倒装_FlipChip_封装技术
车用倒装led灯珠封装工艺流程
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LED倒装制程介绍
LED倒装制程介绍LED倒装制程（Flip Chip Process）是一种将LED芯片倒装在基底上的制程技术，可用于生产高亮度、高可靠性和高性能的LED芯片。
这种制程技术最早是为了满足高可靠性和高亮度LED应用的需求而开发的，随着技术的不断进步，现在已广泛应用于各种LED芯片制造过程中。
在传统的LED封装制程中，芯片是面向基底发光的，而在LED倒装制程中，芯片被倒装到基底上，面向封装外部。
这种倒装的设计能够有效提高LED的性能和可靠性，主要有以下几个优点：1.热耦合效应：由于芯片底部直接与封装基底接触，LED倒装制程可以提供更好的热耦合效应。
芯片产生的热量能够更快、更有效地传导到基底上，避免了芯片因长时间高温工作而导致的性能下降和寿命缩短问题。
2.更高的亮度和更好的颜色一致性：倒装制程能够提供更均匀的电流分布，减小了电流密度差异对亮度和颜色一致性的影响。
此外，倒装制程还可以提供更大的电流承受能力，使得LED芯片在高亮度工作时能够保持较好的亮度和颜色一致性。
3.提高了封装的可靠性：倒装芯片直接与封装基底相连，不需要通过金线进行连线，减少了因金线断裂而导致的电连接故障。
同时，倒装制程还可以提供更大的焊接面积，提高焊接接触面的可靠性。
1.基底准备：首先需要准备好封装基底，通常使用金属或陶瓷作为基底材料。
基底上需要刻蚀出与LED芯片尺寸相对应的凹槽，用于倒装芯片。
2.倒装芯片：将LED芯片倒装到基底的凹槽中，并使用适量的导热胶进行固定。
芯片与基底之间需要使用导电胶进行电连接。
3.焊接：将倒装芯片和基底进行焊接，通常使用热压焊或电压焊的方式。
焊接过程中需要保持适当的温度和压力，确保焊接的可靠性和稳定性。
4.后续工艺：完成焊接后，需要进行一系列的后续工艺，如清洗、封装、测试等。
这些工艺步骤是为了确保LED倒装产品的质量和性能。
LED倒装制程是一种高度精密的制程技术，要求制程设备和工艺能够提供高度的精确性和可重复性。
第四讲微系统封装技术倒装焊技术
– Bump height 30 - 75 µm
• Difficulties:
– Bump height highly dependent in current density
– Variations in current density across the wafer gives non uniformity in bump height
散阻挡层。
•
镍UBM的厚度一般为1～15 μ m ， 而5 μ m厚的镍UBM就能使焊料凸点的可靠
性明显提高。
•
镀镍之后，还要在镍上镀一层厚度为0.05-0.1 μ m的金，它主要是防止镍
发生氧化，以保持它的可焊性。
铝焊盘上化学镀镍前处理
由于铝焊盘表面有一层氧化物，镀层金属无法粘附在这样的表面上，因此要对铝 表面进行适当的处理以清除氧化物层。
UBM 凸点形成
Pb/Sn bump Si Chip
Solder Wetting Layer Adhesion / Barrier Layer Al pad
Passivation Layer
对UBM的要求
必须与焊区金属以及圆片钝化层有牢固的结合力： Al是最常见的IC金属化金属，典型 的钝化材料为氮化物、氧化物以及聚酰亚胺 。 和焊区金属要有很好的欧姆接触：在沉积UBM之前要通过溅射或者化学刻蚀的方法去除 焊区表面的Al氧化物。 要有焊料扩散阻挡层：必须在焊料与焊盘焊区金属之间提供一个扩散阻挡层 要有一个可以润湿焊料的表面：最后一层要直接与凸点接触，必须润湿凸点焊料。 氧化阻挡层：为保证很好的可焊性，要防止UBM在凸点的形成过程中氧化。 对硅片产生较小的应力： UBM结构不能在底部与硅片产生很大的应力，否则会导致底 部的开裂以及硅片的凹陷等可靠性失效。
led倒装芯片封装技术
led倒装芯片封装技术英文回答：## Flip Chip LED Packaging Technology.Flip chip LED packaging technology is a method of mounting LED chips on a printed circuit board (PCB) with the active side of the chip facing down. This technology offers several advantages over traditional surface mount technology (SMT), including:Reduced package height: Flip chip LEDs are much thinner than SMT LEDs, allowing for the creation of thinner and more compact lighting fixtures.Improved thermal performance: The direct thermal contact between the LED chip and the PCB dissipates heat more efficiently, resulting in longer LED life and improved performance.Higher power density: Flip chip LEDs can be packed more densely than SMT LEDs, enabling the creation of high-power lighting fixtures with a smaller footprint.Lower cost: Flip chip LEDs are less expensive to manufacture than SMT LEDs, making them a more cost-effective option for large-scale lighting applications.Flip chip LED packaging technology is typically used in applications where high power density and thermal performance are critical, such as automotive lighting, street lighting, and commercial lighting.### Flip Chip LED Packaging Process.The flip chip LED packaging process involves the following steps:1. Die preparation: The LED chip is prepared by thinning the substrate and applying a solder mask to the active surface.2. Solder ball attachment: Solder balls are attached to the bottom surface of the LED chip using a solder paste.3. Chip placement: The LED chip is placed on the PCB with the solder balls facing down.4. Reflow soldering: The PCB is heated to melt the solder balls and form a permanent connection between the LED chip and the PCB.5. Encapsulation: The LED chip is encapsulated with a protective epoxy to protect it from the environment.### Advantages of Flip Chip LED Packaging Technology.The advantages of flip chip LED packaging technology include:Reduced package height: Flip chip LEDs are muchthinner than SMT LEDs, allowing for the creation of thinner and more compact lighting fixtures.Improved thermal performance: The direct thermal contact between the LED chip and the PCB dissipates heat more efficiently, resulting in longer LED life and improved performance.Higher power density: Flip chip LEDs can be packedmore densely than SMT LEDs, enabling the creation of high-power lighting fixtures with a smaller footprint.Lower cost: Flip chip LEDs are less expensive to manufacture than SMT LEDs, making them a more cost-effective option for large-scale lighting applications.### Disadvantages of Flip Chip LED Packaging Technology.The disadvantages of flip chip LED packaging technology include:Higher assembly cost: The flip chip LED packaging process is more complex than the SMT process, resulting in higher assembly costs.Limited design flexibility: The rigid nature of the flip chip LED package limits design flexibility, making it difficult to create custom lighting fixtures.Reliability concerns: The flip chip LED package is more susceptible to mechanical stress than the SMT package, raising reliability concerns for applications where vibration or shock is a factor.### Conclusion.Flip chip LED packaging technology offers several advantages over traditional SMT, including reduced package height, improved thermal performance, higher power density, and lower cost. However, this technology also has some disadvantages, including higher assembly cost, limited design flexibility, and reliability concerns. Overall, flip chip LED packaging technology is a valuable option for applications where high power density and thermal performance are critical.中文回答：## 倒装芯片LED封装技术。
覆晶(倒装 Flip Chip LED)工艺介绍
为什么要用覆晶LED覆晶焊技术支持的LED光源与传统封装光源相比，具有热阻低，电压低，大电流密度光效高的特点，综合研究表明覆晶LED光源在应用上有其独特的潜力和优势。
优点：（1）、高可靠性,最稳定的SMT锡制程，承受拉力是传统LED的数十倍。
（2）、低热阻(3014热阻为40℃/W,倒裝为5.8℃/W)，高散热性，防止热量过高而烧坏晶片或荧光粉和封装胶。
（3）、无金线可实现多芯片的集成，特别是COB和高压LED灯源。
也有效的避免金线引起的各种风险，比如热膨胀使之断裂，外部冲击波或压力造成金钱断裂等优势。
（4）、导电面积大,内阻小，能承受大电流通过，减少因为内阻大引起的过大热量。
（5）、发光率高，发光角度大等优点。
（6）、封装工艺简化，降低封装成本，高提生产良率。
（7）、低光衰，不因为热引起的快速光衰，从而延长了芯片的寿命，是普通灯具的10倍以上一、结构优势首先，相对于正装和垂直的芯片封装方式，覆晶封装没有金线存在，可以有效避免金线可能引起的各种风险。
下表为硅胶、金线、芯片的热膨胀系数值，其数量级的差距说明了硅胶热膨胀对金线的拉扯会造成可靠性的隐患。
材料热膨胀系数其次，覆晶焊采用金属与金属直接接触的方式，其大电流散热能力比传统封装更好。
如图为传统封装与覆晶封装在散热通道方面的区别，传统正装封装通过蓝宝石和固晶银胶散热，覆晶焊通过金属通道散热，传统封装的蓝宝石和固晶胶成为散热瓶颈。
下表所示的数值为蓝宝石、固晶胶、金属三者在导热系数大小，三者对比明显可以发现覆晶焊金属导热通道的巨大优势。
材料导热系数传统封装光源散热通道覆晶焊封装光源散热通道最后，覆晶焊的封装不存在金线的焊线弧度，能够实现超薄型的平面封装。
传统封装方式金线的拉力仅10g左右，而覆晶焊的接触面推力达到500g以上，覆晶封装可以抵抗一定的表面挤压而不影响LED的光电性能，适合于狭小的应用空间内。
例如手机、摄像机、背光等领域。
同时在多芯片的集成，均能发挥超薄易安装高集成的优势。
面积阵列封装的BGA和FlipChip
BGA(球栅阵列)和Flip Chip(倒装片)作为当今大规模集成电路的封装形式，逐渐引起电子组装行业的关注，并且已经在不同领域中得到应用。
随着表面安装技术的发展，器件引线间距在不断下降，传统的2.54mm和1.27mm间距的器件渐渐被0. 5mm的细间距器件所替代(图1)，这种趋势持续至今，随之又出现有0.4mm、0.3mm乃至更细间距的表面安装器件。
此外，更先进的封装技术，如自动载带焊(TAB)等，可以使得引线间距降至0.2mm或更细的间距。
随着向超细间距领域的发展，表面安装技术受到了诸如器件间距、引线框架制造精度、设备、材料等各种因素的限制。
在芯片(die)级，为增强器件的功能和性能不得不增加I/O数和硅片的尺寸，对于如此之高的I/O数，如果采用传统形式的标准间距的封装，则器件尺寸势必会相当大，而如果采用较小尺寸的封装形式，则又会引起引线间距的急剧减小。
较大尺寸封装的采用，将会使得器件在PCB上占用的面积增大，而且互联的通道会更长，难免会降低预期的使用性能，况且这些较大尺寸封装的制造并不容易，组装到P CB上的过程也并非如人们所料想的那么简单，对生产产量也会有一定的影响，从而也就增大了整个过程的组装费用。
而对于满足了较大的I/O数，但间距更小的封装，在制造和组装方面也同样存在挑战，因此，电子组装者不得不从封装尺寸、引线间距、可制造性等多方面来考虑，力求寻求更好的封装解决办法。
图1 IC封装发展状况面积阵列封装(area array package)就是一种可以解决上述问题的封装形式，它可以在不牺牲器件可制造性的前提下提高器件的功能和性能。
QFP器件的I/O引出端通常采用向周边走线的形式，而面积阵列封装的I/O引出端则在器件底部呈矩阵分布，I/O数的增大和封装体尺寸的减小是特别明显的，见表1和表2。
表1 封装体尺寸为20mm×20mm的不同间距BGA和QFP的I/O数对比表2 I/O数为300的不同间距BGA和QFP的封装体尺寸对比从这两个表可以看出面积阵列封装在器件功能和封装尺寸方面的优点。
flip chip工艺技术
flip chip工艺技术Flip chip工艺技术是一种电子封装技术，它将芯片直接倒装在基板上，通过金线、焊球或者导电胶等连接芯片和基板之间的引脚，以实现电信号的传输。
相比传统的片上线缆（wire bonding）技术，flip chip工艺具有许多优势，如更高的可靠性、更小的封装尺寸和更高的电路性能等。
Flip chip工艺技术最早出现在1961年，当时IBM公司发明了一种在芯片表面覆盖一层金球，并将其倒装在基板上的方法。
经过多年的发展，flip chip工艺技术已经成为现代电子封装领域中的一个重要技术。
首先，flip chip工艺技术可以在同一面芯片上实现更多的输入输出（I/O）引脚，从而提高了芯片的连接密度。
对于高性能芯片来说，这项技术尤为重要。
根据需要，芯片制造商可以在芯片上布置成百上千个引脚，实现更高级别的功能和更复杂的电路设计。
其次，flip chip工艺技术可以显著减小芯片封装的尺寸。
由于芯片是倒装在基板上的，消除了传统封装技术中的芯片焊线和封装间隙，使得整个封装尺寸更小。
作为结果，这种封装技术对于紧凑型电子设备的制造非常有吸引力，例如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。
另外，flip chip工艺技术还具有更高的可靠性。
由于芯片和基板之间的连接是直接的，没有中间电线或导线，所以连接更加牢固。
此外，由于距离更短，电信号传输速度更快，噪声也更小，因此电路性能更稳定。
然而，flip chip工艺技术也存在一些挑战。
首先，由于芯片倒装在基板上，制造过程需要更加精确和复杂的操作。
其次，倒装引脚之间的热量分布不均匀可能会导致芯片热量过量和不均匀，从而影响芯片的性能和寿命。
此外，由于芯片和基板的直接接触，其之间必须要有一层合适的介质材料来调整它们之间的电学和热学性能。
这样的介质材料需要具备良好的导热性、电性能和耐久性。
总结来说，flip chip工艺技术是一种先进的电子封装技术，具有更高的可靠性、更小的封装尺寸和更高的电路性能等优势。
先进封装的四大工艺？
在集成电路领域，先进封装通常指的是在芯片嵌入封装阶段采用的先进工艺。
以下是四种常见的先进封装工艺：1. System-in-Package（SiP）：System-in-Package 是一种先进封装技术，将多个芯片、模块或组件集成在一个封装里。
这些芯片和模块可以是不同功能的，通过堆叠或集成在同一个封装内，实现更紧凑的物理尺寸和更高的集成度。
SiP 提供了低功耗、高速度、高度集成的解决方案，在多种应用中广泛使用。
2. Flip-Chip：Flip-Chip 是一种将芯片翻转并倒置安装在基板上的封装技术。
芯片的连接引脚（Bond Pad）直接与基板上的焊球（Solder Ball）连接，提供更短的信号路径和更高的速度。
Flip-Chip 技术适用于复杂的高密度互连需求，特别是在处理器和高性能芯片中广泛使用。
3. 2.5D/3D 封装：2.5D 封装和3D 封装是一种将多个芯片或芯片堆叠在一起的先进封装技术。
2.5D 封装是通过在芯片上放置硅插板（interposer）来实现不同芯片之间的连接。
3D 封装是将多个芯片堆叠在一起，并通过集成通孔（Trough Silicon Via，TSV）实现芯片之间的互连。
这些技术可以提供更高的集成度、更短的信号路径和更低的功耗。
4. Wafer-Level Packaging（WLP）：Wafer-Level Packaging 是一种在晶圆尺寸尺度上进行封装的先进工艺。
它利用晶圆级别的工艺步骤，在晶圆上直接构建和封装芯片。
WLP 可以提供更高的集成度、更小的尺寸和更好的性能，特别适用于移动设备和便携式设备。
这些先进封装工艺在提高芯片性能、减小尺寸和实现更高的集成度方面起着重要作用，广泛应用于各种领域，包括通信、计算、消费电子等。
值得注意的是，随着技术的不断进步，先进封装领域也在不断发展和演进，新的封装工艺也在不断涌现。
倒装芯片技术【2024版】
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2024/11/8
Prof. Wu Fengshun,
倒装芯片历史
1. IBM1960年研制开发出在芯片上制作凸点的倒装芯片焊接工
艺技术。95Pb5Sn凸点包围着电镀NiAu的铜球。后来制作
PbSn凸点，使用可控塌焊连接（Controlled collapse
Component Connection, C4），无铜球包围。
凸点
热压倒装芯片连接最合适的凸点材料是金，凸点可以通过传 统的电解镀金方法生成，或者采用钉头凸点方法，后者就是 引线键合技术中常用的凸点形成工艺。由于可以采用现成的 引线键合设备，因此无需配备昂贵的凸点加工设备，金引线 中应该加入1% 的Pd ，这样便于卡断凸点上部的引线。凸点 形成过程中，晶圆或者基板应该预热到150～ 200° C。
效的冷却。
➢ 低成本：批量的凸点降低了成本。
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2024/11/8
Prof. Wu Fengshun,
I/O 数比较
倒装芯片与扁平封装的引脚数比较
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2024/11/8
Prof. Wu Fengshun,
信号效果比较
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2024/11/8
Prof. Wu Fengshun,
缺点－01
➢ 裸芯片很难测试
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2024/11/8
Prof. Wu Fengshun,
生产问题
倒装芯片的连接头应该能够产生300°C 的连接温 度， 要有较高的平行对准精度，为了防止半导体材料 发生损伤，施加压力时应该保持一定的梯度。在热压倒 装芯片连接中，凸点发生变形是不可避免的，这也是形 成良好连接所必需的。另外，连接压力和温度应该尽可 能低，以免芯片和基板损坏。
电子制造技术基础
flipchip封装工艺
flipchip封装工艺Flipchip封装工艺是一种先进的微电子封装技术，它在集成电路封装领域具有重要的应用价值。
本文将从Flipchip封装工艺的基本原理、优势和应用领域等方面进行介绍。
一、Flipchip封装工艺的基本原理Flipchip封装工艺是一种将芯片直接翻转并与基板相连接的封装技术。
与传统封装工艺相比，Flipchip封装工艺具有更高的可靠性和更小的封装体积。
其基本原理是通过将芯片的电路面朝下，将芯片的引脚与基板上的金属引脚连接，从而实现芯片与基板之间的电气连接。
Flipchip封装工艺的具体步骤包括：首先，将芯片的电路面朝下，将芯片上的金属引脚与基板上的金属引脚对准；然后，通过热压或焊接等方式将芯片与基板相连接；最后，进行封装胶的填充和固化，以保护芯片和连接引脚。
二、Flipchip封装工艺的优势1. 封装密度高：由于Flipchip封装工艺将芯片的电路面朝下，可以实现更高的封装密度，从而提高芯片的性能和功能。
2. 电性能优良：Flipchip封装工艺可以实现短距离的电气连接，减少电阻和电感的影响，从而提高芯片的电性能。
3. 信号传输速度快：由于Flipchip封装工艺可以实现更短的信号传输路径，可以提高芯片的信号传输速度，从而提高芯片的运行速度和性能。
4. 散热性好：由于Flipchip封装工艺可以将芯片直接与基板相连接，可以实现更好的散热效果，提高芯片的稳定性和可靠性。
三、Flipchip封装工艺的应用领域Flipchip封装工艺在高性能计算、通信、消费电子等领域具有广泛的应用。
具体应用包括：1. 高性能处理器：Flipchip封装工艺可以实现更高的封装密度和更好的散热性能，适用于高性能处理器的封装。
2. 光通信模块：Flipchip封装工艺可以实现更短的信号传输路径和更高的信号传输速度，适用于光通信模块的封装。
3. 手机和平板电脑：Flipchip封装工艺可以实现更小的封装体积和更好的散热性能，适用于手机和平板电脑等消费电子产品的封装。
Flip Chip LED(倒装芯片)简介-√
綜合結論(chip) 綜合結論
晶片成本因多兩道製程而提高,尚未估計提高 成數(可簡化製程以降低成本) 此製程無法使用一般製程晶片,亦即無法使用 現有晶片 適用GaN藍光及綠光 四元晶片可用現成UEC GB紅光(亦可由高輝
資料來源: 資料來源:翔成光電
設計規格與特性
Feature ★ 1.6mm X 0.8mm chip LED. ★ 0.3mm height. ★ Low power dissipation and wide view angle. ★ Pb-free. ★ Mono-color type. Descriptions ★This SMD is the most Slimmest chip LED, that makes miniature application module possible. Typical Applications ★ Automotive backlighting in dashboard and switch. ★ Telecommunication: indicator and backlighting in telephone and fax. ★ Flat backlight for LED, switch and symbol. ★ General use.
成品
與傳統chip LED比較 與傳統 比較
其他應用 side view 008/flash
綜合結論(package) 綜合結論
Flip Chip LED可製作成最小高度產品 此產品於試產共6BT*3,200pcs良率達99,主要 不良原因為open circuit 佔83% 壽命測試1,000hr decay<=20% 製程完全不需使用wire bonder
flipchip封装工艺
flipchip封装工艺
Flipchip封装是一种利用微型片上封装连接的封装技术。
它把
半导体晶片直接和基板连接，以提供较高的电性能和较高的芯片密度。
Flipchip封装通常是利用晶圆片或芯片的表面连接到基板，其中晶
圆片上有横向的电极，和基板上有纵向的电极，二者之间通过键合及焊接来连接起来。
Flipchip封装的工艺可以分为以下几个步骤：
1. 准备：首先，检查晶片和基板是否有足够的洁净度和湿度，
而且尺寸正确无误；
2. 定位：将晶片和基板放在模具中，以确定晶片在基板上的定位；
3. 键合：将晶片定位后，使用键合剂将晶片上的横向电极与基
板上的纵向电极连接；
4. 焊接：将晶片和基板定位和键合好后，使用热焊技术将晶片
和基板固定在一起，以保证晶片和基板的稳定性；
5. 检测：检测完封装工艺后，将晶片和基板进行功能测试，以
确保封装工艺是否成功。
Flipchip封装工艺是一种半导体封装技术，能够提供较高的电
性能和芯片密度，它与其他封装技术相比，有着较强的竞争力。
- 1 -。
Flip-Chip倒装焊芯片原理
（Flip-Chip）倒装焊芯片原理Flip Chip既是一种芯片互连技术，又是一种理想的芯片粘接技术．早在30年前IBM公司已研发使用了这项技术。
但直到近几年来，Flip-Chip已成为高端器件及高密度封装领域中经常采用的封装形式。
今天，Flip-Chip封装技术的应用范围日益广泛，封装形式更趋多样化，对Flip-Chip封装技术的要求也随之提高。
同时，Flip-Chip也向制造者提出了一系列新的严峻挑战，为这项复杂的技术提供封装，组装及测试的可靠支持。
以往的一级封闭技术都是将芯片的有源区面朝上，背对基板和贴后键合，如引线健合和载带自动健全（ＴＡＢ）。
ＦＣ则将芯片有源区面对基板，通过芯片上呈阵列排列的焊料凸点实现芯片与衬底的互连．硅片直接以倒扣方式安装到ＰＣＢ从硅片向四周引出Ｉ／Ｏ，互联的长度大大缩短，减小了ＲＣ延迟，有效地提高了电性能．显然，这种芯片互连方式能提供更高的Ｉ／Ｏ密度．倒装占有面积几乎与芯片大小一致．在所有表面安装技术中，倒装芯片可以达到最小、最薄的封装。
Flip chip又称倒装片，是在I/O pad上沉积锡铅球，然后将芯片翻转佳热利用熔融的锡铅球与陶瓷机板相结合此技术替换常规打线接合，逐渐成为未来的封装主流，当前主要应用于高时脉的CPU、GPU(GraphicProcessor Unit)及Chipset 等产品为主。
与COB相比，该封装形式的芯片结构和I/O端（锡球）方向朝下，由于I/O引出端分布于整个芯片表面，故在封装密度和处理速度上Flip chip已达到顶峰，特别是它可以采用类似SMT技术的手段来加工，因此是芯片封装技术及高密度安装的最终方向。
倒装片连接有三种主要类型Ｃ４(Controlled Collapse Chip Connection)、ＤＣＡ(Direct chip attach)和ＦＣＡＡ(Flip Chip Adhesive Attachement)。
Ｃ４是类似超细间距ＢＧＡ的一种形式与硅片连接的焊球阵列一般的间距为0.23、0.254mm。
FlipChip封装技术介绍
FlipChip封装技术介绍Flip Chip中文也叫倒晶封装或者覆晶封装，是一种先进的封装技术，有别于传统的将芯片放置于基板(chip pad)上，再用打线技术(wire bonding)将芯片与基板上的连接点连接。
Flip Chip技术是将芯片连接点长凸块(bump)，然后将芯片翻转过来使凸块与基板(substrate)直接连接。
Flip Chip技术不是什么新技术，在上个世纪60年代由IBM研发出来，至于为什么会出现这种技术要从封装的历史说起，这里简单介绍下，传统的封装技术是将芯片(die)放置在引脚(lead frame)上，然后用金线将die上的pad和lead frame连接起来，这一步叫wire bond，但是这种技术封装出来的芯片面积会很大，已经不满足越来越小的智能设备，所以Flip Chip技术应用而生。
WB示意图提到Flip Chip封装技术，bump是不可避免要介绍下，工业上不可能把die切割出来以后再去长bump，所以在wafer切割成die之前要完成bump，因此这也被称为wafer level chip size package(WLCSP)。
FC示意图具体process steps参考维基百科上面的介绍：1.Integrated circuits are created on the wafer2.Pads are metallized on the surface of chips3.solder dot is deposited on each of the pads4.Chips are cut5.Chips are flipped and positioned so that the soler balls are facing the connectors on the external circuitry6.Solder balls are then remelted(typically using hot air reflow)7.Mounted chip is 'underfilled' using an electrically-insulating adhesive最后简单总结下Flip Chip的优点：1.更多的IO接口数量2.更小的封装尺寸3.更好的电气性能4.更好的散热性能5.更稳定的结构特性6.更简单的加工设备虽然优点很多，但是价格也很贵，主要原因是：1.芯片需要在AP层设计RDL用于连接bump，RDL的生产加工需要多一套工艺2.flip chip基板的生产加工，基板的工艺会更加精细，价格自然水涨船高。
flipchip工艺技术
flipchip工艺技术Flip Chip (反装工艺) 是一种将芯片直接与基板连接的先进封装技术，被广泛用于高性能电子产品的制造中。
Flip Chip 工艺技术具有诸多优点，包括更高的可靠性、更小的封装尺寸、更高的性能和更低的能耗。
本文将对 Flip Chip 工艺技术进行详细介绍。
Flip Chip 工艺技术通过将芯片的电路面朝下，直接与基板上的封装结构相连接，实现电气和热学性能的优化。
相比传统封装技术，Flip Chip 可以将芯片与基板紧密连接，减少了电路板上的电气和热学衰减，并且能够实现更短的信号传输路径，提高信号速度和稳定性。
此外，Flip Chip 还能够减少信号串扰和噪声，提高信号质量。
Flip Chip 工艺技术的另一个关键特点是其小封装尺寸。
由于芯片直接连接到基板上，不需要额外的封装结构，Flip Chip可以显著减小封装尺寸，提高芯片的集成度。
这对于如今越来越小型化的电子设备尤为重要。
Flip Chip 封装可以将多个芯片堆叠在一起，从而在有限的空间中实现更高的集成度，为电子产品的微型化提供了可能。
Flip Chip 工艺技术还具有更高的可靠性。
由于芯片与基板之间的连接是直接的，没有使用线缆或线路板连接器等中间元件，因此减少了信号传输的失真和可靠性问题。
此外，Flip Chip还可以通过提供更好的散热设计来延长芯片的使用寿命，降低过热导致的故障。
除了以上优点，Flip Chip 工艺技术还具有更高的性能和更低的能耗。
由于芯片与基板直接相连，Flip Chip 能够获得更短的信号路径，提高信号传输速度和稳定性。
同时，由于芯片的封装尺寸减小，信号的传输延迟也减小，从而提高整体系统性能。
此外，Flip Chip 能够实现更高的功率密度分布，降低能耗。
综上所述，Flip Chip 工艺技术在电子产品制造中具有重要的地位。
其优点包括更高的可靠性、更小的封装尺寸、更高的性能和更低的能耗。
倒装芯片的原理范文
倒装芯片的原理范文倒装芯片，也被称为倒装芯片封装（Flip Chip）或顶针封装（CUP），是一种将芯片颠倒连接到基板的封装技术。
传统的芯片封装通常是通过焊接或电路板引脚连接芯片和基板，而倒装芯片则通过直接连接芯片的外部焊盘和基板上的引脚。
1.倒转芯片：倒转芯片是指将芯片倒置放置，使其焊盘位于芯片的顶部，而芯片的电路区域朝向基板。
这种倒装的方式可以减小芯片的表面积，提高电气性能，降低芯片间的电感和电阻，提高信号传输速度。
2.衬底基板：倒装芯片通常使用衬底基板，也称为载体基板，用于连接芯片和外部引脚。
衬底基板可以作为电流传输和传感器的平台，提供足够的电气和热学性能，以保证芯片正常工作。
常见的衬底基板材料有有机玻璃（FR-4）、陶瓷、热可塑性高分子材料（如聚酰亚胺）等。
3. 链接技术：倒装芯片使用各种链接技术，如焊接、球焊接（Ball Bump）、微引线（Wire Bonding）等。
其中，焊接是最常用的链接技术之一，通过锡球或焊锡糊连接芯片和基板。
焊接技术可以提供可靠的电性连接，并提供良好的机械支撑性，以抵御热应力和机械应力。
4.热管理：倒装芯片在高功率应用中，容易产生较高的热量。
因此，热管理是倒装芯片封装过程中的关键问题之一、为了有效降低芯片的工作温度，可以采用散热片、热塑性薄膜（TPF）等热传导材料来提高整个芯片的散热性能。
5.焊接参数控制：倒装芯片封装过程中，焊接参数的控制非常关键。
焊接参数包括焊接温度、时间、压力等。
正确的焊接参数可以确保焊点的可靠性和一致性，避免焊点开裂和短路等问题。
倒装芯片封装技术具有许多优点，如高可靠性、良好的电性和机械性能、低电感和电阻、小尺寸等。
因此，在现代微电子封装中得到广泛应用。
倒装芯片封装可以应用于各种领域，包括计算机、通信、消费电子、汽车电子等。
总之，倒装芯片的原理主要涉及倒转芯片、衬底基板、链接技术、热管理和焊接参数控制等方面。
这种封装技术以其小型化、高可靠性和良好的性能，在现代微电子领域发挥着重要的作用。
米格实验室v1-Flip,chip封装
米格实验室v1-Flip,chip封装米格实验室-Flip chip封装1. 什么是flip chip，什么是CSP-chip scale package，什么是BGA/PGA？Flip Chip指代的倒装芯片封装到BGA 或者PGA基板上，最早出现在Intel 奔三的CPU封装，CSP指代芯片级封装，主要是芯片尺寸与封装尺寸基本接近，对芯片进行二次布线之后并植球完毕。
BGA（ball grid array）：焊球阵列封装，封装体基板的底部制作阵列焊球作为电路的I/O端与印刷线路板（PCB）互接；PGA（pin grid array）：针栅阵列封装，基板底部为针状阵列作为电路I/O端口。
Flip chip BGA CSP封装BGA PGA 2. BGA/PGA为封装底板，一般使用什么材料？BGA/PGA一般使用环氧树脂纤维（称为PCB）或者陶瓷基板，在基本的一面进行布线，另一面进行植球或者进行焊接插针。
3. Flip chip的封装工艺流程？如果要进行flip chip封装，最大的价值就是倒装焊接芯片，步骤可分为：1. 芯片二次布线设计并植球阵列；2. 设计BGA或者PGA基板；3. 芯片与BGA/PGA的对准固定；4. 焊接：需要放到回流炉中进行回流。
4. flip chip封装方式的优缺点？优点：封装简单、封装与晶片尺寸相当、成本低、便携、芯片倒装焊减少传统引线的寄生电容，有利于提高频率、改善热特性。
缺点：芯片裸露、还需要进行二次封装、二次布线设计复杂。
5. Flip chip 与CSP封装的区别？CSP封装，指将芯片进行二次布线并植球之后即成为CSP CSP芯片与BGA焊接之后成为flip chip BGA；如果CSP芯片与有周边电路的PCB焊接，那么成为SIP（系统级封装）。
因此：CSP是flip chip封装的前道工序。
6. 焦平面探测器320*256 /InP基的flip chip封装具体步骤为：1. 我们需要对芯片（焦平面探测器）进行二次布线，同时对芯片二次布线的焊点上进行植球；2. 封装基板，两种选择方式，一个是做成Flip chip BGA/PGA，一种是做成SIP（系统级封装）3. Flip Chip BGA：设计相应的BGA或者PGA基板，一般是用环氧树脂纤维，一面有焊盘阵列，另一面是球栅或者针栅，然后使用专用的夹具将芯片与BGA焊盘位置对准之后放入回流焊中，N2气下回流即可焊接完毕。