三极管基础练习题

三极管练习题

一、填空题：

1．晶体管工作在饱和区时发射结偏；集电结偏。

2．三极管按结构分为_和两种类型，均具有两个PN结，即______和______。

3.三极管是___________控制器件，场效应管是控制器件。

4.晶体管放大电路的性能指标分析，主要采用等效电路分析法。

5.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U1=,U2=,U3=15V，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。

6.场效应管输出特性曲线的三个区域是________、___________和__________。

7．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是____和

______。

8．场效应管同三极管相比其输入电阻_________，热稳定性________。

9.采用微变等效电路法对放大电路进行动态分析时，输入信号必须是________的信号。

10.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。

11.在正常工作范围内，场效应管极无电流

12．三极管按结构分为______和______两种类型，均具有两个PN结，即___________和

_________。

13.晶体三极管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件，而场效应管是一种＿＿＿控制＿＿＿器件。14．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。

15．作放大作用时，场效应管应工作在＿＿＿＿(截止区，饱和区，可变电阻区)。

16．晶体三极管用于放大时，应使发射极处于＿＿偏置，集电极处于＿＿偏置。

二、选择题：

1.有万用表测得PNP晶体管三个电极的电位分别是V C=6V，V B=，V E=1V则晶体管工作在（）状态。

A、放大

B、截止

C、饱和

D、损坏

2、三级管开作在放大区，要求（）

A、发射结正偏，集电结正偏

B、发射结正偏，集电结反偏

C、发射结反偏，集电结正偏

D、发射结反偏，集电结反偏

3、在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的哪个区域（）

A可变线性区B截止区C饱合区D击穿区

4.一NPN型三极管三极电位分别有V C=，V E=3V，V B=，则该管工作在（）

A．饱和区B．截止区

C．放大区D．击穿区

+ -8V + +5V + -3V + +5V 5.三极管参数为P CM =800mW,I CM =100mA,U BR(CEO)=30V,在下列几种情况中，（）属于正常工作。

A ．U CE =15V ，I C =150mA

B ．U CE =20V ，I

C =80mA

C ．U CE =35V ，I C =100mA

D ．U C

E =10V ，I C =50mA

6.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（）

AV C =，V E =0V ，V B ==-4V ，V E =，V B =

CV C =6V ，V E =0V ，V B =-3VDV C =2V ，V E =2V ，V B =

7.如果三极管工作在截止区，两个PN 结状态（）

A ．均为正偏

B ．均为反偏

C ．发射结正偏，集电结反偏

D ．发射结反偏，集电结正偏

8.场效应管工作在恒流区即放大状态时，漏极电流ID 主要取决于（）

A 、栅极电流

B 、栅源电压

C 、漏源电压

D 、栅漏电压。

9.场效应管是一种（）器件

A 、电压控制双极型

B 、电压控制单极型

C 、、电流控制双极型

D 、电流控制单极型、

10.有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =，V E =1V 则晶体管工作在（）状态。

A 、放大

B 、截止

C 、饱和

D 、损坏

11、工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12μA 增大到22μA 时，IC 从1mA 变为2mA ，那么它的β约为()。

、工作于放大状态的PNP 管，各电极必须满足（）

A ．ＵC>UB>UE

B 。ＵC

C 。UB>ＵC>UE

D 。ＵC>UE>UB

13．下列场效应管，哪一个是耗尽型NMOS 管（）

A ．

B 。

C 。

D 。

14、UGS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有()。

A.结型管

B.增强型MOS 管

C.耗尽型MOS 管

三、判断题

1、 判断图示三极管的工作状态。

2、 判断图示电路对交流信号有无放大作用。若无放大作用，请予改正。

3、如图示，试判断工作在饱和状态的管子（）。 4.工作在放大区的三极管，集电结正偏。 5.晶体三极管的C 、E 可以交换使用。 6．三极管是电压放大元件。 7．处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成 8、若耗尽型

N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。 9、绝缘栅型场效应管是利用改变栅源电压来改变导电沟道宽窄的。 10、三极管按结构分为硅型和锗型三极管。 11、如图示，试判断工作在放大状态的管子（）。

3V 2V 6V (c) 5V 0V (a) -5V

-1V (b) 3V (d) ＋V CC u o u i R C R B C 1 C 2 V 。 。 。 。 。 (a) 。 ＋V CC u o u i R C R B C 1 C 2 V 。 。 。 。 + -8V + +5V + (a) + -3V (b) + +4V (c) +5V 0V (d)