《模拟电子技术基础(第五版 康华光主编)》 复习提纲
第一章 绪论(模电康第五版)
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1.4 放大电路模型
1.电压放大电路模型 1.电压放大电路模型
Rs
+ +
Ro
+ +
vs
_
vi
_
Ri
Avovi
_
vo
_
RL
(1)模型:虚线框内是电压放大电路模型,Avo为输 模型:虚线框内是电压放大电路模型, 开路( 电压增益, 出开路(RL=∞)时的电压增益,开路输出电压 o受 )时的电压增益 开路输出电压v 输入电压v 的控制。 输入电压 i的控制。
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1.4
放大电路模型
信号的放大是最基本的模拟信号处理电路, 信号的放大是最基本的模拟信号处理电路,放大 电路是构成其他模拟电路的基本单元电路。 电路是构成其他模拟电路的基本单元电路。
一、放大电路的符号及模拟信号放大
ii
+
I1 V +
A
+
io
+
R s
vs
_
vi
1.2 信号的频谱
V 2s V π 1 π 1 π S v(t) = + ω ω cosω0t − 2 + 3cos3 0t − 2 + 5cos5 0t − 2 +L 2 π
v
VS
ϕn
2VS
0
2VS 3π
ω0
3ω0
5ω0
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5. 学习方法
重点掌握基本概念、基本电路、基本方法。 重点掌握基本概念、基本电路、基本方法。
模拟电子技术基础复习提纲-全文可读
模拟电子技术复习大纲康华光5版共28页文档
6、最大的骄傲于最大的自卑都表示心灵的最软弱无力。——斯宾诺莎 7、自知之明是最难得的知识。——西班牙 8、勇气通往天堂,怯懦通往地狱。——塞内加 9、有时候读书是一种巧妙地避开思考的方法。——赫尔普斯 10、阅读一切好书如同和过去最杰出的人谈话。——笛卡儿
模拟电子技术复习大纲康华光5版
1、战鼓一响,法律无声。——英国 2、ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ何法律的根本;不,不成文法本 身就是 讲道理 ……法 律,也 ----即 明示道 理。— —爱·科 克
3、法律是最保险的头盔。——爱·科 克 4、一个国家如果纲纪不正,其国风一 定颓败 。—— 塞内加 5、法律不能使人人平等,但是在法律 面前人 人是平 等的。 ——波 洛克
Thank you
康华光《电子技术基础-模拟部分》(第5版)笔记和课后习题(含考研真题)..
目 录第1章 绪 论1.1 复习笔记1.2 课后习题详解1.3 名校考研真题详解第2章 运算放大器2.1 复习笔记2.2 课后习题详解2.3 名校考研真题详解第3章 二极管及其基本电路3.1 复习笔记3.2 课后习题详解3.3 名校考研真题详解第4章 双极结型三极管及放大电路基础4.1 复习笔记4.2 课后习题详解4.3 名校考研真题详解第5章 场效应管放大电路5.1 复习笔记5.2 课后习题详解5.3 名校考研真题详解第6章 模拟集成电路6.1 复习笔记6.2 课后习题详解6.3 名校考研真题详解第7章 反馈放大电路7.1 复习笔记7.2 课后习题详解7.3 名校考研真题详解第8章 功率放大电路8.1 复习笔记8.2 课后习题详解8.3 名校考研真题详解第9章 信号处理与信号产生电路9.1 复习笔记9.2 课后习题详解9.3 名校考研真题详解第10章 直流稳压电源10.1 复习笔记10.2 课后习题详解10.3 名校考研真题详解第11章 电子电路的计算机辅助分析与设计第1章 绪 论1.1 复习笔记一、电子系统与信号电子系统指若干相互连接、相互作用的基本电路组成的具有特定功能的电路整体。
信号是信息的载体,按照时间和幅值的连续性及离散性可把信号分成4类:①时间连续、数值连续信号,即模拟信号;②时间离散、数值连续信号;③时间连续、数值离散信号;④时间离散、数值离散信号,即数字信号。
二、信号的频谱任意满足狄利克雷条件的周期函数都可展开成傅里叶级数(含有直流分量、基波、高次谐波),从这种周期函数中可以取出所需要的频率信号,过滤掉不需要的频率信号,也可以过滤掉某些频率信号,保留其它频率信号。
幅度频谱:各频率分量的振幅随频率变化的分布。
相位频谱:各频率分量的相位随频率变化的分布。
三、放大电路模型信号放大电路是最基本的模拟信号处理电路,所谓放大作用,其放大的对象是变化量,本质是实现信号的能量控制。
放大电路有以下4种类型:1.电压放大电路电路的电压增益为考虑信号源内阻的电压增益为2.电流放大电路电路的电流增益为考虑信号源内阻的电压增益为3.互阻放大电路电路的互阻增益为4.互导放大电路电路的互导增益为四、放大电路的主要性能指标1输入电阻:输入电压与输入电流的比值,即对输入为电压信号的放大电路,R i越大越好;对输入为电流信号的放大电路,R i越小越好。
模电总结复习资料-模拟电子技术基础(第五版)
模电总结复习资料-模拟电子技术基础(第五版) 前几天模电总结了这本书,希望大家都能在这个学期继续坚持下去,有时间一定要看看。
希望大家看完之后可以收获很多经验与知识。
有一句话叫:“把时间浪费在不该花的地方,是一件最愚蠢的事。
”今天为大家分享的是模电总结资料之一:模拟电子基础(第五版),本书共分三册,共36章、120多页,是电子技术专业学生学习、复习和备考中不可缺少的重要资料。
在本教材中对基本概念和基本理论作了进一步的阐述,对所学知识进行了梳理,同时结合模拟电路实际设计方法对测试题型作了相应介绍,并给出了实验原理与应用方法。
一、基本概念电路的构成过程是:(1)产生信号的电源:由电路产生的电压和电流组成的电流源及谐波。
(2)信号的基本特性:由输入信号和输出信号组成的一组数字信号或一组模拟信号。
(3)信息形式:用来表示信号形式的一组信息和表达信息的符号。
电路所能实现的全部物理过程,以及所对应的控制策略对电路系统产生的影响和变化过程。
例如,电路图对逻辑关系的影响、电阻、电压互感和通信方法等。
电信号是通过测量在电路中被处理过的信号来描述和再现物理状态的。
有:时间步长、频率)时钟钟、电压基准;时间继电器式电路板(SOSD)等。
(4)模拟信号是在单片机或集成电路上按一定原理经过处理,以实现某种特定功能和性能而制造出来的数据符号。
1、模拟电路的结构电路是由输入信号、输出信号构成的。
模拟电子电路由输入输出端组成。
A.输入端的输出信号包括:频率和电压;谐波分量和电源谐波分量。
B.输出端是处理后的数字信号的一种输出方法或器件,主要是对信号进行采样和运算的部件。
C.时间继电器式电路板,也称为功率继电器。
D.控制输出的一种电路,包括:时间基准和电流基准。
2、模电信号的组成及与数字信号的关系电感在电路中起到传递电压的作用。
电流在经过电感后,在通过电感的电流场作用下转换为数字信号,其特性曲线称为数字信号。
电感在数字信号中起着很重要的作用。
《模拟电子技术》考试大纲 (2)
《模拟电子技术》考试大纲一、课程基本信息●课程名称:《模拟电子技术》●使用教材:⏹ 1. 模拟电子技术基础(第五版),童诗白、华成英主编,高等教育出版社2015年7月⏹ 2.电子技术基础模拟部分(第5版),康华光,高等教育出版社,2006 年1月●教学拓展资源:《模拟电子技术》省级精品课资源库;多媒体素材库。
二、课程教学目的《模拟电子技术》是电子类等专业入门性质的课程,是实践性很强的技术基础课。
课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本理论、基本知识和基本技能,培养学生分析问题和解决问题的能力。
通过本课程的学习,使学生具备应用电子技术的能力,为学习后续课程和电子技术在专业中的应用打好基础。
从课程内容设置方面讲,本课程作为电子技术培养中重要的一门基础基本技能的课程,模拟电子技术是自动化、电气工程及其自动化等专业必修的一门重要技术基础课,该课程不仅具有自身的理论体系而且是一门实践性很强的课程。
本课程使学习者在了解课程目标的前提下,通过运用多种教学策略与方法进行各种电子技术的理论学习;本课程的任务是解决电子技术入门的问题,使学生掌握模拟电子电路的基本工作原理、分析方法和基本技能,为深入学习后续课程和从事有关电子技术方面的实际工作打下基础。
通过实践研习,学习者能不断提高自身的模拟电子技术应用能力,不断提升自己的专业素养,适应我国电子技术课程改革的形势,培养符合时代发展要求、具有创新意识、热爱电子技术职业,确立将电子技术视为终身职业目标的毕业生。
从课程实施方面讲,本课程借助华中师范大学云端一体化学习平台,实现数字化教学资源的转播与共享,并通过混合式学习将面授课堂与网络课堂沟通结合,使各种教学资源、各个教学要素和教学环节达到组合、重构、融合,在整体优化的基础上产生聚集效应,进一步促成多样化学习。
课程的教学环节深入贯彻基于问题的学习教学模式(PBL)。
课程教学通过创设问题情境,引导学习者确认和分析问题,并通过信息技术等手段获取结构化的学习资源,围绕问题展开自主或合作学习,最终达成对问题的解决。
电子技术基础(模拟部分)第五版_第3章_康华光
(a)符号
(b) 伏安特性
稳压原理
R
+
IR
IO
IZ
+
VI
DZ
VO
RL
-
-
RL↓→IO↑→IR↑→↓VO=VI-VR VO↑←IR↓←IZ↓
稳压管的应用
①、稳压管外接正向电压时,导通。 ②、稳压管外接反向电压,且该电压
的幅值小于VBR时,截止。 ③、稳压管外接反向电压,且该电压
于空穴数,因此,N型半导
体又称为电子半导体。
3、多子和少子
数目较多的载流子叫多数载流子,简 称多子。同样,数目较少的载流子叫少数 载流子,简称少子。
在P型半导体中,空穴是多子,而自 由电子是少子。
在N型半导体中,自由电子是多子, 而空穴是少子。
第二节、PN结的形成及特性 一、PN结的形成 二、PN结的特性 三、PN结的伏安特性及表达式
本征激发时,自由电子和空穴总是成对产生, 称为电子空穴对。因此本征激发又叫做电子空穴 对的产生。
3、载流子 能够自由运动的带电粒子。
只有两种载流子:自由电子和空穴。 自由电子带负电 空穴带正电
4、本征浓度
自由电子和空穴相遇时,成对消失的现象称为 载流子的复合。
电子空穴对的产生和复合总是不停地进行着, 最终处于一种平衡,使半导体中载流子的浓度一 定。一定温度下,单位体积内(1cm3)的载流子 个数称为本征浓度。
正偏时,二极管两端短路 反偏时,二极管开路 2、恒压模型 正偏时,二极管从阳极到阴极
VD=VON(导通电压) 反偏时,二极管开路
➢ 图解分析法
1. 理想模型
2. 恒压降模型
第五节、特殊二极管
模电第五版康华光复习大纲
40 带宽 20 0 2 20 fL 2 102 2 103 2 104 fH f/Hz
第三章 二极管及其基本电路
1、理解半导体中有两种载流子 电子 空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后, 共价键就留下一个空位,这个空位就称为空穴 2、理解本征半导体和本征激发 本征半导体——化学成分纯净的半导体 •两种载流子参与导电,自由电子 数(n)=空穴数(p) 本征激发的特点—— •外电场作用下产生电流,电流大 小与载流子数目有关 •导电能力随温度显著增加
第五章 场效应管放大电路
双极型三极管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件。 1、能够根据转移特性判别场效应管的类型(P237 表5.5.1) 结型场效应管 N型:VGS<0 VDS>0夹断电压VP<0 P型:VGS>0 VGS<0夹断电压VP>0 N型:VGS>0 VDS>0开启电压VT>0 P型: VGS<0 VGS<0开启电压VT<0
4、熟练掌握PN结 形成——由于浓度差,而出现扩散运动,在中间形成空 间电荷区(耗尽层),又由于空间电荷区的内电场作用,存 在漂移运动,达到动态平衡。 单向导电性 —— 不外加电压,扩散运动=漂移运动,iD=0 加正向电压(耗尽层变窄),扩散运动>漂移运动形成iD 加反向电压(耗尽层变宽),扩散运动为0,只有很小的 漂 移运动 形成反向电流 特性方程:iD=IS(eVo/VT-1) 特性曲线 : 正向导通:死区、导通区 反向截止:截止区、击穿区
3、正确理解变压器反馈式,电容三点式,电感三点式LC 正弦波振荡电路的结构和工作原理 4、了解石英晶体正弦振荡电路的工作原理及特点 5、能够利用相位平衡条件判断电路是否振荡。 6、电压比较器及电压传输特性。 习题9.6.1;9.6.2;9.7.1;9.7.2;
电子技术基础数字部分(第五版)(康华光)全书总结归纳
1. 掌握单稳态触发器、施密特触发器、多谐振荡器的逻辑功能;
2. 掌握单稳态触发器、施密特触发器MSI器件的逻辑功能和应用;
3. 理解555定时器的工作原理,掌握由555定时器组成的单稳态触 发器、施密特触发器、多谐振荡器的电路结构、工作原理和参数 计算。
8. 脉冲波形的变换与产生
知识点
1. 单稳态触发器:单稳态触发器的工作特点,可重复触发和不
7. 存储器
教学要求
1. 掌握半导体存储器字、位、存储容量、地址、等基本概念;
2. 理解半导体存储器芯片的关键引脚的意义,掌握半导体存储
器的典型应用;
3. 掌握半导体存储器的扩展方法;
4. 了解存储器的组成及工作原理; 5. 了解CPLD和FPGA的基本结构及实现逻辑功能的原理。
7. 存储器
知识点
可重复触发单稳态触发器,单稳态触发器的应用。
2. 施密特触发器:同相输出和反相输出的施密特触发器,正向
阈值电压 VT+和负向阈值电压 VT-的意义。
3. 多器谐振荡:多器谐振荡的功能。 4. 555定时器:由555定时器组成的多谐、单稳、施密特触发器 的电路、工作原理。
9. 模数与数模转换器
章节内容
2. 掌握三态门、OD门、OC门和传输门的逻辑功能和应用;
3. 掌握CMOS、TTL逻辑门电路的输入与输出电路结构,输入 端高低电平判断。 4. 掌握逻辑门的主要参数及在应用中的接口问题; 5. 了解半导体器件的开关特性以及逻辑门内部电路结构。
3. 逻辑门电路
知识点 1. CMOS电路功耗低,抗干扰能力强,广泛应用。
消除的方法。
3. 典型组合逻辑集成电路:各种 MSI 器件的功能,阅读其功能
电子技术基础-模拟部分(第五版)期末复习指南
电子技术基础复习指南模拟部分〔第五版〕一、绪论1.3模拟信号和数字信号区别:在时间和幅度上均是连续的信号称为模拟信号,在时间和幅度上不是连续的而是离散的,这种信号称为模拟信号〔数字信号较为稳定〕。
1.4放大电路模型四种增益(1)电压增益————i A υυυ=0 (2)电流增益————i i i A i =0 (3)互阻增益————i r i A =0υ (4)互导增益————ig A i υ=0 1.5放大电路的主要性能指标二、运算放大器2.1传输特性2.2理想运算放大器解题步骤(1)根据虚短 0=id v ⇒ N p v v =(2)根据虚断 0=id i ⇒ 未接反馈端电位(3)列电流方程〔接反馈〕(4)结果例题1:分析(1)根据虚短 N p v v =(2)根据虚断 0=idi ,又接地 0=N v (3)因 f i i i =有:30100R v R v i -=- (4)结果)(0i v f v =;例题2**、二输入运算放大电路(1)根据虚短 N p v v =(2)根据虚断 0=id i ,又接地 0=N v(3)因 f i i i i i =+21 有:402010021R v R v R v i i -=-+- (4)结果),(210i i v v f v=;例题3***、三输入运算放大电路(1)根据虚短 N p v v =(2)根据虚断 0=id i ,又接地 0=N v(3)因 f i i i i i i i =++321 有:402010021R v R v R v i i -=-+- (4)结果),(210i i v v f v=; 三、二极管及其基本电路3.半导体3.1.1 P 型半导体杂质离子:3价元素杂质〔硼〕,空穴数远大于自由电子数,空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。
3.1.2 N 型半导体杂质离子:5价元素杂质〔磷,砷 等〕,自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子。
模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)
绪论一.符号约定•大写字母、大写下标表示直流量。
如:V CE、I C等。
•小写字母、大写下标表示总量(含交、直流)。
如:v CE、i B等。
•小写字母、小写下标表示纯交流量。
如:v ce、i b等。
•上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。
如:等。
二.信号(1)模型的转换(2)分类(3)频谱二.放大电路(1)模型(2)增益如何确定电路的输出电阻r o?三.频率响应以及带宽第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
电子技术基础模拟部分(第五版)康华光总复习课件
vi 2
5 4
vi1
2vi 2
18
二、习题
习题2.4.6 加减运算电路如图所示,求输出电压:vo的表达式。
令 vi1= vi2 = vi4 =0,
R1 40kΩ
R6
vi1
vi2 vi3
R2 25kΩ R3 10kΩ
–
vn
+
vp
vi4
R4 20kΩ
vo''
(1
R6 ) R1 // R2
R4 // R5 R3 R4 // R5
(2)同相输入加法运算电路
RP R11 // R12 // R RN R1 // Rf
uo
(1
Rf R1
)( RP R11
ui1
RP R12
ui2 )
当 RP = RN时,
uo
Rf R1
ui1
Rf R2
ui2
3、减法运算电路
RP R2 // R3 RN R1 // Rf
uo
(1
Rf R1
二、习题
习题2.4.6 加减运算电路如图所示,求输出电压vo的表达式。
解: 利用“虚短”、“虚断” 和叠加
R1 40kΩ
R6
vi1
原理 令 vi3= vi4 =0, 可看作是求和电路
vi2 vi3
R2 25kΩ R3 10kΩ
–
vn
+
vp
R4 20kΩ
vi4
R5
30kΩ
vo
vo'
R6 R1
vi1
R6 R2
iE
–
静态分析: 直流通路
IBQ
VCC Rb
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模拟电子技术基础复习提纲
第一章绪论
)信号、模拟信号、放大电路、三大指标。
(放大倍数、输入电阻、输出电阻)
第三章二极管及其基本电路
)本征半导体:纯净结构完整的半导体晶体。
在本征半导体内,电子和空穴总是成对出现的。
N型半导体和P型半导体。
在N型半导体内,电子是多数载流子;在P型半导体内,空穴是多数载流子。
载流子在电场作用下的运动称为漂移;载流子由高浓度区向低浓度区的运动称为扩散。
P型半导体和N型半导体的接触区形成PN结,在该区域中,多数载流子扩散到对方区域,被对方的多数载流子复合,形成空间电荷区,也称耗尽区或高阻区。
空间电荷区内电场产生的漂移最终与扩散达到平衡。
PN结最重要的电特性是单向导电性,PN结加正向电压时,电阻值很小,PN结导通;PN结加反向电压时,电阻值很大,PN结截止。
PN 结反向击穿包括雪崩击穿和齐纳击穿;PN结的电容效应包括扩散电容和势垒电容,前者是正向偏置电容,后者是反向偏置电容。
)二极管的V-I 特性(理论表达式和特性曲线)
)二极管的三种模型表示方法。
(理想模型、恒压降模型、折线模型)。
(V BE=)
第四章双极结型三极管及放大电路基础
)BJT的结构、电路符号、输入输出特性曲线。
(由三端的直流电压值判断各端的名称。
由三端的流入电流判断三端名称电流放大倍数)
)什么是直流负载线什么是直流工作点
)共射极电路中直流工作点的分析与计算。
有关公式。
(工作点过高,输出信号顶部失真,饱和失真,工作点过低,输出信号底部被截,截止失真)。
)小信号模型中h ie和h fe含义。
)用h参数分析共射极放大电路。
(画小信号等效电路,求电压放大倍数、输入电阻、输出电阻)。
)常用的BJT放大电路有哪些组态(共射极、共基极、共集电极)。
各种组态的特点及用途。
P147。
(共射极:兼有电压和电流放大,输入输出电阻适中,多做信号中间放大;共集电极(也称射极输出器),电压增益略小于1,输入电阻大,输出电阻小,有较大的电流放大倍数,多做输入级,中间缓冲级和输出级;共基极:只有电压放大,没有电流放大,有电流跟随作用,高频特性较好。
)
复合管类型及判别。
(类型与前一只管子决定)
)什么是波特图怎样定义放大电路的带宽(采用对数坐标的幅频和相频特性曲线。
)
)RC低通电路的波特图及特点。
(3dB带宽)
)影响三极管带宽上限的原因是晶体管极间电容和分布电容的存在,使高频信号增益降低。
第五章场效应管放大电路
)什么叫单极性器件场效应管和BJT放大原理的最根本的不同点是什么
)场效应管的种类及符号识别。
(重点为N沟道增强型场效应管,该管在放大状态下,开启电压V T为正值,栅极电压应大于源极电压)。
)场效应管V-I特性曲线在饱和器的表达式。
i D=K n(v GS-V T)2
)什么是开启电压什么是夹断电压互导g m的定义和意义。
)什么是沟道长度调制效应(对实际场效应管,当V GS一定时I D随着V DS增加有所增加。
即特性曲线上斜。
通常引入参数λ描述该效应。
)
)共源极MOSFET放大电路静态工作点的计算。
第六章模拟集成电路
)镜像电流源和微电流源,结构,特点。
)什么是差模信号什么是共模信号什么是共模抑制比
)计算单端输入和单端输出的BJT差分放大电路的电压增益。
)集成运算放大器电路分为哪几个部分(偏置电路、输入级、中间放大级、输出级)。
)什么是运放的输出失调电压V IO转换速率S R单位增益带宽BW G(输入电压为零时,为使输出电压为零而加在输入端的补偿电压;输入大信号时输出电压的最大变化速率;运放电压增益为1时的最高频率)。
)模拟乘法器的符号。
用途。
(各种运算电路,调制解调电路、函数发生电路等)
第二章运算放大器
)什么是理想运算放大器
)同相放大电路和反相放大电路的构成,分析方法,(放大倍数计算)。
集成运放在线性区工作时的分析方法(依据)(v p=v n, i p=i n =0,也称虚短和虚断)
)电压跟随器,构成、特点。
)求差电路。
构成。
输出表达式。
计算。
)求和电路。
构成。
输出表达式。
计算。
)积分电路和微分电路,构成。
输入方波时的波形表换。
第七章反馈放大电路
)什么是负反馈为什么要引入负反馈
)区分直流反馈和交流反馈。
)判别电路是否为负反馈。
(极性判别法)
)识别电路负反馈的组态。
(电压串联、电压并联、电流串联、电流并联)。
)负反馈电路的一般表达式。
(A/(1+AF)).
负反馈对于输入和输出电阻的影响。
电压反馈稳定输出电压,电流反馈稳定输出电流。
稳定输出电压等效于减小输出电阻。
)定性描述负反馈和带宽的关系。
第八章功率放大电路
)功率放大电路的技术要求(功率更大、效率更高、非线性失真小、器件散热)
)什么是甲类、乙类、甲乙类、丙类功放电路甲类功率放大器的最高效率(理论不超过50%,乙类功率放大器的效率达%)
)以乙类放大器为例,说明如何计算信号功率,电源功率,管耗、效率。
乙类放大器中,如果忽略功率管的饱和压降,能够输出的最大正弦信号功率为(Vcc)2/(2R L),当输出功率最大时,管耗并不是最大,原因在于三极管接近饱和,V CE小。
第九章信号处理和信号产生电路
)什么是滤波器滤波器的分类(LPF、HPF、BPF、BEF)。
什么是理想滤波器什么是有源滤波器什么是滤波器的传递函数。
什么是滤波器的截止频率
正弦波振荡电路的振荡条件。
(振幅条件和相位条件)桥式振荡器(文氏桥)和移相式的原理及结论。
振荡频率、反馈系数及增益要求。
相位条件。
变压器反馈式振荡器的极性判别,振荡频率。
)三点式LC振荡电路极性判别。
放大电路的组态。
)石英晶体振荡器的特点。
(频率稳定性高,Q值大。
在电路中起电感的作用)
)电压比较器的特点,电路判别。
门限电压的计算。
传输特性曲线。
画对应的输入输出波形。
)迟滞比较器的特点,门限电压的计算。
传输特性曲线。
画对应的输入输出波形。
第十章直流稳压电源
)什么是整流什么是滤波什么是稳压各部分的作用
)单相桥式整流电路的结构和工作原理。
)串联反馈式稳压电路特点。
)三端稳压器及应用。
开关稳压电路及DC-DC变换电路的特点。
能量转换效率高,元件体积小重量轻,电路较复杂。
纹波较大。