元器件降额标准(参考)

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(整理)元器件降额使用参考

元器件降额使用参考一、集成电路因为集成电路的复杂性和保密性，一般我们只能根据半导体结温来推断集成电路的可靠性了。

我们通常规定：1，最大工作电压，不超过额定电压80%2，最大输出电流，不超过额定电流75%3，结温，最大85摄氏度，或不超过额定最高结温的80%二、二极管二极管种类繁多，特性不一。

故而，有通用要求，也有特别要求：通用要求：长期反向电压<70%～90%×V RRM（最大可重复反向电压）最大峰值反向电压<90%×V RRM正向平均电流<70%～90%×额定值正向峰值电流<75%～85%×I FRM正向可重复峰值电流对于工作结温，不同的二极管要求略有区别：信号二极管< 85～150℃玻璃钝化二极管< 85～150℃整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（<1000V）<85～125℃整流二极管和快恢复、超快恢复二极管（≥1000V）<85～115℃肖特基二极管< 85～115℃稳压二极管（<0.5W）<85～125℃稳压二极管（≥0.5W）<85～100℃T case(外壳温度)≤0.8×T jmax-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。

这是一个可供参考的经验值三、功率MOSV GS<85%×V GSmax(最大栅极驱动电压)I D_peak<80%×I D_M(最大漏极脉冲电流)V DS<80～90%×额定电压dV/dt<50%～90%×额定值结温<85℃~80%×T jmax(最大工作结温)T case(外壳温度)≤0.8×T jmax-2×θjc×P，2×θjc×P<15℃，θjc是从结到壳的热阻，P是功率损耗。

元器件降额标准(参考)

'
TAM-20
TAM-20
TAM-20
输出功率
反射功率
占空比
…
声表面波器件
输入功率（f＞100MHz）
降低+10dBm
输入功率（f＜100MHz＝
降低+20dBm
<
纤维光学器件
光纤光源
峰值光输出功率
（适用于ILD）
电流
（适用于ILD）
结温
设法降低
光纤探测器
PIN反向压降
结温
设法降低
光纤与光缆
温度
上限额定值－20；下限额定值+20
最高结温（℃）
改进散热方式降低结温
分离半导体器件
,
晶体管
方向
电压
一般晶体管
功率MOSFET的栅源电压
|
电流
功率
~
功率管安全工作区
集电极－发射极电压
[
集电极最大允许电流
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
微波晶体管
！
最高结温
同晶体管
Note:Tj to Tcase has to be calculated for verification in any case
Diode
《
Vrm (%)
Io (%)
I fsm (%)
Tcase (°C)
Vrm (%)
Io (%)
I fsm (%)
Tcase (°C)
90
50

电路设计元器件降额标准

电路设计元器件降额标准1、晶体管/MOSFET：反向电压：0.7 0.8MOSFET栅源电压：0.6 0.7三极管集电极、发射机电压：0.7 0.8三极管集电极电流：0.7 0.8正反向电流：0.7 0.8温湿度0.7 0.82、二极管正向电压：10%稳定电压（稳压二极管）：反向漏电流+200%恢复开关时间+20%反向电压0.7 0.8电流0.7 0.8功率0.65浪涌电压、电流0.7 0.8温湿度0.7 0.83、断路器熔断电流：0.75 0.9 阻/容性负载0.4 0.5 感性负载0.2 0.35 电机温度：Tmax-204、保险丝电流>0.5A 0.45～0.5电流<0.5A 0.2~0.4环境温度超过25度时，按0.005/oC增加降额5、可控硅，闸流管控制极正向压降10%漏电流+200%开关时间+20%其它指标同二极管6、光电器件指标同二极管7、电阻/电阻网络电压0.75功率0.6 0.7封装2512 2010 1206 0805 0603 0402 0201 功率 1 1/2 1/4,1/8 1/10 1/16 1/16 1/32最大电压200 200 200 100 50 50类型片式金属氧化膜水泥电阻功率1/4 1W/2W/5W 5W及以上8、绕线电阻电压0.75功率0.45 0.6 精密型0.6 0.7 功率型9、热敏电阻电压：电源电压80%功率：0.5 0.5温度：TMax-1510、压敏电阻电压：0.75功率：0.6 0.7不靠近发热可燃器件，离开其它器件3mm11、非绕线电位器电压0.75功率0.45 0.6 精密型0.6 0.7 功率型12、电容器固定纸、塑料薄膜电容/玻璃铀/固定云母/固定陶瓷/ 电流、电压0.6 0.7温度Tmax-10铝电解电压、电流0.6 0.7钽电解电压、电流0.5 0.7温度Tmax-20钽固体电解电压电流0.8 0.9 20V以下0.7 0.8 25V以上温度Tmax-20可变电容器电流、电压0.5浪涌电流电压0.6 0.7温度Tmax-1013、电感热点温度Tmax-10~25 Tmax-15~0工作电流0.6～0.7瞬态电压电流0.9介质耐压0.5～0.6电压0.714、磁珠工作电流0.6～0.7瞬态电压0.915、继电器<100mW不降额电阻负载：0.75～0.90电容负载（最大浪涌电流）：0.75～0.90电感负载0.75 0.9 电感额定电流0.4 0.75 电阻额定电流电机负载0.75 0.9 电感额定电流0.2 0.75 电阻额定电流0.1 0.3 灯丝0.5 0.7 水印继电器（VA）线圈释放电压0.9最小～1.1最大温度额定-20振动额定60%16、开关<100mW不降额电阻负载：0.75～0.90电容负载（最大浪涌电流）：0.75～0.90电感负载0.75 0.9 电感额定电流0.4 0.75 电阻额定电流电机负载0.75 0.9 电感额定电流0.2 0.75 电阻额定电流0.1 0.3 灯丝触点额定电压0.5 0.7功率0.5 0.717、电连接器电压0.7 0.8电流0.7 0.85温度Tmax-25 Tmax-2018、晶体温度：最低+10，最高-1019、光学器件光纤光源：峰值输出功率0.5峰值电流0.5结温设法降低光纤：温度：低温+20，高温-20张力：光纤20%拉力，光缆50%拉升值弯曲半径：最小允许值200%光纤连接器：温度：Tmax-25 Tmax-20。

Z35

表2 降额量值确定的基础
降额工作基础分类
元器件类别
A
集成电路,半导体分立器件,电阻器,电位器,电容器
GJB/Z 35-93
B
电感元件,继电器,开关,旋转电器,电连接器,线缆,灯泡,电路断路
器,保险丝
C
电真空器件,晶体,声表面波器件,激光器件,纤维光学器件
GJB/Z 35-93
４．６元器件的质量水平
a.Ⅰ级降额：±3％； b.Ⅱ级降额：±5％； c.Ⅲ级降额：按相关详细规范要求。５．１．２．３主要参数的设计容差
为保证设备长期可靠的工作，设计应允许集成电路参数容差为：
模拟电路：
电压增益：-25％（运算放大器） -20％（其他）
输入失调电压：+50％（低失调器件可达300％）输入失调电流：+50％或+5nA 输入偏置电压：±1mV（运算放大器和比较器）输出电压：±0.25％（电压调整器）负载调整率：±0.20％（电压调整器）数字电路：
降额参数
降额等级
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
电源电压 1)
0.70
0.80
0.80
输出电流 2)
0.80
0.90
0.90
频率
0.80
0.80
0.9
最高结温 ℃
85
100
115
注：1)电源电压降额后不应小于推荐的正常工作电压；输入电压在任何情况下不得超过电源电压。 2)仅适用于缓冲器和触发器，从 IOL 的最大值降额；工作于粒子辐射环境的器件需要进一步降
应按设备可靠性要求、设计的成熟性、维修费用和难易程度、安全性要求，以及对设备重量和尺寸的限制因素，综合权衡确定其降额等级。在最佳降额范围内推荐采用三个降额等级。

元器件降额标准(参考)

分离半导体器件
晶体管
方向
电压
一般晶体管
功率MOSFET的栅源电压
电流
功率
功率管安全工作区
集电极－发射极电压
集电极最大允许电流
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
微波晶体管
最高结温
同晶体管
二极管（基准管除外）
电压（不适用于稳压管）
输出电流
功率
最高结温（℃）
80
95
105
数字电路
双极型电路
频率
输出电流
最高结温（℃）
85
100
115
MOS型电路
电源电压
输出电流
功率
最高结温（℃）
85
100
115
混和集成电路
厚模集成电路（W/cm2）
薄模集成电路（W/cm2）
最高结温（℃）
85
100
115
大规模集成电路
最高结温（℃）
改进散热方式降低结温
TAM-20
TAM-20
TAM-20
微调电容器
直流工作电压
~
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-10
TAM-10
TAM-10
电感元件
热点温度THS（℃）(简写T)
T-40~25
T-25~10
T-15~0
工作电流
~
~
~
瞬间电压/电流
介质耐压
~
~
~
扼流圈工作电压
继电器

元器件降额准则GJBZ 35-1993

元器件降额准则编号：WI-TE-006版次：V01编制：审核：批准：目录1.0目的--------------------------------------------------------------------------------42.0适用范围--------------------------------------------------------------------------43.0引用文件--------------------------------------------------------------------------44.0一般要求--------------------------------------------------------------------------45.0详细要求--------------------------------------------------------------------------56.0应用指南-------------------------------------------------------------------------131.0目的为了满足客户对产品可靠性和使用寿命的要求，本标准规定了电子、电气元器件（以下简称元器件）在不同应用情况下应降额的参数及其量值，同时提供了若干与降额使用有关的应用指南。

2.0适用范围本准则适用于我司研发的所有电源产品3.0引用文件GJB/Z 35-1993元器件降额准则4.0一般要求4.1降额等级的划分我司降额等级分别从两方面来划分，一个主要从产品性能方面来考虑，另一个主要从产品经济效益方面来考虑。

首先，为适合我司对产品工作应力从稳态与瞬态两方面来进行要求和评估，从而制定两个降额等级：S—稳态应力降额，T—瞬态应力降额。

稳态应力是指在产品规格书中所规定的全电压输入范围、各种输出条件及环境条件下，产品稳定工作时，器件在某种组合条件下所承受的最大应力。

元器件降额标准(参考)

峰值光输出功率
（适用于ILD）
电流
（适用于ILD）
结温
设法降低
光纤探测器
PIN反向压降
结温
设法降低
光纤与光缆
温度
上限额定值—20;下限额定值+20
张力
光纤
耐拉试验的
光缆
拉伸额定值的
弯曲半径
最小允许值的
核辐射
按产品详细规范降额或加固
导线与电缆
最大应用电压
最大绝缘电压规定值的
最大应用电流（A）
线规Avg
线绕电位器
电压
功率
普通型
非密封功率型
—
—
微调线绕型
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
热敏电阻器
功率
最高环境温度(C)
Tam-15
Tam-15
Tam-15
电容
器
固定玻璃釉型
直流工作电压
最高额定环境温度Tam(C)
Tam-10
Tam-10
Tam-10
直流工作电压
固定云母型
最高额定环境温度Tam(C)
Tam-10
输出电流
功率
最高结温（C）
80
95
105
数字电路
双极型电路
频率
输出电流
最高结温（C）
85
100
115
MOS型电路
电源电压
输出电流
功率
最高结温（C）
85
100
115
混和集成电路
厚模集成电路（W/cm2）
薄模集成电路（W/cm2）
最高结温（C）
85
100
115
大规模集成电路

元器件降额标准(参考)

0.80
0.90
0.90
功率
0.80
0.80
0.90
最高结温（℃）
85
100
115
混和集成电路
厚模集成电路（W/cm2）
7.5
薄模集成电路（W/cm2）
6.5
最高结温（℃）
85
100
115
大规模集成电路
最高结温（℃）
改进散热方式降低结温
分离半导体器件
晶体管
方向
电压
一般晶体管
0.60
0.70
0.80
功率MOSFET的栅源电压
电压
0.60
0.70
0.80
电流
0.50
0.65
0.80
最高结温
Tjm（℃）
200
115
140
160
175
100
125
145
≤150
Tjm-65
Tjm-40
Tjm-20
固定电阻器
合成型电阻器
电压
0.75
0.75
0.75
功率
0.50
0.60
0.70
环境温度
按元件负荷特性曲线降额
薄膜型电阻器
电压
0.75
0.75
0.90
电感负载
电感额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.35
0.40
0.75
电机负载
电机额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.15
0.20
0.35
灯丝负载
灯泡额定电流的
0.50

元器件降额标准(参考)

灯丝负载
灯泡额定电流的
0.50
0.75
0.90
电阻额定电流的
0.07~0.08
0.10
0.15
触点电压
0.40
0.50
0.70
触点功率
0.40
0.50
0.70
连接器
工作电压
0.50
0.70
0.80
工作电流
0.50
0.70
0.80
最高接触对额定温度TM（℃）
TM-40
TM-20
TM-15
电机
最高工作温度（℃）
－
－
TAM-20
钽电解
直流工作电压
0.50
0.60
0.70
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-20
TAM-20
TAM-20
微调电容器
直流工作电压
0.30~0.40
0.50
0.50
最高额定环境温度TAM（℃）
TAM-10
TAM-10
TAM-10
电感元件
热点温度THS（℃）(简写T)
T-40~25
T-25~10
T-15~0
工作电流
0.60~0.70
0.60~0.70
0.60~0.70
瞬间电压/电流
0.9
0.9
0.9
介质耐压
0.5~0.6
0.5~0.6
0.5~0.6
扼流圈工作电压
0.7
0.7
0.7
继电器
连续触点电流
小功率负荷（＜100mW）
不降额
电阻负载
0.50
0.75
0.90
电容负载（最大浪涌电流）

元器件降额使用参考

元器件降额使用参考一、集成电路因为集成电路的复杂性和保密性，一般我们只能根据半导体结温来推断集成电路的可靠性了。

元器件降额准则

元器件降额准则元器件降额准则概述元器件降额是指在保证电路性能稳定的前提下，将电子元器件的额定数值减小一定比例，用更小的元器件来实现同样的功能。

元器件降额的工程应用主要是针对电源电路和信号处理电路，通过降低元器件的容值、电阻值、电感值等参数，使得相应的电路成本减少，同时对整个系统的运行稳定性没有影响。

在电子设计中，通常采用元器件降额的方法来缩小电路的体积、降低成本和提高效率。

而与此相应的，元器件降额准则就成了电子工程师需了解的重要知识之一。

元器件降额准则1. 电容器降额准则电容器降额准则是指将标称容量为C1的电容器，根据电路实际工作要求，选用容量为C2的电容器代替，C2 < C1。

一般的，当C2<0.1C1时，不会对电路性能产生显著的影响。

当C2<0.01C1时，可能会影响电路的稳定性，因此需要进行适当的补偿和设计。

2. 电阻器降额准则电阻器降额准则是指选用电阻值小于标称值的电阻器，来代替标称值为R的电阻器。

一般来说，选用与标称值相比小于10%的电阻器不会影响电路性能。

但是需要注意的是，如果电阻值太小会降低电路负载能力，导致电路不稳定，因此选用时需要根据具体情况进行权衡。

3. 电感器降额准则电感器降额准则是指选用低于标称值的电感器，来代替标称值为L的电感器。

一般来说，选用电感值小于标称值10%的电感器不会对电路性能产生明显的影响。

但是，对于高频电路或对电感器性能有严格要求的场景，需要进行详细的电路仿真和测试，以确保电路的稳定性和性能。

4. 半导体器件降额准则半导体器件降额准则是指选用与标称值相比小于10%的电流、电压值的半导体器件替换标称值为I或V的器件。

但是，需要注意的是，在选用低于标称值的半导体器件时，也需要考虑其安装和工作温度等特殊因素，以保证电路的可靠性。

5. 变压器降额准则变压器降额准则是指将标称值为N1:N2的变压器，选用变比N3:N4的变压器代替，通常有N3/N1=n4/N2。

GB35-93元器件可靠性降额准则国家标准.

GB35-93元器件可靠性降额准则国家标准.元器件可靠性降额准则GJB/Z 35－931 范围1.1 主题内容本标准规定了电子、电气和机电元器件（以下简称元器件）在不同应用情况下应降额的参数及其量值；同时提供了若干与降额使用有关的应用指南。

1.2 适用范围本标准适用于军用电子设备的设计。

其它电子设备可参照使用。

2引用文件GJB450－88 装备研制与生产的可靠性通用大纲GJB451－90 可靠性维修性术语GJB/Z 299A－91 电子设备可靠性预计手册3定义除下列术语外，本标准所用的其他术语及其定义见GJB451。

3.1 降额derating元器件使用中承受的应力低于其额定值，以达到延缓其参数退化，提高使用可靠性的目的。

通常用应力比和环境温度来表示。

3.2 额定值rating元器件允许的最大使用应力值。

3.3 应力stress影响元器件失效率的电、热、机械等负载。

3.4 应力比stress ratio元器件工作应力与额定应力之比。

应力比又称降额因子。

4一般要求4.1 降额等级的划分通常元器件有一个最佳降额范围。

在此范围内，元器件工作应力的降低对其失效率的下降有显著的改善，设备的设计易于实现，且不必在设备的重量、体积、成本方面付出大的代价。

应按设备可靠性要求、设计的成熟性、维修费用和难易程度、安全性要求，以及对设备重量和尺寸的限制等因素，综合权衡确定其降额等级。

在最佳降额范围内推荐采用三个降额等级。

a.Ⅰ级降额Ⅰ级降额是最大的降额，对元器件使用可靠性的改善最大。

超过它的更大降额，通常对元器件可靠性的提高有限，且可能对设备设计难以实现。

Ⅰ级降额适用于下述情况：设备的失效将导致人员伤亡或装备与保障设施的严重破坏；对设备有高可靠性要求，且采用新技术、新工艺的设计；由于费用和技术原因，设备失效后无法或不宜维修；系统对设备的尺寸、重量有苛刻的限制。

b.Ⅱ级降额Ⅱ级降额是中等降额，对元器件使用可靠性有明显改善。

GB 35-93元器件可靠性降额准则国家标准.

根据 4.1 条的规定，对不同应用推荐的降额等级见表 1。表 1 不同应用的降额等级
应用范围
降额等级最高最低
航天器与运载火箭
Ⅰ
Ⅰ
战略导弹
Ⅰ
Ⅱ
战术导弹系统
Ⅰ
Ⅲ
飞机与舰船系统
Ⅰ
Ⅲ
通信电子系统
Ⅰ
Ⅲ
武器与车辆系统
Ⅰ
Ⅲ
地面保障设备
Ⅱ
Ⅲ
4.3 降额的限度降额可有效地提高元器件的使用可靠性，但降额是有限度的。通常，超过最
为：电流放大系数：±15％（适用于已经筛选的晶体管） ±30％（适用于未经筛选的晶体管）漏电流：＋200％开关时间：＋20％饱和压降：＋15％
5.2.3 降额准则（1）晶体管的反向电压、电流、功率从额定值降额；（2）最高结温、安全工作区的降额见附录；（3）由于分布参数的影响，微波晶体管不能按独立变量来考虑降额，但应
中、小规模集成电路降额的主要参数是电压、电流或功率，以及结温。大规模模集成电路主要是降低结温。 5.1.2 应用指南 5.1.2.1 所有为维持最低结温的措施都应考虑。可采取以下措施：
（1）器件应在尽可能小的实用功率下工作；（2）为减少瞬态电流冲击应采用去耦电路；（3）当工作频率接近器件的额定频率时，功耗将会迅速增加，因此器件的实际工作频率应低于器件的额定频率；（4）应实施最有效的热传递，保证与封装底座间的的热阻，避免选用高热阻底座的器件。 5.1.2.2 双极型数字电路电源电压须稳定，其容差范围如下：（1） Ⅰ级降额：±3％；（2） Ⅱ级降额：±5％；（3） Ⅲ级降额：按相关详细规范要求。 5.1.2.3 主要参数的设计容差为保证设备长期可靠的工作，设计应允许集成电路参数容差为：模拟电路：

元器件降额判定标准 (1)

有雪崩吸收的器件，雪崩电流和能量应小于额定值的 50%
Forward Current 90% 90% 90% 90% 80%
备注
I2t 小于额定值的 80% 额定功率的 80%
温度应力：类型
功率整流管肖特基
快恢复二极管整流桥稳压管
3)电容：电压应力：
类型电解电容钽电容陶瓷电容薄膜电容
A. 元器件降额判定标准
参见MET0001-2003 Component Derating Guidelines for High Reliability Power Assemblies
1)开关管：电压应力：
类型
功率 MOS 管功率双极型晶体管
IGBT Triac/SCR
V max. 带雪崩吸收
8)电源线和线材：电流：低于额定值的 80% 电压：低于额定值的 70%
9)接插件：电流：每 pin 低于额定值的 70% 对于并联的要分别测量每 pin 的电流
10)保险：电流：I2t 应小于额定值的 50%(在最严酷的条件下)
6)磁性材料：温度：Class F：不超过 130℃; Class B：不超过 110℃; Class A：不超过 90℃;
非晶态磁芯（Amorphous Choke）：不超过 100℃; 铁粉磁芯（Iron powder core）：不超过 90℃。
7)继电器和开关：电流：低于额定电流的 80% 温度：低于额定工作温度 10℃
备注
备注相应温度下的最大允许电流的 90%
备注
4)数字、线性 IC： Vcc 低于 85%的额定值 Tj 低于 80%的额定值
5)功率电阻：类型
物理量温度功耗电压

元器件降额标准(参考)

元器件降额标准(参考)元器件降额准则（参考件）元器件种类降额参数降额等级ⅠⅡⅢ集成电路模拟电路放大器电源电压0.70 0.80 0.80输入电压0.60 0.70 0.70输出电流0.70 0.80 0.80功率0.70 0.75 0.80最高结温（℃）80 95 105比较器电源电压0.70 0.80 0.80输入电压0.70 0.80 0.80输出电流0.70 0.80 0.80功率0.70 0.75 0.80最高结温（℃）80 95 105电压调整器电源电压0.70 0.80 0.80输入电压0.70 0.80 0.80输出输入电压差0.70 0.80 0.85输出电流0.70 0.75 0.80功率0.70 0.75 0.80 最高结温（℃）80 95 105模拟开关电源电压0.70 0.80 0.85输入电压0.80 0.85 0.90输出电流0.75 0.80 0.85 功率0.70 0.75 0.80 最高结温（℃）80 95 105数字电路双极频率0.80 0.90 0.90型电路输出电流0.80 0.90 0.90最高结温（℃）85 100 115MOS 型电路电源电压0.70 0.80 0.80输出电流0.80 0.90 0.90 功率0.80 0.80 0.90 最高结温（℃）85 100 115混和集成电路厚模集成电路（W/cm2）7.5薄模集成电路（W/cm2）6.5最高结温（℃）85 100 115大规模集成电路最高结温（℃）改进散热方式降低结温分离半导体器件晶体管方向电压一般晶体管0.60 0.70 0.80功率MOSFET的栅源电压0.50 0.60 0.70电流0.60 0.70 0.80功率0.50 0.65 0.75功率管安全工作区集电极－发射极电压0.70 0.80 0.90集电极最大允许电流0.60 0.70 0.80最高结温Tjm（℃）200 115 140 160175 100 125 145≤150 Tjm-65Tjm-4Tjm-2微波晶体管最高结温同晶体管二极管（基准管除外）电压（不适用于稳压管）0.60 0.70 0.80电流0.50 0.65 0.80功率0.50 0.65 0.80 最高结温Tjm（℃）200 115 140 160175 100 125 145≤150 Tjm-65Tjm-4Tjm-2微波二极管最高结温同二极管基准二极管可控硅/半电压0.60 0.70 0.80电流0.50 0.65 0.80 最高结温200 115 140 160175 100 125 145导体光电器件Tjm（℃）≤150 Tjm-65Tjm-4Tjm-2固定电阻器合成型电阻器电压0.75 0.75 0.75功率0.50 0.60 0.70 环境温度按元件负荷特性曲线降额薄膜型电阻器电压0.75 0.75 0.75功率0.50 0.60 0.70 环境温度按元件负荷特性曲线降额电阻网络电压0.75 0.75 0.75功率0.50 0.60 0.70 环境温度按元件负荷特性曲线降额线绕电阻电压0.75 0.75 0.75 功率精密型0.25 0.45 0.60功率型0.50 0.60 0.70 环境温度按元件负荷特性曲线降额电位器非线绕电位器电压0.75 0.75 0.75 功率合成、薄膜微调0.30 0.45 0.60精密塑料型不采用0.50 0.50 环境温度按元件负荷特性曲线降额线绕电位器电压0.75 0.75 0.75 功率普通型0.30 0.45 0.50非密封功率型－－0.70微调线绕型0.30 0.45 0.50环境温度按元件负荷特性曲线降额热敏功率0.50 0.50 0.50电阻器最高环境温度（℃）T AM-15T AM-15T AM-15电容器固定玻璃釉型直流工作电压0.50 0.60 0.70最高额定环境温度T AM（℃）T AM-1T AM-1T AM-1固定云母型直流工作电压0.50 0.60 0.70最高额定环境温度T AM（℃）T AM-1T AM-1T AM-1固定陶瓷型直流工作电压0.50 0.60 0.70最高额定环境温度T AM （℃）T AM-1T AM-1T AM-1固定纸/塑料薄膜直流工作电压0.50 0.60 0.70最高额定环境温度T AM（℃）T AM-1T AM-1T AM-1电解电容器铝电解直流工作电压－－0.75最高额定环境温度T AM（℃）－－T AM-2钽电解直流工作电压0.50 0.60 0.70最高额定环境温度T AM （℃）T AM-2T AM-2T AM-2微调电容器直流工作电压0.30~0.400.50 0.50最高额定环境温度T AM（℃）T AM-1T AM-1T AM-1电感元件热点温度T HS（℃）(简写T)T-40~25T-25~1T-15~0 工作电流0.60~0.700.60~0.700.60~0.70瞬间电压/电流0.9 0.9 0.9 介质耐压0.5~0.6 0.5~0.6 0.5~0.6 扼流圈工作电压0.7 0.7 0.7继电器连续触小功率负荷（＜100mW）不降额电阻负载0.50 0.75 0.90点电流电容负载（最大浪涌电流）0.50 0.75 0.90电感负载电感额定电流的0.50 0.75 0.90电阻额定电流的0.35 0.40 0.75电机负载电机额定电流的0.50 0.75 0.90电阻额定电流的0.15 0.20 0.35灯丝负载灯泡额定电流的0.50 0.75 0.90电阻额定电流的0.07~0.080.10 0.30触点功率（用于舌簧水银式）0.40 0.50 0.70线圈吸合电压最小维持电压0.90 0.90 0.90最小线圈电压1.10 1.10 1.10线圈释放电压最大允许值1.10 1.10 1.10最小允许值0.90 0.90 0.90最高额定环境温度T AM（℃）T AM-2T AM-2T AM-2振动极限0.60 0.60 0.60 工作寿命（循环次数）0.50开关连续触点电流小功率负荷（＜100mW）不降额电阻负载0.50 0.75 0.90 电容负载（电阻额定电流的）0.50 0.75 0.90电感负载电感额定电流的0.50 0.75 0.90电阻额定电流的0.35 0.40 0.75电机负载电机额定电流的0.50 0.75 0.90电阻额定电流的0.15 0.20 0.35灯丝负载灯泡额定电流的0.50 0.75 0.90电阻额定电流的0.07~0.080.10 0.15触点电压0.40 0.50 0.70 触点功率0.40 0.50 0.70连接器工作电压0.50 0.70 0.80工作电流0.50 0.70 0.80 最高接触对额定温度T M（℃）T M-40 T M-20 T M-15电最高工作温度（℃）T-40 T-20 T-15机最低极限（℃）0 0 0 轴承载荷额定值0.75 0.90 0.90灯泡白炽灯工作电压（如可行）0.94 0.94 0.94 氖/氩灯工作电压（如可行）0.94 0.94 0.94电路断路器电流阻性负载0.75 0.75 0.90容性负载0.75 0.75 0.90感性负载0.40 0.40 0.50电机负载0.20 0.20 0.35灯丝负载0.10 0.10 0.15最高额定环境温度T AM（℃）T AM-20保险电流额定值＞0.5A 0.45~0.50.45~0.50.45~0.5丝≤0.5A 0.2~0.4 0.2~0.4 0.2~0.4 T＞25℃时，增加降额1/℃0.005 0.005 0.005晶体最低温度（℃）T L+10 T L+10 T L+10 最高温度（℃）T U-10 T U-10 T U-10微波管最高额定环境温度（℃）T AM-2T AM-2T AM-20 输出功率0.80 0.80 0.80反射功率0.50 0.50 0.50占空比0.75 0.75 0.75声表面波器件输入功率（f＞100MHz）降低+10dBm输入功率（f＜100MHz＝降低+20dBm纤维光学器件光纤光源峰值光输出功率0.50（适用于ILD）电流0.50（适用于ILD）结温设法降低光纤探测器PIN反向压降0.60结温设法降低光纤与光缆温度上限额定值－20；下限额定值+20张力光纤耐拉试验的0.20光缆拉伸额定值的0.50 弯曲半径最小允许值的0.20核辐射按产品详细规范降额或加固导线与电缆最大应用电压最大绝缘电压规定值的0.50最大应用电流（A）线规A VG30/28/26/24/22/20/18/16单根导线电流I SV1.3/1.8/2.5/3.3/4.5/6.5/9.2/13.0线规A VG14/12/10/8/6/4单根导线电流I SV17.0/23.0/33.0/44.0/60.0/81.0双极型数字电路降额准则降额参数降额等级ⅠⅡⅢ电源电容容限±3％±5％见技术条件频率0.80 0.90 0.95 输出电流0.80 0.90 0.90 最高结温（C）85 100 115HP电压降额标准器件型号正常状态最差状态电阻峰值电压(%) 功率(%)温度峰值电压(%)功率(%)温度碳膜、金属膜50 50PCB的标50 80PCB的标准≥100 Ko ≤1/4W1/2W50 50 50 80hm ≥ 1W 40 50 准焊接温度≤85°C40 80 焊接温度≤100°C< 100 Ko hm ≤1/4W80 50 80 801/2W80 50 80 80 1 W 80 60 80 80 ≥ 2W80 50 80 60玻璃釉电阻70 60压敏电阻80 50 80 80不同功率下的峰值电压：1/6 W-200（150）V；1/4 W-250V；1/2 W-350 V；1W-350 V；2W-350V；3W-500 V；5W-500V器件型号Isteady(%)Im (%) Isteady(%)Im (%)NTC-电阻PTC-电阻80 80电容VDC(%) VCP(%)Vpeak(%)Irms(%)Ip-p(%)Temp(%)VDC(%)VCP(%)Vpeak(%)Irms(%)Ip-p(%)Temp(%)薄膜电容85 85PEMPE 90 85 MPP 85 85 85 Ceramicfixed陶瓷电容75 80 90 90Electrolytic(85° C,2000 h)80 80 85 60 90 95 90 70Electrolytic(105° C,2000 h)80 80 90 60 90 95 90 70ComponentTypNormal Case Worst CaseInductors CoreTemp(°C)CoreTemp(%)CoreTemp(°C)CoreTemp(%)ChokeCoil80TransformerSemico nductorsTj min. = 150°CNote: Tj to Tcase has to be calculated for verification in any caseDiode Vrm(%)Io(%)Ifsm(%)Tcase(°C)Vrm(%)Io(%)Ifsm(%)Tcase(°C)90 50 70 90Zener Diode Pd(%)Iz(%)IFM(%)Tcase(°C)Pd(%)Iz(%)IFM(%)Tcase(°C)50 50 80 90Damp/ Modula tion Diode Vrm(%)Io(%)Ifsm(%)Tcase(°C) 90 50 70 90Transist ors Vce(%)Veb(%)IC(%)Tcase(°CVce(%)Veb(%)IC(%)Tcase(°C 85 85 85 85 85 85 90MOSF ET Vpss(%)Ip(%)IDM(%)VGS(%)Vpss(%)Ip(%)IDM(%)VGS(%) 85 80 80 85 90 85 80 85IC Vpeak (%) Pd(%)Tcase(°C)Vpeak (%)Pd(%)Tcase(°C)80 80 90 85 80 90 PCB( SolderTemp)≤ 85°C ≤ 100°CSpecial Parts Vpeak (%)Irms(%)Tcase(°C)Vpeak (%)Irms(%)Tcase(°C)Switch Power MOSF ET85 90 85 100DC-DC booster MOSF ET DC- DC booster rectifier Hor.- output器件型号Normal Case Worst CaseSpecial Parts Vpeak(%) Irms(%)Tcase(%)Vpeak(%)Irms(%)Tcase(%)H-Driver/Vertical行场驱动80 80 75 85 80 80。

元器件降额标准

修订记录目录修订记录 (1)1、目的 (3)2、范围 (3)3、组织与权责 (3)3.1、设计工程 (3)3.2、验证工程 (3)3.3、零件工程 (3)4、名词解释 (3)4.1、降额 (3)4.2、最大额定值 (3)4.3、应力 (3)4.4、应力比率 (3)5、降额标准 (4)5.1、电阻器降额使用规范 (4)5.2、保险丝使用规范 (4)5.3、整流管降额使用规范 (5)5.3.1、信号/开关, 普通型二极体 (5)5.3.2、桥整 (5)5.3.3、肖特基二极体 (5)5.3.4、稳压二极管 (5)5.4 晶体管降额使用规范 (6)5.4.1、晶体管(双极,普通) (6)5.4.2、晶体管(功率) (6)5.4.3、MOSFET(Small Signal) (6)5.4.4、MOSFET(Power) (6)5.4.5、晶闸管, 可控硅 (7)5.5、电容降额使用规范 (7)5.6、光电耦合器 (8)5.7、微电路IC降额使用规范 (8)5.7、变压器和电感降额使用规范 (8)6、SAGEMCOM Component derating: (8)7、参考文件 (9)8、附录 (9)1、目的通过执行降额标准等效补偿零件关键特性参数降低来自于零件和生产变异造成的品质冲击而导致的不良率，改善产品设计可靠性提高产品运行余量从而达成稳定的设计目标要求。

2、范围冠德科技有限公司SPS研发部。

3、组织与权责3.1、设计工程设计开发之前，设计工程人员需要了解熟悉零件应用和零件降额使用标准。

开发设计调试过程中设计工程人员有责任量测零件实际工作中的承受应力，如果检测结果达不到相应的零件降额要求，设计人员有责任研究分析根本原因并妥善解决。

如果没有成本效率（包括品质改善）可以实现，设计人员有责任提供与条款存在异议部分并提供报告做相应解释。

3.2、验证工程验证工程人员有责任参与降额标准的应用说明并与相关人员作答，并担当该文件的维护工作。

元器件降额准则

200
140
160
175
125
145
≤150
Tjm-40
Tjm-20
4.3
器件类型
降额参数
降额要求
II
III
可控硅
电压
0.70
0.80
电流
0.65
0.80
最高结温Tjm
（℃）
200
140
160
175
125
145
≤150
Tjm-40
Tjm-20
4.
器件类型
降额参数
降额要求
II
III
光电器件
电压
0.70
降额要求
II
III
保险丝
电流额定值
＞0.5A
0.45～0.50
0.45～0.50
≤0.5A
0.20～0.40
0.20～0.40
T＞25℃时，每增1℃增加的降额因子
0.005
0.005
九、继电器
器件类型
降额参数
降额要求
II
III
继电器
连
接
00mW）
不降额
不降额
电阻负载
0.75
0.90
0.90
最小线圈电压
1.10
1.10
线圈释放电压
最大允许值
1.10
1.10
最小允许值
0.90
0.90
最高额定环境温度（TAM）℃
TAM-20
TAM-20
振动限值
0.60
0.60
十、开关
器件类型
降额参数
降额要求
II
III
开关
连

电路设计元器件降额标准

1、晶体管/MOSFET：反向电压：0.7 0.8MOSFET栅源电压：0.6 0.7三极管集电极、发射机电压：0.7 0.8三极管集电极电流：0.7 0.8正反向电流：0.7 0.8温湿度0.7 0.82、二极管正向电压：10%稳定电压（稳压二极管）：反向漏电流+200%恢复开关时间+20%反向电压0.7 0.8电流0.7 0.8功率0.65浪涌电压、电流0.7 0.8温湿度0.7 0.83、断路器熔断电流：0.75 0.9 阻/容性负载0.4 0.5 感性负载0.2 0.35 电机温度：Tmax-204、保险丝电流>0.5A 0.45～0.5电流<0.5A 0.2~0.4环境温度超过25度时，按0.005/oC增加降额5、可控硅，闸流管控制极正向压降10%漏电流+200%开关时间+20%其它指标同二极管6、光电器件指标同二极管7、电阻/电阻网络电压0.75功率0.6 0.7封装2512 2010 1206 0805 0603 0402 0201 功率 1 1/2 1/4,1/8 1/10 1/16 1/16 1/32最大电压200 200 200 100 50 50类型片式金属氧化膜水泥电阻功率1/4 1W/2W/5W 5W及以上8、绕线电阻电压0.75功率0.45 0.6 精密型0.6 0.7 功率型9、热敏电阻电压：电源电压80%功率：0.5 0.5温度：TMax-1510、压敏电阻电压：0.75功率：0.6 0.7不靠近发热可燃器件，离开其它器件3mm11、非绕线电位器电压0.75功率0.45 0.6 精密型0.6 0.7 功率型12、电容器固定纸、塑料薄膜电容/玻璃铀/固定云母/固定陶瓷/电流、电压0.6 0.7温度Tmax-10铝电解电压、电流0.6 0.7钽电解电压、电流0.5 0.7温度Tmax-20钽固体电解电压电流0.8 0.9 20V以下0.7 0.8 25V以上温度Tmax-20可变电容器电流、电压0.5浪涌电流电压0.6 0.7温度Tmax-1013、电感热点温度Tmax-10~25 Tmax-15~0工作电流0.6～0.7瞬态电压电流0.9介质耐压0.5～0.6电压0.714、磁珠工作电流0.6～0.7瞬态电压0.915、继电器<100mW不降额电阻负载：0.75～0.90电容负载（最大浪涌电流）：0.75～0.90电感负载0.75 0.9 电感额定电流0.4 0.75 电阻额定电流电机负载0.75 0.9 电感额定电流0.2 0.75 电阻额定电流0.1 0.3 灯丝0.5 0.7 水印继电器（VA）线圈释放电压0.9最小～1.1最大温度额定-20振动额定60%16、开关<100mW不降额电阻负载：0.75～0.90电容负载（最大浪涌电流）：0.75～0.90电感负载0.75 0.9 电感额定电流0.4 0.75 电阻额定电流电机负载0.75 0.9 电感额定电流0.2 0.75 电阻额定电流0.1 0.3 灯丝触点额定电压0.5 0.7功率0.5 0.717、电连接器电压0.7 0.8电流0.7 0.85温度Tmax-25 Tmax-2018、晶体温度：最低+10，最高-1019、光学器件光纤光源：峰值输出功率0.5峰值电流0.5结温设法降低光纤：温度：低温+20，高温-20张力：光纤20%拉力，光缆50%拉升值弯曲半径：最小允许值200%光纤连接器：温度：Tmax-25 Tmax-20。

GBZ35-93电子元器件降额的基本准则(doc 47页)

中、小规模集成电路降温的主要参数是电压、电流或功率，以及结温。大规模集成电路主要是降低结温。
5.1.2应用指南
5.1.2.1所有为维持最低结温的措施都应考虑。可采取以下措施：
a.器件应在尽可能小的实用功率下工作；
b.为减少瞬态电流冲击应采用去耦电路；
c.当工作频率接近器件的额定频率时，功耗将会迅速增加，因此器件的实际工作频率应低于器件的额定频率；
应按设备可靠性要求、设计的成熟性、维修费用和难易程度、安全性要求，以及对设备重量和尺寸的限制因素，综合权衡确定其降额等级。在最佳降额范围内推荐采用三个降额等级。
a.Ⅰ级降额
Ⅰ级降额是最大的降额，对元器件使用可靠性的改善最大。超过它的更大降额，通常对元器件可靠性的提高有限，且可能使设备设计难以实现。
Ⅰ级降额适用于下述情况：设备的失效将导致人员伤亡或装备与保障设施的严重破坏；对设备有高可靠性要求，且采用新技术、新工艺的设计；由于费用和技术原因，设备失效后无法或不宜维修；系统对设备的尺寸、重量有苛刻的限制。
4.6元器件的质量水平
必须根据产品可靠性要求选用适合质量等级的元器件。不能用降额补偿的方法解决低质量元器件的使用问题。
5详细要求
5.1集成电路降额准则
5.1.1概述
集成电路分模拟电路和数字电路两类。根据其制造工艺的不同,可按双极型和MOS(CMOS)型，以及混合集成电路分类。
集成电路芯片的电路单元很小，在导体断面上的电流密度很大，因此在有源结点上可能有很高的温度。高结温是对集成电路破坏性最大的应力。集成电路降额的主要目的在于降低高温集中部分的温度，降低由于器件的缺陷而可能诱发失效的工作应力。延长器件的工作寿命。
Ⅰ
Ⅱ
战术导弹系统
Ⅰ
Ⅲ
飞机与舰船系统