电子科技大学2014年《815电路分析基础》考研专业课真题试卷
电子科技大学【2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题】241专业课真题
电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：241法语（二外）注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、用括号中动词的正确形式填空。
（每空1分，共10分）1. Plusieurs éléments (rendre) ____________ maintenant la situation grave.2. Je vais vous inscrire. (donner) ____________ -moi votre passeport.3. Au début du 20e siècle, la télévision (être) ____________ en noir et blanc.4. Hier après-midi, je (dormir) ____________ pendant trois heures.5. Ne dépassez pas les limites de vitesse ou vous (avoir) ___________ une amende.6. Je voudrais simplement que la vous (savoir) ___________ la réalité.7. Si le voyage n’était pas si long, nous (aller) __________ plus souvent en Bretagne.8. Si tu (réviser) _______________ tes cours, tu aurais réussi ton examen.9. Il est furieux de (rater) __________________ son train.10. Il écoute France Inter à la radio (préparer) __________________ le repas.二、选择填空。
电子科技大学【2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题】692专业课真题
∑ 2.
已知
0
<
a
<
1
，那么幂级数
∞ n=0
1
a +
n
a
n
z
n
的收敛半径为
(
)
1
(A)
a (B) a
(C) 1
(D) 2a
∞
∞
∑ ∑ 3. 设正项级数 an 收敛，正项级数 bn 1
∞
∑ (A) anbn 必收敛 n =1
∞
∑ (B) anbn 必发散 n =1
∞
∑ (C)
2 i 1 T =−i 2 i
1 − i 2
(b) 根据 det(T ) = λ1λ2 Lλn ,Tr(T ) = λ1 + λ2 +L + λn ，求 T 的本征值；验证它们的和与积同
(a)中结果相同。写出T 的对角形式。 (c) 求T 的本征矢，并在简并区，构造两个线性无关的本征矢。使它们正交，并验证它们都和
第三个本征矢正交。（三个本征矢都需要归一化）
(d) 构造幺正矩阵 S ,使T 对角化，证明相似变换 S 使T 变换成适当的对角形式。
共5页 第5页
二．填空题（10 个空，每空 3 分，共 30 分）
∫ 11. 计算积分 zdz = ( C
),其中 C 为从原点到点 3 + 4i 的直线段。
∫ 12.
计算积分
z
=2
1 z2 −1
dz
=
(
)，（注：其中积分路径是绕原点为圆心，2 为半径的圆逆
时针方向）。
共5页 第3页
13. 在下列场中运动时动量 P 和角动量 M 的哪些分量守恒?
2012年电子科技大学815 电路分析基础,考研真题回忆
大家都实话实说啊，我之前是打算考浙大的，也是考电路分析，后来求稳改考成电815，历年试题写起来不低于145分，时间不超过一个小时。
今天，拿到815，刚看到试卷，我笑了，15题选择+6题大题。
写到好像第四题吧，求一个电压，题目少了一个数值，没印上。
后来写到后面，又出现一题没给w，无法算。
大题第一题，少给了一个R或者L或者C，算出来包含一个未知数。
后面有两题中规中矩的题目吧，其他几题计算很是复杂，需要很强的数学能力吧，对思维要求真高。
跟以前的815难度相比，像是竞赛的难度。
虽然哥凭借超强实力，全部写出来了，但是一点检查的时间都没有。
大家感觉怎样？？？。
电子科大考研微电子器件2014真题及答案
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电子科技大学 2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题·微电子器件 @Nitengliao，@我没逗你玩儿
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电子科技大学 2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题·微电子器件 @Nitengliao，@我没逗你玩儿
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电子科技大学 2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题·微电子器件 @Niten士学位研究生入学考试试题·微电子器件 @Nitengliao，@我没逗你玩儿
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电子科技大学 2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题·微电子器件 @Nitengliao，@我没逗你玩儿
电子科技大学2014年硕士研究生管理学原理真题_电子科技大学考研真题
电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：809管理学原理注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、名词解释（每小题3分，共15分）1．概念技能2．管理绿色化3．学习型组织4．平衡记分卡5．信度与效度二、判断题（每小题1分，共20分。
在正确说法后面写T，在不正确说法后面写F）1.管理学反映了管理过程的客观规律性，具有显著的科学性。
但是，管理过程中的诸多不确定因素使管理本身无法完全量化，因而它是一种不精确的科学。
2.效率与效果之间的差别可表述为：效果是使组织资源的利用成本达到最小化，而效率则是使组织活动实现预定的目标。
3.主张通过与管理者职能相联系的办法把有关管理知识汇集起来，力图把用于管理实践的概念、原则、理论和方法揉合在一起以形成管理学科的学派是管理过程学派。
4.按决策的作用（所处地位）可以把决策分为战略决策、管理决策和专业决策。
5.行为决策学派认为决策是一个选优过程，所以决策结果是基于已有资源背景下寻求利润或收益的尽可能大。
6.群体决策理论的三个前提是自主性、共存性、差异性。
7.组织变革的阻力是直接的、公开的、消极的，应予以杜绝。
8.“理解，执行；不理解，执行中理解”，这是在管理活动中具有分权化倾向的管理者的表述。
9.管理者能力越强，管理者的管理幅度越大；被管理者能力越强，管理者的管理幅度越小。
10.分工是社会化大生产的要求，所以分工越细，效率就越高。
11.参谋职权是指参谋人员或职能部门主管所拥有的原属于直线主管的那部分权力。
12.领导工作是组织结构中一种特殊的人与人的关系，其实质是影响。
《管理学原理》试题共4页，第1页13.费德勒模型认为，某一领导方式的有效性与他是否和其所处的环境相适应无关。
14.领导采用的领导方式应与下属的“成熟”程度一致。
15.马斯洛认为，任何人对各层次的需要满足都是相对的，如自我实现的需要只要满足40%就算相对满足了。
16.弗鲁姆的期望理论是建立在组织内的个体对自己行为有选择权的假设基础之上的。
电子科技大学【2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题】840专业课真题
x
k1
θ
z
o
θ
k2
(3) 若这两束自然光光强不相等，设 I1=2I2, 也考虑光束夹角对光矢量振动方向的影响，求干 涉条纹的可见度。（10 分）
3. 用白色平行光正入射到透射式夫琅禾费衍射光栅上，在 300 衍射角上方向上观测到 600nm 的第 2 级主极大，但在该方向上 400nm 的主极大缺级。若该光栅刚好能分辨第 2 级光谱中在 600nm 附近波长差为 0.005nm 的两条谱线。求(1) 光栅常数; (2) 光栅的总宽度; (3) 狭缝的可 能最小宽度。（10 分）
A. 光源的横向宽度限制双缝的最大距离。
B. 光源的谱宽限制观察屏上干涉条纹的横向范围。
C. 条纹可见度整体随光源谱宽增大而降低。
D. 在光源临界宽度范围内，条纹可见度整体随光源宽度增大而降低。
13. 迈克耳逊干涉仪中补偿板的作用是
。
A. 消除两光路的不对称性
B. 补偿两光路的光程差
C. 在使用白色光源时补偿分光板的色散
B. 当 k 沿光轴时，S 与 k 的方向一致。
C. 当 k 沿光轴时，D 的方向无限制。
D. 当 k 沿主轴时，S 与 k 的方向一致。
22. 为使光正入射到单轴晶体内能获得最大的离散角，光轴与通光面的夹角β应满足
。
A. tgβ = ne / no
B. tgβ = no / ne
( ) C. tgβ = ne2 − no2 2neno
D．散射
25. 关于色散，下列说法中不正确的是
。
A. 正常色散发生在介质的透明区。
B. 反常色散发生在介质固有频率附近。
C. 正常色散是折射率随波长增加而减小的色散。 D. 反常色散是色散率为负的色散。
2014电分期中试卷参考答案详解
电子科技大学二零 一叁 至二零 一肆 学年第 二 学期期 中 考试电路分析基础 课程考试题 A 卷（120分钟）考试形式：闭卷 考试日期 2014年4月26日课程成绩构成：平时+ 期中 40 分， 实验 分， 期末 60 分一、填空题（每题2分，共20分）1、已知在恒定直流电源激励下，2秒内有3库伦的正电荷从a 点移动到b 点，则ba i =－1.5Ａ。
解答：A dt dq i i dt dq i ab bab ab 5.123,-=-=-=-=∴=。
2、如图1所示，线性时不变电阻发出功率为 ui 。
解答：当二端网络的端口电压u 电流i 采用关联参考方向时有：ui p ui p -==发出吸收，； 当二端网络的端口电压u电流i 采用非关联参考方向时有：ui p ui p =-=发出吸收，； 图一的网络端口电压u 电流i 采用非关联参考方向，所以有：ui p =发出。
+-u图13、如图2所示，电压=u -1.5V由电阻的伏安关系和并联电阻的分流关系可得：V Au 5.1231-=⨯Ω-=。
+u图24、如图3所示，电流=i 85-A+5V图3利用叠加定理：A i 58)235(1323-=+-+⨯+-=。
5、如图4所示，理想变压器ab 端口等效电阻为21R n 解答：由图4标定的参考方向，结合理想变压器特性可得伏安关系：Ru i ni i u n u 2221211-=-==，，， 2222211)(11nRRn u n ni u n i u R ab =--=-==∴。
u a b1i 2i 1:n R图46、如图5所示，已知线性电阻单口网络0N ，端口接3V 电压源时，端口电流为1.5A ；当端口接3A 电流源和1Ω电阻并联电路时，端口电压为u 为 2V 。
解答：由题设条件可知N 0网络等效为2Ω电阻，所以VA u 2)2//1(3=ΩΩ⨯=。
Ω1图57、如图6所示，某电容元件两端的电压2(1)()V t u t e-+=，电流2()A t i t e -=，则C =212e 。
电子科技大学【2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题】832专业课真题
电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：832 微电子器件注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共48分，每空1.5分）1、PN结二极管用途广泛，在作为变容二极管使用时，主要利用其（）向偏置的（）电容；在作为温度传感器使用时，主要利用其正向导通压降会随温度的升高而（）。
2、一个P+N型的二极管，电子和空穴的寿命分别为τn和τp，在外加正向直流电压V1时电流为I1，当外加电压反向为－V2时，器件会经历一段反向恢复过程，这主要是由正向导通时存储在（）型中性区中的非平衡少子造成的，该非平衡少子的总量为（）。
3、防止PN结发生热击穿，最有效的措施是降低器件的（）。
同时，禁带宽带越（）的半导体材料，其热稳定性越好。
（第二个空填“大”或“小”）4、双极型晶体管的基区宽度调变效应越严重，其厄尔利电压越（），共发射极增量输出电阻越（）。
（填“大”或“小”）5、已知双极型晶体管的基区度越时间和基区少子寿命分别为τb和τB，则1/τB表示的物理意义为（），因此τb/τB可以表示（）。
6、MOSFET的亚阈区摆幅S反应了在亚阈区中（）的控制能力。
栅氧化层越厚，则S越（），该控制能力越（）。
（第二个空填“大”或“小”，第三个空填“强”或“弱”）7、当金属和P型半导体形成金-半接触时，如果金属的功函数大于半导体的功函数，半导体表面将形成（），该结构（）单向导电性。
（从以下选项中选择）A 电子阻挡层B 电子反阻挡层C空穴阻挡层 D 空穴反阻挡层E 具有F 不具有微电子器件试题共6页，第1页8、MOSFET的跨导是（）特性曲线的斜率，而漏源电导是（）特性曲线的斜率。
在模拟电路中，MOSFET一般工作在（）区，此时理想情况下漏源电导应为零，但实际上由于（）和（），漏源电导通常为正的有限值。
9、短沟道MOSFET中采用偏置栅结构或漏端轻掺杂结构，是为了降低漏端附近的电场强度，从而抑制（）效应，防止器件电学特性退化。
电子科技大学2014年《840物理光学》考研专业课真题试卷
i k ( x sin θ + y cosθ ) +ϕ0
− k ( x sin θ + y cosθ ) −ϕ0 % ( r ) = E ei E 0
k ( x cosθ + y sin θ ) −ϕ0 % ( r ) = E ei D. E 0
7. 偏振度的计算式 P = A. 椭圆偏振光
I M − Im 可适用于 IM + I m
。 B. 所有的部分偏振光 D. 圆偏振光与自然光组合的部分偏振光
C. 线偏振光与自然光组合的部分偏振光
共5页
第1页
8. 群速度的概念适用于 A. 复色光，无色散介质。 C. 准单色光、弱色散介质。
。 B. 单色光、色散介质。 D. 准单色光、强色散介质。 。
电子科技大学 2014 年攻读硕士学位研究生入学考试试题 考试科目：840 物理光学
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、 选择题（每小题 2 分、共 50 分） 1. 由电磁场的边界条件不能确定透射波的 A. 传播方向 C. 偏振状态 B. 电矢量振幅 D. 色散 。 B. 入射光的偏振状态 D. 界面两侧介质中的光速 。 。
n1n3 , n2 h = λ 4
共5页
第2页
15. 对于单层光学薄膜，增透膜和增反膜的光学厚度 A. 分别为 λ 2 和 λ 4 C．都等于 λ 4 B. 分别为 λ 4 和 λ 2 D．都等于 λ 2
。
16. 双光束等倾干涉图样与多光束等倾干涉图样的主要区别在于 A. 光强的极值条件不同 C. 条纹的形状不同 A. 相干孔径角 C. 横向相干长度 A. 光波的波长 C. 光波长与障碍物尺度的相对比值 19. 成像光学仪器在像平面的图样是 A. 菲涅耳衍射 C. 既不是菲涅耳衍射，也不是夫琅和费衍射。 20. 关于单轴晶体，不正确说法是 A. o 光的折射率是 no, e 光的折射率是 ne。 。 C. 当 k 沿光轴时， D 的方向无限制。 21. 关于双轴晶体，不正确的说法是 A. 不存在寻常光。 C. 当 k 沿光轴时，D 的方向无限制。 。 B. 条纹的细锐度不同 D. 条纹的干涉级次分布规律不同 。 B. 相干面积 D. 纵向相干长度 。 B. 障碍物的尺度 D. 光波的强反射光干涉和透射光干涉都不使用 。
电子科技大学2014年《809管理学原理》考研专业课真题试卷
电子科技大学2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：809管理学原理注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、名词解释（每小题3分，共15分）1．概念技能2．管理绿色化3．学习型组织4．平衡记分卡5．信度与效度二、判断题（每小题1分，共20分。
在正确说法后面写T，在不正确说法后面写F）1.管理学反映了管理过程的客观规律性，具有显著的科学性。
但是，管理过程中的诸多不确定因素使管理本身无法完全量化，因而它是一种不精确的科学。
2.效率与效果之间的差别可表述为：效果是使组织资源的利用成本达到最小化，而效率则是使组织活动实现预定的目标。
3.主张通过与管理者职能相联系的办法把有关管理知识汇集起来，力图把用于管理实践的概念、原则、理论和方法揉合在一起以形成管理学科的学派是管理过程学派。
4.按决策的作用（所处地位）可以把决策分为战略决策、管理决策和专业决策。
5.行为决策学派认为决策是一个选优过程，所以决策结果是基于已有资源背景下寻求利润或收益的尽可能大。
6.群体决策理论的三个前提是自主性、共存性、差异性。
7.组织变革的阻力是直接的、公开的、消极的，应予以杜绝。
8.“理解，执行；不理解，执行中理解”，这是在管理活动中具有分权化倾向的管理者的表述。
9.管理者能力越强，管理者的管理幅度越大；被管理者能力越强，管理者的管理幅度越小。
10.分工是社会化大生产的要求，所以分工越细，效率就越高。
11.参谋职权是指参谋人员或职能部门主管所拥有的原属于直线主管的那部分权力。
12.领导工作是组织结构中一种特殊的人与人的关系，其实质是影响。
《管理学原理》试题共4页，第1页。
电子科技大学2016年《814电力电子技术》考研专业课真题试卷
电子科技大学2016年《814电力电子技术》考研专业课真题试卷电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：814 电力电子技术注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、单项选择题(每小题2分，共30分。
从每小题的四个备选答案，选出一个正确答案，并将正确答案的号码写在答题纸上。
)1、三相电压型逆变采用°导通方式。
需进行“先下后上”的纵向换流方式。
A. 120B. 90C. 180D. 602、电压型逆变器中间直流环节贮能与缓冲元件是。
A.蓄电池B.电感C. 电容D.电动机3、压敏电阻在晶闸管整流电路中主要是用来。
A. 分流B. 降压C. 过电压保护D. 过电流保护4、逆导晶闸管是将大功率二极管与B器件集成在一个管芯上而成。
A.大功率三极管B.逆阻型晶闸管C.双向晶闸管D.可关断晶闸管5、单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ= 。
A.π-αB.π+αC.π-δ-αD.π+δ-α6、在一般可逆电路中，最小逆变角βmin选在下面那一种范围合理。
A. 0oB.10o-15oC.0o-10oD.30o-35o7、对于三相半波可控整流电路，换相重叠角γ与哪几个参数有关。
A .α和U2 B. α以及负载电流I dC . α、负载电流I d以及变压器漏抗X B D. α、U2以及变压器漏抗X B8、若想减小SPWM逆变器的输出电压基波频率，可采用的控制方法是。
A.增大三角波幅度B.减小三角波频率C.减小正弦调制波频率D.增大正弦调制波幅度9、采用多重化电压源型逆变器的目的，主要是为。
A.减小输出谐波B.增大输出幅值C. 减小输出幅值D.减小输出功率10、晶闸管可控整流电路中直流端的直流电动机应该属于负载。
A. 电阻性B. 阻感反C. 反电动势D. 电感性电力电子技术试题第 1 页共4 页。
北京科技大学815数字电子2014到2003十二套考研真题
5
北京科技大学 2013 年硕士学位研究生入学考试试题
试题编号： 815
试题名称：
数字电子
（共 4 页）
适用专业：
电子科学与技术、电子与通信工程（专业学位）
说明： 所有答案必须写在答题纸上，做在试题或草稿纸上无效。
考试用具：计算器、直尺
======================================================================== =====================================
SR PE
CEP CET CLK >C
D0 D1 D2 D3
CTR DIV 16
TC
74LS163 TC=15
Q0 Q1 Q2 Q3
SR PE
D0
输 D1 入
数 据
D2
D3
CLK CEP CET
Q0 Q1
输 出
Q2 Q3
TC
12 13 14 15 0 1 2
清零 置数
计数
禁止
74LS163 的时序图
Q0 D >C
CP
Q1 D >C
&D
Q2
>C
&F
六、（15 分）用 JK 触发器设计一个二进制的计数器，使它的状态序列值为 001 -> 010 -> 101 ->111 。
3
七、（20 分）分析电路的逻辑功能，设初始状态 Q3Q2Q1Q0 为 0000。 1、列出驱动方程； 2、列出状态方程； 3、画出状态转换图； 4、分析逻辑功能； 5、判断该电路是否具有自启动功能。
& J
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电子科技大学
2014年攻读硕士学位研究生入学考试试题
考试科目：815 电路分析基础
注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题 （每空1分，共15分）
1.下图所示电路中电流I 为（ ）。
2. 将C = 20 µF 的电容元件接至U = 220 V 、f = 50 Hz 的正弦电源。
则电容电抗为（ ）电容电流有效值为（ ），电容储能的最大值为（ ）。
3．已知某电阻电路中可列写独立的KCL 方程个数是3个，独立的KVL 方程个数是4个，则该电路中节点数是（ ）个；网孔数是（ ）个。
4．理想变压器的基本特性有 （ ） 、（ ） 、 （ ）。
5. 一阶电路的全响应是零输入响应与 （ ）叠加。
6. 在右图中，已知I 1＝3A, I 2＝1A 。
电路元件3中的电压U 3为 （ ）V 。
7. 右图所示稳态电路，电感中储能W L 等于（ ）J 。
8. 右图所示电路中，电压u ad 等于（ ）V 。
6V
6+–
8H
31Ω
+–
4V
4Ω。