multisim中有关元器件参数的中英文对照

电阻模型参数

R 电阻倍率因子

TC1 线性温度系数

TC2 二次温度系数

电容模型参数

C 电容倍率因子

VC1 线性电压系数

VC2 二次电压系数

TC1 线性温度系数

TC2 二次温度系数

电感模型参数

L 电感倍率因子

IL1 线性电流系数

IL2 二次电流系数

TC1 线性温度系数

TC2 二次温度系数

二极管模型参数

IS 饱和电流

RS 寄生串联电阻

N 发射系数

TT 渡越时间

CJO 零偏压PN结电容

VJ PN结自建电势

M PN结剃度因子

EG 禁带宽度

XT1 IS的温度指数

FC 正偏耗尽层电容系数

BV 反向击穿电压（漆点电压）IBV 反向击穿电流（漆点电流）KF 闪烁躁声系数

AF 闪烁躁声指数

双极晶体管（三极管）

IS 传输饱和电流

EG 禁带宽度

XTI（PT）IS的温度效应指数BF 正向电流放大系数

NF 正向电流发射系数

VAF（VA）正向欧拉电压

IKF （IK）正向漆点电流

ISE（C2）B-E漏饱和电流

NE B-E漏饱和电流

BR 反向电流放大系数

NR 反向电流发射系数

VAR（VB）正想欧拉电压

IKR 反向漆点电流

ISC C4 B-C 漏饱和电流

NC B-C漏发射系数

RB 零偏压基极电阻

IRB 基极电阻降致RBM/2时的电流RE 发射区串联电阻

RC 集电极电阻

CJE 零偏发射结PN结电容

VJE PE 发射结内建电势

MJE ME 集电结剃度因子

CJC 零偏衬底结PN结电容

VJC PC 集电结内建电势

MJC MC 集电结剃度因子

XCJC Cbe 接至内部Rb的内部

CJS CCS 零偏衬底结PN结电容

VJS PS 衬底结构PN结电容

MJS MS 衬底结剃度因子

FC 正偏势垒电容系数

TF 正向渡越时间

XTF TF随偏置变化的系数

VTF TF随VBC变化的电压参数

ITF 影响TF的大电流参数

PTF 在F=1/（2派TF）Hz时超前相移TR 反向渡越时间

XTB BF和BR的温度系数

KF I/F躁声系数

AF I/F躁声指数

Is=14.34f 反向饱和电流。

Xti=3 饱和电流的温度指数

Eg=1.11 硅的带隙能量

Vaf=74.03 正向欧拉电压

Bf=255.9 正向电流放大系数

Ne=1.307 B--E极间的泄漏饱和发射系数

+ Ise=14.34f B--E极间的泄漏饱和电流

Ikf=.2847 正向BETA大电流时的滑动拐点Xtb=1.5 电流放大系数的温度系数

Br=6.092 理想反向电流放大系数

Nc=2 B--C间的泄漏发射系数

Isc=0

Ikr=0 反向BETA（R）大电流时的滑动拐点Rc=1 集电极电阻

+ Cjc=7.306p B-E结零偏压时的耗尽电容。Mjc=.3416 B-C结指数因子

Vjc=.75 B-C结内建电势

Fc=.5 正向偏压时的耗尽电容系数

Cje=22.01p B-E结零偏压时的耗尽电容

Mje=.377 B——E结指数因子

Vje=.75 B-E结内建电势

+ Tr=46.91n 反向渡越时间

Tf=411.1p 正向渡越时间

Itf=.6 正向渡越时间随VBE变化的参数

Vtf=1.7

Xtf=3 Rb=10) 正向渡越时间随偏置变化的参数

三极管参数中文字符号英文对照

Pcm 集电极最大耗散功率

Icm 集电极最大允许电流

V(br)cbo 发射极开路时，集电极与基极间反向击穿电压

V(br)ceo 基极开路时，集电极与发射极间反向击穿电压

V(br)ebo 集电极开路时，发射极与基极间反向击穿电压Icbo 发射极开路时，集电极与基极间反向漏电流

Iceo 基极开路时，集电极与发射极间反向漏电流

Iebo 集电极开路时，发射极与基极间反向漏电流

Vce(sat) 基极与发射极间的正向饱和压降

Vbe(sat) 集电极与发射极间的反向饱和压降

hFE 共发射接法时静态电流放大系数（简称放大数）

Ft 特征频率（共发射极电流放大系数下降到1时的频率）Cob 共基极输出电容

Nf 嗓声系数

Fa 共基极截止频率

Hre 共发射极交流输入开路时的电压反馈系数

Gp 共基极时功率增益

Kp 共发射极时功率增益

Vf 正向降压

Vr 反向降压

Typ 典型值

Max 最大值

Min 最小值

If 正向电流

Ir 反向电流

Toff 关闭时间

共发极交流输入开路时的输示

Cc---集电极电容

Ccb---集电极与基极间电容

Cce---发射极接地输出电容

Ci---输入电容

Cib---共基极输入电容

Cie---共发射极输入电容

Cies---共发射极短路输入电容

Cieo---共发射极开路输入电容

Cn---中和电容（外电路参数）

Co---输出电容

Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容

Coe---共发射极输出电容

Coeo---共发射极开路输出电容

Cre---共发射极反馈电容

Cic---集电结势垒电容

CL---负载电容（外电路参数）

Cp---并联电容（外电路参数）

BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压

BVceo---基极开路，CE结击穿电压

BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压

BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压

BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压

D---占空比

fT---特征频率

fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率

hFE---共发射极静态电流放大系数

hIE---共发射极静态输入阻抗

hOE---共发射极静态输出电导

h RE---共发射极静态电压反馈系数

hie---共发射极小信号短路输入阻抗

hre---共发射极小信号开路电压反馈系数

hfe---共发射极小信号短路电压放大系数

hoe---共发射极小信号开路输出导纳

IB---基极直流电流或交流电流的平均值

Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值

IE---发射极直流电流或交流电流的平均值

Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流

Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流