三极管的基本结构及符号
第4章 三极管及放大电路基础1
与 的关系
IC IC ICBO I E ICBO IC I B ICBO
(1 ) IC I B ICBO
I CBO IC IB 1 1
IE
N
P
N
I'C ICBO IC
IC I B (1 ) ICBO
共射直流电流放大倍数： IC I B 1.7 42.5 0.04 共射交流电流放大倍数： IC I B 2.5 1.7 40 0.06 0.04 说明： 例：UCE=6V时： 曲线的疏密反映了 的大小； IC(mA ) 160mA 电流放大倍数与工作点的位置有关； I 5 140mA CM 120mA 交、直流的电流放大倍数差别不大， 4 100mA 今后不再区别；
3 80mA
___
4. 集电极最大电流ICM 当值下降到正常值的三分之二时的 集电极电流即为ICM。
IC
2.5 2 1.7
1 0 2 4 6 8
IB 40mA
IB=60mA 20mA IB=0 10 UCE(V)
六、主要参数
5. 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。 6. 集电极最大允许功耗PCM 集电极电流IC 流过三极管， 所发出的焦耳热为： PC =ICUCE 导致结温 上升，PC 有限制， PCPCM 7. 频率参数
扩散 I C 复合 I B
IC
C
N
IB
P N
EC
或者 IC≈IB
I E IC I B (1 ) I B
EB
E
IE
二、电流放大原理
两种极性的双极型三极管及其符号
中间部分称为基区，与之相连接的电极称为基极，用B或b表示（Base）；一侧称为发射区，与之相连接的电极称为发射极，用E或e表示（Emitter）；另一侧称为集电区，与之相连电极称为集电极，用C或c表示（Collector）。
E-B间的PN结称为发射结（Je）；C-B间的PN结称为集电结（Jc）。
图2-1-1 两种极性的双极型三极管及其符号双极型三极管的符号在图2-1-1的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。
从外表上看，NPN型三极管的两个N区(或PNP型三极管的两个P 区)是对称的，发射极和集电极可以互换。
实际上在制造时，由于发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大，基区掺杂浓度低并要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米，所以发射极和集电极是不能互2.1.2 双极型半导体三极管的电流分配关系双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。
若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。
现以NPN型三极管的放大状态为例，来说明三极管内部的电流关系，见图2-1-2。
由图2-1-2可知对于NPN型三极管，集电极电流和基极电流是流入三极管，发射极电流是流出三极管，流进的电流等于流出的电流。
由以上分析可知，发射区掺杂浓度高，基区掺杂浓度低且很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。
若两个PN结对接，相当基区很厚，将没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。
动画02-1在工艺上要求发射区搀杂浓度高，基区掺杂浓度低且要制作得很薄，集电区掺杂浓度低。
当发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成电子的扩散电流I EN，而从基区向发射区扩散的空穴电流I EP却很小，见图2-1-2，图中箭头为载流子的运动方向。
于是有I E= I EN＋I EP 且有I EN>>I EP图2-1-2 双极型三极管的电流传输关系因基区掺杂浓度低，所以发射区扩散过来的载流子电子被复合的很少，只形成很小的基极电流I BN。
三极管的外形、结构与符号
小声音大声音
放大电路
三极管三极管也是基本的半导体器件！
三极管的外形、结构与符号余姚市职成教中心学校
陈雅萍
常用三极管外形
塑料封装
金属封装贴片元件
表面安装的
片状封装
三极管的内部结构
以PNP三极管为例
基区薄且杂质浓度低
发射区是高浓度掺质区
集电结面积大
3个区：基区、集电区、发射区
2个结：发射结、集电结
3个极：基极b、集电极c、发射极e
PNP型三极管的类型与符号
NPN型
PNP 、NPN 型三极管结构示意及图形和文字符号
排列，应查阅产品手册或相关资料，不可凭相像推测，否则容易出错。
三极管的引脚排列依其品种、型号及功能等不同而不同，在使用时若不知其引脚常用三极管的引脚排列
对于90系列三极管：e b c e b c
也可用万用
表进行检测
三极管的外形、结构与符号
1.三极管的基本结构
2个PN结、3个区、3个极
3.三极管的引脚排列
2.三极管的图形符号
90系列。
三极管
Q点的影响因素有很多，如电源波动、偏
置电阻的变化、管子的更换、元件的老化等等，
不过最主要的影响则是环境温度的变化。三极
管是一个对温度非常敏感的器件，随温度的变 化，三极管参数会受到影响，具体表现在以下 几个方面。
• 1.温度升高，三极管的反向电流增大
• 2.温度升高，三极管的电流放大系数β增大
• 3.温度升高，相同基极电流IB下，UBE减小，
2.2 共射放大电路
一、 放大的概念
电子学中放大的目的是将微弱的变化信号放大成
较大的信号。这里所讲的主要是电压放大电路。
电压放大电路可以用有输入口和输出口的四端网
络表示，如图。
ui
Au
uo
1、放大体现了信号对能量的控制作用，放大的信
号是变化量。
2、放大电路的负载所获得的随信号变化的能量要
比信号本身所给出的能量大得多，这个多出的
②电感视为短路
共射电路的直流通路
用图解法分析放大器的静态工作点
直流负载线 UCE=UCC–ICRC
U CC RC
ICQ
IC Q
IB UCE
与IB所决 定的那一 条输出特 性曲线的 交点就是 Q点
UCEQ UCC
2、动态分析
计算动态参数Au、Ri、Ro时必须依据交流通路。 交流通路：是指ui单独作用（UCC=0）时，电路 中交流分量流过的通路。 画交流通路时有两个要点：
有以下两种。
IC
IB A RB
V
mA C
B E
UBE
RC USC V
UC（1）输入特性曲线
它是指一定集电极和发射极电压UCE下，三极管 的基极电流IB与发射结电压UBE之间的关系曲线。实 验测得三极管的输入特性曲线如下图所示。
三极管种类、符号、参数、结构、原理知识要点汇总
三极管种类、符号、参数、结构、原理知识要点汇总
三极管的种类
1）低频小功率三极管
特征频率在3MHz以下，功率小于1W，一般作为小信号放大用；
2）高频小功率三极管
特征频率大于3MHz，功率小于1W，主要用于高频振荡、放大电路；
3）低频大功率三极管
特征频率小于3MHz，功率大于1W，低频大功率三极管品种较多，主要用于电子音响设备的低频功率放大电路，在各种大电流输出稳压电源中作为调整管。
4）高频大功率三极管
特征频率大于3MHz，功率大于1W，主要用于通信等设备中进行功率驱动、放大；
5）开关三极管
利用控制饱和区、截止区相互转换而工作的。
开关三极管的开关需要一定的响应时间，开关响应时间的长短表示了三极管开关特性的好坏。
6）差分对管
把两只性能一致的三极管封装在一起，能以最简单的方式构成性能优良的差分放大器；7）复合三级管
复合三级管是分别选用各种极性的三极管进行连接，在组成复合三极管时，不管选用什么样的三极管，这些三极管都按照一定的方式连接，可以看成是一个拥有更高放大倍数的三极管。
组合复合三级管时，应注意第一只管子的发射极电流方向必须与第二只管子的基极电流方向一致。
复合三级管的极性取决以第一只管子。
复合三级管的最大特点是电流放大倍数很高，多用于较大功率输出电路。
晶体三极管的结构、符号、类型
晶体三极管的结构、符号、类型（一）结构和符号在一块极薄的硅或锗基片上制作两个PN结就构成三层半导体，从三层半导体上各自接出一根导线，就是三极管的三个电极，再封装在管壳里就制成了晶体三极管。
三个电极分别叫做放射极e、基极b、集电极c，对应的每层半导体分别称为放射区、基区、集电区。
放射区与基区交界处的PN结叫放射结，集电区与基区交界处的PN结叫集电结。
依据基区材料是P型还是N型半导体，三极管有NPN型和PNP型两种组合型式。
它们的基本结构如图（a）所示。
三极管的文字符号为"V"，图形符号如图（b）和（c）所示。
两种符号的区分在于放射极箭头的方向不同，箭头方向表示放射结加正向电压时的电流方向。
图2是常见的几种国产三极管封装和形状。
功率大小不同的三极管有着不同的体积和封装形式，在晶体管手册中有详细说明。
图1 体管晶体三极管的结构和符号a) 结构b) 符号c) 大功率管外壳集电极早期生产的三极管有的采纳玻璃封装；有些超小型三极管采纳陶瓷环氧封装；绝大多数大、中、小型三极管采纳金属外壳封装；大功率晶体三极管管壳是集电极，通常作成扁平外形并有安装螺钉孔，有的大功率三极管的集电极制成螺栓外形，这样能使三极管和散热器连接一体便于散热。
近年来越来越多的中、小功率三极管采纳硅酮塑料封装。
三极管的制造工艺较多，图2-3和图2-4分别是用合金工艺和平面工艺制作的三极管结构示意图。
不论哪种结构，都必需具有以下共同特点：1. 放射区的掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
2. 基区都做得很薄（约几到几十微米），集电结面积制作得比放射结面积大。
由于在结构上有这些特点，三极管并不等于两个二极管的简洁组合，也不能将放射极和集电极颠倒使用。
图2 几种晶体三极管的形状和封装图3 合金法工艺制作的晶体三极管管芯图4 平面工艺制作的晶体三极管管芯（二）类型型号各种三极管都有自己的型号，根据国家标准GB249－74的规定，国产三极管的型号也是由五个部分组成。
三极管
N
E EB
PNP VB<VE VC<VB
EC
第一章 半导体二极管、三极管
晶体管放大的条件
发射区掺杂浓度高 1.内部条件 基区薄且掺杂浓度低 I B
集电结面积大 2.外部条件 发射结正偏 集电结反偏
RB
mA A
IC
mA
C B
3DG6
E
IE
EC
晶体管的电流分配和 放大作用
电路条件: EC>EB 发射结正偏 集电结反偏
基极开路
第一章 半导体二极管、三极管
三、极限参数
1. 集电极最大允许电流 ICM
集电极电流 IC上升会导致三极管的值的下降，当值下降到正常值 的三分之二时的集电极电流即为 ICM。 2.反向击穿电压
（1） 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。 手册上给出的数值是25C、基极开路时的击穿电压U(BR) CEO。基极开 路时 C、E极间反向击穿电压。 （2）集电极－基极反向击穿电压U(BR)CBO — 发射极开路时 C、B极间 反向击穿电压。 （3）发射极－基极反向击穿电压U(BR)EBO — 集电极开路时 E、B极间反 向击穿电压。
第一章 半导体二极管、三极管
一、输入特性
iC
iB f (uBE ) u
uCE 0
iB
RB + + uBE
CE常数
与二极管特性相似
RB +
B + RC + 输出 RB E uCE 输入 回路 + uBE + EC 回路 EB IE
iB
C
三极管知识
结构与操作原理三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面，如图1所示，可有pnp和npn两种组合。
三个接出来的端点依序称为射极（emitter, E）、基极（base, B）和集极（collector, C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。
图中也显示出npn与pnp三极管的电路符号，射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体，和二极体的符号一致。
在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。
图1 pnp(a)与npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。
三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active)，在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。
图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图。
EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的电洞会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。
图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图。
三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。
以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例，射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。
当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，电洞在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。
IC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。
基极外部仅需提供与注入电洞复合部分的电子流IBrec，与由基极注入射极的电子流InB? E（这部分是三极管作用不需要的部分）。
InB? E在射极与与电洞复合，即InB? E=I Erec。
2 三极管及放大电路基础
特性曲线如图所示。
基极不加偏置电阻时工作波形
2.2.2 静态工作点和放大原理
二、共射放大电路的工作原理 在放大电路中，输入信
号u i 经过 C1耦合加至三极管 b、e极后，各极电压、电流 大小均在直流量的基础上， 叠加了一个随 u i 变化而变化 的交流量，这时电路处于交 流状态或动态工作状态，简 称为 三极管的结构与符号
二、三极管的结构与符号
按两个PN结组合方式不同，三极管可分为PNP型、NPN型两类。如果边 三极管有三个电极，分别从三极管 内部引出，三极管的核心是两个互相联 是N区，中间夹着P区，就称为NPN型三极管；反之，则称为PNP型三管。如 系的PN结，它是根据不同的掺杂工艺在 图所示。
CE
C
IC iC I B
iB
U CE 常量
U CE 常量
2.1.4 三极管的使用常识
一、三极管器件手册查阅
2.常用三极管主要参数查阅 2）极间反向电流 I CEO 和 I CBO （1）集-基反向饱和电流 I CBO 电流。 （2）集-射反向饱和电流 I CEO 的穿透电流。
I CEO 是基极开路时集电极和发射极之间 I CBO 是发射极开路时集电极的反向饱和
Ap是指放大电路输出电压有效值和输入电压有效
Ap
2.2.4 放大电路的分析方法
一、主要性能指标
2. 输入电阻 Ri 输入电阻 R 是从放大电路输入端
i
看进去的等效电阻，如图所示。对信 号源来说，就是负载。放大电路从信 号源索取电流的大小反映了放大电路 对信号源的影响程度，R 定义为输入
i
电压有效值和输入电流有效值之比，
一、三极管器件手册查阅
1.三极管型号命名
npn三极管电路符号
NPN三极管电路符号1. 什么是NPN三极管NPN三极管是一种常用的电子元件，属于晶体管的一种。
它由三个不同掺杂的半导体材料构成：一块P型半导体，称为基区；两块N型半导体，称为发射区和集电区。
NPN三极管具有放大和开关功能，在电子电路中广泛应用。
2. NPN三极管的电路符号NPN三极管的电路符号如下所示：该符号由三部分组成：•基区：位于符号左侧，通常是一个细长的箭头指向发射区。
•发射区：位于符号右上方，标有一个实心箭头。
•集电区：位于符号右下方。
这个符号清晰地表示了NPN三极管内部结构的组成。
3. NPN三极管的工作原理NPN三极管由两个二极管构成，其中一个二极管是正向偏置的发射结（Base-Emitter Junction），另一个二极管是反向偏置的集电结（Base-Collector Junction）。
当发射结被正向偏置时，发射区的P型半导体中的空穴会向N型半导体中的电子注入。
这种注入使得发射区的N型半导体形成一个高浓度的电子区，称为电子云。
同时，集电结被反向偏置，阻止了集电区和基区之间的电流流动。
在这种状态下，当基极上施加一个正向偏置时，由于基极和发射极之间存在一个正向偏置的二极管结，形成了一个通路。
这使得发射极处的电子云可以通过基极-发射极二极管注入到基区，并由于集电结的反向偏置而被吸引到集电区。
因此，在NPN三极管中，通过控制基极与发射器之间的电流来控制从集电器到发射器之间的放大倍数。
4. NPN三极管的应用NPN三极管常用于各种类型的放大器、开关和逻辑门等电路中。
以下是一些常见应用示例：4.1 放大器NPN三极管可用作放大器来增加信号强度。
通过控制输入信号在基区注入的电流，可以调节输出信号的幅度。
4.2 开关NPN三极管可以作为开关使用。
当输入信号施加到基极时，控制集电器和发射器之间的电流。
当基极上没有电流时，三极管处于关闭状态，集电器和发射器之间没有电流流动。
4.3 逻辑门NPN三极管可以用作逻辑门的构建单元。
第三节三极管
国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：
3DG110B
用字母表示同一型号中的不同规格 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示器件的种类 用字母表示材料 三极管
第二位： 锗 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 管 锗 管 C硅PNP管、D硅NPN管 硅 管 硅 管 第三位： 低频小功率管 低频小功率管、 低频大功率管 低频大功率管、 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 高频小功率管、 高频大功率管 高频大功率管、 开关管 高频小功率管
BJT是由两个 结组成的。 是由两个PN结组成的 是由两个 结组成的。
一.BJT的结构 的结构
NPN型
发射结 集电结
PNP型
发射结 集电结
e 发射极
N
-
P
N
c
集电极
e 发射极
P
-
N
P
c
集电极
发射区 基区 集电区
发射区 基区 集电区
基极
基极
b
eb
-
-
c
b
符号: 符号
eb
-
-
c
三极管的结构特点: 三极管的结构特点 ＞＞集电区掺杂浓度 （1）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。 ）发射区的掺杂浓度＞＞集电区掺杂浓度。 （2）基区要制造得很薄且浓度很低。 ）基区要制造得很薄且浓度很低。
(2)输出特性曲线 iC=f(uCE) iB=const 输出特性曲线
现以i 一条线加以说明。 现以 B=60uA一条线加以说明。 一条线加以说明 （1）当uCE=0 V时，iC=0。 ） 时 。 （2） uCE ↑ → Ic ↑ 。 ） （3） 当uCE ＞1V后，收 ）
三极管的结构及电路符号
三极管的结构及电路符号
三极管是一种常用的半导体器件，用于放大和开关电路中。
它由三个不同掺杂的半导体层组成，通常是两个互相夹在中间的N型半导体层夹在两个P型半导体层之间。
三极管的结构分为以下三个区域：
1. 基区（Base Region）：夹在N型半导体层中间的窄区域，掺杂浓度较低。
2. 发射区（Emitter Region）：与N型基区相连的P型半导体层，掺杂浓度较高。
3. 集电区（Collector Region）：与N型基区相连的另一端的P型半导体层，掺杂浓度较高。
三极管的电路符号如下：
\[
\begin{matrix}
& \text{基(B)} & \text{发射(E)} & \text{集电(C)} \\
NPN & \text{箭头指向基区} & \text{箭头指出} & \text{箭头指入} \\
PNP & \text{箭头指出} & \text{箭头指向基区} & \text{箭头指入}
\end{matrix}
\]
在电路中，三极管可以用作放大器、开关和其他电路应用中的控制元件。
三极管
输出特性曲线上一般可分为三个区：
IC /mA 饱和区。当发射结和 集电结均为正向偏置 IB=100 A 4 时，三极管处于饱和 0.3V，锗管约为0.1V, 状态。此时集电极电 管子深度饱和时，硅管的VCE约为 80 A 3 流IC与基极电流IB之 由于深度饱和时 VCE约等于0，晶体管在电路中犹如一个 间不再成比例关系， 闭合的开关。 放 60 A 2.3 IB的变化对IC的影响 2 大 40 A 很小。 截止区。当基极电 IB=0 流IB等于0时，晶体 UCE / V 0 管处于截止状态。 实际上当发射结电 此时 UCE小于UBE,规定： UCE=UBE晶体管工作在放大状态时，发射结正 时， 压处在正向死区范 VCC VCES I CS VCC / RC 围时，晶体管就已 偏，集电结反偏。在放大区，集电极电 为临近饱和状态，用 UCES（0.3 或 RC 经截止，为让其可 流与基极电流之间成β倍的数量关系， 0.1）表示，此时集电极临近饱和 靠截止，常使UBE 小于和等于零。 即晶体管在放大区时具有电流放大作用。 临近饱和基极电流 I BS I CS / 电流是
ΔIC
当IB一定时，从发射区扩散到基区 的电子数大致一定。当UCE超过1V以 后，这些电子的绝大部分被拉入集 电区而形成集电极电流IC 。之后即 使UCE继续增大，集电极电流IC也不 会再有明显的增加，具有恒流特性。
UCE / V
0
当IB增大时，相应IC也增大，输出特性曲线上移， 且IC增大的 幅度比对应IB大得多。这一点正是晶体管的电流放大作用。 从输出特性曲线可求出三极管的电流放大系数β。 取任意再两条特性曲线上的平坦段，读出其基极电流之差； 再读出这两条曲线对应的集电极电流之差ΔIC=1.3mA； 于是我们可得到三极管的电流放大倍数： β=ΔIC/ΔIB=1.3÷0.04=32.5
模拟电子技术三极管详解
第 2 章 半导体三极管
2) uDS 对 iD的影响(uGS > UGS(th))
MOS工作原理
DS 间的电位差使 沟 道 呈 楔 形 ， uDS ， 靠近漏极端的沟道厚
度变薄。
预夹断(UGD = UGS(th))：漏极附近反型层消失。 预夹断发生之前： uDS iD。
第2章
半导体三极管
2.1 双极型半导体三极管 2.2 单极型半导体三极管 2.3 半导体三极管电路的基本分析方法 2.4 半导体三极管的测试与应用
第2章
半导体三极管
2.1 双极型半导体三极管
2.1.1 晶体三极管 2.1.2 晶体三极管的特性曲线 2.1.3 晶体三极管的主要参数
第 2 章 半导体三极管
第 2 章 半导体三极管
二、耗尽型 N 沟道 MOSFET
Sio2 绝缘层中掺入正离子
D 在 uGS = 0 时已形成沟道；
B 在 DS 间加正电压时形成 iD，
G S
uGS UGS(off) 时，全夹断。
iD /mA
2V
0V
2V
uGS = 4 V
O
uDS /V
输出特性
当 uGS UGS(off) 时，
O
iiiBBB===
00 0uCE
第 2 章 半导体三极管
2.1.3 晶体三极管的主要参数
一、电流放大系数
4 iC / mA
1. 共发射极电流放大系数
3
— 直流电流放大系数
Q
II23CB.40NN5110II0CB63AA
IC8B2O ICBO
IC IB
2 1
— 交流电流放大系数
三级管
18任务二半导体三极管及其应用半导体三极管又叫晶体三极管，由于它在工作时半导体中的电子和空穴两种载流子都起作用，因此属于双极型器件，也叫做BJT （Bipolar Junction Transistor，双极结型晶体管），它是放大电路的重要元件。
照明电灯开关在我们的生活中司空见惯，一般用的是机械开关，如图1—21a 所示，随着电子技术的发展，声控、光控和遥控电灯开关也相继出现，极大地方便了人们的生活，如图1 —21b 所示为遥控电灯开关，在这些新型的电灯开关电路中有的就使用了三极管驱动电路，其电原理图如图1—22所示，电路板实物图如图1—23所示。
a）墙壁电灯开关b ）遥控电灯开关图1 —21 电灯开关1．掌握三极管的符号和工作特点，了解三极管的主要参数。
2．熟悉三极管的识别方法。
3．熟悉三极管的分类，了解它的实际应用。
19图1 —22 三极管驱动电路图1 —23 三极管驱动电路板什么是三极管？它有哪些工作特点？在三极管驱动电路中起什么作用？本任务的目标就是认识三极管，熟悉三极管的检测方法，了解三极管驱动电路中它所起到的作用。
一、三极管结构和图形符号及其分类三极管是一个三层结构、内部具有两个PN 结的器件，它的中间层称为基区，基区的两边分别称为发射区和集电区，三极管的发射区和集电区是同类型的半导体，所以三极管有两种半导体类型，如图1—24 所示，三极管的基区半导体类型与发射区和集电区不同，所以在基区与发射区，基区和集电区之间分别形成两个PN 结，发射区与基区之间的PN 结称为发射结，而集电区与基区之间的PN 结称为集电结，三个区引出的电极分别称为基20极B（b）、发射极E（e ）和集电极C （c）。
NPN型：结构符号PNP 型：结构符号NNP集电区基区发射区BEC集电结发射结集电极发射极基极V VPPN集电区基区发射区BEC集电结发射结集电极发射极基极CCB BEEa) b)图1 —24 三极管的结构和图形符号三极管符号中发射极的箭头表示发射结加正向电压时电流方向，三极管的文字符号为V。
三极管的文字符号
三极管的文字符号【最新版】目录1.引言2.三极管的概念和结构3.三极管的文字符号表示方法4.三极管的文字符号分类5.三极管文字符号的具体表示6.结论正文【引言】在电子学中，三极管是一种基本的电子元件，广泛应用于放大、开关、调制、稳压等电路。
对于学习电子技术和研究电子电路的人来说，了解三极管的文字符号十分重要。
本文将详细介绍三极管的文字符号表示方法、分类以及具体表示。
【三极管的概念和结构】三极管，又称双极型晶体管（BJT），是一种双极型半导体器件。
它主要有三个区域：发射区、基区和集电区。
发射区与集电区之间通过基区连接，形成一个 n-p-n 结构。
根据电流放大系数不同，三极管可以分为两类：NPN 型和 PNP 型。
【三极管的文字符号表示方法】三极管的文字符号表示方法是通过字母和数字的组合来表示其结构和类型。
一般来说，三极管的文字符号由三个字母组成，分别表示发射区、基区和集电区。
【三极管的文字符号分类】根据三极管的类型（NPN 型或 PNP 型），其文字符号分为两类：NPN 型和 PNP 型。
NPN 型三极管的文字符号以“N”表示发射区，以“B”表示基区，以“C”表示集电区；PNP 型三极管的文字符号以“P”表示发射区，以“B”表示基区，以“N”表示集电区。
【三极管文字符号的具体表示】在实际应用中，为了表示三极管的具体结构和类型，需要在文字符号前加上数字，表示其电流放大系数。
例如，2N3904 表示一个 NPN 型三极管，其电流放大系数为 2；而 2N3906 则表示一个 PNP 型三极管，其电流放大系数为 2。
【结论】了解三极管的文字符号表示方法对于学习和研究电子技术和电路十分重要。