1SS344 丝印H9 肖特基二极管选型手册

肖特基二极管常用参数大全

肖特基二极管常用参数大全肖特基二极管常用参数大全肖特基二极管常用参数大全型号制造商封装If/A Vrrm/V最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.1 400.60BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32BAT54A PS SOT23 0.20 300.5010MQ060N IR SMA 0.77 900.6510MQ100N IR SMA 0.77 1000.9610BQ015 IR SMB 1.00 150.34SS12 GS DO214 1.00 20 0.50MBRS130LT3 ON - 1.00 300.3910BQ040 IR SMB 1.00 400.53RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 400.55RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 400.55SS14 GS DO214 1.00 40 0.50MBRS140T3 ON - 1.00 400.6010BQ060 IR SMB 1.00 600.57SS16 GS DO214 1.00 60 0.7510BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7510MQ040N IR SMA 1.10 40 0.5115MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.4530BQ015 IR SMC 3.00 15 0.3530BQ040 IR SMC 3.00 40 0.5130BQ060 IR SMC 3.00 60 0.5830BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79STPS340U STM SOD6 3.00 400.84MBRS340T3 ON - 3.00 40 0.52RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45MBRS360T3 ON - 3.00 60 0.7030WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.6230WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.7030WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.9130WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.5250WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.5350WQ06FN IR DPAK 5.50 60 0.576CWQ06FN IR DPAK 6.60 600.586CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 1000.811N5817 ON 轴向 1.00 20 0.75 1N5818 ON 轴向 1.00 30 0.55SB130 GS 轴向 1.00 30 0.50 1N5819 ON 轴向 1.00 40 0.60 MBR150 ON 轴向 1.00 501.00MBR160 ON 轴向 1.00 601.0011DQ10 IR 轴向 1.10 100 0.8511DQ04 IR 轴向 1.10 40 0.55 11DQ05 IR 轴向 1.10 50 0.58 11DQ06 IR 轴向 1.10 60 0.58MBRS340TR IR SMC 3.00 400.431N5820 ON 轴向 3.00 20 0.85 1N5821 ON 轴向 3.00 30 0.38 1N5822 ON 轴向 3.00 40 0.52MBR360 ON 轴向 3.00 601.00SS32 GS DO214 3.00 20 3.00 SS34 GS DO214 3.00 40 0.50 31DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57 SB540 GS DO201 5.00 40 0.57 50SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.66 50SQ100 IR 轴向 5.00 100 0.66 MBR735 GS TO220 7.50 350.84MBR745 GS TO220 7.50 450.84MBR745 IR TO220 7.50 450.8480SQ040 IR 轴向8.00 40 0.53 STQ080 IR TO220 8.00 80 0.72 8TQ100 TO220 8.00 100 0.72 80SQ040 IR 轴向8.00 40 0.5380SQ035 IR DO204AR 8.00 350.53HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 6001.7095SQ015 轴向9.00 15 0.3190SQ040 轴向9.00 40 0.48 10TQ045 TO220 10.00 45 0.57 MBR1035 GS TO220 10.00 350.84MBR1045 ON TO220 10.00 450.84STPS1045F ON ISO220 10.00 45 0.64MBR2060CT ON TO220 10.00 600.85 <P style="TEXT-INDE。

肖特基二极管如何选型

大电流肖特基二极管在电源中的应用
随着大电流肖特基二极管在电源领域的卓越表现.在电路设计中,越来越重要.我们可以预测,将来的电源产品必向高节能,低温差发展.试想一下,一个充电器能量转换高,就是在节能. 且温差不大.意味着安全!
众所周知的是, 肖特基三个重要参数就是: 电流,反向耐压和VF值. 而肖特基二极管的型号已经说明前面两个重要参数:
肖特基系列电流,反向耐压封装(铁封,有F为塑封)
凌讯电子来为您举个例子: 输出2A 12V 的一个电源. 如何选型呢? 公式如下: 输出2*3倍------电流
输出12*6-8倍------反向耐压
因此,可以看出适合的型号是:MBR10100CT. 参数小了,肖特基会击穿,如果参数大很多,亦不可取. 其一: 电压做的越大,VF值成正比. 也就是说内损耗越大. 温升高; 其二: 成本较高.
肖特基三个重要参数,你会看了吗?。

肖特基二极管参数表

肖特基二极管参数表摘要：I.肖特基二极管简介A.肖特基二极管的定义B.肖特基二极管的作用II.肖特基二极管参数表A.肖特基二极管的分类B.肖特基二极管的主要参数1.最大重复峰值反向电压2.最大直流阻断电压3.最大正向平均整流电流4.最大瞬时正向电压5.最大直流反向电流C.肖特基二极管参数的重要性III.肖特基二极管参数的选择与应用A.参数选择的原则B.肖特基二极管的应用领域1.电源电路2.通信设备3.电子仪器4.其他领域IV.肖特基二极管的性能与使用寿命A.肖特基二极管的性能优势B.肖特基二极管的使用寿命C.提高肖特基二极管性能和使用寿命的方法正文：肖特基二极管是一种半导体器件，具有单向导通的特性，主要应用于电路中的整流、稳压、保护等场合。

它的参数表是选择和应用肖特基二极管的关键依据。

肖特基二极管参数表主要包括以下几个方面：1.最大重复峰值反向电压：指肖特基二极管能够承受的最大反向电压，决定了二极管在电路中工作的稳定性和可靠性。

2.最大直流阻断电压：肖特基二极管在正向导通状态下，能够承受的最大直流电压。

3.最大正向平均整流电流：肖特基二极管在正向导通状态下，能够承受的最大平均电流。

4.最大瞬时正向电压：指肖特基二极管在正向导通状态下，瞬时承受的最大正向电压。

5.最大直流反向电流：指肖特基二极管在反向截止状态下，能够承受的最大直流反向电流。

这些参数对于选择合适的肖特基二极管至关重要，关系到电路的正常工作和设备的安全。

在选择肖特基二极管参数时，需要根据具体应用场景和电路需求来进行权衡。

例如，对于电源电路，需要关注肖特基二极管的最大重复峰值反向电压和最大直流阻断电压；对于通信设备，需要关注其最大正向平均整流电流和最大瞬时正向电压；对于电子仪器，需要关注最大直流反向电流等参数。

肖特基二极管广泛应用于电源电路、通信设备、电子仪器等领域。

例如，在电源电路中，肖特基二极管可以实现整流、稳压等功能，保证电路的稳定运行；在通信设备中，肖特基二极管可以用于信号放大、开关等电路，提高通信质量和设备性能；在电子仪器中，肖特基二极管可以作为保护元件，防止电路因过电压、过电流等异常情况而受损。

升压电路中肖特基选择-概述说明以及解释

升压电路中肖特基选择-概述说明以及解释1.引言1.1 概述概述部分的内容：引言部分将对本文的主要内容进行简要概述。

本文将讨论升压电路中肖特基二极管的选择问题。

肖特基二极管作为一种特殊的二极管，具有很多独特的优点，使其成为升压电路中的重要组成部分。

通过对肖特基二极管的原理和特性进行分析，可以更好地理解它在升压电路中的应用。

本文将从理论和实践的角度，探讨肖特基二极管在升压电路中的选择优势，并给出相应的建议和注意事项。

此外，本文还将展望肖特基二极管在未来升压电路中的发展前景。

通过对肖特基二极管的深入研究，我们将得到一些对升压电路设计和优化有指导意义的结论。

1.2 文章结构本文将分为三个主要部分来讨论升压电路中肖特基选择的问题。

第一部分是引言，包括概述、文章结构和目的。

在概述中，我们将介绍肖特基选择在升压电路中的重要性以及本文的研究意义。

文章结构部分将说明本文的章节安排和每个章节的主要内容。

目的部分将明确本文的研究目标和解决的问题。

第二部分是正文，将分为三个小节。

首先，我们将详细介绍肖特基二极管的原理和特性，包括其基本结构、工作原理和常见特性。

其次，我们将阐述升压电路的基本原理，包括不同类型的升压电路和常见的工作方式。

最后，我们将探讨肖特基二极管在升压电路中的应用，包括其优势和适用场景。

第三部分是结论，将总结肖特基二极管在升压电路中的选择优势，并给出对肖特基二极管选择的建议和注意事项。

另外，我们还将展望肖特基二极管在未来升压电路中的发展前景，以期为相关领域的研究提供一定的参考和借鉴。

通过以上的论述，本文将全面介绍肖特基选择在升压电路中的重要性和应用，并结合实际情况对其进行深入探讨。

希望本文能够对读者在升压电路设计中的肖特基二极管选择起到指导和参考作用。

1.3 目的本文的目的是研究和讨论在升压电路中选择肖特基二极管的重要性和优势。

在现代电路设计中，升压电路被广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要使用低电压供电的情况下。

SiC系列产品选型指南肖特基二极管和MOSFET说明书

Schottky Diodes and MOSFETsSpecifications are subject to change without notice.The data indicated herein describe types of components and shall not be considered asassured characteristics.The products listed in this catalog are not recommended for use in life support systems wherea failure or malfunction of the component may directly threaten life or cause injury.The user of products in such applications shall assume all risks of such use and will agree to hold Bruckewell Technology Co LTD and all the companies whose products are represented in this catalog, harmless against all damages.© 2021 Bruckewell Technology Co LTD.All Rights Reserved.Specifications subject to change without notice.Schottky Diodes and MOSFETsIn the recent decades, the Silicon carbide (SiC), turned out to be an excellent semiconductor material. Composed of carbon and silicon, and used in power applications in which it showed excellent performance, far superior to those of silicon.Significant progress has been made in the field of the semiconductor industry, in which the technologies for the processing of silicon carbide have become increasingly more sophisticated, and have produced semiconductor devices with excellent performance.In the facts those devices during the applications have shown a remarkable capacity to reduce losses and a high switching speed in comparison to that offered by silicon. The use of silicon carbide (SiC) as a semiconductor begins to expand into multiple applications and always proves to be more and more the candidate to replace silicon in the most important applications such as automotive and E-Bike motor control. For these reasons, Bruckewell Semi decided to launch the production of the SiC Products, including the SiC Schottky Diode and SiC MOSFET, support the 650V to 1200V, and give the opportunity to its customers to take advantage of the benefits that the products offer in the SiC high-voltage power applications.Present our SiC products line as belowDFN 3X3 is unique package and CBR10P65HM is first smallest SiC SBD Diode in the industry.TO-277 has same foot print with TO-252 (DPak), and has better thermal performance.Schottky Diodes and MOSFETsWhen the diodes are used simultaneously:ΔTj(diode1) = P(diode1) x Rth(j-c) (per diode) + P(diode2) x Rth(c)To evaluate the conduction losses use the following equation:P = 1.35 x IF(AV) + 0.144 x IF2(RMS)Schottky Diodes and MOSFETsSchottky Diodes and MOSFETsNote:The suffix C5 in the Infineon Parts means the CoolSiC™ 5G, others are CoolSiC™ 3GSchottky Diodes and MOSFETsNote:The suffix of Rohm Parts means the breakdown voltage, A means 650V, K means 1200VSchottky Diodes and MOSFETsSchottky Diodes and MOSFETsSchottky Diodes and MOSFETsDisclaimerALL PRODUCT, PRODUCT SPECIFICATIONS AND DATA ARE SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE TO IMPROVE RELIABILITY, FUNCTION OR DESIGN OR OTHERWISE. Bruckewell Technology Inc., its affiliates, agents, and employees, and all persons acting on its or their behalf (collectively, “Bruckewell”), disclaim any and all liability for any errors, inaccuracies or incompleteness contained in any datasheet or in any other disclosure relating to any product. Bruckewell makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of the products for any particular purpose or the continuing production of any product. To the maximum extent permitted by applicable law, Bruckewell disclaims(i) Any and all liability arising out of the application or use of any product.(ii) Any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. (iii) Any and all implied warranties, including warranties of fitness for particular purpose, non-infringement and merchantability.Statements regarding the suitability of products for certain types of applications are based on Bruckewell’s knowledge of typical requirements that are often placed on Bruckewell products in generic applications.Such statements are not binding statements about the suitability of products for a particular application. It is the customer’s responsibility to validate that a particular product with the properties described in the product specification is suitable for use in a particular application. Parameters provided in datasheets and/or specifications may vary in different applications and performance may vary over time.Product specifications do not expand or otherwise modify Bruckewell’s terms and conditions of purchase, including but not limited to the warranty expressed therein.。

稳压二极管型号对照表

稳压⼆极管型号对照表稳压⼆极管型号对照表作者: 晨昏 | 浏览数(51) | 评论数(0) | 10-21 21:39 稳压⼆极管型号对照表200W、230W、300W、350W、420W等各功率电脑电源上的整流部分散热⽚上的快恢复、肖特基⼆极管.型号如:1.快恢复⼆极管:F12C20 F16C20C U20C20C U20D20C2.肖特基⼆极管:S10C40C S16C40C S20C40C S30D40C S40D45C S40D60C3.光藕BPC817C ,IN5408、FR107/FR104/KBP206等不同种类⼆极管如何选⽤1．检波⼆极管的选⽤检波⼆极管⼀般可选⽤点接触型锗⼆极管，例如2AP系列等。

选⽤时，应根据电路的具体要求来选择⼯作频率⾼、反向电流⼩、正向电流⾜够⼤的检波⼆极管。

2．整流⼆极管的选⽤整流⼆极管⼀般为平⾯型硅⼆极管，⽤于各种电源整流电路中。

选⽤整流⼆极管时，主要应考虑其最⼤整流电流、最⼤反向⼯作电流、截⽌频率及反向恢复时间等参数。

普通串联稳压电源电路中使⽤的整流⼆极管，对截⽌频率的反向恢复时间要求不⾼，只要根据电路的要求选择最⼤整流电流和最⼤反向⼯作电流符合要求的整流⼆极管即可。

例如，1N系列、2CZ系列、RLR系列等。

开关稳压电源的整流电路及脉冲整流电路中使⽤的整流⼆极管，应选⽤⼯作频率较⾼、反向恢复时间较短的整流⼆极管（例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等）或选择快恢复⼆极管。

3．稳压⼆极管的选⽤稳压⼆极管⼀般⽤在稳压电源中作为基准电压源或⽤在过电压保护电路中作为保护⼆极管。

选⽤的稳压⼆极管，应满⾜应⽤电路中主要参数的要求。

稳压⼆极管的稳定电压值应与应⽤电路的基准电压值相同，稳压⼆极管的最⼤稳定电流应⾼于应⽤电路的最⼤负载电流50%左右。

4、开关⼆极管的选⽤开关⼆极管主要应⽤于收录机、电视机、影碟机等家⽤电器及电⼦设备有开关电路、检波电路、⾼频脉冲整流电路等。

肖特基二极管型号大全及选择

肖特基二极管型号大全及选择
通过市场调查,不难发现采购到假冒翻新的二极管时有发生. 一些不法商家利用翻新件充当全新器件;或通过更改印字,以小芯片充当大芯片卖等等. ..后果很严重,有时甚至是危及生命安全. 最近充电宝事件,已广泛引起人们的关注和担心! 在这里,凌讯电子愿意为您解决困扰. 教您如何检验元器件的好坏!以肖特基二极管为例:
(一)看外观:
1. 印字: 现在肖特基二极管都是激光印字, 具有无毒,环保,字体清晰,永不磨损的特点. 油印的翻新机率大,有毒,不环保.建议不用.
2. 脚位: 标准器件脚长,都是有一定标准的.请参考资料. 如果脚偏短,有可能是二次打磨.建议不用.
3. 镀锡: 目前肖特基二极管分两种: 亮脚(国产较多)和粉脚(国外较多)各有优势. 亮脚上锡快,储存时间长; 粉脚上锡非常快,但易氧化.如果外观已氧化,建议不用.
(二)测试:
1. 芯片: 防止以小充大.尺寸是直观表现.
2. 参数: 正规厂家都是会提供参数的. 测试参数的准确性是非常重要的.是一个产品好坏的直观体现.。

肖特基二极管

肖特基二极管求助编辑百科名片肖特基二极管肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。

SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。

因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

目录简介原理优点结构封装特点应用作用检测性能比较检测方法其它高压SBDSiC高压SBD展开编辑本段简介肖特基二极管是以其发明人华特‧肖特基博士（Walter Hermann Schottky，1886年7月23日—1976年3月4日）命名的，SBD是肖特基势垒二极管肖特基二极管结构原理图（Schottky Barrier Diode,缩写成SBD）的简称。

SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。

因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

肖特基二极管是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。

其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。

这些优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。

中、小功率肖特基整流二极管大多采用封装形式。

编辑本段原理肖特基二极管肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。

因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。

显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。

随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。

肖特基二极管通用参数全套汇编

肖特基二极管常用参数大全肖特基二极管常用参数大全肖特基二极管常用参数大全型号制造商封装If/A Vrrm/V最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.1 400.60BAT15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32BAT54A PS SOT23 0.20 300.5010MQ060N IR SMA 0.77 900.6510MQ100N IR SMA 0.77 1000.9610BQ015 IR SMB 1.00 150.34SS12 GS DO214 1.00 20 0.50MBRS130LT3 ON - 1.00 300.3910BQ040 IR SMB 1.00 400.53RB060L-40 ROHM PMDS 1.00 400.55RB160L-40 ROHM PMDS 1.00 400.55SS14 GS DO214 1.00 40 0.50MBRS140T3 ON - 1.00 400.6010BQ060 IR SMB 1.00 600.57SS16 GS DO214 1.00 60 0.7510BQ100 IR SMB 1.00 100 0.78MBRS1100T3 ON - 1.00 100 0.7510MQ040N IR SMA 1.10 40 0.5115MQ040N IR SMA 1.70 40 0.55PBYR245CT PS SOT223 2.00 45 0.4530BQ015 IR SMC 3.00 15 0.3530BQ040 IR SMC 3.00 40 0.5130BQ060 IR SMC 3.00 60 0.5830BQ100 IR SMC 3.00 100 0.79STPS340U STM SOD6 3.00 400.84MBRS340T3 ON - 3.00 40 0.52RB051L-40 ROHM PMDS 3.00 40 0.45MBRS360T3 ON - 3.00 60 0.7030WQ04FN IR DPAK 3.30 40 0.6230WQ06FN IR DPAK 3.30 60 0.7030WQ10FN IR DPAK 3.30 100 0.9130WQ03FN IR DPAK 3.50 30 0.5250WQ03FN IR DPAK 5.50 30 0.5350WQ06FN IR DPAK 5.50 60 0.576CWQ06FN IR DPAK 6.60 600.586CWQ10FN IR DPAK pr 6.60 1000.811N5817 ON 轴向 1.00 20 0.75 1N5818 ON 轴向 1.00 30 0.55SB130 GS 轴向 1.00 30 0.50 1N5819 ON 轴向 1.00 40 0.60 MBR150 ON 轴向 1.00 501.00MBR160 ON 轴向 1.00 601.0011DQ10 IR 轴向 1.10 100 0.8511DQ04 IR 轴向 1.10 40 0.55 11DQ05 IR 轴向 1.10 50 0.58 11DQ06 IR 轴向 1.10 60 0.58MBRS340TR IR SMC 3.00 400.431N5820 ON 轴向 3.00 20 0.85 1N5821 ON 轴向 3.00 30 0.38 1N5822 ON 轴向 3.00 40 0.52MBR360 ON 轴向 3.00 601.00SS32 GS DO214 3.00 20 3.00 SS34 GS DO214 3.00 40 0.50 31DQ10 IR DO201 3.30 100 0.85SB530 GS 轴向 5.00 30 0.57 SB540 GS DO201 5.00 40 0.57 50SQ080 IR 轴向 5.00 80 0.66 50SQ100 IR 轴向 5.00 100 0.66 MBR735 GS TO220 7.50 350.84MBR745 GS TO220 7.50 450.84MBR745 IR TO220 7.50 450.8480SQ040 IR 轴向8.00 40 0.53 STQ080 IR TO220 8.00 80 0.72 8TQ100 TO220 8.00 100 0.72 80SQ040 IR 轴向8.00 40 0.5380SQ035 IR DO204AR 8.00 350.53HFA16PA60C IR TO247CT 8.00 6001.7095SQ015 轴向9.00 15 0.3190SQ040 轴向9.00 40 0.48 10TQ045 TO220 10.00 45 0.57 MBR1035 GS TO220 10.00 350.84MBR1045 ON TO220 10.00 450.84STPS1045F ON ISO220 10.00 45 0.64MBR2060CT ON TO220 10.00 600.85 <P style="TEXT-INDE。

丝印SL贴片肖特基二极管规格书

B5817WS-B5819WSSCHOTTKY BARRIER DIODECase : Molded plastic bodyTerminals : Plated leads solderable per MIL-STD-750, Method 2026Polarity : Polarity symbols marked on caseMarking : B5817W:SJ, B5818W:SK, B5819W:SLFEATURESMECHANICAL DATAFor use in low voltage, high frequency inverters Free wheeling, and polanty protection applicationsElectrical ratings @T A =25C SYMBOLS Test conditions V (BR)Reverse breakdown voltageReverse voltage leakage currentForward voltageDiode capacitance PARAMETERMin.Max.Unit V V VI R =1mA 0.450.750.550.8750.60.912019625200625-65 to +15030Maximum ratings and electrical characteristics, Single diode @T A=25C SYMBOLSUNITS V RRM V RWM V R Peak repetitive peak reverse voltage Working peakDC Blocking voltage RMS Reverse voltageAverage rectified output currentPeak forward surge current @=8.3ms Repetitive peak forward current Power dissipationThermal resistance junction to ambient Storage temperatureNon-Repetitive peak reverse voltage T STG V RMV V A A mA mW K/WCVB5818WS3021V R(RMS)I O Pd PARAMETERI FSM R ΘJA I R203040pFI FRM B5817WSB5819WS204014282040C D V F1mAV V VV R =4V,f=1.0MHzB5817WS B5818WS B5819WS V R =20V V R =30V V R =40VB5817WS B5818WS B5819WS I F =1A I F =3AB5817WSB5818WS B5819WSSOD-323Dimensions in millimeters and (inches)RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES B5817WS-B5819WS0 10 100NUMBER OF CYCLES AT 60HzFIG. 2-MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAKFORWARD SURGE CURRENTFIG. 1- FORWARD CURRENT DERATING CURVEA V E R A G E F O R W A R D C U R R E N T (A )30252015105CASE TEMPERATURE(C )P E A K F O R W A R D S U R G E C U R R E N T (A )0 20 40 60 80 100 120 140FIG. 3- TYPICAL INSTANTANEOUSI NS T A N T A NE O U SF O R W A R D C U R R E N T (A )0 0.4 0.8 1.2 1.6INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE(V)FIG. 4- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICSI N S T A N T A N E O U S R E V E R S E C U R R E N T (m S )0 20 40 60 80 100100101.00.10.010.001PERCENT OF RATED PEAK PEVERSE VOLTAGE (%)FIG. 5- TYPICAL JUNCTION CAPACITANCEJ U N C T I O N C A P A C I T A N C E (p F )REVERSE VOLTAGE (V)0 1 10 1001001010.1T R A N S I E N T T H E R M A L I M P E D A N C E (C /W )FIG. 6-TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCEt--PULSE DURATION (sec.)【领先的片式无源器件整合供应商—南京南山半导体有限公司】 |样品申请单模板。

肖特基二极管手册

肖特基二极管手册肖特基二极管手册是一本介绍肖特基二极管的基础知识、特点、应用等方面的工具书，对于电子工程师和研究人员来说，是一本必不可少的参考书。

以下是本文对肖特基二极管手册内容进行的简要介绍。

第一部分：基础知识在这一部分中，手册介绍了肖特基二极管的基本原理，即该器件利用了金属-半导体接触的本质非对称性质，实现了非常优秀的整流效果。

手册中详细描述了金属-半导体界面的特殊结构和电学性质，以及该结构所带来的整流特性。

同时，肖特基二极管与传统的 P-N 结二极管相比，有着极高的速度和响应时间，以及低的噪声水平。

手册详细分析了这些特殊的性质，并且提供了实验数据和例子，以便读者更好地理解这些特点。

第二部分：特点和规格这一部分介绍了肖特基二极管的主要特征和规格参数。

手册详细解释了器件的最大可承受电压、额定电流和最大功率等特点，同时还介绍了其内部的各种特殊设计。

手册提供了非常详细和全面的指导和介绍，帮助读者了解如何选择和应用不同类型的肖特基二极管。

第三部分：应用在应用部分，手册介绍了肖特基二极管的实际应用和使用场景。

以 DC/DC 变换器、交流/直流转换器、折叠、调制和开关电源等器件为例，手册提供了一些不同应用领域的例子，说明了如何在特定的应用中选择和使用肖特基二极管。

同时，手册还介绍了一些实验和测试技术，以便读者更好地理解和掌握器件的特性和表现。

手册提供了多种实验方案和测试数据，帮助读者进行自己的实验和测试。

总结肖特基二极管手册是一本权威、全面、实用的工具书。

其中包含了肖特基二极管的基本知识、主要特点和规格、应用和实验方案等方面的信息，是一本值得电子工程师和研究人员深入阅读和掌握的参考书。

肖特基（SCHOTTKY）势垒二极管系列

肖特基（SCHOTTKY）势垒二极管系列肖特基（SCHOTTKY）系列二极管本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。

介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。

对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。

最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。

本文主要包括下面六个部分：一．肖特基二极管简介二．我所肖特基二极管生产状况三．我所肖特基二极管种类四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析五．介绍我所生产的两种肖特基二极管(1)2DK030高可靠肖特基二极管(2)1N60超高速肖特基二极管六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用下面只对部分常用的参数加以说明(1) V F正向压降Forward Voltage Drop(2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop(3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage(4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage(5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage(6) V DC最大直流截止电压Maximum DC BlockingVoltage(7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time(8) I F(AV)正向电流Forward Current(9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent(10) I R反向电流Reverse Current(11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature(12) T J工作结温Operating Junction Temperature(13) T STG储存温度Storage Temperature Range(16) T C管子壳温Case Temperature一．肖特基二极管简介：同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。

肖特基二极管知识

肖特基二极管知识肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky)命名的，是肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode,缩写成SBD)的简称。

肖特基二极管原理及结构和其他的二极管比起来，肖特基二极管有什么特别的呢？SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。

因此，SBD也称为金属-半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。

阳极使用钼或铝等材料制成阻档层。

用二氧化硅（SiO2）来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。

N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。

在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。

通过调整结构参数，N型基片和阳极金属之间便形成肖特基势垒，如图所示。

当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

肖特基整流管仅用一种载流子(电子)输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题(Qrr→0)，使开关特性获得时显改善。

其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。

但它的反向耐压值较低，一般不超过去时100V。

因此适宜在低压、大电流情况下工作。

利用其低压降这特点，能提高低压、大电流整流(或续流)电路的效率。

肖特基二极管的封装肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。

采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。

它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式，肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。

[常用肖特基二极管参数]常用肖特基二极管参数

[常用肖特基二极管参数]常用肖特基二极管参数篇一: 常用肖特基二极管参数型号制造商封装If/A Vrrm/V 最大Vf/V1SS294 TOS SC-59 0.1 40 0.60BA T15-099 INF SOT143 0.11 4 0.32BA T54APSSOT23 0.20 30 0.5010MQ060NIRSMA0.77 90 0.6510MQ100NIRSMA0.77 100 0.9610BQ015 IRSMB1.00 15 0.34SS12GSDO2141.00 20 0.50MBRS130L T3ON-1.00 30 0.3910BQ040 IRSMB1.00 40 0.53RB060L-40 ROHMPMDS 1.00 40 0.55 RB160L-40 ROHMPMDS 1.00 40 0.55 SS14GSDO2141.00 40 0.50MBRS140T3 ON-1.00 40 0.6010BQ060 IRSMB1.00 60 0.57SS16GSDO2141.00 60 0.7510BQ100 IRSMB1.00 100 0.78 MBRS1100T3ON-1.00 100 0.7510MQ040NIRSMA1.10 40 0.5115MQ040NIRSMA1.70 40 0.55PBYR245CT PSSOT223 2.00 45 0.45 30BQ015 IRSMC3.00 15 0.3530BQ040 IRSMC3.00 40 0.5130BQ060 IRSMC3.00 60 0.5830BQ100 IRSMC3.00 100 0.79 STPS340USTM SOD6 3.00 40 0.84 MBRS340T3 ON-3.00 40 0.52RB051L-40 ROHMPMDS 3.00 40 0.45 MBRS360T3 ON-3.00 60 0.7030WQ04FNIRDPAK 3.30 40 0.6230WQ06FNIRDPAK 3.30 60 0.7030WQ10FNIRDPAK 3.30 100 0.91 30WQ03FNIRDPAK 3.50 30 0.52 50WQ03FNIRDPAK 5.50 30 0.53 50WQ06FNIRDPAK 5.50 60 0.576CWQ06FNIRDPAK 6.60 60 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60 0.95 PBYR10100 PSTO22010.00 100 0.70 10TQ040 IRTO22010.00 40 0.57 MBR1045 IRTO22010.00 45 0.8410CTQ150-1IRD2pak10.00 150 0.73 40L15CTSIRD2pak10.00 150 0.4185CNQ015A IRD6180.00 15 0.32 150K40A IRD08150.00 400 1.3312CTQ040 IRTO220 12.00 45 0.73 MBR1545CTIRTO220 pr15.00 45 0.72 MBR1660GSTO220 16.00 60 0.7516CTQ080 IRTO220 pr16.00 80 0.72 16CTQ100 IRTO220 pr16.00 100 0.72 16CTQ100-1 IRD2Pak 16.00 100 0.72 18TQ045ONTO220 18.00 45 0.60 HFA16PB120 IRTO247 16.00 1200 3.00 MBR1645IRTO220AC 16.00 45 0.63 19CTQ015 IRTO220 19.00 15 0.3620CTQ045 IRTO220 pr20.00 45 0.64 20TQ045IRTO220 20.00 45 0.57MBR2045CTIRTO220 pr20.00 45 0.84 MBR2090CTIRTO220 pr20.00 90 0.80MBR20100CT IRTO220 pr20.00 100 0.80 MBR20100CT-1IRTO262 20.00 100 0.80 MBR2080CTIRTO220AB 20.00 80 0.85 MBR2545CTIRTO220AB 30.00 45 0.82 MBR3045WTIRTO247 30.00 4532CTQ030 IRTO220 pr30.00 30 0.4932CTQ303-1 IRD2Pak 30.00 30 0.4930CPQ060 IRTO220 pr30.00 60 0.6230CPQ080IRTO247AC 30.00 80 0.8630CPQ100IRTO247 pr30.00 100 0.8630CPQ150 IRTO247 pr30.00 150 1.0040CPQ040 IRTO247 pr40.00 40 0.49 40CPQ045 IRTO247 pr40.00 45 0.49 40CPQ050 IRTO247AA 40.00 50 0.53 40CPQ100 IRTO247 pr40.00 100 0.77 40L15CTIRTO220AB 40.00 15 0.53 47CTQ020 IRTO220 40.00 20 0.34 48CTQ060 IRTO220 40.00 60 0.58 40L15CWIRTO247 40.00 15 0.5242CTQ030 IRTO220 40.00 30 0.38 40CTQ045 IRTO220 40.00 45 0.68 40L45CWIRTO247 40.00 45 0.7040CPQ060 ONTO247 40.00 60 0.68 MBR4045WTIRTO247 40.00 45 0.59 MBR4060WTIRTO247 40.00 60 0.77 43CTQ100 IRTO220 40.00 100 0.98 52CPQ030 IRTO247 50.00 30 0.38 MBR6045WTIRTO247pr 60.00 45 0.73 STPS6045CPIONTOP3I 60.00 45 0.84 65PQ015IRTO247 65.00 15 0.5072CPQ030 IRTO247AC 70.00 30 0.51 85CNQ015 IRD61 80.00 15 0.3283CNQ100 IRD61 80.00 100 0.6780CPQ020 IRTO247 80.00 20 0.3282CNQ030AIRD61 80.00 30 0.3782CNQ045AIRD61 80.00 45 0.4783CNQ100AIRD61 80.00 100 0.67120NQ045IRHALFPAK 120.00 45 0.52 125NQ015 IRD67 120.00 15 0.33122NQ030 IRD67 120.00 30 0.41STPS16045TVONISOTOP 160.00 45 0.95 182NQ030 IRD67 180.00 30 0.41200CNQ040IRTO244AB 200.00 40 0.54 200CNQ045IRTO244AB 200.00 45 0.54200CNQ030IRTO244AB 200.00 30 0.48 STPS24045TVONISOTOP 240.00 45 0.91 203CMQ080IRTO244 200.00 80 1.03 240NQ045 IRHALFPAK 240.00 45 0.55 301CNQ045IRTO244 300.00 45 0.59 403CNQ100IRTO244AB 400.00 100 0.83 440CNQ030IRTO244AB 440.00 30 0.41 肖特基二极管肖特基二极管肖特基整流二极管型号额定IA VRRM V向峰值电压浪涌电流IFSM A反向恢复时间ns SB0200.6202010SB0300.6302010SB0400.64020101N581712025101N581813025101N58191402510SB1201204010SB1301304010SB1401404010SB150150405SB160160405 SR1201204020 SR1301304020 SR1401404020 SR1501504020 SR1601604020 SR1801804020 SR1A011004020 SB2202205020 SB2302305020 SB2402405020SB2502505020 SB2602605020 SR2202205010 SR2302305010 SR2402405010 SR2502505010 SR2602605010 SR2802805010 SR2A021005010 1N58203208020 1N582133080201N58223408020 SB3203208020 SB3303308020 SB3403408020 SB3503508010 SB3603608010 SR3203208020 SR3303308020 SR3403408020 SR3503508020 SR3603608020SR3803808020 SR3A031008020 SB52052015050 SB53053015050 SB54054015050 SB55055015025 SB56056015025 SR52052015050 SR53053015050 SR54054015050 SR55055015025SR56056015025SR58058015025SR5A0510015025篇二: 肖特基二极管原理和常用参数和检测方法肖特基二极管原理肖特基势垒二极管SBD是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。

扬州扬杰肖特基二极管选型手册

扬州扬杰肖特基二极管选型手册（最新版）目录1.扬州扬杰肖特基二极管选型手册概述2.扬州扬杰肖特基二极管的种类与特点3.扬州扬杰肖特基二极管的选型流程4.扬州扬杰肖特基二极管的应用领域5.结语正文一、扬州扬杰肖特基二极管选型手册概述扬州扬杰电子科技有限公司（以下简称“扬州扬杰”）致力于为客户提供高品质的半导体产品，其中肖特基二极管作为公司的主要产品之一，广泛应用于各种电子设备中。

为了帮助客户快速、准确地选择合适的肖特基二极管，扬州扬杰特别推出了肖特基二极管选型手册。

本手册旨在为客户提供详细的选型指导，确保客户能够根据实际需求选择到最佳的肖特基二极管。

二、扬州扬杰肖特基二极管的种类与特点1.种类扬州扬杰肖特基二极管分为多种类型，主要包括：（1）普通肖特基二极管（SBD）（2）快速恢复肖特基二极管（Fast Recovery SBD）（3）高电压肖特基二极管（High Voltage SBD）（4）低正向电压肖特基二极管（Low Forward Voltage SBD）扬州扬杰肖特基二极管具有以下特点：（1）低动态阻抗：在开关状态下，具有较低的动态阻抗，有利于提高整机效率。

（2）高电流速度：具有较高的电流速度，可满足高速开关需求。

（3）低正向电压：正向电压较低，有利于降低整机功耗。

（4）高抗浪涌能力：具有较高的抗浪涌能力，可有效保护电路免受浪涌冲击。

三、扬州扬杰肖特基二极管的选型流程1.确定需求参数：根据实际应用需求，确定所需的肖特基二极管参数，如正向电压、反向电压、电流、动态阻抗等。

2.对照产品手册：根据所需参数，查阅扬州扬杰肖特基二极管选型手册，初步筛选出符合要求的产品型号。

3.比较产品性能：对初步筛选出的产品型号进行性能比较，选择最符合需求的产品。

4.咨询专业技术支持：在选型过程中遇到问题，可随时联系扬州扬杰专业技术支持团队，获取专业建议。

四、扬州扬杰肖特基二极管的应用领域扬州扬杰肖特基二极管广泛应用于以下领域：1.通信设备：如手机、路由器、交换机等。

ASEMI肖特基二极管型号大全

ASEMI肖特基⼆极管型号⼤全编辑-Z每个电器都必然有很多⼆极管，其中使⽤最多的就是肖特基⼆极管。

那么什么是肖特基⼆极管？肖特基有哪些型号？ASEMI肖特基⼆极管型号⼤全肖特基⼆极管以其发明者肖特基博⼠的名字命名，SBD是肖特基势垒⼆极管的简称。

SBD不是利⽤P型半导体和N型半导体之间形成PN结的原理制成的，⽽是利⽤⾦属和半导体接触形成⾦属-半导体结的原理制成的。

因此，SBD也被称为⾦属半-导体（接触）⼆极管或表⾯势垒⼆极管，是⼀种热载流⼦⼆极管。

为电⼦元器件⾏业做出了巨⼤的贡献。

那我们要怎么选⽤肖特基⼆极管呢，下⾯给⼤家介绍肖特基⼆极管型号⼤全。

肖特基⼆极管通常⽤于开关电源。

但由于不同⼚家等原因，性能差异很⼤。

ASEMI肖特基⼆极管型号⼤全，我们在选择肖特基⼆极管时，必须考虑以下参数：1、导通压降VF：VF是⼆极管正向导通时⼆极管两端的压降。

选择肖特基⼆极管是为了选择 VF 较⼩的⼆极管。

2、反向饱和漏电流IR：IR是指在⼆极管上施加反向电压时流过⼆极管的电流。

肖特基⼆极管的反向漏电流⼤。

选择尽可能⼩的漏电流肖特基⼆极管。

3、额定电流IF：指由⼆极管长期⼯作时的允许温升计算得出的平均电流值。

4、最⼤浪涌电流IFSM：允许流过的最⼤正向电流。

它不是正常电流，⽽是瞬时电流。

5、最⼤反向峰值电压VRM：即使没有反向电流，只要反向电压继续增加，⼆极管迟早会损坏。

可以施加的反向电压不是瞬时电压，⽽是反复叠加的反向电压。

由于整流器由交流电压供电，因此其最⼤值是指定的重要因素。

最⼤反向峰值电压 V R M 是指为避免击穿⽽可以施加的最⼤反向电压。

6、反向恢复时间Trr：当⼯作电压从正向电压变为反向电压时，⼆极管⼯作的理想条件是电流可以瞬间关断。

事实上，它通常需要⼀点延迟。

确定电流截⽌延迟的量是反向恢复时间。

虽然它直接影响⼆极管的开关速度，但并不⼀定意味着该值很⼩。

即当肖特基⼆极管突然导通反向时，反向电流⼤⼤衰减到IR所需的时间。

一文详解肖特基二极管和PN结二极管的选型

一文详解肖特基二极管和PN结二极管的选型二极管选型相对简单，相信每个硬件工程师，都有对比过肖特基二极管与PN结二极管的差异。

差异无非有以下结果：表中参数，看看就好，并不严格，知道二者之间的相对大小就行了。

了解了上面参数，基本就知道什么电路，该选什么类型的二极管了。

能用PN结二极管的地方就用PN结二极管，因为价格便宜。

肖特基二极管的优势主要在速度和压降，对这两个没要求的场景，那自然选择更便宜的由PN结构成的二极管。

下面说个在实际工作中可能忽视的点。

二极管导通电压提起二极管导通电压，估计脑子里面都是0.7V，形成这个印象其实并不好，有4点原因。

1、这个0.7V，说的是PN结二极管，肖特基二极管要更低。

我们经常使用二极管串联在电源支路上面，防止倒灌。

那你担心过二极管上面压降太大吗？其实你可能没有注意，在对压降有要求的地方，可能用的就是肖特基二极管，它的压降有多低呢？以BAT60BE237为例子吧，截个图给大家看看。

你看，通过10mA的电流，压降才0.24V。

对于一些小电流防倒灌的场合，电压不能下降太多，肖特基二极管就比较实用了。

如果工作电流更小，可能压降才零点一几伏。

所以，不要看到个电路中串了个二极管，就觉得这个压降是0.7V。

2、导通电压门限，这本身就是个模糊的定义。

我们知道二极管的伏安特性曲线是对数关系，那到底是通过1mA电流时看作开始导通，还是10mA100mA？3、导通电压有时会到1V以上，不同型号也相差比较大。

总会有用到大电流的时候，其实也不用太大，1A就行。

这时PN结构成的二极管，它导通电压其实一般都到1V左右了。

下图是超快恢复二极管，可以看到1A时，导通电压在1V以上，其中耐压600V以上的二极管导通电压都到了1.7V。

你还要说导通电压是0.7V吗？4、发光二极管导通压降差异更大o4YBAGCWXYeAP26ZAADT_CHT0YI484.png发光二极管也是二极管，不过它的区别就更大了。

肖特基二极管丝印方向

肖特基二极管丝印方向
肖特基二极管是一种特殊的二极管，它的丝印方向是指在二极管上的标记箭头所指的方向。

在使用肖特基二极管时，正确连接电极是非常重要的，因为错误连接会导致电路功能异常或者无法正常工作。

肖特基二极管通常有两个电极，分别是阳极（Anode）和阴极（Cathode）。

而在二极管上的丝印方向标记了阴极的方向，也就是箭头所指的方向。

所以在使用肖特基二极管时，我们要确保将阴极连接在箭头所指的那一端。

肖特基二极管的丝印方向非常重要，因为它决定了二极管的正常工作状态。

如果将二极管连接反了，就会导致二极管无法正常导通或者导通能力大大降低。

肖特基二极管的丝印方向有助于区分阳极和阴极，从而保证电路的正常工作。

在实际应用中，我们可以根据丝印方向来确定二极管的正确连接方式。

在电子设备中，肖特基二极管有着广泛的应用。

它具有快速开关特性和低电压损失等优点，可以用于高频电路、开关电源、电压倍增电路等。

而正确连接肖特基二极管可以确保电路的稳定性和可靠性。

除了丝印方向外，肖特基二极管还有一些其他的标记，如型号、批号等。

这些标记可以帮助我们识别和辨认二极管，以便正确选择和
使用。

总结起来，肖特基二极管的丝印方向是非常重要的，它标记了二极管的阴极方向，确保正确连接电极是保证电路正常工作的关键。

在使用肖特基二极管时，我们应该仔细观察丝印方向，并按照标记连接电极，以确保电路的稳定性和可靠性。