光耦参数的理解
光耦的关键参数
光耦的关键参数光耦是一种常用的电子元件，它能够将输入端的电信号转化为光信号，再通过光信号传输到输出端。
光耦的关键参数包括光电转换效率、响应时间、隔离电压、耐压等，下面将对这些关键参数逐一进行详细介绍。
光电转换效率是光耦的一个重要参数，它表示光耦在将电信号转化为光信号时的效率。
光电转换效率越高，表示光耦能够更好地将电信号转化为光信号，从而提高信号传输的质量。
光电转换效率受到光耦内部结构和材料的影响，常用的指标是电光转换效率和光电转换效率。
响应时间是光耦的另一个重要参数，它表示光耦对输入信号的响应速度。
响应时间越短，表示光耦能够更快地对输入信号进行响应，从而提高信号传输的速度。
响应时间受到光耦内部元件和电路设计的影响，通常用上升时间和下降时间来表示。
隔离电压是光耦的一项重要指标，它表示光耦能够承受的最大隔离电压。
光耦的输入端和输出端是通过光信号隔离的，隔离电压的高低直接影响到光耦在高压环境下的可靠性和安全性。
隔离电压通常使用工作电压和耐压来表示，工作电压是指光耦正常工作时的电压范围，耐压是指光耦能够承受的最大电压。
耐压是光耦的另一个重要参数，它表示光耦能够承受的最大电压。
耐压的高低直接关系到光耦在高压环境下的稳定性和可靠性。
耐压通常使用工作电压和击穿电压来表示，工作电压是指光耦正常工作时的电压范围，击穿电压是指光耦在超过耐压时发生击穿的电压。
除了以上几个关键参数外，光耦还具有一些其他参数，如工作温度范围、封装类型、引脚排列等。
工作温度范围表示光耦能够正常工作的温度范围，封装类型表示光耦的外包装形式，引脚排列表示光耦的引脚布局方式。
光耦是一种常用的电子元件，广泛应用于电力电子、通信设备、工业自动化等领域。
了解光耦的关键参数对于正确选择和应用光耦至关重要。
通过对光电转换效率、响应时间、隔离电压、耐压等关键参数的了解，可以更好地评估光耦的性能和适用范围，从而提高系统的稳定性和可靠性。
光耦的关键参数包括光电转换效率、响应时间、隔离电压、耐压等。
光耦的参数的详解
光耦的参数的详解前言光耦做为一个隔离器件早已获得广泛运用，无所不在。
一般大伙儿在第一次触碰到光耦时通常觉得找不到方向，不知道设计方案对错，伴随着碰到愈来愈多的难题，才会渐渐地有一定的感受。
文中就三个层面对光耦做讨论：光耦原理；光耦的CTR 定义；光耦的廷时。
本讨论也是有了解上的局限，但期待能协助到第一次应用光耦的朋友。
了解光耦光耦是隔离传送器件，原边给出信号，副边回路便会輸出历经隔离的信号。
针对光耦的隔离非常容易了解，这里不做讨论。
以一个简易的图（图.1）表明光耦的工作中：原边键入信号 Vin，释放到原边的发光二极管和 Ri 上造成光耦的键入电流量 If，If 驱动器发光二极管，促使副边的光敏三极管通断，回路VCC、RL 造成 Ic,Ic 历经 R L 造成 Vout，做到传送信号的目地。
原边副边立即的驱动器关系是CTR（电流量传送比），要考虑Ic≤If*CTR。
光耦一般会有两个主要用途：线形光耦和逻辑性光耦，假如了解？工作中在电源开关情况的光耦副边三极管饱和状态通断，管压力降<0.4V，Vout 等于 Vcc（Vcc-0.4V上下），Vout 尺寸只受 Vcc 尺寸危害。
这时 Ic<If*CTR，此运行状态用以传送逻辑性电源开关信号。
工作中在线形情况的光耦，Ic=If*CTR，副边三极管压力降的尺寸相当于 Vcc-Ic*R L ，Vout= Ic*R L=(Vin-1.6V)/Ri * CTR*R L ，Vout 尺寸立即与Vin 成占比，一般用以意见反馈环路里边(1.6V 是粗略地估算，具体要按器件材料，事后 1.6V 同) 。
针对光耦电源开关和线形情况能够对比为一般三极管的饱和状态变大2个情况。
因此根据剖析具体的电源电路，去除隔离要素，用剖析三极管的方式来剖析光耦是一个很合理的方式。
此方式针对事后剖析光耦的CTR 主要参数，也有延迟时间主要参数都有利于了解。
光耦CTR概述：1)针对工作中在线形情况的光耦要依据具体情况剖析；2)针对工作中在电源开关情况的光耦要确保光耦通断时CTR 有一定容量；3)CTR 受好几个要素危害。
高速光耦参数
高速光耦参数一、什么是光耦？光耦是一种将电信号转换成光信号，或将光信号转换成电信号的器件。
它由发光二极管（LED）、光敏二极管（PD）和隔离材料组成。
二、高速光耦的概念高速光耦是一种能够实现高速传输的光耦。
它可以用于数据传输、通信等领域。
三、高速光耦的参数1. 带宽带宽是指高速光耦能够传输的最大频率范围。
在选择高速光耦时，需要根据具体应用场景来确定所需的带宽。
2. 峰值波长峰值波长是指高速光耦发出或接收到的最大强度所对应的波长。
不同类型的高速光耦峰值波长也不同。
3. 暗电流暗电流是指在没有外部电压作用下，由于热激发等原因而产生的电流。
在选择高速光耦时，需要考虑其暗电流大小，尽量选择暗电流较小的型号。
4. 响应时间响应时间是指从输入端产生变化到输出端出现变化所需的时间。
在选择高速光耦时，需要根据具体应用场景来确定所需的响应时间。
5. 光电转换效率光电转换效率是指高速光耦将输入的光信号转换成电信号的效率。
在选择高速光耦时，需要考虑其光电转换效率大小，尽量选择效率较高的型号。
6. 工作温度范围工作温度范围是指高速光耦能够正常工作的温度范围。
在选择高速光耦时，需要考虑其工作温度范围是否符合实际应用场景。
四、高速光耦的应用1. 数据传输高速光耦可以用于数据传输领域，如局域网、广域网等。
它可以实现高速传输和长距离传输。
2. 通信高速光耦还可以用于通信领域，如电话、互联网等。
它可以实现快速稳定地传输信息。
3. 医疗设备在医疗设备中，由于存在较强的干扰源和较长的传输距离，需要使用高性能的高速光耦来保证数据传输的可靠性和稳定性。
五、高速光耦的优缺点1. 优点（1）高速传输：高速光耦可以实现高速传输和长距离传输，传输速度比电信号快得多。
（2）隔离性好：由于光信号与电信号不同，高速光耦具有良好的隔离性能，可以有效地避免干扰。
（3）稳定性好：高速光耦具有较好的稳定性能，可以保证数据传输的可靠性。
2. 缺点（1）成本较高：由于制造工艺复杂，高速光耦的成本较高。
光耦参数详解
光耦参数详解光耦（Optocoupler），也被称为光电隔离器或光电耦合器，是一种常用的电气隔离元件。
它由发光二极管（LED）、光敏晶体管（光敏三极管）和光电耦合器件组成。
光耦器件可将输入电信号转换为光信号，再将光信号转换为输出电信号，实现输入与输出之间的电气隔离。
在实际应用中，光耦器件的参数非常重要，在选型和设计过程中需要充分了解光耦参数的含义与特性。
本文将对光耦参数进行详解。
一、LED电流（IF）LED电流是指通过发光二极管的电流。
较大的LED电流可以提高器件的输出响应速度和增大耦合光功率。
通常，我们应选择适当的LED电流，确保LED工作在额定电流范围内，以提供合适的光照强度。
二、输出电压（VCEsat）输出电压指的是光敏晶体管或光敏三极管的饱和电压。
当输入光强度与电流满足一定条件时，光敏晶体管或光敏三极管的输出电压将保持在较低的水平。
输出电压越小，表示光耦器件的开关速度越快。
三、耐压（BVCEO）耐压是指光敏晶体管或光敏三极管的耐受反向电压。
它是光耦器件能够工作的最大反向电压。
在选择光耦器件时，应确保其耐压大于实际工作电压，以保证其正常、稳定的工作。
四、光电流传输比（CTR）光电流传输比是衡量光耦器件性能的重要指标。
它定义了光信号与输入电信号之间的转换效率。
光电流传输比越大，表示器件对输入光信号的转换效率越高。
五、工作温度范围（Topr）工作温度范围是指光耦器件能够正常工作的环境温度范围。
在实际应用中，应确保光耦器件的使用环境温度在工作温度范围内。
光耦参数的选择与应用需求密切相关。
在选型时，我们应根据具体使用情况，合理选择合适的光耦器件，并对参数进行综合考虑。
同时，由于光耦器件的参数与性能之间存在一定关系，对于不同的应用场景，也需要灵活调整参数，以满足特定的电路要求。
需要注意的是，在设计电路时，也需要充分考虑光耦器件周围的光电磁环境，合理布局电路板，以减少光耦器件与外界的电磁干扰，确保其正常工作。
从三个方面解析光耦参数
从三个方面解析光耦参数光耦作为一个隔离器件已经得到广泛应用，无处不在。
一般大家在初次接触到光耦时往往感到无从下手，不知设计对与错，随着遇到越来越多的问题，才会慢慢有所体会。
本文就三个方面对光耦做讨论：光耦工作原理；光耦的CTR 概念；光耦的延时。
本讨论也有认识上的局限性，但希望能帮助到初次使用光耦的同事。
理解光耦光耦是隔离传输器件，原边给定信号，副边回路就会输出经过隔离的信号。
对于光耦的隔离容易理解，此处不做讨论。
以一个简单的图（图.1）说明光耦的工作：原边输入信号Vin，施加到原边的发光二极管和Ri 上产生光耦的输入电流If，If 驱动发光二极管，使得副边的光敏三极管导通，回路VCC、RL 产生Ic,Ic 经过R L 产生V out，达到传递信号的目的。
原边副边直接的驱动关联是CTR（电流传输比），要满足Ic≤If*CTR。
光耦一般会有两个用途：线性光耦和逻辑光耦，如果理解？工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通，管压降所以通过分析实际的电路，除去隔离因素，用分析三极管的方法来分析光耦是一个很有效的方法。
此方法对于后续分析光耦的CTR 参数，还有延迟参数都有助于理解。
光耦CTR概要：1)对于工作在线性状态的光耦要根据实际情况分析；2)对于工作在开关状态的光耦要保证光耦导通时CTR 有一定余量；3)CTR 受多个因素影响。
2.1 光耦能否可靠导通实际计算举例分析，例如图.1 中的光耦电路，假设Ri = 1k,Ro = 1k,光耦CTR= 50%，光耦导通时假设二极管压降为1.6V，副边三极管饱和导通压降Vce=0.4V。
输入信号Vi 是5V 的方波，输出Vcc 是3.3V。
V out 能得到3.3V 的方波吗？。
光耦的参数
光耦的参数一、光耦的概述光耦是一种将电信号转换为光信号或者将光信号转换为电信号的器件。
它由发光二极管（LED）和光敏晶体管（OPTO）组成，通过LED发出的光束照射到OPTO上，产生电流，从而实现电-光或者光-电转换。
二、常见的光耦参数1. 公共模式抑制比（CMRR）公共模式抑制比是指在输入信号中同时存在共模干扰和差模信号时，输出信号中差模信号与共模干扰之比。
CMRR越大，说明设备对共模噪声的抑制能力越强。
2. 隔离电压隔离电压是指在输入端和输出端之间所能承受的最大电压。
通常情况下，隔离电压越高，说明设备隔离效果越好。
3. 带宽带宽是指一个设备能够传输的最高频率范围。
通常情况下，带宽越大，说明设备传输速度越快。
4. 响应时间响应时间是指从输入信号变化到输出信号变化所需要的时间。
响应时间越短，说明设备响应速度越快。
5. 耐压耐压是指设备在工作过程中所能承受的最大电压。
通常情况下，耐压越高，说明设备的安全性能越好。
三、光耦参数的影响因素1. 温度温度对光耦的影响比较大。
当温度升高时，光耦的灵敏度会下降，同时输出信号也会有所变化。
2. 光源功率光源功率对光耦的影响也比较大。
当光源功率过低时，会导致输出信号弱化甚至消失；而当光源功率过高时，则会导致输出信号失真。
3. 工作电流工作电流对光耦的影响也比较明显。
当工作电流过低时，会导致输出信号弱化甚至消失；而当工作电流过高时，则会导致输出信号失真。
4. 入射角度入射角度也会影响光耦的性能。
通常情况下，入射角度越小，则输出信号越强；而入射角度越大，则输出信号越弱。
四、如何选择合适的光耦参数1. 根据需求确定参数范围首先需要根据实际需求，确定所需要的光耦参数范围。
比如，如果需要传输高速信号，则需要选择带宽较大的光耦；如果需要保证设备的安全性能，则需要选择隔离电压和耐压较高的光耦。
2. 选择合适的品牌和型号在确定所需参数范围后，可以根据品牌和型号进行筛选。
通常情况下，知名品牌和口碑好的型号更为可靠。
p3554 光耦参数
光耦参数1. 引言光耦（Optocoupler）是一种能够将电气信号转换为光信号并传输的器件。
它由发光二极管（LED）和光敏晶体管（Phototransistor）组成，通过光的反射或透射来实现输入和输出之间的电气隔离。
在很多应用中，光耦能够提供安全、稳定和快速的电气隔离，因此在电子领域得到广泛应用。
本文将介绍光耦的参数及其意义，并对各个参数进行详细解释。
2. 光耦参数2.1 输入端参数2.1.1 输入电流（IF）输入电流是指流经发光二极管的电流，通常以毫安（mA）为单位。
输入电流决定了发光二极管产生的光强度，较大的输入电流会导致更亮的发光效果。
2.1.2 输入功率（Pd）输入功率是指输入端所需的功率，通常以瓦特（W）为单位。
输入功率与输入电流之间存在以下关系：Pd = IF * Vf其中Vf为发光二极管的正向工作电压。
2.2 输出端参数2.2.1 输出电流传输比（CTR）输出电流传输比是指输出电流与输入电流之间的比值，通常以百分比表示。
CTR是光耦的重要参数之一，它表示了光耦的转换效率。
较高的CTR意味着更高的输出电流，因此在设计中需要选择合适的CTR以满足应用需求。
2.2.2 最大输出电压（VCEO）最大输出电压是指光敏晶体管能够承受的最大输出端电压。
超过最大输出电压可能会导致器件损坏，因此在设计中需要确保输出端电压不超过VCEO。
2.2.3 最大耐受功率（Pc）最大耐受功率是指光敏晶体管能够承受的最大功率。
超过最大耐受功率可能会导致器件损坏，因此在设计中需要确保输入和输出功率不超过Pc。
2.3 响应时间响应时间是指光耦从接收到输入信号到产生相应输出信号所需的时间。
响应时间包括上升时间和下降时间两部分。
2.3.1 上升时间（tr）上升时间是指光敏晶体管从低电平到高电平的转换时间。
较小的上升时间意味着光敏晶体管能够更快地响应输入信号。
2.3.2 下降时间（tf）下降时间是指光敏晶体管从高电平到低电平的转换时间。
光耦参数详解范文
光耦参数详解范文光耦是一种将输入信号和输出信号以光线的形式进行隔离的电子器件。
它由一个光气室和一个光敏元件组成，通过控制输入信号使光源发出或屏蔽光线，从而控制输出信号的产生。
光耦的参数是评价其性能和适用范围的重要指标，下面对光耦的一些主要参数进行详细解释。
1.隔离电压：光耦的隔离电压是指在光气室中光线没有透过时，输入端和输出端之间可以承受的最大电压。
隔离电压越大，说明光耦具有更好的隔离效果，可以抵御更高的电压干扰。
2.电传导电流：电传导电流是指在光源未发光时，由于电耦合产生的输入端到输出端的电流。
电传导电流越小，表示光耦的隔离效果越好，输入信号不会通过电耦合效应影响输出信号。
3.触发电流：触发电流是指在光源发光时，输入端需要提供的最小电流值来触发光敏元件。
触发电流越大，说明光敏元件对光的敏感性越低，需要更大的驱动电流才能正常工作。
4.输出电流：输出电流是指光耦的输出端可以提供的最大电流值。
输出电流越大，表示光耦可以驱动更大负载的电路。
5.饱和电压降：光耦的饱和电压降是指在输出电流达到最大值时，输入端和输出端之间的电压降。
饱和电压降越小，表示光耦在负载较大时能够提供更稳定的电压输出。
6.堵塞电流：堵塞电流是指在光源未发光时，输出端到输入端存在的电流。
堵塞电流越小，表示光耦的隔离效果越好，基本可以忽略漏电流。
7.响应时间：响应时间是指光耦在输入信号变化后，输出信号达到稳定状态所需要的时间。
响应时间越短，表示光耦的响应速度越快，适用于高频率的信号传输。
8.工作温度范围：工作温度范围是指光耦能够正常工作的温度范围。
光耦应在规定的温度范围内工作，超出该范围可能会导致光耦的性能下降或损坏。
以上是一些光耦的主要参数，不同类型的光耦会有一些特殊的参数。
在选择光耦时，需要根据具体的应用需求选择合适的参数，以获得最佳的性能和可靠性。
总结起来，光耦的参数对于保障信号隔离的效果、增强电路稳定性和提高性能都起到非常重要的作用，因此在设计和选择光耦时，需要充分考虑这些参数的特点和限制。
光耦参数详解(一)
光耦参数详解(一)光耦参数详解1. 什么是光耦参数？•光耦参数是指光电耦合器的一些关键性能指标和参数，用于评估光电耦合器的性能和适用范围。
2. 常见的光耦参数及其意义•输入光功率：指输入光信号的功率水平，通常以光功率单位dBm 表示。
光功率越高，光电耦合器的灵敏度越好，可以实现更高的传输距离。
•频率响应：用于描述光电耦合器对输入光信号频率变化的响应能力。
频率响应越宽，光电耦合器的传输带宽越大，可以传输更高频率的信号。
•隔离电压：指输入端和输出端之间的电压隔离能力。
隔离电压越高，光电耦合器的隔离效果越好，可以有效防止信号干扰和电路短路。
•响应时间：用于描述光电耦合器对输入光信号变化的响应速度。
响应时间越短，光电耦合器的快速开关能力越强，适用于高速信号传输和快速开关电路。
•工作温度范围：指光电耦合器能够正常工作的温度范围。
工作温度范围越宽，光电耦合器的适用场景越广。
3. 如何选择合适的光耦参数？•根据实际应用需求，选择合适的光功率、频率响应、隔离电压、响应时间和工作温度范围等参数。
•如果需要传输高频率信号，需要选择具有宽频率响应的光电耦合器。
•如果要求输入输出电路隔离效果好，需要选择隔离电压较高的光电耦合器。
•如果需要进行快速开关或传输高速信号，需要选择响应时间较短的光电耦合器。
4. 光耦参数的实际应用•光电耦合器广泛应用于工业控制、通信设备、医疗设备等领域。
•在工业控制领域，光电耦合器可以实现输入信号和输出信号的隔离，保护下位机免受高压开关电路的干扰。
•在通信设备中，光电耦合器用于光纤通信系统中的信号隔离和信号调理。
•在医疗设备中，光电耦合器可以实现生物信号的隔离和测量，用于医学监护和诊断设备。
5. 总结•光耦参数是评估光电耦合器性能的关键指标。
•不同的光耦参数适用于不同的应用场景和需求。
•合理选择光耦参数能够提高系统的性能和稳定性。
以上是关于光耦参数的详细解释，希望对读者有所帮助。
当选择光耦参数时，需要根据实际应用需求来进行合理的选择，以确保系统性能和稳定性的提高。
光耦参数解释及设计注意事项
一：光耦参数解释1、正向工作电压f V （forward voltage ）：f V 是指在给定的工作电流下，LED 本身的压降。
常见的小功率LED 通常以f I =10mA 来测试正向工作电压，当然不同的LED ，测试条件和测试结果也会不一样。
2、正向电流f I ：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。
3、反向工作电压r V （reverse voltage ）：是指原边发光二极管所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED 。
而一般光耦中，这个参数只有5V 左右，在存在反压或振荡的条件下使用时，要特别注意不要超过反向电压。
如，在使用交流脉冲驱动LED 时，需要增加保护电路。
4、反向电流r I ：在被测管两端加规定反向工作电压r V 时，二极管中流过的电流。
5、反向击穿电压br V ：：被测管通过的反向电流r I 为规定值时，在两极间所产生的电压降。
6、结电容j C ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。
7、电流传输比CTR(current transfer ratio )：指在直流工作条件下，光耦的输出电流与输入电流之间的比值。
光耦的CTR 类似于三极管的电流放大倍数，是光耦的一个极为重要的参数，它取决于光耦的输入电流和输出电流值及电耦的电源电压值，这几个参数共同决定了光耦工作在放大状态还是开关状态，其计算方法与三极管工作状态计算方法类似。
若输入电流、输出电流、电流传输比设计搭配不合理，可能导致电路不能工作在预想的工作状态。
8、集电极电流c I （collector current ）：如上图，光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。
9、输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF 和集电极电流IC 为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin 时（CTRmin 在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。
10、反向击穿电压ceo ）（BR V ：发光二极管开路，集电极电流c I 为规定值，集电极与发射集间的电压降。
光耦参数解释及设计注意事项
一：光耦参数解释1、正向工作电压f V （forward voltage ）：f V 是指在给定的工作电流下，LED 本身的压降。
常见的小功率LED 通常以f I =10mA 来测试正向工作电压，当然不同的LED ，测试条件和测试结果也会不一样。
2、正向电流f I ：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。
3、反向工作电压r V （reverse voltage ）：是指原边发光二极管所能承受的最大反向电压，超过此反向电压，可能会损坏LED 。
而一般光耦中，这个参数只有5V 左右，在存在反压或振荡的条件下使用时，要特别注意不要超过反向电压。
如，在使用交流脉冲驱动LED 时，需要增加保护电路。
4、反向电流r I ：在被测管两端加规定反向工作电压r V 时，二极管中流过的电流。
5、反向击穿电压br V ：：被测管通过的反向电流r I 为规定值时，在两极间所产生的电压降。
6、结电容j C ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。
7、电流传输比CTR(current transfer ratio )：指在直流工作条件下，光耦的输出电流与输入电流之间的比值。
光耦的CTR 类似于三极管的电流放大倍数，是光耦的一个极为重要的参数，它取决于光耦的输入电流和输出电流值及电耦的电源电压值，这几个参数共同决定了光耦工作在放大状态还是开关状态，其计算方法与三极管工作状态计算方法类似。
若输入电流、输出电流、电流传输比设计搭配不合理，可能导致电路不能工作在预想的工作状态。
8、集电极电流c I （collector current ）：如上图，光敏三极管集电极所流过的电流，通常表示其最大值。
9、输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF 和集电极电流IC 为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin 时（CTRmin 在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。
10、反向击穿电压ceo ）（BR V ：发光二极管开路，集电极电流c I 为规定值，集电极与发射集间的电压降。
光耦全参数解释及设计注意事项
光耦全参数解释及设计注意事项光耦合器（Optocoupler）是将光电二极管和晶体管紧密结合并密封在一个封装中的一种电子元器件。
它通过光耦技术将输入信号和输出端电路进行电隔离，实现信号隔离和传输，避免了信号传输过程中的干扰，同时还能具备电隔离的安全性能。
光耦合器的参数解释：1.输入光功率（PCE）：光耦合器输出端的光功率，以瓦特（W）为单位。
这个参数决定了光耦合器的灵敏度和信号传输质量，光功率越高，信号传输衰减越小。
2. 输出光通量（PCTR）：光耦合器输入端产生的光通量，以流明（lm）为单位。
这个参数衡量了光电二极管的发光能力，对于需要传输长距离、低功耗的应用来说，输出光通量应该尽量大。
3.峰值波长（λp）：光电二极管和光敏三极管的最佳光收集范围。
光电二极管的输入光源应该尽量接近该波长才能获得最佳的输出效果。
4.隔离电压（VISO）：输入端和输出端之间的电压隔离能力，以伏特（V）为单位。
隔离电压越高，信号传输过程中受到的电压干扰越小，电源与负载之间的互连更加安全可靠。
5.工作温度范围（TC）：光耦合器能够正常工作的温度范围。
在选择光耦合器时，应根据实际应用环境的温度要求来选择合适的工作温度范围，以确保稳定可靠的工作性能。
设计注意事项：1.光源选择：应根据光耦合器的峰值波长要求，选择适合的发光二极管（LED）作为输入光源。
要注意光源的发光强度和工作电流，以确保输出光功率符合要求。
2.光耦合器与负载之间的电路设计：在光耦合器的输出端与负载之间，应根据负载的特性设计合适的功率放大电路或电阻衰减电路，来改变信号的驱动能力和阻抗匹配。
这样可以提高信号传输的质量和稳定性。
3.信号传输线路的设计：应注意尽量缩短信号传输路径，减少线路中的串扰、电磁干扰和功率损耗。
使用合适的屏蔽线缆可以有效地抑制干扰。
4.光耦合器的引脚连接：在布线时，应确保输入端和输出端的引脚连接正确，且不会出现引脚交叉连接或短路的情况。
这样可以避免不正确的信号传输和元器件损坏。
光耦基本参数
光耦的基本参数
图中的光耦内部结构由基本的三部分组成：发光二级管、透光绝缘层、光电三极管。
通过发光二极管发光，穿透绝缘层到光电转换三极管，实现电流的传输、隔离特性。
从图中可以看出，光耦的主要参数有：
1、电流传输比CTR：，发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值。
2、绝缘耐压(透光绝缘层)：指光耦保护相关电路及自身免受高压导致的物理损坏能力。
3、LED的驱动电流IF：采用高效率的LED和高增益的接收放大器，可以降低驱动电流的IF，同时较小的IF电流可以降低系统的功耗，并且降低LED的衰减，提供系统长期的可靠性。
4、共模抑制比VCM：指在每微秒光耦能容许的最大共模电压上升、下降率。
这个参数主要在工业电机应用中至关重要。
例如电机的启动或者制动过程中都会带来极大的共模噪声。
从三个方面解析光耦参数
从三个方面解析光耦参数光耦参数是指衡量光耦器件性能的各项指标和参数，包括光耦系数、响应时间、频带宽度、传输速率等。
通过解析光耦参数，我们可以了解光耦器件在光电转换、光电隔离等方面的性能。
第一方面，光耦系数。
光耦系数是指输入光功率与输出电流的比值。
它决定了光耦器件的灵敏度和增益。
光耦系数越高，表示输入光功率转换为电流的效率越高，对于输入光功率较小的情况下，输出电流可以保持较高的稳定性。
光耦系数的计算可以通过将光电二极管的电流与输入光功率之比来得到。
在实际应用中，光耦器件的光耦系数通常通过器件手册中给出的典型数值来确定。
第二方面，响应时间。
光耦器件的响应时间是指从光输入到电输出之间的时间延迟。
它反映了光耦器件的转换速度和相应的灵敏度。
响应时间较低的光耦器件可以更快地将光信号转换为电信号，并实现快速的光电隔离。
响应时间的计算可以通过将光电隔离器件的信号传输延迟与光输入信号的频率之比来得到。
在实际应用中，响应时间的要求通常根据具体应用的需求来确定，例如在高速通信领域中，需要具备快速响应时间的光耦器件。
第三方面，频带宽度和传输速率。
频带宽度是指光耦器件能够传输的频率范围。
高频带宽度意味着光耦器件可以传输更高的频率信号，从而实现更高的传输速率。
传输速率是指光耦器件能够传输的最大数据速率。
传输速率的提高可以通过增加光耦系数和改善响应时间来实现。
对于高速通信和数据传输应用，需要具备宽频带宽度和较大的传输速率的光耦器件。
频带宽度和传输速率的计算可以通过器件手册中给出的典型数值和相关公式来确定。
综上所述，通过对光耦参数的解析，我们可以从光耦系数、响应时间、频带宽度和传输速率等方面了解光耦器件的性能。
这些参数能够帮助我们选择和评估光耦器件，确保其能够满足应用需求，并提供良好的光电转换和光电隔离效果。
r2733光耦参数
r2733光耦参数光耦参数是指光耦合器所具备的特性和指标。
光耦合器是一种能够将光信号转化为电信号，或将电信号转化为光信号的器件。
它由光发射器、光接收器和光传输介质组成，具有隔离、传输和调节信号的功能。
光耦合器广泛应用于电子产品、通信设备和自动化控制系统中，对其参数的要求也越来越高。
光耦合器的参数有很多，包括光电转换效率、频带宽度、耐电压能力、响应速度等。
其中，光电转换效率是光耦合器最重要的参数之一。
它表示光能转化为电能的效率，一般用百分比表示。
光电转换效率高意味着光信号能够更准确地转化为电信号，提高了系统的信号传输质量。
频带宽度是指光耦合器能够传输的频率范围。
它与光耦合器内部的电容、电感和电阻等参数有关。
频带宽度越大，光耦合器的信号传输范围越广，适用于处理更高频率的信号。
耐电压能力是指光耦合器能够承受的最高电压。
光耦合器在工作过程中会受到一定的电压干扰，如果超过了其耐受电压范围，就会导致器件损坏。
因此，合理选择耐电压能力合适的光耦合器，对于系统的稳定性和可靠性非常重要。
响应速度是指光耦合器的输出端对输入端信号变化的快速响应能力。
它与光发射器和光接收器的响应速度以及传输介质的传输速度有关。
光耦合器的响应速度越高，其对信号的捕获和处理能力就越强，适用于高速通信和数据传输等领域。
除了以上的参数外，还有一些其他的光耦合器参数，如隔离电压、耐温度能力以及封装形式等。
这些参数对于不同的应用场景和需求有着重要的意义。
因此，在选择光耦合器时，需要根据具体的使用环境和要求，综合考虑各种参数的性能指标，以确保光耦合器能够正常工作并满足系统的需求。
综上所述，光耦合器的参数是衡量其性能和适用范围的重要依据。
光电转换效率、频带宽度、耐电压能力和响应速度等参数的选择和优化，能够提升系统的传输质量和稳定性，实现更高效的信号处理和传输。
在应用光耦合器时，我们应该充分了解各种参数的意义和影响，并根据实际需求进行合理选择，以确保光耦合器能够发挥最佳的性能和作用。
光耦参数理解
光耦参数理解光耦是否可以近似看做成一个带隔离功能的三级管呢？槽型光耦也被工程技术人员称作槽型光电开关或者对射式光电开关，也是以光为媒体，由发光体与受光体间的光路遮挡或由反射光的光亮变化为信号，检测物体的位置、有无等的装置。
槽型光耦也是由一个红外线发射管与一个红外线接收管组合而成。
它与接近开关同样是无接触式的，受检测体的制约少，且检测距离长，应用广泛。
1 引言光耦作为一个隔离器件已经得到广泛应用，无处不在。
一般大家在初次接触到光耦时往往感到无从下手，不知设计对与错，随着遇到越来越多的问题，才会慢慢有所体会。
本文就三个方面对光耦做讨论：光耦工作原理；光耦的CTR 概念；光耦的延时。
本讨论也有认识上的局限性，但希望能帮助到初次使用光耦的同事。
1 理解光耦光耦是隔离传输器件原边给定信号，副边回路就会输出经过隔离的信号。
对于光耦的隔离容易理解，此处不做讨论。
以一个简单的图（图.1）说明光耦的工作：原边输入信号Vin，施加到原边的发光二极管和Ri 上产生光耦的输入电流If，If驱动发光二极管，使得副边的光敏三极管导通，回路VCC、RL 产生Ic,Ic经过RL产生V out，达到传递信号的目的。
原边副边直接的驱动关联是CTR（电流传输比），要满足Ic≤If*CTR。
图.1。
光耦一般会有两个用途：线性光耦和逻辑光耦，如果理解？工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通，管压降所以通过分析实际的电路，除去隔离因素，用分析三极管的方法来分析光耦是一个很有效的方法。
此方法对于后续分析光耦的CTR 参数，还有延迟参数都有助于理解。
2、光耦CTR概要：1)对于工作在线性状态的光耦要根据实际情况分析；2)对于工作在开关状态的光耦要保证光耦导通时CTR 有一定余量；。
光耦参数的理解
光耦参数的理解摘要：分析光耦各个指标参数的含义,以及日常设计中的注意事项,涉及CTR和延时。
关键字：光耦 CTR 延时1 引言光耦作为一个隔离器件已经得到广泛应用，无处不在。
一般大家在初次接触到光耦时往往感到无从下手，不知设计对与错，随着遇到越来越多的问题，才会慢慢有所体会。
本文就三个方面对光耦做讨论：光耦工作原理；光耦的CTR概念；光耦的延时。
本讨论也有认识上的局限性，但希望能帮助到初次使用光耦的同事。
1 理解光耦光耦是隔离传输器件，原边给定信号，副边回路就会输出经过隔离的信号。
对于光耦的隔离容易理解，此处不做讨论。
以一个简单的图（图.1）说明光耦的工作：原边输入信号Vin，施加到原边的发光二极管和Ri上产生光耦的输入电流If，If驱动发光二极管，使得副边的光敏三极管导通，回路VCC、RL产生Ic,Ic经过R L产生Vout，达到传递信号的目的。
原边副边直接的驱动关联是CTR（电流传输比），要满足Ic≤If*CTR。
图.1光耦一般会有两个用途：线性光耦和逻辑光耦，如果理解？工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通，管压降<0.4V，Vout约等于Vcc（Vcc-0.4V 左右），Vout大小只受Vcc大小影响。
此时Ic<If*CTR，此工作状态用于传递逻辑开关信号。
工作在线性状态的光耦，Ic=If*CTR，副边三极管压降的大小等于Vcc-Ic*R L，Vout= Ic*R L =(Vin-1.6V)/Ri * CTR*R L，Vout大小直接与Vin成比例，一般用于反馈环路里面 (1.6V是粗略估计，实际要按器件资料，后续1.6V同) 。
对于光耦开关和线性状态可以类比为普通三极管的饱和放大两个状态。
比较项目光耦三极管电路图前级电流If(=(Vin-1.6)/Ri)Ib(=(Vin-0.6)/Ri)电流限制条件Ic ≤ CTR*If Ic ≤β* Ib理解：If确定，光耦副边电流通道大小确定，实际的Ic不能大于该通道理解：Ib确定，三极管副边电流通道大小确定，实际的Ic不能大于该通道饱和/开关状态当R L阻值大时，Vcc/R L < CTR*If光耦导通时，Vout ~= 0 V当R L阻值大时，Vcc/R L <β* Ib三极管导通时，Vout ~= 0 V 放大/线性状态当R L阻值小时，Vcc/R L > CTR*If此时，光耦副边会提高光敏三极管的导通压降，限制实际的Ic在电流通道内(Ic = CTR*If)。
817c光耦参数
817c光耦参数摘要：1.光耦简介2.光耦参数概述3.常见光耦参数详解4.光耦选型与应用建议正文：光耦（Optocoupler）是一种光电隔离器件，广泛应用于电子设备间的信号传输、电源隔离和电平转换等场景。
光耦器件具有体积小、传输速率快、抗干扰能力强、可靠性高等特点。
在实际应用中，了解光耦的参数至关重要，有助于正确选型和优化系统性能。
一、光耦简介光耦主要由两部分组成：光电发射器和光电接收器。
当输入端（光电发射器）的输入电流发生变化时，通过光电效应，输出端（光电接收器）的电流也发生相应变化，实现输入输出信号的隔离传输。
二、光耦参数概述1.光耦电压：是指光耦能正常工作的电压范围。
在选型时，应根据实际应用场景选择合适的光耦电压。
2.光耦电流：是指光耦传输的最大电流。
通常情况下，光耦的电流与传输距离成正比。
在选型时，应根据实际传输需求选择合适的光耦电流。
3.光耦速度：是指光耦传输信号的速率。
光耦速度越高，传输延迟时间越短，但同时价格也越高。
在选型时，应根据实际应用场景和性能要求选择合适的光耦速度。
4.光耦隔离电阻：是指光耦输入端与输出端之间的电阻。
隔离电阻越小，光耦的抗干扰能力越强。
在选型时，应根据实际应用场景选择合适的隔离电阻。
5.光耦灵敏度：是指光耦输出电流与输入电流之间的比例关系。
光耦灵敏度越高，传输效率越高。
在选型时，应根据实际应用场景选择合适的光耦灵敏度。
三、常见光耦参数详解1.封装类型：光耦的封装类型包括DIP、SMD等多种形式。
不同封装类型的光耦在尺寸、引脚数量、抗干扰能力等方面有所不同。
在选型时，应根据实际应用场景选择合适的封装类型。
2.光敏元件材料：光耦的光敏元件材料主要有硅、锗等。
不同材料的光耦在灵敏度、响应速度、工作电压等方面有所不同。
在选型时，应根据实际应用场景选择合适的光敏元件材料。
3.发光二极管（LED）类型：发光二极管的类型包括红外、可见光等。
不同类型的发光二极管在光谱、亮度、传输距离等方面有所不同。
光耦参数详解
光耦参数详解
光耦是一种用于电气隔离的器件，其由光电耦合器和光电转换器组成。
光电耦合器包含一个发光二极管和一个光敏三极管，通过发光二极管产生光信号并通过光敏三极管接收光信号，从而实现电信号与光信号的转换。
在应用中，光耦可以实现电路的隔离，提高电路的稳定性和可靠性。
光耦参数主要包括输入参数和输出参数。
输入参数包括输入光电流、输入光功率和输入电流。
输入光电流是指输入到光电耦合器的光信号所产生的电流，通常以毫安（mA）为单位。
输入光功率是指光耦合器所接收到的光信号的强度，通常以瓦（W）为单位。
输入电流是指光电耦合器所需要的电流，它取决于发光二极管的工作特性。
输出参数包括输出光功率、输出电流和输出电压。
输出光功率是指光敏三极管产生的光信号的强度，通常以瓦（W）为单位。
输出电流是指光敏三极管所产生的电流，通常以毫安（mA）为单位。
输出电压是指光敏三极管所产生的电压，通常以伏特（V）为单位。
此外，光耦还有一些其他的参数，如耦合系数、响应时间和传输带宽。
耦合系数是指输入光功率和输出光功率之间的比例关系，它反映了光耦合器的效率。
响应时间是指光电耦合器从接收到输入光信号到产生输出电流的时间，通常以纳秒（ns）为单位。
传输带宽是指光耦合器能够传输的最高频率信号的范围，通常以赫兹（Hz）为单位。
总之，光耦的参数能够描述其输入输出特性、工作特性和性能指标，对于选择和设计电路具有重要的参考价值。
从三个方面解析光耦参数
从三个方面解析光耦参数光耦，也称为光耦合器或光电耦合器，是一种用于隔离和传输电信号的光电转换器件。
它由光源、光电转换器件（如光敏电阻或光电晶体管）、传输介质和驱动电路组成。
光源发出的光线被光电转换器件接收后，产生相应的电信号，完成光和电的相互转换。
光耦器件的参数直接关系到其转换效率和传输性能。
下面将从三个方面解析光耦参数。
一、光电转换特性1. 波长特性：光耦器件在接收光信号时，对输入光的波长有一定的敏感范围。
一般来说，光耦器的输入光波长范围在850nm、1300nm和1550nm这三个常用波长之一2.光电转换增益：光电转换增益是光耦输出电流与输入光功率之比，代表了光电转换的效率。
该增益通常以A/W（安培/瓦特）为单位。
增益值越大，表示光电转换效率越高。
3.暗电流：光耦器件在没有光照射时输出的电流称为暗电流。
暗电流是光耦器件的一个重要参数，它代表了在无光照射情况下光耦器件内部电流产生的源头，如果暗电流过大，就会对输出信号的准确性产生影响。
4.响应时间：光耦器件的响应时间指的是光信号从输入到输出所需要的时间，一般以微秒（μs）为单位。
响应时间越短，表示光耦器件的响应速度越快，能够更准确地传输信号。
二、光源特性1.光源波长：光耦器件的性能会受到光互振衰减的影响，而光互振衰减与光源与光接收器之间的波长一致性有关。
因此，光源的波长需要与光耦器件的波长匹配，才能获得较好的性能。
2.光源强度：光源强度表示光的亮度，通常以瓦特/立方厘米为单位。
光源强度越大，表示光源发出的光线越强烈，能够提供更高的信号传输效率。
3.光源稳定性：光源的稳定性是指在长时间运行中，光源输出的光强度是否能够保持在一个稳定的范围内。
光源稳定性的好坏直接影响到光耦器件的传输性能以及系统的可靠性。
三、电路特性1.工作电压：光耦器件的工作电压范围是指器件所能够承受的最大和最小工作电压。
如果工作电压超出了这个范围，光耦器件可能无法正常工作。
2.绝缘电压：绝缘电压是指光耦器件所能够承受的最大绝缘电压。
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光耦参数的理解
摘要：分析光耦各个指标参数的含义,以及日常设计中的注意事项,涉及CTR和延时。
关键字：光耦 CTR 延时
1 引言
光耦作为一个隔离器件已经得到广泛应用，无处不在。
一般大家在初次接触到光耦时往往感到无从下手，不知设计对与错，随着遇到越来越多的问题，才会慢慢有所体会。
本文就三个方面对光耦做讨论：光耦工作原理；光耦的CTR概念；光耦的延时。
本讨论也有认识上的局限性，但希望能帮助到初次使用光耦的同事。
1 理解光耦
光耦是隔离传输器件，原边给定信号，副边回路就会输出经过隔离的信号。
对于光耦的隔离容易理解，此处不做讨论。
以一个简单的图（图.1）说明光耦的工作：原边输入信号Vin，施加到原边的发光二极管和Ri上产生光耦的输入电流If，If驱动发光二极管，使得副边的光敏三极管导通，回路VCC、RL产生Ic,Ic经过R L产生Vout，达到传递信号的目的。
原边副边直接的驱动关联是CTR（电流传输比），要满足Ic≤If*CTR。
图.1
光耦一般会有两个用途：线性光耦和逻辑光耦，如果理解？
工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通，管压降<0.4V，Vout约等于Vcc（Vcc-0.4V 左右），Vout大小只受Vcc大小影响。
此时Ic<If*CTR，此工作状态用于传递逻辑开关信号。
工作在线性状态的光耦，Ic=If*CTR，副边三极管压降的大小等于Vcc-Ic*R L，Vout= Ic*R L =(Vin-1.6V)/Ri * CTR*R L，Vout大小直接与Vin成比例，一般用于反馈环路里面 (1.6V是粗略估计，实际要按器件资料，后续1.6V同) 。
对于光耦开关和线性状态可以类比为普通三极管的饱和放大两个状态。
比较项目光耦三极管
电路图
前级电流If(=(Vin-1.6)/Ri)Ib(=(Vin-0.6)/Ri)
电流限制条件
Ic ≤ CTR*If Ic ≤β* Ib
理解：If确定，光耦副边电流通道大小
确定，实际的Ic不能大于该通道
理解：Ib确定，三极管副边电流通道大
小确定，实际的Ic不能大于该通道饱和/开关状态
当R L阻值大时，Vcc/R L < CTR*If
光耦导通时，Vout ~= 0 V
当R L阻值大时，Vcc/R L <β* Ib
三极管导通时，Vout ~= 0 V 放大/线性状态
当R L阻值小时，Vcc/R L > CTR*If
此时，光耦副边会提高光敏三极管的导
通压降，限制实际的Ic在电流通道内
(Ic = CTR*If)。
光耦导通时，Vout输
出大小与Vin有线性关系。
当R L阻值小时，Vcc/R L >β* Ib
此时，三极管会提高管压降，限制实际
的Ic在电流通道内(Ic =β* Ib)。
三
极管导通时，Vout输出大小与Vin有线
性关系。
所以通过分析实际的电路，除去隔离因素，用分析三极管的方法来分析光耦是一个很有效的方法。
此方法对于后续分析光耦的CTR参数，还有延迟参数都有助于理解。
2光耦CTR
概要：1)对于工作在线性状态的光耦要根据实际情况分析；2)对于工作在开关状态的光耦要保证光耦导通时CTR有一定余量；3)CTR受多个因素影响。
2.1 光耦能否可靠导通实际计算
举例分析，例如图.1中的光耦电路，假设 Ri = 1k,Ro = 1k,光耦CTR= 50%，光耦导通时假设二极管压降为1.6V，副边三极管饱和导通压降Vce=0.4V。
输入信号Vi是5V的方波，输出Vcc是3.3V。
Vout能得到3.3V的方波吗？
我们来算算：If = (Vi-1.6V)/Ri = 3.4mA
副边的电流限制：Ic’≤ CTR*If = 1.7mA
假设副边要饱和导通，那么需要Ic’ = (3.3V – 0.4V)/1k = 2.9mA，大于电流通道限制，所以导通时，Ic会被光耦限制到1.7mA， Vout = Ro*1.7mA = 1.7V
所以副边得到的是1.7V的方波。
为什么得不到 3.3V的方波，可以理解为图.1光耦电路的电流驱动能力小，只能驱动1.7mA的电流，所以光耦会增大副边三极管的导通压降来限制副边的电流到1.7mA。
解决措施：增大If；增大CTR；减小Ic。
对应措施为：减小Ri阻值；更换大CTR光耦；增大Ro阻值。
将上述参数稍加优化，假设增大Ri到200欧姆，其他一切条件都不变，Vout能得到3.3V 的方波吗？
重新计算：If = (Vi – 1.6V)/Ri = 17mA；副边电流限制Ic’≤ CTR*If = 8.5mA，远大于副边饱和导通需要的电流(2.9mA)，所以实际Ic = 2.9mA。
所以，更改Ri后，Vout输出3.3V的方波。
开关状态的光耦，实际计算时，一般将电路能正常工作需要的最大Ic与原边能提供的最小If之间 Ic/If的比值与光耦的CTR参数做比较，如果Ic/If ≤CTR，说明光耦能可靠导通。
一般会预留一点余量（建议小于CTR的90%）。
工作在线性状态令当别论。
2.2 CTR受那些因素影响
上一节说到设计时要保证一定CTR余量。
就是因为CTR的大小受众多因素影响，这些因素之中既有导致CTR只离散的因素（不同光耦），又有与CTR有一致性的参数（壳温/If）。
1)光耦本身：以8701为例，CTR在Ta=25℃/If=16mA时，范围是(15%~35%)
说明8701这个型号的光耦，不论何时/何地，任何批次里的一个样品，只要在Ta=25℃/If=16mA这个条件下，CTR是一个确定的值，都能确定在15%~35%以内。
计算导通时，要以下限进行计算，并且保证有余量。
计算关断时要以上限。
2)壳温影响：
Ta=25℃条件下的CTR下限确定了，但往往产品里面温度范围比较大，比如光耦会工作在（-5~75℃）下，此种情况下CTR怎么确定？还是看8701的手册：有Ta-CTR关系图：
从图中看出，以25度的为基准，在其他条件不变的情况下，-5度下的CTR是25度下的0.9倍左右，75度下最小与25度下的CTR持平。
所以在16mA/(-5~75℃)条件下，8701的CTR最小值是15%*0.9 = 13.5%
3) 受If影响。
假设如果实际的If是3.4mA，那么如何确定CTR在If=3.4mA / Ta=(-5~75℃)条件下的最小CTR值。
查看8701的If-CTR曲线。
图中给出了三条曲线，代表抽取了三个样品做测试得到的If-CTR曲线，实际只需要一个样品的曲线即可。
注：此图容易理解为下限/典型/上限三个曲线，其实不然。
大部分图表曲线只是一个相对关系图，不能图中读出绝对的参数值。
计算：选用最上面一条样品曲线，由图中查出，If=16mA时CTR大概28%，在If=3.4mA 时CTR大概在46%。
3.4mA是16mA时的46%/28% = 1.64倍；
所以，在If=3.4mA / (-5~75℃)，CTR下限为 13.5% * 1.64 = 22.2%
以上所有分析都是基于8701的，其他光耦的特性曲线需要查用户手册，分析方法一样。
3光耦延时
上述CTR影响到信号能不能传过去的问题，类似于直流特性。
下面主要分析光耦的延时特性，即光耦能传送多快信号。
涉及到两个参数：光耦导通延时t plh和光耦关断延时t phl，以8701为例：在If=16mA/Ic=2mA时候，关断延时最大0.8uS，导通延时最大1.2uS。
所以用8701传递500k 以上的开关信号就需要不能满足。
下图是一个实测的延时波形（ch4原边（红），ch2副边（绿））
图.2
对于t p参数的设计更应该考虑余量，因为t p参数也受其他因素影响较多。
1) 受温度影响
8701的Ta-If特征曲线：温度升高，开关延时都会增大。
图.3
2) 受原边If大小影响
8701的tp-If特征曲线：If增大，关断延时减小，开通延时增大
图.4
3) 受副边Ic大小影响
8701的tp-R L特征曲线：R L减小，导通延时增大明显
图.5
针对具体电路的特点，计算最大延时时也是采用与CTR一样的方法，通过器件资料给定特定环境下的准确范围，然后逐一通过三个曲线确定具体电路下的光耦最大延时。
注：同一个型号的光耦CTR/延时特性是一致的，不同光耦的延时特性不尽相同，所以需要根据所用光耦的用户手册来确定。