《模电》复习(有答案)

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模拟电路期末复习试卷及答案(十套)

模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。

2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。

3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。

5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。

6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。

8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。

10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。

A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。

A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。

(完整版)模电复习答案

基本概念复习第一章电路基本元件一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。

（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

（）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。

（）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。

（）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。

（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是。

A. I S e UB. T U U I e SC. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A. 结型管B. 增强型MOS 管C. 耗尽型MOS 管（6）在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ，则这只三极管是。

A ．NPN 型硅管B ．NPN 型锗管C ．PNP 型硅管D ．PNP 型锗管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C （6）A第二章基本放大电路一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。

（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（5）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（6）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。

2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。

A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。

A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。

A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（）。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。

模电复习资料及答案

设计题一．设计一带通滤波电路要求：（1）信号通过频率范围f在100 Hz至10 kHz之间；（2）滤波电路在1 kHz的幅频响应必须在±1 dB范围内，而在100 Hz至10 kHz滤波电路的幅频衰减应当在1 kHz时值的±3 dB范围内；（3）在10 Hz时幅频衰减应为26 dB，而在100 kHz时幅频衰减应至少为16 dB。

（一）．电路方案选择这是一个通带频率范围为100HZ~10KHZ的带通滤波电路，在通带内我们设计为单位增益。

根据题意，在频率低端f=100HKZ时，幅频响应要求衰减不小于16dB。

因此可选择一个二阶低通滤波电路的截止频率FH=10khz，一个二阶高通滤波电路的截止频率FL=100hz，有源器件扔采用运放CF412(LF412),将这两个滤波电路串联如图所示，就构成了所要求的带通滤波器。

由巴特沃斯低通，高通电路阶数N与增益的关系可知：二阶巴特沃斯滤波器的Avf1=1.586，因此，由两级串联的带通滤波电路的通带电压增益（Avf1）*2=（1.586）*2=2.515，由于所需要的通带增益为0dB,因此在低通滤波器输入部分加了一个由电阻R1，R2组成的分压器。

（二）元件参数的选择和计算在选用元件时，应当考虑元件参数误差对传递函数带来的影响。

现规定选择电阻值的容差为1%，电容值的容差为5%。

由于每一电路包含若干电阻器和两个电容器，预计实际截止频率可能存在较大的误差（也许是+10%，-10%）。

为确保在100HZ和10KHZ处的衰减不大于3dB。

现以额定截止频率90HZ,和11KHZ 进行设计。

由于在运放电路中的电阻不宜选择过大或过小。

一般为几千欧至几十千欧较合适。

因此，选择低通极电路的电容值为1000pF，高通级电路的电容值为0.1uF。

然后由公式Wc=（1/RC)可计算出精确的电阻值。

对于低通级由于已知c=1000pF和FH=11kHZ,根据公式Wc=（1/RC)算得R3=14.47KΩ，现选择标准电阻值R3=14.0KΩ。

(完整版)模拟电子基础的复习题及答案

模拟电子技术基础复习题图 1图 2一、填空题1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ④共源放大电路②共基放大电路 ③共集放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是 ③ ，输入电阻最，频带最宽的电路是；只能放大电流，小的电路是②，输出电阻最小的电路是③② ；既能放大电流，又能放大电压的电路是 ①不能放大电压的电路是 ③；只能放大电压，不能放大电流的电路是②。

2、如图 1所示电路中，已知晶体管静态时 B- E 间电压为 U ，电流放大系BEQ数为β，B- E 间动态电阻为 r 。

填空：beV CC U BEQ（ 1）静态时， I 的表达式为BQ， I 的表达式为CQI BQR BI CQ I BQ；，U 的表达式为CEQU CEQ V CC I R C CQR L （2）电压放大倍数的表达式为A u，输入电阻的表达式为r be，输出电阻的表达式为R R // r be R R ；0 Ci B（3）若减小 R ，则 I 将 A ，r 将 C ，将 C ，R 将iC ，A B CQ bc u R 将 B 。

oA.增大B.不变C.减小当输入电压不变时， R 减小到一定程度，输出将产生 BA 失真。

A.饱和B.截止 3、如图 1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为 10mV ，输出电压有效值为 1.5V ，则其电压放大倍数 = 150 ；若已知此时信号源电压有效值为 20mV ，信号源内阻A u为 1k Ω，则放大电路的输入电阻 R = 1 。

i（2）若已知电路空载时输出电压有效值为 1V ，带 5 k Ω负载时变为 0.75V ，则放大电路的输出电阻 Ro（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将 R BRc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生 1.67。

增大或将截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。

模电复习题及答案

1.1选择合适答案填入空内。

（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。

A. 五价B. 四价C. 三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。

A. 增大B. 不变C. 减小（3）工作在放大区的某三极管，如果当I B从12μA增大到22μA时，I C从1mA变为2mA，那么它的β约为。

A. 83B. 91C. 100（4）当场效应管的漏极直流电流I D从2mA变为4mA时，它的低频跨导g m将。

A.增大B.不变C.减小解：（1）A ，C （2）A （3）C （4）A1.3 电路如图P1.3所示，已知u i＝5sinωt (V)，二极管导通电压U D＝0.7V。

试画出u i与u O的波形，并标出幅值。

图P1.3解图P1.3解：波形如解图P1.3所示。

2.5在图P2.5所示电路中，已知晶体管的β＝80，r b e＝1kΩ，i U ＝20mV；静态时U B E Q＝0.7V，U C E Q＝4V，I B Q＝20μA。

判断下列结论是否正确，凡对的在括号内打“√”，否则打“×”。

图P2.5（1）200102043-=⨯-=-uA （）（2）71.57.04-≈-=u A （）（3）4001580-=⨯-=u A （）（4）20015.280-=⨯-=u A （）（5）Ω=Ω=k 1k )2020(i R （）（6） Ω=Ω=k 35k )02.07.0(i R （）（7）Ω≈k 3i R （）（8）Ω≈k 1i R （）（9）Ω≈k 5o R （）（10）Ω≈k 5.2o R （）（11）s U ≈20mV ( ) （12）s U ≈60mV ( )解：（1）× （2）× （3）× （4）√ （5）× （6）×（7）× （8）√ （9）√ （10）× （11）× （12）√2.13 电路如图P2.13所示，晶体管的β＝60，'bb r =100Ω。

模电复习题及部分答案

复习题一、填空：1.为使BJT发射区发射电子，集电区收集电子，具备的条件是（发射极正偏，集电极反偏）。

2.N型半导体是在纯硅或锗中加入（磷（+5））元素物质后形成的杂质半导体。

3.差分放大电路对（差模）信号有放大作用，对（共模）信号起到抑制作用。

4在电容滤波和电感滤波中，（电感）滤波适用于大电流负载，（电容）滤波的直流输出电压高。

5．集成运放主要包括输入级、(中间放大极)、(输出极)和 (偏置)电路。

其中输入级一般采用(差模)电路。

6.为稳定放大器的静态工作点，应在放大电路中引入（直流负）反馈，为稳定放大器的输出电压应引入（电压负）反馈。

7．与甲类功放电路相比，乙类互补对称功率放大电路的优点是（管耗小，效率高），其最高效率可达到（78.5%），但容易产生（交越）失真。

8．集成运算放大器是一种采用（直接）耦合方式的多级放大电路，它的输入级常采用差分电路形式，其作用主要是为了克服（共模干扰）。

9．若放大器输入信号电压为1mV,输出电压为1V，加入负反馈后，为达到同样输出需要的输入信号为10mV，该电路的反馈深度为（10）。

10．产生1Hz～1MHz范围内的低频信号一般采用（RC）振荡器，而产生1MHz以上的高频信号一般采用（LC）振荡器。

11．半导体二极管具有（体积小，重量轻，使用寿命长，输入功率小，功率转换效率高等单向导电）作用，稳压二极管用作稳压元件时工作在（反向击穿）状态。

12．晶体三极管是一种（电流）控制型器件，当工作在饱和区时应使其发射结（正偏）集电结（正偏），而场效应管是一种(电压) 控制型器件。

13．集成电路运算放大器是一种高电压增益、高输入电阻、（低）输出电阻的（直接）耦合方式的多级放大电路。

14．差分放大电路有四种输入－输出方式，其差模电压增益大小与输（出）有关而与输（入）方式无关。

15．在放大电路中引入（直流负）反馈可以稳定放大电路的静态工作点，。

16．三种组态的放大电路中（共发射极组态、共基极组态、共集电极组态）输入电阻最小的是（共集电极放大）电路。

模电复习有答案

A．微分运算 B．积分运算 C．同相比例
2、为了获得输入电压中的低频信号，应选用
B 电路。
A．HPF B．LPF C．BPF D．BEF
3、某滤波电路的传递函数为
请问该滤波电路是 C
A（ u s） 132sss2
。
，
A．HPF B．LPF C．BPF D．BEF
精选课件
21
例题
4、某滤波电路的传递函数为
A．—3V
B．3V C．12V
精选课件
4
例题
7、设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为
5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电
路的输出电压Vo为____C_____。
A．4.3V B. 8V C. 5V
D. 0.7V
精选课件
5
半导体三极管及其放大电路基础
放大电路的组成原则与工作特点用估算法计算放大电路的静态工作点工作点合理的设置对实现不失真放大的影响用小信号模型分析法计算放大电路的增益、输
RC正弦波振荡电路的组成及起振、稳幅条件、振荡频率的计算
LC正弦波振荡的相位条件、振荡频率的计算
单门限电压比较器、滞回比较器工作原理及应用
精选课件
24
例题
1、正弦波振荡器的振荡条件为 A
A．A•
•
F
1
B．A• F• 1
C．A•
•
F
0
2、石英晶体发生串联谐振时，呈现
。
D．A•
•
F
1
B。
A．电感性
8
例题
8、放大电路如图所示。已知Rb1=10kΩ，Rb2=2.5kΩ， Rc=2kΩ，Re=750Ω，RL=1.5kΩ，Rs=10kΩ，VCC=15V， β =150，rbb′=200Ω。设C1、C2、C3都可视为交流短路，用

模电复习及答案

复习重点：各模块中的元件及电路的概念；三极管的结构、检测；基本共射放大电路（固定偏置/分压偏置工作点稳定电路）的电路分析和计算；直流通路、交流通路和微变等效电路模型的绘制分析；多级放大电路的结构分析；差动放大电路静态分析；共模抑制比的概念等。

★★教材考试范围：●模块一至四中所有讲过的例题●P29-32:1,2,3,4,6,7,8,11,12●P59-63：1，2，3，7，8，11●P74-75:1,2,3,4●P89:1,2,3,4复习样题：填空题：1.PN结的单向导电性表现为外加正电压时导通；外加反向电压时截止。

2.稳压二极管在稳压时，其工作在伏安特性的反向击穿区。

3.三极管在放大区的特点是当基极电流固定，其集电路电流基本不变，体现了三极管的恒流源特性。

4.用在电路中的整流二极管，主要考虑两个参数最大正向电流和反向击穿电压，选择时应适当留有余地。

5.在放大区，对NPN型的三极管有电位关系：U c>U b>U e ；而对PNP型的三极管，有电位关系：U c <U b<U e。

6.三极管基本放大电路的3种组态是共射极组态，共集电极组态，共基极组态。

7.放大电路放大的实质是实现小信号能量对大信号能量的控制和转换作用。

8. 直接耦合放大电路既可以放大交流信号，也可以放大直流信号。

9.差动放大电路能有效地克服温漂，这主要是通过对称性好，对共模信号电压增益为0。

10.半波整流滤波后，若负载开路，输出电压为交流有效值的1.414倍。

11.场效应管放大电路和三极管电路相比，具有输入阻抗高、温度稳定性能好、噪声低、功耗小等特点。

12.集成运放内部电路主要由差动输入级、中间放大级、输出级和偏置电路4部分组成。

13.对功率放大器所关心的主要性能参数是最大不失真输入功率和电路功率。

PN结的单向导电性表现为外加正电压时；外加反向电压时。

稳压二极管在稳压时，其工作在伏安特性的区。

三极管在放大区的特点是当基极电流固定，其电流基本不变，体现了三极管的特性。

《模电》经典题目,含答案

模拟电子技术基础试卷及参考答案试卷三及其参考答案试卷三一、选择题（这是四选一的选择题，选择一个正确的答案填在括号内）（共16分）1．有两个增益相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）a. 输入电阻大b. 输入电阻小c. 输出电阻大d. 输出电阻小2．共模抑制比K CMR越大，表明电路（）。

a. 放大倍数越稳定b. 交流放大倍数越大c. 抑制温漂能力越强d. 输入信号中的差模成分越大3．多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比，其通频带（）。

a. 变宽b. 变窄c. 不变d. 与各单级放大电路无关4．一个放大电路的对数幅频特性如图1-4所示。

当信号频率恰好为上限频率或下限频率时，实际的电压增益为（）。

a. 43dBb. 40dBc. 37dBd. 3dB图1-4 图1-55．LC正弦波振荡电路如图1-5所示，该电路（）。

a. 满足振荡条件，能产生正弦波振荡b. 由于无选频网络，不能产生正弦波振荡c. 由于不满足相位平衡条件，不能产生正弦波振荡d. 由于放大器不能正常工作，不能产生正弦波振荡6．双端输入、双端输出差分放大电路如图1-6所示。

已知静态时，V o=V c1－V c２＝０，设差模电压增益100vd =A ，共模电压增益mV 5V mV,10,0i2i1c ===V A V ，则输出电压o V 为（）。

a. 125mVb. 1000 mVc. 250 mVd. 500 mV图1-6 图1-77．对于图1-7所示的复合管，假设CEO1I 和CEO2I 分别表示T 1、T 2单管工作时的穿透电流，则复合管的穿透电流CEO I 为（）。

a. CEO2CEO I I =b. CEO2CEO1CEO I I I +=c. CEO1CEO I I =d. CEO12CEO2CEO )1(I I I β++=8．某仪表放大电路，要求R i 大，输出电流稳定，应选（）。

模拟电子技术复习试题+答案

《模拟电子期末练习题》填空题：1、 PN结正偏时（导通），反偏时（截止），因此 PN结拥有（单向）导电性。

2、漂移电流是（反向）电流，它由（少量）载流子形成，其大小与（温度）相关，而与外加电压（没关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无量大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管拥有放大作用外面电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度高升时，晶体三极管集电极电流Ic （增添），发射结压降（减小）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极）、（共基极）、（共集电极）放大电路。

8、为了稳固三极管放大电路的静态工作点，采纳（直流）负反应，为了稳固沟通输出电流采纳（电流）负反应。

9 、负反应放大电路的放大倍数A F=（ A/ （1+AF）），关于深度负反应放大电路的放大倍数A F=（ 1/F ）。

10、 P型半导体中空穴为（多半）载流子，自由电子为（少量）载流子。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性同样的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。

12、为了除去乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采纳（甲乙）类互补功率放大器。

13 、反向电流是由（少量）载流子形成，其大小与（温度）相关，而与外加电压（没关）。

14、共集电极电路电压放大倍数（小于近似等于1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够克制（零点）漂移，也称（温度）漂移，因此它宽泛应用于（集成）电路中。

16 、晶体三极管拥有放大作用时，发射结（正偏），集电结（反偏）。

17、为了稳固三极管放大电路和静态工作点，采纳（直流）负反应，为了减小输出电阻采纳（电压）负反应。

18、共模信号是大小（相等），极性（同样）的两个信号。

19、乙类互补功放存在（交越）失真，能够利用（甲乙）类互补功放来战胜。

模拟电子技术综合复习题(有答案)

《模拟电子技术》复习题综合（第1、2章）一、选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。

A.二B.三C.四D.五2、在N 型半导体中掺入浓度更大的 C 价元素，变成为P 型半导体。

A.二B.三C.四D.五3、在本征半导体中，自由电子浓度 B 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于4、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于5、本征半导体温度升高以后， C 。

A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变6、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定 8、设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 C 。

UT U U I e C. )1e (S －T U U I D. I S 。

C.反向击穿、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏11、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能12、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。

A. 83B. 91C. 100D. 1013、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时，它的低频跨导g m 将 A 。

A.增大 B.不变 C.减小 D. 都有可能 14、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流 15、实践中，判别晶体管是否饱和，最简单的方法是测量 D 。

A.I BB.I CC.U BED.U CE16、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。

模电复习题 - 答案

2 / 26
A.增加一倍
B.为双端输入时的 1/2
C.不变
D.不确定
24. 串联反馈的反馈量是以（ A ）形式反馈输入回路，和输入电压相比较而产生净输入量。并联反馈的
反馈量是以（ B ）形式反馈输入回路，和输入电压相比较而产生净输入量。
A.电压
B.电流
C.电压或电流
D.电阻
25. 两个 β 相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为（ B ）。
A.双端输入、双端输出
B.双端输入、单端输出
输入、单端输出
D.电流串联负反馈电路 E.功率放大
C.单端输入、双端输出
D.单端
图1
图2
37. 在如图 2 所示电路中电源 V=5V 不变，当温度为 20OC 时测得二极管的电压 UD=0.7V，当温度上生到
为 40OC 时，则 UD 的大小将是( C )。
E.有反馈通路
19. 产生高频正弦波可用( B )振荡电路，产生低频正弦波可用( C )振荡电路，产生稳定频率正弦波可用( A )
振荡电路。
A.石英晶体
B.LC
C.RC
D替 Re 是为了( C )，电流源电路作集电极有源负载是为了( A )。
A.提高差模电压放大倍数
B.共集电极放大电路
C.共基极放大电路
D.共源极放大电路
28. 双极型晶体三极管工作时参与导电的是( C )，场效应管工作时参与导电的是（ A ）。
A.多子
B.少子
C.多子和少子
D.多子或少子
29. 在 OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为 1W，则电路中功放管的集电极最大功耗约为( C )。
A.1W
以获得稳定的闭环增益。 ( ) 57. 乙类互补对称电路，其功放管的最大管耗出现在输出电压幅度约为 0.6VCC 的时候。 ( ) 58. 负反馈放大电路的反馈系数|��̇ |越大，越容易引起自激振荡。 ( ) 59. 同类晶体管（例如都是 NPN 管）复合，由于两管的 UBE 叠加，受温度的影响增大，所以它产生的漂

模电复习题和答案

模电复习题和答案判断题1、在N型半导体中如果掺有⾜够量的三价素，可将其改型为P型半导体(√).2、因为N型半导体的多⼦是⾃由电⼦，所以它带负电（×）。

3、处于放⼤状态的晶体管，集电极电流是多⼦漂移运动形成的。

（×）4、结型场效应管的栅-源电压的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS⼤的特点。

（√）5、放⼤电路必须加上合适的直流电源才能正常⼯作（√）6、只有电路既放⼤电流⼜放⼤电压，才称其有放⼤作⽤（√）7、阻容耦合多级放⼤电路各级的Q点相互独⽴，（√）它只能放⼤交流信号。

（√）8、直接耦合多级放⼤电路各级的Q点相互影响，（√）它只能放⼤直流信号。

（×）9、运放的输⼊失调电压U IO是两输⼊电压之差（×）10、运放的输⼊失调电流I IO是两输⼊端电流之差（×）11、若放⼤电路的放⼤倍数为负，则引⼊的反馈⼀定是负反馈（×）12、负反馈放⼤电路的放⼤倍数与组成它的基本放⼤电路的放⼤倍数量纲基本相同（√）13、运算放⼤电路⼀般均引⼊负反馈（√）14、在集成运算电路中，集成运放的反相输⼊端均为虚地（×）。

15、只要电路引⼊了正反馈，就⼀定会产⽣正弦波震荡（×）16、凡是振荡电路中的集成运放均⼯作在线性区。

（×）17、在功率放⼤电路中，输出功率越⼤，功放管的功耗越⼤（×）18、功放电路的最⼤输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最⼤交流功率（√）。

19、整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压（√）。

20、在单相桥式整流电容滤波电路中，若有⼀只整流管断开，输出平均电压变为原来的⼀半（×）。

⼆、填空题1、在本征半导体中加五价元素可形成N型半导体，加⼊三价元素可形成形成P型半导体。

2、⼯作在放⼤区的某三极管，如果当I B从12uA增⼤到22uA时，I C从1mA变到2mA，那麽它的β约为100 。

《模电》复习(有答案)

模拟电路广泛应用于通信、音频、视频、控制系统等领域。
03
02
01
模拟电路的基本概念
模拟电路的基本元件
电阻是模拟电路中最基本的元件之一，用于限制电流和电压。
电容是能够存储电荷的元件，具有隔直流通交流的特性。
电感是能够存储磁能的元件，具有阻抗交流的作用。
二极管是单向导电的元件，常用于整流、开关等电路中。
04
电源：为电路提供稳定的直流或交流电源。
实验设备与仪器
实验准备
熟悉实验原理、目的、步骤和注意事项，准备好所需的仪器和元件。
电路搭建
根据实验要求，使用适当的电子元件搭建模拟电路。
参数测量
使用示波器等测量仪器，记录实验数据，观察信号波形。
结果分析
对实验数据进行分析，得出结论，并与理论值进行比较。
实验方法与步骤
发射机与接收机
通过模拟电路实现信号的调制和解调，如调频、调相和调幅等，以适应不同的通信信道。
调制解调技术
模拟电路用于信号处理和控制，如音频、视频信号的处理和通信系统的控制。
信号处理与控制
通信系统
模拟电路用于构建模拟控制器，实现对系统的连续控制和调节。
模拟控制器
模拟电路用于连接传感器和执行器，实现系统输入与输出的转换和控制。
详细描述
反馈放大电路的性能指标主要包括增益、带宽和稳定性等。
总结词
增益表示反馈放大电路的放大能力，与开环增益和反馈系数有关；带宽表示反馈放大电路能够正常工作的频率范围；稳定性则表示反馈放大电路对外部干扰和内部参数变化的敏感程度。
详细描述
反馈放大电路
总结词
集成运算放大器是一种高性能的模拟集成电路，具有高带宽、低噪声、低失真等特点。

模电复习资料(判断和填空有答案)

判断题第一章半导体1、少数载流子是电子的半导体称为P型半导体。

（对）二极管1、由PN结构成的半导体二极管具有的主要特性是单向导电性。

（对）2、普通二极管反向击穿后立即损坏，因为击穿是不可逆的。

（错）3、晶体二极管击穿后立即烧毁。

（错）三极管1、双极型晶体三极管工作于放大模式的外部条件是发射结正偏，集电结也正偏。

（错）2、三极管输出特性曲线可以分为三个区,即恒流区,放大区,截止区. （错）3、三极管处于截止状态时，发射结正偏。

（错）4、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P型或N型）构成的，所以极e和c极可以互换使用。

（错）5、当集电极电流值大于集电极最大允许电流时，晶体三极管一定损坏。

（错）6、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。

（错）场效应管1、场效应管的漏极特性曲线可分成三个区域：可变电阻区、截止区和饱和区。

（错）第二章1、技术指标放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的，对2、基本放大电路在基本放大电路中，若静态工作点选择过高，容易出现饱和失真。

（对）3、放大电路的三种组态射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。

（错）三种基本放大电路中输入电阻最大的是射极输出器。

（对）射极跟随器电压放大倍数恒大于1,而接近于1。

（错）射极输出器不具有电压放大作用。

（对）4、多级放大电路直流放大器是放大直流信号的，它不能放大交流信号。

（错）直流放大器只能放大直流信号。

（错）现测得两个共射放大电路空载时的放大倍数都是-100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数为10000。

（错）多级放大器的通频带比组成它的各级放大器的通频带窄，级数愈少，通频带愈窄。

（错）。

多级放大器总的电压放大倍数是各级放大倍数的和。

（错）多级阻容耦合放大器的通频带比组成它的单级放大器的通频带宽。

（错）第四章在三种功率放大电路中，效率最高是的甲类功放。

（对）第五章从信号的传输途径看，集成运放由输入级，输出级，偏置电路这几个部分组成。

模电复习试题及答案(选择、填空、判断)

《模拟电子技术》复习题综合（半导体基础知识、单管共射放大电路）一.选择题1、在本征半导体中掺入微量的 D 价元素，形成N 型半导体。

A.二B.三C.四D.五2、在P 型半导体中，自由电子浓度 C 空穴浓度。

A.大于B.等于C.小于3、本征半导体温度升高以后， C 。

A.自由电子增多，空穴数基本不变B.空穴数增多，自由电子数基本不变C.自由电子数和空穴数都增多，且数目相同D.自由电子数和空穴数都不变4、空间电荷区是由 C 构成的。

A.电子B.空穴C.离子D.分子5、PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。

A. 变窄B. 基本不变C. 变宽D. 无法确定6、稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿7、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。

A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏D. 前者反偏、后者正偏8、当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 A 。

A. 增大B. 不变C. 减小D. 都有可能9、工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12μA 增大到22μA 时，I C 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为 C 。

A. 83B. 91C. 100D. 1010、晶体管是 A 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流11、在正常放大的电路中，测得晶体管三个电极的对地电位如图所示，试判断管子的类型和材料。

图1为 D ；图2为 A 。

[基极电位总是处于中间]A.NPN 硅管B.PNP 硅管C.NPN 锗管D.PNP 锗管12、场效应管是 D 器件。

A.电流控制电流B.电流控制电压C.电压控制电压D.电压控制电流13、基本共射放大电路中，基极电阻R b 的作用是 A 。

A.限制基极电流，使晶体管工作在放大区，并防止输入信号短路B.把基极电流的变化转化为输入电压的变化C.保护信号源D.防止输出电压被短路14、基本共射放大电路中，集电极电阻R c 的作用是 B 。

模电复习资料（全答案）

模电复习资料（全答案）一、填空题1、要使三极管正常放大信号，要求三极管发射极重掺杂、基区很薄、集电极面积大于发射极面积、发射结和集电结均正向运用。

2、N型半导体是在本征半导体中掺入五价元素，其多数载流子是自由电子，少数载流子是空穴。

3、P型半导体是在本征半导体中掺入三价元素，其多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

4、PN结未加外部电压时，扩散电流等于漂移电流；加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，其耗尽层变薄；加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，其耗尽层变厚。

5、三极管工作在放大区时，发射结为正向运用，集电结为反向运用；工作在饱和区时，发射结正向运用，集电结正向运用；工作在截止区时，发射结反向运用，集电结反向运用。

6、工作在放大状态的三极管，流过发射结的电流主要是扩散电流，流过集电结的电流主要是漂移电流。

7、三种基本放大电路中，输入电阻最大的是共c极放大电路；输入电阻最小的是共b极放大电路；输入电压与输出电压相位相反的是共e极放大电路；电压放大倍数最大的是共e极放大电路；；电压放大倍数最小的是共b极放大电路；输出电阻最小的是共c极放大电路。

8、半导体三极管通过基极电流控制输出电流，所以属于电流控制器件，其输入电阻小；场效应管通过控制栅极电压来控制输出电流，所以属于电压控制器件，其输入电阻大。

9、为提高放大器的输入电阻应引入交流串联负反馈，为降低放大电路输出电阻，应引入交流电压负反馈。

10、能提高放大倍数的是正反馈，能稳定放大倍数的是负反馈。

11、为稳定输出电流，应引入交流电流负反馈；为稳定输出电压，应引入交流电压负反馈；为稳定静态工作点，应引入直流负反馈；为了展宽放大电路频带，应引入交流负反馈。

12、差动放大器主要利用对称特性来抑制零漂。

13、完全对称的长尾差动放大器中的e R 对共模信号产生串联电流负反馈，对差模信号不产生反馈。

14、为使运放线性工作，应当在其外部引入深度负反馈、无穷、无穷、零、零、无穷、.15、理想集成运放的=ud A ，=id r ，=o r ，=B I ，=CMR K 。

模拟电子技术复习试题+答案

《模拟电子期末练习题》填空题：1、PN结正偏时（导通），反偏时（截止），所以PN结具有（单向）导电性。

2、漂移电流是（反向）电流，它由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

3、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为（零），等效成一条直线；当其反偏时，结电阻为（无穷大），等效成断开；4、三极管是（电流）控制元件，场效应管是（电压）控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结（正偏），集电结（反偏）。

6、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic（增加），发射结压降（减小）。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是（共射极）、（共基极）、（共集电极）放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点，采用（直流）负反馈，为了稳定交流输出电流采用（电流）负反馈。

9、负反馈放大电路的放大倍数A F=（A/（1+AF）），对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=（1/F）。

10、P型半导体中空穴为（多数）载流子，自由电子为（少数）载流子。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为（共模）信号，而加上大小相等、极性相反的两个信号，称为（差模）信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙）类互补功率放大器。

13、反向电流是由（少数）载流子形成，其大小与（温度）有关，而与外加电压（无关）。

14、共集电极电路电压放大倍数（小于近似等于1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制（零点）漂移，也称（温度）漂移，所以它广泛应用于（集成）电路中。

16、晶体三极管具有放大作用时，发射结（正偏），集电结（反偏）。

17、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用（直流）负反馈，为了减小输出电阻采用（电压）负反馈。

18、共模信号是大小（相等），极性（相同）的两个信号。

19、乙类互补功放存在（交越）失真，可以利用（甲乙）类互补功放来克服。