贴片陶瓷电容分类及温度特性
贴片电容材质分类
贴片电容材质分类文稿归稿存档编号：[KKUY-KKIO69-OTM243-OLUI129-G00I-FDQS58-这个是按美国电工协会（EIA）标准，不同介质材料的MLCC按温度稳定性分成三类：超稳定级（工类）的介质材料为COG或NPO；稳定级（II 类）的介质材料为X7R；能用级（Ⅲ）的介质材料Y5V。
X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
COG,X7R,X5R,Y5V均是电容的材质，几种材料的温度系数和工作范围是依次递减的，不同材质的频率特性也是不同的。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，NPO(COG) 多层片式陶瓷电容器,它只是一种电容COG（Chip On Glass）即芯片被直接邦定在玻璃上。
这种安装方式可以大大减小LCD模块的体积，且易于大批量生产，适用于消费类电子产品的LCD，如：手机，PDA等便携式产品，这种安装方式，在IC生产商的推动下，将会是今后IC与LCD的主要连接方式。
贴片陶瓷电容知识(介质,DF,漏电,应用等)
AVX/松下/华亚/国巨/TDK ,TAIYO,村田(不是春田啊),AVX单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
下表给出了NPO电容器可选取的容量范围。
容量精度在5％左右，但选用这种材质只能做容量较小的，常规100PF以下，100PF-1000PF也能生产但价格较高介质损耗最大0。
15%封装DC=50V DC=100V0805 0.5---1000pF 0.5---820pF1206 0.5---1200pF 0.5---1800pF1210 560---5600pF 560---2700pF2225 1000pF---0.033μF 1000pF---0.018μFNPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
贴片电容材质NP0、X7R、Y5V、Z5U图解及分析
封 装 DC=25V DC=50V 0805 0.01μF---0.12μF 0.01μF---0.1μF 1206 0.01μF---0.33μF 0.01---0.47μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---1μF
下表给出了 X7R 电容器可选取的容量范围。
封 装 DC=50V DC=100V 0805 330pF---0.056μF 330pF---0.012μF 1206 1000pF---0.15μF 1000pF---0.047μF 1210 1000pF---0.22μF 1000pF---0.1μF 2225 0.01μF---1μF 0.01μF---0.56μF
X 7R、Z5U 和 Y5V 电容器
Low Temp.
Symbol
High Temp.
Symbol
Max. Cap. change over temp. range (%) ±1.0 ±1.5 ±2.2 ±3.3 ±4.7 ±7.5 ±10 ±15 ±22 +22 to -33 +22 to -56 +22 to -82
Symbol
+10 -30 -55
Z Y X
+45 +65 +85 +105 +125 +150 +200
2 4 5 6 7 8 9
A B C D E F P R S T U V
Ex. :
X7R X : -55C 7 : +125 C R : 15%
X5R ,or(B) X : -55C ,(-25 C) 5 : +85 C ,(+85 C ) R : 15% ,(10%)
2211(X7R)贴片陶瓷电容器规格书说明书
2 倍额定电压
电压 250V＜V＜1KV 1.5 倍额定电压
1KV≤V
1.2 倍额定电压
在常温常湿下放置 48±4 小时后再测试.
注：NO3，11，12，13 电容的初值测定：先放在 150℃预热 1 小时,再常温常压放置48 小时测试。
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No 项 目
规格
测试方法
使用混合焊锡将电容器焊接在图1 的夹具(玻璃 环氧树脂)上,然后再图 2 所释放向加力. 焊接应 用回流焊进行,避免焊接不均及热冲击等不良 现象.
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6
耐电压
无介质被击穿或损伤
Ur=450/500/630V,1.5倍额定电压
（DC）
1KV≤Ur≤2KV,........ 1.2倍额定电压
2KV＜Ur,............... 1.1 倍额定电压 升压时间为：1～3S 保压时间为：5S
7
可焊性
■上锡率应大于 95% ■外观无可见损伤
将电容器在 80-120℃预热 10-30 秒,无铅焊料,使用 助焊剂；焊锡温度：245±5℃
测试电压:额定电压测
试时间:60±5 秒测试
5
绝缘电阻
IR≥4*109Ω,C≤25nF
湿度:≤75% 测试
IR*Cr≥100*1012Ω,C＞25nF 温度:25±5℃
测试充放电电流:≤50mA
Ur=100V,............. 2.5 倍额定电压
Ur=200V/250V,.... 2.0 倍额定电压
陶瓷贴片电容丶贴片电感丶片式磁珠命名规则与基本知识
陶瓷贴片电容、贴片电感.片式磁珠muRuta村田命名规则与基本知识一、村田陶瓷贴片电容知识M名衣示法如卜：片状独们盹瓷电容器GRM 15.3R7K 225KE15D•GRM—农示儀锡电极：卄通貼片期瓷12容•常用的村｝ 11容就是GRM艸通贴片海瓷电容与GNM卄通贴片搏容：•18——衣示尺寸（长*宽）:1.6*0.8mm即内通用尺对衣示是（K*审）1.6*0.8mm （单位为mm：c词阿卜通用尺、J A示是用英寸0603 （单位为inch；，卜J E询常用代码仃03、15、18、21、31、32、42、43、55〕；，II 体的对应值如卜I03-...0.6*0.3mm- (0201)15——1.0*0.5mm~-040218-...1.6*0.8mm- (0603)21-—2.0# 1.25mm——080531一“3.2* 1.6mm—120632-—3.2* 1.5mm一・121042一.5*2.0mm——180843 …45*3・2mm•—181255—5.7 拿5・0mm——2220•8——衣示用度（T：: 0.8mm常用厚度村田代码仃5、6、8、9、B、C、E：'h貝㈱对应值如卜：5-…0.5mm 6-…0.6mm 8-…0.8mm 9-…0.9mm B-…1.25mm C-…1.6mm E -—2.5mm•R7——农示材质：X7R常用材质村t：代码有5C、R6、R7、F5等,R体的对应值如卜：5C--COG/NPO/CHR6——X5RR7——X7RF5・——Y5V5C I仆温度是・55度一+125必温度系敌是0+・30ppm/gR6 I作泪度是・55度一H85度，SH度系数是+-15%:R7 1作温度是・55度一H25度,温度系数好+15%:F5 I作fiU是・30度—85度.温度系数是+22 -82%lOOpfW卜小容fi*L般采比5C材頂，100PF—luf人一般采用R7材质，luf以上一股采用R6材质,櫛S®求不禹的般采用F5材质。
详细解解读贴片电容：NP0、C0G、X7R、X5R、Y5V、Z5U的区别
详细解解读贴片电容：NP0、C0G、X7R、X5R、Y5V、Z5U的区别NP0、C0G、X7R、X5R、Y5V、Z5U的区别主要是介质材料不同。
不同介质种类由于它的主要极化类型不一样，其对电场变化的响应速度和极化率亦不一样。
在相同的体积下的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
介质材料划按容量的温度稳定性可以分为两类，即Ⅰ类陶瓷电容器和Ⅱ类陶瓷电容器，NPO属于Ⅰ类陶瓷，而其他的X7R、X5R、Y5V、Z5U等都属于Ⅱ类陶瓷。
什么是Ⅰ类陶瓷，有什么特点？Ⅰ类陶瓷电容器（ClassⅠce ram ic capacitor），过去称高频陶瓷电容器（High-frequency ceramic capacitor），介质采用非铁电（顺电）配方，以Ti O2为主要成分（介电常数小于150），因此具有最稳定的性能；或者通过添加少量其他（铁电体）氧化物，如CaTiO3 或SrTiO3，构成“扩展型”温度补偿陶瓷，则可表现出近似线性的温度系数，介电常数增加至500。
这两种介质损耗小、绝缘电阻高、温度特性好。
特别适用于振荡器、谐振回路、高频电路中的耦合电容，以及其他要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补偿。
Ⅰ类陶瓷的温度特性怎么表示Ⅰ类陶瓷的温度容量特性（TCC）非常小，单位往往在ppm/℃，容量较基准值的变化往往远小于1皮法。
美国电子工业协会（EIA）标准采用“字母+数字+字母”这种代码形式来表示Ⅰ类陶瓷温度系数。
比如常见的C0G。
C0G代表的温度系数究竟是多少？C 表示电容温度系数的有效数字为0 ppm/℃0 表示有效数字的倍乘因数为 -1（即10的0次方）G 表示随温度变化的容差为±30ppm计算下来，C0G电容最终的TCC为：0×（-1）ppm/℃±30ppm/℃。
而相应的其他Ⅰ类陶瓷的温度系数，例如U2J电容，计算下来则为：-750 ppm/℃±120 ppm/℃。
贴片电容容值表
贴片电容容值表X7R贴片电容简述X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。
它的容量相对稳定。
X7R贴片电容特性具有较高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内，温度特性为±15%。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。
X7R贴片电容容量范围厚度与符号对应表0201～1206 X7R贴片电容选型表1210～2225 X7R贴片电容选型表NPO COG 贴片电容容量规格表默认分类 2009-07-15 16:28 阅读354 评论1字号：大大中中小小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。
它的容量稳定，几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。
尤其适用于高频电子电路。
具有最高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内,温度特性为：0±30ppm/℃(COG）、0±60ppm/℃(COH）。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。
我们把用来制造片式多层瓷介电容（MLCC）的陶瓷叫电容器瓷。
这里所说的瓷介就是用电容器瓷制成的陶瓷介质。
大家知道，陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。
就其显微结构而论，大都具有多晶多相结构。
其性能往往决定于其成份和结构。
当配方确定之后，能否达到预期的效果，关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。
按其用途可以分为三类：①高频热补偿电容器瓷（UJ、SL）；②高频热稳定电容器瓷（NPO）；③低频高介电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。
按温度系数分可以分为两类：①负温度系数电容器瓷（即高频热补偿电容器瓷）；②正温度系数电容器瓷（即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料）。
按工作频率可以分为三类：低频、高频、微波介质。
高频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用，其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。
贴片叠层瓷介电容器(SMD贴片电容)详细介绍
北京芯联科泰电子有限公司贴片叠层瓷介电容器（SMD贴片电容）详细介绍：贴片电容全称：多层（积层，叠层）片式陶瓷电容器，也称为贴片电容，片容。
英文缩写：MLCC。
基本概述贴片电容(多层片式陶瓷电容器)是目前用量比较大的常用元件，就AVX公司生产的贴片电容来讲有NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的规格，不同的规格有不同的用途。
下面我们仅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项以引起大家的注意。
不同的公司对于上述不同性能的电容器可能有不同的命名方法，这里我们引用的是AVX公司的命名方法，其他公司的产品请参照该公司的产品手册尺寸贴片电容的尺寸表示法有两种，一种是英寸为单位来表示，一种是以毫米为单位来表示，贴片电容的系列型号有0402、0603、0805、1206、1210、1808、1812、2010、2225、2512，是英寸表示法， 04 表示长度是0.04 英寸，02 表示宽度0.02 英寸，其他类同型号尺寸（mm）英制尺寸公制尺寸长度及公差宽度及公差厚度及公差0402 1005 1.00±0.05 0.50±0.05 0.50±0.050603 1608 1.60±0.10 0.80±0.10 0.80±0.100805 2012 2.00±0.20 1.25±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.201206 3216 3.00±0.30 1.60±0.20 0.70±0.20 1.00±0.20 1.25±0.201210 3225 3.00±0.30 2.54±0.30 1.25±0.30 1.50±0.301808 4520 4.50±0.40 2.00±0.20 ≤2.001812 4532 4.50±0.40 3.20±0.30 ≤2.502225 5763 5.70±0.50 6.30±0.50 ≤2.503035 7690 7.60±0.50 9.00±0.05 ≤3.00命名贴片电容的命名所包含的参数有贴片电容的尺寸、做这种贴片电容用的材质、要求达到的精度、要求的电压、要求的容量、端头的要求以及包装的要求。
贴片陶瓷电容的种类和特点
贴片陶瓷电容的种类和特点贴片电容的种类和特点:单片陶瓷电容器(通称贴片电容)是目前用量比较大的常用元件,有取代钽电容之势，有NPO(COG)、X7 R、X5R、Y5V等不同的规格,不同的规格有不同的用途。
就常用的NPO、X7R、X5R和Y5V来介绍一下它们的性能和应用以及采购中应注意的订货事项。
NPO、X7R、X5R和Y5V是电容的温度特性代号，主要因电容填充介质不同而引起。
不同填充介质的电容器的容量、介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
一温度补偿型 NPO(COG) 电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
下表给出了常用封装NPO电容器可选取的容量范围。
封装尺寸(mm) 容量范围耐压品种0.4 x 0.2 ( 01005 ) 1.0pF－15pF DC = 16V0.6 x 0.3 ( 0201 ) 0.10pF－100pF DC = 25V1.00 x 0.50 ( 0402 ) 0.10pF－1000pF DC = 50/25V1.60 x 0.80 ( 0603 ) 0.50pF－10000pF DC = 200/100/50/25V2.00 x 1.25 ( 0805 ) 12pF－47000pF DC = 200/100/50/25V3.20 x 1.60 ( 1206 ) 1.0pF－0.10μF DC = 500/200/100/50/25V3.20 x 2.50 ( 1210 ) 0.50pF－1000pF DC = 500/300/250/100/50V4.50 x 3.20 ( 1812 ) 1200pF－2700pF DC = 200V5.70 x 5.00 ( 2220 ) 3300pF－5600μF DC = 200VNPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。
各种贴片电容容值规格参数表
各种贴片电容容值表X7R 贴片电容简述X7R 贴片电容属于EIA 规定的Class 2类材料的电容。
它的容量相对稳定。
X7R 贴片电容特性具有较高的电容量稳定性，在-55 C 〜125C 工作温度范围内，温度特性为± 15% 层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。
X7R 贴片电容容量范围 厚度与符号对应表 符号A C E G J K M N P Q X Y Z 最大厚度 毫米(英寸)0201〜1206 X7R 贴片电容选型表封装尺寸工作电压 电容量 (pF) 电容量 (uF) 0201 0402 0603 0805 1206 16 16 25 50 10 16 25 50 100 10 16 25 50 100 200 10 16 25 50 100 200 500 A A A c C A c C G G J J J J J J K A c CG G J J J J J J K A c C G G J J J J J J K A c C G G J J J J J J Kc C G G J J J J J J J J J J J J M c C G G J J J J J J J J J J J J M C c C G G J J J J J J J J J J J J M C G J J J J J J J J J J J J M C C G J J J J J J J J J J J J P C G J J J J J J J J J J J J P C G G J J J J J J J J J J J M C G J J J J J M J J J J J M G J J J J M J J J J J M G G J J J J M J J J J J M G J J J J J J J J J P G G G J J J J J J J J M G J J J J J J J3300 4700 6800 100 150220 1000 1500 2200 330470 6801210〜2225 X7R贴片电容选型表封装尺寸1210 1812 1825 2220 2225 工作电压10 16 25 50 100 200 500 50 100 200 500 5C 100 50 100 200 50 100电容量(pF)电容量(uF) 1000 1500 2200 3300 4700 6800JJJJJJJJJJMMNN 10工作电压10 16 25 50 封装尺寸1210 100 200Z500 50 100 200 500 50 100 501812 1825 2220100 200 50 1002225NPO COG0占片电容容量规格表默认分类2009-07-15 16:28阅读354 评论1字号：大大中中小小其适用于高频电子电路。
贴片电容的封装与耐压值
Z5U 贴片电容的封装与耐压值 贴片电容是指片式多层陶瓷电容 (Multilayer Ceramic Capacitors) ，简称 MLCC ，又叫做独 石电容 .电容量 -温度特性是选用电介质种类的一个重要依据。
按美国电工协会( EIA )标准，不同介质材料的贴片电容 (MLCC) 按温度稳定性分成三类： COG(NPO) ， X7R ，Y5V(Z5U)COG(NPO) ：一类电介质，超稳定级( I 类)。
电气性能最稳定，基本上不随温度、电压与 时间的改变而改变，适用于对稳定性要求高的电路。
NPO 是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一 些其它稀有氧化物组成的。
NPO 电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55C 到+125 C 时容量变化 为0±30ppm/C ，电容量随频率的变化小于 土 0.3 △。
： NPO 电容的漂移或滞后小于 ±).05% , 相对大于 ±2% 的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于 ±0.1% 。
NPO 电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封 装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
NPO 电容器适合用于振荡器、 谐振器的槽路电容， 以及高频电路中的耦合电容。
下表给出了 NPO 电容器可选取的容量范围。
封装 DC=50VDC=100V 0805 0.5---1000pF 0.5---820pF 1206 0.5---1200pF0.5---1800pF 1210 560---5600pF 560---2700pF2225 1nF---33nF 1nF---18nF X7R ：二类电介质，稳定级( II 类)。
电气性能稳定，在温度、电压与时间改变时性能 的变化度不显著，适用于隔直、偶合、旁路与对容量稳定性要求不太高的鉴频电路。
常见贴片电容的识别
常见电容的识别TDK（东电化）电容识别：C1005COG1E100D T00N(1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)(8)(1)产品类型：多层片式陶瓷电容。
(2)封装尺寸：型号公制型号英制长×宽050302010.5×0.25mm10050402 1.0×0.5mm16080603 1.5×0.76mm20120805 2.0×1.25mm32161206 3.2×1.6mm32251210 3.2×2.5mm45321812 4.5×3.2mm(3)温度特性（介质材料）：一般有COG、X5R、X7V、Y5V、Z5U。
(4)额定电压：代码额定电压0J 6.3V1A10V1C16V1E25V1H50V2A100V2E250V2J630V3A1000V3D2000V3F3000V(5)标称电容量：代码电容量0R50.5pF3R5 3.5pF010 1.0pF10010pF102 1.0nF10310nF105 1.0uF10610uF(6)电容容差（误差精度）：代码误差精度适用范围A ±0.05pF 等于或小于10pFB ±0.10pFC ±0.25pFD ±0.50pF F ±1.0pF F ±1.0%10pF 以上G ±2.0%J ±5.0%K ±10%L ±15%M ±20%Z+80/-20%(7)包装类型：代码包装类型B 袋装T编带(8)TDK 自用编码：MURATA （村田）电容识别：GR M 188B11H 102K A01D(1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)(8)(9)(10)(1)产品编号：(2)系列号：(3)封装尺寸：代码型号英制长×宽02010050.4×0.2mm 0302010.6×0.3mm 0502020.5×0.5mm 0803030.8×0.8mm 0D 0150150.38×0.38mm 0M 03020.9×0.6mm 110504 1.25×1.0mm 150402 1.0×0.5mm 180603 1.6×0.8mm 1M 0504 1.37×1.0mm 210805 2.0×1.25mm 221111 2.8×2.8mm 311206 3.2×1.6mm 3212103.2×2.5mm421808 4.5×2.0mm431812 4.5×3.2mm522211 5.7×2.0mm552220 5.7×5.0mm (4)电容厚度：代码电容厚度20.2mm2两单元（阵列芯片类）30.3mm4四单元（阵列芯片类）50.50mm60.60mm70.70mm80.80mm90.85mmA 1.00mmB 1.25mmC 1.60mmD 2.00mmE 2.50mmF 3.20mmM 1.15mmN 1.35mmQ 1.50mmR 1.80mmS 2.80mmX根据个人标准(5)温度特性（介质材料）：代码介质材料5C COGD7X7TF5Y5VR6X5RR7X7R(6)额定电压：代码额定电压0E 2.5V0G 4.0V0J 6.3V1A10V1C16V1E25VYA35V1H 50V 2A 100V 2D 200V 2E 250V YD 300V 2H 500V 2J 630V 3A 1000V 3D 2000V 3F3150V (7)标称电容量：代码电容量R500.5pF 1R0 1.0pF 010 1.0pF 10010pF 102 1.0nF 1051.0uF(8)电容容差（误差精度）：代码误差精度适用范围W ±0.05pF 等于或小于10pFB ±0.1pFC ±0.25pFD ±0.5pF G ±2%大于10pFJ ±5%K ±10%M ±20%Z +80/-20%R根据个人标准(9)MURATA 自用编码：(10)包装编码：TAIYO YUDEN （太阳诱电）电容识别：J M K316BJ 106M L-T(1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)(8)(9)(10)(1)额定电压：代码额定电压P 2.5V A 4.0V J6.3VL 10V E 16V T 25V G 35V U50V(2)系列号：(3)端电极类型：代码端电极类型K电镀(4)封装尺寸：代码型号英制长×宽1050402 1.0×0.5mm 1070603 1.6×0.8mm 2120805 2.0×1.25mm 3161206 3.2×1.6mm 32512103.2×2.5mm (5)温度特性（介质材料）：代码介质材料F Y5V BJ X7R 或X5RCGCOG (6)标称电容量：代码电容量0R50.5pF 3R5 3.5pF 010 1.0pF 10010pF 102 1.0nF 10310nF 105 1.0uF 10610uF(7)电容容差（误差精度）：代码误差精度适用范围A ±0.05pF 等于或小于10pFB ±0.10pFC ±0.25pFD ±0.50pF F ±1.0pF F ±1.0%10pF 以上G ±2.0%J ±5.0%K ±10%L±15%M±20%Z+80/-20%(8)电容厚度：代码电容厚度K0.45mmA0.80mmD0.85mmF 1.15mmG 1.25mmH 1.50mmL 1.60mmN 1.90mmY 2.00mmM 2.50mm(9)特殊编号：代码包装类型-标准产品(10)包装类型：代码包装类型B袋装T编带KYOCERAAVX（京瓷）电容识别：CM21X7R105K10A T000(1)(2)(3)(4)(5)(6)(7)(8)(9)(1)产品编码：代码用途CM普通应用CT薄型尺寸DM/DR汽车应用CF耐高压CA多联型CU高频用低ESR(2)封装尺寸：代码型号公制型号英制长×宽03060302010.6×0.3mm0510050402 1.0×0.5mm10516080603 1.6×0.8mm2120120805 2.0×1.25mm31632161206 3.2×1.6mm3232251210 3.2×2.5mm4245201808 4.5×2.0mm 4345321812 4.5×3.2mm 5257202208 5.7×2.0mm 55575022205.7×5.0mm(3)温度特性（介质材料）：一般有X5R 、X7V 、Y5V 。
村田贴片电容规格书
±10% ±10% +22, -56% +30, -80% +22, -82% ±15% ±15% ±15% ±15% ±22% -4700+100/-2500ppm/°C -4700+500/-1000ppm/°C
Ex.)
代号
R50
1R0
100
103
静电容量 0.5pF 1.0pF 10pF
10000pF
i静电容量允许偏差
代号 B
静电容量允许偏差 ±0.1pF
C
±0.25pF
D
±0.5pF
G
±2%
J
±5%
K
±10%
M
±20%
Z R * E24系列也可以提供。
+80%, -20%
温度特性 C∆
C∆–SL C∆
C∆–SL C∆ C∆ C∆
1206
3.2g2.5 mm
1210
按照个别规格规定。
4.5g2.0 mm
1808
4.5g3.2 mm
1812
5.7g2.8 mm
2211
5.7g5.0 mm
2220
r厚度 (T)
代号
厚度 (T)
2
2单元(排列型)
3
0.3 mm
4
4单元(排列型)
5
0.5 mm
6
0.6 mm
7
0.7 mm
8
最全贴片电容规格书
贴片电容的材质规格贴片电容的材质规格贴片电容(MLCC)Multilayer Ceramic Capacitor常规贴片电容按材料分为COG(NPO)、X7R、Y5V，常见封装有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010。
NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要区别是它们的填充介质不同。
在相同的体积下由于填充介质不同所组成的电容器的容量就不同，随之带来的电容器的介质损耗、容量稳定性等也就不同。
所以在使用电容器时应根据电容器在电路中作用不同来选用不同的电容器。
上表可看出各个不同材料的温度特性一 NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。
它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。
NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。
在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。
NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。
其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。
NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。
NPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。
二 X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。
当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。
X7R电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的，它也随时间的变化而变化，大约每10年变化1%ΔC，表现为10年变化了约5%。
X7R电容器主要应用于要求不高的工业应用，而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。
它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
三 Z5U电容器Z5U电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。
各种贴片电容容值规格全参数表
各种贴片电容容值表X7R贴片电容简述X7R贴片电容属于EIA规定的Class 2类材料的电容。
它的容量相对稳定。
X7R贴片电容特性具有较高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内，温度特性为±15%。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于隔直、耦合、旁路、鉴频等电路中。
X7R贴片电容容量范围厚度与符号对应表0201～1206 X7R贴片电容选型表1210～2225 X7R贴片电容选型表NPO COG 贴片电容容量规格表默认分类2009-07-15 16:28 阅读354 评论1字号：大大中中小小NPO(COG)贴片电容属于Class 1温度补偿型电容。
它的容量稳定，几乎不随温度、电压、时间的变化而变化。
尤其适用于高频电子电路。
具有最高的电容量稳定性，在-55℃～125℃工作温度范围内,温度特性为：0±30ppm/℃(COG）、0±60ppm/℃(COH）。
层叠独石结构，具有高可靠性。
优良的焊接性和和耐焊性，适用于回流炉和波峰焊。
应用于各种高频电路,如:振荡、计时电路等。
我们把用来制造片式多层瓷介电容（MLCC）的陶瓷叫电容器瓷。
这里所说的瓷介就是用电容器瓷制成的陶瓷介质。
大家知道，陶瓷是一类质硬、性脆的无机烧结体。
就其显微结构而论，大都具有多晶多相结构。
其性能往往决定于其成份和结构。
当配方确定之后，能否达到预期的效果，关键取决于制造陶瓷粉料的工艺。
按其用途可以分为三类：①高频热补偿电容器瓷（UJ、SL）；②高频热稳定电容器瓷（NPO）；③低频高介电容器瓷（X7R、Y5V、Z5U）。
按温度系数分可以分为两类：①负温度系数电容器瓷（即高频热补偿电容器瓷）；②正温度系数电容器瓷（即平时我们常说的COG、X7R、Y5V瓷料）。
按工作频率可以分为三类：低频、高频、微波介质。
高频热补偿、热稳定电容器瓷是专供Ⅰ类瓷介电容器作介质用，其瓷料主要成分是MgTiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入适量的稀土类氧化物等配制而成。
MLCC贴片陶瓷电容
Chip Monolithic Ceramic Capacitor贴片陶瓷电容器Training material for Askey21. Capacitor Basic Electric knowledge电容基础知识2. Type of Capacitor and Each type Comparison电容器的种类和各类的比较3. Ceramic material and Characteristic (Class 1, Class 2)）陶瓷材料和瓷材料和电气电气电气特性特性4.Ceramic capacitor application 陶瓷电容的市场及应用5.Construction & Manufacturing Process (MLCC)结构结构和和陶瓷电容器的工序陶瓷电容器的工序（（MLCC ）6. MLCC Market Trend (Hi-Capacitance & Miniaturization)MLCC 市场趋势市场趋势((高容量品和小型化高容量品和小型化))7.Storage/Soldering Condition存储存储//焊接条件Agenda内容3Ceramic capacitors belong to the family of ELECTROSTATIC capacitors. They have the following characteristics:•They are Non-Polar•They dominate the lower range of capacitance values•They are the most widely used style of capacitor (Largest Volume & Lowest Pricing)•They are available in both leaded and surface mount styles•The vast majority are fixed capacitance value (their value is not user variable)Ceramic Capacitor Characteristics陶瓷电容的基本电学知识4Capacitance Value in…pF = pico -Farad = 1 x 10-12F = 0.000000000001FMuRata offers ceramic capacitors with values ranging from…0.1pF ~100,000,000pF ( = 100uF)Most call outs are from 10pF ~ 22uFCapacitance Value in…pF = pico -Farad = 1 x 10-12 F = 0.000000000001F nF = nano -Farad = 1 x 10-9 F = 0.000000001F uF = micro -Farad = 1 x 10-6 F = 0.000001F 1000pF = 1nF1,000,000pF = 1000nF = 1uFCeramic Capacitor Characteristics Cap value 陶瓷电容的基本电学知识5Standard Capacitance Values: (PER EIA-575 & RS 460) E1210 12 15 18 22 27 33 39 47 56 68 82Examples:1.0, 1.2, 1.5,…. 10, 15, 22,…100, 180, 270,…1K, 3.3K, 4.7K,…10K, 33K, 56K,…100K, 220K, 680K,…1uF, 2.2uF, 4.7uF,…StandardCapacitance Values: (PER EIA-575 & RS 460)E2410 1112 1315 1618 2022 2427 3033 3639 43475156 6268 7582 91Ceramic Capacitor Characteristics陶瓷电容的基本电学知识6The capacitance of MLCC叠层陶瓷电容的静电容量相同倍数70.1uF ±20%(M )Capacitance ToleranceCapacitance value will have tolerance value (+25°C):±1% (F ), ±2% (G ), ±5% (J ), ±10%(K ), ±20%(M ) and +80%/-20%(Z )±0.1pF(B ), ±0.25pF(C ) and ±0.5pF(D )These are the most commonly called out tolerancesCeramic Capacitor Characteristics陶瓷电容的基本电学知识Capacitance (pF / nF / uF)J KTarget Value81. Capacitor Basic Electric information电容基础知识2. Type of Capacitor and Each type Comparision电容器的种类和各类的比较3. Ceramic material and Characteristic (Class 1, Class 2)）陶瓷材料和瓷材料和电气电气电气特性特性4. Ceramic capcaitor application陶瓷电容的市场及应用5.Construction & Manufacturing Process (MLCC)结构结构和和陶瓷电容器的工序陶瓷电容器的工序（（MLCC ）6. MLCC Market Trend (Hi-Capacitance & Miniaturization)MLCC 市场趋势(高容量品和小型化)Contents内容9Fixed Capacitor固定电容器Film薄膜Ceramic 陶瓷Aluminum 铝Glass 玻璃Mica 云母Electrolytic Double Layer 双倍电解层Type of Capacitor电容器的种类10100fF 1pF 10pF 100pF 1nF 10nF 100nF 1µF 10µF 100µF1mF10mFAluminum Electrolytic CapacitorCapacitance Range Type各类电容的容量范围11Comparison of various Capacitors各类电容器的特性比较121. Capacitor Basic Electric information电容基础知识2. Type of Capacitor and Each type Comparasion电容器的总类和各类的比较3. Ceramic material and Characteristic (Class 1, Class 2)）陶瓷材料和瓷材料和电气电气电气特性特性4. Ceramic capacitor application陶瓷电容的市场及应用5.Construction & Manufacturing Process (MLCC)结构结构和和陶瓷电容器的工序陶瓷电容器的工序（（MLCC ）6. MLCC Market Trend (Hi-Capacitance & Miniaturization)MLCC 市场趋势(高容量品和小型化)Contents内容13Infrared Rays能放射红外线的陶瓷Magnetism 感应磁力的陶瓷out Electricity 断电陶瓷Ceramics that Transmit Light 传输光的陶瓷The Wonder Stones -Ceramic奇石–陶瓷14Ceramic Material & Characteristic陶瓷材料和特性15TC Characteristic* MLC = Multi-Layer CeramicULTRA -STABLE OVER TEMPERATURE, VOLTAGE, FREQUENCY AND TIMEIndustry standard Temperature Coefficients (TC) of ceramic capacitors :X5R = ±15% ∆C over -55°C ~ +85°CX7R = ±15% ∆C over -55°C ~ +125°C Standard Tolerance: K = ±10%Y5F = ±7.5% ∆C over -30°C ~ +85°C Y5P = ±10% ∆C over -30°C ~ +85°C Y5R = ±15% ∆C over -30°C ~ +85°C Y5S = ±22% ∆C over -30°C ~ +85°CY5T = +22% / -33% ∆C over -30°C ~ +85°C Y5U = +22% / -56% ∆C over -30°C ~ +85°CY5V = +22% / -82% ∆C over -30°C ~ +85°C Standard Tolerance: Z = -20%/+80%Z5U = +22% / -56% ∆C over -10°C ~ +85°C Standard Tolerance: M = ±20%Z5V = +22% / -82% ∆C over -10°C ~ +85°CCOG = NPO =0±30PPM/ °C over -55°C ~ + 125°CNPO = 0±30PPM/ °C over -55°C ~ + 125°C Standard Tolerance: J = ±5%Ceramic Material & Characteristic陶瓷材料和特性16Temp. Characteristic (Class 1 & Class 2)温度特性温度特性（（例）17Temp. Characteristic (AL/TAN -CAP Comparison)温度特性温度特性（（例）18Bias Characteristic (Class 1 & Class 2)电圧特性圧特性（（例）19Freq. Characteristic Explanation频率特性说明Z =R 2+ (ωL -1/ωC)2(微量) (微量)=R 2+(2πfL -1/2πfC)2(频率ｆ→大) (2πfL →大)(1/2πfL →少)(容量C →大)(1/2πfL →少)Equivalent capacitor circuit 相等的电容电流Capacitance 容量等系列电感等系列电阻ABSTRACT 摘要-Every capacitor hasESR(equivalent series resistance) and ESL.每个电容器都有ESR （等系列电阻系列电阻））和ESL( 等系列电感)。
陶瓷介质电容器
第一类陶瓷介质电容器的温度性质按照美国标准EIA-198-D，在用字母或数字表示的陶瓷电容器的温度性质有三部分：第一部分为（如字母C）温度系数的有效数字；第二部分是有效数字的倍乘；第三部分为随温度变化的容差。
三部分字母与数字所表达的意义如下表第一类陶瓷介质电容温度特性（EIA-198-D）温度系数α的有效数字倍乘随温度变化的容差C=0.0 S=3.3 0=1 5=+1 G=±30L=±500M=1.0 T=4.7 1=-10 6=+10 H=±60M=±1000P=1.6 U=7.5 2=-100 7=+100 J=±120 N =±2500R=2.2 3=-1000 8=+1000 K=±1250（1）α的额定值和伴随值的限制误差用-20～+85℃间的电容变化来定义，（2）温度系数为0和限制偏差为±30ppm/℃的电容字码为C0G（类别为1B）例如C0G（NP0）=±30ppm/℃，C0H=±60ppm/℃，S2H=(3.3*100)±60ppm/℃第一类陶瓷介质电容器的容量几乎不随温度变化，以C0G为例，±30ppm/℃，实际上温度系数只有一半，在-55℃到+125℃间，电容量变化为0.3%，其损耗因素在40℃到60℃时最小，绝缘电阻随温度上升而下降，-40℃时为10000s（ohm*F），+125℃时为200s多一点，电容量基本不因频率变化而改变。
第二类陶瓷介质电容器的温度性质按照美标EIA-198-D，第一部分为最低工作温度，第二部分有效数字为最高工作温度，第三部分为随温度变化的容差，三部分字母与数字表达意义如下表第二类陶瓷介质电容温度特性最低温度最高温度随温度变化的容值偏差Z=-10℃4=+65℃ 7=+125℃ A=±1.0 D=±3.3 P=±10 T=+22%/-32%Y=-30℃5=+85℃ 8=+15℃ B=±1.5 E=±4.7 R=±15 U=+22%/-56 %X=-55 ℃ 6=+105℃ C=±2.2 F=±7.5 S=±22 V=+22%/-82%例子X7R：-55 ℃，+125 ℃，±15%容差；Z5U：+10 ℃，+85 ℃，T=+22%/-32%容差；Y5V：-30 ℃，+85 ℃，T=+22%/-56%容差几种常见的陶瓷介质温度系数如下表温度特性温度范围容量变化或温度系数工作温度范围类别SL -55℃～+85℃+350～1000ppm/℃-55℃～+125℃ 1C0G -55℃～+125℃ 0±30ppm/℃ -55℃～+125℃ 1C0H -55℃～+125℃ 0±60ppm/℃ -55℃～+125℃ 1P2H -55℃～+85℃-150±60ppm/℃-55℃～+125℃ 1S2H -55℃～+85℃-220±60ppm/℃-55℃～+125℃ 1T2H -55℃～+85℃ -470±60ppm/℃-55℃～+125℃ 1U2J -55℃～+85℃ -750±60ppm/℃ -55℃～+125℃ 1B -25℃～+85℃ ±10% -25℃～+85℃ 2Z5U -10℃～+85℃ +22%/-56% -10℃～+85℃ 2Y5V -30℃～+85℃ +22%/-82% -30℃～+85℃ 2R -55℃～+125℃±15% -55℃～+125℃ 2X5R -55℃～+85℃ ±15% -25℃～+125℃ 2X7R -55℃～+125℃ ±15% -55℃～+125℃ 2Y5V瓷片电容Z5V瓷片C0G（NP0）瓷片SL瓷片Z5UY5P瓷片由于NPO属零温度系数器件，因此它主要是和同样零温度系数的高稳定电感器配合使用，或者在无电感器的晶振、定时电路中使用。
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- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
CLASS I C0G/NP0-55~+1250±30PPM/⁰C
X5R-55~+850±15%
X7R-55~+1250±15%
X6S-55~+1050±22%
Y5V-30~+85-82%~+22%
X7S-55~+1250±22%
CLASS II
X7T-55~+125-33%~+22%
U2J-55~+125-750±120PPM/⁰C
X7U-55~+125-56%~+22%
X6T-55~+105-33%~+22%
Z5U10~+85-56%~+22%
MURATA X8G-55~+1500±30PPM/⁰C
Ⅰ类陶瓷电容器（ClassⅠceramic capacitor）
过去称高频陶瓷电容器（High-frequency ceramic capacitor），介质采用非铁电（顺电）配方，以TiO2为主要成分（介电常 数小于150），因此具有最稳定的性能；或者通过添加少量其他（铁电体）氧化物，如CaTiO3 或SrTiO3，构成“扩展型”温度 补偿陶瓷，则可表现出近似线性的温度系数，介电常数增加至500。
这两种介质损耗小、绝缘电阻高、温度特性好。
特别适 用于振荡器、谐振回路、高频电路中的耦合电容，以及其他要求损耗小和电容量稳定的电路，或用于温度补
Ⅱ类陶瓷电容器（Class Ⅱ ceramic capacitor）
过去称为为低频陶瓷电容器（Low frequency ceramic capacitor），指用铁电陶瓷作介质的电容器，因此也称铁电陶瓷电容 器 。
这类电容器的比电容大，电容量随温度呈非线性变化，损耗较大，常在电子设备中用于旁路、耦合或用于其它对损耗 和电容量稳定性要求不高的电路中。
其中Ⅱ类陶瓷电容器又分为稳定级和可用级。
X5R、X7R属于Ⅱ类陶瓷的稳定级，而
Y5V和Z5U属于可用级。