电子技术基础复习题及答案
(完整版)电子技术复习题(答案)
电子技术复习题一、填空1．二极管最主要的特性是 单向导电性 。
2.当电源电压升高时，电抗原件将能量存储起来，而当电源电压降低时，又将能量释放出来，从而使输出电压比较平滑，这就是滤波3.双极性晶体管按结构可分为NPN 型和PNP 型。
4.晶体管是有三个电极的电流放大器，任选其中一个电极为公共电极时，可组成三种不同的四端网络，分别成为共基极、共发射极、共集电极。
5．构成放大电路的条件有两个：一是发射结正偏，集电结反偏；二是放大电路要有完善的直流通路和交流通路。
6、当温度升高时，会引起放大电路的静态工作点向上偏移，造成饱和失真 7、半导体的导电性能具有光敏性、热敏性和 掺杂性 特点。
8．半导体载流子的运动有扩散运动和 漂移 运动。
9．硅二极管的正向导通压降约为 0.6~0.7 V10．二极管的反向电压在一定范围时，电流基本上是 恒定（或不变） 的。
11．稳压管工作在 反向击穿 区。
12．NPN 型硅三极管的发射结电压U BE 约这 0.6~0.7 V 。
13．PNP 型锗三极管的发射结电压U BE 约为 -0.2~ -0.3 V 。
14．非线性失真包括截止失真和 饱和 失真。
15．为不产生非线性失真，放大电路的静态工作点Q 大致选在交流负载线的 中点 ，输入信号的幅值不能太大。
16．在外部因素（如温度变化、三极管老化、电源电压波动等）的影响下，会引起放大电路 静态工作点 的偏移。
17．外部因素中，对放大电路静态工作点影响最大的是 温度 变化。
18．三极管级间耦合的方式主要有：阻容耦合、变压器耦合和 直接耦合 。
19．三极管阻容耦合电路的频率特性包括幅频特性和 相频特性 。
20．三极管阻容耦合电路的 电压放大倍数 与频率的关系称为幅频特性。
21．三极管阻容耦合电路的输出电压相对于输入电压的 相位移 与频率的关系称为相频特性。
22．场效应管是一种 电压 控制的单极型半导体器件。
23．场效应管有两种类型：结型场效应管、 绝缘栅 场效应管。
(工业电气自动化)电子技术基础(二)课程复习题与答案1
电子技术基础(二)课程复习题及答案一、填空1、本征半导体中有空穴和两种载流子。
自由电子2、半导体有P型和两种类型。
N型3、PN结具有特性。
单向导电4、二极管按结构分有点接触型和接触型。
面5、差动放大电路的电路参数。
对称6、差动放大电路的目的是抑制。
共模信号7、反馈分有正反馈和反馈。
负8、功率放大器按晶体管的工作状态可分为甲类、乙类和功率放大器。
甲乙类9、复合管的类型与组成该复合管的三极管相同。
第一只10、集成功放的内部主要由前置级、中间级和组成。
功率输出级11、集成电路按功能分有数字集成电路和集成电路。
模拟12、过零电压比较器具有极高的。
电压放大倍数13、正弦波振荡器由基本放大电路、、反馈网络和稳幅电路四部分组成。
选频网络14、正弦波振荡器产生自己震荡的条件是有正反馈和。
正反馈量要足够大15、在开关稳压电源中调整管工作于状态。
开关16、逻辑代数又叫代数。
二值布尔17、基本的逻辑运算有逻辑加、逻辑乘、三种。
逻辑非18、卡诺图所有的最小项之和为。
119、数字集成器件民用品标为系列。
7420、集成逻辑门是最基本的。
数字集成器件21、反相器就是实现的器件。
逻辑非22、编码是的逆过程。
译码23、组合逻辑电路的输出状态仅取决于。
当前输入24、最基本的时序逻辑电路有集成计数器、等。
集成寄存器25、计数器按计数步长分有二进制、十进制和。
N进制26、一个触发器可以存放位二进制数。
127、多谐振荡器又称。
方波发生器28、555集成定时器基本应用有多谐振荡器、施密特触发器和。
单稳态触发器29、绝大多数的DAC、ADC均采用工艺。
CMOS30、读写存储简称。
RAM31、只读存储器简称。
ROM二、单选选择题1、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。
DA、二B、三C、四D、五2、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成P型半导体。
BA、二B、三C、四D、五3、在P型半导体中，电子浓度（）空穴浓度。
CA、大于B、等于C、小于D、与温度有关4、在本征半导体中，电子浓度（）空穴浓度。
电子技术复习题及答案
一、填空题1、右图中二极管为理想器件，V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。
2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。
3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置，工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。
4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联负反馈、_并联负反馈__、_电流负反馈_、电压负反馈。
5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。
6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。
7、将十六进制（0BF）转换成十进制= __191________。
8、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。
9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。
1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。
2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是7B 。
3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。
4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。
当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为：66H 。
5、设ROM容量为256字×8位，则它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。
6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，则需要 8 片1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。
2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。
3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路四个部分组成。
电子技术基础试题及答案10套
电子技术基础试题及答案10套1.PN结具有单向导电特性。
2.晶体三极管的电流放大系数一般随温度的增加而增大。
3.射极输出器放在中间级可以兼用它的输入电阻大和输出电阻小的特点，起阻抗变换作用。
4.阻抗匹配是指只有当负载电阻RL和信号源的内阻rs相等时，负载获得的功率最大的现象。
5.运算放大器的输出是一种具有深度负反馈高增益的多级直流放大器。
6.功率放大器按工作点在交流负载线上的位置分类有甲类功放、乙类功放和甲乙类功放电路。
7.甲乙推挽功放电路与乙类功放电路比较，前者加了偏置电路向功放管提供少量偏流IBQ，以减少交越失真。
8.带有放大环节的串联型晶体管稳压电路一般由采样电路、基准电源、比较放大电路和调整元件四个部分组成。
9.逻辑代数的三种基本运算是逻辑乘、逻辑加和逻辑非。
10.主从触发器是一种能防止空翻现象的实用触发器。
选择题：1.若晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该晶体二极管处于正偏。
2.当晶体三极管的集电结反偏、发射结正偏时，当基极电流减小时，集电极电流减小。
3.某三级放大器中，每级电压放大倍数为Av，则总的电压放大倍数为A^3V。
4.正弦波振荡器中正反馈网络的作用是保证电路满足振幅平衡条件。
5.甲类单管功率放大电路中结构简单，但最大的缺点是有交越失真。
6.有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是7.5V。
7.为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是在开启时提供很大的正向基极电流，并在关闭时提供很大的反向基极电流。
9、二进制数1011的十进制表示为11.10、在逻辑电路中，与门的输出只有当所有输入都为1时才为1，否则为0.二、简答题(每题5分，共25分)1、什么是放大电路的增益？如何计算放大电路的增益？答：放大电路的增益是指输出信号与输入信号之间的比值。
电子技术基础复习试题与答案
一、选择题：
1．在杂质半导体中,少子浓度主要取决于( )
(A)掺入杂质的浓度、(B)材料、(C)温度
2．测得某PNP型三极管各极点位为:UB=-3V UE=-4V UC=-6V,则该管工作于( )
(A)放大状态 、(B)饱和状态、(C)截止状态
3．在基本共射放大电路中，若更换晶体管使β值由50变为100,则电路的放大倍数( )
28．74LS138是3线—8线译码器，译码为输出低电平有效，若输入为A2A1A0=110时，输出 应为______。
29．将一个包含有32768个基本存储单元的存储电路设计16位为一个字节的ROM， 该ROM有______根地址线。
30．能够实现“线与”的TTL门电路叫______。
31．差分放大电路，若两个输入信号uI1=uI2，则输出电压，uO=0； 若 u I1=100V，u I2=80V则差模输入电压uId=20V；共模输入电压uIc=90V。
参考答案
一、选择题：1、C2、C3、C4、B5、C6、C7、C8、B9、B10、A
11、C12、B13、B14、C15、B16、A17、C18、A19、C
20、C21、A22、C23、B24、A25、A
二、填空题：1、自由电子、空穴2、单向导电
3、发射结正偏、集电结反偏4、差动
5、φA +φF=2nπ（n=0、1、2……） 、AF=1
(1)静态工作点IB，IC，UCE；
(2)电压放大倍数Au。
5．已知如图VＣＣ=12V，RB=100KΩ，RW=400KΩ，RC＝4KΩ，β＝37.5，
当滑动变阻器的触点在中间位置时求静态值并画直流负载线 （设UBE= 0 ）。 （10分）
7．写出下图输出与输入的关系表达式：
电子技术基础第1到6章复习习题
模电复习习题一、选择题1.测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是A 。
A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化2.大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是A 。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适3.当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的B。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍即增益下降A 。
A.3dBB.4dBC.5dB4. 多级直接耦合放大电路中，（A）的零点漂移占主要地位。
A) 第一级B) 中间级C) 输出级5. 一个三级放大电路，测得第一级的电压增益为0dB，第二级的电压增益为40dB，第三级的电压增益为20dB，则总的电压增益为（B）A) 0dB B) 60dB C) 80dB D) 800dB6.在相同条件下，多级阻容耦合放大电路在输出端的零点漂移（B ）。
A）比直接耦合电路大B）比直接耦合电路小C）与直接耦合电路基本相同7.要求静态时负载两端不含直流成分，应选( D )耦合方式。
A）阻容B）直接C）变压器D）阻容或变压器8.差动放大电路是为了（C）而设置的。
A) 稳定增益B) 提高输入电阻C）克服温漂D) 扩展频带9. 差动放大电路抑制零点漂移的能力，双端输出时比单端输出时（A ）A) 强B) 弱C）相同10. 在射极耦合长尾式差动放大电路中，eR 的主要作用是（B ）A) 提高差模增益 B ）提高共模抑制比C) 增大差动放大电路的输入电阻 D) 减小差动放大电路的输出电阻11. 差动放大电路用恒流源代替发射极电阻是为了（ A ）。
A ）提高共模抑制比 B ）提高共模放大倍数 C ）提高差模放大倍数 12. 集成运放的输出级一般采用（C ）。
数字电子技术复习题及参考答案
数字电子技术复习题及参考答案一、单选题1、以下式子中不正确的是（）A.1AAB.AAAC.ABABD.1A12、在数字电路中，稳态时三极管一般工作在()状态。
在图示电路中，若ui0，则三极管T(),此时uo=()A．放大，截止，5VB．开关，截止，3.7VC．开关，饱和，0.3VD．开关，截止，5V3、N个变量可以构成（）个最小项。
A.NB.2NC、2ND、2N-14、图中电路为TTL门电路，为了使输出等于，选择正确答案（）。
A．正确，错误，错误B．正确，错误，正确C．正确，正确，正确D．正确，正确，错误5、TTL门电路输入端悬空时，应视为（）；(高电平，低电平，不定）。
此时如用万用表测量其电压，读数约为（）（3.5V，0V，1.4V）。
A．不定B．高电平，3.5VC．低电平，0VD．高电平，1.4V6、一个64选1的数据选择器有（）个选择控制信号输入端。
A．6B．16C．32D．647、设计计数器时应选用（）。
A．锁存器B．边沿触发器C．同步触发器D．施密特触发器8、欲将频率为f的正弦波转换成为同频率的矩形脉冲，应选用（）。
A．多谐振荡器B．施密特触发器C．单稳态触发器D．T'触发器9、一片64k某8存储容量的只读存储器（ROM），有（）。
A.64条地址线和8条数据线B.64条地址线和16条数据线C.16条地址线和8条数据线D.16条地址线和16条数据线10、ROM必须在工作（）存入数据，断电（）数据；RAM可以在工作中（）读写数据，断电（）数据。
A.中，不丢失；随时，将丢失B.前，不丢失；随时，将丢失C.前，不丢失；随时，不丢失D.前，丢失；随时，将丢失11、若逻辑表达式FAB,则下列表达式中与F相同的是()A.FABB.FABC.FABD.不确定12、下列电路中，不属于组合电路的是：（）A.数字比较器；B.寄存器；C.译码器；D.全加器；13、不能用来描述组合逻辑电路的是：（）A.真值表；B.卡诺图；C.逻辑图：D.驱动方程；14、利用中规模集成计数器构成任意进制计数器的方法有()A.复位法B.预置数法C.级联复位法D.以上都不是15、施密特“非”门和普通“非”门电路的阈值电压分别是（）个。
(完整版)电子技术复习题及参考答案
中南大学网络教育课程考试复习题及参考答案电子技术一、填空题：1。
在本征半导体中掺入微量三价元素形成型半导体，掺入微量五价元素形成型半导体。
2。
晶体管工作在截止区时，发射结向偏置，集电结向偏置。
3.硅稳压管的工作为 _ 区。
4。
为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
5。
已知输入信号的频率为10kHz~12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
6.为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路.7.为了稳定静态工作点，应引入负反馈.8.为了稳定放大倍数,应引入负反馈。
9.为了使放大电路的输出电阻增大应引入负反馈;深度负反馈的条件是。
10。
为了减小放大电路的输入电阻，应引入负反馈。
11.为了减小放大电路的输出电阻，应引入负反馈。
12.当集成运放组成运算电路时中，运放一般工作在状态。
13.在运放组成的电压比较器中，运放一般工作在或状态.14.在图1所示电路中，调整管为，采样电路由组成，基准电压电路由组成，比较放大电路由组成.图115。
在整流电路的输入电压相等的情况下，半波与桥式两种整流电路中，输出电压平均值最低的是整流电路.16。
直流电源由、、和四部分组成。
17。
串联型稳压电路由、、和四部分组成。
18.欲将方波电压转换成三角波电压，应选用运算电路。
19。
NPN型共集电极放大电路中的输出电压顶部被削平时，电路产生的是失真;乙类功放电路的主要缺点是输出有失真。
20. 比例运算电路的比例系数大于1，而比例运算电路的比例系数小于零。
21.正弦波自激振荡的幅值平衡条件为，相位平衡条件为。
22。
存储器按功能不同可分为存储器和存储器；23.RAM按存储单元结构特点又可分为和。
24.半导体存储器的结构主要包含三个部分，分别是、、。
25。
某存储器容量为8K×8位，则它的地址代码应取位。
26。
将Intel2114（1K*4位）RAM扩展成为8K*4位的存储器，需要Intel2114芯片数是 ,需要增加的地址线是条。
电子技术复习题及答案
电子技术复习题一一、填空题1、右图中二极管为理想器件，题1-1V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。
2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。
3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置，工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。
4、根据反馈的分类方式，负反馈电路有4种组合形式，即_串联电压负反馈、_并联电压负反馈__、_串联电流负反馈_、并联电流负反馈。
5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。
6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。
7、计数器、寄存器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、寄存器_________ 。
8、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。
9、数字信号只有 0 和 1 两种取值。
10、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是7B 。
11、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。
12、按移位方向，移位寄存器可分为单向移动寄存器和双向移动寄存器。
13、（101111）(2)=47(10),(87)(10)=1010111(2)14、时序电路分为组合电路和存储电路两种。
15、.二极管的反向电流IRM越小，说明二极管的____单向导电_____性能越好。
16、交流负反馈有4种组态，若要求输入电阻高，输出电阻高，在放大电路中应引入__串联电流_______负反馈组态。
17、要稳定静态工作点，在放大电路中应引入_____直流____负反馈。
二、选择题1、离散的，不连续的信号，称为（B ）A、模拟信号B、数字信号2、在下列逻辑部件中，不属于组合逻辑部件的是（ D ）。
电子技术复习题及答案
一、填空题1、右图中二极管为理想器件，V1工作在_导通__ 状态；V2工作在__截止___状态。
2、差分放大器对差模信号有较强的放大能力，对共模信号有较强的__抑制__能力。
3、三级管工作在放大区时，发射结__正向__偏置，集电结__反向__偏置，工作在饱和区时，发射结__正向_偏置，集电结_正向__偏置。
4、根据反应的分类方式，负反应电路有4种组合形式，即_串联负反应、_并联负反应__、_电流负反应_、电压负反应。
5、理想集成运算放大器有两个重要特性对分析线性运用电路非常有用，他们分别是虚短、虚断。
6、逻辑函数的表示形式有四种：逻辑函数式、______真值表____、卡诺图和逻辑图。
7、将十六进制〔0BF〕转换成十进制= __191________。
8、计数器、存放器、编码器、译码器中，属于组合逻辑电路的是___译码器编码器___，属于时序逻辑电路的是_____计数器、存放器_________ 。
9、共阳接法的发光二极管数码显示器，应采用___低_______电平驱动的七段显示译码器。
1、数字信号只有 0 和 1 两种取值。
2、十进制123的二进制数是 1111011 ；八进制数是 173 ；十六进制数是7B 。
3、一位十进制计数器至少需要 4 个触发器。
4、有一A/D转换器，其输入和输出有理想的线性关系。
当分别输入0V和5V电压时，输出的数字量为00H和FFH，可求得当输入2V电压时，电路输出的数字量为：66H 。
5、设ROM容量为256字×8位，那么它应设置地址线 8 条，输出线 8 条。
6、用256字×4位RAM，扩展容量为1024字×8位RAM，那么需要 8 片1、在常温下，锗二极管的门槛电压约为 0.1 V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.2 V。
2、三极管须使发射结正向偏置，集电结反向偏置才能工作在放大区。
3、一般直流稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路四个局部组成。
电子技术基础(1、2、5)复习题
半导体二极管一、、选择1、下图中，（）二极管处于正向偏置（全部为硅管）。
2、杂质半导体比纯净半导体导电能力（）。
A．强B．弱C．一样3.PN结正向偏置时（）。
A．P区接电源正极，N区接电源负极B．N区接电源正极，P区接电源负极C．电源极性可以任意调换D．不接电源4.当外界温度升高时，半导体的导电能力（）。
A．不变B．增加C．显著增加D．先减小后增加5. PN结的最大特点是具有（）。
A．导电性Ｂ．绝缘性Ｃ．单向导电性6. 变容二极管在电路中使用时，其PN结是（）。
A．正向运用B．反向运用 C. 正反向均可7 、PN结加正向电压时，空间电荷区将A、变窄B、基本不变C、变宽8. 测量二极管（小功率）的管脚极性时，万用表的电阻档应选（）。
A．R×1 B．R×10 C．R×100或R×1k D．R×10k9.在电路中测得某二极管正负极电位分别为3V与10V，判断二极管应是（）。
A．正偏B．反偏C．零偏10. 测量二极管反向电阻时，若用两手将两管脚捏紧，其电阻值会（）。
A．变大B．先变大后变小C．变小D．不变11. 2AP9表示（）。
A．N型材料整流管B．N型材料稳压管C．N型材料普通管D．N型材料开关管12.二极管正反向电阻相差（）。
A．越小越好B．越大越好C．无差别最好D．无要求13. 加在二极管上的正向电压大于死区电压，其两端电压为( )。
A.随所加电压增加而变大B. 0.7V左右C.随所加电压增加而减小D．随所加电压增加变化不大14. 用万用表R×100Ω挡来测试二极管，其中( )说明管子是好的。
A．正、反向电阻都为零B．正、反向电阻都为无穷大C．正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧D．反向电阻为几百欧，正向电阻为几百欧15. 把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（）。
A．基本正常B．击穿C．烧坏D．电流为零16.当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管( )。
电路与电子技术基础总复习题及解 (1)
总复习题及解总复习题及解一、问 答第一章答题1. 电流与电压为关联参考方向是指什么？答：电流参考方向（箭头方向）与电压降参考方向（“+”到“-”的方向）一致的方向。
第二章答题1. 应用叠加定理时，理想电压源不作用时视为短路，理想电流源不作用时视为 开路。
2、求含有受控源单口网络的戴维南（诺顿）等效电路的内阻时，屏蔽掉电源后须用 外施电压、电流 法求得。
第三章答题1、对于电容C 和电感L ，电压和电流间的关系为：，2、换路定律是指： 3、全响应解的两种表达式：（1）全响应=（零输入响应）+（零状态响应） （2）三要素法： 第四章答题1、直流电路中，感抗为0，容抗为无穷大。
2、正弦电压u(t) =2U cos (?t + ?u )对应的相量表示为uUUθ∠=•。
3、任意一个相量乘以j相当于该相量逆时针旋转90o 。
4、三相对称电源星型联结，相、线电压的关系为相电压是线电压的31倍，且相电压滞后对应线电压30°。
对称电源△接线时，线电流、相电流之间关系为线电流等于3倍相电流，相位滞后对应相电流30°。
5、电阻元件的电压电流的有效值满足：U=IR，关联参考方向下电压和电流同相位，即第五章答题无第六章答题1、本征半导体电子浓度等于空穴浓度；N型半导体的电子浓度大于空穴浓度；P型半导体的电子浓度小于空穴浓度。
2、场效应管属于电压控制型器件，晶体三极管则属于电流控制器件。
3、晶体三极管工作在放大状态时，应使发射结正向偏置；集电结反向偏置。
4、稳定二极管稳压时是处于反向偏置状态，而二极管导通时是处于正向偏置状态。
5、 PN结的单向导电性，就是PN结正偏时导通，反偏时截止。
6、当温度升高时，三极管的集电极电流Ic 增加，发射结压降U BE减小。
第七章答题1、共模抑制比K CMR是差模放大倍数与共模放大倍数（绝对值）之比。
2、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用差放电路。
3、差分放大电路能够抑制共模信号，放大差模信号。
《电子技术基础》国考复习(选择题、判断题)试题及答案
《电子技术基础》国考复习（选择题、判断题）试题及答案基本信息：[矩阵文本题] *1.杂质半导体中的少数载流子浓度取决于（）。
[单选题] *A．掺杂浓度B．工艺C. 温度(正确答案)D．晶体缺陷2.在P型半导体中，电子浓度（）空穴浓度。
[单选题] *A．大于B. 等于C. 小于(正确答案)D. 与温度有关3.在本征半导体中，电子浓度（）空穴浓度。
[单选题] *A．大于B. 等于(正确答案)C. 小于D. 与温度有关4.在N型半导体中，电子浓度（）空穴浓度。
[单选题] * A．大于(正确答案)B. 等于C. 小于D. 与温度有关5.锗二极管正向导通的条件是（）。
[单选题] *A. Ub=0.7VB. Ub =0.3V(正确答案)C. Ub =0.5VD. Ub =0.1V6.硅二极管正向导通的条件是（）。
[单选题] *A．Ub=0.7V(正确答案)B. Ub =0.3VC. Ub =0.5VD. Ub =0.1V7.二极管正向导通时的电阻RD （）。
[单选题] *A. 很小(正确答案)B. 很大C. 等于1kD. 无法确认8.二极管反向导通时的电阻RD （）。
[单选题] *A. 很小B. 很大(正确答案)C. 等于1kD. 无法确认9.晶体二极管最显著的特性是（）。
[单选题] *A. 开关特性B. 信号放大特性C. 单向导通特性(正确答案)D. 稳压特性10.硅稳压管在稳压电路中稳压时，工作于（）。
[单选题] * A．正向导通状态B．反向电击穿状态(正确答案)C．反向截止状态D．反向热击穿状态11．测量某放大电路中的一只NPN型晶体三极管，各电极对地的电位是：U1=2V，U2=6V，U3=2.7V，则该三极管各管脚的名称是（）。
[单选题] *A. 1脚为c，2脚为b，3脚为eB. 1脚为e，2脚为c，3脚为b(正确答案)C. 1脚为b，2脚为e，3脚为cD. 1脚为b，2脚为c，3脚为e12．若晶体三极管工作在截止状态，则以下符合的条件为（）。
对口升学电子技术题库(含答案).
湖南对口招生职业中专电子技术基础复习题总汇第一章复习题一、填空1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（五）价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为（自由电子）。
2、PN结正向偏置时，内、外电场方向（相反）。
3、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的（R×1k）档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的（阴）极。
检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
4、双极型三极管内部有基区、发射区和集电区，有（发射）结和 ( 集电)结及向外引出的三个铝电极。
5、二极管的伏安特性曲线上可分为 ( 死)区、正向导通区、 (反向截止)区和（反向击穿）区四个工作区。
6、双极型三极管简称晶体管，属于（电流）控制型器件，单极型三极管称为MOS管，属于（电压）控制型器件。
MOS管只有（多数）流子构成导通电流。
二、判断1、P型半导体中空穴多于自由电子，说明P型半导体带正电.。
（×）2、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。
（×）3、晶体管和场效应管一样，都是由两种载流子同时参与导电。
（×）4、只要在二极管两端加正向电压，二极管就一定会导通。
（×）5、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（×）三、单选1、单极型半导体器件是（C）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
2、稳压二极管的正常工作状态是（C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、正向死区状态。
3、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
4、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数 。
电子技术基础复习题及答案
电子技术基础复习题及答案一、选择题1.下列哪种元件被广泛应用于逻辑门电路中？A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 电感答案：C2.以下哪个元件可以将交流电转换成直流电？A. 电容B. 反向阻止二极管C. 普通二极管D. NPN 晶体管答案：B3.下列哪个元件的阻值可以随输入信号的变化而变化？A. 可调电阻器B. 电阻C. 电感D. 电容答案：A4.以下哪个元件用于在电路中存储数据？A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 二极管答案：B5.下列哪个元件用于限制电路中的电流？A. 电阻B. 电容C. 晶体管D. 电感答案：A二、填空题6.一个电路中，有一个电源和两个电阻分别为10 Ω 和20 Ω，求电路总电阻。
答案：30 Ω7.以下哪个定律用于计算电路中的电压？答案：欧姆定律8.以下哪个定律用于计算电路中的电流？答案：基尔霍夫定律9.在直流电路中，电容器的电压和电流的关系为I = C dU/dt。
答案：I = C dU/dt三、简答题10.什么是 P 型半导体和 N 型半导体？答：P 型半导体是通过在硅片中添加杂质元素，如硼 (B) 等，使得硅片中存在过多的空穴来形成的。
N 型半导体则是加入不同的杂质，如砷 (As) 等，以形成过量的自由电子。
11.什么是逻辑门？答：逻辑门是指用于数字电路中的基本电路元件，以处理输入信号以产生输出信号的设备。
常见的逻辑门有与门、或门、非门、异或门等。
四、编程题12.写一个 Python 函数，以计算并返回一个电路总电阻。
该函数应该接受一个包含所有电阻值的列表参数。
def calculate_total_resistance(resistances):total =0for resistance in resistances:total += resistancereturn total本文涵盖了电子技术基础中的多个主题，包括逻辑门、半导体、电路中的电压和电流以及电容器和电阻的定律。
电子技术基础课程复习题及答案
电子技术基础(二)课程复习题及答案一、填空1、本征半导体中有空穴和两种载流子。
自由电子2、半导体有P型和两种类型。
N型3、PN结具有特性。
单向导电4、二极管按结构分有点接触型和接触型。
面5、差动放大电路的电路参数。
对称6、差动放大电路的目的是抑制。
共模信号7、反馈分有正反馈和反馈。
负8、功率放大器按晶体管的工作状态可分为甲类、乙类和功率放大器。
甲乙类9、复合管的类型与组成该复合管的三极管相同。
第一只10、集成功放的内部主要由前置级、中间级和组成。
功率输出级11、集成电路按功能分有数字集成电路和集成电路。
模拟12、过零电压比较器具有极高的。
电压放大倍数13、正弦波振荡器由基本放大电路、、反馈网络和稳幅电路四部分组成。
选频网络14、正弦波振荡器产生自己震荡的条件是有正反馈和。
正反馈量要足够大15、在开关稳压电源中调整管工作于状态。
开关16、逻辑代数又叫代数。
二值布尔17、基本的逻辑运算有逻辑加、逻辑乘、三种。
逻辑非18、卡诺图所有的最小项之和为。
119、数字集成器件民用品标为系列。
7420、集成逻辑门是最基本的。
数字集成器件21、反相器就是实现的器件。
逻辑非22、编码是的逆过程。
译码23、组合逻辑电路的输出状态仅取决于。
当前输入24、最基本的时序逻辑电路有集成计数器、等。
集成寄存器25、计数器按计数步长分有二进制、十进制和。
N进制26、一个触发器可以存放位二进制数。
127、多谐振荡器又称。
方波发生器28、555集成定时器基本应用有多谐振荡器、施密特触发器和。
单稳态触发器29、绝大多数的DAC、ADC均采用工艺。
CMOS30、读写存储简称。
RAM31、只读存储器简称。
ROM二、单选选择题1、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成N型半导体。
DA、二B、三C、四D、五2、在本征半导体中掺入微量的（）价元素，形成P型半导体。
BA、二B、三C、四D、五3、在P型半导体中，电子浓度（）空穴浓度。
CA、大于B、等于C、小于D、与温度有关4、在本征半导体中，电子浓度（）空穴浓度。
电子技术复习题及答案解析
一、填空题1、FX系列PLC中“RST”是什么功能指令（）A.置位B. 复位C. 上升沿脉冲D. 下降沿脉冲2、梯形图中，为减少程序所占步数，应将并联触点数多支路排在（C）A、前B、后C、上D、下3、用于串联连接逻辑块的指令是（）A.SETB.RSTC.ANBD.ORB4、将堆栈中逻辑结果读出并清除堆栈内容的指令为（C ）A.MPSB.MRDC.MPPD.SP5、中间继电器的电气文字符号是（ A ）。
A、KAB、KTC、SBD、KM6、上升沿检出开始梯形图逻辑运算的指令是（ A ）A.LDIB.LDPC.LDD.LDF7、按下复合按钮时（A ）。
A.动断点先断开B、动合点先闭合C、动断动合点同时动作8、PLC的核心是（ C ）。
A、存储器B、总线C、CPUD、I/O接口9、下列电器中哪个是电磁式电器，它是依据电磁感应原理来工作的电器？（A ）A.接触器B. 行程开关C. 熔断器D. 刀开关10、PLC的输入端口一般不能接（C ）A. 继电器触点B.点动开关C.负载线圈D. 行程开关11、和下列梯形图功能相同的是（A ）。
A.B.C.D.12、熔断器是（ C ）在被保护的电路中。
A、并联B、混联C、串联D、串联或并联13、低压电器是用于交流50HZ（或60HZ），额定电压为（C）；直流额定电压1500V及以下的电路中的电器。
A、1200V以下B、1500V以下C、1200V以上D、1500V以上14、三菱FX系列PLC 的输入和输出继电器采用（B ）进制数字编号。
A. 二B. 八C. 十D. 十六15、由于电弧的存在将导致（A ）。
A、电路分断时间加长B、电路分断时间缩短C、电路分断时间不变16、下列指令形式正确的是（B ）A、MC X0B、MC N0 M20C、MC N10 Y0D、MC Y017、将堆栈中逻辑结果读出并清除堆栈内容的指令为（C ）A、MPSB、MRDC、MPPD、SP18、用于并联连接单个常开触点的指令是（C ）A、ORB、ANIC、ORID、AND19、热继电器主要由热元件、（B ）和触点组成。
数字电子技术基础-复习题(带答案)
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A B C D CO 0 0 0 00 0 0 1 11 0 1 0 11 0 1 1 01 1 0 0 10 1 0 1 00 1 1 0 00 1 1 1 11
编程图为：（4 分）
卡诺图为：（3 分）
A BC 00 01 11 10
0010 1 1101 0
D
A B C
和 1111，并且利用 CO 端作 13 进制计数器的进位输出。74161 的功能表如下，可以附加必要的门电路 （10 分）
74161 功能表
输
入
输出
RD LD ET EP CP D0 D1 D2 D3 Q0 Q1
Q2 Q3
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D0 D1 D2 D3
EP
CO
ET
74161
① AB
② AB
③ AB
④ AB
3. 一片 2k×16 存储容量的只读存储器（ROM），有[ ]个字节
①2000
②4000
③2048
④4096
4. 下列关于 TTL 与非门的输出电阻描述中，正确的是
[]
①门开态时输出电阻比关态时大 ②两种状态都是无穷大输出电阻
③门关态时输出电阻比开态时大 ④两种状态都没有输出电阻
A BC 00 01 11 10
0011 1 1001 0
CO
或 阵 列
D
或阵列
CO
图 5.1 PLA 逻辑阵列图
2．（10 分） 解： （1）电路连接图如下：
（4 分）
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VCC
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R1
7
VCC