正性光刻胶与5mask简介
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2020/4/9
➢ 成份
树脂 感光剂
溶剂 添加剂
粘附性、胶膜厚度 曝光时间、光线强度
赋予组合物流动性 如防止PR反射等特性
PAC type 成份比例
添加剂
ppm~%
树脂
20%
感光剂
5%
溶剂
75%
树脂 感光剂 溶剂 添加剂
2020/4/9
4 正型PR的工作原理
Esterification
2020/4/9
曝光
Photo Resist Thin Film Glass
成膜
蚀刻
剥膜
Metal 1 process
A
UPK(清洗玻璃)
B
M1Suppter(PVD)
Mo/Al Mo在Al上层 避免Al氧 化
涂布,曝光,显影
2.38%TMAH
Wet etch
Al蚀刻液(磷酸，醋酸，硝酸)
STP(去光阻)
Stripper-剥离液： MEA+DMSO(7:3)
2020/4/9
➢Stripper Test
Stripper Test：PR的剥 离时间
2020/4/9
➢Resolution Test
Resolution Test：能显影出完整图像的较小CD（a.图案完整性； b.CD变化）
2020/4/9
➢H/T Margin Test
H/T Margin Test：测试需要Ashing的PR膜厚均匀性（4 Mask）
WET(M2湿蚀刻)
DET(N+蚀刻)
STP(去光阻)
2020/4/9
Pass process
A
CVD SiNx
B
Photo(涂布,曝光,显影) DET(Pass蚀刻)
STP(去光阻)
2020/4/9
ITO process
ITO sputter (PVD)
A
Photo(涂布,曝光,显影)
B
WET(ITO湿蚀刻))
Wolff
UV
重组
H2O
N2
NaOH
(CH3)4NOH TMAH
2020/4/9
涂布
Pre-bake 曝光 显影
Post-bake Stripper
2020/4/9
5 PR Test
EOP
Resoluti -on
Stripper Test
Test
Film Loss
Margin
Thermal Stability
3. Metal 2 (source,drain) :Mo(钼),Al 4. Passivation (Via): SiNx，保护层,把金属盖住,另 有Via和ITO连通 5. ITO (画素电极)
Light Photo Mask Photo Resist
Thin Film Glass
显影
工艺流程
➢EOP Test
EOP Test：将光罩上的图案按1/1比例映射在PR上的光罩能量
2020/4/9
➢Margin Test
Margin Test：不同显影时间、软烤温度及软烤时间下，PR显影 后的CD变化
2020/4/9
2020/4/9
➢Thermal Stability Test
Thermal Stability Test：post-bask后PR 形状的变化测试
2020/4/9
2020/4/9
Outline
Array 5 mask
PR Test
Array 4 mask
PR的工 作原理
PR
1 Array 5 mask简介
1. Metal 1 (GATE) :镀上Mo (钼)，Al(铝)
2. G : Gate SiNx (氮矽化合物，绝缘层) I : -Si (非结晶矽，通道层) N : N+ -Si (高浓度磷(PH3)的矽)降低界面电位差, 使成为欧姆接触(ohmic contact)
STP(去光阻)
OVN(ITO oven)
2020/4/9
2 Array 4 mask
2020/4/9
2020/4/9
3 正型PR成份介绍
➢ 定义
光刻胶(Photoresist简称PR)又称光致抗蚀剂，它是一种对光敏 感的有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发 生变化。
➢作用
a、将掩膜板上的图形转移到晶圆表面顶层的光刻胶中； b、在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入）。
2020/4/9
GIN process
GIN sputter
A
CVD（化学气相沉积）
B
Photo(涂布,曝光,显影)
wk.baidu.com
Dry etch
SF6/Cl2，SiF4，SiCl4
STP(去光阻)
2020/4/9
Metal 2 process
Metal sputter（Mo/Al/Mo)
A
B
Photo(涂布,曝光,显影)
➢ 成份
树脂 感光剂
溶剂 添加剂
粘附性、胶膜厚度 曝光时间、光线强度
赋予组合物流动性 如防止PR反射等特性
PAC type 成份比例
添加剂
ppm~%
树脂
20%
感光剂
5%
溶剂
75%
树脂 感光剂 溶剂 添加剂
2020/4/9
4 正型PR的工作原理
Esterification
2020/4/9
曝光
Photo Resist Thin Film Glass
成膜
蚀刻
剥膜
Metal 1 process
A
UPK(清洗玻璃)
B
M1Suppter(PVD)
Mo/Al Mo在Al上层 避免Al氧 化
涂布,曝光,显影
2.38%TMAH
Wet etch
Al蚀刻液(磷酸，醋酸，硝酸)
STP(去光阻)
Stripper-剥离液： MEA+DMSO(7:3)
2020/4/9
➢Stripper Test
Stripper Test：PR的剥 离时间
2020/4/9
➢Resolution Test
Resolution Test：能显影出完整图像的较小CD（a.图案完整性； b.CD变化）
2020/4/9
➢H/T Margin Test
H/T Margin Test：测试需要Ashing的PR膜厚均匀性（4 Mask）
WET(M2湿蚀刻)
DET(N+蚀刻)
STP(去光阻)
2020/4/9
Pass process
A
CVD SiNx
B
Photo(涂布,曝光,显影) DET(Pass蚀刻)
STP(去光阻)
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ITO process
ITO sputter (PVD)
A
Photo(涂布,曝光,显影)
B
WET(ITO湿蚀刻))
Wolff
UV
重组
H2O
N2
NaOH
(CH3)4NOH TMAH
2020/4/9
涂布
Pre-bake 曝光 显影
Post-bake Stripper
2020/4/9
5 PR Test
EOP
Resoluti -on
Stripper Test
Test
Film Loss
Margin
Thermal Stability
3. Metal 2 (source,drain) :Mo(钼),Al 4. Passivation (Via): SiNx，保护层,把金属盖住,另 有Via和ITO连通 5. ITO (画素电极)
Light Photo Mask Photo Resist
Thin Film Glass
显影
工艺流程
➢EOP Test
EOP Test：将光罩上的图案按1/1比例映射在PR上的光罩能量
2020/4/9
➢Margin Test
Margin Test：不同显影时间、软烤温度及软烤时间下，PR显影 后的CD变化
2020/4/9
2020/4/9
➢Thermal Stability Test
Thermal Stability Test：post-bask后PR 形状的变化测试
2020/4/9
2020/4/9
Outline
Array 5 mask
PR Test
Array 4 mask
PR的工 作原理
PR
1 Array 5 mask简介
1. Metal 1 (GATE) :镀上Mo (钼)，Al(铝)
2. G : Gate SiNx (氮矽化合物，绝缘层) I : -Si (非结晶矽，通道层) N : N+ -Si (高浓度磷(PH3)的矽)降低界面电位差, 使成为欧姆接触(ohmic contact)
STP(去光阻)
OVN(ITO oven)
2020/4/9
2 Array 4 mask
2020/4/9
2020/4/9
3 正型PR成份介绍
➢ 定义
光刻胶(Photoresist简称PR)又称光致抗蚀剂，它是一种对光敏 感的有机化合物，它受紫外光曝光后，在显影液中的溶解度会发 生变化。
➢作用
a、将掩膜板上的图形转移到晶圆表面顶层的光刻胶中； b、在后续工序中，保护下面的材料（刻蚀或离子注入）。
2020/4/9
GIN process
GIN sputter
A
CVD（化学气相沉积）
B
Photo(涂布,曝光,显影)
wk.baidu.com
Dry etch
SF6/Cl2，SiF4，SiCl4
STP(去光阻)
2020/4/9
Metal 2 process
Metal sputter（Mo/Al/Mo)
A
B
Photo(涂布,曝光,显影)