺点：1）存在死时间效应：GM-APD饱和后需要一定时间才能恢复原来状态，为使其可以连续正常工作需要采用淬火电路对雪崩进行抑制。
2）GM-APD有极高的灵敏度，其最噪声因素更加敏感，通道之间串扰更严重。
（2）线性模式APD阵列的特点优点：1）光子探测率高，可达90%以上；2）有较小的通道串扰效应；3）具有多目标探测能力；4）可获取回波信号的强度信息；5）相比于GM-APD，LM-APD对遮蔽目标有更好的探测能力。
缺点：1）灵敏度低于GM-APD；（现今已经研制出有单光子灵敏度的LM-APD）2）读出电路的复杂度大于GM-APD（需对输入信号进行放大、滤波、高速采样、阈值比较、存储等操作）。
（其信号测量包括强度和时间测量两部分）按照基底半导体材料APD可分为： Si APD、Ge APD、InGaAs APD、HgCdTe APD。
红外焦平面成像技术发展现状
红外焦平面成像技术发展现状姓名：高洁班级：11级硕研1班学号：S11080300007摘要红外焦平面列阵成像技术已经进入了成熟期。
本文对几种红外焦平面列阵器件如MCT、Insb 和QWIP 的最新进展作一评述，简要介绍其器件发展水平、技术路线和关键工艺。
简要提及一种新颖的非制冷焦平面成像技术：光学读出微光机红外接收器。
关键词：红外焦平面列阵；碲镉汞；锑化铟；量子阱红外探测器AbstractInfrared focal plane array (IRFPA) imaging technology has been matured during the passed decade. In this paper an overview of recent progress to several kind of IRFPA such as MCT, Insb and QWIP is provided , focusing on new device development, technical lines and key technologies. Also, a new type of uncooled FPA imaging technigue micro !optomechanical infrared receiver with optical readout is briefly introduced.Key words: IRFPA; MCT; Insb; QWIP引言红外探测器技术在20 世纪90 年代取得了飞速发展。
红外焦平面列阵成像技术进入了成熟期。
高性能大规格焦平面列阵已正式地应用于各种重大国家安全项目中，例如弹道导弹防御计划和重要新型武器系统。
另外，新型非制冷红外焦平面技术的涌现正在促进红外技术走向第三代。
美国人预言，未来几年美国红外市场将出现年均30%的连续高速增长[1]。
本文简要评述了几种红外焦平面列阵器件技术的最新进展。
2023年我国数字化X射线平板探测器行业现状：非晶硅为医疗领域技术主流
3.中国X射线平板探测器行业依赖非晶硅技术，未来可能有新突破目前，中国数字化X射线平板探测器行业主要采用非晶硅技术，该技术具有较高的灵敏度和稳定性，能够满足大多数医疗诊断需求。但是，随着医疗技术的不断进步，未来可能会有更多的新技术应用于该领域，进一步提高诊断准确性和效率。
发展历程
中国数字化X射线平板探测器行业现状：
自X射线平板探测器技术诞生以来，我国已经在这个领域取得了一定的进展。以下是中国数字化X射线平板探测器行业的发展历程：
1. 技术引入与研发阶段（20世纪80年代-2010年）在20世纪80年代，X射线平板探测器技术开始进入中国市场，但由于技术难度较大，国内企业主要以研发为主。2010年以后，随着国内科研实力的增强，一些企业开始逐渐掌握相关技术并开始量产。
3.稳步增长，政策扶持，预计2025年市场规模达50亿元首先，我国数字化X射线平板探测器市场规模正在稳步增长。由于国家政策对医疗行业的扶持以及国内企业不断加大研发投入，市场规模呈现快速增长的态势。据统计，2019年我国数字化X射线平板探测器市场规模约为30亿元，预计到2025年将达到50亿元，年均增长率达到10%左右。
中国X射线平板探测器行业技术突破（1）技术进步：近年来，中国数字化X射线平板探测器行业在技术方面取得了显著的进步。例如，新型探测器的研发、高分辨率图像的生成、低剂量技术的应用等方面都取得了重要进展。
中国数字化X射线平板探测器行业关注技术趋势，推动发展（2）技术趋势：未来，中国数字化X射线平板探测器行业将继续关注技术趋势，如更先进的探测器材料、更高效的图像处理算法、更低的辐射剂量等。这些技术趋势将有助于提高设备的性能，降低成本，并推动行业的进一步发展。
InGaAsAPD探测器市场现状
InGaAsAPD探测器市场现状1 InGaAs APD探测器市场概述1.1 产品定义及统计范围1.2 按照不同产品类型，InGaAs APD探测器主要可以分为如下几个类别1.2.1 不同产品类型InGaAs APD探测器销售额增长趋势2017 VS 2021 VS 20281.2.2 线性模式1.2.3 盖革模式1.3 从不同应用，InGaAs APD探测器主要包括如下几个方面1.3.1 不同应用InGaAs APD探测器销售额增长趋势2017 VS 2021 VS 20281.3.1 光通信1.3.2 工业自动化系统1.3.3 光功率计1.3.4 可见光至近红外光领域的光探测1.3.5 测距1.4 InGaAs APD探测器行业背景、发展历史、现状及趋势1.4.1 InGaAs APD探测器行业目前现状分析1.4.2 InGaAs APD探测器发展趋势2 全球InGaAs APD探测器总体规模分析2.1 全球InGaAs APD探测器供需现状及预测（2017-2028）2.1.1 全球InGaAs APD探测器产能、产量、产能利用率及发展趋势（2017-2028）2.1.2 全球InGaAs APD探测器产量、需求量及发展趋势（2017-2028）2.1.3 全球主要地区InGaAs APD探测器产量及发展趋势（2017-2028）2.2 中国InGaAs APD探测器供需现状及预测（2017-2028）2.2.1 中国InGaAs APD探测器产能、产量、产能利用率及发展趋势（2017-2028）2.2.2 中国InGaAs APD探测器产量、市场需求量及发展趋势（2017-2028）2.3 全球InGaAs APD探测器销量及销售额2.3.1 全球市场InGaAs APD探测器销售额（2017-2028）2.3.2 全球市场InGaAs APD探测器销量（2017-2028）2.3.3 全球市场InGaAs APD探测器价格趋势（2017-2028）3 全球与中国主要厂商市场份额分析3.1 全球市场主要厂商InGaAs APD探测器产能市场份额3.2 全球市场主要厂商InGaAs APD探测器销量（2017-2022）3.2.1 全球市场主要厂商InGaAs APD探测器销量（2017-2022）3.2.2 全球市场主要厂商InGaAs APD探测器销售收入（2017-2022）3.2.3 全球市场主要厂商InGaAs APD探测器销售价格（2017-2022）3.2.4 2021年全球主要生产商InGaAs APD探测器收入排名3.3 中国市场主要厂商InGaAs APD探测器销量（2017-2022）3.3.1 中国市场主要厂商InGaAs APD探测器销量（2017-2022）3.3.2 中国市场主要厂商InGaAs APD探测器销售收入（2017-2022）3.3.3 中国市场主要厂商InGaAs APD探测器销售价格（2017-2022）3.3.4 2020年中国主要生产商InGaAs APD探测器收入排名3.4 全球主要厂商InGaAs APD探测器产地分布及商业化日期3.5 全球主要厂商InGaAs APD探测器产品类型列表3.6 InGaAs APD探测器行业集中度、竞争程度分析3.6.1 InGaAs APD探测器行业集中度分析：2021全球Top 5生产商市场份额3.6.2 全球InGaAs APD探测器第一梯队、第二梯队和第三梯队生产商（品牌）及市场份额3.7 新增投资及市场并购活动4 全球InGaAs APD探测器主要地区分析4.1 全球主要地区InGaAs APD探测器市场规模分析：2017 VS 2021 VS 20284.1.1 全球主要地区InGaAs APD探测器销售收入及市场份额（2017-2022年）4.1.2 全球主要地区InGaAs APD探测器销售收入预测（2023-2028年）4.2 全球主要地区InGaAs APD探测器销量分析：2017 VS 2021 VS 20284.2.1 全球主要地区InGaAs APD探测器销量及市场份额（2017-2022年）4.2.2 全球主要地区InGaAs APD探测器销量及市场份额预测（2023-2028）4.3 北美市场InGaAs APD探测器销量、收入及增长率（2017-2028）4.4 欧洲市场InGaAs APD探测器销量、收入及增长率（2017-2028）4.5 中国市场InGaAs APD探测器销量、收入及增长率（2017-2028）4.6 日本市场InGaAs APD探测器销量、收入及增长率（2017-2028）4.7 东南亚市场InGaAs APD探测器销量、收入及增长率（2017-2028）4.8 印度市场InGaAs APD探测器销量、收入及增长率（2017-2028）5 全球InGaAs APD探测器主要生产商分析5.1 Laser Components GmbH5.1.1 Laser Components GmbH基本信息、InGaAs APD探测器生产基地、销售区域、竞争对手及市场地位5.1.2 Laser Components GmbHInGaAs APD探测器产品规格、参数及市场应用5.1.3 Laser Components GmbHInGaAs APD探测器销量、收入、价格及毛利率（2017-2022）5.1.4 Laser Components GmbH公司简介及主要业务5.1.5 Laser Components GmbH企业最新动态5.2 Thorlabs5.2.1 Thorlabs基本信息、InGaAs APD探测器生产基地、销售区域、竞争对手及市场地位5.2.2 ThorlabsInGaAs APD探测器产品规格、参数及市场应用5.2.3 ThorlabsInGaAs APD探测器销量、收入、价格及毛利率（2017-2022）5.2.4 Thorlabs公司简介及主要业务5.2.5 Thorlabs企业最新动态5.3 滨松5.3.1 滨松基本信息、InGaAs APD探测器生产基地、销售区域、竞争对手及市场地位5.3.2 滨松InGaAs APD探测器产品规格、参数及市场应用5.3.3 滨松InGaAs APD探测器销量、收入、价格及毛利率（2017-2022）5.3.4 滨松公司简介及主要业务5.3.5 滨松企业最新动态5.4 Excelitas Technologies Corp5.4.1 Excelitas Technologies Corp基本信息、InGaAs APD探测器生产基地、销售区域、竞争对手及市场地位5.4.2 Excelitas Technologies CorpInGaAs APD探测器产品规格、参数及市场应用5.4.3 Excelitas Technologies CorpInGaAs APD探测器销量、收入、价格及毛利率（2017-2022）5.4.4 Excelitas Technologies Corp公司简介及主要业务5.4.5 Excelitas Technologies Corp企业最新动态5.5 AMS Technologies AG5.5.1 AMS Technologies AG基本信息、InGaAs APD探测器生产基地、销售区域、竞争对手及市场地位5.5.2 AMS Technologies AGInGaAs APD探测器产品规格、参数及市场应用5.5.3 AMS Technologies AGInGaAs APD探测器销量、收入、价格及毛利率（2017-2022）5.5.4 AMS Technologies AG公司简介及主要业务5.5.5 AMS Technologies AG企业最新动态5.6 Licel5.6.1 Licel基本信息、InGaAs APD探测器生产基地、销售区域、竞争对手及市场地位5.6.2 LicelInGaAs APD探测器产品规格、参数及市场应用5.6.3 LicelInGaAs APD探测器销量、收入、价格及毛利率（2017-2022）5.6.4 Licel公司简介及主要业务5.6.5 Licel企业最新动态5.7 第一传感器5.7.1 第一传感器基本信息、InGaAs APD探测器生产基地、销售区域、竞争对手及市场地位5.7.2 第一传感器InGaAs APD探测器产品规格、参数及市场应用5.7.3 第一传感器InGaAs APD探测器销量、收入、价格及毛利率（2017-2022）5.7.4 第一传感器公司简介及主要业务5.7.5 第一传感器企业最新动态5.8 Newport Corporation5.8.1 Newport Corporation基本信息、InGaAs APD探测器生产基地、销售区域、竞争对手及市场地位5.8.2 Newport CorporationInGaAs APD探测器产品规格、参数及市场应用5.8.3 Newport CorporationInGaAs APD探测器销量、收入、价格及毛利率（2017-2022）5.8.4 Newport Corporation公司简介及主要业务5.8.5 Newport Corporation企业最新动态5.9 Sensors Unlimited Inc5.9.1 Sensors Unlimited Inc基本信息、InGaAs APD探测器生产基地、销售区域、竞争对手及市场地位5.9.2 Sensors Unlimited IncInGaAs APD探测器产品规格、参数及市场应用5.9.3 Sensors Unlimited IncInGaAs APD探测器销量、收入、价格及毛利率（2017-2022）5.9.4 Sensors Unlimited Inc公司简介及主要业务5.9.5 Sensors Unlimited Inc企业最新动态5.10 中科院半导体研究所5.10.1 中科院半导体研究所基本信息、InGaAs APD探测器生产基地、销售区域、竞争对手及市场地位5.10.2 中科院半导体研究所InGaAs APD探测器产品规格、参数及市场应用5.10.3 中科院半导体研究所InGaAs APD探测器销量、收入、价格及毛利率（2017-2022）5.10.4 中科院半导体研究所公司简介及主要业务5.10.5 中科院半导体研究所企业最新动态5.11 OSI Optoelectronics Ltd5.11.1 OSI Optoelectronics Ltd基本信息、InGaAs APD探测器生产基地、销售区域、竞争对手及市场地位5.11.2 OSI Optoelectronics LtdInGaAs APD探测器产品规格、参数及市场应用5.11.3 OSI Optoelectronics LtdInGaAs APD探测器销量、收入、价格及毛利率（2017-2022）5.11.4 OSI Optoelectronics Ltd公司简介及主要业务5.11.5 OSI Optoelectronics Ltd企业最新动态6 不同产品类型InGaAs APD探测器分析6.1 全球不同产品类型InGaAs APD探测器销量（2017-2028）6.1.1 全球不同产品类型InGaAs APD探测器销量及市场份额（2017-2022）6.1.2 全球不同产品类型InGaAs APD探测器销量预测（2023-2028）6.2 全球不同产品类型InGaAs APD探测器收入（2017-2028）6.2.1 全球不同产品类型InGaAs APD探测器收入及市场份额（2017-2022）6.2.2 全球不同产品类型InGaAs APD探测器收入预测（2023-2028）6.3 全球不同产品类型InGaAs APD探测器价格走势（2017-2028）7 不同应用InGaAs APD探测器分析7.1 全球不同应用InGaAs APD探测器销量（2017-2028）7.1.1 全球不同应用InGaAs APD探测器销量及市场份额（2017-2022）7.1.2 全球不同应用InGaAs APD探测器销量预测（2023-2028）7.2 全球不同应用InGaAs APD探测器收入（2017-2028）7.2.1 全球不同应用InGaAs APD探测器收入及市场份额（2017-2022）7.2.2 全球不同应用InGaAs APD探测器收入预测（2023-2028）7.3 全球不同应用InGaAs APD探测器价格走势（2017-2028）8 上游原料及下游市场分析8.1 InGaAs APD探测器产业链分析8.2 InGaAs APD探测器产业上游供应分析8.2.1 上游原料供给状况8.2.2 原料供应商及联系方式8.3 InGaAs APD探测器下游典型客户8.4 InGaAs APD探测器销售渠道分析9 行业发展机遇和风险分析9.1 InGaAs APD探测器行业发展机遇及主要驱动因素9.2 InGaAs APD探测器行业发展面临的风险9.3 InGaAs APD探测器行业政策分析9.4 InGaAs APD探测器中国企业SWOT分析10 研究成果及结论11 附录11.1 研究方法11.2 数据来源11.2.1 二手信息来源11.2.2 一手信息来源11.3 数据交互验证11.4 免责声明。
国外红外焦平面探测器组件可靠性研究综述
Ｄ ｗａ ｏ ｌ ｓｍｂｙ （ Ｃ ｅ ｒＣ ｏｅ Ａｓｅ ｌ Ｉ ｒ ＤＤ Ａ）ｉ ｏｅ ｎ ｃ ｕ ｔ ｅ．Ｍａ ｙ Ｉ Ｃ ｎ ｆｃ ｒｒ ｈ ｖ ｈ ｉ ｏ ｎ ｆｒｉ ｏ ｎｒ ｓ ｇ ｉ ｎ ＤＤ Ａ ｍａｕａｔ ｅｓ ａ ｅ ｔｅ ｗｎ ｕ ｒ
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引言
红 外热 像仪在 军事 、航天 、工 业和 医学等 领域 有 着 广泛 的应 用价值 。在军 事和航 天领 域 ，红 外热像 仪 的可靠 性和 全寿命 周 期费用 成为 关注 的重 点 。红外 探
技术 公司 ，组建设 计 开发 、生 产制造 和质 量 、可靠性 相结 合 的团队 ，建 立斯特 林 制冷机 的可靠性 控制 流程 如图 １ 所示 ，分三 个 阶段持 续提 高制 冷机 的可 靠性水 平 。第 一阶 段 ：设计 开发 阶段 ，强调 用可 靠性 设计 获
国内外测试仪器发展现状及趋势
国内外测试仪器发展现状及趋势预览说明:预览图片所展示的格式为文档的源格式展示,下载源文件没有水印,内容可编辑和复制科学是从测量开始的—这是19世纪著名科学家门捷列夫的名言。
到了21世纪的今天，作为信息产业的三大关键技术之一，测试测量行业已经成为电子信息产业的基础和发展保障。
而测试仪器作为测试测量行业发展不可或缺的工具，在测试测量行业的发展中起到了巨大的作用。
中国“十一五”期间，由于国家不断增加基础建设的投入力度，在旺盛市场需求的带动下，对仪器需求不断增加，同时测试仪器市场也正在快速发展。
全球测试仪器市场情况及分析国内电子测量仪器行业在经过一段沉寂后，慢慢开始复苏。
产品大幅增长主要有两个原因，一是市场的巨大需求，特别是通信、广播电视市场的巨大发展，引发了电子测量仪器市场的迅速增长，二是电子测量仪器行业近几年迅速向数字化、智能化方向发展，推出了部分数字化产品，因而在若干个门类品种上取得了较快增长。
从近期中国仪表行业发展的情况来看势头喜人的，与全国制造业一样，虽然遇到了不少困难但仍然保持了向上发展的态势。
尽管中国仪器市场正在快速的发展着，但与国外仪器生产企业比较仍然有很大的差距。
中国主要科研单位、学校以及企业等单位中使用的高档、大型仪器设备几乎全部依赖进口。
同时，国外公司还占有国内中档产品以及许多关键零部件市场60%以上的份额。
世界测试仪器市场对中国的影响依然非常大。
目前，在世界电子测量仪器市场上，竞争日趋激烈。
以往，测试仪器生产厂商主要都将仪器产品的高性能作为竞争优势，厂商开发什么，用户买什么。
而今则已变成厂商努力开发用户需要的仪器，并且把更便宜、更好、更快、更易使用的测试仪器作为奋斗目标。
在信息化的推动下，全世界测试仪器市场将继续保持增长的势头。
人们普遍认为，电子测量仪器市场的前景依然乐观。
国际仪器发展趋势和国内现状一、国际趋势科学仪器的自主研发在创新型国家得到重视。
欧美日等国家都把“发展一流的科学仪器支撑一流的科研工作”作为国家战略，对科学仪器的装备和创新给予重点扶持。
2023年国内外仪器行业现状分析
在全球范围内，仪器仪表行业的市场竞争激烈。根据国际数据公司（IDC）的报告，2019年全球前五大仪器仪表制造商的市场份额为43%，而中国市场的竞争也十分激烈。根据中国仪器仪表工业协会的数据，2019年中国市场前五大制造商的市场份额为65%。
2. 行业规模：根据国际数据公司（IDC）的预测，到2025年，全球仪器市场规模预计将达到3350亿美元，比2022年的2500亿美元增长了约32%。
3. 国内市场：在中国，仪器行业在过去几年中一直保持着稳定的增长。据中国仪器协会的数据显示，2021年中国仪器市场规模达到了约1500亿元人民币，比上年增长了约15%。
在亚太地区，仪器行业在2020年的市场规模约为60亿美元，同比增长约15%。该地区的主要国家包括中国、日本、韩国等，其中中国是亚太地区最大的仪器市场之一，其仪器市场规模达到了约30亿美元。
在中国的仪器市场上，政府对环保和食品安全的要求不断提高，这为仪器行业带来了巨大的机遇。根据统计，2020年中国仪器市场规模达到了约30亿美元，同比增长约15%。其中，光谱仪、生物检测仪等高端仪器的发展迅速，市场占有率逐年提高。
综上所述，国内外仪器行业的发展现状呈现出市场规模不断扩大、竞争激烈的特点。国内企业需要加强技术创新和品牌建设，提高竞争力；而国外企业也需要加强对中国市场的了解和开拓。
国内外仪器行业现状Fra bibliotek国内外仪器行业现状分析
仪器行业是一个涵盖广泛的领域，包括实验室设备、测量仪器、医疗设备、工业控制设备等。它是一个技术密集型行业，需要高度的技术研发和创新能力，以及精细的生产工艺和质量控制能力。
科技成果——激光雷达用硅APD探测器
科技成果——激光雷达用硅APD探测器技术开发单位中国电子科技集团公司四十四所重庆声光电公司技术概述硅雪崩光电二极管（APD），是一种具有信号内部放大功能的光电探测器。
具有响应速度快、灵敏度高、响应光谱范围宽、可靠性高、抗电磁干扰等优点，可广泛应用于汽车自动/辅助驾驶、激光测距、自动搬运机器人、无人机、光通讯、智能家电、3D打印等领域。
硅APD主要有两个功能：光电转换和电信号的放大。
其工作原理为：光信号照射到硅APD光敏面上，被APD吸收区吸收转换为光生载流子（光电转换）；光生载流子在吸收区漂移电场作用下，漂移到雪崩区；而硅APD雪崩区具有很强的电场，光生载流子受到雪崩区电场的加速作用，可获得很大的动能，载流子与雪崩区的晶格原子发生碰撞，能把价键上的电子碰撞出来成为导电电子，同时产生一个空穴，碰撞出来的电子和空穴还会继续被电场加速，继续发生碰撞，如此继续下去，犹如雪崩效应，载流子大量增加，从而实现光电信号的内部放大。
硅APD技术包括：雪崩区高精度高均匀性掺杂、电荷区缺陷修复、响应增强、暗电流与噪声抑制、高温耐压保护、温度系数减小、MEMS工艺等，涉及的细节多、工艺要求高，研发与生产难度较大。
中国电子科技集团公司重庆声光电公司在国内率先突破了相关关键技术，保证了高性能硅APD的自主可控。
技术指标响应光谱范围：400nm-1100nm；响应率：≥40A/W@650nm；≥55A/W@905nm；≥40A/W@1060nm；光敏面直径：0.1-30mm（可定制）；暗电流：≤30nA@M=100；击穿电压：70V-450V（可定制）；温度系数：≤1V/℃@650/905nm系列器件；≤3.3V/℃@1060nm 系列器件；技术特点响应速度快、灵敏度高、响应光谱范围宽、光敏面积大、可靠性高、抗电磁干扰、成本低等先进程度国内领先技术状态小批量生产、工程应用阶段适用范围硅APD可应用于汽车自动/辅助驾驶、激光测距、自动搬运机器人、光通讯、扫地机器人、无人机、3D打印等领域。
焦平面APD探测器的国内外技术现状和发展趋势.
焦平⾯APD探测器的国内外技术现状和发展趋势.红外焦平⾯探测器的国内外技术现状和发展趋势⼀、焦平⾯APD探测器的背景及特点焦平⾯APD探测器主要是由：APD阵列和读出电路(ROIC)两部分组成，其中APD是核⼼元件。
1、APD雪崩光电⼆极管（APD）是⼀种具有内部增益的半导体光电转换器件，具有量⼦响应度⾼、响应速度快、线性响应特性好等特点，在可见光波段和近红外波段的量⼦效率可达90%以上，增益在10～100倍，新型APD材料的最⼤增益可达200 倍，有很好的微弱信号探测能⼒。
2、APD阵列的分类按照APD的⼯作的区间可将其分为：Geiger-mode APD（反向偏压超过击穿电压）和线性模式APD（偏压低于击穿电压）两种。
（1）Geiger-mode APD阵列的特点优点：1）极⾼的探测灵敏度，单个光⼦即可触发雪崩效应，可实现单光⼦探测；2）GM-APD输出信号在100ps量级，即有⾼的时间分辨率，进⽽有较⾼的距离分辨率，厘⽶量级；3）较⾼的探测效率，采⽤单脉冲焦平⾯阵列成像⽅式；4）较低的功耗，体积⼩，集成度⾼；5）GM-APD输出为饱和电流，可以直接进⾏数字处理，读出电路(ROIC)不需要前置放⼤器和模拟处理模块，即更简单的ROIC。
缺点：1）存在死时间效应：GM-APD饱和后需要⼀定时间才能恢复原来状态，为使其可以连续正常⼯作需要采⽤淬⽕电路对雪崩进⾏抑制。
2）GM-APD有极⾼的灵敏度，其最噪声因素更加敏感，通道之间串扰更严重。
（2）线性模式APD阵列的特点优点：1）光⼦探测率⾼，可达90%以上；2）有较⼩的通道串扰效应；3）具有多⽬标探测能⼒；4）可获取回波信号的强度信息；5）相⽐于GM-APD，LM-APD对遮蔽⽬标有更好的探测能⼒。
缺点：1）灵敏度低于GM-APD；（现今已经研制出有单光⼦灵敏度的LM-APD）2）读出电路的复杂度⼤于GM-APD（需对输⼊信号进⾏放⼤、滤波、⾼速采样、阈值⽐较、存储等操作）。
焦平面APD探测器的国内外技术现状和发展趋势.
红外焦平面探测器的国内外技术现状和发展趋势一、焦平面APD探测器的背景及特点焦平面APD探测器主要是由：APD阵列和读出电路(ROIC)两部分组成，其中APD是核心元件。
1、APD雪崩光电二极管（APD）是一种具有内部增益的半导体光电转换器件，具有量子响应度高、响应速度快、线性响应特性好等特点，在可见光波段和近红外波段的量子效率可达90%以上，增益在10～100倍，新型APD材料的最大增益可达200 倍，有很好的微弱信号探测能力。
2、APD阵列的分类按照APD的工作的区间可将其分为：Geiger-mode APD（反向偏压超过击穿电压）和线性模式APD（偏压低于击穿电压）两种。
（1）Geiger-mode APD阵列的特点优点：1）极高的探测灵敏度，单个光子即可触发雪崩效应，可实现单光子探测；2）GM-APD输出信号在100ps量级，即有高的时间分辨率，进而有较高的距离分辨率，厘米量级；3）较高的探测效率，采用单脉冲焦平面阵列成像方式；4）较低的功耗，体积小，集成度高；5）GM-APD输出为饱和电流，可以直接进行数字处理，读出电路(ROIC)不需要前置放大器和模拟处理模块，即更简单的ROIC。
缺点：1）存在死时间效应：GM-APD饱和后需要一定时间才能恢复原来状态，为使其可以连续正常工作需要采用淬火电路对雪崩进行抑制。
2）GM-APD有极高的灵敏度，其最噪声因素更加敏感，通道之间串扰更严重。
（2）线性模式APD阵列的特点优点：1）光子探测率高，可达90%以上；2）有较小的通道串扰效应；3）具有多目标探测能力；4）可获取回波信号的强度信息；5）相比于GM-APD，LM-APD对遮蔽目标有更好的探测能力。
缺点：1）灵敏度低于GM-APD；（现今已经研制出有单光子灵敏度的LM-APD）2）读出电路的复杂度大于GM-APD（需对输入信号进行放大、滤波、高速采样、阈值比较、存储等操作）。
（其信号测量包括强度和时间测量两部分）按照基底半导体材料APD可分为： Si APD、Ge APD、InGaAs APD、HgCdTe APD。
非制冷红外焦平面探测器及其技术发展动态
３ ． Ｃｈ ｉ ｎ ａＡｉ ｒ ｂ ｏ ｒ ｎ ｅＭ ｉ ｓ ｓ ｉ ｌ ｅ Ａｃ ａ ｄ ｅ ｍ ｙ， Ｌ ｕ ｏ ｙ ａ ｎ ｇ４ ７ １ ０ ０ ９ ，Ｃ ｈ ｉ ｎ ａ ）
ｐ ａ ｃ ｋ ａ ｇ ｅ ａ ｎ ｄ ｐ ｉ ｘ ｅ ｌ ｌ ｅ ｖ ｅ ｌ ｐ ａ ｃ ｋ ａ ｇ ｅ ． Ｍｏ ｓ ｔ ｉ ｍｐ ｏ ｒ ｔ ａ ｎ ｔ ｍａ ｎ ｕ ｆ ａ ｃ ｔ ｕ ｒ ｅ ｒ ｓ ’ ｐ ｒ ｏ ｄ ｕ ｃ ｔ ｓ ａ ｒ ｅ ｉ ｎ ｔ ｒ ｏ ｄ ｕ ｃ ｅ ｄ ｉ ｎ ｔ ｈ ｉ ｓ ｐ ａ ｐ ｅ ｒ ￣ Ａｔ ｌ ａ ｓ ｔ ，
ｍｉ ｃ ｒ ｏ — ｂ ｏ ｌ ｏ ｍｅ ｔ ｅ ｒ ， ＲＯＩ Ｃ ａ ｎ ｄ ｖ ａ ｃ ｕ ｕ ｍ ｐ ａ ｃ ｋ ａ ｇ ｅ ．Ｓ ｏ ｍｅ ｏ ｆ ｔ ｈ ｅ ｍｏ ｓ ｔ ｉ ｍｐ ｏ ｒ ｔ ａ ｎ ｔ ｍｉ ｃ ｒ ｏ — ｂ ｏ ｌ ｏ ｍｅ ｔ ｅ ｒ ｄ ｅ ｓ ｉ ｇ ｎ
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火灾探测器的研究现状与发展趋势
火灾探测器的研究现状与发展趋势2004年第7期·消防技术·火灾探测器的研究现状与发展趋势杜建华，张认成(华侨大学机电及自动化学院，福建泉州362011)摘要:通过对各种火灾探测器的介绍和分析，阐述了当今各种火灾探测器的研究现状，并在此基础上结合我们的研究成果，提出了火灾探测器的极早期探测、多传感器复合和小型化、智能化的发展趋势关健词:火灾探测器;极早期探侧;研究现状;发展趋势1 前言火灾作为一种在时空上失去控制的燃烧所引发的灾害，对人类生命财产和社会安全构成了极大的威胁。
由此引发的重大安全事故比比皆是，所以人类一直也未停止过对它的研究口Z 火灾探测技术2.1 火灾探测原理火灾的发生和发展是一个非常复杂的非平稳过程，它除了自身的物理化学变化以外还会受到许多外界的千扰，火灾一旦产生便以接触式(物质流)和非接触式〔能量流)的形式向外释放能量。
接触式形式包括可燃气体、燃烧气体和烟雾、气溶胶等。
非接触式如声音、辐射等bl。
火灾探测技术就是利用敏感元件将火灾中出现的物理化学特征转换为另外一种易于处理的物理量。
各种探测器对应的火灾物理参量及探测器如图1所示。
火焰(非接触式)辐射一火焰探测器形状用像探测器温度一感温传感器静电探测器火灾燃烧产物(接触式)固体产物微粒{感烟探测器离子式光电式t烟雾形状一图像传感器气体产物一气体传感器燃烧音(非接触式)一声音传感器圈1 火灾物理参f 与对应传盛器随着传感技术和信号处理手段的不断完善，火灾探测技术也随之有了突飞猛进的发展，并已从单一的物理量探测逐步转变为多元复合智能探测模式，为火灾监测提供了可靠的保证。
2.2 火灾探测算法将火灾发生的物理特征通过传感单元转化为电信号以后的一个问题就是判断是否报警，这就需要靠火灾探测算法来实现。
根据对火灾物理参数探测方式的不同，可将探测算法分为接触式火灾探测算法和非接触式火灾探测算法两类。
其中接触式火灾探测算法主要应用于火灾探测传感器中的感温、感烟和气体传感器等。
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红外焦平面探测器的国内外技术现状和发展趋势一、焦平面APD探测器的背景及特点焦平面APD探测器主要是由：APD阵列和读出电路(ROIC)两部分组成，其中APD是核心元件。
1、APD雪崩光电二极管（APD）是一种具有内部增益的半导体光电转换器件，具有量子响应度高、响应速度快、线性响应特性好等特点，在可见光波段和近红外波段的量子效率可达90%以上，增益在10～100倍，新型APD材料的最大增益可达200倍，有很好的微弱信号探测能力。
2、APD阵列的分类按照APD的工作的区间可将其分为：Geiger-modeAPD（反向偏压超过击穿电压）和线性模式APD（偏压低于击穿电压）两种。
（1）Geiger-modeAPD阵列的特点优点：1）极高的探测灵敏度，单个光子即可触发雪崩效应，可实现单光子探测；2）GM-APD输出信号在100ps量级，即有高的时间分辨率，进而有较高的距离分辨率，厘米量级；3）较高的探测效率，采用单脉冲焦平面阵列成像方式；4）较低的功耗，体积小，集成度高；5）GM-APD输出为饱和电流，可以直接进行数字处理，读出电路(ROIC)不需要前置放大器和模拟处理模块，即更简单的ROIC。
缺点：1）存在死时间效应：GM-APD饱和后需要一定时间才能恢复原来状态，为使其可以连续正常工作需要采用淬火电路对雪崩进行抑制。
2）GM-APD有极高的灵敏度，其最噪声因素更加敏感，通道之间串扰更严重。
（2）线性模式APD阵列的特点优点：1）光子探测率高，可达90%以上；2）有较小的通道串扰效应；3）具有多目标探测能力；4）可获取回波信号的强度信息；5）相比于GM-APD，LM-APD对遮蔽目标有更好的探测能力。
缺点：1）灵敏度低于GM-APD；（现今已经研制出有单光子灵敏度的LM-APD）2）读出电路的复杂度大于GM-APD（需对输入信号进行放大、滤波、高速采样、阈值比较、存储等操作）。
（其信号测量包括强度和时间测量两部分）按照基底半导体材料APD可分为：SiAPD、GeAPD、InGaAsAPD、HgCdTeAPD。
其中Si的由于波长在1um左右，由于材料限制很难做到大于32*32的阵列，再考虑到人眼安全以及军事对高功率激光的需求，工作波长在：1.5um的InGaAsAPD及HgCdTe APD为研究的热点内容。
二、国外的技术现状按照APD的工作区间进行分类讨论。
1、基于Geiger-modeAPD(GM-APD)的焦平面探测器（1）技术手段：1）APD阵列：主要采用p型衬底金属有机气相外延（MOCV）D及台面工艺方法；或者n型衬底P扩散平面工艺方法制备。
2）ROIC：采用CMOS工艺代工流片。
3）封装技术：采用陶瓷封装等将APD和ROIC集成在一起的探测器封装，再封装到半导体热电制冷（TEC）方式使其工作与浅低温的条件。
4）APD和ROIC的集成：块接(Bump-bonding)技术或者桥接(Bridge-bonding) 技术。
（2）发展历史：1998年林肯实验室研制出4*4的APD焦面探测器；2001年研制出Gen-I系统；2002年研制出微型化的Gen-II；2003年研制出Gen-III（APD阵列：32*32）；2011年研制出ALIRT系统（APD阵列：32*128）；目前为止已经可以实现：APD阵列：256*256，测量精度：5cm以内。
（3）主要的研究机构：美国MIT林肯实验室、波音Spectrolab公司、PrincetonLightwave公司等（4）结构及其原理框图：图一、GM-APDFPA原理图如图一所示：激光发射的同时产生一个计时开始信号（start）；当光子回波到达时产生一个COMS兼容的电压脉冲(stop)；该脉冲使读出电路时间测量单元停止计数；光脉冲到达的时间数字化，同时降低偏置实现雪崩淬灭，数据经传输处理获取目标三维距离信息。
图二、GM-APDFPA结构图如图二所示：InGaAs/InPAPD阵列通过In柱子的倒装和下面的ROIC芯片集成，通过陶瓷封装之后，再封装到含有三级半导体热电制冷器(TEC)和石英玻璃光窗的金属管壳。
图三、GM-APDInGaAs/InP结构图如图三所示：采用背照入射平面结构，材料结构上采用光吸收雪崩倍增层分离的、具有能带渐变层和电荷层的结构。
2、基于线性模式APD(LM-APD)的焦平面探测器（1）技术手段：1）APD阵列：主要通过分子束外延生长（MBE）进行制备2）ROIC：采用CMOS工艺代工流片。
3）封装技术：采用陶瓷封装等将APD和ROIC集成在一起的探测器封装，再封装到半导体热电制冷（TEC）方式使其工作与浅低温的条件。
4）APD和ROIC的集成及其结构：Z堆叠（Z-stacking）技术，或者垂直互连探测器阵列技术（VerticallyIntegratedSensorArrays，VISA）。
图四、VISA与Z堆叠技术的结构对比如图四所示：VISA采用垂直互连代替Z最堆叠中的平行结构，其可以克制芯片的长度限制，用于制造更大规模的探测器阵列和更复杂的片上信号处理系统。
图五、VISA的焦平面探测器结构（2）发展历史：2000年开始Raytheon在国防预先研究计划局(DARPA)支持下先后研制了：4*4,32*2,10*10,4*256等不同规格的APD阵列探测器；2001年开始DRS公司对HgCdTeAPD进行研究，并利用高密度垂直集成光电二极管的结构开发圆柱形N-on-PAPD；2005年开始ASC公司开发了一系列3D闪光激光探测成像传感器InGaAsAPD阵列（APD阵列128×128）；2007年，Raytheon研制了一种应用于导弹系统和海军空中作战中心的HgCdTe APD三维成像雷达（APD阵列2×128），目前仪可以做出256*256；2007年，DSR公司在美国陆军CELRAP计划支持下开发了HgCdTeAPD脉冲无扫描激光雷达系统（APD阵列128×128，增益可达1000倍）；2011年，法国CEA/LETI和DEFIR实验室研制了一种具备主动和被动成像能力的HgCdTeAPD三维闪光激光雷达（APD阵列320*256）；目前为止：APD阵列320*256（近年已经达到515*512）；分辨率：ns量级；增益大于100（3）主要的研究机构：美国的：雷神公司（Raytheon）、DRS公司、ASC（Advanced ScientificConcepts）公司、LockheedMartin公司；法国的：CEA-Leti公司等等（4）一些典型的APD阵列结构及原理图图六、Raytheon旗下的各带产品图七、Raytheon产品APD阵列256*4的结构图如图七所示是：Raytheon公司的一款256*4APD阵列的产品，其ROIC和APD阵列封装在TEC中，TEC使其在浅低温环境下工作，周围的电路板提供旁路电容器、多路复用器、LVDS接收器等等。
图八、ＣＥＡ／ＬＥＴ的ROIC结构图和计时原理图如图八所示：为法国CEA/LET研制的APD阵列为：320*256的焦平面探测器的ROIC 原理图，处理系统采用脉冲飞行时间法（TOF）测距，读出电路由CTIA放大器、比较器、锁存器和采样保持电路组成.其强度测量采用与CCD类似的积分形式实现；其时间测量采用对基准参考电压采样实现；其原理右图所示脉冲发射(T1)后，参考电压开始随时间线性增加，当激光脉冲回波到达(T2)后，触发锁存器，对参考电压采样即V3D，根据电压的大小，即可判定脉冲回波时间，获取目标距离。
图九、各材料的增益和噪声的关系图如图九所示：可以很清楚的看出HgCdTe的增益大小和环境噪声基本无关，并且一直保持很小，即相比于Si和InAlAs，HgCdTe的大增益抗噪声能力更强。
对比一下GM和LM：图十、LMAPD和GMAPM的对比如图所示易知：1）GM的APD的增益比LM大很多2）GM的ROIC噪音比LM大的多3）GM不能测强度但是LM能4）GM的效率比LM小的多三、国内的技术现状及与国外对比1、国内技术现状（1）发展历史：2004年在863计划支持下，我国研制出机载推帚式激光三维成像系统（APD阵列：1*16）2010年电子科大设计了光纤耦合APD探测系统（APD阵列：4*4）2012年上海光机所设计了一种GM-APD（APD阵列：3*3）2012年清华大学设计了APD激光雷达系统（APD阵列：1*16）2013年哈尔滨工业大学设计了一种APD探测器（APD阵列：5*5）上海技术物理所设计了一款了（APD阵列：1*25）（2）主要研究机构：电子科技大学、上海技术物理所、上海光机所、清华大学、哈尔滨工业大学等（3）现存的状况：我国在阵列化APD焦平面探测器的研究工作处于起步阶段，国内公开发布的阵列APD探测系统像素数量较低，由于受到相关器件和半导体光电探测器生产工艺的限制，以及国外对高灵敏度探测器的技术封锁，国内的大部分还处于理论和实验验证的阶段，大部分关键技术和国外相比有较大的差距。
2、国内外技术对比图十一、国内外APD阵列探测系统的对比如图十一所示：中国和国外的APD阵列的探测器的无论是阵列规模还是系统的各项参数都远不及国外。
中国需要在APD阵列探测器的系统层次上设计及系统性能的研究上着手跟上世界先进的步伐。
四、未来的发展趋势近年来国外一些国家已经研制出多种模式的阵列APD探测器和接收处理系统，并制造出实用化的设备，APD阵列像元数可达512×512，探测范围将包含从可见光到中波段红外线（MWIR），探测器噪声越来越低的同时精度和灵敏度也逐步提高，应用范围更加广泛，包括了光谱测量、机载成像、深空探测等，并且已经在军事领域扮演重要角色的基础上开始向民用领域上进行市场大进军。
而随着材料科学的发展，单光子灵敏度的LMAPD阵列的发现，使得LM-APD已经取代了GM-APD的优势地位。
为了三维探测的需求其发展趋势如下：1、APD阵列应具有：更大的象元素量、更高的饱和阈值、更大的增益、更高的动态范围、更高的工作温度、更高的距离分辨率以及更小的象元尺寸等。
2、ROIC应具有：更小的体积、更小的信号处理复杂度、更低的信号噪音、更低的信号处理的带宽等。
3、整体上应具有：更高的象元集成度、更小的体积、更低的功耗性能、片上偏置电压非均匀性校正、更低的制造成本、以及更简洁的工业批量生产工艺。
4、在发展硬件系统设计的同时，图像处理技术的发展也是不可或缺的。
五、参考文献1、JeffBeck.GatedIRimagingwith128×128HgCdTeelectronavalanchephotodiodeFPA[C].ProceedingsofSPIE,2007,6542:17.2、M.A.Albota,R.M.Heinriechs,D.G.Kocher,etal.Threedimensionalimaginglaserradarwithaphotoncoutingavalanchephotodiodearrayandmicrochiplaser[J].ApplOpt.2002,41(35):7671-7678.3、BORNIOLE,ROTHMANJ,GUELLEFC,etal..ActiveThree-dimensionalandthermalimagingwitha30μmpitch320×256HgCdTeavalanchephotodiodefocalplanearray[J].Opt.Eng.,2012,51(6):06305.4、AdvancesinLinearandAreaHgCdTeAPDArraysForEyesafeLADARSensors.2001SPIE·0277-786X/015、HgCdTeAPD-basedLinear-ModePhotonCountingComponentsandLADARReceivers.2011SPIE·CCCcode:0277-786X/116、EricdeBorniol,FabriceGuellec,JohanRothman.HgCdTe-basedAPDfocalplanearrayfor2Dand3Dactiveimaging:firstresultsona320×256with30mpitchdemonstrator[C].ProceedingsofSPIE,2010,7660:3-5.7、AdvancesinLADARComponentsandSubsystemsatRaytheon.SPIE8353-778、RogerStettnerandHowardBailey.Eye-safelaserradar3Dimaging[C].ProceedingsofSPIE,2004,5412:111-116.9、RogerStettner,HowardBailey,rgeformattime-of-flightfocalplanedetectordevelopment[C].ProceedingsofSPIE,2005,5791:288-292.10、PingYuan.32x32Geiger-modeLADARcamerasSPIE·CCCcode:0277-786X11、郑睿童，吴冠豪.基于线阵APD探测器的脉冲式一维非扫描激光雷达系统[J].红外与激光工程，2012,41(1):96-100.12、朱静浩.阵列APD无扫描激光雷达非均匀性的分析与实验研究[D].哈尔滨工业大学2013APD焦平面探测器在现今常见的单光子探测器中，基于III-V族材料APD的红外单光子探测器在近红外波段实用化程度最高、性能最好。