模电复习题第4章题
大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(四)
大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1．PN 结反向偏置时，PN 结的内电场 。
PN 具有 特性。
2．硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为 伏；其门坎电压V th 约为 伏。
3．为了保证三极管工作在放大区，要求：发射结 偏置，集电结 偏置。
对于ＮＰＮ型三极管，应使V BC 。
4．放大器级间耦合方式主要有阻容（RC ）耦合、直接耦合和 耦合三大类。
5．在三极管组成的三种不同组态的放大电路中，共射和共基组态有电压放大作用，组态有电流放大作用， 组态有倒相作用； 组态带负载能力强。
6．将交流电变换成脉动直流电的电路称为整流电路；半波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 倍；全波整流电路输出的直流电压平均值等于输入的交流电压（即变压器副边电压）有效值的 倍。
7．为了分别达到下列要求，应引人何种类型的反馈：①降低电路对信号源索取的电流：。
②当环境温度变化或换用不同值的三极管时，要求放大电路的静态工作点保持稳定： 。
③稳定输出电流： 。
8．某负反馈放大电路的开环放大倍数A=100000，反馈系数F ＝0.01，则闭环放大倍数≈⋅f A 。
二、选择题1．某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V ，这说明放大电路的输出电阻为（ ）。
A)10kΩ B)2kΩ C)4kΩ D)3kΩ2．为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合，可以在信号源与低阻负载间接入（ ）。
βA)共射电路B)共基电路C)共集电路D)共集-共基串联电路3．与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（）。
A)不用输出变压器B)不用输出端大电容C)效率高D)无交越失真4．有两个放大倍数相同，输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B，对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。
在负载开路的条件下，测得A放大器的输出电压小，这说明A的（）。
模电第四章标准答案
第4章 集成运算放大电路自测题一、选择合适答案填入空内。
(1)集成运放电路采用直接耦合方式是因为( C )。
A.可获得很大的放大倍数B.可使温漂小C.集成工艺难于制造大容量电容 (2)通用型集成运放适用于放大( B )。
A.高频信号B.低频信号C.任何频率信号 (3)集成运放制造工艺使得同类半导体管的( C )。
A.指标参数准确B.参数不受温度影响C.参数一直性好 (4)集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以( A )。
A.减小温漂 B.增大放大倍数 C.提高输入电阻(5)为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用( A )。
A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路二、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果。
(1)运放的输入失调电压U IO 是两输入端电位之差。
( × ) (2)运放的输入失调电流I IO 是两输入端电流之差。
( √ )(3)运放的共模抑制比cdCMR A A K =。
( √ ) (4)有源负载可以增大放大电路的输出电流。
( √ )(5)在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。
( × ) 三、电路如图T4.3 所示，已知β1＝β2＝β3= 100 。
各管的U BE 均为0.7V , 试求I C 2的值。
解：分析估算如下：21100CC BE BE R V U U I A Rμ--==00202211B B B B I I I I ββββ++==++；0202()1R B B B I I I I ββββ+=+=++图T4.322021C B B I I I ββββ+==⋅+。
比较上两式，得 2(2)1002(1)C R R I I I A ββμβββ+=⋅≈=+++四、电路如图T4.4所示。
图T4.4(1)说明电路是几级放大电路，各级分别是哪种形式的放大电路（共射、共集、差放… … ）;(2)分别说明各级采用了哪些措施来改善其性能指标（如增大放大倍数、输入电阻… … ）。
模电综合复习题
模电综合复习题中国石油大学现代远程教育《模拟电子技术》综合复习资料第一章常用半导体器件dfadasfds 一、选择sdasdasda[ A ]asdasdasdasdasd A. B. C. D.NPN型硅管PNP型硅管NPN型锗管2V 6V PNP型锗管1、在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如下图所示，该晶体管的类型是2、三极管各个电极的对地电位如下图所示，可判断其工作状态是[ D ]asdasdasdas A.饱和 B.放大C.截止D.已损坏3、在如下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。
若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[ C ] =2mA 2mA D.不能确定4、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[ B ] A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷5、二极管的主要特性是[ C ] A.放大特性 B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性6、温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[ B ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 7、下列选项中，不属三极管的参数是[ B ] A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICMD.集电极最大允许耗散功率PCM 8、温度升高时，三极管的β值将[ A ] A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 9、在N型半导体中，多数载流子是 [ A ]中国石油大学现代远程教育A. 电子B. 空穴C.离子D. 杂质10、下面哪一种情况二极管的单向导电性好[ A ]A.正向电阻小反向电阻大B. 正向电阻大反向电阻小 C.正向电阻反向电阻都小 D. 正向电阻反向电阻都大11、在P型半导体中，多数载流子是[ B ] A. 电子 B. 空穴 C.离子 D. 杂质四、 asdasdsafsdafsadfas在某放大电路中，晶体管三个电极的电流下图所示。
已量出I1=-，I2=-，I3=。
此可知：1、电极①是 C 极，电极②是 B 极，电极③是 E 极。
模电复习题
第一章复习题一、填空1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的（五）价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为（自由电子）。
2、PN结正向偏置时，内、外电场方向（相反）。
3、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的（R×1k）档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的（阴）极。
检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
4、双极型三极管内部有基区、发射区和集电区，有（发射）结和 ( 集电)结及向外引出的三个铝电极。
5、二极管的伏安特性曲线上可分为 ( 死)区、正向导通区、 (反向截止)区和（反向击穿）区四个工作区。
6、双极型三极管简称晶体管，属于（电流）控制型器件，单极型三极管称为MOS管，属于（电压）控制型器件。
MOS管只有（多数）流子构成导通电流。
二、判断1、P型半导体中空穴多于自由电子，说明P型半导体带正电.。
（×）2、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。
（×）3、晶体管和场效应管一样，都是由两种载流子同时参与导电。
（×）4、只要在二极管两端加正向电压，二极管就一定会导通。
（×）5、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
（×）三、单选1、单极型半导体器件是（C）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
2、稳压二极管的正常工作状态是（C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、正向死区状态。
3、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
4、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数 。
模电答案 第四章
第四章 习题解答4-1 如题4-1图所示MOSFET 转移特性曲线，说明各属于何种沟道？若是增强型，开启电压等于多少？若是耗尽型，夹断电压等于多少？ 答：（a ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th G S 2-=（b ）P-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或统称为开启电压()V V th GS 2)= （c ）P-EMOSFET ，开启电压()V V th G S 4-=（d ）N-DMOSFET ，夹断电压()Off GS V （或也称为开启电压()V V th G S 4)-=4-2 4个FET 的转移特性分别如题4-2图(a)、(b)、(c)、(d)所示。
设漏极电流i D 的实际方向为正，试问它们各属于哪些类型的FET ？分别指出i D 的实际方向是流进还是流出？ 答：（a ）P-JFET ，D i 的实际方向为从漏极流出。
（b ）N-DMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流进。
（c ）P-DMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流出。
（d ）N-EMOSFET ，D i 的实际方向为从漏极流进。
4-3 已知N 沟道EMOSFET 的μn C ox =100μA/V 2，V GS(th)=0.8V ，W/L=10，求下列情况下的漏极电流：（a ）V GS =5V ，V DS =1V ； （b ）V GS =2V ，V DS =1.2V ； （c ）V GS =5V ，V DS =0.2V ； （d ）V GS =V DS =5V 。
解：已知N-EMOSFET 的()108.0,/1002===LWth G S ox n VV V A C μμ（a ）当V V V V D S G S 1,5==时，MOSFET 处于非饱和状态()()th G S G S D S V V V -<()()[]()[]mA V V V VI VmA th GS GSWC D D S D S x o n 7.3118.052101.022122=-⨯-⨯⨯=--=μ （b ）当V V V V D S G S 2.1,2==时，()D S th G S G S V V V V ==-2.1，MOSFET 处于临界饱和()()()()mA V V C I V mA th GS GS W ox n D 72.08.02101.022121=-⨯⨯⨯=-⋅=μ （c ）当V V V V DS GS 2.0,5==时，()D S th G S G S V V V V >=-2.4，MOSFET 处于非饱和状态()()()[]()[]mA V V V V C I V m A D S D S th G S G S L W ox n D 82.02.02.08.052101.022212212=-⨯-⨯⨯=--=μ（d ）当V V V D S G S 5==时，()th G S G S D S V V V ->，MOSFET 处于饱和状态 ()()()()mA V V C I VmA th GS GS L W ox n D 82.88.05101.02212212=-⨯⨯⨯=-⋅=μ 4-4 N 沟道EMOSFET 的V GS(th)=1V ，μn C ox （W/L ）=0.05mA/V 2，V GS =3V 。
模拟电子技术第4章习题答案
4 基本放大电路自我检测题一．选择和填空1. 在共射、共基、共集三种基本放大电路组态中，希望电压放大倍数绝对值大，可选用 A 或C ；希望带负载能力强，应选用 B ；希望从信号源索取电流小，应选用 B ；希望既能放大电压，又能放大电流，应选用 A ；希望高频响应性能好，应选用 C 。
（A ．共射组态，B ．共集组态，C ．共基组态）2．射极跟随器在连接组态方面属共 集电 极接法，它的电压放大倍数接近 1 ，输入电阻很 大 ，输出电阻很 小 。
3．H 参数等效电路法适用 低 频 小 信号情况。
4．图解分析法适用于 大 信号情况。
5．在线性放大条件下，调整图选择题5所示电路有关参数，试分析电路状态和性能指标的变化。
（A ．增大， B ．减小，C ．基本不变） （1）当R c 增大时，则静态电流I CQ 将 C ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 C ，输出电阻R o 将 A ；（2）当V CC 增大，则静态电流I CQ 将 A ，电压放大倍数v A 将 A ，输入电阻R i 将 B ，输出电阻R o 将 C 。
6．在图选择题5所示电路中 ，当输入电压为1kHz 、5mV 的正弦波时，输出电压波形出现底部削平失真。
回答以下问题。
（1）这种失真是 B 失真。
（A ．截止，B ．饱和，C ．交越，D ．频率） （2）为了消除失真，应 B 。
（A ．增大C R ，B ．增大b R ，C ．减小b R ，D ．减小 CC V ，E ．换用β大的管子）。
R b R c+V CCC 2C 1R Lv iv oT图选择题57. 随着温度升高，晶体管的电流放大系数 _A_，穿透电流CEO I _A_，在I B 不变的情况下b-e 结电压V BE_B _。
（ A ．增大，B ．减小，C ．不变）8．随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。
（A ．上移， B ．下移，C ．左移，D ．右移，E ．增大，F ．减小，G ．不变） 9．共源极放大电路的v o 与v i 反相位，多作为 中间级 使用。
模拟电路第四章课后习题复习资料
/ 7 第四章 习题与思考题 ◆◆ 习题 4-1 在图P4-1所示互补对称电路中，已知VCC为6V，RL为8Ω，假设三极管的饱和管压降UCES＝1V， ① 试估算电路的最大输出功率Pom； ② 估算电路中直流电源消耗的功率PV和效率η。 解：① WWRUVPLcemCCom563.182)16(2)(22 如忽略UCES，则 WWRVPLCCom25.2826222 ② WWRVPLCCV865.2862222 %55.54865.2563.1VomPP 如忽略UCES，则%53.78865.225.2VomPP 此题的意图是理解OCL互补对称放大电路的Pom和PV的估算方法。 ◆◆ 习题 4-2 在图P4-1所示的电路中： ① 三极管的最大功耗等于多少？ ② 流过三极管的最大集电极电流等于多少？ ③ 三极管集电极和发射极之间承受的最大电压等于多少? ④ 为了在负载上得到最大输出功率Pom，输入端应加上的正弦电压有效值大约等于多少？ 解：① WWPPomCM45.025.22.02.0 ② AARVILCCCM75.086 ③ VVVUCCCEOBR12622)( ④ 因为互补对称电路中无论哪个三极管导电，电路均工作在射极跟随器状态，1uA，而略小于1，故VVVUUCCcemi24.42622。 本题的意图是了解OCL互补对称电路中功率三极管极限参数的估算方法。
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/ 7 ②WWPPVVVUAARVIomCMCCCEOBRLCCCM2.3)162.0(2.0,32)162(2,2816)( ③mAAIICmBm33.36002 ④mAAIICmBm100202 本题的意图是了解由复合管组成的互补对称电路的特点。 ◆◆ 习题 4-10 分析图P4-10所示的功率放大电路，要求： ① 说明放大电路中共有几个放大级，各放大级包括哪几个三极管，分别组成何种类型的电路。 ② 分别说明以下元件的作用：R1、VD1和VD2；R3和C；RF。 ③ 已知VCC=15V，RL=8Ω，VT6、VT7的饱和管压降UCES=1.2V，当输出电流达到最大时，电阻Re6和Re7上的电压降均为0.6V，试估算电路的最大输出功率。 解： ① 共有三个放大级。输入级包括三极管VT1和VT2，组成单端输入单端输出差分放大电路。中间级包括PNP管VT3，组成单管共射放大电路。输出级包括VT4、VT5、VT6和VT7，其中VT4和VT6组成NPN型复合管，VT5和VT7组成PNP型复合管，这两个复合管组成准互补对称电路。 ② R1、VD1和VD2的作用是在输出级的两个三极管VT4和VT5基极之间产生一个偏压，使静态时输出级的功放管中已有一个较小的集电极电流，即互补对称输出级工作在甲乙类状态，目的是减小输出波形的交越失真。 R3和C起补偿作用。因为扬声器为感性负载，接入R3和C后，通过补偿，希望总的负载接近纯阻性。 RF为反馈电阻，其作用是在电路中引入一个电压串联负反馈，以达到稳定输出电压，提高带负载能力，减小非线性失真等目的。 ③ WWRUUVPLRCESCCome89.1082)6.02.115(2)(226 本题的意图是学习分析一个典型的多级功率放大电路，了解电路的一般组成和一些元件的作用，并估算电路的Pom。
模电第四习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R大的特点。
( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零，则其输入电阻会明显变GS小。
( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础(国防科技大学出版社第四章习题答案(大题)
习题4.1选择填空1、选用差分放大电路的原因是 A 。
A 、克服温漂B 、 提高输入电阻C 、稳定放入倍数2、用恒流源取代长尾式差分放大电路中的发射极电阻Re ，将使电路的 B 。
A 、差模放大倍数数值增大 B 、抑制共模信号能力增强 C 、差模输入电阻增大3、差动放大器中的差模输入是指两输入端各加大小___相等_____、相位___相反____的信号。
4、设差放电路的两个输入端对地的电压分别为v i1和v i2，差模输入电压为v id ，共模输入电压为v ic ，则当v i1=50mV ，v i2=50mV 时，v id =_0mV __，v ic =_50mV __；当v i1=50mV ，v i2=-50mV 时，v id =_100mA __，v ic =_0mA__；当v i1=50mV ，v i2=0V 时，v id =_50mV __，v ic =_25mA __。
5、电流源常用于放大电路，作为_A ___（A.有源负载，B.电源，C.信号源），使得放大倍数__A __（A.提高，B.稳定）。
6、电压放大电路主要研究的指标是 a 、 b 、 c ；功率放大电路主要研究的指标是 d 、 e 、 f 、 g 、（a 电压放大倍数 b 输入电阻 c 输出电阻 d 输出功率 e 电源提供的功率 f 效率 g 管耗）7、功率放大电路中，___甲类____功率放大电路导通角最大；_____乙类___功率放大电路效率较高。
（甲类、乙类、甲乙类） 8、甲类功放效率低是因为 B 。
A 、只有一个功放管B 、 静态电流过大C 、管压降过大4.1对称差动放大电路如题图 4.1所示。
已知晶体管1T 和2T 的50=β，并设U BE (on )=0.7V,r bb ’=0,r ce =∞。
(1)求V 1和V 2的静态集电极电流I CQ 、U CQ 和晶体管的输入电阻r b’e 。
(2)求双端输出时的差模电压增益A ud ，差模输入电阻R id 和差模输出电阻R od 。
模电第四章习题答案
模电第四章习题答案模电第四章习题答案模拟电子技术是电子工程中非常重要的一门学科，它涉及到电路的设计、分析和调试等方面。
第四章是模拟电子技术中的一个重要章节，主要讲解了放大器的基本原理和应用。
本文将为大家提供模电第四章习题的详细解答，希望能对大家的学习有所帮助。
1. 题目：一个共射放大器的电流增益为50，负载电阻为2kΩ，输入电阻为1kΩ，求其电压增益。
解答：共射放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 电流增益× 负载电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 50 × 2kΩ / 1kΩ = 100所以，该共射放大器的电压增益为100。
2. 题目：一个共集放大器的电压增益为30，输入电阻为10kΩ，输出电阻为1kΩ，求其电流增益。
解答：共集放大器的电流增益可以通过以下公式计算：电流增益 = 电压增益× 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电流增益= 30 × 1kΩ / 10kΩ = 3所以，该共集放大器的电流增益为3。
3. 题目：一个共基放大器的电流增益为50，输入电阻为1kΩ，输出电阻为10kΩ，求其电压增益。
解答：共基放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 电流增益× 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 50 × 10kΩ / 1kΩ = 500所以，该共基放大器的电压增益为500。
4. 题目：一个共射放大器的输入电阻为1kΩ，输出电阻为2kΩ，求其电压增益和电流增益。
解答：共射放大器的电压增益可以通过以下公式计算：电压增益 = 输出电阻 / 输入电阻代入已知数据，得到：电压增益= 2kΩ / 1kΩ = 2共射放大器的电流增益可以通过以下公式计算：电流增益 = 电压增益× 输入电阻 / 输出电阻代入已知数据，得到：电流增益= 2 × 1kΩ / 2kΩ = 1所以，该共射放大器的电压增益为2，电流增益为1。
模拟电子技术第四章46典型习题
A.减小B.不变C.增大第四章 半导体三极管及放大电路基础一、在图T1所示电路中， 已知V CC = 12V ,晶体管的100 , ^> = 100k Q 。
填空：要求先填文字表达式后填得数。
(1)当4 = 0V 时，测得U B EQ = 0.7V ，若要基极电流I BQ = 20卩A , 则必 和 R W 之和 R? = ~ k Q ;而若测得 U C EQ = 6V ,贝U R C =~k Q o图T1(2)若测得输入电压有效值厲=5mV 时 ,输出电压有效值"u = 0.6V , 则电- __________o 若负载电阻R L 值与R% 一％)〃凶碗；％ - "屮才冋玛J-矶心-120 j(2)二、已知图T1所示电路中V cc = 12V ,甩=3k Q ,静态管压降U CEQ = 6V ;并在 输出端加负载电阻R L ,其阻值为3k Q 。
选择一个合适的答案填入空内。
(1 )该电路的最大不失真输出电压有效值U om ~ ________ ；A.2VB.3VC.6V(2)当4= 1mV 时，若在不失真的条件下，减小R W ,则输出电压的幅值相等，则带上负载后输出电压有效值q = _____________________________________ Vo压放大倍数= ________________________（3 ）在W= 1mV时，将Rv调到输出电压最大且刚好不失真，若此时增大输入电压，则输出电压波形将；A.顶部失真B.底部失真C.为正弦波（4）若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将。
A. R W减小B. R减小C. V CC减小解：（1）A （2）C （3）B （4）B示。
四、分别改正图T2所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。
要求保留电路原来的共射接法和耦合方式。
解：(a)将一V CC改为+ V CC(b)在+ V cc与基极之间加R b。
模电第四章部分习题答案
模电第四章部分习题答案模拟电子技术是电子工程中的重要分支，它研究模拟电路的设计、分析和应用。
在模拟电子技术的学习过程中，习题是检验学生理解和掌握程度的重要方式。
在模电第四章中，有许多习题需要我们认真思考和解答。
本文将对模电第四章部分习题进行解答，帮助读者更好地理解和应用模拟电子技术。
1. 题目：已知一个放大电路的输入电压为1V，输出电压为10V，求放大倍数。
解答：放大倍数是指输出电压与输入电压之间的比值。
根据题目中的信息，我们可以得到放大倍数为10。
2. 题目：一个放大电路的放大倍数为20，输入电压为2V，求输出电压。
解答：根据放大倍数的定义，我们可以得到输出电压为放大倍数乘以输入电压，即20乘以2V，等于40V。
3. 题目：一个放大电路的输出电压为20V，放大倍数为10，求输入电压。
解答：根据放大倍数的定义，我们可以得到输入电压为输出电压除以放大倍数，即20V除以10，等于2V。
4. 题目：一个放大电路的放大倍数为50，输入电压为1V，求输出电压。
解答：根据放大倍数的定义，我们可以得到输出电压为放大倍数乘以输入电压，即50乘以1V，等于50V。
5. 题目：一个放大电路的输入电压为0.5V，输出电压为10V，求放大倍数。
解答：根据题目中的信息，我们可以得到放大倍数为输出电压除以输入电压，即10V除以0.5V，等于20。
通过以上的习题解答，我们可以看出放大倍数是一个重要的概念，它描述了放大电路中输入和输出之间的关系。
在实际应用中，我们可以根据放大倍数的大小来选择合适的放大电路，以满足特定的需求。
除了放大倍数，模拟电子技术还涉及到许多其他的概念和知识点，如放大电路的频率响应、输入输出阻抗等。
通过解答习题，我们可以更好地理解和应用这些概念。
总之，模拟电子技术是电子工程中的重要内容，习题的解答是我们学习和掌握模拟电子技术的重要方式。
通过对模电第四章部分习题的解答，我们可以加深对放大倍数等概念的理解，并能够更好地应用于实际工程中。
《模拟电子技术基础教程》——第四章习题解答
（2）若晶体管不工樹在放大区，则说明能否通过调节电阻 L和R,
（增大或者减小）使之处于放大状态；若能，则说明如 节？设在调 节某一电阻时其它两个电阻不变.
iookn|
-o+12V
Rc
10kQ
圏 P4.7
5
解（1）由图可知晶体管发射结正偏。假设晶体管处于放大状态，则U区=祖風一 ItiRb>0,集
当Rc增大时,UCEQ|减小,Q点将沿着JB = 40〃A所对应的输出特性左移，如解图4. 10 中的Q点，Ug
将变小“
当RL增大时，Q点不变» Vcc =Ul：KQ + ICQ .R；增大，但不变。
8
+ 12V
电路的直流通路 .+12V
电路的交流通路
电路的直流通路 --12V
电路的交流通路
电路的直流通路
_____ iop,A
\v2.02mA
1.51mA z—<^*20ilA _____
（a）
图 P4.4
（b）
解晶体管三个极中基极电流最小，据此可确定基极。根据基极电流方向可确定管 子类型，从外
流向内的为NPN型管，否则为PNP型管。根据IE = IB+ IC确定发射极和 集电极，电流最大的为发射极，
高频信号作用下电压放大倍数下降的主要原因是存在 ___ 电容。
A.耦合
B.旁路
C.极间
解 （1） B,A,A （2） B,A （3） A,B,C
4.4已知两只晶体管三个极的电流大小和方向如图P4. 4所示，分别判断两个晶体 管的类型（ NPN或PNP）,并在图中标出每个晶体管的三个电极，分别求出两个晶体管的 电流放大系数的
模拟电子技术第四章 习题与答案
第4章习题答案4.1填空题略4.2 选择题1、如图4-49所示电路，是（A）图4-49 运放电路A 电压跟随器B 电流跟随器2、能够把方波转换成三角波的是，（B）A 微分电路B积分电路3、能够把方波转换成正负相间的尖脉冲的电路时，（A）A 微分电路B积分电路4.3 判断题1、由于集成电路内部输入电阻无穷大而使输入电流几乎为零的现象称之为“虚短”。
（×）2、理想运放处于非线性区域时，可考虑虚短和虚断。
（×）3、虚短时，集成运放输入端不需用电流。
（×）4、理想运放工作在非线性区域时，具备以下特点：当u i＞0时，u o=+U OM；当u i＜0时，u o=-U OM。
（√）5、差动放大电路不可以抑制零点漂移。
（×）4.4 分析计算题1.略2. （1）略（2）2mv 2mv3. a图0.5v b图0.5v c图1v4. 4v5. a图-20mv，b图1.8v6. 1μF7. 当t=1ms时，输出电压为2v；3ms时，输出电压为-4v；5ms时，输出电压为4v，以此类推。
波形为三角波，图略。
8. t从0到10s时，输出电压为-0.1v；而从10s到30s,输入均无变化，因此此时输出为0；而从30s到40s时，输出电压为0.1v,其波形为一负一正另个矩形波。
波形图略。
9. 当U R为0v时，输入电压超过0v，输出电压即为-0.7v，输入电压低于0v，输出则为5v。
当U R为-2v时，输入电压超过-2v，输出电压即为-0.7v，输入电压低于-2v，输出则为5v。
波形略。
4.5 问答题略。
(完整版)模电复习答案
基本概念复习第一章 电路基本元件一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ）（3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ）（5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。
（ ）（6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽（2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e UB. T U U I e SC. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏B. 前者正偏、后者反偏C. 前者正偏、后者也正偏（5）U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管B. 增强型MOS 管C. 耗尽型MOS 管（6）在某放大电路中，测的三极管三个电极的静态电位分别为0 V ，-10 V ，-9.3 V ， 则这只三极管是 。
A ．NPN 型硅管B ．NPN 型锗管C ．PNP 型硅管D ．PNP 型锗管解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C （6）A第二章 基本放大电路一、在括号内用“ ”或“×”表明下列说法是否正确。
（1）只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用；（ ）（2）可以说任何放大电路都有功率放大作用；（ ）（3）放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的；（）（4）放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作；（）（5）由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化；（）（6）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。
模电课后习题第四章
习题四解答4-1什么是反馈？什么是负反馈？怎样区分四种不同类的反馈？解：在电路中，反馈是指将输出量的一部分或全部通过反馈网络，用一定的方式送到输入回路，以影响输入电量的过程。
反馈的结果使得净输入电量减小则为负反馈。
在输出端，如果反馈信号是对输出电压取样，也就是说反馈信号与输出电压有关，则称为电压反馈；如果反馈信号是对输出电流取样，也就是说反馈信号与输出电流有关，则称为电流反馈。
在输入端，如果反馈到输入端的信号是以电压形式出现，与输入电压串联比较，则称为串联反馈；如果反馈到输入端的信号是以电流形式出现，与输入电流并联比较，则称为并联反馈。
因此，一共可分为四种不同类型的负反馈，即：1）电压串联负反馈，2）电压并联负反馈，3）电流并联负反馈，4）电流串联负反馈。
5）4-2负反馈对放大电路有哪些影响？在改善电路的某些性能时又付出了那些代价？解：负反馈能够提高增益的稳定性，减小非线性失真，抑制放大器内部的噪声，增大或减小输入、输出电阻等。
主要是以牺牲闭环增益为代价。
4-3试说明为了实现以下几个方面的要求，它们分别应采用何种负反馈？1）要求输入电阻大，输出电阻小；2）要求输入电阻大，输出电流稳定；3）电流源输入，要求输出电压稳定；4）电流源输入，要求输出电流稳定。
解：1）由于串联负反馈可以增大输入电阻，典雅负反馈可以减小输出电阻，所以，要使输入电阻大和输出电阻小，应采用电压串联负反馈；2）由于电流负反馈能够稳定输出电流，所以，要使输入电阻大，输出电流稳定，应采用串联电流负反馈；3）一个放大电路，要获得较大的增益，必须尽可能地从信号源获取信号，对于电流源输入，要使放大电路获取尽可能多的信号，必须是放大电路的输入电阻尽可能地减小，所以在输入端应采用并联负反馈，如果又要稳定输出电压，所以总体应采用并联电压负反馈；4）综合以上理由，在电流源输入情况下，要稳定输出电流，应采用并联电流负反馈。
4-4 对于图P4-1所示的反馈电路，试判定个电路给定反馈电路的反馈类型。
模拟电子技术教程 第4章习题答案
第4章习题1．概念题（1）在多级直接耦合放大器中，对电路零点漂移影响最严重的一级是第1级，零漂最大的一级是最后1级。
（2）差分放大电路有 4 种输入输出连接方式，其差模电压增益与输出方式有关，与输入方式无关。
（3）集成运放是一种采用直接耦合方式的放大电路，所以低频性能好，其最大的问题是零漂大。
（4）一个带宽为0.1～10MHz的宽频带多级放大电路，应采用的耦合方式是（B、D ）。
A：阻容耦合B：直接耦合C：变压器耦合D：光电耦合（5）有两个性能完全相同的放大器，其开路电压增益为20dB，R i=2kΩ，R o=3kΩ。
现将两个放大器级联构成两级放大器，则开路电压增益为（B，20dB+12dB=32dB ）。
A：40 dB B：32 dB C：16 dB D：160dB（6）放大电路中采用复合管的目的是（ C ）。
A：增加输入阻抗B：减小零点漂移C：提高电压或电流放大倍数（7）一般情况下，我们用输入短路，将测得的输出电压除以运放的增益的实验法测得输入失调电压U IO。
（8）双入双出的差分放大电路，其共模信号幅值不管多大都不会影响差模输出。
对吗？（不对）（9）共模信号和差模信号都可以是交流信号，也可以是直流信号。
对吗？（对）（10）对于长尾式差分放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，射级电阻R e可一概视为短路。
对吗？（对）（11）有源负载可以增大放大电路的输出电流。
对吗？（不对）（12）电压输入输出型运放是用量最大的运放，因而产量大、价格低。
对吗？（对）（13）基本镜像恒流源的原理是两个三极管工作在同一条输出特性曲线上。
（14）在运放中恒流源的作用有提供静态工作电流或提供有源负载。
（15）由于频率特性好且易于集成，光电耦合具有很广阔的前景。
2 .如图4-63所示多级放大电路中，试判断各单级放大电路的类型及各级间的耦合方式。
解：（a）两级共射，阻容耦合（b）两级共射，直接耦合（c）共射-共集，直接耦合（d）共源-共射，阻容耦合（e）共射-共源-共射，阻容-变压器耦合3 .画出题2中各图微变等效电路，并写出A u、R i及R o的表达式。
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第四章功放
一．判断题：
（1）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。
（√）
（2）乙类推挽电路只可能存在交越失真，而不可能产生饱和或截止失真。
（×）
（3）功率放大电路，除要求其输出功率要大外，还要求功率损耗小，电源利用率高。
（√）
（4）在功率放大电路中，电路的输出功率要大和非线性失真要小是对矛盾。
（√）（5）教材第173页习题4-8
二、选择题
1、功率放大电路的效率是指（ B ）
A．不失真输出功率与输入功率之比 B．不失真输出功率与电源供给功率之比
C．不失真输出功率与管耗功率之比 D．管耗功率与电源供给功率之比
3、甲类功率放大电路比乙类功率放大电路（ D ）
A．失真小、效率高 B．失真大、效率低
C．管耗大、效率高 D．失真小，效率低
4．已知电路如图所示，T1和T2管的饱和管压降│U CES│＝3V，U CC＝15V，R L＝8Ω，。
选择正确答案填入空内。
（1）电路中D1和D2管的作用是消除_________ 。
A．饱和失真B．截止失真C．交越失真
（2）静态时，晶体管发射极电位U EQ。
A．大于0V B．等于0V C．小于0V
（3）最大输出功率P OM。
A．约等于28W B．等于18W C．等于9W
解：
（1）C 乙类功率放大电路存在交越失真，通过D1,D2克服交越失真。
（2）B 静态时，由于电路对称，0=EQ U (3)C W R U U P L CES cc OM
98
*2)315(2)(22=-=-=
5、选择合适的答案，填入空内。
只需填入A 、B 或C 。
（1）功率放大电路的最大输出功率是在输入电压为正弦波时，输出基
本不失真情况下，负载上可能获得的最大 。
A ．交流功率
B ．直流功率
C ．平均功率 （2）功率放大电路的转换效率是指 。
A ．输出功率与晶体管所消耗的功率之比 B ．最大输出功率与电源提供的平均功率之比 C ．晶体管所消耗的功率与电源提供的平均功率之比
（3）在OCL 乙类功放电路中，若最大输出功率为1W ，则电路中功放管的集电极最大功耗约为 。
A ．1W
B ．0.5W
C ．0.2W
（4）在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有 。
A ．β B ．I C M C ．I C B O D ．B U C E O E ．P C M F ．f T
（5）若图T1所示电路中晶体管饱和管压降的数值为│U C E S │，则最大输出功率P O M ＝ 。
A ．L
2
CES CC 2)
(R U V - B ．L 2CES CC )21(R U V - C ．L 2
CES CC 2)2
1(R U V -
图T1
解：（1）A （2）B （3）C （4）B D E （5）C
6、 已知电路如图T2所示，T 1和T 2管的饱和管压降│U C E S │＝3V ，V C C ＝
15V ， R L ＝8Ω，。
选择正确答案填入空内。
图T2
（1）电路中D 1和D 2管的作用是消除 。
A ．饱和失真
B ．截止失真
C ．交越失真 （2）静态时，晶体管发射极电位U E Q 。
A ．＞0V
B ．＝0V
C ．＜0V （3）最大输出功率P O M 。
A ．≈28W
B ．＝18W
C ．＝9W （4）当输入为正弦波时，若R 1虚焊，即开路，则输出电压 。
A ．为正弦波
B ．仅有正半波
C ．仅有负半波
（5）若D 1虚焊，则T 1管 。
A ．可能因功耗过大烧坏
B ．始终饱和
C ．始终截止
解：（1）C （2）B （3）C （4）C （5）A
三．填空题：
1.乙类互补对称功率放大电路中，由于三极管存在死区电压而导致输出信号在过零点附近出现失真，称之为（交越失真）
2. 如图所示互补对称功率放大器中
在输入信号正半周，
VT 1（导通），VT 2（截止），
在输入信号负半周，VT 1（截止），VT 2（导通），
忽略三极管的饱和压降，则u o 最大值是（V CC /2）
V CC
u o
u
3. 如图所示互补对称功率放大器中
四．计算题：
1．在图P9-1所示电路中，已知V CC ＝16V ，R L ＝4Ω，T 1和T 2管的饱和管压降│U CES │＝2V ，输入电压足够大。
试问：
（1）最大输出功率P om 和效率η各为多少？
（2）为了使输出功率达到P om ，输入电压的有效值约为多少？ 解：
（1）最大输出功率和效率分别为
%8.694πW
5.242)(CC
CES CC L
2
CES CC om ≈-⋅=
=-=
U U U R U U P η
（2）输出功率为P o m 时的输入电压有效值 V 9.92
CES
CC om i ≈-≈≈U U U U
V CC
u o
u L
-V CC
在输入信号正半周，VT 1（导通），VT 2（截止），
在输入信号负半周，VT 1（截止），VT 2（导通），
忽略三极管的饱和压降，则u o 最大值是（V CC ）
2．如图互补对称电路，V CC =6V ，R L =8Ω，U CES =1V （1）估算电路的最大输出功率P om ； （2）直流电源消耗的功率P V 和效率η。
解：（1）()W R U V P L
CES CC OM 563.122
=-=
(2) W R V P L CC
V
865.222
==π 55.54==V
Om P P
η%
3．如图互补对称电路，V CC =6V ，R L =8
Ω，U CES =1V （1）估算电路的最大输出功率P om ； （2）直流电源消耗的功率P V 和效率η。
解：（1）()
W R U V P L
CES CC
OM 25.022
2
=-=
、(2) W R V P L CC
V
716.022
==π 92.34==V
Om P P
η%
五、简答题。
1、在甲类、乙类和甲乙类放大电路中，放大管的导通角分别等于多少？它们中哪一类放大电路效率最高？
解 在输入正弦信号情况下，通过三极管的电流i c 不出现截止状态（即导通角θ＝2π）的称为甲类；在正弦信号一个周期中，三极管只有半个周期导通（θ＝π）的称为乙类；导
V CC
u o u i
L
-V CC
V CC
u o u i
L
-V CC
通时间大于半周而小于全周（π＜θ＜2π）的称为甲乙类。
其中工作于乙类的放大电路效率最高，在双电源的互补对称电路中，理想情况下最高效率可达 78．5％。
2.对图18-25的OCL电路，解答下列问题：
1．VD1、VD2两个二极管可否反接于电路中？
答：
2．V1、V2两晶体管工作在哪种状态？
答：
3．若V1、V2的饱和压降U CES1 =U CES2 =2V，R L =8Ω，求该电路的最大不失真功率Pom。
答：
4．若电源提供的总功率P E=16.3W，求每管的最大管耗P V1 ，P V2。
答：
图18-25
1）不可以，否则V1和V2间直流开路，电路不能工作。
2） V1和V2 共集电极组态。
3） P om 6.7W
4) P V1 = P V2 =3.3W。