夏普·光耦选型参数Opto_Line_Card_Full
夏普光耦选型手册
PC357NJ0000F
一般用途 一般用途， 高抗噪声性*1 高集电极发射极 电压 低输入电流， 高抗噪声性*1 可进行交流输入 低输入电流， 可进行交流输入, 高抗噪声性*1 高灵敏度
⅜❇
PC352NJ0000F 单 光 晶 体 管 输 出
⅜
50
3.75
80
90
5
5
4
2
100
2
PC451J00000F
PC714V0NSZXF PC724V0NSZXF
高绝缘电压 高绝缘电压， 大输入电流 高绝缘电压， 带基底端子 高绝缘电压， 高灵敏度 高绝缘电压， 高灵敏度, 高集电极发射极电压， 大功率
小型， SMT 型
数字输出 模拟／数字输出
一般用途，高响应速度， 2 通道等 高 CMR
44 44
DIP 型， SMT 型
数字输出 内置基本放大器
一般用途 用于倒流控制，内置短路保护电路
PC900V0NSZXF PC925LxNSZ0F ／PC942J00000F／ PC928J00000F／PC929J00000F
安全标准*8
绝对最大额定值
光电特性
PC123XNNSZ0F*1, *5, *6, *7 单 PC1231xNSZ0X*1 光 晶 体 PC817XNNSZ0F*5, *6, *7 管 输 PC8171xNSZ0X*5, *6 出 PC851XNNSZ0F*5, *6
高绝缘电压，强化绝缘型 高绝缘电压，强化绝缘型， 低输入电流，高抗噪声性*4 高绝缘电压 高绝缘电压，低输入电流， 高抗噪声性*4 高绝缘电压， 高集电极发射极电压 高绝缘电压，高灵敏度 高绝缘电压， 高灵敏度，低输入电流 高绝缘电压， 高集电极发射极电压 高绝缘电压， 高集电极发射极电压
光耦参数详解
光耦参数详解光耦（Optocoupler），也被称为光电隔离器或光电耦合器，是一种常用的电气隔离元件。
它由发光二极管（LED）、光敏晶体管（光敏三极管）和光电耦合器件组成。
光耦器件可将输入电信号转换为光信号，再将光信号转换为输出电信号，实现输入与输出之间的电气隔离。
在实际应用中，光耦器件的参数非常重要，在选型和设计过程中需要充分了解光耦参数的含义与特性。
本文将对光耦参数进行详解。
一、LED电流（IF）LED电流是指通过发光二极管的电流。
较大的LED电流可以提高器件的输出响应速度和增大耦合光功率。
通常，我们应选择适当的LED电流，确保LED工作在额定电流范围内，以提供合适的光照强度。
二、输出电压（VCEsat）输出电压指的是光敏晶体管或光敏三极管的饱和电压。
当输入光强度与电流满足一定条件时，光敏晶体管或光敏三极管的输出电压将保持在较低的水平。
输出电压越小，表示光耦器件的开关速度越快。
三、耐压（BVCEO）耐压是指光敏晶体管或光敏三极管的耐受反向电压。
它是光耦器件能够工作的最大反向电压。
在选择光耦器件时，应确保其耐压大于实际工作电压，以保证其正常、稳定的工作。
四、光电流传输比（CTR）光电流传输比是衡量光耦器件性能的重要指标。
它定义了光信号与输入电信号之间的转换效率。
光电流传输比越大，表示器件对输入光信号的转换效率越高。
五、工作温度范围（Topr）工作温度范围是指光耦器件能够正常工作的环境温度范围。
在实际应用中，应确保光耦器件的使用环境温度在工作温度范围内。
光耦参数的选择与应用需求密切相关。
在选型时，我们应根据具体使用情况，合理选择合适的光耦器件，并对参数进行综合考虑。
同时，由于光耦器件的参数与性能之间存在一定关系，对于不同的应用场景，也需要灵活调整参数，以满足特定的电路要求。
需要注意的是，在设计电路时，也需要充分考虑光耦器件周围的光电磁环境，合理布局电路板，以减少光耦器件与外界的电磁干扰，确保其正常工作。
光耦参数选型重要指标
光耦参数选型重要指标光耦，听起来挺高大上的，实际上它就像电路里的“桥梁”，连接着两个电路，让它们彼此交流，但又不互相干扰。
想象一下，两条河流，光耦就像那座小桥，让水流自由地流动，却又不让它们混在一起。
选购光耦的时候，可别小看了这小家伙，里面可是有不少讲究哦。
工作电压，这个指标得仔细瞧瞧。
电压高了可就没法用了，电压低了也会导致信号不稳定。
就好比你出门时，带的雨伞和衣服要和天气相符，不然可就糗大了。
你要了解自己的电路需求，选择一个合适的电压范围，这样才能让光耦发挥出最佳性能，真是事半功倍！传输速率也是个关键因素。
传输速率决定了信息传递的速度，这就像你发微信消息一样，有时候快得像闪电，有时候慢得像乌龟。
想象一下，要是你家里的设备需要实时反馈，但光耦传输太慢，那真是叫天天不应，叫地地不灵。
选择光耦的时候，得看清楚它的传输速率是否符合你的需求，别到时候急得像热锅上的蚂蚁。
再说说隔离电压，这个可得注意了。
隔离电压就像是保护膜，能让你的电路远离干扰和意外，给你一份安全感。
想想要是隔离电压不够，那可是隐患满满，电路出故障可就麻烦了。
选择光耦时，挑个隔离电压高的，心里也能踏实，仿佛给自己装了一个安全锁。
别忘了光耦的封装形式，咱们总是希望东西好用还要方便。
封装就像是衣服的样式，合适的样式才能穿出门。
如果你要在狭小的空间里使用光耦，选择一个小巧的封装形式可就显得尤为重要。
就像咱们挑衣服一样，得根据场合来选。
温度范围也不能忽略。
温度过高或过低都可能影响光耦的性能，选择适合的温度范围，确保光耦在工作时不受环境的干扰。
就好比我们每个人都需要一个舒适的环境，才能发挥出最佳的状态。
光耦也是，得让它在一个适合它的“温床”里工作。
还有一个不得不提的就是失效率，俗话说“千里之行，始于足下”，光耦的可靠性可关系到整个电路的稳定。
失效率低的光耦能让你高枕无忧，减少故障的发生。
想想要是频频出问题，得多让人抓狂，所以选择时，得关注这项指标。
光耦常用参数及光耦使用技巧
正向压降VF：二极管通过的正向电流为规定值时，正负极之间所产生的电压降。
正向电流IF：在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。
反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。
反向击穿电压VBR：：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。
结电容CJ：在规定偏压下，被测管两端的电容值。
反向击穿电压V(BR)CEO：发光二极管开路，集电极电流IC为规定值，集电极与发射集间的电压降。
输出饱和压降VCE(sat)：发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时，并保持IC/IF≤CTRmin时（CTRmin在被测管技术条件中规定）集电极与发射极之间的电压降。
反向截止电流ICEO：发光二极管开路，集电极至发射极间的电压为规定值时，流过集电极的电流为反向截止电流。
电流传输比CTR：输出管的工作电压为规定值时，输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。
脉冲上升时间tr、下降时间tf：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输出脉冲前沿幅度的10%到90%，所需时间为脉冲上升时间tr。
从输出脉冲后沿幅度的90%到10%，所需时间为脉冲下降时间tf。
传输延迟时间tPHL、tPLH：光耦合器在规定工作条件下，发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波，输出端管则输出相应的脉冲波，从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。
从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。
入出间隔离电容CIO：光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。
入出间隔离电阻RIO：半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。
入出间隔离电压VIO：光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。
----------------------------------------------------------------------------------------常用的器件。
光耦选型常用参数
光耦选型常用参数光耦全称是光耦合器，英文名字是：optical coupler，英文缩写为OC，亦称光电隔离器，简称光耦。
光耦的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。
此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
CTR：发光管的电流和光敏三极管的电流比的最小值隔离电压：发光管和光敏三极管的隔离电压的最小值集电极－发射极电压：集电极－发射极之间的耐压值的最小值光耦什么时候导通？什么时候截至？电流传输比是光耦合器的重要参数，通常用直流电流传输比来表示。
当输出电压保持恒定时，它等于直流输出电流IC与直流输入电流IF的百分比。
采用一只光敏三极管的光耦合器，CTR的范围大多为20%～300%（如4N35），而PC817则为80%～160%，达林顿型光耦合器（如4N30）可达100%～5000%。
这表明欲获得同样的输出电流，后者只需较小的输入电流。
因此，CTR参数与晶体管的hFE有某种相似之处。
线性光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真尤为严重，因此它不适合传输模拟信号。
线性光耦合器的CTR-IF 特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号时，其交流电流传输比(ΔCTR＝ΔIC/ΔIF)很接近于直流电流传输比CTR值。
因此，它适合传输模拟电压或电流信号，能使输出与输入之间呈线性关系。
这是其重要特性。
使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路时，必须遵循下列原则：所选用的光电耦合器件必须符合国内和国际的有关隔离击穿电压的标准；由英国埃索柯姆(Isocom)公司、美国摩托罗拉公司生产的4N××系列(如4N25 、4N26、4N35)光耦合器，目前在国内应用地十分普遍。
光耦参数及资料
光电耦合器(光耦)参数及资料市场常见光耦内部图：4-Pin Phototransistor Output; GaAs Input型号(规格) 厂牌CTR @10 mA I F (%)BV CEO(V)minBV CBO(V)maxV CE (sat)(V)maxt ON/ t OFF(uS)maxV ISOAC[RMS] min maxTLP521-1TOSHIBA506005572/3TLP521-2TOSHIBA506005572/3TLP521-4TOSHIBA1006005572/3TLP621-1TOSHIBA506005572/310kV光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。
光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。
常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817A—C系列。
非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。
线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。
开关电源中常用的光耦是线性光耦。
如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。
由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。
同时电源带负载能力下降。
在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。
常用的4脚线性光耦有PC817A----C。
PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。
常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。
以下是目前市场上常见的高速光藕型号：100K bit/S:6N138、6N139、PS87031M bit/S:6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）10M bit/S:6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。
光耦全参数解释及设计注意事项
光耦全参数解释及设计注意事项光耦合器（Optocoupler）是将光电二极管和晶体管紧密结合并密封在一个封装中的一种电子元器件。
它通过光耦技术将输入信号和输出端电路进行电隔离，实现信号隔离和传输，避免了信号传输过程中的干扰，同时还能具备电隔离的安全性能。
光耦合器的参数解释：1.输入光功率（PCE）：光耦合器输出端的光功率，以瓦特（W）为单位。
这个参数决定了光耦合器的灵敏度和信号传输质量，光功率越高，信号传输衰减越小。
2. 输出光通量（PCTR）：光耦合器输入端产生的光通量，以流明（lm）为单位。
这个参数衡量了光电二极管的发光能力，对于需要传输长距离、低功耗的应用来说，输出光通量应该尽量大。
3.峰值波长（λp）：光电二极管和光敏三极管的最佳光收集范围。
光电二极管的输入光源应该尽量接近该波长才能获得最佳的输出效果。
4.隔离电压（VISO）：输入端和输出端之间的电压隔离能力，以伏特（V）为单位。
隔离电压越高，信号传输过程中受到的电压干扰越小，电源与负载之间的互连更加安全可靠。
5.工作温度范围（TC）：光耦合器能够正常工作的温度范围。
在选择光耦合器时，应根据实际应用环境的温度要求来选择合适的工作温度范围，以确保稳定可靠的工作性能。
设计注意事项：1.光源选择：应根据光耦合器的峰值波长要求，选择适合的发光二极管（LED）作为输入光源。
要注意光源的发光强度和工作电流，以确保输出光功率符合要求。
2.光耦合器与负载之间的电路设计：在光耦合器的输出端与负载之间，应根据负载的特性设计合适的功率放大电路或电阻衰减电路，来改变信号的驱动能力和阻抗匹配。
这样可以提高信号传输的质量和稳定性。
3.信号传输线路的设计：应注意尽量缩短信号传输路径，减少线路中的串扰、电磁干扰和功率损耗。
使用合适的屏蔽线缆可以有效地抑制干扰。
4.光耦合器的引脚连接：在布线时，应确保输入端和输出端的引脚连接正确，且不会出现引脚交叉连接或短路的情况。
这样可以避免不正确的信号传输和元器件损坏。
光耦技术参数
光耦技术参数光耦技术是一种常见的电气隔离技术，通过光学传感器和光电二极管的组合来实现电气隔离和信号传输。
在不同的应用领域中，光耦的技术参数会有所不同。
本文将从光耦的四个主要参数入手，分别是耦合系数、切断频率、响应时间和绝缘电阻。
一、耦合系数耦合系数是光耦的一个重要参数，用来描述输入端和输出端之间的光能转换效率。
耦合系数越大，表示输入端的光能更好地转换为输出端的电能，具有更高的灵敏度。
常见的耦合系数有10%、20%、30%等，一般可根据具体需求选择。
二、切断频率切断频率是指光耦在高频信号传输中能够正常工作的频率范围。
光耦的切断频率越高，表示其响应速度越快，能够传输更高频率的信号。
切断频率一般以MHz为单位，常见的数值有10MHz、20MHz等。
在选择光耦时，需要根据实际应用中信号的频率范围来确定切断频率。
三、响应时间响应时间是光耦从输入端接收到光信号后，输出端反应的时间。
响应时间越短，表示光耦的响应速度越快，适用于高速信号传输。
常见的响应时间有几十纳秒、几百纳秒等。
需要注意的是，响应时间与切断频率有一定关系，一般来说，响应时间越短，切断频率越高。
四、绝缘电阻绝缘电阻是光耦的一个重要指标，用来衡量光耦的电气隔离性能。
绝缘电阻越大，表示输入端和输出端之间的电气隔离效果越好，能够有效阻止信号干扰和电气噪声。
常见的绝缘电阻有几百兆欧姆、几千兆欧姆等。
在一些对电气隔离性能要求较高的应用中，需要选择具有较高绝缘电阻的光耦。
除了以上四个主要参数，还有一些次要参数也需要考虑，例如工作温度范围、耐压能力、功耗等。
这些参数的选择需要根据具体的应用需求来确定，以确保光耦能够在相应的环境中稳定可靠地工作。
总结一下，光耦技术参数包括耦合系数、切断频率、响应时间和绝缘电阻，这些参数决定了光耦的性能和适用范围。
在选择光耦时，需要根据实际应用需求来确定各个参数的取值，以确保光耦在特定的环境中能够正常工作。
同时，还需要注意光耦的次要参数，以满足特定应用的要求。
光耦参数及资料
光电耦合器(光耦)参数及资料市场常见光耦内部图：4-Pin Phototransistor Output; GaAs Input 型号(规格) 厂牌CTR @10 mA I F(%)BV CEO(V)minBV CBO(V)maxV CE (sat)(V)maxt ON/ t OFF(uS)maxV ISOAC[RMS] min maxTLP521-1TOSHIBA506005570.42/3 2.5kV光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。
光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。
常用的4N系列光耦属于非线性光耦常用的线性光耦是PC817A—C系列。
非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。
线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。
开关电源中常用的光耦是线性光耦。
如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。
由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。
同时电源带负载能力下降。
在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。
常用的4脚线性光耦有PC817A----C。
PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。
常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。
以下是目前市场上常见的高速光藕型号：100K bit/S:6N138、6N139、PS87031M bit/S:6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）10M bit/S:6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。
光耦选型最全指南及各种参数说明
光耦选型手册光耦简介：光耦合器（opticalcoupler，英文缩写为OC）亦称光电隔离器或光电耦合器，简称光耦。
它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器（红外线发光二极管LED）与受光器（光敏半导体管）封装在同一管壳内。
当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。
光耦合器一般由三部分组成：光的发射、光的接收及信号放大。
输入的电信号驱动发光二极管（LED），使之发出一定波长的光，被光探测器接收而产生光电流，再经过进一步放大后输出。
这就完成了电—光—电的转换，从而起到输入、输出、隔离的作用。
光耦的分类：（1）光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。
非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于开关信号的传输，不适合于传输模拟量。
常用的4N系列光耦属于非线性光耦。
线性光耦的电流传输特性曲线接近直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。
常用的线性光耦是PC817A—C系列。
（2）常用的分类还有：按速度分，可分为低速光电耦合器（光敏三极管、光电池等输出型）和高速光电耦合器（光敏二极管带信号处理电路或者光敏集成电路输出型）。
按通道分，可分为单通道，双通道和多通道光电耦合器。
按隔离特性分，可分为普通隔离光电耦合器（一般光学胶灌封低于5000V，空封低于2000V）和高压隔离光电耦合器（可分为10kV，20kV，30kV等）。
按输出形式分，可分为：a、光敏器件输出型，其中包括光敏二极管输出型，光敏三极管输出型，光电池输出型，光可控硅输出型等。
b、NPN三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型，互补输出型等。
c、达林顿三极管输出型，其中包括交流输入型，直流输入型。
d、逻辑门电路输出型，其中包括门电路输出型，施密特触发输出型，三态门电路输出型等。
e、低导通输出型（输出低电平毫伏数量级）。
f、光开关输出型（导通电阻小于10Ω）。
光耦参数详解
光耦参数详解
光耦是一种用于电气隔离的器件，其由光电耦合器和光电转换器组成。
光电耦合器包含一个发光二极管和一个光敏三极管，通过发光二极管产生光信号并通过光敏三极管接收光信号，从而实现电信号与光信号的转换。
在应用中，光耦可以实现电路的隔离，提高电路的稳定性和可靠性。
光耦参数主要包括输入参数和输出参数。
输入参数包括输入光电流、输入光功率和输入电流。
输入光电流是指输入到光电耦合器的光信号所产生的电流，通常以毫安（mA）为单位。
输入光功率是指光耦合器所接收到的光信号的强度，通常以瓦（W）为单位。
输入电流是指光电耦合器所需要的电流，它取决于发光二极管的工作特性。
输出参数包括输出光功率、输出电流和输出电压。
输出光功率是指光敏三极管产生的光信号的强度，通常以瓦（W）为单位。
输出电流是指光敏三极管所产生的电流，通常以毫安（mA）为单位。
输出电压是指光敏三极管所产生的电压，通常以伏特（V）为单位。
此外，光耦还有一些其他的参数，如耦合系数、响应时间和传输带宽。
耦合系数是指输入光功率和输出光功率之间的比例关系，它反映了光耦合器的效率。
响应时间是指光电耦合器从接收到输入光信号到产生输出电流的时间，通常以纳秒（ns）为单位。
传输带宽是指光耦合器能够传输的最高频率信号的范围，通常以赫兹（Hz）为单位。
总之，光耦的参数能够描述其输入输出特性、工作特性和性能指标，对于选择和设计电路具有重要的参考价值。
光耦主要参数和高速光耦如何选型
光耦主要参数和高速光耦如何选型光耦是一种将电气信号转换为光信号或将光信号转换为电气信号的器件。
它由光电二极管和光敏三极管（或光控双极晶体管）组成，具有隔离电解、放大、调制和调制功能。
在实际应用中，选择适合的光耦是至关重要的，以下将讨论光耦的主要参数以及如何选型高速光耦。
光耦的主要参数如下：1.光耦电流传输比（CTR）：CTR是光耦输出电流与输入电流的比值，通常以百分比表示。
CTR越高，输入光功率相同，输出电流就越大。
选取适当的CTR可以确保信号传输的准确性和稳定性。
2.光耦响应时间：光耦响应时间是光信号从输入端到输出端需要的时间。
高速信号传输需要快速的响应时间，因此在选择高速光耦时要确保响应时间能满足实际应用需求。
3.隔离电压：隔离电压是光耦能够承受的最大电压。
对于需要高电压隔离的应用，需要选择具有足够高隔离电压的光耦。
4.工作温度范围：光耦的工作温度范围取决于其元件材料和封装方式。
在选择光耦时，要确保其工作温度范围能够适应实际应用环境。
5.耐压能力：耐压能力指的是光耦能够承受的最大电压。
在选择光耦时要根据所需的电压范围来确定光耦的耐压能力。
6.封装类型：光耦的封装类型也是选择的一个重要因素。
常见的封装类型包括DIP（双列直插封装）、SMD（表面贴装封装）和COB（芯片封装）等。
选择适合的封装类型可以简化产品的安装和布局。
对于高速光耦的选型，除了上述主要参数外，还需要考虑以下几个因素：1.带宽：高速光耦的带宽是指其能够传输的最高频率。
通常以MHz或GHz为单位。
在选择高速光耦时，要根据实际应用需求确定所需的带宽范围。
2.上升时间：上升时间是指光信号从0%到90%上升的时间。
它是评估光耦响应速度的重要指标。
较低的上升时间可以实现更快的信号传输。
3.构造和材料：高速光耦通常采用功率放大器来提高高速信号的响应速度。
不同的构造和材料可以对高速光耦的性能产生影响。
因此，在选型时要仔细考虑构造和材料的选择。
从三个方面解析光耦参数
从三个方面解析光耦参数光耦，也称为光耦合器或光电耦合器，是一种用于隔离和传输电信号的光电转换器件。
它由光源、光电转换器件（如光敏电阻或光电晶体管）、传输介质和驱动电路组成。
光源发出的光线被光电转换器件接收后，产生相应的电信号，完成光和电的相互转换。
光耦器件的参数直接关系到其转换效率和传输性能。
下面将从三个方面解析光耦参数。
一、光电转换特性1. 波长特性：光耦器件在接收光信号时，对输入光的波长有一定的敏感范围。
一般来说，光耦器的输入光波长范围在850nm、1300nm和1550nm这三个常用波长之一2.光电转换增益：光电转换增益是光耦输出电流与输入光功率之比，代表了光电转换的效率。
该增益通常以A/W（安培/瓦特）为单位。
增益值越大，表示光电转换效率越高。
3.暗电流：光耦器件在没有光照射时输出的电流称为暗电流。
暗电流是光耦器件的一个重要参数，它代表了在无光照射情况下光耦器件内部电流产生的源头，如果暗电流过大，就会对输出信号的准确性产生影响。
4.响应时间：光耦器件的响应时间指的是光信号从输入到输出所需要的时间，一般以微秒（μs）为单位。
响应时间越短，表示光耦器件的响应速度越快，能够更准确地传输信号。
二、光源特性1.光源波长：光耦器件的性能会受到光互振衰减的影响，而光互振衰减与光源与光接收器之间的波长一致性有关。
因此，光源的波长需要与光耦器件的波长匹配，才能获得较好的性能。
2.光源强度：光源强度表示光的亮度，通常以瓦特/立方厘米为单位。
光源强度越大，表示光源发出的光线越强烈，能够提供更高的信号传输效率。
3.光源稳定性：光源的稳定性是指在长时间运行中，光源输出的光强度是否能够保持在一个稳定的范围内。
光源稳定性的好坏直接影响到光耦器件的传输性能以及系统的可靠性。
三、电路特性1.工作电压：光耦器件的工作电压范围是指器件所能够承受的最大和最小工作电压。
如果工作电压超出了这个范围，光耦器件可能无法正常工作。
2.绝缘电压：绝缘电压是指光耦器件所能够承受的最大绝缘电压。
常用光耦简介及常见型及参数
【转】常用光耦简介及常见型号及参数2010-10-15 21:52转载自lywofhome最终编辑nxplyzh常用光耦简介及常见型号???? 光电耦合器（简称光耦）是开关电源电路中常用的器件。
光电耦合器分为两种：一种为非线性光耦，另一种为线性光耦。
常用的4N系列光耦属于非线性光耦,常用的线性光耦是PC817A—C系列。
????? 非线性光耦的电流传输特性曲线是非线性的，这类光耦适合于弄开关信号的传输，不适合于传输模拟量。
????? 线性光耦的电流传输手特性曲线接进直线，并且小信号时性能较好，能以线性特性进行隔离控制。
开关电源中常用的光耦是线性光耦。
如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。
由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。
同时电源带负载能力下降。
在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。
常用的4脚线性光耦有PC817A----C。
PC111 TLP521等常用的六脚线性光耦有：TLP632 TLP532 PC614 PC714 PS2031等。
常用的4N25 4N26 4N35 4N36是不适合用于开关电源中的，因为这4种光耦均属于非线性光耦。
经查大量资料后，以下是目前市场上常见的高速光藕型号：100K bit/S:6N138、6N139、PS87031M bit/S:6N135、6N136、CNW135、CNW136、PS8601、PS8602、PS8701、PS9613、PS9713、CNW4502、HCPL-2503、HCPL-4502、HCPL-2530（双路）、HCPL-2531（双路）10M bit/S:6N137、PS9614、PS9714、PS9611、PS9715、HCPL-2601、HCPL-2611、HCPL-2630（双路）、HCPL－2631（双路）光耦合器的增益被称为晶体管输出器件的电流传输比 (CTR)，其定义是光电晶体管集电极电流与LED正向电流的比率(ICE/IF)。
光耦参数详解(一)
光耦参数详解(一)光耦参数详解1. 什么是光耦参数？•光耦参数是指光电耦合器的一些关键性能指标和参数，用于评估光电耦合器的性能和适用范围。
2. 常见的光耦参数及其意义•输入光功率：指输入光信号的功率水平，通常以光功率单位dBm 表示。
光功率越高，光电耦合器的灵敏度越好，可以实现更高的传输距离。
•频率响应：用于描述光电耦合器对输入光信号频率变化的响应能力。
频率响应越宽，光电耦合器的传输带宽越大，可以传输更高频率的信号。
•隔离电压：指输入端和输出端之间的电压隔离能力。
隔离电压越高，光电耦合器的隔离效果越好，可以有效防止信号干扰和电路短路。
•响应时间：用于描述光电耦合器对输入光信号变化的响应速度。
响应时间越短，光电耦合器的快速开关能力越强，适用于高速信号传输和快速开关电路。
•工作温度范围：指光电耦合器能够正常工作的温度范围。
工作温度范围越宽，光电耦合器的适用场景越广。
3. 如何选择合适的光耦参数？•根据实际应用需求，选择合适的光功率、频率响应、隔离电压、响应时间和工作温度范围等参数。
•如果需要传输高频率信号，需要选择具有宽频率响应的光电耦合器。
•如果要求输入输出电路隔离效果好，需要选择隔离电压较高的光电耦合器。
•如果需要进行快速开关或传输高速信号，需要选择响应时间较短的光电耦合器。
4. 光耦参数的实际应用•光电耦合器广泛应用于工业控制、通信设备、医疗设备等领域。
•在工业控制领域，光电耦合器可以实现输入信号和输出信号的隔离，保护下位机免受高压开关电路的干扰。
•在通信设备中，光电耦合器用于光纤通信系统中的信号隔离和信号调理。
•在医疗设备中，光电耦合器可以实现生物信号的隔离和测量，用于医学监护和诊断设备。
5. 总结•光耦参数是评估光电耦合器性能的关键指标。
•不同的光耦参数适用于不同的应用场景和需求。
•合理选择光耦参数能够提高系统的性能和稳定性。
以上是关于光耦参数的详细解释，希望对读者有所帮助。
当选择光耦参数时，需要根据实际应用需求来进行合理的选择，以确保系统性能和稳定性的提高。
从三个方面解析光耦参数
从三个方面解析光耦参数光耦参数是指衡量光耦器件性能的各项指标和参数，包括光耦系数、响应时间、频带宽度、传输速率等。
通过解析光耦参数，我们可以了解光耦器件在光电转换、光电隔离等方面的性能。
第一方面，光耦系数。
光耦系数是指输入光功率与输出电流的比值。
它决定了光耦器件的灵敏度和增益。
光耦系数越高，表示输入光功率转换为电流的效率越高，对于输入光功率较小的情况下，输出电流可以保持较高的稳定性。
光耦系数的计算可以通过将光电二极管的电流与输入光功率之比来得到。
在实际应用中，光耦器件的光耦系数通常通过器件手册中给出的典型数值来确定。
第二方面，响应时间。
光耦器件的响应时间是指从光输入到电输出之间的时间延迟。
它反映了光耦器件的转换速度和相应的灵敏度。
响应时间较低的光耦器件可以更快地将光信号转换为电信号，并实现快速的光电隔离。
响应时间的计算可以通过将光电隔离器件的信号传输延迟与光输入信号的频率之比来得到。
在实际应用中，响应时间的要求通常根据具体应用的需求来确定，例如在高速通信领域中，需要具备快速响应时间的光耦器件。
第三方面，频带宽度和传输速率。
频带宽度是指光耦器件能够传输的频率范围。
高频带宽度意味着光耦器件可以传输更高的频率信号，从而实现更高的传输速率。
传输速率是指光耦器件能够传输的最大数据速率。
传输速率的提高可以通过增加光耦系数和改善响应时间来实现。
对于高速通信和数据传输应用，需要具备宽频带宽度和较大的传输速率的光耦器件。
频带宽度和传输速率的计算可以通过器件手册中给出的典型数值和相关公式来确定。
综上所述，通过对光耦参数的解析，我们可以从光耦系数、响应时间、频带宽度和传输速率等方面了解光耦器件的性能。
这些参数能够帮助我们选择和评估光耦器件，确保其能够满足应用需求，并提供良好的光电转换和光电隔离效果。
光耦参数详解范文
光耦参数详解范文光耦是一种将输入和输出电路隔离的器件，它由发光二极管（LED）和光敏三极管（光电三极管）组成。
它具有高耐电压、高隔离电阻、低反向漏电流等特点，在电子电路设计中广泛应用于信号隔离、电气隔离和驱动电路等领域。
下面详细介绍光耦的参数。
1.电源电压（VCC）：这是光耦器件正常工作的电压范围。
它通常在数据表中指定，并应与应用电路的电源电压匹配。
2.峰值发光二极管电流（IFP）：这是发光二极管在正向工作时的最大电流。
过大的电流可能会导致发光二极管损坏或寿命缩短。
3.受控电流传输比（CTR）：CTR表示输入电流与输出电流的比例。
它是光耦的一个重要参数，用以描述输入光功率和输出电流的关系。
CTR 通常以百分比表示，并在数据表中给出。
4.响应时间（tR，tF）：响应时间是光敏三极管从接收到光信号到输出电流达到规定值的时间。
它分为上升时间（tR）和下降时间（tF），通常以微秒为单位，并在数据表中给出。
5.隔离电压（VISO）：隔离电压是指光电耦的输入与输出之间的电气隔离能力。
它表示器件能在工作电流和工作温度下承受的最大电压。
VISO 通常以伏特为单位，并在数据表中给出。
6.开关速度：开关速度是指光耦器件从关断到导通或从导通到关断的时间。
它主要由发光二极管和光敏三极管的响应时间决定。
7.工作温度范围：光耦器件通常具有工作温度范围，超出这个范围可能会导致器件性能下降或损坏。
工作温度范围通常在数据表中给出。
8.输入至输出间隔电容：光耦器件的输入和输出之间存在间隔电容。
间隔电容是由于器件结构造成的电容效应，会影响器件的高频响应和噪声特性。
9.反向漏电流（IRR）：反向漏电流是指光敏三极管在无光照射时的漏电流。
正常情况下，漏电流应尽可能小，以确保器件的正常工作。
10.输入阻抗（RI）：输入阻抗指的是光耦器件的输入端对外部电路的等效阻抗。
在设计中，应将输入阻抗与输入电源电阻、输出电气负载阻抗匹配，以确保信号正确传输。
光耦元件参数
光耦元件参数光耦（Optocoupler）是一种将输入和输出电路隔离的元件，由发光二极管（LED）和光敏三极管（光电晶体管、光电晶体管、光敏二极管）组成。
它通过光的转换来实现输入和输出之间的电隔离，具有输入电路与输出电路之间高隔离、低耦合、高电阻和高速度等特点。
本文将对光耦元件的参数进行详细介绍。
1.绝缘电压（VISO）：光耦的绝缘电压是指在输入和输出之间能够承受的最大电压。
它决定了光耦在工作时能够安全隔离输入和输出电路，防止电压过高引起的电击和损坏。
绝缘电压的单位一般为伏特（V），常见的光耦绝缘电压有250V、500V、1000V等。
2.电流传输比（CTR）：电流传输比是指光耦输入端的电流与输出端电流之间的比值。
它反映了光耦将输入电流转换为输出电流的效率。
电流传输比越高，表示输入端的电流变化对输出端电流的影响就越大，输出电流也就越大。
常见的电流传输比有50%、100%等。
3.响应时间（tR、tF）：响应时间是光耦从输入端接收到信号后，输出端从低电平到高电平（或从高电平到低电平）所需要的时间。
它决定了光耦的工作速度和响应能力。
响应时间越短，表示光耦的响应速度越快，适用于高速传输和快速开关等应用。
4.工作温度（Topr）：工作温度是指光耦能够正常工作的温度范围。
光耦在工作时会产生一定的热量，如果工作温度超过了允许范围，可能会导致元件性能下降或损坏。
因此，在选择光耦时需要根据实际工作环境确定允许的工作温度范围。
5.耐压（VCEO、VCEOs）：光耦的耐压是指输出端（光敏三极管部分）能够承受的最大电压。
它决定了光耦在输出端的电压变化范围，超过耐压范围可能会导致破坏。
耐压的单位一般为伏特（V），常见的耐压有30V、60V、80V等。
6.继电器特性（RL、VOL、VOH）：光耦常用于控制继电器，因此相关的继电器特性也是需要考虑的。
RL是继电器的负载电阻，表示继电器在导通状态时所能承受的最大负载电流。
VOL是继电器的输出低电平，表示继电器在导通状态时输出端的低电平电压。
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Sharp’s Distance Sensors outperform capacitive, ultrasonic, and light-intensity offerings.Lighting• LED Modules • LED Drivers• Ambient Light Sensors• Blue Laser DiodesPower• Photocouplers • PhototriacsSensors• Photointerrupters • Optical System Devices• Emitters/DetectorsElectronic Components GroupSelector GuideSMD High-brightness LEDsPart Number Package Type ColorColorTemperature(°K)DominantWavelength(nm)CurrentMAX.(mA)TestedCurrent(mA)ForwardVoltage(V)ViewingAngle(degrees)LuminousFlux(lm)LuminousIntensity(mcd)GM5BW96385A PLCC2White5,300NA3020 3.2120 6.32,200 GM5BW97330A PLCC4White5,300NA8060 3.2120176,400 GM5BW97331A PLCC4White5,000NA8060 3.2120177,000 GM5BW97332A PLCC4Cool white6700NA8060 3.2120155,800 GM5BW97333A PLCC4Cool white11,500NA8060 3.2120125,100 GM5SAE27P0A PLCC2Warm white2,700NA3020 3.2120 5.82,000 GM5SAE30P0A PLCC2Warm White3,000NA3020 3.2120 5.82,050 GM5SAE35P0A PLCC2Warm White3,500NA3020 3.2120 5.82,100 GM5SAE40P0A PLCC2White4,000NA3020 3.2120 5.82,150 GM5SAE45P0A PLCC2White4,500NA3020 3.2120 5.82,200 GM5SAE50P0A PLCC2White5,000NA3020 3.2120 5.82,200 GM5SAE57P0A PLCC2Cool white5,700NA3020 3.2120 5.82,200 GM5SAE65P0A PLCC2Cool white6,500NA3020 3.2120 5.82,200 GM5BW05341A 5.0 × 5.0 with Lens Cool white6,500NA25/25/2520/20/20 3.2602510,000 GM5BW01300A 6.0 × 5.0Cool white6,500NA40/40/4035/35/35 3.4120114,000 NOTE: Ta = 25°CLED Lighting Module “Zenigata”Power (Watt)Part Number Package Type ColorColorTemperature(°K)Current MAX.(mA)Tested Current(mA)ForwardVoltage (V)Viewing Angle(degees)Luminous Flux(lm)3.6GW5BDC15L0218mm × 18mm Warm White280040036010.2120200 GW5BWC15L0218mm × 18mm White500040036010.2120280 GW5BNC15L0218mm × 18mm High CRI White500040036010.2120190 GW5BNC15L1218mm × 18mm High CRI Cool White650040036010.21201906.7GW5BDF15L0018mm × 18mm Warm White280070064010.2120400 GW5BWF15L0018mm × 18mm White500070064010.2120540 GW5BNF15L0018mm × 18mm High CRI White500070064010.2120350 GW5BNF15L1018mm × 18mm High CRI Cool White650070064010.2120350Side Emission LEDsPart Number Package Type ColorColorTemperature(°K)DominantWavelength(nm)Current MAX.(mA)TestedCurrent (mA)ForwardVoltage(V)Viewing Angle(degees)LuminousFlux(lm)LuminousIntensity(mcd)GM4BW853B0A 2.8 × 1.2 (T: 0.8)White8,000NA3520 3.2110 5.82,200 GM4BW653B0A 3.85 × 1.0 (T: 0.6)White8,000NA3520 3.2110 5.82,200 GM4BW53340A 3.85 × 1.0 (T: 0.5) White8,000NA3520 3.2110 5.41,800LED DriversModel No.LED ConfigurationRGB WhiteInputVoltage(V)OutputCurrent(mA)Step-upSwitchingFrequency(Hz)LED Anode VoltageSupply SourceControl PackagePackageDimensions (mm) (parallel)(series)IR2D0716N/A N/A N/A 3.0 – 5.555N/A External (to 7.0 V)3-line serial28-pin SDIP8.6 × 25.5 × 4.4 IR2D20U8+8+8N/A N/A N/A 4.5 – 5.530N/A External (to 18 V)3-line serial52-pin HQFN7.2 × 7.2 × 0.92IR2E46Y73 2 sets of 2 LEDs 1 pair 2 sets of 2 LEDs(series)2.7 – 4.5155 1.2MExternal (to 4.5 V)Built-in step-up CoilI2C bus33-pin WLCSP 3.6 × 3.6 × 0.82IR2E49U65 5 sets of 7 LEDsN/A5 sets of 7 LEDs(series)6 – 28150100k – 1M Built-in step-up Coil Logic input36-pin VQFN 6.2 × 6.2 × 1.0 35 (5 × 7) possibleIR2E51Y74 (W)+ 2 (W)+ 3 (RGB)N/A 1 pair6 LEDs (4+2)(parallel)3.0 –4.52.3 –3.225500kBuilt-in step-upCharge pumpI2C bus35-pin WLCSP 3.6 × 3.6 × 0.82IR2E53Y7 6 (RGB)18 sets of 6 LEDs 618 LEDs 3.0 – 4.52.3 –3.225.9660kBuilt-in step-upCharge pumpI2C bus35-pin WLCSP 3.57 × 3.57 × 0.875PQ6CB11X1CP N/A 1 set of 6 LEDs N/A 6 LEDs (series) 2.7 – 5.5250 1.2M Built-in step-up Coil Logic input6-pin SMD 1.8 × 2.0 × 0.8 PQ7L2020BP N/A 1 set of 9 LEDs N/A9 LEDs (series) 2.9 – 5.5500 1.2M Built-in step-up Coil Logic input6-pin SMD 1.8 × 2.0 × 0.8Ambient Light SensorsModel No. Type PackageAbsoluteMaximumRatingsElectro-optical CharacteristicsTopr(°C)SupplyVoltageV CC (V)IlluminanceRangeEx (lx)DissipationCurrent I CC(μA) TYP.PeakSensitivityWavelengthλp (nm)Output Current V CC(V)I O(mA)I O1 (μA)TYP.I O2 (μA)TYP.GA1A2S100SS Built-in amplification circuit.Peak sensitivity characteristicclose to human vision: Linearcurrent output. Straight leads.Transparentresin(3 × 4 mm)7.0 5 –40 to +85 2.7 to 3.6 10 to 10,000 500 555480 (atEv =1,000 lx)48 (atEv =100 lx)GA1A2S100LY Built-in amplification circuit.Peak sensitivity characteristicclose to human vision: Linearcurrent output. L-bend leads.7.0 5 –40 to +85 2.7 to 3.6 10 to 10,000 500 555480 (atEv =1,000 lx)48 (atEv =100 lx)GA1A1S201WP Built-in amplification circuit.Peak sensitivity characteristicclose to human vision: Loga-rithmic current output.Compact(2.0 × 1.6 mm)Leadless7.0 1 –40 to +85 2.3 to 3.2 3 to 55,000 70 55520 (atEv =100 lx)30 (atEv =1,000 lx)Blue Laser Diodes (with integrated photodiode)Part Number Peak Wavelength(nm)Optical Output Power(mW)Threshold Current(mA)TYP.Operating Current(mA)TYP.Operating Voltage (V)TYP.PackagesGH0420B2A 400 - 413 210 40 120 5.4 f5.6CAN GH04125A2A 400 - 415 20 25 35 5.8 f5.6CANNOTE: Please contact marketing for Current Transfer Ratio (CTR), Tape & Reel and Lead Forming Options.4-pin DIP6-pin DIP Mini-flat4-pinMini-flat5-pinSOP 8-pin8 -pin DIPPC123J00000F, PC357NJ0000F,PC3H7J00000F, PC3H71xNIP0F, PC4H510NIP0F,PC8171xNSZ0F, PC817XJ0000F, PC851XJ0000F, PC3ST11NSZAF, PC3SD12NTZAF, PC3SF11YVZAF, S2S4A000F,PC3SH21YFZBF, PC3SD21YTZBF,PC3SD21YTZDF, PC3SF21YVZBFPC3H41xNIP0F, PC8141xNSZ0F, PC364NJ0000F,PC3H4J00000F, PC3H41xNIP0F, PC35NJ0000F PC355NJ0000F, PC3H5J00000F,PC3H510NIP0F, PC815XJ0000F, PC81510NS0FPC457S0NIP0F, PC957L0NSZ0FPC852XJ0000F, PC853XJ0000FPC410L0NIP0F, PC410S0NIP0FPC412S0NIP0FPC411L0NIP0F, PC411S0NIP0F PC4D10SNIP0FPC923L0NSZ0F, PC924L0NSZ0FPC3ST11NSZAF, PC3SD12NTZAF,PC3SF11YVZAF, PC4SF11YVZAFPC900V0NIPXFS2S4A000F, PC3SH21YFZBF, PC3SD21YTZBF,PC3SD21YTZDF, PC3SF21YVZBFInternal Connection DiagramsGP1S096HCZ0FGPS196HCZSF GP1S097HCZ0FGP1S092HCPIFGP1S094HCZ0FGP1S51VJ000F GP1S52VJ000FGP1S53VJ000FGP1A50HRJ00FGP1A51HRJ00FGP1A57HRJ00FGP1A52HRJ00FGP1A53HRJ00FGP1S58VJ000FGP1A05AJ000F GP2A200LCS0F, GP2A25J0000F,GP2A25NJJ00FGP2A231LRSAF Internal Connection DiagramGP1S44S1J00FGP2S60GP2S700HCPGP2D12J0000F, GP2Y0A21YK0F, GP2D120XJ00F, GP2D15J0000F, GP2Y0D21YK0F, GP2D150AJ00FGP2Y0D02YK0F, GP2Y0A02YK0F GP2Y0A700K0F GP2Y0D805Z0F, GP2Y0D810Z0FGL100MN0MP, GL100MN1MP PT100MC0MP, PT100MF0MP,PT100MF1MP11Electronic Components GroupSelector Guide©2008 Sharp Microelectronics of the Americas. 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