正性光刻胶及5mask简介
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Outline
Array 5 mask 简介
PR Test
Array 4 mask
正型PR的 工作原理
正型PR成 份介绍
1 Array 5 mask简介
1.
Metal 1 (GATE) :镀上Mo (钼)，Al(铝)
2. G : Gate SiNx (氮矽化合物，绝缘层)
I : -Si (非结晶矽，通道层)
2017/3/12
2017/3/12
定义
光刻胶(Photoresist简称PR)又称光致抗蚀剂，它是一种对光敏 感的有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发 生变化。
作用
a、将掩膜板上的图形转移到晶圆表面顶层的光刻胶中； b、在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入）。
2017/3/12
成份
ห้องสมุดไป่ตู้树脂
粘附性、胶膜厚度 曝光时间、光线强度 赋予组合物流动性
Stripper Test
Stripper Test：PR的剥 离时间
2017/3/12
Resolution Test
Resolution Test：能显影出完整图像的较小CD（a.图案完整性； b.CD变化）
2017/3/12
H/T Margin Test
H/T Margin Test：测试需要Ashing的PR膜厚均匀性（4 Mask）
STP(去光阻)
2017/3/12
ITO process
ITO sputter (PVD)
A
Photo(涂布,曝光,显影)
B
WET(ITO湿蚀刻))
STP(去光阻)
OVN(ITO oven)
2017/3/12
2 Array 4 mask
2017/3/12
2017/3/12
3 正型PR成份介绍
2017/3/12
Margin Test
Margin Test：不同显影时间、软烤温度及软烤时间下，PR显影 后的CD变化
2017/3/12
2017/3/12
Thermal Stability Test
Thermal Stability Test：post-bask后PR 形状的变化测试
2017/3/12
工艺流程
Light Photo Mask Photo Resist Thin Film Glass
Photo Resist Thin Film Glass
曝光 成膜
显影
剥膜 蚀刻
Metal 1 process
A
UPK(清洗玻璃)
B
M1Suppter(PVD)
Mo/Al Mo在Al上层 避免Al氧 化
涂布,曝光,显影
2.38%TMAH
Wet etch
Al蚀刻液(磷酸，醋酸，硝酸)
STP(去光阻)
Stripper-剥离液：MEA+DMSO(7:3)
2017/3/12
GIN process
GIN sputter CVD（化学气相沉积）
A
Photo(涂布,曝光,显影)
B
Dry etch
SF6/Cl2，SiF4，SiCl4
5 PR Test
涂布
EOP
Pre-bake
Resoluti -on
Margin
曝光
Test
Stripper Test Thermal Stability
显影
Post-bake
Stripper
Film Loss
2017/3/12
EOP Test
EOP Test：将光罩上的图案按1/1比例映射在PR上的光罩能量
STP(去光阻)
2017/3/12
Metal 2 process
Metal sputter（Mo/Al/Mo)
A
B
Photo(涂布,曝光,显影)
WET(M2湿蚀刻)
DET(N+蚀刻)
STP(去光阻)
2017/3/12
Pass process
A
CVD SiNx
B
Photo(涂布,曝光,显影)
DET(Pass蚀刻)
PAC type 成份比例
ppm~%
[类别名称]
树脂 20% 感光剂
感光剂
溶剂
5%
溶剂
75%
添加剂
如防止PR反射等特性
树脂
感光剂
溶剂
添加剂
2017/3/12
4 正型PR的工作原理
Esterification
2017/3/12
UV N2
Wolff 重组
H2O
NaOH
(CH3)4NOH TMAH
2017/3/12
N : N+ -Si (高浓度磷(PH3)的矽)降低界面电位差, 使成为欧姆接触(ohmic contact) 3. Metal 2 (source,drain) :Mo(钼),Al
4. Passivation (Via): SiNx，保护层,把金属盖住,另 有Via和ITO连通
5. ITO (画素电极)
Array 5 mask 简介
PR Test
Array 4 mask
正型PR的 工作原理
正型PR成 份介绍
1 Array 5 mask简介
1.
Metal 1 (GATE) :镀上Mo (钼)，Al(铝)
2. G : Gate SiNx (氮矽化合物，绝缘层)
I : -Si (非结晶矽，通道层)
2017/3/12
2017/3/12
定义
光刻胶(Photoresist简称PR)又称光致抗蚀剂，它是一种对光敏 感的有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发 生变化。
作用
a、将掩膜板上的图形转移到晶圆表面顶层的光刻胶中； b、在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入）。
2017/3/12
成份
ห้องสมุดไป่ตู้树脂
粘附性、胶膜厚度 曝光时间、光线强度 赋予组合物流动性
Stripper Test
Stripper Test：PR的剥 离时间
2017/3/12
Resolution Test
Resolution Test：能显影出完整图像的较小CD（a.图案完整性； b.CD变化）
2017/3/12
H/T Margin Test
H/T Margin Test：测试需要Ashing的PR膜厚均匀性（4 Mask）
STP(去光阻)
2017/3/12
ITO process
ITO sputter (PVD)
A
Photo(涂布,曝光,显影)
B
WET(ITO湿蚀刻))
STP(去光阻)
OVN(ITO oven)
2017/3/12
2 Array 4 mask
2017/3/12
2017/3/12
3 正型PR成份介绍
2017/3/12
Margin Test
Margin Test：不同显影时间、软烤温度及软烤时间下，PR显影 后的CD变化
2017/3/12
2017/3/12
Thermal Stability Test
Thermal Stability Test：post-bask后PR 形状的变化测试
2017/3/12
工艺流程
Light Photo Mask Photo Resist Thin Film Glass
Photo Resist Thin Film Glass
曝光 成膜
显影
剥膜 蚀刻
Metal 1 process
A
UPK(清洗玻璃)
B
M1Suppter(PVD)
Mo/Al Mo在Al上层 避免Al氧 化
涂布,曝光,显影
2.38%TMAH
Wet etch
Al蚀刻液(磷酸，醋酸，硝酸)
STP(去光阻)
Stripper-剥离液：MEA+DMSO(7:3)
2017/3/12
GIN process
GIN sputter CVD（化学气相沉积）
A
Photo(涂布,曝光,显影)
B
Dry etch
SF6/Cl2，SiF4，SiCl4
5 PR Test
涂布
EOP
Pre-bake
Resoluti -on
Margin
曝光
Test
Stripper Test Thermal Stability
显影
Post-bake
Stripper
Film Loss
2017/3/12
EOP Test
EOP Test：将光罩上的图案按1/1比例映射在PR上的光罩能量
STP(去光阻)
2017/3/12
Metal 2 process
Metal sputter（Mo/Al/Mo)
A
B
Photo(涂布,曝光,显影)
WET(M2湿蚀刻)
DET(N+蚀刻)
STP(去光阻)
2017/3/12
Pass process
A
CVD SiNx
B
Photo(涂布,曝光,显影)
DET(Pass蚀刻)
PAC type 成份比例
ppm~%
[类别名称]
树脂 20% 感光剂
感光剂
溶剂
5%
溶剂
75%
添加剂
如防止PR反射等特性
树脂
感光剂
溶剂
添加剂
2017/3/12
4 正型PR的工作原理
Esterification
2017/3/12
UV N2
Wolff 重组
H2O
NaOH
(CH3)4NOH TMAH
2017/3/12
N : N+ -Si (高浓度磷(PH3)的矽)降低界面电位差, 使成为欧姆接触(ohmic contact) 3. Metal 2 (source,drain) :Mo(钼),Al
4. Passivation (Via): SiNx，保护层,把金属盖住,另 有Via和ITO连通
5. ITO (画素电极)