功率管
电磁炉用功率管的型号 代换 参数
电磁炉用功率管的型号代换参数2007年07月28日星期六 12:05大量维修实践表明，电磁炉（灶）内的部分元器件因工作温度较高，工作电流较大，电压较高等，其故障或损坏概率也较高。
其中的场效应功率管损坏率最高。
但由于商业竞争激烈，一般都不随机附带图纸，加之电磁炉所采用的场效应功率管一般均为较新产品，这便给维修带来不便和困难。
下面笔者根据汇集来的相关资料，提供几种常用电磁炉场效应功率管及代换资料供参考。
电磁炉一般均采用N型沟道功率场效应管，其相关参数为BVCBO≥1600V，BVCEO≥1000V，PCM≥100W，ICM≥7A，HFE≥40。
常用的电磁炉用场效应管内部带阻尼二极管的型号有 GT40N150D、GT40T301、SEC·G40N150D、ZON120ND、GT40T101、SQD35JA等。
内部不带阻尼二极管的型号有BT40T101、SGL40N150/150D等。
在维修代换时，若采用不带阻尼二极管的功率场效应管，应在D、S极间加接一只阻尼二极管，该二极管必须是快恢复型阻尼二极管，其耐压应≥1500V。
加接时正极接S 极，负极接D极即可。
参考型号如S5J53、 BY4591500等。
在负载电磁线圈和功率管之间串一只100W的灯泡再通电试机,可以防止烧管。
GT40Q321，FGL40N150D， FGL60N170D， FGA25N120，SK25N120，G40N150D， FGA25N135，1MBH25D--120，GP20B120UD--E，IXGH20N120BDI，以上功率管内部都带阻尼管，耐压都在1200V以上电流在20A以上只要电流相差不多都可以互相代换。
SGW25N120，K15T120。
以上的管子内部不带阻尼，如果要代换一上功率管时可以在电路板上安装2个以上的阻尼二极管耐压1200V以上，电流在8A以上。
电磁炉的关键元器件介绍1、大功率管IGBT（H20T120）说明：（1）、IGBT为电磁炉电路控制核心元器件，使用温度为小于85℃。
功率管耗散功率
功率管耗散功率（原创实用版）目录一、引言二、功率管耗散功率的定义和意义1.耗散功率的概念2.耗散功率对功率管性能的影响三、功率管耗散功率的计算方法1.以晶体管为例的计算方法2.MOS 管的耗散功率计算四、影响功率管耗散功率的因素1.导通电阻2.结温3.热阻五、如何降低功率管的耗散功率1.散热片的使用2.优化电路设计六、结论正文一、引言在电子设备中，功率管是不可或缺的元件之一，其在电路中负责承受和处理电能。
而功率管的耗散功率则是衡量其性能的重要指标。
本文将从功率管耗散功率的定义和意义入手，详细介绍其计算方法以及影响因素，并探讨如何降低功率管的耗散功率。
二、功率管耗散功率的定义和意义耗散功率是指功率管在正常工作状态下，由于内部电阻而产生的热量。
耗散功率的大小直接影响到功率管的稳定性和寿命。
过高的耗散功率可能导致功率管过热，进而影响设备的性能和可靠性。
因此，了解和掌握功率管耗散功率的计算方法具有重要意义。
三、功率管耗散功率的计算方法以晶体管为例，其耗散功率主要取决于管内的 PN 结温度（简称结温 T）。
当结温超过允许值时，流经晶体管的电流会急剧增大，可能导致管子烧坏。
因此，晶体管的耗散功率等于未超过结温允许值时所流过的电流与管压降之乘积。
对于 MOS 管，其耗散功率计算较为复杂，需要考虑阻性和开关损耗两部分。
MOS 管的耗散功率很大程度上依赖于它的导通电阻（Rds(ON)），而 Rds(ON) 又与它的结温（Tj）有关。
Tj 又依赖于 MOS 管的功率耗散以及 MOS 管的热阻（jA）。
因此，需要采用一种迭代过程来计算 MOS 管的耗散功率。
四、影响功率管耗散功率的因素1.导通电阻：导通电阻越小，耗散功率越小，因此降低导通电阻可以有效降低功率管的耗散功率。
2.结温：结温越高，耗散功率越大。
因此，需要通过合理的散热措施来降低结温，从而降低耗散功率。
3.热阻：热阻越小，散热效果越好，耗散功率越小。
因此，选择具有良好散热性能的功率管可以降低耗散功率。
功率管检测
功率管检测:万用表打R×1K档,测前将管三脚短路放电,避免影响正确测量.然用万用表(指针)的表笔正反测G、e两极及G、c两极电阻,这四组数值正常是无阻大(指针不动),最后用万用表的红笔接c,黑笔接e,测出值为3.5千欧的为带阻尼功率管,数值为50千欧的为不含阻尼功率管,若测得数值与上述相差甚远,都是损坏管;全桥测量:将表置于R×1K档,黑笔接全桥正输出脚,红笔分别接其它三脚,阻值无穷大,调换表笔再测,阻值分别为:3~6千欧、3~6千欧、8~10千欧,同理,若用黑笔接负输出脚,红笔分别接其它三脚,测得数值也与前述相同,调换表笔测数值也无穷大,与比不符即损坏!电磁炉功率管H20R1202 GDG820击穿损坏，能否用FGA25N120ANTD来更换？可以代换的。
不加热有很多原因的，比如驱动三极管（一般都是8050 8550对管），LM339，大功率电阻等。
这都是最常坏的元件。
你这是啥牌的，电磁炉共有几个电路板啊？如果是功率板里的话，那有几个IC？都是几个脚的，说清楚。
你沿着驱动管往前查查看有没有坏件，再看看到没到某个IC上VIPer12A K51822是电源模块，输出18V 12V如果按键板上有没有IC的话，双排20脚在电路板的最边角上，那就是CPU接灯泡和按键板，风扇没什么关系。
你如果能发个图片的话就很好辨别了，电磁炉90%的都有LM339的，除7年以前的。
你还是从驱动管那里往后查吧，你一定会查到某个IC的这个脚就是IGBT的驱动脚，估计CPU损坏的可能性很大。
这个电磁炉估计也很便宜的，实在不行你就买一块万能板换上得了。
您维修电磁炉还在烧IGBT管吗？(转贴)这里给大家介绍一种比较好的方法，我想对大家应有一定的用处：1、将目测和表测明显损坏的坏件装上（包括保险）；2、用小刀将整流桥的交流端子的一个输入端铜铂切断；3、在切断的两个点用60~100W灯炮相连接；4、装上线盘和各接口，盖上盖板，插电试机，检查能否开关机和各控制功能是否正常，风扇是否转动正常；5、用铁质的锅具或盘子放盖板上模拟进行加热（即正常的加热程序），开机，这时会出现不同的情况：1）灯炮间歇性闪亮，没有或有故障代码出现；2）灯炮闪亮一下后显示故障代码，后不再动作或自动关机。
功率放大电路三种类型输出功率管耗对比
功率放大电路三种类型输出功率管耗对比
功率放大电路常见的三种类型是A类、B类和AB类。
它们在输出功率和功率管的耗散方面有所不同。
A类功率放大电路的输出功率比较小，一般在几瓦到十几瓦之间，效率低（一般不超过50%）。
但是功率管的工作状态始终在放大区，功率管的静态电流一直存在，会导致功率管的耗散功率比较高。
B类功率放大电路的输出功率可以非常大，一般在几十瓦到几百瓦之间，效率相对高（一般能够达到70%以上）。
但是功率管只有在输出电流大于某个阈值时才会开始工作，因此，当输出功率较小时，功率管的静态电流比较小，耗散功率也比较小。
AB类功率放大电路则是A类和B类的折中方案，输出功率和效率都比较高。
它的输出功率可以从几瓦到几十瓦不等，效率同样可以高达70%以上。
在输出功率较小的时候，功率管的静态电流比较小，耗散功率也比较低，而在功率较大时，功率管的工作状态与B类相似，也能够输出较大的功率。
因此，在选择功率放大电路的类型时，需要根据具体的应用场景和需求来决定。
各种常用功率管之我见
各种常用功率管之我见功率胆管选择问题是烧友们的一个难题，常常有朋友问我做什么管子的后级好听，这对我也难回答，每个人都有不同的审美观点，不同的听音取向，有的年龄大的烧友喜欢听些老歌，由于年龄关系还要要求高频频响延伸度好些，中音厚实一些，对低频要求不高，年轻的烧友往往听些全面的音乐，如古典乐，人声，打击乐，交响乐之类的，对低频要求的严格一些，动态要大，低音要纯净，反应速度要快，高频不能刺耳，中频要甜美。
个人取向不同，他人无法给出正确的建议了。
我现在关于一些常用的音响功率管的声音特点结合自己的制作经验向大家介绍一下，可能会对一些烧友有点帮助的，有错之处，还请见谅。
现在网上DIY和厂机常用的胆管有十几个类型，按大类分为直热式管子和旁热式管子两大类，直热式管子有直热式三极管，四级管，五级管，旁热式也是三极管，束射四级管，五级管三类。
现在做机用管以直热式三极管、五级管和旁热式束射四级管，五级管为主流。
大部分烧友自己DIY胆机都推崇直热式三极管，以梦幻之球300B和小300B之称的2A3C为主流，再有些技术高超的老烧友都已打造211，845，805这些大管子，直热式管子声音甜美，300B、2A3尤以中频厚实，人声甜美著称，要是音箱灵敏度高，想制作小功率的胆机玩，在造价上选择2A3首选了，300B管子现在比较昂贵，没有条件实难烧动。
211、845、805的管子没有一些技术基础实难玩好，现在曙光出口211、845、850管子就目前的价格来说有些偏高，但是经济条件一般的工薪烧友还能接受，要是想玩欧美的这几款直热管子，恐怕是腰无充足银弹是无法触及了，个人感觉是在没有必要信奉那些欧美货，要是在电子市场或是旧货市场遇到便宜的，那决不能放过。
211管子我没做过，211单端的我听过几台，机器都是DIY的，管子声音表现别有一番清丽，常有人说此管很不好做，我看确实有些难做，我的一位朋友为做此机经历数月调整，请我去试听还感觉高频有些不好，频响延伸度不太理想，选此管子实要慎重、845和805相对就好做些，两管的声音取向大不相同，845取动态深沉，速度感慢，声音柔和顺耳，高频不尖、不毛，中频有300B的厚实，但是因负压颇深，需要相当的推动电压才能推好845管子，很多烧友建议牛推，效果极佳，我试过牛推和耦合电容推动，要论音质、胆味，还是牛推的效果更胜一筹，不过推动变压器是个难题，制作要比输出变压器难上很多。
电磁炉功率管好坏判断
昨天，电磁炉又不能用了，估计又是IGBT功率管坏了，真是郁闷啊！我想很多朋友的朋友的电池炉损坏，功率管是损坏的最多的吧，那怎样来检查功率管的好坏，至少你手中要有一块万用表指针型的那种就行。
然后接下来看看我是怎么做的。
检测绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）好坏的简易方法1、判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极（G ）。
其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。
在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（C）；黑表笔接的为发射极（E）。
2、判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的集电极（C），红表笔接IGBT 的发射极（E），此时万用表的指针在零位。
用手指同时触及一下栅极（G）和集电极（C），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。
然后再用手指同时触及一下栅极（G）和发射极（E），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。
此时即可判断IGBT 是好的。
3、注意事项
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。
注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电
池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。
此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（P-MOSFET）的好坏。
电磁炉功率管型号
电磁炉功率管型号;不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下:(1) SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120.(2) SKW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装.(3) GT40Q321----东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时42A,100℃时23A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120, 代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装.(4) GT40T101----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321, 配套15A/1500V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用GT40T301.(5) GT40T301----东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25℃时80A,100℃时40A, 内部带阻尼二极管, 该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、GT40T101, 代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装.(6) GT60M303 ----东芝公司出品,耐压900V,电流容量25℃时120A,100℃时60A, 内部带阻尼二极管.。
常见大中功率管三极管参数
常见大中功率管三极管参数晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1402 1500V 5A 120W * * NPN2SD1399 1500V 6A 60W * * NPN2SD1344 1500V 6A 50W * * NPN2SD1343 1500V 6A 50W * * NPN2SD1342 1500V 5A 50W * * NPN2SD1941 1500V 6A 50W * * NPN2SD1911 1500V 5A 50W * * NPN2SD1341 1500V 5A 50W * * NPN2SD1219 1500V 3A 65W * * NPN2SD1290 1500V 3A 50W * * NPN2SD1175 1500V 5A 100W * * NPN2SD1174 1500V 5A 85W * * NPN2SD1173 1500V 5A 70W * * NPN2SD1172 1500V 5A 65W * * NPN2SD1143 1500V 5A 65W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1142 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD1016 1500V 7A 50W * * NPN2SD995 2500V 3A 50W * * NPN2SD994 1500V 8A 50W * * NPN2SD957A 1500V 6A 50W * * NPN2SD954 1500V 5A 95W * * NPN2SD952 1500V 3A 70W * * NPN2SD904 1500V 7A 60W * * NPN2SD903 1500V 7A 50W * * NPN2SD871 1500V 6A 50W * * NPN2SD870 1500V 5A 50W * * NPN2SD869 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD838 2500V 3A 50W * * NPN2SD822 1500V 7A 50W * * NPN2SD821 1500V 6A 50W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD348 1500V 7A 50W * * NPN2SC4303A 1500V 6A 80W * * NPN2SC4292 1500V 6A 100W * * NPN2SC4291 1500V 5A 100W * * NPN2SC4199A 1500V 10A 100W * * NPN2SC3883 1500V 5A 50W * * NPN2SC3729 1500V 5A 50W * * NPN2SC3688 1500V 10A 150W * * NPN2SC3686 1500V 7A 120W * * NPN2SC3685 1500V 6A 120W * * NPN2SC3486 1500V 6A 120W * * NPN2SC3485 1500V 5A 120W * * NPN2SC3484 1500V 3.5A 80W * * NPN2SC3482 1500V 6A 120W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC3481 1500V 5A 120W * * NPN2SC3480 1500V 3.5A 80W * * NPN2SC2125 2200V 5A 50W * * NPN2SC2027 1500V 5A 50W * * NPNBUY71 2200V 2A 40W * * NPNBU508A 1500V 7.5A 75W * * NPNBU500 1500V 6A 75W * * NPNBU308 1500V 5A 12.5W * * NPNBU209A 1700V 5A 12.5W * * NPNBU208D 1500V 5A 12.5W * * NPNBU208A 1500V 5A 12.5W * * NPNBU108 1500V 5A 12.5W * * NPN2SD1585 60V 3A 15W * * NPN2SD773 20V 2A 1W * * NPN2SC2785 60V 0.1A 0.3W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC403 50V 0.1A 0.1W * * NPN2SD1246 30V 2A 0.75W * * NPN2SC2570A 25V 0.07A 0.6W * * NPN2SC1047 30V 0.015A 0.15W * * NPN2SC3114 60V 0.15A 0.2W * * NPN2SD400 25V 1A 0.75W * * NPN2SC1923 40V 0.02A 0.1W * * NPN2SC2621 300V 0.2A 10W * * NPN2SC2568 300V 0.2A 10W * * NPN2SC2216 50V 0.05A 0.3W * * NPN2SC1674 30V 0.02A 0.1W * * NPN2SC536F 40V 0.1A 0.25W * * NPN2SA608F 30V 0.1A 0.25W * * PNP2SD1271A 130V 7A 40W * * NPN2SD1133 70V 4A 40W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC1890A 120V 0.05A 0.3W * * NPN2SC1360 50V 0.05A 0.5W * * NPN2SA1304 150V 1.5A 25W * * PNP2SD1274A 150V 5A 40W * * NPN2SA966Y 30V 1.5A 0.9W * * PNP2SD1378 80V 0.7A 10W * * NPN2SD553Y 70V 7A 40W * * NPNRN1204 50V 0.1A 0.3W * * NPN2SD1405Y 50V 3A 30W * * NPN2SC2878 50V 0.3A 0.4W * * NPN2SC1959 30V 0.4A 0.5W * * NPN2SC1569 300V 0.15A 1.5W * * NPN2SC2383Y 160V 1A 0.9W * * NPN2SA1299 50V 0.5A 0.3W * * PNP晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SB564A 45V 0.05 0.25W * * PNP2SD1877 800V 4A 50W * * NPNBU508A 1500V 8A 125W * * NPNBUT11 1500V 5A 80W * * NPN2SD3505 900V 6A 50W * * NPN2SD906 1400V 8A 50W * * NPN2SD905 1400V 8A 50W * * NPN2SC1942 1500V 3A 100W * * NPN2SD1397 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD1396 1500V 2.5A 50W * * NPN2SC3153 900V 6A 100W * * NPN2SD1403 1500V 6A 50W * * NPN2SD1410 1500V 3.5A 80W * * NPN2SD2057 1500V 5A 100W * * NPN2SD2027 1500V 5A 50W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD953 1500V 7A 95W * * NPN2SD951 1500V 3A 65W * * NPN2SD950 1500V 3.5A 80W * * NPN2SD852 1500V 5A 70W * * NPN2SD850 1500V 3A 25W * * NPN2SD900B 1500V 5A 50W * * NPN2SD899A 1500V 4A 50W * * NPN2SD898B 1500V 3A 50W * * NPN2SD871 1500V 6A 50W * * NPN2SD870 1500V 5A 50W * * NPN2SD869 1500V 3.5A 50W * * NPN2SD1433 1500V 7A 80W * * NPN2SD1432 1500V 6A 80W * * NPN2SD1431 1500V 5A 80W * * NPN2SD820 1500V 5A 50W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1497 1500V 6A 50W * * NPN2SD1398 1500V 5A 50W * * NPN2SD1427 1500V 5A 80W * * NPN2SD1428 1500V 6A 80W * * NPN2SD1426 1500V 3.5A 80W * * NPN2SC2068 70V 0.2A 0.62W * * NPN2SC1627Y 80V 0.3A 0.6W * * NPN2SC495Y 70V 0.8A 5W * * NPN2SC388A 20V 0.02A 0.2W * * NPN2SB686 100V 6A 60W * * PNP2SA940 150V 1.5A 1.5W * * PNP2SC2120Y 30V 0.8A 0.6W * * NPN2SD1555 1500V 5A 50W * * NPN2SD8806 60V 3A 30W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC2456 300V 0.1A 10W * * NPN2SA1300 20V 2A 0.7W * * PNP2SC304CD 60V 0.5A 0.8W * * NPN2SC2238 160V 1.5A 25W * * NPN2SC3328 80V 2A 0.9W * * NPN2SC2190 450V 5A 100W * * NPN2SA968Y 160V 1.5A 25W * * PNP2SC3402 50V 0.1A 0.3W * * NPN2SC2168 200V 2A 30W * * NPN2SC3198G 60V 0.15A 0.4W * * NPN2SC2655Y 60V 2A 0.9W * * NPN2SC1827 80V 4A 30W * * NPN2SA1266Y 50V 0.15A 0.4W * * PNP2SD880 60V 3A 30W * * NPN2SC1906 30V 0.05A 0.3W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC945 50V 0.1A 0.25W * * NPN2SC3279 30V 2A 0.75W * * NPN2SC2229 200V 0.05A 0.8W * * NPN2SC2236 30V 1.5A 0.9W * * NPN2SC383 20V 0.05A 0.2W * * NPN2SA950Y 150V 0.8A 0.6W * * PNPBC548B 30V 0.2A 0.5W * * NPN2SC3399 50V 0.1A 0.3W * * NPN2SD1455 1500V 5A 50W * * NPN2SC1983R 80V 3A 30W * * NPN2SC227 300V 0.1A 0.75W * * NPN2SC1213D 50V 0.5A 0.4W * * NPNDTC114ES 50V 0.1A 0.25W * * NPN2SC3413C 40V 0.1A 0.5W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC2611 300V 0.1A 1.25W * * NPN2SC1514 300V 0.1A 1.25W * * NPNDTC124ES 50V 0.1A 0.25W * * PNP2SD1078 50V 2A 20W * * NPN2SA1390 35V 0.5A 0.3W * * PNP2SD788 20V 2A 0.9W * * NPN2SD882 40V 3A 10W * * NPN2SD787 20V 2A 0.9W * * NPN2SD401AK 200V 2A 25W * * NPN2SC2610 300V 0.1A 0.8W * * NPN2SC2271N 300V 0.1A 0.75W * * NPN2SC1740 50V 0.3A 0.3W * * NPN2SC1214C 50V 0.5A 0.6W * * NPN2SC458D 30V 0.1A 0.2W * * NPN2SA673 50V 0.5A 0.4W * * PNP晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1556 1500V 6A 50W * * NPN2SD1499 100V 5A 40W * * NPN2SD1264A 200V 2A 30W * * NPN2SD1010 50V 0.05A 0.3W * * NPN2SD966 60V 5A 1W * * NPN2SD601AR 60V 0.1A 0.2W * * NPN2SC3265Y 30V 0.8A 0.2W * * NPN2SC3063 300V 0.1A 1.2W * * NPN2SC2594 40V 5A 10W * * NPN2SC1317-R 30V 0.5A 0.4W * * NPN2SB1013A 30V 0.5A 0.3W * * PNP2SD1226 60V 3A 35W * * NPN2SC2636Y 30V 0.05A 0.4W * * NPN2SB940 200V 2A 30W * * PNP2SA720-Q 50V 0.5A 0.4W * * PNP晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SD1391 1500V 5A 80W * * NPN2SC2188 45V 0.05A 0.6W * * NPN2SK301-R * 0.14A 0.25W * * N沟场效应管2SD1266 60V 3A 35W * * NPN2SD1175 1500V 5A 100W * * NPN2SD973 30V 1A 1W * * NPN2SC2923 300V 0.2A 15W * * NPN2SC2653H 250V 0.2A 15W * * NPN2SC1685Q 30V 0.1A 0.25W * * NPN2SC1573A 250V 0.07A 0.6W * * NPN2SB642-R 60V 0.2A 0.4W * * PNP2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNP2SA1018 150V 0.07A 0.75W * * PNP2SA564A 25V 0.1A 0.25W * * PNP晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SK301-Q * 0.14A 0.25W * * N沟场效应管2SD1541 1500V 3A 50W * * NPN2SC1685 30V 0.1A 0.25W * * NPN2SC1573A 250V 0.07A 0.6W * * NPN2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNPUN4213 50V 0.1A 0.25W * * NPNUN4211 50V 0.1A 0.25W * * NPNUN4212 50V 0.1A 0.25W * * NPNUN4111 50V 0.1A 0.25W * * PNP2SD1541 1500V 3A 50W * * NPN2SD965 40V 5A 0.75W * * NPN2SC2839 30V 0.1A 0.1W * * NPN2SC2258 250V 0.1A 1W * * NPN2SC1846 45V 1A 1.2W * * NPN2SC1573A 250V 0.07A 0.6W * * NPN晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SA1309A 25V 0.1A 0.3W * * PNP2SD1544 1500V 3.5A 40W * * NPN2SD802 900V 6A 50W * * NPN2SC2717 35V 0.8A 7.5W * * NPN2SC2482 150V 0.1A 0.9W * * NPN2SC2073 150V 1.5A 25W * * NPN2SC1815Y 60V 0.15A 0.4W * * NPN2SB774T 30V 0.01A 0.25W * * PNP2SA1015R 50V 0.15A 0.4W * * PNP2SA904 90V 0.05A 0.2W * * PNP2SA562T 30V 0.4A 0.3W * * PNP。
电磁炉功率管资料
27
0-200KHZ
PT结构不易并联有D
APT
APT30GP60BDF1
600
49
0-200KHZ
PT结构不易并联有D
APT
APT50GP60B2DF2
600
72
0-200KHZ
PT结构不易并联有D
பைடு நூலகம்APT
APT15GP90BDF1
900
21
0-200KHZ
PT结构不易并联有D
APT
APT25GP90BDF1
电磁炉功率管资料
1XDN55N120(D1)
1200
62
SOT-227B
IXYS
1XGH24N170A
1700
24
高速TO-247
IXYS
1XDH60N60B2(D1)
600
60
高速TO-247
IXYS
1XGH32N170A
1700
32
高速TO-247
IXYS
型号
反压V
电流A
功率W
频率
Vce(sat)
900
36
0-200KHZ
PT结构不易并联有D
APT
APT40GP90B2DF2
900
50
0-200KHZ
PT结构不易并联有D
APT
APT13GP120BDF1
1200
20
0-200KHZ
PT结构不易并联有D
APT
APT25GP120BDF1
1200
33
0-200KHZ
PT结构不易并联有D
APT
APT35GP120B2DF2
APT30GP60B
电磁炉场效应功率管的代换
电磁炉场效应功率管的代换电磁炉场效应功率管（MOSFET）是一种常用的功率放大器，因它具有低功耗、高效率及良好的热稳定性等特点，在电动工具，太阳能、微型电源和其他新能源领域有着广泛的应用。
它可以提供更高的电流密度、节能减排效果好，同时，它们的可靠性也比传统的晶体管或双极型功率管要高，更有利于应用发展。
MOSFET的特性使它成为一种非常有用的功率放大器。
它可以提供更高的放大倍数，更高的功率效率，更低的噪声，更长的寿命，更低的静态电流消耗，可以节省非常多的能源。
这对新型信息技术应用有着巨大的帮助，它可以减少电路设备中电源热量，更大程度地提高系统性能。
综上所述，MOSFET具有良好的可靠性和高效率以及低功耗等特点，同时也可以适当的减少热量，从而使电子设备的性能得到不断提高。
但是，MOSFET也存在一定的缺点，比如低驱动能力、较大的供电电压、较高的噪声水平等。
因此，在现在的应用和发展中，MOSFET 需要更新换代和改进，使其具有更好的性能。
MOSFET的替代产品可以分为三类：一是改进的MOSFET，二是晶振FET（VFET），它的特点是低端输入阻抗，热稳定性好；三是混合晶体管，它具有晶体管的特性，但具有更高的静态电流消耗和更大的电流密度，另外可以有效抑制噪声。
改进的MOSFET具有更低的漏电流、静态电流和功率损耗，更高的驱动能力和热稳定性，同时也具有可靠性和设备安全性等优点，更加适合于新型节能产品的设计。
晶体管FET是一种新型功率放大器，由于采用了晶体管技术，具有低噪声、高热稳定性、高驱动能力等优点，也很适合高端信息技术产品的开发。
此外，晶体管FET具有低功耗、高功率效率、低反馈电压等特点，也可以有效减少系统的热量。
混合晶体管是新近研发的一种功率放大器，它采用了混合技术，使用晶体管的特性，但又有更高的静态电流消耗和更大的电流密度，可以有效抑制噪声，改善设备的性能。
综上所述，MOSFET虽然在电源放大器领域有着良好的应用，但也有一定的缺点，因此改进和替代也成为必须考虑的内容。
常用功率管参数
有刷/无刷电调常用功率管参数大全(若以上无你所需型号请留言)08年8月21日更新A2700 N型管(贴片)耐压：30V电流：9A导通电阻：7.3mΩSI4336 N型管(贴片)耐压：30V电流：22A导通电阻：4.2mΩSI4404 N型管(贴片)耐压：30V电流：17A导通电阻：8mΩSI4410 N型管(贴片)耐压：30V电流：10A导通电阻：14mΩSI4420 N型管(贴片)耐压：30V电流：10A导通电阻：10mΩSI4812 N型管(贴片)耐压：30V电流：7.3A导通电阻：28mΩSI9410 N型管(贴片)耐压：30V电流：6.9A导通电阻：50mΩIRF7313 N型管(贴片)耐压：30V电流：6A导通电阻：29mΩIRF7413 N型管(贴片) 耐压：30V电流：12A导通电阻：18mΩIRF7477 N型管(贴片) 耐压：30V电流：11A导通电阻：20mΩIRF7805Z N型管(贴片) 耐压：30V电流：16A导通电阻：6.8mΩIRF7811 N型管(贴片) 耐压：30V电流：11A导通电阻：12mΩIRF7831 N型管(贴片) 耐压：30V电流：16A导通电阻：0.004ΩIRF7832 N型管(贴片) 耐压：30V电流：20A导通电阻：4mΩIRF8113 N型管(贴片)耐压：30V电流：17A导通电阻：5.6mΩTPC8003 N型管(贴片) 耐压：30V电流：12A导通电阻：6mΩFDS6688 N型管(贴片) 耐压：30V电流：16A导通电阻：0.006ΩFDD6688 TO-252贴片耐压：30V电流：84A导通电阻：5mΩA2716 P型管(贴片)耐压：30V电流：7A导通电阻：11.3mΩSI4405 P型管(贴片) 耐压：30V电流：17A导通电阻：7.5mΩSI4425 P型管(贴片)耐压：30V电流：9A导通电阻：19mΩSI4435 P型管(贴片) 耐压：30V电流：8A导通电阻：20mΩSI4463 P型管(贴片)耐压：20V电流：12.3A导通电阻：16mΩSI9435 P型管(贴片) 耐压：30V电流：5.3A导通电阻：50mΩIRF7424 P型管(贴片)电流：8.8A导通电阻：22mΩSTM4439A P型管(贴片) 耐压：30V电流：14A导通电阻：18mΩFDS6679 P型管(贴片) 耐压：30V电流：13A导通电阻：9mΩBUZ111S N型管(直插) 耐压：55V电流：80A导通电阻：8mΩ5N05 N型管(直插)耐压：50V电流：75A导通电阻：0.0095Ω6N60 N型管(直插)耐压：600V电流：5.5A导通电阻：0.75Ω50N03L N型管(直插)耐压：25V电流：28A导通电阻：21mΩ60N06 N型管(直插)耐压：60V电流：60A导通电阻：14mΩBTS110 N型管(直插) 耐压：100V导通电阻：200mΩBTS120 N型管(直插)耐压：100V电流：19A导通电阻：100mΩIRF15 0 N型管(铁壳非直插) 耐压：100V电流：40A导通电阻：55mΩIRF1405 N型管(直插)耐压：55V电流：131A导通电阻：5.3mΩIRF2804 N型管(直插)耐压：40V电流：75A导通电阻：2mΩIRF3205 N型管(直插)耐压：55V电流：110A导通电阻：8mΩIRF3703 N型管(直插)耐压：30V电流：210A导通电阻：2.3mΩIRL3803 N型管(直插)耐压：30V电流：140A导通电阻：6mΩ。
功率管
常用IGBT功率管参数IGBT三极管问世仅20余年，它是功率场效应管与普通双极型（PNP或NPN）管复合后的一种新型半导体器件，即绝缘栅、双极晶体管，简称IGBT管，它综合了场效应管开关速度快、控制电压低和双极晶体管电流大、反压高、导通时压降小的优点。
目前，最高工作频率（fT）已超过150kHz、最高反压（BVcbo）≥1700V、最大电流（ICM）≥800A、最大功率（PCM）达3000W、导通时间（ton）〈50ns。
故广泛应用于微波炉、电磁厨具（如电磁炉、电磁灶）、煮饭厨具、电压谐振变换及大功率放大电路。
他们的封装与普通大功率三极管相同，随功率大小有各种封装形式。
下表中最高反压指BVceo(集电极与发射极之间最高反向击穿电压)、最大电流指ICM(集电极最大输出电流)、最大耗散功率指PCM(集电极最大耗散功率)，顺便指出应用于电磁炉(灶)的IGBT管应选取BVceo≥1000V、ICM≥7A、PCM≥100W、β≥40的。
下表中均为NPN型IGBT管，型号前面带*号者为带阻尼NPN型IGBT管。
管子型号最高耐压(V）最大电流IC（A）管内是否含阻尼二极管20N120CND 1200 20 有K25T120 1200 25 有G40N150D 1500 40 有5GL40N150D 1500 40 有G4PH50UD 1500 40 有GT40q321 1300 40 有GT40T101 1000 40 无G40T101 1000 40 无GT40T301 1300 40 无SQB35JA 1500 35 有G30P120N 1200 30 无GPQ25101 1000 25 有GTl53101 1000 15 无GT8Q191 1900 8 有GT50J101 1000 50 无GT50j102 1000 50 无GT50J301 1300 50 无GT60M104 1000 60 无GT60M301 1300 60 无GT75AN-12 1200 75 无15Q101 1000 15 有25Q101 1000 25 有80J101 1000 80 无JHT20T120 1200 20 有SKW25N120 1200 25 有(1) SGW25N120----西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25℃时46A,100℃时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管(D11)后可代用SKW25N120。
功率管二极管的测量原理
功率管二极管的测量原理
功率管二极管的测量原理是采用曲线追踪法，通过测量管子的特性曲线来确定其工作点和参数。
测量原理的基本过程如下：
1. 测量静态工作点：通过在不同的电压和电流下测量管子的阴极电流和阳极电压，得到一系列工作点，并将这些点绘制在特性曲线图上。
通过分析特性曲线的形状，可以确定管子的静态工作点，即在某一电压和电流下的工作状态。
2. 测量动态参数：通过施加小的交流信号，如正弦波或方波，测量管子的输出电压和电流的响应，得到管子的动态参数。
动态参数包括放大倍数、电流放大倍数、输入电阻、输出电阻等。
3. 分析特性曲线：通过绘制并分析特性曲线，可以了解管子的截止电压、饱和电流、饱和电压、转导和内部电阻等参数。
这些参数对于评估管子的性能和稳定性非常重要。
功率管二极管的测量原理基于电子器件的物理特性和工作原理，通过实际测量和数据分析来获取管子的工作状态和参数，以便于正确应用和评估管子的性能。
功率管
功率管：在放大电路中担任末级输出的管子叫功率管。
功率管分为大功率管和小功率管。
一般PCM（集电极耗损功率）大于1W的叫大功率管如国产的3DD和3DA型的和日产的2SD和2SC管子。
PCM 小于1W的叫小功率管。
如3AX和3DG型的管子。
有的较好的电路有CMOS 场效应管做功率放大管。
空心杯电机属于伺服电机类的，设计者主要看重的是它的响应时间。
因为空心，所以转动惯量特别小，说的白一点就是，让它停它马上能停；让它转它马上就能转。
至于你说的那几类电机，都不是空心杯电机，空心杯电机一般在高精密度，高控制精度的情况下才会的出现的。
空心杯电机转子上没有线圈，就是靠杯形转子感应电势。
家用电扇马达一般都是几十瓦，小的二三十瓦，大的七八十瓦，反正就在这个之间吧。
电吹风的马达二三十瓦，但它内部有电阻丝比较耗电，所以整机功率较大。
空心杯电机属于直流、永磁、伺服微特电机。
空心杯电动机具有突出的节能特性、灵敏方便的控制特性和稳定的运行特性，作为高效率的能量转换装置，代表了电动机的发展方向。
空心杯电机在结构上突破了传统电机的转子结构形式，采用的是无铁芯转子。
空心杯电机具有十分突出的节能、控制和拖动特性，空心杯电动机在结构上突破了传统电机的转子结构形式，采用的是无铁芯转子，也叫空心杯型转子。
这种新颖的转子结构彻底消除了由于铁芯形成涡流而造成的电能损耗，同时其重量和转动惯量大幅降低，从而减少了转子自身的机械能损耗。
由于转子的结构变化而使电动机的运转特性得到了极大改善，不但具有突出的节能特点，更为重要的是具备了铁芯电动机所无法达到的控制和拖动特性。
空心杯电动机主要有：1、节能特性：能量转换效率很高，其最大效率一般在70%以上，部分产品可达到90%以上（铁芯电动机一般在20-50%）。
2、控制特性：起动、制动迅速，响应极快，机械时间常数小于28毫秒，部分产品可以达到10毫秒以内（铁芯电动机一般在100毫秒以上）；在推荐运行区域内的高速运转状态下，可以方便地对转速进行灵敏的调节。
常用功率管
常用功率管
常用功率管有：
1. MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）：具有高输入阻抗、低开关损耗和高速开关特性，广泛应用于电源、马达控制、照明等领域。
2. IGBT（绝缘栅双极型晶体管）：具有高电压、高电流、高速开关和低导通压降等特点，广泛应用于电力电子、工业自动化、交通运输等领域。
3. BJT（双极型晶体管）：具有高增益、低噪声和高频特性，广泛应用于放大器、振荡器、开关等领域。
4. SCR（可控硅）：具有可控性强、耐高温、耐高压等特点，广泛应用于电力电子、照明、电动机控制等领域。
5. TRIAC（双向可控硅）：具有双向可控性、低导通压降和高可靠性等特点，广泛应用于交流电控制、照明、电动机控制等领域。
氮化镓功率管
氮化镓功率管
氮化镓（GaN，Gallium Nitride）是近年来被研究的主要半导体材料，它在很多领域具有泛的应用，其中最重要的当属功率管，它是用氮化镓技术制造的低功耗功率管件，它的特点是具有高效率、低成本和可靠性，这些特点使氮化镓功率管可以在不同的行业表现出强大的性能。
氮化镓功率管具有许多优点，其中最重要的是它能提供更高的功率密度。
相比于传统的硅功率管，氮化镓功率管具有更高的功效，从而允许使用更小的尺寸而实现同样的功率。
此外，氮化镓功率管的冷却要求较低，从而能够大大减少系统重量以及集成度。
另一个关于氮化镓功率管的优点是它具有较好的抗电磁干扰性能，这个特性使得它特别适用于电磁干扰严重的场合。
它的电子频率特性也让它可以用于很多高频应用。
氮化镓功率管还具有较好的可靠性，在室温下可以长达十年以上的使用寿命，能够满足大多数工业应用的需要。
此外，氮化镓功率管的制造也比硅功率管的制造要容易得多，它的制造技术可以和现有的CMOS制造技术相结合，可以实现封装的体积更小、性能更高的功率管件制造。
尽管氮化镓功率管有许多优点，但它也有一些缺点，它的导热性能较差，从而限制了它的功耗及功率密度。
另外，氮化镓功率管的制造也存在一定程度的技术难度，但随着CMOS制造技术的发展和成熟，这一问题正在不断逐渐减少。
总之，氮化镓功率管是一种多功能、高功效且具有较长使用寿命的功率管件，它可以大大提高系统的体积、性能及可靠性，它也可以应用于包括电子产品在内的许多高频行业，是具有重要意义的半导体材料。
功率管分类
功率管分类
嘿，朋友们！今天咱来聊聊功率管那些事儿。
功率管啊，就像是电路世界里的大力士！你想想看，电流就像一群着急赶路的人，而功率管呢，就是那个指挥交通、决定让谁通过、谁停下
的交警。
它能控制电流的大小和流向，厉害吧！
功率管主要有这么几种类型。
首先是双极型功率管，这就好比是个直性子的大汉，干活干脆利落，功率大，速度快，但也有点小脾气，就是
发热比较厉害。
还有场效应功率管，它就像个细腻的工匠，控制电流特别精准，而且功耗还低，安静又可靠。
再说说绝缘栅双极型功率管，这可是个集大成者呀！它既有双极型功率管的大功率优势，又有场效应功率管的精准控制，简直就是功率管里
的全能选手！
咱平常生活里很多地方都离不开功率管呢！比如你家里的大电视、音响，那声音为啥能那么响亮，画面为啥能那么清晰？这里面可就有功率
管的功劳呀！还有那些电动汽车，能跑那么快，功率管在里面可出了不
少力呢。
你说要是没有功率管，这世界得变成啥样？那电器们估计都得罢工啦！所以说呀，可别小看了这些小小的功率管，它们可是默默奉献的幕后英
雄呢！
咱在选用功率管的时候可得长点心。
就像挑鞋子一样，得合脚才行。
不同的应用场景需要不同类型的功率管，要是选错了，那可就麻烦啦！
就好比让一个短跑运动员去跑马拉松，那肯定跑不下来呀。
而且，使用功率管的时候也得注意保养哦！不能让它太累了，不然它也会闹脾气的。
给它合适的工作环境，别太热也别太冷，这样它才能更好地为我们服务呀！
总之呢，功率管就是电路世界里不可或缺的重要角色。
我们得好好了解它们，才能让它们发挥出最大的作用。
大家说是不是这个理儿呀！。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
·开关功率管MOS扫盲篇[转]在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。
这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。
下面是我对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料，非全部原创。
包括MOS管的介绍，特性，驱动以及应用电路。
1，MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种（另一种是JFET），可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。
至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。
对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。
原因是导通电阻小，且容易制造。
所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。
下面的介绍中，也多以NMOS为主。
MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。
寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。
在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。
这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。
顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。
2，MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。
PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。
但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
3，MOS开关管损失不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。
选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。
现在的小功率MOS 管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。
MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。
通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越高，损失也越大。
导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。
缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。
这两种办法都可以减小开关损失。
4，MOS管驱动跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。
这个很容易做到，但是，我们还需要速度。
在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。
对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。
选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。
第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。
而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。
如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。
很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。
而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。
现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。
MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。
讲述得很详细，所以不打算多写了。
5，MOS管应用电路MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。
场效应管目录[隐藏]场效应管1.概念:2.场效应管的分类:3.场效应管的主要参数:4.结型场效应管的管脚识别:5.场效应管与晶体三极管的比较[编辑本段]场效应管根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。
[编辑本段]1.概念:场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点:具有输入电阻高（100MΩ～1 000MΩ）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.作用:场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.场效应管可以用作电子开关.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.[编辑本段]2.场效应管的分类:场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种.按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.[编辑本段]3.场效应管的主要参数:Idss —饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流.Up —夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压.Ut —开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压.gM —跨导.是表示栅源电压UGS —对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数.BVDS —漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS.PDSM —最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量.IDSM —最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSMCds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-漏电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比（占空系数，外电路参数）di/dt---电流上升率（外电路参数）dv/dt---电压上升率（外电路参数）ID---漏极电流（直流）IDM---漏极脉冲电流ID(on)---通态漏极电流IDQ---静态漏极电流（射频功率管）IDS---漏源电流IDSM---最大漏源电流IDSS---栅-源短路时，漏极电流IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）IG---栅极电流（直流）IGF---正向栅电流IGR---反向栅电流IGDO---源极开路时，截止栅电流IGSO---漏极开路时，截止栅电流IGM---栅极脉冲电流IGP---栅极峰值电流IF---二极管正向电流IGSS---漏极短路时截止栅电流IDSS1---对管第一管漏源饱和电流IDSS2---对管第二管漏源饱和电流Iu---衬底电流Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）gfs---正向跨导Gp---功率增益Gps---共源极中和高频功率增益GpG---共栅极中和高频功率增益GPD---共漏极中和高频功率增益ggd---栅漏电导gds---漏源电导K---失调电压温度系数Ku---传输系数L---负载电感（外电路参数）LD---漏极电感Ls---源极电感rDS---漏源电阻rDS(on)---漏源通态电阻rDS(of)---漏源断态电阻rGD---栅漏电阻rGS---栅源电阻Rg---栅极外接电阻（外电路参数）RL---负载电阻（外电路参数）R(th)jc---结壳热阻R(th)ja---结环热阻PD---漏极耗散功率PDM---漏极最大允许耗散功率PIN--输入功率POUT---输出功率PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）to(on)---开通延迟时间td(off)---关断延迟时间ti---上升时间ton---开通时间toff---关断时间tf---下降时间trr---反向恢复时间Tj---结温Tjm---最大允许结温Ta---环境温度T c---管壳温度T stg---贮成温度VDS---漏源电压（直流）VGS---栅源电压（直流）VGSF--正向栅源电压（直流）VGSR---反向栅源电压（直流）VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）VGS(th)---开启电压或阀电压V（BR）DSS---漏源击穿电压V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压VDS(on)---漏源通态电压VDS(sat)---漏源饱和电压VGD---栅漏电压（直流）Vsu---源衬底电压（直流）VDu---漏衬底电压（直流）VGu---栅衬底电压（直流）Zo---驱动源内阻η---漏极效率（射频功率管）Vn---噪声电压aID---漏极电流温度系数ards---漏源电阻温度系数[编辑本段]4.结型场效应管的管脚识别:判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道.判定源极S、漏极D:在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极.[编辑本段]5.场效应管与晶体三极管的比较场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管.晶体三极管与场效应管工作原理完全不同，但是各极可以近似对应以便于理解和设计：晶体管：基极发射极集电极场效应管：栅极源极漏极要注意的是，晶体管(NPN型)设计发射极电位比基极电位低(约0.6V)，场效应管源极电位比栅极电位高（约0.4V)。