复旦大学模电课后题答案

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模电课后习题答案

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习题:一.填空题1. 半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。

2. 利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管,利用发光材料可制成发光二级管,利用PN结的光敏性可制成光敏(光电)二级管。

3.在本征半导体中加入__5价__元素可形成N型半导体,加入_3价_元素可形成P型半导体。

N型半导体中的多子是_自由电子_______;P型半导体中的多子是___空穴____。

4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。

5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为0.7v ,锗材料二极管的正向导通电压为0.2v 。

6..理想二极管正向电阻为__0______,反向电阻为_______,这两种状态相当于一个___开关____。

7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。

8.. 稳压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。

9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。

10. 晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电,因此三极管又称为双极型晶体管。

11.设晶体管的压降U CE不变,基极电流为20μA时,集电极电流等于2mA,则β=__100__。

12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类,目前广泛应用的绝缘栅效应管是MOS管,按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类,每一类中又分为N沟道和P沟道两种。

13. 查阅电子器件手册,了解下列常用三极管的极限参数,并记录填写题表2-1在下表中题表2-1二.选择题1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 A 。

A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压2.理想二极管加正向电压时可视为 B ,加反向电压时可视为__A__。

A.开路B.短路C.不能确定3.稳压管的稳压区是二极管工作在__D__状态。

A.正向导通B.反向截止C.反向导通D.反向击穿4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将__A__。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)第一章简介1.描述模拟信号和数字信号的区别。

模拟信号是连续变化的信号,可以表示任意数值;数字信号是离散变化的信号,只能表示有限的数值。

2.简要介绍电子技术的分类和应用领域。

电子技术可以分为模拟电子技术和数字电子技术。

模拟电子技术主要应用于信号处理、放大、调制、解调等领域;数字电子技术主要应用于数字电路设计、逻辑运算、通信、计算机等领域。

第二章电压电流基本概念1.定义电压和电流,并给出它们的单位。

电压(V)是电势差,单位为伏特(V);电流(I)是电荷通过导体的速率,单位为安培(A)。

2.列举常见的电压源和电流源。

常见的电压源有电池、发电机、电源等;常见的电流源有电流表、发电机、电源等。

3.简述欧姆定律的定义和公式。

欧姆定律规定了电压、电流和电阻之间的关系。

根据欧姆定律,电流等于电压与电阻之间的比值,即I=V/R,其中I为电流,V为电压,R为电阻。

第三章电阻与电阻电路1.简述电阻的定义和单位。

电阻是指导体对电流的阻碍程度,单位为欧姆(Ω)。

2.串联电阻和并联电阻的计算方法是什么?给出示意图。

–串联电阻的计算方法是将所有电阻值相加,即R= R1 + R2 + … + Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。

–并联电阻的计算方法是将所有电阻的倒数相加,再取倒数,即1/R= 1/R1 + 1/R2 + … + 1/Rn,其中R为总电阻,R1、R2、…、Rn为各个电阻值。

串联和并联电阻示意图3.简述电压分压原理并给出示意图。

电压分压原理指的是当在一个电阻网络中,多个电阻串联,电压将按照电阻值的比例分配给各个电阻。

电压分压原理示意图第四章电容与电容电路1.简述电容的定义和单位。

电容是指导体上储存电荷的能力,单位为法拉(F)。

2.串联电容和并联电容的计算方法是什么?给出示意图。

–串联电容的计算方法是将所有电容的倒数相加,再取倒数,即1/C= 1/C1 + 1/C2 + … + 1/Cn,其中C为总电容,C1、C2、…、Cn为各个电容值。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

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第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。

二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。

( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。

( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。

(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。

( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。

( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。

( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。

(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594TV T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1eTV V >>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。

模电课后习题答案

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BabbaCbcbaBcb1.PN结加正向电压时,空间电荷区将( B )。

a.变宽b.变窄c. 基本不变2.在本征半导体中加入(A)元素可行成N型半导体。

a.五价b.四价c.三价3.当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为(B)。

a.前者反偏、后者正偏;b.前者正偏、后者反偏;c.前者正偏、后者正偏;4.直接耦合放大电路存在零点漂移的主要原因是( B )。

a.电阻阻值有误差b.晶体管参数受温度影响c.电源电压不稳5.当信号频率等于放大电路的或时,放大增益下降(A).a.3dB b.4dB c..5dB6.交流负反馈是指(C)a. 直接耦合放大电路中引入的负反馈b. 只有放大直流信号时才有的负反馈c. 在交流通路中的负反馈7.稳定放大电路的放大倍数(增益),应引入( B )。

a. 直流负反馈b. 交流负反馈c. 正反馈8.为了增大放大电路的输入电阻,应引入( C )负反馈。

a. 电压b. 电流c. 串联d. 并联9.欲将正弦波电压移相,应选用( B )电路。

a. 反相比例运算b. 同相比例运c. 微分运算10.欲将方波电压转换为三角波电压,应选用(A)电路。

a. 积分运算 b .乘方运算 c. 同相比例运算11.为了获得输入电压中的低频信号,应选用( B )滤波电路。

a. 高通b. 低通c. 带通12.一个实际的正弦波振荡绝大多数属于正反馈电路,它主要由( C )组成。

a:负反馈b:放大电路和反馈网络c:放大电路、反馈网络和选频网13.功率放大电路的转换效率是指( B )。

a.输出功率与晶体管所消耗的功率之比b.最大输出功率与电源提供的平均功率之比c.晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比。

模电课后题答案详解

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习题解答第1章1.1简述半导体的导电特性。

答:半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。

半导体一般呈晶体结构,其原子核对价电子的束缚较弱,当半导体受到外界光和热的刺激时,它便释放价电子,从而使导电能力发生变化。

例如纯净的锗从20℃升高到30℃时,它的电阻率几乎减小为原来的1/2。

又如一种硫化镉薄膜,在暗处其电阻为几十兆欧姆,受光照后,电阻可以下降到几十千欧姆,只有原来的百分之一。

利用这些敏感性可制成各种光敏元件和热敏元件。

若在纯净的半导体中加入微量的杂质,则半导体的导电能力会有更显著的增加,例如在半导体硅中,只要掺入亿分之一的硼,电阻率就会下降到原来的几万分之一,这是半导体最显著的导电特征。

利用这个特性,可制造出各种半导体器件。

1.2 简述PN结是如何形成的。

答:当P型和N型半导体结合在一起时,由于交界面两侧多数载流子浓度的差别,N区的多数载流子电子向P区扩散,P区的多数载流子空穴也要向N区扩散,于是电子与空穴复合,在交界面附近P区一侧因复合失去空穴而形成负离子区,N区一侧也因复合失去电子而形成正离子区。

这些不能移动的带电离子形成了空间电荷区,称为PN结。

PN结内存在一个由N区指向P区的内电场。

内电场的形成将阻止多数载流子的继续扩散,另一方面又会促进少数载流子的漂移,即N区的少数载流子空穴向P区移动,P区的少数载流子电子向N区移动。

因此,在交界面两侧存在两种对立的运动,漂移运动欲使PN结变窄,扩散运动运动欲使PN结变宽。

当扩散运动产生的扩散电流和漂移运动产生的漂移电流大小相等,两种运动达到动态平衡时,PN结宽度不再变化,即PN结维持一定的宽度。

由于内电场的存在,使载流子几乎不能在PN结内部停留,所以,PN 结也称为耗尽层。

1.3 二极管的特性曲线有哪几个区域?二极管的单向导电能力是指特性曲线上的哪个区域的性质?二极管的稳压能力又是指特性曲线上的哪个区域性质?答:二极管的特性曲线有正向特性、方向特性和反向击穿特性三个区域。

《模拟电子技术基础》课后习题答案完美第五章到第七章

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第五章 放大电路的频率响应自 测 题一、选择正确答案填入空内。

(1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是 。

A.输入电压幅值不变,改变频率B.输入电压频率不变,改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化(2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。

A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。

C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适(3)当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的 。

A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍 即增益下降 。

A.3dBB.4dBC.5dB (4)对于单管共射放大电路,当f = f L 时,与相位关系是 o U &iU &。

A.+45˚B.-90˚C.-135˚当f = f H 时,与的相位关系是 oU &i U &。

A.-45˚ B.-135˚ C.-225˚ 解:(1)A (2)B ,A (3)B A (4)C C二、电路如图T5.2所示。

已知:V C C =12V ;晶体管的C μ=4pF ,f T = 50MHz ,=100Ω, β'bb r 0=80。

试求解: (1)中频电压放大倍数; smu A & (2);'πC (3)f H 和f L ;(4)画出波特图。

图T5.2解:(1)静态及动态的分析估算: ∥178)(mA/V2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV26)1(V 3mA 8.1)1(Aμ 6.22c m bee b'i s ismTEQ m b be i e b'bb'be EQe b'c CQ CC CEQ BQ EQ bBEQCC BQ −≈−⋅+=≈=Ω≈=Ω≈+=Ω≈+=≈−=≈+=≈−=R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u &ββ(2)估算:'πCpF1602)1(pF214π2)(π2μc m 'μTe b'0μπe b'0T ≈++=≈−≈+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ(3)求解上限、下限截止频率:Hz14)π(21kHz 175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'≈+=≈=Ω≈+≈+=CR R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥(4)在中频段的增益为dB 45lg 20sm≈u A & 频率特性曲线如解图T5.2所示。

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模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。

在圆圈中画出管子,并说明它们是硅管还是锗管。

图P1.9解:如解图1.9。

解图1.9第2章 基本放大电路习题2.5在图P2.5所示电路中,已知晶体管的β=80,ber =1kΩ,20iU mV = ,静态时0.7BEQ U V =,4CEQ U V =,20BQ I A μ=。

判断下列结论是否正确,在括号内打“√”和“×”表示。

(1)342002010uA -=-=-⨯ (×) (2)4 5.710.7uA =-=- (×) (3)8054001u A ⨯=-=- (×) (4)80 2.52001uA ⨯=-=- (√) (5)20120i R k k =Ω=Ω (×) (6)0.7350.02i R k k =Ω=Ω (×) (7)3i R k ≈Ω (×) (8)1i R k ≈Ω (√) (9)5OR k =Ω (√) (10) 2.5O R k =Ω (×)(11)20S U mV ≈ (×) (12)60SU mV ≈ (√)2.7电路如图P2.7所示,晶体管的β=80 ,'100bb r =Ω。

分别计算L R =∞和3L R k =Ω时的Q 点、uA 、i R 和o R 。

解:在空载和带负载情况下,电路的静态电流、be r 均相等,它们分别为:22CC BEQBEQ BQ bsV U U I A R R μ-=-≈1.76CQ BQ I I mA β=≈'26(1)1.3be bb EQmVr r k I β=++≈Ω 空载时,静态管压降、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻分别为:6.2CEQ CC CQ c U V I R V =-≈; 308c ubeR A r β=-≈-// 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω; 93beusube sr A A r R ≈⋅≈-+5o c R R k ==Ω3L R k =Ω时,静态管压降、电压放大倍数分别为:(//) 2.3LCEQ CC CQ c L L cR U V I R R VR R =-≈+用基尔霍夫电流定律容易理解(//)115c L u be R R A r β=-≈- 34.7be us ube sr A A r R ≈⋅≈-+ // 1.3i b be be R R r r k =≈≈Ω 5o c R R k ==Ω。

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设稳压管具有理想特性,即反偏电压只有达到稳压电压时,稳压管击穿。
正偏时导通压降为零,则 (V)
Uz=8V
当 Uz时,稳压管击穿而处于稳定状态,uO=Uz;
而0< <8V时,稳压管处于反偏而截止,uO= ;
当 时,稳压管将处于正偏而导通,uO=0。
第四、五章
题4.1测得工作在放大电路中几个半导体三极管三个电极电位 、 、 分别为下列各组数值,试判断它们是NPN型还是PNP型?是硅管还是锗管?并确定e、b、c。
与 模值相等,但相位相反!
(3) ,本题中因无信号源内阻,若将ui短路,则 =0
题4.6如题图所示为两级放大电路:
①画出放大器微变等效电路;
②求电压增益 、输入电阻 和输出电阻 。
解:①放大器的微变等效电路为:
②由图可得,两级放大电路的第一级为共集电极放大电路,它的电压放大倍数 接近于1,整个放大器的电压放大倍数取决于它的第二级,也就是共发射级放大电路的电压放大倍数。放大器的静态工作点为:

由微变等效电路可知它的电压放大倍数为:
所以放大电路的电压增益
放大电路第二级的输入阻抗为:
把放大电路第二级的输入阻抗作为第一级的负载,整个放大电路的输入电阻为:
放大电路的输出电阻为:
题4.7题图所示放大电路中,场效应管跨导 , ,三极管的 , , ,电容 、 、 、 可视为交流短路:
1画出放大器的微变等效电路;
①静态工作电流 ;
②电压放大倍数 及 ;
③两个输出端的输出电阻 及 。
分析:该电路分别接有两个输出no1和no2,而输入信号均在基极,uo1为发射级输出,构成共集电路组态,而uo2在集电极输出,构成共射极组态。
(1)静态工作点与输出端的接法无关。因为输出均有隔直电容。其直流通路如图所示:

模电课后题答案详解

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习题解答第1章1.1简述半导体的导电特性。

答:半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。

半导体一般呈晶体结构,其原子核对价电子的束缚较弱,当半导体受到外界光和热的刺激时,它便释放价电子,从而使导电能力发生变化。

例如纯净的锗从20℃升高到30℃时,它的电阻率几乎减小为原来的1/2。

又如一种硫化镉薄膜,在暗处其电阻为几十兆欧姆,受光照后,电阻可以下降到几十千欧姆,只有原来的百分之一。

利用这些敏感性可制成各种光敏元件和热敏元件。

若在纯净的半导体中加入微量的杂质,则半导体的导电能力会有更显著的增加,例如在半导体硅中,只要掺入亿分之一的硼,电阻率就会下降到原来的几万分之一,这是半导体最显著的导电特征。

利用这个特性,可制造出各种半导体器件。

1.2 简述PN结是如何形成的。

答:当P型和N型半导体结合在一起时,由于交界面两侧多数载流子浓度的差别,N区的多数载流子电子向P区扩散,P区的多数载流子空穴也要向N区扩散,于是电子与空穴复合,在交界面附近P区一侧因复合失去空穴而形成负离子区,N区一侧也因复合失去电子而形成正离子区。

这些不能移动的带电离子形成了空间电荷区,称为PN结。

PN结内存在一个由N区指向P区的内电场。

内电场的形成将阻止多数载流子的继续扩散,另一方面又会促进少数载流子的漂移,即N区的少数载流子空穴向P区移动,P区的少数载流子电子向N区移动。

因此,在交界面两侧存在两种对立的运动,漂移运动欲使PN结变窄,扩散运动运动欲使PN结变宽。

当扩散运动产生的扩散电流和漂移运动产生的漂移电流大小相等,两种运动达到动态平衡时,PN结宽度不再变化,即PN结维持一定的宽度。

由于内电场的存在,使载流子几乎不能在PN结内部停留,所以,PN 结也称为耗尽层。

1.3 二极管的特性曲线有哪几个区域?二极管的单向导电能力是指特性曲线上的哪个区域的性质?二极管的稳压能力又是指特性曲线上的哪个区域性质?答:二极管的特性曲线有正向特性、方向特性和反向击穿特性三个区域。

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V cc - U CESR c =2.86mA第一章半导体基础知识自测题一、(1)v (2)X ( 3)v (4)X ( 5)v (6)X二、(1) A (2) C ( 3) C (4) B ( 5) AC三、U oi 〜1.3V U02 = 0 U03 1.3V U O4〜2V U05 〜2.3V U°6―2V四、U O1 = 6V U O2= 5V五、根据P CM = 200mW 可得:U CE= 40V 时I C= 5mA , U CE= 30V 时I C 〜6.67mA,U CE = 20V 时 I c = 10mA , U CE = 10V 时 I c = 20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。

图略。

六、1、I B =V BB —U BE詔6讥R bI c 二T B二2.6mAU CE = Vcc j c R c = 2VU O = U CE= 2V。

2、临界饱和时U CES=U BE= 0.7V,所以I B=28.6讥&=V BB一 U BE,45.4小I B七、T1 :恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。

习题1.1 (1) A C (2) A ( 3) C ( 4) A1.2不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。

..'t1.3 u i和U o的波形如图所示。

1.4 u i和U o的波形如图所示。

1.5 u o的波形如图所示。

1.6I D=( V —U D) /R=2.6mA ,U T/I D = 10Q , l d= U i/r D心 1mA。

1.7(1 )两只稳压管串联时可得 1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。

(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。

1.8l ZM = P ZM/U Z = 25mA, R= U Z/I DZ = 0.24 〜〔.2k Q。

1.9(1 )当U I = 10V时,若U O=U Z = 6V,则稳压管的电流为4mA , 小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。

模拟电子技术 课后参考答案

模拟电子技术 课后参考答案
= − 40sinωt (μA)
图(c)运算电路A1 的输出电压为
vo1 = −
R 21
100
vi1 = −
× 0.6V = −1.2 V
R1
50
差分式运算电路A2 的输出电压为
v0 = −
=−
R 22
R2
50
100
vo1 + 1 +
R 22
R2
vi2
× −1.2 V + 1 +
50
100
× 0.8 V
R 1 R 2 +R 3 +R 2 R 3
R 2 R 1 +R 3 +R 1 R 3
R 2 R 3 v i1 +R 1 R 3 v i2 +R 1 R 2 v i3
R 1 R 2 +R 2 R 3 +R 1 R 3
vi3
vi2 +
R1 R2
R 3 R 1 +R 2 +R 1 R 2
vi3
当R 1 = R 2 = R 3 时,则
电压为
vo′ = −
R3
R1
= −
vo1 −
30
30
R3
R2
vo2
× −3 −
30
30
× 4 V= −1 V
当vo1 = 0,vo2 = 0,V3 = +3 V时,A3 的输出电压为
vo’‘ = 1 +
vp3 =
R3
R 1 ∥R 2
R5
R 4 +R 5
V3 =
vp3
30
15 +30
×3V=2V
vo’‘ = 1 +

模电课后习题完整答案

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1.1 在题1.1图中,各元件电压为 U 1=-5V ,U 2=2V ,U 3=U 4=-3V ,指出哪些元件是电源,哪些元件是负载?解:元件上电压和电流为关联参考方向时,P=UI ;电压和电流为非关联参考方向时,P=UI 。

P>0时元件吸收功率是负载,P<0时,元件释放功率,是电源。

P 1=-U 1×3= -(-5)×3=15W ; P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ;P 3=U 3×(-1)=-3×(-1)=3W ;P 4=-U 4×(-4)=-(-3)×(-4)=-12W 。

元件2、4是电源,元件1、3是负载。

1.4 在题1.4图中,已知 I S =2A ,U S =4V 。

解:I=I S =2A ,U=IR+U S =2×1+4=6V P I =I 2R=22×1=4W ,U S 与I 为关联参考方向,电压源功率:P U =IU S =2×4=8W ,U 与I 为非关联参考方向,电流源功率:P I =-I S U=-2×6=-12W ,验算:P U +P I +P R =8-12+4=01.6 求题1.6图中的U 1、U 2和U 3。

解:此题由KVL 求解。

对回路Ⅰ,有: U 1-10-6=0,U 1=16V 对回路Ⅱ,有:U 1+U 2+3=0,U 2=-U 1-3=-16-3=-19V 对回路Ⅲ,有:U 2+U 3+10=0,U 3=-U 2-10=19-10=9V验算:对大回路,取顺时针绕行方向,有:-3+U 3-6=-3+9-6=0 ,KVL 成立1.8 求题1.8图中a 点的电位V a 。

题1.4图+U 3--3V++6V -题1.6图20Ω1a题1.8图(a)(b)解:重画电路如(b )所示,设a 点电位为V a ,则201a V I =,5502+=a V I ,10503-=a V I 由KCL 得: I 1+I 2+I 3=0 即0105055020=-+++a a a V V V 解得 V V a 7100-=1.10 求题1.10图所示电路端口的伏安关系。

模电课后习题参考答案

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《自测题、思考题与习题》参考答案第1章自测题一、1.杂质浓度;温度。

2.减小;增大。

3.单向导电;最大整流电流I F;最大反向工作电压U RM。

4.0.5;;;。

5. 15V;;;;6V;。

6.大;整流。

二、1.①;⑤;②;④。

2. ②;①。

3.①。

4.③。

5.③。

6.③。

三、1、2、5、6对; 3、4错。

思考题与习题1.3.1 由直流通路(图略)得I D=/×103≈;则有r d≈26(mV)/I D(mA)=Ω。

再由微变等效电路(图略)可得输出电压交流分量u o≈[+25)]u i≈ωt(mV)。

1.3.2(a)U D=-3V,VD截止,U AB=-12V。

(b) U D1=10V,U D2=25V,VD2优先导通,VD1截止,U AB=-15V。

1.3.3 当u i≥时VD1导通,VD2截止,u o=;当u i≤时VD2导通,VD1截止,u o=;当≤u i≤时VD1、VD2均截止,u o=u i。

故u o为上削顶下削底,且幅值为±的波形(图略)。

1.3.4 在等效电路中,两二极管可由图(c)来表示。

当< u i<时,VD1、VD2均截止,u o=u i。

当u i≥时VD1导通,VD2截止,u o=[(u i-U th)/(R+r D)]r D+U th,其最大值为U om≈。

同理,当u i≤时,U om≈。

图略。

1.3.5 由分压公式分别求得U A=5V,U B=8V,U BC=5V。

因U CA=U C-U A=U CB+U B-U A= -2V。

截止。

1.4.1 当u i>8V时,稳压管起稳压作用,u o=8V;<u i<8V时,u o=u i;u i<时,u o=。

图略。

1.4.2(1)因R L U I/(R L+R)=18V>U Z,稳压管起稳压作用,U O=U Z=12V,I L=U O/R L=6mA,I R=(U I-U O)/R=12mA,I Z=I R-I O=6mA。

复旦微电子-模拟电路-第4章习题答案

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第4章习题解答1. 在图4-9(a)所示的基本电流镜电路中,已知场效应管的参数12n n OX W K C Lμ=和V TH ,电源电压V DD 以及电阻R 的值,试求参考电流I ref 的表达式。

解:图4-9(a)电路如下:VI O221()2D n OX GS TH WI C V V L μ=-DD GS D V V I R-=ref D I I =解以上方程即可求得I ref ,注意在两个解中取使场效应管工作在饱和区的解。

2. 若在图4-9(a)所示的基本电流镜电路中,要求I O =1mA 。

已知场效应管T 1的沟道宽长比是T 2的5倍,两管的V TH =0.75V ,电源电压V DD =5V ,T 1的212/n K mA V =。

试求电阻R 的值。

解:211()DD GSD n GS TH V V I k V V R-=-=222()1D n GS TH I k V V mA =-=125D D I I = 解以上方程即可求得R 的值,注意在两个解中取使场效应管工作在饱和区的解。

3. 试证明图4-14(b)电路中,电流源的输出电阻为44(1)O ce R r β≈+。

证明:在图4-14(b)电路中,为求电路的输出电阻,可以将电路进行交流等效然后用电路分析的方法求。

解,但这样求解比较烦琐,可以通过分析电路的结构用简化的分析方法求解。

VI refO分析电路的结构得知,T 2管的集电极与发射极间的输出电阻为2ce r ,这样求解电路的输出电阻可以近似为T 4发射极接电阻的共发射极放大器的输出电阻的求解,这样图4-14(b)电路的简化交流等效电路如下:R则:'442'431'2'4'42'431'2'431'2(){//[//(//)]}{//[//(//)]}//(//)o o m b e ce o ce b e e e b e b e b e o ce b e e e b e b e e e b e v i g v r i r r R r r r r v i r r R r r r r R r r r =-+++=-++++ 在 2'431'2//(//)ce b e e e b e r r R r r r ++ 且忽略2'431'2{//[//(//)]}o ce b e e e b e i r r R r r r ++情况下,可求得:44(1)oo ce ov r r i β=≈+ 4. 若已知下图中R 1=600Ω,R 2=200Ω,I ref =0.5mA ,试求I O的值,并讨论由此结果可以得出I O 与I ref 之间有什么近似关系?在什么条件下此近似关系成立?I O2解:这是比例电流镜。

(完整版)模拟电子技术教程课后习题答案大全

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第1章习题答案1. 判断题:在问题的后面括号中打√或×。

(1)当模拟电路的输入有微小的变化时必然输出端也会有变化。

(√)(2)当模拟电路的输出有微小的变化时必然输入端也会有变化。

(×)(3)线性电路一定是模拟电路。

(√)(4)模拟电路一定是线性电路。

(×)(5)放大器一定是线性电路。

(√)(6)线性电路一定是放大器。

(×)(7)放大器是有源的线性网络。

(√)(8)放大器的增益有可能有不同的量纲。

(√)(9)放大器的零点是指放大器输出为0。

(×)(10)放大器的增益一定是大于1的。

(×)2 填空题:(1)放大器输入为10mV电压信号,输出为100mA电流信号,增益是10S。

(2)放大器输入为10mA电流信号,输出为10V电压信号,增益是1KΩ。

(3)放大器输入为10V电压信号,输出为100mV电压信号,增益是0.01 。

(4)在输入信号为电压源的情况下,放大器的输入阻抗越大越好。

(5)在负载要求为恒压输出的情况下,放大器的输出阻抗越大越好。

(6)在输入信号为电流源的情况下,放大器的输入阻抗越小越好。

(7)在负载要求为恒流输出的情况下,放大器的输出阻抗越小越好。

(8)某放大器的零点是1V,零漂是+20PPM,当温度升高10℃时,零点是 1.0002V 。

(9)某放大器可输出的标准正弦波有效值是10V,其最大不失真正电压输出+U OM是14V,最大不失真负电压输出-U OM是-14V 。

(10)某放大器在输入频率0~200KHZ的范围内,增益是100V/V,在频率增加到250KHZ时增益变成约70V/V,该放大器的下限截止频率f L是0HZ,上限截止频率f H是250KHZ,通频带f BW是250KHZ。

3. 现有:电压信号源1个,电压型放大器1个,1K电阻1个,万用表1个。

如通过实验法求信号源的内阻、放大器的输入阻抗及输出阻抗,请写出实验步骤。

模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)

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第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小 1.3电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.4电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;i u 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.7现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

1、两个管子都正接。

(1.4V )2、6V 的管子反接,8V 的正接。

模电习题参考答案

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模电习题参考答案一、填空:1.空穴、自由电子、空穴、自由电子2. 8V 、硅、NPN3.电流、正向、反向4.电压、电流、串联、并联6. 1u u A F ⋅⋅=、2(0,1,2)a f n n ϕϕπ+==7.电压、输入电阻8.线性、非线性 二、选择题:B C C B B C C A D D三、分析题:1.波形图如下图所示。

2.R2:电压串联负反馈、R5电压并联负反馈、R3和R6电流并联负反馈3. 参考答案:(1)Uo=28V ,电路正常工作,负载没有加上,或者负载开路。

(2)Uo=24V ,电路正常工作,负载正常工作。

(3)Uo=18V ,Uo=0.9U 2,电路非正常工作,可能是滤波电容断路损坏或者虚焊。

(4)Uo=9V ,Uo=0.45U 2,电路非正常工作,可能是整流电路的一条回路出现开路损坏或虚焊,且滤波电容虚焊或断路。

4.满足射同基反,可以起振,振荡频率四.计算题1.解:(1) V B = RB 2RB 1+RB 2V CC =4V I EQ = VB−U BEQRE 1+RE 2=1mAI CQ ≈I EQ =1mA I BQ = I CQ /β=20 uAU CEQ =V CC -I CQ R C -I EQ (R E1+R E2)=5.7Vr be =r bb ′+(1+β)26I EQ =1526Ω (2)微变等效电路为:(3)1)1(//E be L C u R r R R A ββ++-=≈ -6.4 ])1(//[//121E be B B i R r R R R β++==8.67 K Ω ==c o R R 3 K Ω2.解:A 1为一个同相比例放大器:V 01=(1+R 3/R 1)V 1=3 V 1根据虚短和虚断概念,V 2N =V 2P =V 2所以有:(V 01 –V 2N )/ R 4=(V 2N -V 0 )/R 5解得:V 0 =2V 2 -3V 13.解:(1)最大输出电压幅度(峰值)为:CES cc omm U V U -==13 V有效值为:2omm om U U ==9.19 V (2) 最大输出功率: L CES cc om R U V P 2)(21-==10.5625 W %5.784==πη。

模电课后习题解答

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第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。

二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。

( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。

( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。

(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。

( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。

( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。

( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。

(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594TV T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1e TV V >>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。

模电书后习题参考答案

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《电路与模拟电子学》部分习题参考答案第一章1.1 (a) 10W 吸收功率 (b)10W 吸收功率 (c) 10W 发出功率 (d) 10W 发出功率 1.2 1P =8W 吸收功率; 2P =-16W 吸收功率; 3P =12W 发出功率 1.3 (a) A 5.0-=I (b)6V -=U (c) Ω1=R 1.4 A 1.0=I1.5 Ω1210=R h 6KW ⋅=W 1.6 F 2C μ= J 1046-⨯=W1.7 (a) A 5=I (b) 6V =U (c) 2A =I1.8 (a) 10V =U 50W =P (b) 50V =U 50W 2=P (c) V 3-=U 5W 1-=P (d) V 2=U 10W =P1.9 (a) A I 2= (b) 10V =U (c) 2A =I 1.10 (a) 18.75V =U (b) 3A =I (c) 0.9A =I 1.11 (a) 2V =U (b) 2.5A =I1.12 (a) 2V 11=U 72W -=P (发出功率) (b) 0.5A 2=I 5W 1=P (吸收功率) 1.13 (a) 4V =U (b) 2A -=I ;2A 1=I 1.14 (a) A I 3-= (b) 4V =U (c) 1A =I1.15 (a) A I 0= 2V -=U (b)A I 20-= V 10-=U (c) 1A 1=I 2A 2=I 1.16 (a) 2V =ab U (b) 7V =ab U (c) 2V =ab U1.17 (a) 0V 1=a V 8V =b V 6V 1=c V 0V 1=d V 6V =e V(b) 4V =a V 0V =b V 0V =c V 9V =d V V 11-=e V 1.18 断开:2V -=A V ; 闭合: 3.6V =A V 1.19 0.4A =I 10V =ab U 0V =ac U1.20 (a) 27V =U A I 3-= (b) 60W =P (c) 74W min =P第二章2.1 (a) Ω2.5 (b) Ω1.6 (c) Ω2.67 (d) Ω5 2.2 Ω5k =R 2.3 Ω81.25=R2.4 (1)400V 2=u (2) 4V 36=V (3)滑线变阻器、电流表均将被烧毁(电流过大)2.5 3V =U 2.6 A 2-=I2.7 (a) A 4=I (b) A 6.1=I 2.8 (a) A 9.0=I (b) A 4=I2.9 (a) 2V =V (b) 20V 1=V 6V 2=V2.10 (a) 7V =u A i 3= (b) 42V =u A i 1.1-= 2.11 60V =u2.12 4V =a u ; 2.5V =b u ;2V =c u2.13 14V -=U ;A 3-=I2.14 (a) A I 8.1= 121.6W -=P (b) A I 1= 12W -=P 2.15 52W 2=P ;78W 3=P 2.163.75A 2.17 4V =oc U ;Ω1=i R2.18 Ω4=R2.19 (a) A I 3= (b) mA I 33.1= (c) mA I 5.1=2.20 Ω10=R ; 35.1W =P 2.21 A I 5.2=;Ω20=i R 2.22 (a)Ω6=i R (b)Ω7.5=i R2.23 (a) A I 6.4-= 9.2W -=P (b) A I 5.22-= 12.5W 10-=P2.24 (a) 8V =U A I 1= (b)28V =U A I 5.0= 2.25 7.2V =U ; A I 4.1= 2.26 A I 4=2.27 1V 0=U 、A I 01.00=;Ω=100R ;Ω50=d R 2.28 A i 88.3= 2.29 3V =u ;A i 21=2.30 A )1cos 01.0(+t 2.31 Ω1=ab R 2.32 Ω8=ab R 2.33 b2.34 5V 1-=U ; 3V 2-=U ;5V 3=U 2.35 10V =ab U第三章3.1 (a)6V )0(=+u A 2.0)0(=+i (b) 20V )0(=+u A i m 10)0(=+(c) 8V )0(-+=u A 2)0(=+i 3.2 (a)A 05.0)0(=+L i 0V )0(=+C u1000A/S d d 0L -=-t iV/S 105d d 40C ⨯=-tu(b)A i L 5)0(=+ 17V )0(=+C u4.5A/S d d 0L =-tiV/S 0d d 0C=-tu3.3 ① 45V )0()0(=+-=C C u u A i C 0)0(=- A i m 45.0)0(C =+② mA i i L L 15)0()0(==+- 0V )0(=-L u 45V )0(=+L u ③ 换路时L i 、C u 不会跃变;C i 、L u 会跃变 3.4 19.5V ;6V3.5 V e 20-2⨯=u mA e 10-2⨯=i 3.6 (a) ms t 1= (b) s 2.4μ=t3.7 (a) V e 4)(-2t ⨯=t u ;mA e t i t 204.0)(-⨯=(b) V e3)(-111t⨯=t u ;mA e t i t 11167.0)(-⨯-=(c) V e 3)(-6t⨯=t u ;A et i t)1(5.0)(6--⨯=3.8 (a) )V e 1(9)(4103.3C t t u ⨯--=; (b) )V e 1(12)(-0.1t -⨯=t u C 3.9 )mA e 75.05.0()(208tt i -+-=3.10 A et i tL 101)(--=;V e 20)(-10t ⨯=t u L ;V e 1020)(-10t ⨯+=t u 3.11 A et i t)1(10)(500--=3.12 V e 761)(-t-=t u C 3.13 )V e8.12.2()(5105tt u ⨯-+=3.14 V e 821)(-5t+=t u C 3.15 A et i tL 45005.02.0)(-⨯+-=3.16 A e t i t -⨯+=3.05.0)(3.17 (a) )-()(=3)2()1()(t t t t t f εεεε----+(b) )1()1()(--+t t t t t f εε)(= (c) )2()42()1()22()(--+-+-+t t t t t t f εεε)(= (d) ]3)1()[3()]1(1)[1()()-()(=t t t t t t t f εεεε--+-+--++ 3.18 V )1(565.0)(48.0t C e t t u --⨯)(=ε3.19 ① V )1(2)(9o t e t t u --⨯)(=ε ②V )1(210)()2(9o ---⨯-t e t t u )(=ε 3.20 A )5.01()()(=t e t i t ε--3.21 V )e 80e 100(5-4C t t u --= A )e 8e 10(5-4:L t t i --= 3.22 临界阻尼情况;过阻尼情况3.23 V ]100e )10001(100[1000C ++-=-t t u ;A e 1001000tt i -=3.24 A/S 5.23.25 V 810)(5t C e t u --= 3.26 V 2)(5.1te t u -⨯=第四章4.2 mA )12031400(cos 20︒+=t i 4.3 U V 33m U =; mA I 152=4.4 A 63101︒∠=∙I A )63(cos 210)(1︒+=t t i ωA 117102︒∠=∙I A )117(c o s 210)(2︒+=t t i ωA 117103︒-∠=∙I A )117(c o s 210)(3︒-=t t i ω A 63104︒-∠=∙I A )63(cos 210)(4︒-=t t i ω4.5 V )37(cos 50︒+=t u ω4.6 A 7=I ;A5.3'=I4.7 Ω2.76k =R4.8 Ω4=R ;0.24H =L 4.9 V 113=U ;A 38.0=I 4.10 Ω5=R ;0.1F =C4.11 读数为A 5;()Ω-=j1612Z ;()j0.0403.0+=Y S4.12 (a)阻容串联:Ω5=R ;0.058F =C (b)阻感串联Ω=3R ,H 3.29=L4.13 Ω10=R ;172.2mH =L 4.14 A )1171000(cos 48.0)(︒+=t t i ab4.15 A )7.291000(cos 75.1)(1︒+=t t i ;A )3.561000(cos 92.3)(2︒+=t t i 4.16 A 728.15︒-∠=∙I4.17 A 41.1=I ;Ω14.1=R ;Ω=1.14C X ; Ω=07.7L X 4.18 视在功率A)V (447⋅=S 有功功率W)(400=P 无功功率var)(200=Q功率因数89.0cos =ϕ4.19 Ω+=)7j 22(Z W)(8.2=P 89.0cos =ϕ 4.20 ()Ω-=j2010L Z ; 0.005W max =P 4.21 j)V 3(10A +=V ;W 300=S ;ar Q v 300=4.22 ① Hz f 5o 103.2⨯=;433=Q ②A5.1o =I ;6495V ==C L U U4.23 Ω14.1=R ;H 67.0=L ;F 0.17μ=C ;20=Q 4.24 V 18=U4.25 断开时:V 3111=U ;V 2202=U 闭合时:V 01=U ;V 2202=U 4.26 A 1.4=I4.27 (a) V cos 1t u = V c o s 25.02t u -= (b) V sin 21t u =,V sin 5.02t u =(c) )V 0.252(21-t te eu +-=- )V 25.05.0(22t t e e u ---=4.28 H 0628.0=M4.29 V )143cos(2215oc ︒-=t u 4.30 62.0=K ︒∠=∙7652.1I 4.32 mH 86.52=M4.33 星形:相电流与线电流相等:A 1.5322A ︒-∠=∙I ,A 1.17322B ︒-∠=∙IA 9.6622C ︒∠=∙I ; W 8688=P三角形:相电流:A 1.5338B'A'︒-∠=∙I ,A 1.17338C'B'︒-∠=∙I ,A 9.6638A'C'︒∠=∙I 线电流:A 1.5366A ︒-∠=∙I ,A 1.17366B ︒-∠=∙I ,A 9.6666C ︒∠=∙IW 26064=P4.34 ︒-∠=∙1.3744A I ,A 1.15722B ︒-∠=∙I ,A 9.8222C ︒∠=∙I ,W 23232=P 4.35 不可; A 022A ︒∠=∙I ,A 3022B ︒-∠=∙I , A 3022B ︒∠=∙I ,︒∠=∙01.60N I 4.36 A :0A 1A :5.77A 2A :10A 3A :5.77A 4.37 TtU U ∆⋅=m T t U U ∆⋅=m av4.38 123V =U A 11=I 273.5W =P4.39 V 3.131,A 93.1, A 86.1 4.40 V )45(cos 55)(2︒-+=t t u ω4.41 V )455.1cos(2)1.532cos(25.0)(R ︒-+︒-+=t t t u ,W 75.3375.0S1=+=P 4.42 0.8mA 1, V 4.67, .82W 0 4.43 A 12C =I 4.44 ︒∠=∙9.3625oc U 4.45 ]Re[2A A *∙∙I U 4.46 V 17 4.47 5W =P 4.48 A 02︒∠=∙I第五章5.5 (a)⎩⎨⎧-=->=-≤3V V 3V 3o o u u u u u ii i (b) ⎩⎨⎧=>=≤i i i u u u u u o o V 33V V 3(c)⎩⎨⎧=>=≤3V V 3 V 3o o u u u u u i i i (d) ⎩⎨⎧=≥=≤i i i u u u u u o o V 33V V 3 (e) ⎩⎨⎧=-≥-=-≤i i i u u u u u o oV 33VV 35.9 “与”门5.14 利用二极管5.15 ① V 6o =U ;A 6L m I =;A 24Z m I =② V 4.2o =U ;A 48L m I =;A 0Z m I = ③ 增大R 的阻值5.16 4.65V4.65V 4.65V V 65.44.65V V 65.4o o o -=≥-=≤≤-=-≤u u u u u u u i i i i第六章6.3 A.放大区 B.饱和区 C.截止区 6.4 ① C E B ② 40 ③ PNP 6.5 15;100;306.6 增大;下降;左移;上升;增大 6.7 截止;饱和;饱和 6.9 D 6.10 Ω1k o =R6.11 ① (a)截止失真 (b)饱和失真6.12 ①9V CC =V ;Ω1k E =R ;12V CEQ =U ;Ω2k L =R ②截止失真;4V opp =U 6.13 ①2mA CQ =I ; 5.4V CEQ -=U ②0V CQ =U ;截止 ③7.3V CQ =U ;饱和④Ω455k B1=R ⑤45.1u -=A6.15 1mA EQ =I ;9.5V CEQ =U ;83u =A ;Ω29i =R ;Ω1k .2o =R 6.16 44u -=A ;减小;增大 6.17 饱和失真;增大B1R 或减小B2R6.19 ①Ω19.2k 2=R ②mV sin 580o t u ω-= ③Ω8.3k i =R ;Ω44o =R6.20 ①1T 共射;2T 共射;3T 共集 ②2mA C1Q =I ;3mA C2Q =I ;4mA C3Q =I ;Ω31k B1=R ③568u =A ④Ω1.2k i =R ;Ω48o =R6.21 ①W 125.10max o =P ② 2.5W CM =P ;38V (BR)CEO =U ; 1.125A CM =I 6.22 ①W 9max o =P ② 1.8W CM =P ③V U CEO BR 24)(>6.23 ①18V min CC =V ② 1.125A CM =I ;36V (BR)CEO =U ③12.89W V =P④2W CM =P ⑤12.7V =U 6.24 ①5V C =U ;调整1R 或3R ②调整2R ,使其增大 ③烧毁三极管 6.25 ① 3.5W o =P ②W 5V =P ③0.75W T2T1=P P = 6.26 分别处于击穿区、饱和区、非饱和区6.28 ①1mA DQ =I ②Ω2k S1=R ③Ω6k max S2=R④)310(2u S R k kA +-= C ⑤2i 334S G R R R +=;Ω10k o =R6.29 ①V 2GSQ -=U ②0.22mA D Q =I ;V 8.9DSQ =U ③0.44mS m =g 6.30 beC L u 1)//(r g R R g A m m +-=β;G R R =i ;C R R =o6.31 Ebe L C m E D m R r R R R g R r R g A )1()//(1)])1(//([2be2u βββ++⋅+++=; 321i //G G G R R R R +=;L C R R R //o =6.34 ①mA I Q C 11=;V 10CE1Q =U ②10u -=A ③Ω23k i =R ;Ω6k o =R 6.35 ①mA I I Q C Q C 5.021==、V7.921=Q CE Q CE U U =;mA I Q C 13=、V8.10CE3Q =UmA I Q C 5.04=、V 7.0CE4Q =U6.36 ①V 9.2O Q =U ②])1([2)//(111C2L u E be B R r R R R A ββ+++=第七章7.1 (a)电流并联负反馈 (b)电流串联负反馈 (c)电压串联负反馈 (d)电压并联负反馈 7.2 ①上负下正 ②电压串联负反馈7.4 (a)电压并联负反馈 (b)电压并联负反馈、正反馈 (c)电压并联负反馈 (d)电流串联负反馈 (e) 正反馈 (f)电流并联负反馈 7.5 (a) 13u R R A -= (b) 32u R R A -= 7.6 (a) 电压并联负反馈;BR R A Fud -= (b) 正反馈7.7 电压串联负反馈 )(121u E D ER R R R R F ++=7.8 电压串联负反馈 )1)()(1(6598917uf R R R R R R R A +++= 7.9 ①mA I C 12= ②mA I C 2.33= ③减小 C2R④应改为电压串联负反馈,f R 接至2b 、3b 接1c ⑤变动前10uf -=A ;变动后11uf =A 7.10 2500;0.0967.11 31099.9-⨯;91;-9%7.12 ① 电压负反馈,F R 接在 3T 射级和 1T 射级之间 ② 电流负反馈,F R 接在 3T 集电极和 1T 基极之间7.13 ①V 71=Q C U ;V 7.01-=Q E U ②V 576.61=C u ;V 424.72=C u③ 3b 与1c 相连 ④Ω9k F =R7.14 ①V 522==C C U U ②1c 接运放反相端,2c 接运放同相端;③10uf =A ④1c 接运放同相端,2c 接运放反相端,F R 接1 b ;9uf -=A 7.15 电压串联负反馈,254421o )()(R R R R R R u u i ++=第八章8.1 (a) V 45.0o =u (b) V 15.0o -=u (c) V 9.0o =u (d) V 15.0o =u 8.2 ① i u R R u 12o1-= ;i u R R R R Ru )(63612o +-= 8.3 ① i u R R R R R u )(63612o +-= 8.4 2500u -=A 8.6 50084o +-=i u u 8.7 ① 44332211o i F i F i F i F u R Ru R R u R R u R R u ----=② )41212(4321o i i i i u u u u u +++-= (V 0V 15o ≤≤-u ) 8.8反相比例运算;40u -=A ;V 6.58.9① f offoffi i i o ref R R V d R V u ])21([301o -=∑=+ ② 组成偏置电路,使电路由单极性输出变为双极性输出8.10 ① dt R t u R t u C t u i i ))()((12211o +⎰)=-( 8.11 ① 每个节点由3个支路构成,每个支路的电阻为2R② )2(321o ∑-=⋅=n i i i nf ref d RR V u③ V 10V 0O ≤≤U8.12 dtt du t u i )()(o1-=;)(2)(o t u t u i = 8.13 ① (a)反相比例运算器 (b)乘法器② (a) 23)(1124o R R S i S I R u I R u -= (b) )(21o i i S u u RI u ⋅-= 8.14 ① 带通 ② 高通 ③ 带阻 ④ 低通8.15 一阶有源高通滤波器; 二阶无源低通滤波器;二阶无源带阻滤波器; 二阶有源带通滤波器8.16 ① 30.8o =A ;200Hz o =f ;5=Q ② 50o =A ;20Hz o =f ;5=Q 8.17 ① 过零比较器 ② 单门限比较器 ③ 迟滞比较器 8.18 ①1A 、4A 为虚地; 2A 、3A 为虚短②1A 为反相加法器;2A 为电压跟随器;3A 为减法器;4A 为积分器;5A 为过零比较器 ③321o152.0i i i u u u u ---=;4o2i u u =;)(2o1o2o3u u u -=;t u U u C 2)0(3o o4--= ④ V 2.1o4=u ;V 15o5-=u8.19 ①1A 为积分器;2A 为迟滞比较器 ②ms 20 ③ms 808.20 实际是个窗口比较器;当时,或B A U u U u <>i i 输出为低电平;否则输出为高电平。

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(b)电压并联负反馈。
(c)电压串联负反馈。
(d)正反馈。
四、(1)应引入电压串联负反馈。
(2)
五、因为f=105Hz时, 为使此时 ,则需
习题
6.1(1)B B(2)D(3)C(4)C(5)A B B A B
6.2(1)A(2)B(3)C(4)D(5)B(6)A
6.3(1)×(2)×(3)√(4)×
二、(1)静态及动态分析估算:
(2)估算 :
(3)
(4) ,频率特性曲线略。
三、(1)60 103
(2)10 10
(3)
习题
5.1(1) ①①
(2) ①①①③
5.2
5.3
5.4(1)直接耦合;
(2)三级;
(3)当f=104Hz时,φ’=-135o;当f=105Hz时,φ’=-270o。
5.5
5.6(1)
(d)×(e)×(f)PNP型管,上-发射极,中-基极,下-集电极。
(g)NPN型管,上-集电极,中-基极,下-发射极。
第三章
自测题
一、(1)×(2)√√(3)√×(4)×(5)√
二、(1)A A(2)D A(3)B A(4)D B(5)C B
三、(1)B D(2)C(3)A(4)A C(5)B(6)C
2.16
2.17 图略。
2.18(1)求解Q点:
(2)求解电压放大倍数和输入电阻:
(3)求解输出电阻:
2.19(1)
(2)
2.20(a)源极加电阻RS。(b)输入端加耦合电容,漏极加电阻RD。
(c)输入端加耦合电容(d)在Rg支路加-VGG,+VDD改为-VDD
2.21(1)在转移特性中作直线uGS=-iDRS,与转移特性的交点即为Q点;读出坐标值,得出IDQ=1mA,UGSQ=-2V。
(4)消除交越失真。
4.18(1)由T10、T11、T9、T8、T12、T13、R5构成。
(2)三级放大电路:
T1~T4-共集-共基差分放大电路,T14~T16-共集-共射-共集电路,T23、T24-互补输出级。
(3)消除交越失真。UBE23+UBE24=UBE20+UBE19
第五章
自测题
一、(1)A(2)B A(3)B A(4)C C
6.18
6.19(1)引入电流串联负反馈,通过电阻Rf将三极管的发射极与T2管的栅极连接起来。
(2)
Rf=18.5kΩ
6.20(1)一定会产生自激振荡。因为在f=103Hz时附加相移为-45o,在f=104Hz时附加相移约为-135o,在f=105Hz时附加相移约为-225o,因此附加相移为-180o的频率在104Hz~105Hz之间,此时 ,故一定会产生自激振荡。
6.11(a)输入电阻减小,输出电阻增大。(b)输入电阻减小,输出电阻减小。
(c)输入电阻增大,输出电阻增大。(e)输入电阻减小,输出电阻增大。
(f)输入电阻增大,输出电阻减小。(g)输入电阻增大,输出电阻增大。
6.12电压串联负反馈无穷大11 11 1 14 14 1
6.13若uB1=uB2增大,则产生下列过程:
R为电流采样电阻,D2对T2起过流保护。当T2导通时,uD3=uBE2+iOR-uD1,未过流时iOR较小,uD3因小于开启电压而截止;过流时uD3因大于开启电压而导通,为T2基极分流。D4对T4起过流保护,原因与上述相同。
图(b)所示电路中,T4、T5使T2、T3微导通,可消除交越失真。
R2为电流采样电阻,T6对T2起过流保护。当T2导通时,uBE6=uBE2+iOR-uBE4,未过流时iOR较小,因uBE6小于开启电压T6截止;过流时6因大于开启电压T6导通,为T2基极分流。T7对T3起过流保护,原因与上述相同。
(2)加消振电容,在晶体管T2的基极与地之间。
(3)可在晶体管T2基极和集电极之间加消振电容。因为根据密勒定理,等效在基极与地之间的电容比实际电容大得多。
6.21(a)C2到R3,提高输入电阻,改善跟随特性。
(b)C2到R3,提高第二级跟随范围,增大放大倍数,使输出的正方向电压有可能高于电源电压。
6.22(1)
uB1=uB2↑→uC1=uC2↓(uB4=uB5↓)→iE4=iE5↓→uR5↓(uB3↓)→iC3↓→uR1↓
uC1=uC2↑←
6.14(1)Af≈1/F=500
(2)Af相对变化率为A的相对变化率的 ,约为0.1%。
6.15
6.16UO的调节范围约为
6.17反馈系数 的上限值为-60dB,即 的上限值为10-3。
4.15(1)为T1提供静态集电极电流、为T2提供基极电流,并为T1的有源负载。
(2)T4截止。因为uB4=uC1=uO+uR+uB2+uB3,uE4=uO,uB4<uE4。
(3)T3的射极电流,在交流等效电路中等效为阻值非常大的电阻。
(4)保护电路。uBE5=iOR,未过流时T5电流很小;过流时使iE5>50μA,T5更多地为T5的基极分流。
(2)
(因为ro很小)
(参阅P297~P298)
6.23(a)反馈放大电路的基本放大电路如下图所示,因此
整个电路的输入电阻约为(R+Rf/Aod)。
(b)反馈放大电路的基本放大电路如下图所示,因此
四、(1)IC3=(UZ-UBEQ3)/Re3=0.3mAIE1=IE2=0.15mA
(2)减小RC2。
当uI=0时uO=0,ICQ4=VEE/RC4=0.6mA。
习题
3.1(a)共射,共基(b)共射,共射(c)共射,共射(d)共集,共基
(e)共源,共集(f)共基,共集
3.2图(a)
图(b)
图(c)
若R3开路,则uo=0V。若R3短路,则uo=11.3V(直流)。
第四章
自测题
一、(1)C(2)B(3)C(4)A(5)A
二、(1)×(2)√(3)√(4)√(5)×
三、
四、(1)三级放大电路,第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路,第二级是共射放大电路,第三级是互补输出级。
(2)第一级:采用共集-共基形式,增大输入电阻,改善高频特性;利用有源负载(T5、T6)增大差模放大倍数,使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数,同时减小共模放大倍数。
图(a)中:
图(b)中:
4.8(1)T1和T2、组成的复合管为放大管,T5和T6为有源负载,双端输入、单端输出的差分放大电路。
(2)
4.9同题4.8。
4.10(1)
(2)当有共模输入电压时,uO=0。
Rc1>>rD,△uC1=△uC2,因此△uBE3=0,故uO=0。
4.11(1)C(2)C(3)B(4)A
5.18 。在折线化幅频特性中,频率小于10Hz时斜率为+40dB/十倍频,频率大于105Hz时斜率为-40dB/十倍频。在折线化相频特性中,f=10Hz时相移为+90o,f=105Hz时相移为-90o。
第六章
自测题
一、(1)×(2)√(3)×(4)√
二、(1)B(2)C(3)A(4)D
三、(a)电流串联负反馈。
在输出特性中作直流负载线uDห้องสมุดไป่ตู้=VDD-iD(RD+RS),与UGSQ=-2V的那条输出特性曲线的交点为Q点,UDSQ≈3V。
(2)
2.22(1)求Q点:UGSQ=VGG=3V
从转移特性查得,当UGSQ=3V时,IDQ=1mA,UDSQ=VDD-IDQRD=5V
(2)求电压放大倍数:
2.23
2.24(a)×(b)×(c)NPN型管,上-集电极,中-基极,下-发射极。
第二级共射放大电路以T7、T8构成的复合管为放大管、以恒流源作集电极负载,增大放大倍数。
第三级加偏置电路,利用D1、D2消除交越失真。
五、(1)①(2)③(3)⑦(4)②(5)⑥(6)⑤(7)④
习题
4.1输入级、中间级、输出级和偏置电路。
输入级为差分放大电路,中间级为共射放大电路,输出级为互补电路,偏置电路为电流源电路。
4.16T1-共射电流的放大管,T2和T3-互补输出级,T4、T5、R2-消除交越失失真。
4.17(1)u11为反相输入端,u12为同相输入端。
(2)为T1和T2管的有源负载,将T1管集电极电路变化量转换到输出,使单端输出的放大倍数近似等于双端输出时的放大倍数。
(3)为T6设置静态电流,且为T6的集电极有源负载。
5.12
5.13(1)
(2)
图略。
5.14
5.15
图略。
5.16
(3)折线画法,低频段有两个拐点,f<4Hz时幅频特性的斜率为40dB/十倍频,4Hz<f<50Hz时幅频特性的斜率为20dB/十倍频;高频段有一个拐点,f>105Hz时幅频特性的斜率为-40dB/十倍频。图略。
5.17(1)Ce
(2) 所在回路的τ大于 所在回路的τ,第二级的上限频率低。
4.12因为UBE3+UCE1=2UD,UBE1≈UD,UCE1≈UD,所以UCB≈0,反向电路为零,因此ICBO对输入电流影响很小。
4.13(1)因为β>>2,所以iC2≈iC1≈iI2。
(2)iB3=iI1-iC2≈iI1-iI2
(3)
4.14图(a)所示电路中,D1、D2使T2、T3微导通,可消除交越失真。
(c)同时出现饱和失真和截止失真,增大VCC。
2.9(a)截止失真(b)饱和失真(c)同时出现饱和失真和截止失真
2.10(1)
(2)
2.11空载时,
2.12②①②①③
③②①③①
③③①③③
2.13(1)静态及动态分析:
(2)Ri增大,Ri≈4.1kΩ; 减小, ≈-1.92。
2.14
2.15Q点:
动态:
6.4(a)直流负反馈(b)交、直流正反馈(c)直流负反馈
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