HgCdTe环孔pn结光伏探测器暗电流机制

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叩ertⅢ.e p—n junction are measured aJld analyzed.Detector7s d砌(current under different temperature and Voltage by modeling calculation of experimental data is calculated,aIld some pe响rrnance parameter a_bout
第36卷,增刊
v01.36 SuppleInent
红外与激光工程
I】匝f1.aIed and I。aser Enginee血g
2007年6月
Jun.2007
HgCdTe环孔p-n结光伏探测器暗电流机制
李欣,王淑芬,毛京湘,赵晋云
(昆明物理研究所,云南 昆明 650223)
摘要:p—n结厶y特性是红外光伏探测器的一个重要指标,它直接决定了探测器的动态电阻和热
去2志+击 民 (R)m厅。(R)孽
式中: c‰=象(鲁F
@…7
一5 O
一l 0 k

一1 5
^v
.O —U叶
i一 O 0o
‘ 一2 O lO
一 2 5 ××X×× l O ■
一O.5
一O.3 矿
一O.1
图3 5I.If’A13暗电流计算和测试结果 Fig.3 Calculation柚d measurement result of
中圈分类号:TN215
文献标识码:A
文章编号:1007—2276(2007)增(器件)一0189。04
Dark current characteristics of HgCd’I’e photoVoltaic
detectors with annular apertuI.e p-n junction

万方数据
增干lJ
李欣等:HgCdTe环孔pn结光伏探测器暗电流机制
191
件隧穿电流起支配作用的温度,从而进一步分析器件 合适的工作温度。
在热电流是主要暗电流机制的温度范围内,即扩 散电流与产生复合电流起主导作用的温度范围内,利 用公式(6)对所测器件5LLFAl2、5LLFAl3的实验 曲线进行拟合计算,得到孙众&及隧穿电流起支 配作用的起始温度丁,拟合曲线如图1、图2所示, 拟合计算结果见表l。
图4是器件5I,I臌12在工作温度时厶y曲线和
各种暗电流机制的拟合结果。从图中可以看出器件在 整个反向偏压下,暗电流机制均由辅助隧道电流决 定,由此也可说明在该温度点下,器件的暗电流已全 由隧道电流决定,与前面实验结果吻合。
O. 一5.O×10 一1.O×lO
~一1.5XlO 一2.O×10 —2.5×10 —3.O×10 一O.5
电常数和HgCdTe相对介电常数;^,’Ⅳ^^WⅣ^+^ID;f 为考虑了表面产生复合影响的空间电荷区载流子寿
命,即考虑了表面漏电的影响:
三一:=一土++—盟L
((r3j)
f乞

式中:P,为结区的周长;岛为表面复合速率。
2.3辅助隧道电流模型
辅助隧道电流可用以下公式计算:
在现有材料和器件工艺水平下,HgCdTe光电二 极管的性能会受到过量暗电流的限制。因此,研究光 伏器件的暗电流机构,对研制光伏探测器有很重要的 指导意义。在无光照的情况下,通过p—n结的电流称 为暗电流。这种电流主要有以下来源[2-51:
裹1器件拟合参数比较 Compa订son Of deVice fitting pa髓mete玮

(民)F=一
4%2f
A卯。(2岛乞/叫)2
由图1可知,仅当丁<Biblioteka Baidu0 K时,器件5I,I.FAl3
的Ro才随温度降低而基本不变;由图2可知,器件
5LLf’A12当丁<120 K时,器件的Ro由于受到了与温
度关系不大的隧穿电流机制的影响,基本不变。通过
(1)n区和p区的扩散电流; (2)产生一复合电流; (3)辅助隧道电流; (4)直接隧道电流。 2.1扩散电流模型 扩散电流是p—n结二极管的基本电流机制,它产 生于空间电荷区两侧自由电子产生的热电子.空穴对 在少子扩散长度内的产生与复合,可以表达为:
‰=弘若(警]i(exp(詈)一·)㈣
扩散电流不像产生一复合电流或隧道电流那样对 空间电荷区的细节很敏感,在较高温度下,扩散电流 是HgCdTe光电二极管暗电流的主要部分。 2.2产生.复合电流模型
2.4直接隧道电流模型
直接隧道电流可用以下公式计算:
,,

‰:10五巩;毒expI兰骘l (5)
I(心K)-J
式中:肋指数因子,取值范围为3×1010~4.3×1010
Vf=1,bf-Vb。
3实验结果及讨论
3.1景件Ro与温度r的关系悯 扩散电流和产生复合电流是热电流机制,与温度
的倒数呈指数变化,随着温度的降低电流下降显著, 而隧穿电流机制则与温度的关系不大。所以,可以通 过器件的R对数与温度的1 000/丁实验曲线得到器
probl锄s material or detector are obtained.For making use of me result of analysis caJculation to find wKch exist in technology,幽舶re矗cal re舡allce for improVing妣hIlology and raising pe哟nrlance of me
上述各种暗电流机构都是平行作用的,因而n+-p 结总电流为:
l=l惦+I蓼+It戢七l呶
Q、)
参照80 K时器件的,-y实验曲线及测试数据对 公式(7)进行拟合分析计算,在拟合过程中,调整 材料及器件的一些不确定量,使拟合曲线及实验曲线 在不同偏压下尽量接近。器件在工作温度下的^y曲 线和各种暗电流机制的拟合结果如图3、图4所示。 图中显示了扩散电流(厶iff)、产生复合电流(k)、 辅助隧道电流(k)及拟合电流(五。。),从中可以看 到拟合电流和测试结果吻合很好,说明在测试范围 内,工作温度(80 K)时,器件5LLFAl3暗电流的 构成机制为扩散电流、产生复合电流、辅助隧道电流; 器件5LLFAl2暗电流由辅助隧道电流决定。
UⅪn,WA NG Shu-fen,MAO Jing—xiaIlg,ZHAO Jin—yun
(KunITling IIlstitute of Pllysics’KurlIIling 650223,Chi咖
Abstract:’Ihe J—y characteristic of p-n tie is aIl important lndicator of phot0Voltalc detector.n
位于空间电荷区的杂质或缺陷可以作为 Shocl【ley—Read型的产生复合中心,从而产生结电流。 尽管空间电荷区的宽度比少子扩散长度小很多,但是 在低温下,这种电流则变得十分重要。这是因为扩散
k删唧[刳
式中:c:±堑堕竺兰篓善哑;vf:%一v;口
ⅣA2
是与缺陷辅助隧穿中心密度相关的参数;毋是缺陷
辅助隧穿中心相对于导带的能级。
(2)表面钝化不均匀,导致小偏压下即产生很 大的产生复合电流,从而影响了器件性能。

4结论
(1)对采用离子刻蚀成结、环孔互连工艺制备
的MCT光伏探测器暗电流特性进行了测试及理论计 算分析,得到了器件暗电流主要构成机制:对于暗电 流小的器件,在小偏压下(小于150 mV),产生复合 电流为主要的暗电流机制,在150。500 mv范围,陷 阱辅助隧穿电流为主要暗电流机制。为了进一步提高 器件性能,减小暗电流,需进一步提高材料生长质量 及表面处理技术;
一O.3 矿
一O.1
图4.5I.ItFAl2暗电流计算和测试结果 F垮.4 Calculation aIld meaLsurement result of
dark currem for 5I。I.R~12
对比两器件,在同一工艺条件下,暗电流机制存 在着较大的区别,原因可能是:
(1)材料不均匀,且缺陷及杂质较多,导致同 一材料制备的器件隧穿电流起决定作用的温度及偏 压都不相同;
噪声,决定了探测器的性能。实验主要对离子刻蚀环孔p.n结HgcdTe长波光伏探测器进行变温厶y
特性测试分析。通过对测试实验数据拟合,从理论上计算了探测器在不同温度及不同偏压下的暗电
流,得到一些相关的材料和器件性能参数。希望利用分析计算结果了解工艺中存在的问题,对改进
工艺及提高器件性能提供理论依据。
关键词:暗电流; 碲镉汞; 光伏探测器; 实验分析; 模拟计算
101
106 a

10‘
图1 5LLFAl3的民与温度r拟合结果
Fig.1 Fitting result of尺。觚d rf研5LLFAl3
IO‘ c:

《105
104
图2 5LLFAl2的R与温度r拟合结果
Fig.2 Fitting result ofRo and丁fbr 5I I FAl2
Tab.1
利用激光束感生电流(LBIC)测试,得到探测
元直径为20岬,少子扩散长度为9岫,由此可以
算出结面积(A)为6.28×10曲cm2。 将待测样品用低温胶贴在GM205制冷机的冷头
上,并在冷头上安装冷屏,利用LakeShore340温控 仪及Keithley4200进行20~200 K温度范围内的变温 ■y特性测试。测温精度为+o.03 K,控温精度为±o.3 K 以内,最小测试电流可以达到10。12 A量级。
dyn砌c detenllines the
resistance,Johnson noise and me pem咖ance of me detector directly.T色mperatIlre
Variable^y characteristics of HgCdTb long waVe photoVoltaic detector wllich used ion etching annular
外探测器的报道。对其研制的重点在于改善碲镉汞材 料性能、提高器件水平、降低成本等。器件暗电流的 大小及组成结构直接决定了器件的工作点及性能。因 此,进行器件暗电流机制分析研究是制备探测器过程 中一个必不可少的环节【¨。
收藕日期l 2007—03—27

作者蕾介t李欣(1982一),男,云南昆明人,助理工程师,主要从事光伏红外探测器的研究。Email:uxiIl5623409@163.咖
2暗电流模型
电流和产生一复合电流都随着温度的降低而下降,但 是产生一复合电流下降的慢一些。这样当温度下降到 一定程度时,扩散电流和产生一复合电流变得可以比 拟,而在这个温度下,产生一复合电流对暗电流的贡献 就超过了扩散电流了。产生一复合电流可以表达为:
七:堂丛萼巡监
式中:Ⅶi和v为内建势和反偏电压;自和6为真空介
万方数据
190
红外与激光工程:红外探测器及其在系统中的应用
第36卷
1实验方法
采用p型HgCdTe薄膜材料,利用离子刻蚀成结的 方式制备8×8元n+一on-p型光伏探测器。材料p区载流 子浓度(尸0)为5.3×10d6clll一;空穴迁移率(胁)为 327 cm2Ⅳs;组份(工)为0.230,器件厚度为10¨m。
detector are proVided.
d朗}ctor;Ex耐ment锄alyses; Key words:Dark current charactedstic;HgCdTe;PhotoVoltaic
Modehng calculation
O引 言
近年来,由于战略和战术上的强烈需求,HgCdTe 红外探测器得到了快速发展。出现了离子注入、原位 生长及离子刻蚀三种制备工艺,以及多色HgcdTe红
dark curren佰Dr 5I,I。f’A 13
万方数据
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红外与激光工程:红外探测器及其在系统中的应用
第36卷
图3是器件5LLFAl3在工作温度时■y曲线和 各种暗电流机制的拟合结果。从图中可以看出在小偏 压下(小于150 mV),产生复合电流为主要的暗电流 机制,在150~500 mv范围,陷阱辅助隧穿电流为主 要暗电流机制。
拟合计算,可以看出器件5I,I,FAl2的孙厶&均比
器件5LLFAl3的差,即器件5LLFAl2的空间电荷区
和表面的产生复合电流比器件5LLFAl3的大。分析 原因有二:
(1)材料缺陷导致器件5LLI认12过早出现隧穿
电流机制; (2)器件5LI,FAl2钝化层缺陷导致器件表面漏
电过大,影响了器件特性。 3.2器件在工作温度时的厶y特性【7{J
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