2016秋新版浙大远程电子技术基础离线作业答案第二篇第4章习题

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电子技术基础习题答案解析

第1章检测题（共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。

P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。

这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。

2、三极管的内部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。

三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。

3、PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。

4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。

扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。

空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。

5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R×1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。

检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。

6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。

其导电沟道分有N沟道和P沟道。

7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。

8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。

二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。

（错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。

浙江大学远程教育电子技术基础作业

一、某放大电路经过测试得到如图1所示的电路结构，管子型号已经无法看清，可能是双极型管，也可能是单极型管。

画出两种可能的管子号（要标明相应的管脚位置）图1二、在图2所示电路中，晶体管的β=100，饱和管的压降V CES=0.3V；静态时b-e之间的电压V BEQ=0.7V，电阻R b1中的电流远大于晶体管的基极电流。

1.电路正常工作时，它是一个什么组态的放大电路？2.请列出电路正常工作时的电压放大倍数A v=v o/v i表达式。

3.列出电路中的输入电阻R i和输出电阻R o表达式。

4.当发生表中所列某一故障时，晶体管的b、c极的直流电位V BQ、V CQ约等于多少？晶体管处于什么状态（放大、饱和、截止）？将答案填入表格的相应位置。

图2故障原因V B/V V C/V 状态R c短路R b2开路R e短路R L开路三、由理想运放A1，A2组成的反馈放大电路如图所示，设A1，A2输出电压的最大幅值为±12V。

已知输入电压为0.1V。

1.A1和A2分别组成何种运放电路？2.计算输出V o=V o1-V o2的值3.若电阻R1开路，计算V o的值4.若电阻R1短路，计算V o的值5.计算该运算电路的输入电阻R if.四、数电基本知识题1.进制数和代码间转换（85）10=（）2=（）8421（1100100）2=（）8=（）10=（）162.将函数F=f(A,B,C)=AC+A B+BC(B表示B非)化为最小项之和表达式3.将函数F= f(A,B,C)=AC+ A B+BC用卡诺图表示（填在卡诺图上）五、有一个共阴极的半导体数码管（LED），共六段，分别用P1，P2，P3,P4,P5,P6表示，如图所示。

二位二进制计数器的初始状态Q1Q为“00”，试设计一个译码电路，在CP的脉冲下，使数码管轮流显示汉字“十”、“口”，“日”，“田”字型。

要求：1.列出译码器真值表；2.写出P1,P2,P3,P4,P5,P6段的最简与或逻辑函数表达式。

浙江大学远程教育2016年秋季计算机基础知识题1

第1章计算机基础知识(单选题)这些题目必须做一遍，来自统考题库（期末考试题也多半出在这里），参考答案在另一个Word文档中（上传自己做的答案后才可以下载…）。

据说，统考题库中大约有10,000测试题，我想它的十分之一还是要做的。

只要大家听话，一次性通过考试还是没问题的。

知识题以单选题的形式给出。

一．关于计算机的诞生与发展1、一般认为，世界上第一台电子数字计算机诞生于__A____。

A.1946年B.1952年C.1959年D.1962年[解析]参考p.12、当前的计算机一般被认为是第四代计算机，它所采用的逻辑元件是___C___。

A.集成电路B.晶体管C.大规模集成电路D.电子管[解析]请记忆：第一代主要元件是电子管，第二、三代分别是晶体管和集成电路（参考p.1和p.2）。

计算机经历了四个时代，其划分主要依据是计算机的“构成元件”（又称电子元器件）。

3、下列关于世界上第一台电子计算机ENIAC的叙述中，错误的是__D____。

A.世界上第一台计算机是1946年在美国诞生的B.它主要采用电子管作为主要电子器件C.它主要用于军事目的和科学计算，例如弹道计算D.确定使用高级语言进行程序设计[解析] ENIAC是第一台电子计算机的英文缩写。

从第二代计算机才开始引入高级程序语言BASIC和ForTran等，所以D是错的。

4、目前，微型计算机中广泛采用的电子元器件是__D____。

A.电子管B.晶体管C.小规模集成电路D.大规模和超大规模集成电路[解析]略5、早期的计算机体积大、耗电多、速度慢，其主要原因是制约于__D____。

A.元材料B.工艺水平C.设计水平D.元器件 -----早期的计算机元器件是电子管，其体积大、耗电多。

[解析]略二．计算机的分类6、计算机可分为数字计算机、模拟计算机和数模混合计算机，这种分类是依据__B____。

A.功能和用途B.处理数据的方式（或处理数据的类型）C.性能和规律D.使用范围[解析]参考p.2。

《电子技术基础》第4至7章试题及答案

《电子技术基础》（中职电工类第5版）第4至7章试题及答案一．填空题：1.将交流电变换成直流的过程叫整流。

2.在单相桥式整流电路中，如果负载电流是20A,则流过每只晶体二极管的电流是10 A。

3.在输出电压平均值相等的情况下，三相半波整流电路中二极管承受的最高反向电压是三相桥式整流电路的2倍.4.整流二极管的冷却方式有自冷、风冷和水冷三种。

5.检查硅整流堆正反向电阻时，对于高压硅堆应用兆欧表。

6.三端可调输出稳压器的三端是指输入、输出和调整三端。

7.三端固定输出稳压器CW7812型号中的12表示为+12 V。

8.并联型稳压电路是直接利用稳压管电流的变化，并通过限流电阻的调压作用，达到稳压的目的。

9.用“1”表示低电平，“0”表示高电平，称为负逻辑。

10.由与、或、非三种基本门电路可以组合成复合门电路。

11.集电极开路门的英文编写为OC 门.12. TTL门电路输出端不允许直接接电源或接地。

13. CMOS 集成电路的多余输人端不能悬空_。

14.为有良好的静电屏蔽，CMOS集成电路应存在密闭容器中。

15.十进制数有16个数码，基数为16 。

16.将十进制数175转换成二进制数为（10101111）217.在数字电路中，逻辑变量的值只有 2 个。

18.四位二进制编码器有十个输入端2个输出端。

19. BCD码编码器能将二进制数码编成十进制代码。

20. 优先编码器当多个信号同时输入时，只对优先级别最高位的一个进行编码。

21. 8线-3线优先编码74LS148,有 8 个输入端，3个输出端。

22. 触发器有 2 个稳定状态。

23. JK触发器的逻辑功能为置1，置0，保持和翻转。

24. JK触发器中，若J=1 ，K= 1 则实现计数功能。

25.计数器还可以用来统计，定时、分频或者进行数字运算等。

26.计数器按计数趋势不同可分为加法、减法和可逆计数器。

27.模数转换器通常要经过采样、保持、量化和编码四步完成。

28.晶闸管的电流参数有通态平均电流和维持电流等。

《电子技术基础》试题及参考答案

《电子技术基础》习题答案一、单选题1抑制零点漂移的最有效的电路是（A ）A、差分放大电路B、阻容耦合电路C、直接耦合电路D、功放电路2要增大放大电路的输入电阻时，应引入（C ）反馈A、电压反馈B、电流反馈C、串联负反馈D、并联负反馈3构成计数器的基本电路是（D）。

A.或非门B.与非门C.与或非门D.触发器4放大器功率放大倍数为100，问功率增益是多少分贝（B）。

A.10dBB.20dBC.30dBD.40dB5八输入端的编码器按二进制数编码时，输出端的个数是（B）。

A.2个B.3个C.4个D.8个6编码器、译码器为（A）。

A.组合逻辑电路B.时序逻辑电路C.A和B7单相桥式整流滤波电路中，若变压器副绕组电压有效值为10V，而测得输出电压为14.1V，则说明：（B ）A、电容开路 B 负载开路 C 电容击穿 D 二极管损坏8要减小放大电路的输入电阻时，应引入（D ）反馈。

A、电压反馈B、电流反馈C、串联负反馈D、并联负反馈9理想二极管在单相桥式整流电路（电阻负载）中承受的最大反向电压是（C）。

A.大于B.小于C.等于D.大于，小于210单相半波整流电路输出电压平均值U0= （A ）A、0.45U2B、0.9U2C、1.1U2D、1.2U211利用二极管进行偏置的OTL电路是（ C）A、甲类功率放大器B、乙类功率放大器C、甲乙类功率放大器12实验中如果测得二极管的正反向电阻都很小，则该二极管（ C）A、正常B、内部断路C、已被击穿D、以上都不是13所谓机器码是指（B）。

A.计算机内采用的十六进制码B.符号位数码化了的二进制数码C.带有正负号的二进制数码D.八进制数14集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（B）。

A.正反馈与负反馈B.线性与非线性C.虚断和虚短15在反馈放大电路中，若反馈信号与净输入信号作用于同一个节点，且瞬时极性相同，则属于（B ）A、负反馈B、正反馈C、无法判断16一共射极放大电路的NPN三极管工作在饱和导通状态，其发射结电压和集电结电压分别为（B）。

2016秋新版浙大远程电子技术基础离线作业答案第二篇第1章习题(word文档良心出品)

第二篇第1章习题题2.1.1 在图题2.1.1所示的差分放大电路中，设T 1、T 2管特性对称，已知β=60，r be =2 k Ω，其余参数如图中所示。

(1) 计算T 1、T 2管的静态集电极电流I CQ 和集电极电压V CQ ； (2) 求差模电压放大倍数vd A ；(3) 计算差模输入电阻R id 和输出电阻R o 。

图题 2.1.1答：（1）因恒流供电，所以，V V mA I CQ CQ 5,1=≈；（2）.75-=vd A ；（3）8=i R k Ω,10=O R k Ω; 题2.1.2 在图题2.1.2所示的差分放大电路中，设T 1、T 2管特性对称，β1=β2=100，V BE =0.7V ，且r bb ′=200Ω，其余参数如图中所示。

(1) 计算T 1、T 2管的静态电流I C1Q 、I C2Q 和静态电压V CE1Q 、V CE2Q ； (2) 计算差模电压放大倍数iovd V V A =；(3) 若v I =20sin ωt m V ，写出v O 的波形表达式。

图题 2.1.2答：这是一个单入/单出差分放大电路。

（1）静态计算和双入/双出相同，输入静态为零时：因为V E =-0。

7后可求得：V V V V V V mA I I OQ Q CE Q CE Q C Q C 58.2,28.3,7.12,57.02121====；（2）1.52.=vd A ；（3）)sin 04.158.2(t v o ω+=V 。

题2.1.3 在图题2.1.3所示的差分放大电路中，设T 1、T 2管特性对称，β1=β2=100，V BE =0.7V ，且r bb ′=200Ω，其余参数如图中所示。

(1) 计算T 1、T 2管的静态电流I CQ 和静态电压V CEQ 。

若将R c1短路，其它参数不变，则T 1、T 2管的静态电流和电压如何变化？(2) 计算差模输入电阻R id 。

当从单端（c 2）输出时的差模电压放大倍数2vd A &=?； (3) 当两输入端加入共模信号时，求共模电压放大倍数2vc A &和共模抑制比K CMR ； (4) 当v I1=105 mV ，v I2=95 mV 时，则T 2管集电极电压v C2是多少？e 点电压v E 是多少？图题 2.1.3答：(1) 求静态工作点：mA 56.0102101/107122)1/(1=⨯+-=+β+-=e b BE EE CQ R R V V IV 7.07.01010056.01-≈-⨯-=--=BE b BQ E V R I V V 1.77.01056.012=+⨯-=--=E c CQ CC CEQ V R I V V若将R c1短路，则mA 56.021==Q C Q C I I （不变） V 7.127.0121=+=-=E CC Q CE V V VV 1.77.01056.0122=+⨯-=--=E c CQ CC Q CE V R I V V （不变）(2) 计算差模输入电阻和差模电压放大倍数：Ω=⨯+=β++=k 9.456.026101200)1('EQ T bb be I V r r Ω=+⨯=+=k 8.29)9.410(2)(2be b id r R R5.338.2910100)(22.=⨯=+=be b cd r R R A β(3) 求共模电压放大倍数和共模抑制比：5.0201019.410101002)1(2.-=⨯++⨯-=+++-=e be b c c R r R R A ββ675.05.332.2.===c d CMR A A K （即36.5dB ） (4) 当v I1=105 mV ，v I2=95 mV 时，mV 109510521=-=-=I I Id v v vmV 100295105221=+=+=I I Ic v v v m V 285100)5.0(105.332.2.2=⨯-+⨯=⋅+⋅=∆Ic c Id d O v A v A v所以，V O2相对于静态值增加了285 mV 。

电子技术习题答案(附题目)

电子测量的意义
有助于了解电路的工作状态和性能，发现故障和问题，提高电子产品的质量和可靠性。
02
模拟电子技术
放大器
放大器的基本原理
放大器是一种能够将微弱的电信号进行放大的电子器件。它通过改变输入信号的幅度，实现信号的放大，以便满足各种应用需求。
放大器的性能指标
放大器的性能指标包括电压增益、电流增益、功率增益、带宽、输入输出阻抗等。这些指标用于描述放大器的性能，对于选择和使用合适的放大器至关重要。
组合逻辑电路
总结词
组合逻辑电路由逻辑门电路组成，用于实现各种逻辑函数和运算。
详细描述
组合逻辑电路由与门、或门、非门等基本逻辑门电路组成，通过不同的组合方式可以实现各种复杂的逻辑函数和运算。组合逻辑电路具有并行处理的优点，适用于大规模数据处理和高速度计算。
总结词
组合逻辑电路的设计方法包括真值表、卡诺图和公式法等。
总线是计算机中用于连接各个部件的线路。电子技术可以用于研究和开发各种类型的总线，如数据总线、地址总线等。总线可以提高计算机各个部件之间的通信效率和数据传输速度。
05
习题与答案
电子技术基础习题与答案
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总结词：基础概念
在此添加您的文本16字
详细描述：涵盖了电子技术的基本概念，如电流、电压、电阻、电容、电感等，以及欧姆定律、基尔霍夫定律等基本原理。
涵盖了模拟电子系统的设计方法，如系统分析、电路设计、仿真测试等，以及设计实例的分析。
数字电子技术习题与答案
总结词
数字逻辑基础
详细描述
介绍了数字逻辑的基本概念，如逻辑门、逻辑运算、触发器等，以及数字逻辑的定理和规则。

16秋浙大《电子技术基础》在线作业-推荐下载

对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术通关，1系电过，力管根保线据护敷生高设产中技工资术艺料0不高试仅中卷可资配以料置解试技决卷术吊要是顶求指层，机配对组置电在不气进规设行范备继高进电中行保资空护料载高试与中卷带资问负料题荷试2下卷2，高总而中体且资配可料置保试时障卷，各调需类控要管试在路验最习；大题对限到设度位备内。进来在行确管调保路整机敷使组设其高过在中程正资1常料中工试，况卷要下安加与全强过，看度并22工且22作尽22下可22都能22可地护以缩1关正小于常故管工障路作高高；中中对资资于料料继试试电卷卷保破连护坏接进范管行围口整，处核或理对者高定对中值某资，些料审异试核常卷与高弯校中扁对资度图料固纸试定，卷盒编工位写况置复进.杂行保设自护备动层与处防装理腐置，跨高尤接中其地资要线料避弯试免曲卷错半调误径试高标方中高案资等，料，编试要5写、卷求重电保技要气护术设设装交备备置底4高调、动。中试电作管资高气，线料中课并敷3试资件且、设卷料中拒管技试试调绝路术验卷试动敷中方技作设包案术，技含以来术线及避槽系免、统不管启必架动要等方高多案中项；资方对料式整试，套卷为启突解动然决过停高程机中中。语高因文中此电资，气料电课试力件卷高中电中管气资壁设料薄备试、进卷接行保口调护不试装严工置等作调问并试题且技，进术合行，理过要利关求用运电管行力线高保敷中护设资装技料置术试做。卷到线技准缆术确敷指灵设导活原。。则对对：于于在调差分试动线过保盒程护处中装，高置当中高不资中同料资电试料压卷试回技卷路术调交问试叉题技时，术，作是应为指采调发用试电金人机属员一隔，变板需压进要器行在组隔事在开前发处掌生理握内；图部同纸故一资障线料时槽、，内设需，备要强制进电造行回厂外路家部须出电同具源时高高切中中断资资习料料题试试电卷卷源试切，验除线报从缆告而敷与采设相用完关高毕技中，术资要资料进料试行，卷检并主查且要和了保检解护测现装处场置理设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。

2016秋新版浙大远程电子技术基础离线作业答案第一篇第2章习题

第一篇第2章题1.2.1 已知一锗二极管的伏安特性如图题1.2.1（a ）所示。

（1）若将其按正向接法直接与1.5 V 电池相连，估计会出现什么问题？（2）若将其按反向接法直接与30 V 电压源相接，又会出现什么问题？（3）电路如图（b ），当Ω===300,6.0R V V v S S 时，在（a ）中标出工作点，求出?=D V 和?=D I并计算二极管的直流电阻?=D R（4）当Ω==150,9.0R V V S 时，在（a ）中标出工作点，求出?=D V 和?=D I 并计算二极管的直流电阻?=D R图题1.2.1答：（1）正向过流而烧毁；（2）反向过压击穿损坏；（3）Ω≈k R D 3；（4）Ω≈k R D 1.0图题1.2.2题1.2.3 电路如图题1.2.3所示，分析在下述条件下二极管的通断情况（建议使用戴维南等效电路法）。

二极管D 采用大信号模型，其导通压降V V D 7.0=，V V V CC CC 621==，求出D 导通时电流D I 的大小。

（1）Ω=k R 21，Ω=k R 32；（2）Ω==k R R 321；（3）Ω=k R 31，Ω=k R 22。

图题1.2.3答：（1）mA I D 42.0=；（2）mA I D 0=；（3）mA I D 0=题1.2.5 图题1.2.5所示为桥式整流电路，设二极管为理想器件，变压器的原、副边绕组匝数比1121==N N n ，变压器损耗不计，t t V v m πω100sin 2220sin 11==。

试回答下列问题：（1）画出2v 和O v 的波形；（2）求负载L R 上的直流电压O V 和直流电流O I ；（3）求二极管的平均电流D I 和最大反向电压RM V 。

答：（1）是单相桥式全波整流电路(2) 负载上直流电压V O ≈0.9×V2＝0.9×20V ＝18V ，直流电流I O ≈18mA ； (3) I D =I O /2≈9mA ，V RM ≈28.2V 。

16秋浙大《电子技术基础》在线作业

A. 发射
B. 基
C. 集电
正确答案：
14. 组合逻辑电路应该由哪种器件构成()
A. 触发器
B. 计数器
C. 门电路
D. 振荡器
正确答案：
15. 半加器的输出端与输入端的逻辑关系是（）。
A. 与非
B. 或非
C. 与或非
D. 异或
正确答案：
浙大《电子技术基础》在线作业
13. PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位低。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
14. 反相比例运算电路，从负反馈角度看是电压并联负反馈。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
15. 发光二极管光谱范围相当宽。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
16. 在N型半导体中空穴是少数载流子。
二、判断题（共 35 道试题，共 70 分。）
1. 利用二极管的单向导电性可以完成整流的任务。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
2.
在数字电路中，晶体管一般工作在截止区和饱和区，起开关的作用。
A. 错误
B. 正确
正确答案：
3. 放大电路实质上是一种能量转换器。
C. 0.9
D. 1
正确答案：
9. JK触发器的输入J和K都接高电平上，如果现态为Qn＝0，则其次态应为()
A. 0
B. 1
C. 高阻
D. 不定
正确答案：
10. 理想情况下，差动放大器的差模输入电阻为()
A. 1
B. 0
C. 无穷

电子技术基础离线作业 (答案)

浙江大学远程教育学院《电子技术基础》课程作业姓名：学号：年级：学习中心：————————————————————————————— 模拟电子技术基础部分题1 在图1电路中，设V t v i ωsin 12=，试分析二极管的导电情况（假定D 均为理想二极管）。

图1题2电路如图2所示，分析在下述条件下各二极管的通断情况。

设二极管D的导通压降V D=0.7 V，并求出D导通时电流I D的大小。

（1）V CC1= 6 V，V CC2= 6 V，R1= 2 kΩ，R2= 3 kΩ；（2）V CC1= 6 V，V CC2= 6 V，R1=R2= 3 kΩ；（3）V CC1= 6 V，V CC2= 6 V，R1= 3 kΩ，R2= 2 kΩ。

图2v、题3图3（a）所示电路中，D1、D2为硅管，导通压降V D均为0.7 V，图3（b）为输入AB v 的波形，试画出O v 的波形。

题4 图3电路中，输入端A v 、B v 如按下述各种方法连接时确定相应的输出O v = ？。

（1）A v 接+2V ，B v 接+5V ；（2）A v 接+2V ，B v 接-2V ；（3）A v 悬空，B v 接+5V ；（4）A v 经3K 电阻接地，B v 悬空。

题3题5 图5所示电路中，设()V t v I ωsin 103+=，稳压管1Z D 和2Z D 的稳定电压分别为V V Z 51=、V V Z 72=，正向降压为0.7 V 。

试画出Z i 和O v 的波形（要求时间坐标对齐）。

题5题6 图6所示电路中，稳压管2CW16具有下列特性：稳定电压9 V ，耗散功率允许值250 mW ，稳压管电流小于1 mA 时不能稳压，且动态电阻不大于20Ω。

试按电路中的参数计算：（1）当Ω=k R L 1时，电流R I 、Z I 、L I 的大小；（2）当电源电压I V 变化20±%时，计算O V 的变化量。

题6题7 有甲、乙两个三极管一时辨认不出型号，但可从电路中测出它们的三个未知电极X 、Y 、Z 对地电压分别为：甲管V V X 9=，V V Y 6=，V V Z 7.6=；乙管V V X 9-=，V V Y 6-=，V V Z 2.6-=。

浙大远程教育计算机网络基础离线作业参考答案剖析

浙江大学远程教育学院《计算机网络基础》课程作业姓名：学号：年级：学习中心：—————————————————————————————第1章概述一．填空题：1.从资源共享的角度来定义计算机网络，计算机网络指的是利用通信线路将不同地理位置的多个独立的自治计算机系统连接起来以实现资源共享的系统。

2.在TCP/IP的应用层协议一般使用的是客户服务器方式，其中，客户是服务请求方，服务器是服务提供方。

3.美国的IBM公司在1974年宣布了它研制的网络体系结构 SNA 。

4.通信线路的带宽是指通信线路上允许通过的信号频带范围(或通频带) ，单位是HZ。

但在计算机网络中，它又用来表示网络通信线路所能传送数据的能力。

5.数据通信中的信道传输速率单位用b/s表示，b/s的含义是每秒比特。

6.目前，“带宽”常用作描述信道传送数据能力的物理量，其单位是 b/s(bit/s),比之大的单位有： Kb/s 、 Mb/s 、 Gb/s 等。

7.将计算机网络划分为局域网LAN、城域网MAN、广域网WAN是按网络的作用范围划分的。

8.各节点都与中心节点连接，呈辐射状排列在中心节点周围，这种拓扑结构称为星型拓朴结构。

9.假设某用户通过电线部门的ADSL技术以2M（即2Mb/s）带宽接入Internet，在正常情况下其下载速度大约是 244KB/s 。

10.发送数据时，数据块从结点进入到传输媒体所需要的时间称为发送时延；网络中电磁信号在信道中传播一定的距离而花费的时间称为传播时延。

11.在发送报文之前，先将较长的报文划分成为一个个更小的等长数据段，在每一个数据段前面，加上一些由必要的控制信息组成的首部(header)后，就构成了一个分组。

12.在计算机网络中，各个子层及其各子层的协议的集合称为网络体系结构。

13.开放系统互联，采用分层体系结构的模型称为 OSI 参考模型。

14.在OSI参考模型中，在对等层次上传送的数据单位，都称为该层的协议数据单元（PDU）。

电子技术基础习题答案

中等职业教育电类专业规划教材电子技术基础练习册习题答案丛书主编程周主编范国伟副主编袁洪刚关越主审任小平Publishing House of Electronics Industry北京 BEIJING《电子技术基础练习册》习题答案范国伟袁洪刚关越编写第一篇模拟电子技术基础第1章半导体二极管和三极管1.1 半导体的基本知识一、填空题1、（自由电子、空穴、N型半导体、P型半导体）；（掺杂半导体导电粒子）2、（电子、空穴）3、（电子型半导体、五价元素、电子、空穴）4、（三价元素、空穴、自由电子）5、（单向导电性、正极、负极、反向电压、反向偏置）6、（较大、导通、很小、截止）二、判断题1、×2、√3、×4、×5、×三、选择题1、C、2、B、3、C四、问答题1、答：PN结的主要特性是单向导电性，即PN结在加上正向电压时，通过PN结的正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态；PN结在加上反向电压时，通过PN结的反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。

1.2 半导体二极管一、填空题1、（单向导电性、正极或阳极、负极或阴极、V、）2、（硅管、锗管、点接触型、面接触型、检波二极管、开关二极管）3、（单向导电性、0.5、0.2、0.7、0.3）4、（最大正向电流I FM、最大反向工作电压U RM、最大反向电流I RM、一半或三分之一）5、（硅、稳压、锗、开关、硅、整流、锗、普通；）6、（过热烧毁、反向击穿）二、判断题1、×2、√3、×4、×5、×6、×三、选择题1、C2、B3、C4、B5、C6、A7、C四、问答题1、答：（1）N 型锗材料普通二极管；（2）N 型锗材料开关二极管；（3）N 型硅材料整流二极管；（4）N 型硅材料稳压二极管；2、答：不能，因为1.5伏的的干电池会使流过二极管的电流很大，可能烧坏二极管。

2016秋新版浙大远程电子技术基础离线作业答案第二篇第5章习题剖析

第二篇第5章习题题2.5.1 一双电源互补对称电路如图题2.5.1所示，设已知V CC =12V ，R L =16Ω，v I 为正弦波。

求：（1）在三极管的饱和压降V CES 可以忽略不计的条件下，负载上可能得到的最大输出功率P om =？（2）每个管子允许的管耗P CM 至少应为多少？（3）每个管子的耐压｜V (BR)CEO ｜应大于多少？图题2.5.1解：(1) 负载上可能得到的最大输出电压幅度V om =12V(W 5.416212222=⨯==L om om R V P ) (2) (W)9.02.0(max)==om CM p P ∴CM P ≥0.9W (3) CEO BR V )(≥24V题2.5.2 在图题2.5.2 所示的OTL 功放电路中，设R L =8Ω，管子的饱和压降｜ＶCES ｜可以忽略不计。

若要求最大不失真输出功率（不考虑交越失真）为9W ，则电源电压V CC 至少应为多大？（已知v i 为正弦电压。

）图题2.5.2解：W 982)21(2)21(22(max)=⨯==CC L CC om V R V PV CC =24(V)∴电源电压V CC 至少24V题2.5.3 OTL 放大电路如图题2.5.3所示，设T 1、T 2特性完全对称，v i 为正弦电压，V CC =10V ，R L =16Ω。

试回答下列问题：（1）静态时，电容C 2两端的电压应是多少？调整哪个电阻能满足这一要求？（2）动态时，若输出电压波形出现交越失真，应调整哪个电阻？如何调整？（3）若R 1=R 3=1.2k Ω，T 1、T 2管的β=50，｜V BE ｜=0.7V ，P CM =200mW ，假设D 1、D 2、R 2中任意一个开路，将会产生什么后果？图题2.5.3解：(1) 静态时，电容C 2两端的电压应为5V 。

调整R 1、R 3，可调整上、下两部分电路的对称性，从而使C 2两端电压为5V 。

2016秋新版浙大远程电子技术基础离线作业答案第三篇第4章习题

第三篇第4章习题题3.4.1 数字逻辑器件可分为哪几类?每一类各有什么特点?题3.4.2 简述PLD器件的一般结构。

题 3.4.3 试用可编程与或阵列实现三位二进制码(B2B1B0)转变为三位格雷码(G2G1G0)的代码转换电路，并画出简化逻辑电路图。

代码转换表如表题3.4.3所示。

表题3.4.3 三位二进制码转变为三位格雷码的代码转换表题3.4.4 简述大规模可编程逻辑器件的基本结构。

题3.4.5 大规模可编程逻辑器件有哪些类型？CPLD和FPGA有什么区别？题3.4.6 可编程逻辑器件的常用编程工艺有哪些？各有什么特点？题3.4.7 简述CPLD标准逻辑块（GLB）的结构与特点。

题3.4.8 简述FPGA产品可配置逻辑块（CLB）的内部结构与功能。

题3.4.9简述CPLD器件I/O单元的结构和配置。

题3.4.10简述FPGA输入/输出接口模块（IOB）的结构与功能。

题3.4.11简述数字系统的EDA设计技术是和一般设计流程。

题3.4.12 EDA的基本工具有哪些？题3.4.13 数字系统EDA设计输入工具有哪些？各有什么特点？题3.4.14 数字系统EDA综合工具的目标是什么？题3.4.15 数字系统EDA功能仿真和定时仿真有什么区别？题3.4.16 试用集成PLD设计工具设计一个一位全加器，输入变量A（加数），B（被加数），Cin（低位进位）和输出变量S（和数），Cout（进位输出）分别保存在寄存器中。

体会EDA设计的综合过程和物理设计过程题3.4.17 登录网站，查找FLEX6000/8000/10K、Stratix系列产品的封装，引脚和器件结构的差别。

题3.4.18 登录网站，查找SpartanII、Spartan-IIE、Virtex-II、Virtex-II Pro 系列产品的封装，引脚和器件结构的差别。

浙大远程电力电子离线作业

浙江大学远程教育学院《电力电子技术》课程作业姓名：学号：年级：学习中心：—————————————————————————————第1章1．把一个晶闸管与灯泡串联，加上交流电压，如图1-37所示图1-37问：（1）开关S闭合前灯泡亮不亮？（2）开关S闭合后灯泡亮不亮？（3）开关S闭合一段时间后再打开，断开开关后灯泡亮不亮？原因是什么？解：（1）开关S闭合前，灯泡不亮。

（2）开关S闭合后，灯泡亮。

（3）灯泡不亮，因为晶闸管已关断。

2．在夏天工作正常的晶闸管装置到冬天变得不可靠，可能是什么现象和原因？冬天工作正常到夏天变得不可靠又可能是什么现象和原因？解：在夏天，晶闸管触发电路调试好后正常工作，但到冬天随着温度变化，U GT和I GT的数值增大。

所以原来调整好的触发电路数值已不够，则晶闸管装置变得不可靠。

在冬天，晶闸管触发电路调试好后正常工作，到了夏天随着温度变化，U GT和I GT数值变低了，收外界干扰，出现误导通，所以变得不可靠。

3．型号为KP100-3，维持电流I H＝4mA的晶闸管，使用在如图1-38电路中是否合理？为什么？（分析时不考虑电压、电流裕量）(a) (b) (c)图 1-38 习题5图解：（a ）mA I mA A I H d 42002.010501003=<==⨯=，,H d I I < 无法导通，不合理。

（b ）A I 20102002==H I A I I >==7.1257.1/2dVU TM 8.2822200==VV 3008.282<能正常工作（c ） H I A I >==1601/160d A Id I T 160==A A 15710057.1160=⨯>不能正常工作4．什么是IGBT 的擎住现象？使用中如何避免？解：（1）IGBT 的擎住效应有静态擎住和动态擎住静态擎住：IC 上升，Rbr 压降使NPN 通，经正反馈，寄生等效晶闸管通，IGBT栅极失去控制作用。