电子科技大学模拟电路考试题及答案

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模拟电子电路_杭州电子科技大学2中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年

模拟电子电路_杭州电子科技大学2中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.以下电极名称哪一个不属于MOS器件?答案:基极2.在下述几种击穿现象中，哪类击穿是不可逆的？（）答案:热击穿3. NEMOSFET饱和区的工作条件为VGS Vt, VDS VGS-Vt。

答案:>,>4.分析MOS和BJT的三种基本组态结构，有明显的对应结构，其中（）和（）组态均为电流跟随器结构。

答案:CG，CB5.分析MOS和BJT的三种基本组态结构，有明显的对应结构，其中（）和（）组态均存在米勒倍增效应，因而均为窄带放大器。

答案:CS，CE6.下面对PN结单向导电性描述合理的有（）。

答案:反偏时几乎没有电流通过反偏时PN结等效为一个大电阻正向导通，反向截止7.下列关于BJT和FET的描述正确的是（）答案:BJT为流控器件，FET为压控器件BJT为双极型器件，FET为单极型器件8.共源（CS）放大器交流通路中，若引入源极电阻，关于其作用说法正确的是（）答案:控制的大小，避免因_过大产生非线性失真稳定静态工作点拓展放大器的带宽9.当环境温度升高时，PN结（）。

答案:半导体中的本征激发增强反向饱和电流增大10.与同类型、同偏置的电阻型负载差放放大器相比，有源负载差放放大器（）。

答案:采用单端输出方式，但具有类似前者双端输出时的效果，甚至性能更好差模增益大大提高单端输出时共模抑制比更高广泛用于集成电路设计中11.N型半导体带负电，P型半导体带正电答案:错误12.在画放大器直流通路时，所有电容应短路，所有电感应开路答案:错误13.限幅电路仅能利用二极管的单向导电性实现。

答案:错误14.BJT和MOSFET管在集成电路中除了作为放大管使用外，还有另外两个作用分别是电流源和有源负载答案:正确15.有源负载结构既能用于CE组态，也能用于CB和CC组态。

答案:正确。

电子科技大学“机械设计制造及其自动化”《模拟电路基础》23秋期末试题库含答案

电子科技大学“机械设计制造及其自动化”《模拟电路基础》23秋期末试题库含答案第1卷一.综合考核(共20题)1.三极管的击穿电流ICEO是()。

A.基极开路时的集电极电流B.发射极开路时的集电极电流C.基极短路时的集电极电流D.发射极短路时的集电极电流2.差动放大电路依靠电路的对称性以及共模负反馈来抑制零点漂移。

()A.正确B.错误3.为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入()。

A.电流负反馈B.电压负反馈C.直流负反馈D.交流负反馈4.电流求和负反馈使输人电阻减少；电压求和负反馈使输人电阻()。

A.增加B.不变C.减少5.6.功率放大器的效率是()。

A.平均输出功率与平均输入功率之比B.平均输出功率与晶体管平均消耗的功率比C.最大不失真平均输出功率与电源提供的平均功率总功率之比D.晶体管上平均消耗的功率与电源提供的平均功率总功率之比8.向放大器输入正弦电压。

当输出是非正弦的周期电压时，该放大器一定产生了()。

A.频率失真B.相位失真C.削波失真D.非线性失真9.在热激发条件下，少数价电子获得足够激发能，进入导带，产生()。

A.负离子B.空穴C.正离子D.电子-空六对10.要求得到一个由电流控制的电流源，应引入()负反馈。

A.电压串联B.电压并联C.电流串联D.电流并联11.半导体中的载流子为()。

A.电子B.空穴C.正离子D.电子和空穴12.产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响。

()A.正确B.错误13.在绝对零度时，本征半导体中()载流子。

A.有B.没有C.少数D.多数14.N沟道结型场效应管的夹断电压VP为()。

A.正值B.负值C.零15.差分放大电路端输出时，主要靠电路的对称性来抑制温漂。

()A.错误B.正确16.反馈放大电路由()电路和()网络组成。

A.基本放大B.反馈C.正反馈D.负反馈17.18.集成运放中间级的作用是()。

A.提高输人电阻B.提高共模抑制比C.提高放大倍数19.20.为了抑制直流放大器的温漂输出，应该采用()。

杭州电子科技大学电路与模拟电子技术基础(第4版)习题解答完整版

第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。

图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=×=P （吸收）；W 5.15.032=×=P （吸收） W 15353−=×−=P （产生）；W 5154=×=P （吸收）； W 4225=×=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。

1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。

图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ；V 13335=+−=I I U电流源功率：W 2621−=⋅−=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。

电压源功率：W 632−=⋅−=I P （产生），即电压源产生功率W 6。

1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。

图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=−=I ;A 1322−=−=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。

图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab −=×+++×−=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。

图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=×+−×+−=IV 221021425)32(22S =+−=×+−×+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。

图1.6 习题1.6电路图解 A 213=−=I ；A 31X −=−−=I I ; V 155X −=⋅=I UV 253245X X −=×−−⋅=I U1.7 电路如图1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻R 。

图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++×+×+×+=1046418666661866666ab R (2) Ω=−−=712432383R1.8 电路如图1.8所示：（1）求图(a)中的电压S U 和U ；（2）求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。

模拟电路基础电子科技大学试卷及答案

专升本-模拟电路基础•••A、稳压管不能击穿；•B、稳压管正向导通；•C、稳压管因电流太小而内阻过大；•D、稳压管因电流过大而烧管。

•2、•••A、5. 2kΩ•B、2. 4kΩ•C、3. 6kΩ•D、6. 8kΩ•••A、1. 43kΩ•B、2. 31kΩ•C、0. 82kΩ•D、1. 96kΩ•A、能够形成导电沟道•B、漏极电流不为零•B、内电场•C、外电场••A、CE 差动放大器•B、CE 放大器•C、CS 差动放大器•D、CS 放大器•••A、•B、•C、•D、•••A、输入电阻大•B、输出电阻小•C、输出电阻大•D、输入电阻小•••A、6W•B、12W•C、15W•D、9W•••A、18•B、9•C、4.5•D、2.25•••A、-2V•B、2V•C、3V•D、-3V••A、0.7V•B、0.3V•C、5.0V•D、1.0V•••A、•B、•C、•D、•14、某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为则对应该管的管脚排列依次是（）。

••A、c,b,e•B、b,c,e•C、b,e,c•D、e,b,c••A、稳定Au•B、放大信号•C、缩小信号•D、抑制零点漂移•••A、基本镜像恒流源电路•B、微变恒流源电路•C、带共集管的高精度恒流源•D、比例恒流源电路••A、多数载流子•B、少数载流子•C、少数载流子和多数载流子共同•D、扩散••A、相位失真•B、削波失真•C、频率失真•D、非线性失真••A、ROf ＝R0／F•B、ROf＝R0 ／T•C、R0f＝F R0•D、ROf＝T R0••A、b, c, e•B、e, b, c•C、b, e, c•D、c, b, e••A、输入电阻增加•B、输出电阻增加•C、输入电阻减小•D、输出电阻减小••A、略有减小•B、几乎不变•C、略有增加•D、不定••A、输出电阻增大•B、输出电流小•C、带负载能力强•D、电压放大倍数高••A、增大•B、不变•C、不能确定•D、减少••A、产生频率失真的原因是放大器模型中的电抗元件所致；•B、频率失真可能引起输入信号各频率分量在输出口的时延不同。

电子科技大学2006年模拟电路基础期中考试卷及答案

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零零六至二零零七学年第一学期期中考试模拟电路基础课程考试题A 卷（120 分钟）考试形式：开卷考试日期2006 年11月11日课程成绩构成：平时10 分，期中30 分，实验0 分，期末60 分一（14分）、问答题1．（2分）从载流子的运动角度和伏安特性方程两个方面，分别简述PN结的单向导电性。

2．（2分）试说明由稳压二极管构成的最简稳压电路中为什么需要限流电阻。

3．（2分）以NPN型BJT单级共射放大器为例，试简要叙述确定动态范围的过程。

4．（2分）以单级稳基压偏置放大器为例，当环境温度降低时，试简要叙述稳定静态工作点的原理。

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……5．（2分）在多级电压放大器中，为什么常常采用射极跟随器（或源极跟随器）作为输出级（最末级）？6．（2分）计算放大器的电压增益时，为什么通常需要计算静态工作点？7．（2分）什么是多级放大器中的零点漂移现象？………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二（8分）、电路如图1所示，已知β= 100，V BE = 0.7V，V A = ∞，r be = 5.6kΩ。

1．求输入电阻R i；2．求小信号源电压增益A vs = v o/v s；3．求输出电阻R o。

图1………密………封………线………以………内………答………题………无………效……三（8分）、电路如图2所示，晶体管参数为：开启电压（或门限电压）V TN = 1V，K n = 1mA/V2，r DS = ∞。

电路参数为V DD = 8V，输入电阻R i = 300kΩ。

（1）设计电路参数R1、R2和R S，使I DQ = 2mA，V DSQ = 5V；（2）求小信号电压增益A v = v o/v i和输出电阻R o。

图2………密………封………线………以………内………答………题………无………效……2006年秋季《模拟电路基础》期中考试试题参考答案及评分标准一、（14分）问答题1、从载流子的运动角度分析PN结的单向导电性：PN结正偏时，多数载流子的扩散运动形成较大的导通电流；PN结反偏时，少数载流子的漂移运动形成很小的反向饱和电流。

电子科技大学模拟电路考试题及答案

电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期末考试模拟电路基础课程考试题A 卷（120 分钟）考试形式：开卷课程成绩构成：平时10 分，期中30 分，实验0 分，期末60 分一（20分）、问答题1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器、共基放大器和共集放大器的带宽哪个最大？哪个最小？2．（4分）在集成运算放大器中，为什么输出级常用射极跟随器？为什么常用射极跟随器做缓冲级？3．（4分）电流源的最重要的两个参数是什么？其中哪个参数决定了电流源在集成电路中常用做有源负载？在集成电路中采用有源负载有什么好处？4．（4分）集成运算放大器为什么常采用差动放大器作为输入级？5．（4分）在线性运算电路中，集成运算放大器为什么常连接成负反馈的形式？二（10分）、电路如图1所示。

已知电阻R S=0，r be=1kΩ，R1∥R2>>r be。

1．若要使下转折频率为10Hz，求电容C的值。

2．若R S≠0，仍保持下转折频率不变，电容C的值应该增加还是减小？图1三（10分）、电路如图2所示。

已知差模电压增益为10。

A点电压V A=-4V，硅三极管Q1和Q2的集电极电压V C1=V C2=6V，R C=10 kΩ。

求电阻R E和R G。

图2四（10分）、电路如图3所示。

已知三极管的β=50，r be=1.1kΩ，R1=150kΩ，R2=47kΩ，R3=10kΩ，R4=47k Ω，R5=33kΩ，R6=4.7kΩ，R7=4.7kΩ，R8=100Ω。

1．判断反馈类型；2．画出A电路和B电路；3．求反馈系数B；4．若A电路的电压增益A v=835，计算A vf，R of和R if。

图3五（10分）、试导出图4所示电路的输出电压v o与输入电压v i之间的关系。

已知R1=1MΩ，R2=4MΩ，R3=1/3MΩ，R4= R5= R6=1MΩ，C1=C2=1μF。

图4参考答案及评分标准一（20分）、问答题1．（4分）一般地，基本的BJT共射放大器的带宽最小（2分），共集放大器的带宽最大（2分）。

模拟电路设计与仿真试题

模拟电路设计与仿真试题1 / 2电子科技大学网络教育考卷（A2卷）(20 年至20 学年度第学期)考试时间年月日(90分钟) 课程电路设计与仿真教师签名大题号一二三四五六七八九十合计得分[注意：所有题目的答案均填涂在答题卡上，写在本试卷上的答案无效]一、分析简答1、（15分）电路如图所示，变压器副边电压有效值为2U 2。

（1）画出u2、u D1和u O 的波形；（2）求出输出电压平均值U O （AV ）和输出电流平均值I L （AV ）的表达式；（3）二极管的平均电流I D （AV ）和所承受的最大反向电压U Rmax 的表达2、（15分）试说明下图所示电路中基极电阻R b 的作用？如果去掉基极电阻R b 会有什么影响？3、(15V) 下图所示电路中稳压管的稳定电压U Z ＝6V ，最小稳定电流I Zmin ＝5mA ，最大稳定电流I Zmax ＝25mA 。

（1）分别计算U I 为10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压U O 的值；（2）若U I ＝35V 时负载开路，则会出现什么现象?为什么？姓名__________________ 专业名称__________________ 班号________________学号__________________教学中心_________________…………………… …… … … … … …密………………… …… … … … … ……封……………… …… … … …线… … … …… … … ……………………000000414模拟电路设计与仿真试题2 / 24、（15分）电路如图P1.16所示，晶体管导通时U BE ＝0.7V ，β=50，U CES =0.7V 。

试分析V I 为0V 、1V 、1.5V 三种情况下T 的工作状态及输出电压u O 的值。

5、（15分）设计用双运放实现一加减运算电路，使 Vo=3Vi 1+2Vi 2-6Vi 3 。

电子科技大学大二微电子专业模拟集成电路试卷及答案 (2)

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零XX 至二零XX 学年第X 学期期终考试模拟集成电路原理课程考试题 A 卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期20XX 年月日课程成绩构成：平时10 分，期中0 分，实验10 分，期末80 分一二三四五六七八九十合计一．选择题（共20题，每题2分，共40分）1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随漏电流的变化是( B )A. 单调增加B. 单调减小C. 开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线.2. 对与MOS器件,器件如果进入饱和区, 跨导相比线性区将( A )Ａ增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的栅电阻( C )A 增大B 不变C 减小D 可能增大也可能减小4. 关于衬底PNP,下列说法正确的是( A )A．所有衬底PNP集电极电压必须相同.B．所有衬底PNP发射极电压必须相同.C．所有衬底PNP基极电压必须相同.D．所有衬底PNP各个电极电压可以任意设定5. 对于扩散电阻, 其宽度越大, 则电阻值越易做得( A )A 精确, B误差大, C 误差可大可小, D电阻间的相对误差大.6. 室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A )A 正, B零, C负, 可正可负7.在集成电路中决定互联线宽度的因素有( A )A．大电流密度限制.B．Si-Al互熔问题.C．互联线的温度系数………密………封………线………以………内………答………题………无………效……D．是否形成欧姆接触.8. 套筒式共源共栅运放和折叠式共源共栅运放相比, 它的( B )较大些A. 最大电压输出摆幅B. 差模增益C. 极点频率D.功耗9.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响10.差分对中, 不影响其共模抑制比的因素为( C )A．差分管的对称性B．电流源的交流阻抗C．输入电压幅度D．电阻R C1和R C2的对称性11. Cascode电流镜的最小输出电压V MIN(out)的值为( C )A．V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN12.对于ED NMOS基准电压源电路, 其中的两个NMOS的工作状态为( A )A, 都是饱和区B. 一个是饱和区, 一个是线性区C 都是线性区D都是亚阈值区13正偏二级管正向压降具有( B )温度特性.A . 零 B. 负 C. 正 D. 可正可负14. MOS共栅放大器的特点是( D )A．放大器输入输出反相, 输入阻抗高B．放大器输入输出同相, 输入阻抗高………密………封………线………以………内………答………题………无………效……C．放大器输入输出反相, 输入阻抗低D．放大器输入输出同相, 输入阻抗低15. 电路的主极点是( D )A离原点最远的极点, 它对应电路的-3dB带宽B 离原点最远的极点, 它对应电路的单位增益带宽C离原点最近的极点, 它对应电路的单位增益带宽D.离原点最近的极点, 它对应电路的-3dB带宽16.在CMOS差分输入级中, 下面的做法哪个对减小输入失调电压有利( C )A．增大有源负载管的宽长比.B．提高静态工作电流..C．增大差分对管的沟道长度和宽度D．提高器件的开启(阈值)电压17.在差分电路中, 可采用恒流源替换”长尾”电阻. 这时要求替换”长尾”的恒流源的输出电阻( A )A．越高越好, B.越低越好 C. 没有要求D. 可高可低18. 和共源极放大器相比较, 共源共栅放大器的密勒效应要( A )A.小得多B相当, C 大得多. D不确定19.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响20.对于差分对的版图设计下列（ D ）图最优.………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二．简答题（共5题，每题4分，共20分）1. 画出共源共栅放大器基本结构, 简述其工作原理及特点.答:基本原理：M1为输入器件，M2为共源共栅器件，共源级M1将输入电压信号Vin 转换为电流信号g m Vin ，该电流信号流入M2漏端，从其源端输入到负载。

电子科大模拟电路简答题试题库

1.（10分）对交流小信号放大器而言，被放大的信号源有哪两种类型？负载有哪两种类型？根据信号源和负载的类型，放大器有哪四种类型？对交流小信号放大器而言，信号源有两种类型：电流型和电压型―――――――――――――――――――――2分负载有两种类型：电流型和电压型――――――――――――――――――――――2分因此，放大器有四种类型：电压放大器，电流放大器，互阻放大器和跨导放大器－－6分2.（10分）双极性结型晶体管（BJT）可能工作在哪三个区？作为放大器的主要元件，它应该工作在哪个区？此时，它的发射结和集电结的偏置状态如何？三个区：放大区，饱和区和截止区――――――――――――――――――――――3分作为放大器的主要元件，它应该工作在放大区―――――――――――――――――3分此时，发射结应该正偏，集电结反偏―――――――――――――――――――――4分3.（10分）分别画出工作在放大区的BJT直流等效模型和最简交流小信号模型。

若考虑BJT的输出电阻，试重新画出它的交流小信号模型。

直流等效模型（略）――――――――――――――――――――――――――――3分最简交流小信号等效模型（略）―――――――――――――――――――――――3分考虑BJT输出电阻的简化交流小信号等效模型―――――――――――――――――4分4.（10分）在BJT输出特性曲线中的放大区域，“曲线微微上扬”的这个特点可以通过什么参数来描述？试给出这个参数的定义，并说明在BJT交流小信号模型中如何体现它的影响。

厄利电压VA 以及定义（略）――――――――――――――――――――――― 6分BJT输出电阻―――――――――――――――――――――――――――――――4分5.（10分）在对BJT放大器的静态工作点和交流小信号参数的分析时，我们分别采用直流通路和交流通路单独进行分析。

请说明这样做的理由及条件。

非线性特性在静态工作点的邻域内线性化，――――――――――――――――――3分线性化后的等效电路就是线性电路，可以运用线性电路的叠加原理分析电路，―――3分因此，可以用直流通路和交流通路单独进行分析与设计。

电科大-模拟电子技术试题3及答案

电子科技大学网络教育一、选择题（每小题2，共10分）1．BJT 依靠（）控制漏极电流íc 的器件。

A 电压B 电流C 电阻D 电场2.电流求和负反馈使输人电阻（）。

A 增加B 不变C 减少D 不清楚3.NPN 管放大偏值电路中，若V C 增加，则I B （）。

A 略有增加B 略有减小C 几乎不变D 不定4.集成运放采用有源负载的目的是（）。

A 提高电压增益B 减少温度漂移C 稳定工作点D 提高电流强度5.若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将()。

A.R c 增大B.R c 减小C.V C C 减小D V C C 增大二、判断题（每题2分，共20分）1、反向电流是由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。

（）2、三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。

（）3、晶体三极管具有放大作用时，发射结反偏，集电结正偏。

（）4、三极管放大电路共有三种组态共射极、共集电极、共基集放大电路。

（）5、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用直流负反馈，为了减小输出电阻采用电压负反馈。

（）6、差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。

（）7、共模信号是大小相等，极性不同的两个信号。

（）8、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

（）9、用低频信号去改变高频信号的频率称为调频，低频信号称为调制信号，高频信号称高频载波。

（）10、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而升高。

共基极电路比共射极电路高频特性好。

（）三、填空题（每空2分，共20分）1．差动放大器两个输入端的增益电压分别是1mV 和-1mV，则输入的共模电压是mV 。

2.反馈方程式AB AA f +=1中，A、B 符号时为负反馈，A，B 符号时，为正反馈。

3．在画放大电路的直流通路时，应该将电路中的电容。

4.运算放大器的输入级是。

5．一个两级阻容耦合放大电路的前级和后级的静态工作点均偏低，当前级输入信号幅度足够大时，后级输出电压波形将。

电子科技大学《电路设计与仿真》20秋期末考试参考答案电子科技大学网络教育考卷(A2卷)

电子科技大学《电路设计与仿真》20秋期末考试参考答案电子科技大学网络教育考卷（A2卷）
一、分析简答
1、（15分）电路如图所示，变压器副边电压有效值为2U2。

（1）画出u2、uD1和uO的波形；
（2）求出输出电压平均值UO（A V）和输出电流平均值IL（A V）的表达式；（3）二极管的平均电流ID（A V）和所承受的最大反向电压URmax的表达。

解：
（1）全波整流电路，波形如下图
和输出电流平均值I L（A V）为
（2）输出电压平均值U O
（A V）
（3）二极管的平均电流I D
和所承受的最大反向电压U R为
（A V）
2、（15分）试说明下图所示电路中基极电阻Rb的作用？如果去掉基极电阻Rb 会有什么影响？
解：
基极电阻Rb限定三极管的基极电流；由于三极管的发射极电流与发射结电压成指数关系，如果去掉电阻，三极管会因电流过大而烧坏。

3、(15V) 下图所示电路中稳压管的稳定电压UZ＝6V，最小稳定电流IZmin＝5mA，最大稳定电流IZmax＝25mA。

（1）分别计算UI为10V、15V、35V三种情况下输出电压UO的值；
（2）若UI＝35V时负载开路，则会出现什么现象?为什么？
4、（15分）电路如图P1.16所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50，UCES=0.7V。

试分析VI为0V、1V、1.5V三种情况下T的工作状态及输出电压uO的值。

电子科技大学《模拟电路》第一学期笔试题及答案(精品)

电子科技大学考试试卷及标准答案20XX— 20XX学年第一学期课程名称：模拟电路┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄┄一、判断下列说法是否正确，用“×”或“√”表示判断结果。

（10分）（1）只要满足相位平衡条件，电路就会产生正弦波振荡。

（）（2）引入直流负反馈可以稳定静态工作点。

（）（3）负反馈越深，电路的性能越稳定。

（）（4）零点漂移就是静态工作点的漂移。

（）（5）放大电路采用复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。

（）（6）镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同。

（）（7）半导体中的空穴带正电。

（）（8）P型半导体带正电，N型半导体带负电。

（）（9）实现运算电路不一定非引入负反馈。

（）（10）凡是引入正反馈的集成运放，一定工作在非线性区。

（）二、选择填空（10分）（1）为了增大输出电阻，应在放大电路中引入；为了展宽频带，应在放大电路中引入。

（A）电流负反馈（B）电压负反馈（C）直流负反馈（D）交流负反馈（2）在桥式（文氏桥）RC正弦波振荡电路中，。

（A）φA=-1800，φF=+1800 （B）φA=+1800，φF=+1800 （C）φA=00，φF=00（3）集成运放的互补输出级采用。

（A）共基接法（B）共集接法（C）共射接法（D）差分接法（4）两个β相同的晶体管组成复合管后，其电流放大系数约为。

（A）β（B）β2 （C）2β（D）1+β（5）在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是；既能放大电流，又能放大电压的电路是。

（A）共基放大电路（B）共集放大电路（C）共射放大电路（6）当PNP型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为u C u B u E。

（A）>（B）<（C）=（D）≤（7）硅二极管的正向导通压降比锗二极管的。

（A）大（B）小（C）相等三、（5分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出u0。

电子科技大学网络教育《电路设计与仿真》答案

电子科技大学网络教育课程电路设计与仿真大题号一二三四五六七八九十合计得分一、分析简答1、（15分）分析改正图所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波电压。

要求保留电路的共漏接法。

解：（a）源极加电阻RS。

（b）漏极加电阻RD。

2、（15）T的输出特性如图所示，试分析如图所示电路中。

当uI＝0V、8V、10V三种情况下U o分别为多少？3、（15分）试求出图所示电路Q点、A u、Ri和Ro的表达式。

设静态时R2中的电流远大于T2管的基极电流且R3中的电流远大于T1管的基极电流。

4、（15分）在图所示电路中，已知VCC＝16V，RL＝4Ω，T1和T2管的饱和管压降│UCES│＝2V，输入电压足够大。

试问：（1）最大输出功率Pom和效率η各为多少？（2）晶体管的最大功耗PTmax为多少？（3）为了使输出功率达到Pom，输入电压的有效值约为多少？5、(10分)分析如下图所示电路作用，写出两个门限电压表达式。

7、（15分）按要求加两个测试探头测试利用Multisim仿真软件对下图电路进行分析。

（运行后截图显示结果）。

6、（15分）分析下图电路，回答问题。

（1）信号Vi为方波，描述Vi与Tr1导通和截止的关系。

（2）说明输出信号VO的波形形状，以及VO幅度的最大值与最小值与VC信号的关系。

(3) 在下图中画出vo信号的示意图并标出Vo信号的最大值及最小值。

电子科技大学网络教育射频模拟电路综合测试题五

姓名……………学生班号………….学号……………………………………………………………………………………………………………………电子科技大学网络教育射频模拟电路综合测试题五一、单项选择题（20分）1. LC 串联谐振回路谐振时，回路阻抗为：（）A 、容性B 、纯阻性C 、感性D 、不定 2. 串联谐振回路谐振时，回路电流：（）A 、最大B 、最小C 、零D 、其它 3. 并联谐振回路如图1所示，空载品质因数为0Q ，谐振时电感支路电流与电流源之间的关系近似为：（）A 、S I Q 0B 、S IC 、0Q I SD4. 并联谐振又称为（）谐振。

A 、电压B 、电流C 、阻抗D 、导纳 5. 串并联谐振回路归一化抑制比αA 、的表达式为：（）11j ξ+ B C 、211j ξ+ D 、211ξ+6. 串并联阻抗等效互换电路中，串联支路的品质因数为1L Q ，并联支路的品质因数为2L Q ，则1L Q 与2L Q A 、的关系为：（）12L L Q Q > B 、12L L Q Q < C 、 12L L Q Q =7. 电路中采用部分接入的目的是：（）D 、不定A 、供电B 、阻抗变换C 、便于连接D 、隔直流图18. 回路抽头如图2所示，接入系数为P ，则'S I 与S I 的关系为：（）A 、S SPI I '= B 、S S PI I ='C 、S S I I '=D 、SS I P I 2'=9. 晶体管共射组态的工作频率f 工作远大于βf ，此时，电流放大倍数||•β为：（）A 、工作f f TB 、工作ff β C 、βf f 工作 D 、 0βTf10. 晶体管高频小信号单调谐回路放大器，如电路选定，晶体管选定，则增益带宽积（707.002f A V ∆•A 、常数 B 、不定值 C 、）为：（）0V A 大；707.002f A V ∆•也较大； D 、 0V A 大；707.002f A V ∆•11. 高频谐振功率放大器，由过压状态到临界状态，需调整的参数是：（）较小A 、P R 增大B 、P R 减小C 、CC V 减小；D 、b V 12. 高频谐振功率放大器用于集电极调幅，谐振功放的工作状态是：（）增大A 、过压状态B 、欠压状态C 、临界状态；D 、略欠压状态13. 高频谐振功率放大器用作二倍频器，则导通角c θA 、应为：（）60B 、40C 、30； D 、2014. LC 反馈正弦波振荡器振荡平衡的振幅稳定条件是：（）A 、<∂∂平衡点iV AB 、>∂∂平衡点iV A C 、=∂∂平衡点iV A 15. 混频器信号电平的特点是：（；D 、其它L v —本振电压，s v A 、 —信号电压）（）L v 很大，s v 很小； B 、L v ，s v 都很大；C 、s v 很大， L v 很小； D 、L v ，s v 16. 混频器中的干扰哨声是：（）都很小；A 、副波道干扰；B 、组合频率干扰；C 、交叉调制；D 、互相调制；17. 调幅波)(102cos )102cos 3.01()(63V t t t v ××+=ππA 、的载波频率是：（）Hz 310； B 、Hz 3102×π；C 、Hz 6102×π； D 、 Hz 61018. 调幅波从频谱变换的角度看是频谱的：（）；A 、非线性变换；B 、线性变换；C 、不变换；D 、频谱搬移；19. 求63()5cos(10t+sin510t)v t =×在t=0时的瞬时频率：（）A 、6ω(0)=10rad/s ；B 、3ω(0)=510rad/s ×；C 、63ω(0)=(10+510)rad/s ×；D 、63ω(0)=(10-510)rad/s ×20. 调相波的最大频偏；KHz f m 75=∆，调制信号频率KHz F 5=，则调频指数p m A 、5； B 、 10；C 、15； D 、 20；为：（）二、多项选择题（在每小题的被选答案中，选出2—5个正确答案，多选、少选、选错，均无分。

电子科技大学-2007年秋季《模拟电路基础》期中考试试题(以及参考答案

电子科技大学二零零七至二零零八学年第一学期期中考试模拟电路基础课程考试题 B 卷（ 120 分钟）考试形式：开卷考试日期 2006 年 11月 11日课程成绩构成：平时 10 分，期中 30 分，实验0 分，期末 60 分参考答案及评分标准一（10分）、问答题1．（3分）普通二极管的最主要的特性是什么？利用这一特性，二极管可以构成哪些应用电路（列出四类不同的应用电路）？分析这些应用电路的工作原理时，分别采用二极管的什么模型？答：单向导电性。

（1分）整流电路、限幅电路、箝位电路、倍压电路、逻辑电路等。

（1分）理想开关模型或恒压降模型。

（1分）2．（1分）稳压二极管工作在击穿区时的交流小信号等效电阻与正偏导通时的交流小信号等效电阻比较，一般来说，哪个大？答：后者大。

3．（2分）基本共射放大电路中，在无负载的情况下，动态范围最大值是什么？为了获得最大的动态范围，静态工作点应如何设置？答：(V CC-V CES)/2。

（1分）放大区的中央。

（1分）4．（3分）BJT放大电路中，判断波形失真（饱和失真或截止失真）、动态范围通常采用直流负载线还是交流负载线？静态工作点的变化如何影响失真类型和动态范围？答：交流负载线。

（1分）静态工作点靠近饱和区时，先出现饱和失真；靠近截止区时，先出现截止失真。

（1分）都会使动态范围变小。

（1分）5．（1分）BJT的r ce和MOSFET的r ds与厄利电压之间的关系式描述了晶体管输出特性曲线的什么现象？答：在放大区微微上翘的现象。

（1分）二（4分）、试推导BJT和MOSFET的g m的表达式，并说明：在一般情况下，为什么单级MOSFET放大电路增益不及单级BJT放大电路大？答：BJT的g m的推导过程（略）（1分）MOSFET的g m的推导过程（略）（1分）因为BJT的g m与集电极电流成正比（1分），而MOSFET的g m与漏极电流的平方根成正比（1分）。

三（8分）、放大电路如图1所示，已知BJT的V BE=0.7V，r bb’=0，β=200。

电子科技大学模电期末0506A题&答案

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零零五至二零零六学年第一学期期末考试模拟电路基础课程考试题 A 卷（ 120 分钟）考试形式：开卷考试日期 2006 年 1月 12 日课程成绩构成：平时 10 分，期中 30 分，实验 0 分，期末 60分1．（8答：（2（2（22．（3答：（1（13．（34．（6f 。

3．直流平衡电阻R p若图中集成运算放大器的电压增益为A o ，带宽为f BW 。

试求：4．带宽BWf ′………密………封………线………以………内………答………题………无………效……si R 阻oR图2解：22()4( 1.5)D GS T GS k V V V I =−=−————————————（1分）………密………封………线………以………内………答………题………无………效……28.90.7512R VV I R I GS DD D s D R R =−=−+——————（1分） 7.97, 2.91DGSmA V V I——————————————－—（2分）gRi RBEV =b R 1． 2．解：1. 3cc R T RV e 、、D、、z 构成固定VBE的恒流源——————————（2分）2. 36B EE Z V V V V =−+=−———————————————————（1分）………密………封………线………以………内………答………题………无………效……30.13V V V B BE EEImA E R e −−——————————————（1分）110.0523E II I mA E E ≈=————————————————（1分）1． 2． 3．解：1.由57R R 、构成直流负反馈，稳定静态工作点————————————————（2分）由462C R R 、、构成交流电压串联负反馈，提高输入电阻，稳定输出电压————（3分）………密………封………线………以………内………答………题………无………效……2. 244122v v R R R o o A vf v v R R i f +=≈==+————————————————（2分） 3．去掉上述交流反馈支路44C R 、以及6C ———————————————————（1分）A。

电子科技大学《模拟电路基础》20春期末考试.doc

1.功率放大电路中的转换效率是指（）。

A.输出功率与晶体管所消耗的功率之比B.最大输出功率与电流提供的平均功率之比C.晶体管所消耗的功率与电流提供的平均功率之比D.输出功率与输入功率之比【参考答案】: B2.为了稳定静态工作点，应在放大电路中引入( ) 。

A.电流负反馈B.电压负反馈C.直流负反馈D.交流负反馈【参考答案】: A3.锗材料二极管的 PN 结导通电压典型值为（）。

A.0.5VB.0.1VC.0.3VD.0.7V【参考答案】: C4.在下面四种基本放大器组态中，电路（）的小信号范围最小。

A.CE 放大器B.CS 放大器C.CE 差动放大器D.CS 差动放大器【参考答案】: A5.场效应管是一种（）的器件。

A.电压控制电压B.电压控制电流C.电流控制电压D.电流控制电流【参考答案】: B6.当加在二极管上的电压增加10%时，流过二极管的电流( )。

A.增加 10 %B.增加大于10 %C.增加小于10 %D.几乎不增加【参考答案】: B7.有两个放大器 A1 和 A2 分别对同一电压信号进行放大。

当输出端开路时，A1和 A2的输出电压相同( |vo1| = |vo2|); 接入相同的负载电阻后，|vo1|> |vo2|。

由此可知，A1比A2 的( )。

A.输出电阻大B.输出电阻小C.输入电阻大D.输入电阻小【参考答案】: B8.在下面四种电路中，中频段既有电压放大能力又有电流放大能力的反相放大器是（）放大器。

A.共射B.共基C.共集D.共集－共基【参考答案】: A9.向放大器输入正弦电压。

当输出是非正弦的周期电压时，该放大器一定产生了（）。

A.频率失真B.相位失真C.削波失真D.非线性失真【参考答案】: D10.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是（）。

A.AF=0B.AF=1C.AF=∞D.AF=-1【参考答案】: D11.通用集成运算放大器内部电路不具有（）的特点。

A.开环增益高B.输入电阻大C.深度负反馈D.输出电阻小【参考答案】: C12.在以下关于深负反馈的论述中，（）是错误的。