《模拟电子技术基础》期中测试题

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模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。

A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。

A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

模拟电子技术期中考试卷

模拟电子技术期中考试卷
1.（10分）两级阻容耦合放大电路如图所示，已知T 1的g m =1ms ，r ds =200k Ω， T 2的β=50，r be =1k Ω，⑴画出该放大电路的微变等效电路；
⑵求放大电路的电压放大倍数i O U U A .
../ ；
⑶求放大电路的输入电阻R i 和输出电阻R o ;
2. （10分）已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降│U CES │＝3V ，V CC ＝15V ， R L ＝8Ω。

选择正确答案填入空内。

（1）电路中D1和D2管的作用是消除。

A ．饱和失真
B ．截止失真
C ．交越失真
（2）静态时，晶体管发射极电位U EQ 。

A ．＞0V
B ．＝0V
C ．＜0V
（3）最大输出功率P OM 。

A ．≈28W
B ．＝18W
C ．＝9W
（4）当输入为正弦波时，若R 1虚焊，即开路，则输出电压。

A ．为正弦波
B ．仅有正半波
C ．仅有负半波
（5）若D1虚焊，则T1管。

A ．可能因功耗过大烧坏
B ．始终饱和
C ．始终截止
U
o
CC。

模拟电子技术期中考试题

模拟电子技术期中考试题1.填空题：（每空2分，任意选择选作，最多可得50分）（1）三种双极型管的基本组态放大电路中，输入电阻最大的是共集电放大电路；输入电阻最小的是共基放大电路；输出电压与输入电压反相的是共射放大电路；电压放大倍数最大的是共射和共基放大电路；电压放大倍数最小的是共集电放大电路；输出电阻最小的是共集电放大电路；电流放大倍数最大的是共集电放大电路；既有电流放大又有电压放大的是共射放大电路。

（2）天然的硅和锗经过高度提纯后形成具有共价键（或晶格对称）结构的本征半导体；在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素，可形成P型半导体，其多子是空穴，少子是自由电子，不能移动的离子带负电；掺入微量的五价杂质元素，可获得N型半导体，其多子是自由电子，少子是空穴，不能移动的离子带正电。

（3）二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个区。

双极型三极管的输出特性曲线上可分为放大区、饱和区和截止区三个区。

（4）双极型管主要是通过改变基极小电流来改变集电极大电流的，所以是一个电流控制型器件；场效应管主要是通过改变栅源间电压来改变漏极电流的，所以是一个电压控制型器件。

（5）组成放大电路的基本原则是：外加电源的极性应使三极管的发射结正偏、集电结反偏。

（6）放大电路的基本分析法有静态分析法和动态分析法；其中动态分析法的微变等效电路法只能用于分析小信号放大电路；确定放大电路的静态工作点可采用估算法和图解法。

（7）多级放大电路的耦合方式通常有阻容耦合、直接耦合和变压器耦合三种方式；集成电路中一般采用直接耦合方式。

（8）放大电路中出现的饱和失真和截止失真称为非线性失真；频率失真称为线性失真。

2.简答题：（每小题10分，也可任意选作）（1）双踪示波器在电子仪器中的功能是什么？说说信号为1kHz时，周期档位如何选择？答：双踪示波器在电子仪器中可以用来准确显示任意波形、任意频率和一定幅度的电信号轨迹。

《模拟电子技术基础》期中测试题

《模拟电子技术基础》期中测试题一、填空题:(40分1.在本征半导体中加入三价元素可形成 p 型半导体,加入五价元素可形成 n 型半导体。

2.当PN 结外加正向电压时,扩散电流大于漂移电流,耗尽层变 zai ;当PN 结外加反向电压时,扩散电流小于漂移电流,耗尽层变宽。

3.二极管最主要的特性是单向导电。

在常温下,硅二极管的开启电压约 0.5 V ,导通后在较大电流下的正向压降约0.7 V ;锗二极管的开启电压约 0.1 V ,导通后在较大电流下的正向压降约0.2 V 。

4.为保证三极管处于放大状态,其发射结必须加正向偏置电压,集电结必须加反向偏置电压。

5.场效应管是一种亚控器件,它利用善缘电压控制漏极电流i D 。

6.NPN 型三极管共射放大电路的输出波形有底部失真,它属于饱和失真,消除该失真要增大 Rb 的阻值。

7.某三极管的极限参数P CM =150mW,I CM =100mA,U (BRCEO =30V,若它的工作电压U CE =10V,则工作电流I C 不得超过 mA ;若工作电压U CE =1V ,则工作电流不得超过 mA ;若工作电流I C =1mA,则工作电压不得超过 V 。

8.图1.8(a和(b是两个放大管的不完整的符号,根据图中所给数据和电流方向,判断它们的导电类型分别为型和型,用半导体材料和制成,电流放大系数β分别为和。

图1.8图1.99.根据图 1.9中各三极管的电位,判断它们所处的状态分别为饱和、放大、截止。

10.三极管处于放大状态时,是工作在其特性曲线的放大区;场效应管工作在放大状态时,是工作在其特性曲线的恒流区。

11.集成运放的内部电路是一种耦合的多级放大电路,它的放大倍数非常高,但是各级静态工作点Q是相互的。

12.互补对称输出电路容易产生交越失真,主要因为两个对称三极管特性有电压,在回路加偏置电压可消除该失真。

13.阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,能够放大高频信号。

《模拟电子技术(第2版)》试题库模电期中试卷

《模拟电路》课程期中试卷班级姓名学号成绩一、选择题（将一个正确选项前的字母填在括号内）（每小题2分、共30分）1. 在实际工作中调整放大器的静态工作点一般是通过改变( )A.发射极电阻B. 基极电阻C. 集电极电阻D.三极管的值2.在三极管的基本组态电路中 ( )A.共发组态输出电阻最小B.共发组态输入电阻最小C.共基组态输出电阻最小D.共集组态输入电阻最大3. 若要稳定输出电流同时提高输入电阻，可加入下列负反馈()A.电流串联B.电压串联C.电流并联D.电压并联4. 为了稳定静态工作点，电路中应该引入()A.交流负反馈B.直流负反馈C.直流正反馈D.交流正反馈5. 差分放大器是一种直接耦合放大器，它( )A.只能放大直流信号B.只能放大交流信号C.不能放大交流信号D.可以抑制共模信号6. 直接耦合放大电路零点漂移产生的主要原因是( )A.输入信号较大B.环境温度C.各元件质量D.电压放大倍数7. 如图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“TIME/DIV”的指示值是2μs，则所测正弦波的频率为（）A．500kHz B．250kHz C．125kHz D．100kHz8. 如上图所示为示波器测量正弦波波形参数的画面，若“mV/DIV”的指示值是50，则所测正弦波的最大值为（）A.230 mV B．80 mV C．115 mV D．100 mV9. 用万用表欧姆档辨别发光二极管的阴、阳极时，应该把欧姆档拨到（）A．R×100或R×1k档B．R×1档C．R×10档D．R×10k档10. 若反馈信号与输出电压信号成比例，则引入的反馈是( )A.电流负反馈B.电压负反馈C.并联负反馈D.串联负反馈11. 在深度负反馈下闭环放大倍数比较稳定的原因是( )A.改善了非线性失真B.输入电阻增大C.输出电阻减小D.反馈网络的稳定特性12. 集成运放为了克服温漂问题，输入级大多采用的电路为( )A.共射电路B.差分放大电路C. 共集电路D. 共基电路13. 要从函数信号发生器上输出峰峰值为50mV的信号，正确的衰减设置( )A.全部弹出B.仅20dB按钮按下C.仅40dB按钮按下D.全部按下14. 电压跟随器在电路中可能起的作用有( )A.放大电压信号B.放大电流信号C.减小电路的输入电阻D.缓冲数据15. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是,后者的运放通常工作在（）A．深度负反馈状态 B. 放大状态 C. 开环或正反馈状态 D.线性工作状态二、填空题（每小题2分，共12分）1. PNP型三极管工作在放大状态，三点的电位关系为。

模拟电子技术期中考试题1[1页]

模拟电子技术期中考试题1.填空题：（每空2分，任意选择选作，最多可得50分）（1）三种双极型管的基本组态放大电路中，输入电阻最大的是放大电路；输入电阻最小的是放大电路；输出电压与输入电压反相的是放大电路；电压放大倍数最大的是和放大电路；电压放大倍数最小的是放大电路；输出电阻最小的是放大电路；电流放大倍数最大的是放大电路；既有电流放大又有电压放大的是放大电路。

（2）天然的硅和锗经过高度提纯后形成具有结构的本征半导体；在本征半导体中掺入微量的三价杂质元素，可形成型半导体，其多子是，少子是，不能移动的离子带电；掺入微量的五价杂质元素，可获得型半导体，其多子是，少子是，不能移动的离子带电。

（3）二极管的伏安特性曲线上可分为区、区、区和区四个区。

双极型三极管的输出特性曲线上可分为区、区和区三个区。

（4）双极型管主要是通过改变极小电流来改变极大电流的，所以是一个控制型器件；场效应管主要是通过改变间电压来改变电流的，所以是一个控制型器件。

（5）组成放大电路的基本原则是：外加电源的极性应使三极管的发射结偏、集电结偏。

（6）放大电路的基本分析法有分析法和分析法；其中分析法的微变等效电路法只能用于分析信号放大电路；确定放大电路的静态工作点可采用法和法。

（7）多级放大电路的耦合方式通常有耦合、耦合和耦合三种方式；集成电路中一般采用耦合方式。

（8）放大电路中出现的饱和失真和截止失真称为失真；频率失真称为失真。

2.简答题：（每小题10分，也可任意选作）（1）双踪示波器在电子仪器中的功能是什么？说说信号为1kHz 时，周期档位如何选择？（2）函数信号发生器在电子线路的测量中能做什么？（3）电子线路的测量中，为什么要使用电子毫伏表而不用普通电压表测量电压？电子毫伏表的读数是所测电压的有效值还是最大值？还是峰-峰值？3.计算题：（可任选一题，其中第1题作对可得40分，第2题作对可得60分）（1）图示分压式偏置放大电路中，已知R C ＝3k Ω，R B1＝80k Ω，R B2＝20k Ω，R E ＝1k Ω，β=80，①画出直流通道，进行静态分析（设U BE =0.7V ）；②画出微变等效电路，进行动态分析（设r bb’=300Ω）。

模拟电子技术期中试卷.pptx

10、判断下面三级管的工作状态（
C．-4V ）
三、判断题（每题 1 分，共 10 分）
1、晶体二极管击穿后立即烧毁。（）
2、用万用表测二极管正向电阻，插在万用表标“+”号插孔的测试棒（通常是红色棒）
所连接的二极管的管脚是二极管正极，另一为负极。（）
3、晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体（P 型或 N 型）构成的，所以极 e 和 c 极可以互换使用。（）
4、三极管处于截止状态时，发射结正偏（）
5、晶体三极管具有能量放大功能。（）
6、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。（）
7 、二极管两端加上 0.7V 的电压就能导通。（）8 、无论是 NPN 还是 PNP 三极管处于放大状态时都要求 Vc>Vb>Ve 。（）
A．一定导通 B．超过死区电压才能导通 C．超过 0.7 伏才导通 D．超过 0.3 伏才导通 2.下列元器件中，（）可将电信号转化成光信号。 A．二极管 B．三极管 C．发光二极管 D．光电二极管 3.处于饱和状态时，三极管的发射结和集电结分别处于（） A. 发射结和集电结都处于正偏 B. 发射结处于正偏，集电结处于反偏 C. 发射结处于反偏，集电结处于正偏 4.对直流通路而言，放大电路中的电容应视为。 A、直流电源 B、开路 C、短路 5、测得放大电路中三极管的各极电位如图，则该三极管为（）
Rb1 Rc
C2 C2
+ +
++
V
C1
+
V
RL
Re
+ Ce
_
（a）
Rb2
Re
Ce
_

模拟电子技术基础模拟综合试卷十套(附答案)

模拟综合试卷一一．填充题1．集成运算放大器反相输入端可视为虚地的条件是a ，b 。

2．通用运算放大器的输入级一般均采用察动放大器，其目的是a ,b 。

3．在晶体三极管参数相同，工作点电流相同条件下，共基极放大电路的输入电阻比共射放大电路的输入电阻。

4．一个NPN晶体三极管单级放大器，在测试时出现顶部失真，这是失真。

5．工作于甲类的放大器是指导通角等于，乙类放大电路的导通角等于，工作于甲乙类时，导通角为。

6．甲类功率输出级电路的缺点是，乙类功率输出级的缺点是故一般功率输出级应工作于状态。

7．若双端输入，双端输出理想差动放大电路，两个输入电压ui1=ui2,则输出电压为 V；若ui1=1500µV, ui2=500µV，则差模输入电压uid为µV，共模输入信号uic为µV。

8．由集成运放构成的反相比例放大电路的输入电阻较同相比例放大电路的输入电阻较。

9．晶体三极管放大器的电压放大倍数在频率升高时下降，主要是因为的影响。

10．在共射、共集、共基三种组态的放大电路中，组态电流增益最；组态电压增益最小；组态功率增益最高；组态输出端长上承受最高反向电压。

频带最宽的是组态。

二．选择题1．晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO,uBE的变化情况为（）。

A．β增加，ICBO,和 uBE减小 B. β和ICBO增加，uBE减小C．β和uBE 减小，ICBO增加 D. β、ICBO和uBE都增加2．反映场效应管放大能力的一个重要参数是（）A. 输入电阻B. 输出电阻C. 击穿电压D. 跨导3．双端输出的差分放大电路主要（）来抑制零点飘移。

A. 通过增加一级放大B. 利用两个C. 利用参数对称的对管子D. 利用电路的对称性4．典型的差分放大电路由双端输出变为单端输出，共模电压放大倍数（）。

A. 变大B. 变小C. 不变D. 无法判断5．差分放大电路的共模抑制比KCMR越大，表明电路（）A. 放大倍数越稳定B. 交流放大倍数越大C. 直流放大倍数越大D. 抑制零漂的能力越强6．负反馈放大电路以降低电路的（）来提高嗲路的其他性能指标。

学业水平考试《电子技术基础》模拟试卷3(附答案)

学业水平考试《电子技术基础》模拟试卷3（测试时间90分钟，满分150分）一、单项选择题（本大题共20小题，每小题3分，共60分。

在每小题列出的四个选项中只有一个符合题目要求）1.稳压管的稳压区是其工作在（）A.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.无法确定2.三极管的发射结正偏、集电结反偏时，则三极管所处的状态是（）A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.开关状态3.集成电路有一个特点是集成电路由于工艺制造商的原因，对制造电感器和容量大的电容器有困难，所以大都采用（）A.阻容耦合B.变压器耦合C.直接耦合D.三种耦合都存在4.OCL功率放大器又称为（）互补对称电路A.有输出电容B.无输出电容C.有输出变压器D.无输出变压器5.三端集成稳压电路输出正电压连续可调的是（）A.78××系列B.79××系列C.LM337D.LM3176.4位二进制数可用（）位十六进制数来表示A.1B.2C.3D.47.集成优先编码器，例如74LS147（10线-4线编码器），它有（）A.4个输入端，16个输出端B.16个输入端，4个输出端C.4个输入端，10个输出端D.10个输入端，4个输出端8.仅具有保持和翻转功能的触发器是（）A.JK触发器B.RS触发器C.D触发器D.T触发器9.同步计数器的特点是（）A.计数速度快，工作频率高B.计数速度慢，工作频率高C.计数速度快，工作频率低D.计数速度慢，工作频率低10.在半导体中加入（）元素可形成N型半导体A.五价B.四价C.三价D.二价11.反相输入比例运放电路图为下图中的（）12.OTL 功率放大电路的理想最大效率为（） A.50%B.60%C.78%D.100%13.三端式稳压器W7812构成的单电源电压输出串联型稳压电源。

其输出电压为（） A.12VB.-12VC.8VD.-8V14.8线-3线优先编码器的输入为I3和I5，当优先级别最高的I7有效时，其输出012Y Y Y ⋅⋅的值是（）A.111B.010C.000D.10115.主要用于暂保存信息的是（） A.显示器B.编码器C.译码器D.寄存器16.国产二极管标有2CZ54D ，此二极管为（） A.N 型锗材料B.P 型锗材料C.N 型硅材料D.P 型硅材料17.逻辑等式A+A B=（） A.A+BB. A BC. A +BD.A+B18.下列关于发光二极管说法正确的是（）. A.将光信号转换为光信号 B.将光信号转换为电信号 C.将电信号转换为电信号D.将电信号转换为光信号19.集成运放的理想化条件是（）（注：A od 为开环增益，r id 为输入阻抗，r od 为输出阻抗，K CM 为共模抑制比）A. A od 趋于无穷大，r id 趋于无穷大，r od 趋于零，K CM 趋于无穷大B. A od 趋于零，r id 趋于零，r od 趋于无穷大，K CM 趋于零C. A od 趋于无穷大，r id 趋于零，r od 趋于无穷大，K CM 趋于无穷大D.以上答案都不正确20.下列不属于时序逻辑电路的是（） A.计数器B.触发器C.寄存器D.编码器二、判断题（本大题共15小题，每小题2分，共30分。

模拟电子技术期中测验题及答案

模拟电子技术期中测验题及答案————————————————————————————————作者：————————————————————————————————日期：2013－2014学年第(2)学期期中考试答案课程代码 0471003/3122200 课程名称模拟电子技术A/模拟电子技术教师签字一、选择及填空题:（共52分，每空2分）1．在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA 、－0.03mA 、1.23mA 。

由此可判断电极①是 C ，电极②是__B __，电极③是_A ___（A ．发射极， B ．基极， C ．集电极）；该晶体管的类型是_ A ___（A ．PNP 型， B ．NPN 型）；该晶体管的共射电流放大系数约为_ A ___（A ．40 ，B ．100，C ．400）。

2．写出图示各电路的输出电压值（设二极管导通电压V U D 7.0=），=1O U 1.3V ，=2O U 0v 。

3.已知下面图（a ）所示电路的幅频响应特性如图（b ）所示。

影响f L 大小的因素是 C ，影响f H 大小的因素是 A 。

（A ．晶体管极间电容，B ．晶体管的非线性特性，C ．耦合电容）ff Hf LOC R b R c+V CCu i( a )( b ).A u20lg u o当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 B （A. 0.5 B. 0.7 C.0.9）倍。

当f ＝ f L 时，o U 与iU 相位关系是 C （A. 45˚ B. -90˚ C. －135˚）。

题号一（52分）二.1 （18分）二.2 （14分）二.3（16分）总成绩得分班级学号姓名密封装订线密封装订线R b +V CCC 2R LC 1u i u o 120236u CE V60μA 40μA50μA 30μA 51448=10μA I B 20μA 2610VTR c Qi C mA4．有一放大电路对一电压信号进行放大，当输出端开路时输出电压是5V ；接入2k Ω负载后，输出电压降为 4V ，这说明放大电路的输出电阻为 0.5K Ω 。

模电期中考试题库及答案

模电期中考试题库及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，三极管工作在放大区的条件是（）。

A. 基极电流大于集电极电流B. 发射结正向偏置，集电结反向偏置C. 发射结反向偏置，集电结正向偏置D. 发射结和集电结都正向偏置答案：B2. 理想运算放大器的输入电阻是（）。

A. 0ΩB. ∞ΩC. 1ΩD. 1kΩ答案：B3. 共发射极放大电路中，若基极电流增大，则集电极电流将（）。

A. 增大B. 减小C. 不变D. 无法确定答案：A4. 在多级放大电路中，耦合方式为（）可以避免零点漂移。

A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案：A5. 差分放大电路中，若输入信号为共模信号，则输出电压将（）。

A. 增大B. 减小C. 基本不变D. 无法确定答案：C6. 场效应管的控制量是（）。

A. 漏极电流B. 漏极电压C. 栅源电压D. 漏极电流和漏极电压答案：C7. 正弦波振荡电路中，若要产生正弦波，则相位移动网络的相位移动量应为（）。

A. 90°B. 180°C. 270°D. 360°答案：A8. 理想二极管的正向导通电压为（）。

A. 0VB. 0.7VC. 0.3VD. 1V答案：A9. 电源滤波电路中，若要提高滤波效果，可以（）。

A. 增大电感B. 增大电容C. 增大电阻D. 减小电感答案：B10. 负反馈放大电路中，反馈信号与输入信号相位（）。

A. 相同B. 相反C. 无法确定D. 有时相同有时相反答案：B二、填空题（每题2分，共20分）1. 三极管的三个极分别是发射极、集电极和______。

答案：基极2. 运算放大器的差模输入电压是两个输入端电压的______。

答案：差值3. 共基极放大电路的电流增益为______。

答案：14. 差分放大电路的差模输入电压是两个输入端电压的______。

答案：差值5. 场效应管的漏极电流与栅源电压之间的关系是______。

《模拟电子技术基础》试卷C

《模拟电子技术基础》试题C卷一、填空题1、在电路中，如果流过二极管的正向电流过大，二极管将会（发热）甚至（烧坏），如果加在二极管两端的反向电压过高，二极管将会（击穿）。

2、二极管的主要特性是（单向导电性）。

3、晶体管的输出特性主要分为3个区域，即（放大区）、（截止区）、（饱和区）。

晶体管用作放大器时工作在（放大）区。

4、晶体管有两个PN结，（集电结）和（发射结）；3个区是（基区）、（发射区）和（集电区）。

5、某晶体管的管压降U CE不变，基极电流为20uA时，集电极电流等于2mA；这时这只晶体管的β=（100）。

若基极电流增加到25uA，集电极电流为（2.5 mA）。

6、使晶体管工作于放大状态的外部条件是发射结（正向偏置），集电结（反向偏置）。

7、发光二极管是一种特殊二极管，它是电流控制器件，当电流达到（10～20）毫安时即发光，管压降约为（1.5～3）伏。

8、光电二极管也称光敏二极管，它能将（光）信号转换为（电流）信号，它有一个特殊的PN结，工作于（反向偏置）状态。

9、晶体管具有（电流放大）能力。

10、某晶体管的管压降U CE不变，基极电流为30 uA时，集电极电流等于3 mA；这时这只晶体管的β=（100）。

若基极电流增加到40uA，集电极电流为（4 mA）。

11、PNP型晶体管处在放大状态时，三个电极以（发射极）电位高，（集电极）电位最低。

12、某放大电路中，晶体管三个电极电流如图所示，已测出I1=1.5 mA，I2=-0.03 mA，I3= 1.53mA，由此可知：（2）此晶体管电流放大系数β为（50）；（3）此晶体管类型是（PNP）型。

第二章1、晶体管放大电路没有输入信号的工作状态称为（静态），此时晶体管的工作状态在输入、输出特性曲线上对应的点称（静态工作点），该点的值用（I BQ）、（U BEQ）、（I CQ）和（U CEQ）来表示。

2、晶体管放大电路有输入信号时的工作状态称为（动态），此时放大电路在（直流）和（交流）电压共同作用下工作，电路中的电流和电压既有（直流）成分又有（交流）成分。

模拟电子技术基础试卷期中答案

R o = 2 kΩ
（b） Au = − ： ɺ
(1 + β) Re ≈ 0.99 （或 ≈ 1 ） rbe + (1 + β)Re
Ro = Re //
rbe ≈ 19Ω 1+β
ɺ 2．： U o = Au U i （a）
RL ≈ 146mV Ro + RL RL ≈ 294mV Ro + RL
ɺ （b） U o = Au U i ：
RL ≈ 7.56V Rc + RL
′ Rc = Rc // RL ≈ 1.89kΩ
′ U CEQ =V ′ CC− I CQ Rc ≈ 4.9V
2．
R b1 . Ui . Ib . . Uo
R b2
r be
β Ib
Rc
RL
3． rbe = rbb′ + (1 + β)
UT ≈1.9k Ω I EQ
3 3
0 3
截止导通
导通导通
0.3 3.3
四、非客观题(5 小题,共 49.0 分) (10 分)[15 1.5 2.5 3.5 t ms
(12 分)[2][答案] 1．： Au = − （a） ɺ
βRc ≈ −0.97 （或 ≈ −1 ） rbe + (1 + β)Re
====================答案==================== 答案部分，(卷面共有 20 题,100.0 分,各大题标有题量和总分) 一、选择题(8 小题,共 30.0 分) (1 分)[1][答案] C|A (2 分)[2][答案] A|C (6 分)[3][答案] A|A|C|D|B (2 分)[4][答案] C (8 分)[5][答案] B|C (2 分)[6][答案] B|A (6 分)[7][答案] C|A|C|B|D (3 分)[8][答案] A|A|B 二、是非(5 小题,共 14.0 分) (2 分)[1][答案] 错 (1 分)[2][答案] 对|错 (2 分)[3][答案] 错 (3 分)[4][答案] 对|对对|错 (6 分)[5][答案] 错|对|对|错三、填空题 (2 小题,共 7.0 分) (2 分)[1][答案] 3.5V (5 分)[2][答案] U1 / V 0 0 U2 / V 0 3 VD1 导通导通 VD2 导通截止 U O/ V 0.3 0.3

秋季期《电子技术基础》期中考试试卷

秋季期《电子技术基础》期中考试试卷班学号：姓名：1.为了正确选用电阻器，必须了解电阻器的（）A.技术参数B.大小C.颜色D.长短2.电阻的单位（）A.ΩB.FC.HD.V3.电阻器的额定功率是指电阻器在一定气压和温度下长期连续工作所允许承受的（）A.最小功率B.最大功率C.被烧毁功率D.延长寿命功率4.用文字符号表示电阻器的阻值与误差，文字符号有R（Ω）、K、M、G、T，其中R表示（）A.（100）欧姆B.千欧（103）C.吉欧（109）D.兆欧（106）5.电阻器的颜色为棕色，它的倍系数是（）A.101B.102C.103D.1046.电阻色环颜色误差为±1％的是（）A.红B.棕C.金D.银7.测20Ω的电阻器时，应选用（）A. R×1挡B. R×10挡C.R×100挡D. R×10K挡8.电阻器阻值在1KΩ到100KΩ之间，标注单位为（）A. KB. M C . KM D. MΩ9.102表示标称容量为（）A. 102PB. 100PC.1000PD.120P10.6K8表示电阻器的阻值为（）A．6800Ω B. 680Ω C. 68Ω D. 68000Ω11.电路的组成不包括（）A.电源B.负载C.导线D.电动机12.电路中的主要物理量不包括( )A.电流B.电动机C.电位与电压D.电动势二、填空题（每空3分，共30分）1.常用的电工电子测量仪表主要有：、、、兆欧表、钳形电流表、功率表、电度表。

2.导体电阻的阻值不仅与导体自身的材料有关，而且与导体的长度成，与导体的横截面积成。

3.欧姆定律说明，流经负载的电流I与加在电路两端的电压成，与电路的电阻R成，用公式可表示为I= 。

4.电路的工作状态有三种，即开路、和。

三、判断题（把正确答案填在答题卡内.正确的打上√ , 错误的打上×，共15分）1.通路是指电路在正常工作情况下，电能从电源的一端流出，经负载后回到电源的另一端，构成闭合回路的状态。

电子技术基础期中测试选择题客观题期末试卷试题和答案

电子技术基础期中测试您的姓名： [填空题] *_________________________________班级 [填空题] *_________________________________1. PN结正向偏置是指（）。

[单选题] *A.P区接电源的负极，N区接电源的正极B.P区接电源的正极，N区接电源的负极(正确答案)C.P区和N区均接电源的正极D.P区和N区均接电源的负极2. 三极管放大的实质，实际上就是（）。

[单选题] *A.将小能量换成大能量B.将低电压放大成高电压C.用较小的电流控制较大的电流(正确答案)D.将高电压转换成低电压3. 三极管是一种（）半导体器件。

[单选题] *A.电压控制的B.电流控制的(正确答案)C.既是电压又是电流控制的D.功率控制的4. 影响放大器工作点稳定的主要因素是（）变化。

[单选题] *A.温度(正确答案)B.穿透电流C.频率D.电压5. 当硅二极管加上0.4V的正向电压时，该二极管相当于（）。

[单选题] *A.很小的电阻B.很大的电阻(正确答案)C.短路D.断路6. 欲使放大器净输入信号削弱，应采用的反馈类型为（）。

[单选题] *A.串联反馈B.正反馈C.负反馈(正确答案)D.并联反馈7. 三极管的伏安特性是指它的（）。

[单选题] *A.输入特性B.输出特性C.输入特性和输出特性(正确答案)D.以上都不是8. 放大器的静态是指（）。

[单选题] *A.输入信号为零(正确答案)B.输出信号为零C.输入、输出信号均为零D.输入、输出信号均不为零9. 射极输出器是典型的（）放大器。

[单选题] *A.电压并联负反馈B.电压串联负反馈(正确答案)C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈10. PN结的最大特点是具有（）。

[单选题] *A.导电性B.绝缘性C.单向导电性(正确答案)D.负载性11. 硅二极管加正向电压（）。

[单选题] *A.立即导通B.超过0.3V导通C.超过0.7V导通D.超过死区电压导通(正确答案)12. 共集电极放大电路的特点是（）。

电子技术基础第二学期期中试卷

2017-2018学年度第二学期期中考试电子商务系2017级单招计算机专业试卷《电子技术基础》试题一、填空题（每空2分，共40分）1.电路通常有、和三种状态2.在一定温度下，导体的电阻与其长度成，而和其横截面积成。

3.某导体的电阻是1Ω，通过它的电流是1A，那么在1min内通过导体横截面积的电荷量是 C，电流做的功是 J，它消耗的功率是 W。

4.电动势为2V的电源，与9Ω的电阻结成闭合回路，电源两极间的电压为 1 .8V，这时电路中的电流为 A，电源内阻为Ω。

5.有一个电流表，内阻为100Ω，满偏电流为3mA，要把它改装成量程为3V的电压表，则需（串或并）联一个Ω的分压电阻。

6.两个电阻R1、R2并联，其中R1=200Ω，通过R1的电流I1=0.2A，通过整个并联电路的总电流I=0.6A，则R2= Ω，R2中的电流I2= A。

7.某一电容器，当外加电压为20V时，测得其带电量为4x10-8C,则该电容器的电容量C= μF，若外加电压升高为40V。

这时所带电荷量为 C。

8．两个空气平行板电容器C1和C2，若两极板正对面积之比为6：4，两极板间距离之比为3：1，则它们的电容量之比为。

9.有一电容为100μF的电容器,若以直流电源对它充电,在时间间隔20s内相应的电压变化量为10V,则该段时间内的充电电流为 A。

10.电容器和电阻器都是电路中的基本元件,但它们在电路中的作用是不同的.从能量上来看,电容器是一种元件.而电阻器则是元件。

二、判断题（每题2分，共30分。

正确的打“√”，错误的打“×”）（）1.电阻元件的伏安特性曲线是过原点的直线，则该电阻称为做线性电阻。

（）2.欧姆定律适用于任何电路和任何元件。

（）3.额定电压为220V的白炽灯接在110V电源上，白炽灯消耗的功率为原来的1/4。

（）5.在纯电阻电路中，电流通过电阻所做的功与它产生的热量是相等的。

（）6.当外电路断开时，电源的端电压等于零。

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