元器件降额标准(参考)
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元器件降额准则（参考件）
元器件种类降额参数降额等级
模拟电路
电源电压
输入电压
放大器输出电流
功率
最高结温（℃）
电源电压
输入电压
比较器输出电流
功率
最高结温（℃）
电源电压
输入电压
Ⅰ
0.70
0.60
0.70
0.70
80
0.70
0.70
0.70
0.70
80
0.70
0.70
Ⅱ
0.80
0.70
0.80
0.75
95
0.80
0.80
0.80
0.75
95
0.80
0.80
Ⅲ
0.80
0.70
0.80
0.80
105
0.80
0.80
0.80
0.80
105
0.80
0.80电压调
整器
输出输入电压差
输出电流
功率
0.70
0.70
0.70
0.80
0.75
0.75
0.85
0.80
0.80
集成电路
最高结温（℃）
电源电压
输入电压
模拟开关输出电流
功率
最高结温（℃）
80
0.70
0.80
0.75
0.70
80
95
0.80
0.85
0.80
0.75
95
105
0.85
0.90
0.85
0.80
105
数
字
电
路
双极型
电路
MOS型
电路
频率
输出电流
最高结温（℃）
电源电压
输出电流
功率
最高结温（℃）
0.80
0.80
85
0.70
0.80
0.80
85
0.90
0.90
100
0.80
0.90
0.80
100
0.90
0.90
115
0.80
0.90
0.90
115
厚模集成电路
（W/cm2）
混和集成电路薄模集成电路
（W/cm2）
最高结温（℃）
大规模集成电路
最高结温（℃）
85
7.5
6.5
100
改进散热方式降低结温
115
分
离半导体晶
体
管
方向
电压
一般晶体管
功率MOSFET的栅
源电压
电流
功率
0.60
0.50
0.60
0.50
0.70
0.60
0.70
0.65
0.80
0.70
0.80
0.75
器功率管安集电极－发射极电压0.700.800.90
件全工作区集电极最大允许电流0.600.700.80
最高结温
Tjm（℃）微波晶体管
200
175
≤150
最高结温
115
100
Tjm-65
140
125
Tjm-40
同晶体管
160
145
Tjm-20
二极管（基准电压（不适用于稳压管）
电流
功率
0.60
0.50
0.50
0.70
0.65
0.65
0.80
0.80
0.80
管除
外）最高结温
Tjm（℃）
200
175
≤150
115
100
Tjm-65
140
125
Tjm-40
160
145
Tjm-20
微波二极管
基准二极管
最高结温同二极管
可控硅
/半导
体光电器件最高结温
Tjm（℃）
电压
电流
200
175
≤150
0.60
0.50
115
100
Tjm-65
0.70
0.65
140
125
Tjm-40
0.80
0.80
160
145
Tjm-20
固定电阻器合成型
电阻器
薄膜型
电阻器
电阻网
络
电压
功率
环境温度
电压
功率
环境温度
电压
功率
环境温度
0.750.750.75
0.500.600.70
按元件负荷特性曲线降额
0.750.750.75
0.500.600.70
按元件负荷特性曲线降额
0.750.750.75
0.500.600.70
按元件负荷特性曲线降额
电压0.750.750.75线绕电
阻
功率
精密型
功率型
0.25
0.50
0.45
0.60
0.60
0.70
环境温度按元件负荷特性曲线降额
非线绕
电位器
电压
功率
合成、薄膜微调
精密塑料型
0.75
0.30
不采用
0.75
0.45
0.50
0.75
0.60
0.50
电环境温度按元件负荷特性曲线降额
位
器
线绕电
位器
电压
普通型
功率非密封功率型
微调线绕型
0.75
0.30
－
0.30
0.75
0.45
－
0.45
0.75
0.50
0.70
0.50
环境温度按元件负荷特性曲线降额
热敏电阻器
功率
最高环境温度（℃）
0.50
T-15
AM
0.50
T-15
AM
0.50
T-15
AM
电固定玻璃釉型直流工作电压0.500.600.70