二极管的结构.

19
14
温度对二极管伏安特性的影响
15
五、二极管型号命名规则 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：
16
部分国产半导体高频二极管参数表
最高反向 工作电压 （峰值）V 2AP1 2ck7 20 100 反向击 穿电压 V ≥40 ≥150 正向 电流 mA ≥2.5 ≥5.0 反向 电流 μA ≤250 ≤250 最高工 作频率 MHZ 150 300 极间 电容 pF ≤1 ≤0.1 最大 整流电流 mA 16 20
3.3 二极管
一、二极管的结构
二、二极管的伏安特性
三、二极管的主要参数
1
一、二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二 极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型两大类。
1.点接触型二极管 PN 结 面 积 小 ， 结 电容小，用于检波和变 频等高频电路。
点接触型二极管的结构示意图
2
2.面接触型二极管
PN 结面积大， 用于工频大电流整 流电路。
面接触型
3
3.平面型二极管
阳极 阴极 引线 引线
往往用于集成电路制造艺 中。 PN 结面积可大可小， 用于高频整流和开关电路 中。
P N P 型支持衬底
平面型 4.二极管的符号
阳极a 阴极k
4
半导体二极管图片
5
6
7
二、二极管的V-I 特性 二极管的V-I 特性曲线可用下式表示：
R
iD + vD 正向特性
iD I S (e
vD / VT
1)
反向特性
反向击穿特性 硅二极管2CP10的V-I 特性 锗二极管2AP15的V-I 特性
8
三、二极管的主要参数 1.最大整流电流IF 2.反向击穿电压VBR 3.反向电流IR 4.极间电容CD（CB、CD） 5.反向恢复时间TRR
11
iD
VBR O
D
5.极间电容Cd PN结存在扩散电容CD和势垒电容CB ，极间电容是反 映二极管中PN结电容效应的参数。
Cd CD CB
6.反向恢复时间TRR 由于二极管中PN结电容效应的存在，当二极管外加电 压极性翻转时，其工作状态不能在瞬间发生改变。
பைடு நூலகம்12
7.正向压降VF
R iD + VDD vD – 1.0 iD=– IS 1.0 D/V iD/mA 1.0
9
1. 最大整流电流IF
R VDD iD + vD -
指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 根据二极管功率不同， IF由几毫安到几百安培不等。如 2AP1最大整流电流为16mA。
10
2.反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM VBR是指二极管反向击穿时 的电压。不同的二极管有不同的 反向击穿电压。一般手册中给出 的反向电压是实际的一半。 VRM =0.5VBR 3. 反向电流IR 是指二极管反向加电压时， 在没有击穿前的电流。其值愈 小愈好。一般几纳安到几微安。 硅 (nA)级；锗 (A)级
17
六、二极管的测试 1.二极管极性的判定 将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得电阻值 很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管正极，红 表笔所接为负极；若测得阻值很大（几百千欧以上），则黑 表笔所接电极为二极管负极，红表笔所接为正极。
二极管极性的判定
18
2.二极管好坏的判定 1.若测得的反向电阻很大（几百千欧以上），正向电 阻很小（几千欧以下），表明二极管性能良好。 2.若测得的反向电阻和正向电阻都很小，表明二极管 短路， 已损坏。 3.若测得的反向电阻和正向电阻都很大，表明二极管 断路，已损坏。
部分国产半导体整流二极管参数表
最大整流 电流 A 2CZ52A 2CZ54D 2CZ57F 0.1 0.5 5 最高反向 工作电压 （峰值）V 25 1400 3000 反向电流 （125°） μA 1000 1000 1000 正向压降 （平均值） V ≤0.8 ≤0.8 ≤0.8 最高 工作频率 MHZ 3 3 3
0.5
– 0.5
0
0.5
导通压降：
PN结的伏安特性
Von硅 0.7 V （硅二极管典型值） V 0.2 V （锗二极管典型值）
on锗
13
四、二极管的温度特性 二极管是对温度非常敏感的器件。
实验表明:
随温度升高，二极管的正向压降会减小，正向伏 安特性左移，即二极管的正向压降具有负的温度系数 （约为-2mV/℃）； 温度升高，反向饱和电流会增大，反向伏安特性 下移，温度每升高10℃，反向电流大约增加一倍。